JPH08213313A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH08213313A JPH08213313A JP7278640A JP27864095A JPH08213313A JP H08213313 A JPH08213313 A JP H08213313A JP 7278640 A JP7278640 A JP 7278640A JP 27864095 A JP27864095 A JP 27864095A JP H08213313 A JPH08213313 A JP H08213313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- resist pattern
- line width
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回折光を用いることなくレジストパターンの
ライン幅を予測することにより、ウェハ間におけるライ
ン幅の寸法ばらつきがなく安定したライン幅が得られる
ようにする。 【解決手段】 露光後にレジスト膜に形成される潜像の
高さと所定の現像時間におけるレジストパターンのライ
ン幅との間の第１の相関関係を求めておく。選択図に示
すような、露光エネルギー毎における所定の現像時間と
レジストパターンのライン幅との間の第２の相関関係を
求めておく。実際に露光されたレジスト膜に形成される
潜像の高さを測定して潜像高さを求める。第１の相関関
係から、潜像高さと所定の現像時間とに対応するレジス
トパターンのライン幅である予測ライン幅を求める。第
２の相関関係から、所定の現像時間と予測ライン幅とに
対応する露光エネルギーである予測露光エネルギーを求
める。第２の相関関係から、レジストパターンの所望の
ライン幅と予測露光エネルギーとに対応する現像時間を
求め、該現像時間に基づき現像を行なってレジストパタ
ーンを形成する。
ライン幅を予測することにより、ウェハ間におけるライ
ン幅の寸法ばらつきがなく安定したライン幅が得られる
ようにする。 【解決手段】 露光後にレジスト膜に形成される潜像の
高さと所定の現像時間におけるレジストパターンのライ
ン幅との間の第１の相関関係を求めておく。選択図に示
すような、露光エネルギー毎における所定の現像時間と
レジストパターンのライン幅との間の第２の相関関係を
求めておく。実際に露光されたレジスト膜に形成される
潜像の高さを測定して潜像高さを求める。第１の相関関
係から、潜像高さと所定の現像時間とに対応するレジス
トパターンのライン幅である予測ライン幅を求める。第
２の相関関係から、所定の現像時間と予測ライン幅とに
対応する露光エネルギーである予測露光エネルギーを求
める。第２の相関関係から、レジストパターンの所望の
ライン幅と予測露光エネルギーとに対応する現像時間を
求め、該現像時間に基づき現像を行なってレジストパタ
ーンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置等を製造
するときに用いられるパターン形成方法に関し、特に、
露光エネルギー源として、波長４５０ｎｍ以下の紫外
線、Ｘ線、荷電ビーム、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエ
キシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
ー（１９３ｎｍ）等を用いるリソグラフィ工程における
レジストパターン形成方法に関するものである。
するときに用いられるパターン形成方法に関し、特に、
露光エネルギー源として、波長４５０ｎｍ以下の紫外
線、Ｘ線、荷電ビーム、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエ
キシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
ー（１９３ｎｍ）等を用いるリソグラフィ工程における
レジストパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化はますます進
み、開発レベルでは設計ルールが０．２５μｍになって
おり、このため、従来に比べてレジストパターンのライ
ン幅のスペックはより厳しくなってきている。従来、リ
ソグラフィ工程における積極的な寸法ばらつきを低減す
るための対策は、主にチップ内における寸法ばらつき及
びウェハ内における寸法ばらつきに対して行われてき
た。これらの寸法ばらつきの主要因は、レジスト膜にお
ける多重干渉効果及び基板からの反射光であり、これら
に対してはレジスト膜の表面又は下面に反射防止膜を設
けることによりばらつきを低減することが可能であり、
また、シリル化プロセス等の表面解像プロセスを用いる
ことにより低減することもできる。
み、開発レベルでは設計ルールが０．２５μｍになって
おり、このため、従来に比べてレジストパターンのライ
ン幅のスペックはより厳しくなってきている。従来、リ
ソグラフィ工程における積極的な寸法ばらつきを低減す
るための対策は、主にチップ内における寸法ばらつき及
びウェハ内における寸法ばらつきに対して行われてき
た。これらの寸法ばらつきの主要因は、レジスト膜にお
ける多重干渉効果及び基板からの反射光であり、これら
に対してはレジスト膜の表面又は下面に反射防止膜を設
けることによりばらつきを低減することが可能であり、
また、シリル化プロセス等の表面解像プロセスを用いる
ことにより低減することもできる。
【０００３】ところが、ウェハ間（ロット間も含む）の
寸法ばらつきは、従来あまり注目されていなかったが、
レジストパターンのライン幅のスペックが厳しくなるに
つれ、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきの低減
を図る必要が生じてきており、最近では数件の報告がな
されている。
寸法ばらつきは、従来あまり注目されていなかったが、
レジストパターンのライン幅のスペックが厳しくなるに
つれ、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきの低減
を図る必要が生じてきており、最近では数件の報告がな
されている。
【０００４】ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつき
は、基板構造のばらつき例えば基板上に形成されたレジ
スト膜の膜厚のばらつきに起因したり、或いは露光装置
に起因したりして、予定した露光エネルギーとレジスト
膜に実際に吸収された露光エネルギーとの間に差異があ
ったり、予定した露光焦点とレジスト膜の露光に実際に
適用された露光焦点との間に差異があったりし、これら
露光エネルギーや露光焦点よりなる露光条件の差異に起
因してウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきが発生
するものと考えられる。
は、基板構造のばらつき例えば基板上に形成されたレジ
スト膜の膜厚のばらつきに起因したり、或いは露光装置
に起因したりして、予定した露光エネルギーとレジスト
膜に実際に吸収された露光エネルギーとの間に差異があ
