JPH08213233A - 異方性薄膜及びその製造方法 - Google Patents
異方性薄膜及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08213233A JPH08213233A JP9989595A JP9989595A JPH08213233A JP H08213233 A JPH08213233 A JP H08213233A JP 9989595 A JP9989595 A JP 9989595A JP 9989595 A JP9989595 A JP 9989595A JP H08213233 A JPH08213233 A JP H08213233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic field
- particles
- anisotropy
- anisotropic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/007—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure ultrathin or granular films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/26—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids using electric currents, e.g. electroplating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反磁性の異方性を有する粒子を磁場中で配向
させて薄膜化することにより異方性のある薄膜を提供す
る。 【構成】 反磁性野異方性を有する粒子が一定の秩序を
もって配向している異方性薄膜。この薄膜は、磁場中に
おかれた前記反磁性の異方性を有する粒子を Δｘ・Ｈ2＞１．５ｋＴ （Ｈ：磁束密度［Ｇ］ ｋ：Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数 １．３８１×１０~16［ｅｒｇ・Ｋ~1］ Ｔ：絶対温度［Ｋ］） の条件下で溶媒蒸発法、ミセル電解法、静電気化学時ミ
セル薄膜形成法、伝着法、光重合性モノマー分散法など
により製造される。
させて薄膜化することにより異方性のある薄膜を提供す
る。 【構成】 反磁性野異方性を有する粒子が一定の秩序を
もって配向している異方性薄膜。この薄膜は、磁場中に
おかれた前記反磁性の異方性を有する粒子を Δｘ・Ｈ2＞１．５ｋＴ （Ｈ：磁束密度［Ｇ］ ｋ：Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数 １．３８１×１０~16［ｅｒｇ・Ｋ~1］ Ｔ：絶対温度［Ｋ］） の条件下で溶媒蒸発法、ミセル電解法、静電気化学時ミ
セル薄膜形成法、伝着法、光重合性モノマー分散法など
により製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、機能性薄膜及びその製
膜技術に関し、詳しくは、電子写真感光体、太陽電池な
どに有用な異方導電性膜（異方導電性膜、異方光導電性
膜など）や光メモリー、カラーフィルターなどに有用な
光学的異方性膜、及びこれらの製造方法に関する。
膜技術に関し、詳しくは、電子写真感光体、太陽電池な
どに有用な異方導電性膜（異方導電性膜、異方光導電性
膜など）や光メモリー、カラーフィルターなどに有用な
光学的異方性膜、及びこれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】機能性薄膜には多くの種類のものが知ら
れているが、その中で、特開昭６２−２８１３１０号、
特開平５−２５３４６６号などに開示されている磁気異
方性薄膜は磁気異方性や加工特性を利用し、磁気記録材
料、電磁波吸収体、電流変換素子などの広範な分野に使
用されている。
れているが、その中で、特開昭６２−２８１３１０号、
特開平５−２５３４６６号などに開示されている磁気異
方性薄膜は磁気異方性や加工特性を利用し、磁気記録材
料、電磁波吸収体、電流変換素子などの広範な分野に使
用されている。
【０００３】しかし、これら文献に記載された技術は常
磁性を有する磁気異方性薄膜の製造法の紹介であり、そ
こに記述された内容は、反磁性の異方性秩序配向（高次
構造制御）により薄膜化させた異方性（光学的、電気
的、光導電性、熱的、機械的など）を有する薄膜とは本
質的に異なるものである。もっともＰｈｙｓｉｃａ Ｂ
１６４（１９９０）２２２−２２８、Ｎｏｒｔｈ−Ｈ
ｏｌｌａｎｄ（ＹＡＭＡＧＩＳＨＩ等）においては、反
磁性の異方性を利用してポリマー繊維を磁場中で配向さ
せることが開示されている。この技術内容は方法論的に
は本発明と同じであるが、ここには薄膜化の手段につい
ては何等触れられていない。
磁性を有する磁気異方性薄膜の製造法の紹介であり、そ
こに記述された内容は、反磁性の異方性秩序配向（高次
構造制御）により薄膜化させた異方性（光学的、電気
的、光導電性、熱的、機械的など）を有する薄膜とは本
質的に異なるものである。もっともＰｈｙｓｉｃａ Ｂ
１６４（１９９０）２２２−２２８、Ｎｏｒｔｈ−Ｈ
ｏｌｌａｎｄ（ＹＡＭＡＧＩＳＨＩ等）においては、反
磁性の異方性を利用してポリマー繊維を磁場中で配向さ
せることが開示されている。この技術内容は方法論的に
は本発明と同じであるが、ここには薄膜化の手段につい
ては何等触れられていない。
【０００４】
【課題が解決しようとする課題】本発明の目的は、反磁
性の異方性を有する粒子を磁場中で配向させて薄膜化す
ることにより異方性のある薄膜を提供することにある。
性の異方性を有する粒子を磁場中で配向させて薄膜化す
ることにより異方性のある薄膜を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために、いろいろな角度から研究・検討を重
ねてきた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、
本発明によれば （１）第一に、反磁性の異方性を有する粒子が一定の秩
序をもって配向してなることを特徴とする異方性薄膜、
及び （２）第二に、磁場中に存在する前記（１）の粒子を Δｘ・Ｈ2＞１．５ｋＴ Ｈ：磁束密度［Ｇ］ ｋ：Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数 １．３８１×１０-16［ｅｒｇ・Ｋ-1］ Ｔ：絶対温度［Ｋ］ の条件下で薄膜化することを特徴とする異方性薄膜の製
造方法、が提供される。
を達成するために、いろいろな角度から研究・検討を重
ねてきた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、
本発明によれば （１）第一に、反磁性の異方性を有する粒子が一定の秩
序をもって配向してなることを特徴とする異方性薄膜、
及び （２）第二に、磁場中に存在する前記（１）の粒子を Δｘ・Ｈ2＞１．５ｋＴ Ｈ：磁束密度［Ｇ］ ｋ：Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数 １．３８１×１０-16［ｅｒｇ・Ｋ-1］ Ｔ：絶対温度［Ｋ］ の条件下で薄膜化することを特徴とする異方性薄膜の製
造方法、が提供される。
【０００６】以下に本発明をさらに詳細に説明する。先
にあげたＹＡＭＡＧＩＳＨＩ等によれば、反磁性の異方
性Δｘを有する粒子（分子、高分子、微結晶、凝集体な
どで、微粒子を含む）が磁束密度Ｈの磁場中に置かれた
場合、Δｘが１０-27［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度の通常のπ
電子系有機分子では、３００Ｋ（室温）において、約１
０００［Ｔ］（１０7Ｇ）の超強磁場下まで、その配向
の度合を表すオーダーパラメータ〈ｍ〉は、 〈ｍ〉＝Δｘ・Ｈ2／１５ｋＴ で表わされる。
にあげたＹＡＭＡＧＩＳＨＩ等によれば、反磁性の異方
性Δｘを有する粒子（分子、高分子、微結晶、凝集体な
どで、微粒子を含む）が磁束密度Ｈの磁場中に置かれた
場合、Δｘが１０-27［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度の通常のπ
電子系有機分子では、３００Ｋ（室温）において、約１
０００［Ｔ］（１０7Ｇ）の超強磁場下まで、その配向
の度合を表すオーダーパラメータ〈ｍ〉は、 〈ｍ〉＝Δｘ・Ｈ2／１５ｋＴ で表わされる。
【０００７】ところが、一般に形成できる磁場は、定常
磁場で約２０［Ｔ］まで、ハイブリッド等の特殊な構成
によっても約４０［Ｔ］までであり、パルス磁場の場合
には、非破壊で約１００［Ｔ］まで、破壊型で約１００
０［Ｔ］までという報告がある。従って、粒子が配向し
たと認める基準として、〈ｍ〉＞０．１を設定すると、 Δｘ＞１０-28［ｅｒｇ・Ｇ-2］ が導かれる。これは最低の条件であり、通常は、Ｈ＝１
０［Ｔ］程度、〈ｍ〉≒１が最も実用的であり、この場
合は Δｘ＞１０-23［ｅｒｇ・Ｇ-2］ といった条件が導き出されてくる。これは、１個の粒子
中に、１０-27［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度の反磁性の異方性
を有する分子が、１０4個以上、一定の秩序をもって含
まれていることを意味する。本発明の異方性薄膜は反磁
性の異方性を有する粒子が一定の秩序をもって配向され
たものから形成されているが、このものは望ましくは、
異方性固体薄膜である。
磁場で約２０［Ｔ］まで、ハイブリッド等の特殊な構成
によっても約４０［Ｔ］までであり、パルス磁場の場合