ったり、予定した露光焦点とレジスト膜の露光に実際に
適用された露光焦点との間に差異があったりし、これら
露光エネルギーや露光焦点よりなる露光条件の差異に起
因してウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきが発生
するものと考えられる。
【０００５】ウェハ間のライン幅の寸法ばらつきに対す
る報告の一例として、最近ではＩＢＭのＪｏｈｎ Ｓｔ
ｕｒｔｅｖａｎｔらによるものがある（１９９４ ＳＰ
ＩＥＶｏｌ．２１９６ ｐ３５２ー３５９）。これは、
レジスト膜の表面に生じる潜像にレーザー光を照射し、
その回折光の強度を検出するものであって、あらかじめ
回折光強度とレジストパターンのライン幅との関係を求
めておき、熱処理（ＰＥＢ）中又は熱処理後に検出され
た回折光強度から所望のライン幅が得られるよう現像時
間を算出し、その結果を現像工程にフィードフォワドす
ることにより、レジストパターンのライン幅を制御しよ
うとするものである。
る報告の一例として、最近ではＩＢＭのＪｏｈｎ Ｓｔ
ｕｒｔｅｖａｎｔらによるものがある（１９９４ ＳＰ
ＩＥＶｏｌ．２１９６ ｐ３５２ー３５９）。これは、
レジスト膜の表面に生じる潜像にレーザー光を照射し、
その回折光の強度を検出するものであって、あらかじめ
回折光強度とレジストパターンのライン幅との関係を求
めておき、熱処理（ＰＥＢ）中又は熱処理後に検出され
た回折光強度から所望のライン幅が得られるよう現像時
間を算出し、その結果を現像工程にフィードフォワドす
ることにより、レジストパターンのライン幅を制御しよ
うとするものである。
【０００６】また、前記の表面解像プロセスを用いるウ
ェハ間のライン幅の寸法ばらつきの低減についての報告
の一例として、最近ではニューメキシコ大学のＳｈｏａ
ｉｂＺａｉｄｉらによるものがある（１９９４ ＳＰＩ
Ｅ Ｖｏｌ．２１９６ ｐ３４１ー３５１）。レジスト
膜の表面に形成される潜像にレーザー光を照射し、その
回折光の強度を検出することによって、レジストパター
ンのライン幅を予測した後、表面解像プロセスのプロセ
スパラメータを補正して、ライン幅を補償するものであ
る。
ェハ間のライン幅の寸法ばらつきの低減についての報告
の一例として、最近ではニューメキシコ大学のＳｈｏａ
ｉｂＺａｉｄｉらによるものがある（１９９４ ＳＰＩ
Ｅ Ｖｏｌ．２１９６ ｐ３４１ー３５１）。レジスト
膜の表面に形成される潜像にレーザー光を照射し、その
回折光の強度を検出することによって、レジストパター
ンのライン幅を予測した後、表面解像プロセスのプロセ
スパラメータを補正して、ライン幅を補償するものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
方法は、いずれも回折光を用いるために繰り返しパター
ンが必要である。このため、繰り返しパターンを敢えて
設けるか又はデバイス構造内の繰り返しパターンを利用
することが必要であり、いずれにせよ潜像のパターンに
制約があるという問題がある。
方法は、いずれも回折光を用いるために繰り返しパター
ンが必要である。このため、繰り返しパターンを敢えて
設けるか又はデバイス構造内の繰り返しパターンを利用
することが必要であり、いずれにせよ潜像のパターンに
制約があるという問題がある。
【０００８】また、レジスト膜中に透過したレーザー光
が下地からの反射光等の影響を受け、回折光の強度が不
正確になる場合が生じるという問題もある。
が下地からの反射光等の影響を受け、回折光の強度が不
正確になる場合が生じるという問題もある。
【０００９】前記に鑑み、本発明は、回折光を用いるこ
となくレジストパターンのライン幅を予測し、これによ
り、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきがなく、
安定したレジストパターンのライン幅が得られるように
することを目的とする。
となくレジストパターンのライン幅を予測し、これによ
り、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきがなく、
安定したレジストパターンのライン幅が得られるように
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、レジストパターンのライン幅と
レジスト膜の露光に実際に適用された露光条件との間に
相関関係があると共に、露光後にレジスト膜に形成され
る潜像の高さとレジスト膜の露光に実際に適用された露
光条件との間にも相関関係があるという点に着目し、実
際の露光条件をパラメーターにして、潜像高さからレジ
ストパターンのライン幅を予測するものである。
め、請求項１の発明は、レジストパターンのライン幅と
レジスト膜の露光に実際に適用された露光条件との間に
相関関係があると共に、露光後にレジスト膜に形成され
る潜像の高さとレジスト膜の露光に実際に適用された露
光条件との間にも相関関係があるという点に着目し、実
際の露光条件をパラメーターにして、潜像高さからレジ
ストパターンのライン幅を予測するものである。
【００１１】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
と、前記レジスト膜に所定のパターンを露光する露光工
程と、所定のパターンが露光されたレジスト膜を現像し
てレジストパターンを形成する現像工程とを備えたレジ
ストパターン形成方法を対象とし、露光後にレジスト膜
に形成される潜像の高さと現像工程においてレジストパ
ターンのライン幅に影響を与えるパラメーターの所定値
におけるレジストパターンのライン幅との間の第１の相
関関係、及び、露光エネルギー又は露光焦点よりなる露
光条件毎における前記パラメーターの所定値とレジスト
パターンのライン幅との間の第２の相関関係を求めてお
く工程と、実際に露光されたレジスト膜に形成される潜
像の高さを測定して潜像高さを求める工程と、前記第１
の相関関係から、前記潜像高さと前記パラメーターの所
定値とに対応するレジストパターンのライン幅である予
測ライン幅を求める工程と、前記第２の相関関係から、
前記パラメーターの所定値と前記予測ライン幅とに対応
する前記露光条件である予測露光条件を求める工程と、
前記第２の相関関係から、レジストパターンの所望のラ
イン幅と前記予測露光条件とに対応する前記パラメータ
ーの値を求め、該パラメーターの値に基づきレジストパ
ターンを形成する工程とを備えている構成とするもので
ある。
は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
と、前記レジスト膜に所定のパターンを露光する露光工
程と、所定のパターンが露光されたレジスト膜を現像し
てレジストパターンを形成する現像工程とを備えたレジ
ストパターン形成方法を対象とし、露光後にレジスト膜
に形成される潜像の高さと現像工程においてレジストパ
ターンのライン幅に影響を与えるパラメーターの所定値
におけるレジストパターンのライン幅との間の第１の相
関関係、及び、露光エネルギー又は露光焦点よりなる露
光条件毎における前記パラメーターの所定値とレジスト
パターンのライン幅との間の第２の相関関係を求めてお
く工程と、実際に露光されたレジスト膜に形成される潜