には、非破壊で約１００［Ｔ］まで、破壊型で約１００
０［Ｔ］までという報告がある。従って、粒子が配向し
たと認める基準として、〈ｍ〉＞０．１を設定すると、 Δｘ＞１０-28［ｅｒｇ・Ｇ-2］ が導かれる。これは最低の条件であり、通常は、Ｈ＝１
０［Ｔ］程度、〈ｍ〉≒１が最も実用的であり、この場
合は Δｘ＞１０-23［ｅｒｇ・Ｇ-2］ といった条件が導き出されてくる。これは、１個の粒子
中に、１０-27［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度の反磁性の異方性
を有する分子が、１０4個以上、一定の秩序をもって含
まれていることを意味する。本発明の異方性薄膜は反磁
性の異方性を有する粒子が一定の秩序をもって配向され
たものから形成されているが、このものは望ましくは、
異方性固体薄膜である。
【０００８】一方、薄膜化の条件としては、〈ｍ〉＞
０．１の条件下では、 Δｘ・Ｈ2＞１．５ｋＴ であるが、最も有用な〈ｍ〉≒１．０を実現する為に
は、 Δｘ・Ｈ2＞１５ｋＴ が必要となる。例えば、前述のＨ＝１０［Ｔ］、Δｘ＝
１０-23［ｅｒｇ・Ｇ-2］の場合、左辺は１０-13、右辺
は６．２×１０-13となり、Δｘをもう一桁大きくする
（粒子中の分子数を多くする、即ち、もう少し大きな微
結晶を使う）必要がある。
０．１の条件下では、 Δｘ・Ｈ2＞１．５ｋＴ であるが、最も有用な〈ｍ〉≒１．０を実現する為に
は、 Δｘ・Ｈ2＞１５ｋＴ が必要となる。例えば、前述のＨ＝１０［Ｔ］、Δｘ＝
１０-23［ｅｒｇ・Ｇ-2］の場合、左辺は１０-13、右辺
は６．２×１０-13となり、Δｘをもう一桁大きくする
（粒子中の分子数を多くする、即ち、もう少し大きな微
結晶を使う）必要がある。
【０００９】薄膜化の方法については、磁場中で使用可
能な手段であれば何でも良いが、磁場が限られた空間に
のみ形成されることを考慮すれば、気相法は装置が大が
かりになり具合が悪く、液相法が適している。簡単に
は、磁場中で溶媒を蒸発させて薄膜を作製する溶媒蒸発
法がある。薄膜を作製する方法としては、電解重合法や
ＬＢ法等があるが、これらの方法は、複数の分子からな
る粒子（例えば微結晶）には不向きである。
能な手段であれば何でも良いが、磁場が限られた空間に
のみ形成されることを考慮すれば、気相法は装置が大が
かりになり具合が悪く、液相法が適している。簡単に
は、磁場中で溶媒を蒸発させて薄膜を作製する溶媒蒸発
法がある。薄膜を作製する方法としては、電解重合法や
ＬＢ法等があるが、これらの方法は、複数の分子からな
る粒子（例えば微結晶）には不向きである。
【００１０】この様な粒子（例えば顔料粒子）を薄膜化
する方法としては、ミセル電解法（ＥＭＤ法）、光電気
化学的ミセル薄膜形成法（ＰＭＤ法）、電着法が挙げら
れる。その他、反磁性の異方性を有する粒子を光重合性
モノマーに分散させて、モノマーを光重合させる方法も
効果的である。ここで、ＥＭＤ法とは、特殊なミセル分
散液中に顔料結晶等の粒子を分散させ、このミセルを電
気化学的に分解することにより、ミセル分散液中に担持
された粒子を電極上にデポジションさせる方法である。
また、ＰＭＤ法とは上記の反応を光のアシストで行う方
法であり、光によるパターニングが可能になる。
する方法としては、ミセル電解法（ＥＭＤ法）、光電気
化学的ミセル薄膜形成法（ＰＭＤ法）、電着法が挙げら
れる。その他、反磁性の異方性を有する粒子を光重合性
モノマーに分散させて、モノマーを光重合させる方法も
効果的である。ここで、ＥＭＤ法とは、特殊なミセル分
散液中に顔料結晶等の粒子を分散させ、このミセルを電
気化学的に分解することにより、ミセル分散液中に担持
された粒子を電極上にデポジションさせる方法である。
また、ＰＭＤ法とは上記の反応を光のアシストで行う方
法であり、光によるパターニングが可能になる。
【００１１】粒子としては、本発明の異方性薄膜の応用
を考えると、フタロシアニンやペリレン系等の顔料結晶
等の使用が望ましいが、これに限定されず、前記の条件
を満足する微結晶、凝集体、高分子などが選択される。
を考えると、フタロシアニンやペリレン系等の顔料結晶
等の使用が望ましいが、これに限定されず、前記の条件
を満足する微結晶、凝集体、高分子などが選択される。
【００１２】
【実施例】次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００１３】実施例１ Ｔ．Ｓａｊｉ等の方法（Ｊ，Ａｍｅｒ，Ｃｈｅｍ．，１
１３（１９９１）４５０−４５６）を用いてＸ型フタロ
シアニン顔料のミセル分散溶液を調製した。このフタロ
シアニン顔料分散ミセル溶液を、超電導磁石により発生
させた１５［Ｔ］の磁場中にて電解した。その際、陽極
には酸化スズ透明電極、陰極にはＰｔ板を用いた。その
結果、透明電極上にはＸ型フタロシアニン薄膜が得られ
た。なお、磁場は電極に垂直に印加した。比較として、
磁場を存在させない（Ｈ＝０［Ｔ］）こと以外は同様に
して、Ｘ型フタロシアニンのミセル電解薄膜を作製し
た。
１３（１９９１）４５０−４５６）を用いてＸ型フタロ
シアニン顔料のミセル分散溶液を調製した。このフタロ
シアニン顔料分散ミセル溶液を、超電導磁石により発生
させた１５［Ｔ］の磁場中にて電解した。その際、陽極
には酸化スズ透明電極、陰極にはＰｔ板を用いた。その
結果、透明電極上にはＸ型フタロシアニン薄膜が得られ
た。なお、磁場は電極に垂直に印加した。比較として、
磁場を存在させない（Ｈ＝０［Ｔ］）こと以外は同様に
して、Ｘ型フタロシアニンのミセル電解薄膜を作製し
た。
【００１４】この様にして、得られた薄膜の吸収スペク
トルから、７７５ｎｍの吸光度を測定すると、 Ａ（Ｈ＝１５［Ｔ］）／Ａ（Ｈ＝０［Ｔ］） ＝ ０．
５ となった。これは、ミセル中に分散したＸ型フタロシア
ニン微結晶が、磁場の印加により、反磁性の異方性に起
因する力を受け、平均的に、フタロシアニン環平面を磁
場に並行する方向に秩序配列して薄膜化した為と考えら
れる。（反磁性磁化率は、フタロシアニン分子の場合、
フタロシアニン平面に垂直の方向に大きく、平面に平行
な方向との差Δｘ（分子）＝０．９×１０-27［ｅｒｇ
・Ｇ-2］である。）
トルから、７７５ｎｍの吸光度を測定すると、 Ａ（Ｈ＝１５［Ｔ］）／Ａ（Ｈ＝０［Ｔ］） ＝ ０．
５ となった。これは、ミセル中に分散したＸ型フタロシア
ニン微結晶が、磁場の印加により、反磁性の異方性に起
因する力を受け、平均的に、フタロシアニン環平面を磁
場に並行する方向に秩序配列して薄膜化した為と考えら
れる。（反磁性磁化率は、フタロシアニン分子の場合、
フタロシアニン平面に垂直の方向に大きく、平面に平行
な方向との差Δｘ（分子）＝０．９×１０-27［ｅｒｇ
・Ｇ-2］である。）
【００１５】ＳＥＭ ＴＥＭによる観察の結果、この場
合、フタロシアニン粒子は、長軸が１０００［Å］程
度、短軸が１００［Å］程度の微結晶から成っている。
フタロシアニン微結晶の密度を近似的に１．０と仮定す
ると、この中には少なくとも１０6個のフタロシアニン
分子が含まれている。従って、この微結晶のΔｘは１０
-21［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度となり、Ｈ＝１５［Ｔ］＝
１．５×１０5［Ｇ］を用いて、Δｘ・Ｈ2〜２×１０
-11＞１５ｋＴとなる。この薄膜は、ミセル電解法によ
り得られ、Ｈ＝０場合とＨ≠０の場合の吸光度の違いか
ら、明らかに磁場が存在する場合、微粒子は、フロシア
ニン環平面を磁場に平行な方向、即ち、反磁性の異方性
に起因する力により、粒子が安定化する方向に秩序配列
することがわかる。
合、フタロシアニン粒子は、長軸が１０００［Å］程
度、短軸が１００［Å］程度の微結晶から成っている。
フタロシアニン微結晶の密度を近似的に１．０と仮定す
ると、この中には少なくとも１０6個のフタロシアニン
分子が含まれている。従って、この微結晶のΔｘは１０
-21［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度となり、Ｈ＝１５［Ｔ］＝
１．５×１０5［Ｇ］を用いて、Δｘ・Ｈ2〜２×１０
-11＞１５ｋＴとなる。この薄膜は、ミセル電解法によ
り得られ、Ｈ＝０場合とＨ≠０の場合の吸光度の違いか
ら、明らかに磁場が存在する場合、微粒子は、フロシア
ニン環平面を磁場に平行な方向、即ち、反磁性の異方性
に起因する力により、粒子が安定化する方向に秩序配列
することがわかる。
【００１６】さらに、この磁場中で得られた薄膜の電気
電導度を測定し、Ｈ＝０の場合と比べてみたところ σ（Ｈ＝１５［Ｔ］）／σ（Ｈ＝０［Ｔ］） ≧ １０ と１０倍以上の異方性を示した。
電導度を測定し、Ｈ＝０の場合と比べてみたところ σ（Ｈ＝１５［Ｔ］）／σ（Ｈ＝０［Ｔ］） ≧ １０ と１０倍以上の異方性を示した。
【００１７】実施例２ １，３，５−トリフェニルベンゼン５０［ｍｇ］を１０
［ｍｌ］のアセトンに溶解させ、直径４０［ｍｍ］のシ
ャーレに入れ、Ｈ＝８［Ｔ］の磁場中で溶媒を蒸発させ
た。なお、磁場は、液面に平行に（重力方向に垂直に）
印加した。磁場の無い場合、シャーレの底に幅０．５〜
１．５［ｍｍ］、長さ３〜５［ｍｍ］の柱状結晶が一様
に析出した。一方、Ｈ＝８［Ｔ］の場合、幅０．２［ｍ
ｍ］程度、長さ１〜２［ｍｍ］の針状（拡大すると柱状
に見える）結晶が、その長軸を磁場に垂直に向けて秩序
配列して析出した。Ｈ＝８［Ｔ］の場合、更にこの針状
結晶が長軸を重力方向に向けやはり磁場に垂直に、即ち
シャーレの壁面に沿って析出した。
［ｍｌ］のアセトンに溶解させ、直径４０［ｍｍ］のシ
ャーレに入れ、Ｈ＝８［Ｔ］の磁場中で溶媒を蒸発させ
た。なお、磁場は、液面に平行に（重力方向に垂直に）
印加した。磁場の無い場合、シャーレの底に幅０．５〜
１．５［ｍｍ］、長さ３〜５［ｍｍ］の柱状結晶が一様