像の高さを測定して潜像高さを求める工程と、前記第１
の相関関係から、前記潜像高さと前記パラメーターの所
定値とに対応するレジストパターンのライン幅である予
測ライン幅を求める工程と、前記第２の相関関係から、
前記パラメーターの所定値と前記予測ライン幅とに対応
する前記露光条件である予測露光条件を求める工程と、
前記第２の相関関係から、レジストパターンの所望のラ
イン幅と前記予測露光条件とに対応する前記パラメータ
ーの値を求め、該パラメーターの値に基づきレジストパ
ターンを形成する工程とを備えている構成とするもので
ある。
【００１２】請求項１の構成により、露光後にレジスト
膜に形成される潜像の高さと現像工程においてレジスト
パターンのライン幅に影響を与えるパラメーターの所定
値におけるレジストパターンのライン幅との間には第１
の相関関係があるので、該第１の相関関係から、潜像高
さと前記パラメーターの所定値とに対応する予測ライン
幅を求めると、ライン幅をほぼ正確に予測することがで
きる。
膜に形成される潜像の高さと現像工程においてレジスト
パターンのライン幅に影響を与えるパラメーターの所定
値におけるレジストパターンのライン幅との間には第１
の相関関係があるので、該第１の相関関係から、潜像高
さと前記パラメーターの所定値とに対応する予測ライン
幅を求めると、ライン幅をほぼ正確に予測することがで
きる。
【００１３】次に、露光条件毎におけるパラメーターの
所定値とレジストパターンのライン幅との間の第２の相
関関係から、パラメーターの所定値と予測ライン幅とに
対応する予測露光条件を求めると、予測ライン幅がほぼ
正確であるために、レジスト膜の露光に実際に適用され
た露光条件をほぼ正確に予測することができる。
所定値とレジストパターンのライン幅との間の第２の相
関関係から、パラメーターの所定値と予測ライン幅とに
対応する予測露光条件を求めると、予測ライン幅がほぼ
正確であるために、レジスト膜の露光に実際に適用され
た露光条件をほぼ正確に予測することができる。
【００１４】従って、第２の相関関係から、レジストパ
ターンの所望のライン幅と予測露光条件とに対応するパ
ラメーターの値を求めると、レジスト膜の露光に実際に
適用された露光条件に対応するパラメーターの値を得る
ことができる。
ターンの所望のライン幅と予測露光条件とに対応するパ
ラメーターの値を求めると、レジスト膜の露光に実際に
適用された露光条件に対応するパラメーターの値を得る
ことができる。
【００１５】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記現像工程におけるレジストパターンのライン幅に影響
を与えるパラメーターは現像時間であるという限定を付
加するものである。
記現像工程におけるレジストパターンのライン幅に影響
を与えるパラメーターは現像時間であるという限定を付
加するものである。
【００１６】請求項３の発明が講じた解決手段は、基板
上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記
レジスト膜に所定のパターンを露光する露光工程と、所
定のパターンが露光されたレジスト膜に熱処理を行なう
熱処理工程と、熱処理が行なわれたレジスト膜を現像し
てレジストパターンを形成するレジストパターン形成工
程とを備えたレジストパターン形成方法を対象とし、露
光後にレジスト膜に形成される潜像の高さと熱処理工程
においてレジストパターンのライン幅に影響を与えるパ
ラメーターの所定値におけるレジストパターンのライン
幅との間の第１の相関関係、及び、露光エネルギー又は
露光焦点よりなる露光条件毎における前記パラメーター
の所定値とレジストパターンのライン幅との間の第２の
相関関係を求めておく工程と、実際に露光されたレジス
ト膜に形成される潜像の高さを測定して潜像高さを求め
る工程と、前記第１の相関関係から、前記潜像高さと前
記パラメーターの所定値とに対応するレジストパターン
のライン幅である予測ライン幅を求める工程と、前記第
２の相関関係から、前記パラメーターの所定値と前記予
測ライン幅とに対応する前記露光条件である予測露光条
件を求める工程と、前記第２の相関関係から、レジスト
パターンの所望のライン幅と前記予測露光条件とに対応
する前記パラメーターの値を求め、該パラメーターの値
に基づきレジスト膜に熱処理を行なう工程とを備えてい
る構成とするものである。
上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記
レジスト膜に所定のパターンを露光する露光工程と、所
定のパターンが露光されたレジスト膜に熱処理を行なう
熱処理工程と、熱処理が行なわれたレジスト膜を現像し
てレジストパターンを形成するレジストパターン形成工
程とを備えたレジストパターン形成方法を対象とし、露
光後にレジスト膜に形成される潜像の高さと熱処理工程
においてレジストパターンのライン幅に影響を与えるパ
ラメーターの所定値におけるレジストパターンのライン
幅との間の第１の相関関係、及び、露光エネルギー又は
露光焦点よりなる露光条件毎における前記パラメーター
の所定値とレジストパターンのライン幅との間の第２の
相関関係を求めておく工程と、実際に露光されたレジス
ト膜に形成される潜像の高さを測定して潜像高さを求め
る工程と、前記第１の相関関係から、前記潜像高さと前
記パラメーターの所定値とに対応するレジストパターン
のライン幅である予測ライン幅を求める工程と、前記第
２の相関関係から、前記パラメーターの所定値と前記予
測ライン幅とに対応する前記露光条件である予測露光条
件を求める工程と、前記第２の相関関係から、レジスト
パターンの所望のライン幅と前記予測露光条件とに対応
する前記パラメーターの値を求め、該パラメーターの値
に基づきレジスト膜に熱処理を行なう工程とを備えてい
る構成とするものである。
【００１７】請求項３の構成により、請求項１の構成の
現像工程においてレジストパターンのライン幅に影響を
与えるパラメーターを、熱処理工程においてレジストパ
ターンのライン幅に影響を与えるパラメーターに置き換
えた作用が得られる。
現像工程においてレジストパターンのライン幅に影響を
与えるパラメーターを、熱処理工程においてレジストパ
ターンのライン幅に影響を与えるパラメーターに置き換
えた作用が得られる。
【００１８】請求項４の発明は、請求項３の構成に、前
記熱処理工程におけるレジストパターンのライン幅に影
響を与えるパラメーターは処理時間又は処理温度である
という限定を付加するものである。
記熱処理工程におけるレジストパターンのライン幅に影
響を与えるパラメーターは処理時間又は処理温度である
という限定を付加するものである。
【００１９】請求項５の発明が講じた解決手段は、基板
上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記
レジスト膜に所定のパターンを露光する露光工程と、所
定のパターンが露光されたレジスト膜に表面修飾膜を形
成する修飾膜形成工程と、表面修飾膜が形成されたレジ
スト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程
とを備えたレジストパターン形成方法を対象とし、露光