に析出した。一方、Ｈ＝８［Ｔ］の場合、幅０．２［ｍ
ｍ］程度、長さ１〜２［ｍｍ］の針状（拡大すると柱状
に見える）結晶が、その長軸を磁場に垂直に向けて秩序
配列して析出した。Ｈ＝８［Ｔ］の場合、更にこの針状
結晶が長軸を重力方向に向けやはり磁場に垂直に、即ち
シャーレの壁面に沿って析出した。
【００１８】１，３，５−トリフェニルベンゼンのΔｘ
molは６×１０-5［ｃｍ3／ｍｏｌ］程度と予想され、分
子１個当りのΔｘは１０-28［ｅｒｇ・Ｇ-2］である。
磁場がＨ＝８［Ｔ］の場合の単結晶粒子の大きさを０．
１ｍｍ×０．１ｍｍ×１ｍｍ（１０-5ｃｍ3）程度とす
ると、この中には１０18個以上の１，３，５−トリフェ
ニルベンゼン分子が一定の秩序（結晶構造）をもって含
まれている。従って、この微粒子の反磁性の異方性Δｘ
は１０10［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度と考えられる。Ｈ＝８
［Ｔ］（８×１０4［Ｇ］）なので、Δｘ・Ｈ2の値は
０．６４となり、１５ｋＴをはるかに越えている。従っ
て、この場合溶媒蒸発に伴って生成した微結晶は、反磁
性の異方性に起因する力を受け、一定の秩序（結晶長軸
を磁場に垂直に向ける）をもって配向したものと考えら
れる。
molは６×１０-5［ｃｍ3／ｍｏｌ］程度と予想され、分
子１個当りのΔｘは１０-28［ｅｒｇ・Ｇ-2］である。
磁場がＨ＝８［Ｔ］の場合の単結晶粒子の大きさを０．
１ｍｍ×０．１ｍｍ×１ｍｍ（１０-5ｃｍ3）程度とす
ると、この中には１０18個以上の１，３，５−トリフェ
ニルベンゼン分子が一定の秩序（結晶構造）をもって含
まれている。従って、この微粒子の反磁性の異方性Δｘ
は１０10［ｅｒｇ・Ｇ-2］程度と考えられる。Ｈ＝８
［Ｔ］（８×１０4［Ｇ］）なので、Δｘ・Ｈ2の値は
０．６４となり、１５ｋＴをはるかに越えている。従っ
て、この場合溶媒蒸発に伴って生成した微結晶は、反磁
性の異方性に起因する力を受け、一定の秩序（結晶長軸
を磁場に垂直に向ける）をもって配向したものと考えら
れる。
【００１９】実施例３ Ｙ．Ｈａｒｉｍａ等の方法（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆ
ｉｌｍｓ，２２４（１９９３）１０１−１０４）に従
い、ＩＴＯ上のＴｉＯ2薄膜のうえに、ＰＭＤ法により
銅フタロシアニン薄膜をパターン状に形成した。磁場は
ＴｉＯ2電極面に垂直に印加し、その強さはＨ＝１０
［Ｔ］であった。得られた銅フタロシアニンの薄膜パタ
ーンの一部を濃度計を用いて測定したところ、 Ｏ・Ｄ（Ｈ＝１０［Ｔ］）／Ｏ・Ｄ（Ｈ＝０［Ｔ］） ＝ ０．１ なる結果が得られた。これは、反磁性の異方性により、
磁場印加時に銅フタロシアニン微結晶が一定の秩序をも
って配向した結果と考えられる。
ｉｌｍｓ，２２４（１９９３）１０１−１０４）に従
い、ＩＴＯ上のＴｉＯ2薄膜のうえに、ＰＭＤ法により
銅フタロシアニン薄膜をパターン状に形成した。磁場は
ＴｉＯ2電極面に垂直に印加し、その強さはＨ＝１０
［Ｔ］であった。得られた銅フタロシアニンの薄膜パタ
ーンの一部を濃度計を用いて測定したところ、 Ｏ・Ｄ（Ｈ＝１０［Ｔ］）／Ｏ・Ｄ（Ｈ＝０［Ｔ］） ＝ ０．１ なる結果が得られた。これは、反磁性の異方性により、
磁場印加時に銅フタロシアニン微結晶が一定の秩序をも
って配向した結果と考えられる。
【００２０】実施例４ β型フタロシアニン０．５［ｇ］、水溶性ポリエステル
アルキド０．２［ｇ］、水１００［ｍｌ］をロールミル
で分散した後、ＩＴＯ平行平板電極を陽極とし、白金電
極を陰極として電着を行なった。印加電圧は４０
［Ｖ］、約１［μｍ］厚の電着膜を得た。その際、磁場
の印加は電極に対し垂直に行なった。
アルキド０．２［ｇ］、水１００［ｍｌ］をロールミル
で分散した後、ＩＴＯ平行平板電極を陽極とし、白金電
極を陰極として電着を行なった。印加電圧は４０
［Ｖ］、約１［μｍ］厚の電着膜を得た。その際、磁場
の印加は電極に対し垂直に行なった。
【数１】 となって、磁気異方性に基づく力により、異方性が発現
された。
された。
【００２１】実施例５ 光重合性メタクリル酸メチルモノマー液（ＭＭＡ）１０
［ｇ］に、非線形光学材料として知られている２−メチ
ル−４−ニトロアニリン（ＭＮＡ、粒径４［μｍ］以
下）１［ｇ］を分散させ、Ｈ＝１５［Ｔ］の磁場中に１
時間放置した後、光重合した。構成は、２枚の石英ガラ
ス板間（ギャップ１［ｍｍ］）に上記分散液をはさみ、
紫外線を照射する。得られたポリマー薄膜のＳＨＧ（第
二高調波）は次のように測定された。 Ｉ2ω（Ｈ＝１５［Ｔ］）／Ｉ2ω（Ｈ＝０［Ｔ］） ＞ １０2 （Ｉ2ω：ＳＨＧ強度 ω＝１０６４［ｎｍ］ ２ω＝５３２［ｎｍ］） これは、反磁性の異方性に基づくトルクにより、磁場中
でＭＮＡ微結晶が一定の配向を持って配列した状態（単
結晶に近づいた状態）で固体化した為と考えられる。同
様な実施例は、ガラスキャピラリーを用いても可能であ
った。即ち、内径０．５［ｍｍ］のガラスキャピラリー
に毛細管現象を利用して、上記分散液を充填する。これ
を磁場中に約１時間放置後、紫外アルゴンレーザーを用
いて、磁場中光重合した。このようにして得られた試料
に、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの１０６４［ｎｍ］のパルス
光を照射し、５３２［ｎｍ］のＳＨ光を観測した結果、 Ｉ2ω（Ｈ＝１５［Ｔ］）／Ｉ2ω（Ｈ＝０［Ｔ］） ≧ １０ であった。
［ｇ］に、非線形光学材料として知られている２−メチ
ル−４−ニトロアニリン（ＭＮＡ、粒径４［μｍ］以
下）１［ｇ］を分散させ、Ｈ＝１５［Ｔ］の磁場中に１
時間放置した後、光重合した。構成は、２枚の石英ガラ
ス板間（ギャップ１［ｍｍ］）に上記分散液をはさみ、
紫外線を照射する。得られたポリマー薄膜のＳＨＧ（第
二高調波）は次のように測定された。 Ｉ2ω（Ｈ＝１５［Ｔ］）／Ｉ2ω（Ｈ＝０［Ｔ］） ＞ １０2 （Ｉ2ω：ＳＨＧ強度 ω＝１０６４［ｎｍ］ ２ω＝５３２［ｎｍ］） これは、反磁性の異方性に基づくトルクにより、磁場中
でＭＮＡ微結晶が一定の配向を持って配列した状態（単
結晶に近づいた状態）で固体化した為と考えられる。同
様な実施例は、ガラスキャピラリーを用いても可能であ
った。即ち、内径０．５［ｍｍ］のガラスキャピラリー
に毛細管現象を利用して、上記分散液を充填する。これ
を磁場中に約１時間放置後、紫外アルゴンレーザーを用
いて、磁場中光重合した。このようにして得られた試料
に、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの１０６４［ｎｍ］のパルス
光を照射し、５３２［ｎｍ］のＳＨ光を観測した結果、 Ｉ2ω（Ｈ＝１５［Ｔ］）／Ｉ2ω（Ｈ＝０［Ｔ］） ≧ １０ であった。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、従来Ｈ＝１０3［Ｔ］
の磁場が使えることを想定して、〈ｍ〉＝０．１以上の
オーダーパラメータを持もつ異方性（電気的、光学的、
熱的など）有機薄膜が得られる。また本発明によれば、
粒子が強磁性や常磁性を示す場合は意味をなさないが、
π電子系を有する有機分子や長鎖アルキル基を有する有
機分子の利用に特に好適である。
の磁場が使えることを想定して、〈ｍ〉＝０．１以上の
オーダーパラメータを持もつ異方性（電気的、光学的、
熱的など）有機薄膜が得られる。また本発明によれば、
粒子が強磁性や常磁性を示す場合は意味をなさないが、
π電子系を有する有機分子や長鎖アルキル基を有する有
機分子の利用に特に好適である。
Claims (8)
- 【請求項１】 反磁性の異方性を有する粒子が一定の秩
序をもって配向されてなることを特徴とする異方性薄
膜。 - 【請求項２】 前記粒子１個当りの反磁性の異方性Δｘ
が Δｘ＞１０-28[ｅｒｇ・Ｇ-2] であることを特徴とする請求項１記載の異方性薄膜。 - 【請求項３】 磁場中に存在する請求項１記載の粒子を Δｘ・Ｈ2＞１．５ｋＴ Ｈ：磁束密度［Ｇ］ ｋ：Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数 １．３８１×１０-16［ｅｒｇ・Ｋ-1］ Ｔ：絶対温度［Ｋ］ の条件下で薄膜化することを特徴とする異方性薄膜の製
造方法。 - 【請求項４】 前記薄膜化する手段として溶媒蒸発法を
用いることを特徴とする請求項３記載の異方性薄膜の製
造方法。 - 【請求項５】 前記薄膜化する手段としてミセル電解法
を用いることを特徴とする請求項３記載の異方性薄膜の
製造方法。 - 【請求項６】 前記薄膜化する手段として光電気化学的
ミセル薄膜形成法を用いることを特徴とする請求項３記
載の異方性薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 前記薄膜化する手段として電着法を用い
ることを特徴とする請求項３記載の異方性薄膜の製造方
法。 - 【請求項８】 前記薄膜化する手段として光重合性モノ
マーに粒子を分散させて行なうことを特徴とする請求項
３記載の異方性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09989595A JP3576263B2 (ja) | 1994-12-08 | 1995-03-30 | 異方性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33117194 | 1994-12-08 | ||
| JP6-331171 | 1994-12-08 | ||