後にレジスト膜に形成される潜像の高さと修飾膜形成工
程において表面修飾膜の幅に影響を与えるパラメーター
の所定値における表面修飾膜の幅との間の第１の相関関
係、及び、露光エネルギー又は露光焦点よりなる露光条
件毎における前記パラメーターの所定値と表面修飾膜の
幅との間の第２の相関関係を求めておく工程と、実際に
露光されたレジスト膜に形成される潜像の高さを測定し
て潜像高さを求める工程と、前記第１の相関関係から、
前記潜像高さと前記パラメーターの所定値とに対応する
表面修飾膜の幅である予測修飾膜幅を求める工程と、前
記第２の相関関係から、前記パラメーターの所定値と前
記予測修飾膜幅とに対応する前記露光条件である予測露
光条件を求める工程と、前記第２の相関関係から、表面
修飾膜の所望の幅と前記予測露光条件とに対応する前記
パラメーターの値を求め、該パラメーターの値に基づき
表面修飾膜を形成する工程とを備えている構成とするも
のである。
上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記
レジスト膜に所定のパターンを露光する露光工程と、所
定のパターンが露光されたレジスト膜に表面修飾膜を形
成する修飾膜形成工程と、表面修飾膜が形成されたレジ
スト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程
とを備えたレジストパターン形成方法を対象とし、露光
後にレジスト膜に形成される潜像の高さと修飾膜形成工
程において表面修飾膜の幅に影響を与えるパラメーター
の所定値における表面修飾膜の幅との間の第１の相関関
係、及び、露光エネルギー又は露光焦点よりなる露光条
件毎における前記パラメーターの所定値と表面修飾膜の
幅との間の第２の相関関係を求めておく工程と、実際に
露光されたレジスト膜に形成される潜像の高さを測定し
て潜像高さを求める工程と、前記第１の相関関係から、
前記潜像高さと前記パラメーターの所定値とに対応する
表面修飾膜の幅である予測修飾膜幅を求める工程と、前
記第２の相関関係から、前記パラメーターの所定値と前
記予測修飾膜幅とに対応する前記露光条件である予測露
光条件を求める工程と、前記第２の相関関係から、表面
修飾膜の所望の幅と前記予測露光条件とに対応する前記
パラメーターの値を求め、該パラメーターの値に基づき
表面修飾膜を形成する工程とを備えている構成とするも
のである。
【００２０】請求項５の構成により、露光後にレジスト
膜に形成される潜像の高さと修飾膜形成工程において表
面修飾膜の幅に影響を与えるパラメーターの所定値にお
けるレジストパターンのライン幅との間には第１の相関
関係があるので、該第１の相関関係から、潜像高さと前
記パラメーターの所定値とに対応する予測修飾膜幅を求
めると、修飾膜の幅をほぼ正確に予測することができ
る。
膜に形成される潜像の高さと修飾膜形成工程において表
面修飾膜の幅に影響を与えるパラメーターの所定値にお
けるレジストパターンのライン幅との間には第１の相関
関係があるので、該第１の相関関係から、潜像高さと前
記パラメーターの所定値とに対応する予測修飾膜幅を求
めると、修飾膜の幅をほぼ正確に予測することができ
る。
【００２１】次に、露光条件毎におけるパラメーターの
所定値と表面修飾膜の幅との間の第２の相関関係から、
パラメーターの所定値と予測修飾膜幅とに対応する予測
露光条件を求めると、予測修飾膜幅がほぼ正確であるた
めに、レジスト膜の露光に実際に適用された露光条件を
ほぼ正確に予測することができる。
所定値と表面修飾膜の幅との間の第２の相関関係から、
パラメーターの所定値と予測修飾膜幅とに対応する予測
露光条件を求めると、予測修飾膜幅がほぼ正確であるた
めに、レジスト膜の露光に実際に適用された露光条件を
ほぼ正確に予測することができる。
【００２２】従って、第２の相関関係から、レジストパ
ターンの所望のライン幅と予測露光条件とに対応するパ
ラメーターの値を求めると、レジスト膜の露光に実際に
適用された露光条件に対応するパラメーターの値を得る
ことができる。
ターンの所望のライン幅と予測露光条件とに対応するパ
ラメーターの値を求めると、レジスト膜の露光に実際に
適用された露光条件に対応するパラメーターの値を得る
ことができる。
【００２３】請求項６の発明は、請求項５の構成に、前
記修飾膜形成工程における表面修飾膜の幅に影響を与え
るパラメーターは処理時間又は処理温度であるという限
定を付加するものである。
記修飾膜形成工程における表面修飾膜の幅に影響を与え
るパラメーターは処理時間又は処理温度であるという限
定を付加するものである。
【００２４】請求項７の発明は、請求項１〜６の構成
に、前記潜像高さは原子間力顕微鏡により求めるという
限定を付加するものである。
に、前記潜像高さは原子間力顕微鏡により求めるという
限定を付加するものである。
【００２５】請求項８の発明が講じた解決手段は、レジ
ストパターン形成方法を、レジスト膜に形成された表面
修飾膜の幅と、該表面修飾膜が形成されたレジスト膜を
現像して得られるレジストパターンのライン幅との間の
相関関係を求めておく工程と、基板上に実際のレジスト
膜を形成する工程と、前記実際のレジスト膜に所定のパ
ターンを露光する工程と、所定のパターンが露光された
実際のレジスト膜の表面に実際の表面修飾膜を形成する
工程と、前記実際の表面修飾膜の幅を測定し、前記の相
関関係から前記実際の表面修飾膜の幅と対応するレジス
トパターンのライン幅である予測ライン幅を求める工程
と、前記予測ライン幅が所望のライン幅の許容範囲内で
あるか否かを判断し、前記予測ライン幅が許容範囲内に
あるときには前記実際のレジスト膜に対して現像を行な
ってレジストパターンを形成する一方、前記予測ライン
幅が許容範囲内にないときには前記実際のレジスト膜を
除去する工程とを備えている構成とするものである。
ストパターン形成方法を、レジスト膜に形成された表面
修飾膜の幅と、該表面修飾膜が形成されたレジスト膜を
現像して得られるレジストパターンのライン幅との間の
相関関係を求めておく工程と、基板上に実際のレジスト
膜を形成する工程と、前記実際のレジスト膜に所定のパ
ターンを露光する工程と、所定のパターンが露光された
実際のレジスト膜の表面に実際の表面修飾膜を形成する
工程と、前記実際の表面修飾膜の幅を測定し、前記の相
関関係から前記実際の表面修飾膜の幅と対応するレジス
トパターンのライン幅である予測ライン幅を求める工程
と、前記予測ライン幅が所望のライン幅の許容範囲内で
あるか否かを判断し、前記予測ライン幅が許容範囲内に
あるときには前記実際のレジスト膜に対して現像を行な
ってレジストパターンを形成する一方、前記予測ライン
幅が許容範囲内にないときには前記実際のレジスト膜を
除去する工程とを備えている構成とするものである。
【００２６】請求項８の構成により、レジスト膜に形成
された表面修飾膜の幅と、該表面修飾膜が形成されたレ
ジスト膜を現像して得られるレジストパターンのライン
幅との間には相関関係があるので、該相関関係から、実
際の表面修飾膜の幅と対応するレジストパターンのライ
ン幅を求めると、ライン幅をほぼ正確に予測することが
できる。
された表面修飾膜の幅と、該表面修飾膜が形成されたレ
ジスト膜を現像して得られるレジストパターンのライン
幅との間には相関関係があるので、該相関関係から、実
際の表面修飾膜の幅と対応するレジストパターンのライ
ン幅を求めると、ライン幅をほぼ正確に予測することが
できる。
【００２７】また、予測されるライン幅が許容範囲内に
あるときには実際のレジスト膜に対して現像を行なう一
方、予測されるライン幅が許容範囲内にないときには実
際のレジスト膜を除去するため、レジスト膜に対するエ
ッチング工程を経ることなく不良のレジスト膜を除去す
ることができる。
あるときには実際のレジスト膜に対して現像を行なう一
方、予測されるライン幅が許容範囲内にないときには実
際のレジスト膜を除去するため、レジスト膜に対するエ
ッチング工程を経ることなく不良のレジスト膜を除去す
ることができる。
【００２８】請求項９の発明は、請求項５、６又は８の
構成に、前記レジスト膜はパターン露光されると酸を発
生するレジスト膜であり、前記表面修飾膜は、パターン
露光された前記レジスト膜の露光部に水を吸収させた
後、水を吸収した前記露光部の表面に水及び金属アルコ
キシドを供給することによって、前記露光部の表面に形
成される金属酸化膜であるという構成を付加するもので
ある。
構成に、前記レジスト膜はパターン露光されると酸を発
生するレジスト膜であり、前記表面修飾膜は、パターン
露光された前記レジスト膜の露光部に水を吸収させた
後、水を吸収した前記露光部の表面に水及び金属アルコ
キシドを供給することによって、前記露光部の表面に形
成される金属酸化膜であるという構成を付加するもので
ある。
【００２９】請求項１０の発明は、請求項５、６又は８
の構成に、前記表面修飾膜は、パターン露光された前記
レジスト膜の未露光部の表面に形成されるシリル化膜で
あるという構成を付加するものである。
の構成に、前記表面修飾膜は、パターン露光された前記
レジスト膜の未露光部の表面に形成されるシリル化膜で
あるという構成を付加するものである。
【００３０】請求項１１の発明は、請求項８〜１０の構
成に、前記表面修飾膜の幅は原子間力顕微鏡により求め
るという限定を付加するものである。
成に、前記表面修飾膜の幅は原子間力顕微鏡により求め
るという限定を付加するものである。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態のレジ
ストパターン形成方法について、図面を参照しながら説
明する。尚、以下の各実施形態においては、露光条件と
しては露光エネルギーを例にとって説明するが、露光条
件としては露光エネルギーのほかに露光焦点を挙げるこ
とができる。
ストパターン形成方法について、図面を参照しながら説
明する。尚、以下の各実施形態においては、露光条件と
しては露光エネルギーを例にとって説明するが、露光条
件としては露光エネルギーのほかに露光焦点を挙げるこ
とができる。
【００３２】（実施形態１）図１は本発明の第１の実施
形態に係るレジストパターン形成方法のプロセスシーケ
ンスの概略を説明する図であって、図１に示すように、
基板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に所定
のパターンを露光し、パターンが露光されたレジスト膜
に対して熱処理（ＰＥＢ）を行ない、その後、ＡＦＭに
より潜像の形状つまり潜像の高さを測定する。そして、
あらかじめ求めておいた潜像の形状と現像後のパターン
寸法との相関関係から現像時間を定め、該現像時間に基
づいてレジスト膜に対して現像を行なって高寸法安定性
を有するレジストパターンを形成するものである。
形態に係るレジストパターン形成方法のプロセスシーケ
ンスの概略を説明する図であって、図１に示すように、
基板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に所定
のパターンを露光し、パターンが露光されたレジスト膜
に対して熱処理（ＰＥＢ）を行ない、その後、ＡＦＭに
より潜像の形状つまり潜像の高さを測定する。そして、
あらかじめ求めておいた潜像の形状と現像後のパターン
寸法との相関関係から現像時間を定め、該現像時間に基
づいてレジスト膜に対して現像を行なって高寸法安定性
を有するレジストパターンを形成するものである。
【００３３】以下、第１実施形態に係るレジストパター
ン形成方法について図２〜図７を参照しながら詳細に説
明する。第１の実施形態においては、現像工程において
レジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメータ
ーとして現像時間を選定するが、前記パラメーターは現
像時間には限られず、現像工程における現像液の温度や
濃度等を選定することも可能である。
ン形成方法について図２〜図７を参照しながら詳細に説
明する。第１の実施形態においては、現像工程において
レジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメータ
ーとして現像時間を選定するが、前記パラメーターは現
像時間には限られず、現像工程における現像液の温度や
濃度等を選定することも可能である。
【００３４】第１工程として、露光後にレジスト膜に形
成される潜像の高さと所定の現像時間におけるレジスト
パターンのライン幅との間の第１の相関関係を以下に示
す手順により求める。
成される潜像の高さと所定の現像時間におけるレジスト
パターンのライン幅との間の第１の相関関係を以下に示
す手順により求める。
【００３５】まず、露光エネルギー（露光強度×時間）
と潜像高さとの関係を求める。
と潜像高さとの関係を求める。
【００３６】シリコン基板上にＫｒＦエキシマレーザー
用レジスト”ＡＳＫＡ”を０．９８μｍの膜厚に堆積し
てレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対してＫｒ
Ｆエキシマレーザーステッパを用いて２２〜３８ｍＪ／
ｃｍ2 の間で露光エネルギーを変化させて露光を行なっ
た。次に、レジスト膜に対して９５℃の温度下で９０秒
間の熱処理を行なった後、レジスト膜の表面に形成され
た０．２５μｍＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）パター
ンの潜像高さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて計測
した。
用レジスト”ＡＳＫＡ”を０．９８μｍの膜厚に堆積し
てレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対してＫｒ
Ｆエキシマレーザーステッパを用いて２２〜３８ｍＪ／
ｃｍ2 の間で露光エネルギーを変化させて露光を行なっ
た。次に、レジスト膜に対して９５℃の温度下で９０秒
間の熱処理を行なった後、レジスト膜の表面に形成され
た０．２５μｍＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）パター
ンの潜像高さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて計測
した。
【００３７】図２はＡＦＭにより観測されたレジスト膜
表面の断面形状の概略構造を示している。尚、図２にお
いて、Ｈａは露光部の潜像高さを示し、Ｈｂは未露光部
の潜像高さを示している。図２においては潜像高さを分
かり易く表現するために、潜像高さＨａ，Ｈｂを強調し
て示している。
表面の断面形状の概略構造を示している。尚、図２にお
いて、Ｈａは露光部の潜像高さを示し、Ｈｂは未露光部
の潜像高さを示している。図２においては潜像高さを分
かり易く表現するために、潜像高さＨａ，Ｈｂを強調し
て示している。
【００３８】図３は露光エネルギーと潜像高さＨａ，Ｈ
ｂとの関係を示しており、露光エネルギーと潜像の高さ
との間に一定の関係のあることが分かる。図３は複数の
ラインパターンのうち中央のラインパターンを用いて露
光エネルギーと潜像高さとの間の関係を求めたが、この
関係は他のラインパターンにおいても同様である。
ｂとの関係を示しており、露光エネルギーと潜像の高さ
との間に一定の関係のあることが分かる。図３は複数の
ラインパターンのうち中央のラインパターンを用いて露
光エネルギーと潜像高さとの間の関係を求めたが、この
関係は他のラインパターンにおいても同様である。
【００３９】次に、露光エネルギーと所定の現像時間に
より形成されるレジストパターンのライン幅との関係を
求める。
より形成されるレジストパターンのライン幅との関係を
求める。
【００４０】前記と同様に、露光エネルギーを変化させ
て露光したレジスト膜を現像液：ＮＭＤ−３（商品名：
ＴＭＡＨ＝２．３８％）を用いて所定の現像時間例えば
６０秒間の現像時間で現像を行なってレジストパターン
を形成し、形成された０．２５μｍＬ／Ｓのレジストパ
ターンのライン幅を測定した。
て露光したレジスト膜を現像液：ＮＭＤ−３（商品名：
ＴＭＡＨ＝２．３８％）を用いて所定の現像時間例えば
６０秒間の現像時間で現像を行なってレジストパターン
を形成し、形成された０．２５μｍＬ／Ｓのレジストパ
ターンのライン幅を測定した。
【００４１】図４は、６０秒間の現像を行なったときの
露光エネルギーとレジストパターンのライン幅との関係
を示しており、露光エネルギーとレジストパターンのラ
イン幅との間に関係のあることが分かる。
露光エネルギーとレジストパターンのライン幅との関係
を示しており、露光エネルギーとレジストパターンのラ
イン幅との間に関係のあることが分かる。
【００４２】次に、露光エネルギーと潜像高さとの関係
と、露光エネルギーと所定の現像時間例えば６０秒間の
現像を行なったときのレジストパターンのライン幅との
関係とから、図５に示すように、露光後にレジスト膜に
形成される潜像の高さと６０秒間の現像を行なったとき
のレジストパターンのライン幅との間の第１の相関関係
を求める。
と、露光エネルギーと所定の現像時間例えば６０秒間の
現像を行なったときのレジストパターンのライン幅との
関係とから、図５に示すように、露光後にレジスト膜に
形成される潜像の高さと６０秒間の現像を行なったとき
のレジストパターンのライン幅との間の第１の相関関係
を求める。
【００４３】第２の工程として、露光エネルギー毎の現
像時間とレジストパターンのライン幅との間の第２の相
関関係を求める。第２の相関関係は、測定した潜像高さ
からレジストパターンのライン幅を予測したとき、ライ
ン幅がスペック外になる場合に、現像時間を変化させて
ライン幅を所定の値に制御するために必要である。
像時間とレジストパターンのライン幅との間の第２の相
関関係を求める。第２の相関関係は、測定した潜像高さ
からレジストパターンのライン幅を予測したとき、ライ
ン幅がスペック外になる場合に、現像時間を変化させて
ライン幅を所定の値に制御するために必要である。
【００４４】図６は、一例として露光エネルギーが２
６，３０，３４ｍＪ／ｃｍ2 のときの現像時間とレジス
トパターンのライン幅との第２の相関関係を示してい
る。
６，３０，３４ｍＪ／ｃｍ2 のときの現像時間とレジス
トパターンのライン幅との第２の相関関係を示してい
る。
【００４５】第３の工程として、実際にパターン露光を
行なったときにレジスト膜に形成される潜像の高さを測
定して潜像高さを求める。潜像高さを求める方法は前述
したものと同様であるので、ここでは省略する。
行なったときにレジスト膜に形成される潜像の高さを測
定して潜像高さを求める。潜像高さを求める方法は前述
したものと同様であるので、ここでは省略する。
【００４６】第４の工程として、前記第１の相関関係か
ら、測定された潜像高さと所定の現像時間例えば６０秒
間の現像時間とに対応するレジストパターンのライン幅
である予測ライン幅を求める。以下、第１の相関関係か
ら、測定された潜像高さと所定の現像時間例えば６０秒
間の現像時間とに対応する予測ライン幅を求める方法を
具体的に説明する。すなわち、ＰＥＢ後に潜像高さＨａ
を測定した結果、潜像高さＨａが６３ｎｍであったとす
ると、図５に示す関係から、６０秒間の現像時間で現像
を行なったときのレジストパターンの予測ライン幅は
０．３１μｍである。
ら、測定された潜像高さと所定の現像時間例えば６０秒
間の現像時間とに対応するレジストパターンのライン幅
である予測ライン幅を求める。以下、第１の相関関係か
ら、測定された潜像高さと所定の現像時間例えば６０秒
間の現像時間とに対応する予測ライン幅を求める方法を
具体的に説明する。すなわち、ＰＥＢ後に潜像高さＨａ
を測定した結果、潜像高さＨａが６３ｎｍであったとす
ると、図５に示す関係から、６０秒間の現像時間で現像
を行なったときのレジストパターンの予測ライン幅は
０．３１μｍである。
【００４７】第５の工程として、第２の相関関係から、
所定の現像時間と予測ライン幅とに対応する露光エネル
ギーである予測露光エネルギー（レジスト膜に実際に吸
収された露光エネルギーに相当する。）を求める。すな
わち、図６に示す第２の相関関係から、所定の現像時間
例えば６０秒間の現像時間で現像を行なったときに０．
３１μｍの予測ライン幅が得られるのは、露光エネルギ
ーが２６Ｊ／ｃｍ2 のときであると分かるから、２６Ｊ
／ｃｍ2 を予測露光エネルギーと設定する。
所定の現像時間と予測ライン幅とに対応する露光エネル
ギーである予測露光エネルギー（レジスト膜に実際に吸
収された露光エネルギーに相当する。）を求める。すな
わち、図６に示す第２の相関関係から、所定の現像時間
例えば６０秒間の現像時間で現像を行なったときに０．
３１μｍの予測ライン幅が得られるのは、露光エネルギ
ーが２６Ｊ／ｃｍ2 のときであると分かるから、２６Ｊ
／ｃｍ2 を予測露光エネルギーと設定する。
【００４８】第６の工程として、第２の相関関係から、
レジストパターンの所望のライン幅と予測露光エネルギ
ーとに対応する現像時間を求める。すなわち、図６に示
す第２の相関関係における２６Ｊ／ｃｍ2 を露光エネル
ギーの曲線と所望のライン幅例えば０．２５μｍのライ
ン幅と対応する現像時間を求めると、現像時間は８０秒
が適当であると分かるので、該８０秒の現像時間で実際
の現像を行なう。
レジストパターンの所望のライン幅と予測露光エネルギ
ーとに対応する現像時間を求める。すなわち、図６に示
す第２の相関関係における２６Ｊ／ｃｍ2 を露光エネル
ギーの曲線と所望のライン幅例えば０．２５μｍのライ
ン幅と対応する現像時間を求めると、現像時間は８０秒
が適当であると分かるので、該８０秒の現像時間で実際
の現像を行なう。
【００４９】以上のように第１の実施形態によると、露
光後に形成される潜像の高さをＡＦＭにより高精度に測
定し、測定された潜像高さから現像時間を設定して現像
工程へフィードフォワドできるため、回折光を用いるこ
となくレジストパターンのライン幅を得ることができる
ので、ウェハ間のレジストパターンのライン幅における
寸法ばらつきを大きく低減することができる。
光後に形成される潜像の高さをＡＦＭにより高精度に測
定し、測定された潜像高さから現像時間を設定して現像
工程へフィードフォワドできるため、回折光を用いるこ
となくレジストパターンのライン幅を得ることができる
ので、ウェハ間のレジストパターンのライン幅における
寸法ばらつきを大きく低減することができる。
【００５０】以下、第１の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法の第１の評価試験について説明する。
ーン形成方法の第１の評価試験について説明する。
【００５１】２５枚連続処理のウェハに対して、第１の
実施形態に係るレジストパターン形成方法、すなわちＡ
ＦＭを用いて測定した潜像高さに基づき現像時間を制御
してレジストパターンを形成した場合と、現像時間を制
御することなく当初の現像時間のままで現像を行なって
レジストパターンを形成した場合とにおけるライン幅の
寸法ばらつきを検証した。図７は、現像時間の制御をし
た場合としなかった場合とにおけるライン幅の寸法ばら
つきを示しており、図７から明らかなように、ＡＦＭに
より測定した潜像高さにより現像時間を制御した場合の
方が寸法ばらつきを低減することができる。
実施形態に係るレジストパターン形成方法、すなわちＡ
ＦＭを用いて測定した潜像高さに基づき現像時間を制御
してレジストパターンを形成した場合と、現像時間を制
御することなく当初の現像時間のままで現像を行なって
レジストパターンを形成した場合とにおけるライン幅の
寸法ばらつきを検証した。図７は、現像時間の制御をし
た場合としなかった場合とにおけるライン幅の寸法ばら
つきを示しており、図７から明らかなように、ＡＦＭに
より測定した潜像高さにより現像時間を制御した場合の
方が寸法ばらつきを低減することができる。
【００５２】以下、第１の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法の第２の評価試験について説明する。
ーン形成方法の第２の評価試験について説明する。
【００５３】２５枚連続処理のウェハに対して、第１の
実施形態に係るレジストパターン形成方法、すなわちア
ルミニウム基板上のレジスト膜に形成された潜像の高さ
をＡＦＭを用いて測定した結果に基づき現像時間を制御
してレジストパターンを形成した場合と、現像時間を制
御することなく当初の現像時間のままで現像を行なって
レジストパターンを形成した場合と、従来技術の項で説
明した光回折方式を用いて測定した光強度に基づき現像
時間を制御してレジストパターンを形成した場合とにお
けるライン幅の寸法ばらつきを検証した。図８は、前記
の検証結果を示しており、ＡＦＭにより測定した潜像高
さに基づき現像時間を制御した場合は、現像時間を制御
しなかった場合はもちろん、光回折方式を用いて現像時
間を制御した場合に比べても、ライン幅の寸法ばらつき
を低減できることが明らかである。ＡＦＭ方式が光回折
方式に比べてライン幅の寸法ばらつきを低減できるの
は、光回折方式の場合、レジスト膜中に透過した検出用
レーザー光がアルミニウム基板のグレインにより乱反射
され、この反射光が本来の検出光に合成されるため検出
精度が劣化するのに対して、ＡＦＭ方式の場合、レジス
ト膜の表面に形成される潜像の高さを回折光を用いるこ
となく測定するため、基板の影響を受け難いので、高精
度な制御が可能になるものと思われる。
実施形態に係るレジストパターン形成方法、すなわちア
ルミニウム基板上のレジスト膜に形成された潜像の高さ
をＡＦＭを用いて測定した結果に基づき現像時間を制御
してレジストパターンを形成した場合と、現像時間を制
御することなく当初の現像時間のままで現像を行なって
レジストパターンを形成した場合と、従来技術の項で説
明した光回折方式を用いて測定した光強度に基づき現像
時間を制御してレジストパターンを形成した場合とにお
けるライン幅の寸法ばらつきを検証した。図８は、前記
の検証結果を示しており、ＡＦＭにより測定した潜像高
さに基づき現像時間を制御した場合は、現像時間を制御
しなかった場合はもちろん、光回折方式を用いて現像時
間を制御した場合に比べても、ライン幅の寸法ばらつき
を低減できることが明らかである。ＡＦＭ方式が光回折
方式に比べてライン幅の寸法ばらつきを低減できるの
は、光回折方式の場合、レジスト膜中に透過した検出用
レーザー光がアルミニウム基板のグレインにより乱反射
され、この反射光が本来の検出光に合成されるため検出
精度が劣化するのに対して、ＡＦＭ方式の場合、レジス
ト膜の表面に形成される潜像の高さを回折光を用いるこ
となく測定するため、基板の影響を受け難いので、高精
度な制御が可能になるものと思われる。
【００５４】以下、第１の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法の第３の評価試験について説明する。
ーン形成方法の第３の評価試験について説明する。
【００５５】２５枚連続処理のウェハに対して、第１の
実施形態に係るレジストパターン形成方法、すなわちシ
リコン基板上のレジスト膜に露光された０．２５μｍの
孤立パターンに形成された潜像の高さをＡＦＭを用いて
測定した結果に基づき現像時間を制御してレジストパタ
ーンを形成した場合と、現像時間を制御することなく当
初の現像時間のままで現像を行なってレジストパターン
を形成した場合とにおけるライン幅の寸法ばらつきを検
証した。図９から明らかなように、ＡＦＭにより測定し
た潜像高さにより現像時間を制御した場合の方が寸法ば
らつきを低減することができる。
実施形態に係るレジストパターン形成方法、すなわちシ
リコン基板上のレジスト膜に露光された０．２５μｍの
孤立パターンに形成された潜像の高さをＡＦＭを用いて
測定した結果に基づき現像時間を制御してレジストパタ
ーンを形成した場合と、現像時間を制御することなく当
初の現像時間のままで現像を行なってレジストパターン
を形成した場合とにおけるライン幅の寸法ばらつきを検
証した。図９から明らかなように、ＡＦＭにより測定し
た潜像高さにより現像時間を制御した場合の方が寸法ば
らつきを低減することができる。
【００５６】尚、第１の実施形態においては、露光後に
レジスト膜に形成される潜像の高さと現像工程において
レジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメータ
ーの所定値におけるレジストパターンのライン幅との間
の第１の相関関係を求めたが、これに代えて、露光後に
レジスト膜に形成される潜像の高さと熱処理工程におい
てレジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメー
ターの所定値におけるレジストパターンのライン幅との
間の第１の相関関係を求め、該第１の相関関係から、前
記潜像高さと前記パラメーターの所定値とに対応するレ
ジストパターンのライン幅である予測ライン幅を求めて
もよい。この場合、熱処理工程においてレジストパター
ンのライン幅に影響を与えるパラメーターとしては、例
えば熱処理時間又は熱処理温度等が挙げられる。
レジスト膜に形成される潜像の高さと現像工程において
レジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメータ
ーの所定値におけるレジストパターンのライン幅との間
の第１の相関関係を求めたが、これに代えて、露光後に
レジスト膜に形成される潜像の高さと熱処理工程におい
てレジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメー
ターの所定値におけるレジストパターンのライン幅との
間の第１の相関関係を求め、該第１の相関関係から、前
記潜像高さと前記パラメーターの所定値とに対応するレ
ジストパターンのライン幅である予測ライン幅を求めて
もよい。この場合、熱処理工程においてレジストパター
ンのライン幅に影響を与えるパラメーターとしては、例
えば熱処理時間又は熱処理温度等が挙げられる。
【００５７】（実施形態２）図１０は本発明の第２の実
施形態に係るレジストパターン形成方法のプロセスシー
ケンスの概略を説明する図であって、図１０に示すよう
に、基板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に
所定のパターンを露光し、パターンが露光されたレジス
ト膜に対して熱処理（ＰＥＢ）を行ない、その後、ＡＦ
Ｍにより潜像の形状つまり潜像の高さを測定する。そし
て、あらかじめ求めておいた潜像の形状と現像後のパタ
ーンの寸法との相関関係からシリル化処理時間を定め、
該シリル処理時間に基づいてレジスト膜の表面にシリル
化処理を行ない。その後、ドライ現像を行なってレジス
トパターンを形成するものである。
施形態に係るレジストパターン形成方法のプロセスシー
ケンスの概略を説明する図であって、図１０に示すよう
に、基板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に
所定のパターンを露光し、パターンが露光されたレジス
ト膜に対して熱処理（ＰＥＢ）を行ない、その後、ＡＦ
Ｍにより潜像の形状つまり潜像の高さを測定する。そし
て、あらかじめ求めておいた潜像の形状と現像後のパタ
ーンの寸法との相関関係からシリル化処理時間を定め、
該シリル処理時間に基づいてレジスト膜の表面にシリル
化処理を行ない。その後、ドライ現像を行なってレジス
トパターンを形成するものである。
【００５８】以下、第２の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法について図１１〜図１３を参照しながら詳
細に説明する。第２の実施形態においては、修飾膜形成
工程において修飾膜の幅に影響を与えるパラメーターと
してシリル化処理の処理時間を選定するが、前記パラメ
ーターはシリル化処理の処理時間には限られず、他の種
類の修飾膜の形成に要する処理時間であってもよいと共
に、処理温度であってもよい。
ーン形成方法について図１１〜図１３を参照しながら詳
細に説明する。第２の実施形態においては、修飾膜形成
工程において修飾膜の幅に影響を与えるパラメーターと
してシリル化処理の処理時間を選定するが、前記パラメ
ーターはシリル化処理の処理時間には限られず、他の種
類の修飾膜の形成に要する処理時間であってもよいと共
に、処理温度であってもよい。
【００５９】第１工程として、露光後にレジスト膜に形
成される潜像の高さと所定のシリル化処理時間における
シリル化膜の幅との間の第１の相関関係を以下の手順に
より求める。
成される潜像の高さと所定のシリル化処理時間における
シリル化膜の幅との間の第１の相関関係を以下の手順に
より求める。
【００６０】まず、露光エネルギーと潜像高さとの関係
を求める。
を求める。
【００６１】シリコン基板上にシプレー社製のＳＡＬ６
０１よりなるレジストを１μｍの膜厚に堆積してレジス
ト膜を形成した後、該レジスト膜に対してＫｒＦエキシ
マレーザステッパを用いて露光エネルギーを変化させて
露光した。第２の実施形態における露光エネルギーの大
きさについては、第１の実施形態と異なり、シリル化処
理に適した値を選ぶ。次に、レジスト膜に対して１１０
℃の温度下で６０秒間の熱処理を行なった後、第１の実
施形態と同様にして、潜像の高さをＡＦＭで求めること
により、露光エネルギーと潜像高さとの関係を求める。
０１よりなるレジストを１μｍの膜厚に堆積してレジス
ト膜を形成した後、該レジスト膜に対してＫｒＦエキシ
マレーザステッパを用いて露光エネルギーを変化させて
露光した。第２の実施形態における露光エネルギーの大
きさについては、第１の実施形態と異なり、シリル化処
理に適した値を選ぶ。次に、レジスト膜に対して１１０
℃の温度下で６０秒間の熱処理を行なった後、第１の実
施形態と同様にして、潜像の高さをＡＦＭで求めること
により、露光エネルギーと潜像高さとの関係を求める。
【００６２】次に、露光エネルギーと所定時間のシリル
化処理により形成されるシリル化膜の幅との関係を求め
る。すなわち、露光エネルギーを変化させて露光したレ
ジスト膜に対してヘキサメチルシクロトリシラザン（Ｈ
ＭＣＴＳ）の溶液を用いて、２５℃で液相で所定の処理
時間でシリル化処理を行なってシリル化膜を形成した。
図１１は、シリル化処理をした後に形成される０．５μ
ｍのＬ／Ｓのシリル化膜の断面形状を示しており、未露
光部には選択的にシリル化膜が形成される。形成される
シリル化膜の幅は露光エネルギーに依存しているので、
露光エネルギーとシリル化膜の幅との間には所定の関係
がある。尚、図１１において、１はシリコン基板、２は
シリコン基板１の上に形成されたレジスト膜、３はレジ
スト膜２の表面に形成されたシリル化膜３をそれぞれ示
している。
化処理により形成されるシリル化膜の幅との関係を求め
る。すなわち、露光エネルギーを変化させて露光したレ
ジスト膜に対してヘキサメチルシクロトリシラザン（Ｈ
ＭＣＴＳ）の溶液を用いて、２５℃で液相で所定の処理
時間でシリル化処理を行なってシリル化膜を形成した。
図１１は、シリル化処理をした後に形成される０．５μ
ｍのＬ／Ｓのシリル化膜の断面形状を示しており、未露
光部には選択的にシリル化膜が形成される。形成される
シリル化膜の幅は露光エネルギーに依存しているので、
露光エネルギーとシリル化膜の幅との間には所定の関係
がある。尚、図１１において、１はシリコン基板、２は
シリコン基板１の上に形成されたレジスト膜、３はレジ
スト膜２の表面に形成されたシリル化膜３をそれぞれ示
している。
【００６３】次に、露光エネルギーと潜像高さとの関係
と、露光エネルギーと所定の処理時間のシリル化処理を
行なったときのシリル化膜の幅との関係とから、潜像高
さと所定の処理時間のシリル化処理を行なったときのシ
リル化膜の幅との間の第１の相関関係を求める。
と、露光エネルギーと所定の処理時間のシリル化処理を
行なったときのシリル化膜の幅との関係とから、潜像高
さと所定の処理時間のシリル化処理を行なったときのシ
リル化膜