| JP09989595A JP3576263B2 (ja) | 1994-12-08 | 1995-03-30 | 異方性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213233A true JPH08213233A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3576263B2 JP3576263B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=26440991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09989595A Expired - Fee Related JP3576263B2 (ja) | 1994-12-08 | 1995-03-30 | 異方性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3576263B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1041627A3 (en) * | 1999-03-30 | 2005-12-07 | Polymatech Co., Ltd. | Heat conductive molded body and manufacturing method thereof and semiconductor device |
| CZ305355B6 (cs) * | 2014-06-20 | 2015-08-12 | České Vysoké Učení Technické V Praze, Fakulta Elektrotechnická | Zařízení pro elektrolytické nanášení feromagnetické vrstvy v magnetickém poli |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP09989595A patent/JP3576263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1041627A3 (en) * | 1999-03-30 | 2005-12-07 | Polymatech Co., Ltd. | Heat conductive molded body and manufacturing method thereof and semiconductor device |
| CZ305355B6 (cs) * | 2014-06-20 | 2015-08-12 | České Vysoké Učení Technické V Praze, Fakulta Elektrotechnická | Zařízení pro elektrolytické nanášení feromagnetické vrstvy v magnetickém poli |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3576263B2 (ja) | 2004-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69216107T2 (de) | Photoleitfähige elektronendonorladungstransfer zusammensetzung | |
| Suárez et al. | Evidence for nucleation-growth, redistribution, and dissolution mechanisms during the course of redox cycling experiments on the C60/NBu4C60 solid-state redox system: voltammetric, SEM, and in situ AFM studies | |
| Feng et al. | A Large‐Area Patterned Hydrogen‐Bonded Organic Framework Electrochromic Film and Device | |
| Kong et al. | Electropolymerization of polypyrrole by bipolar electrochemistry in an ionic liquid | |
| JPH0359998B2 (ja) | ||
| JP2004002621A (ja) | カーボンナノチューブ含有ペースト、カーボンナノチューブ分散コンポジットおよびカーボンナノチューブ分散コンポジットの製造方法 | |
| Boaz et al. | Photoconductivity and dielectric studies on NLO active NPNa and NPLi single crystals | |
| Goldberg et al. | Resistive effects in thin electrochemical cells. Digital simulations of electrochemistry in electron spin resonance cells | |
| Danzig et al. | Preparation and electrical conductivity of copper tetra-2, 3-pyridinoporphyrazine and copper tetra-2, 3-pyrazinoporphyrazine | |
| JP3576263B2 (ja) | 異方性薄膜の製造方法 | |
| Hu et al. | l-Tetramethylammonium-Derived Blue Fluorescent Carbon Dots for Tetracycline Sensing and Memristor Technology | |
| Qiao et al. | Illumination-induced changes in methylammonium lead bromine perovskites. An in situ 2H NMR study | |
| JPH0762594A (ja) | 薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いる機能素子 | |
| Subramanian et al. | Morphology, molecular orientation, and solid-state characterization of 2, 3-dihydrothieno [3, 4-b][1, 4] dioxine-2-carboxylic acid (EDOTacid) | |
| Forster et al. | Protonation effects on the structure and homogeneous charge transport dynamics of solid state osmium bis (bipyridyl) tetrazine chloride films | |
| Bouriche et al. | Electrochemical, optical and morphological properties of poly (N-vinylcarbazole/TiO2) and (N-vinylcarbazole/aniline)/TiO2 copolymer prepared by electrochemical polymerization | |
| JP3577388B2 (ja) | 非線形光学素子及びその製造方法 | |
| EP0615152B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Materialien mit guten nichtlinearen optischen Eigenschaften | |
| EP0563768A1 (de) | Organische Photoleiter mit flüssigkristallinen Eigenschaften | |
| JP6161117B2 (ja) | ポリカルバゾールナノ構造体を用いた導電膜 | |
| Robertson et al. | An ellipsometric study of polyaniline film deposition and conversion | |
| Dadge et al. | Hyper-Rayleigh scattering in electrochemically synthesized Ag–Au coupled clusters | |
| WO1995004306A1 (de) | Organische ladungstransportverbindungen mit flüssigkristallinen eigenschaften | |
| JP3363994B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JP2707793B2 (ja) | 薄膜の形成方法、液晶装置用カラーフィルターおよび液晶装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040407 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20040706 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040707 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070716 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |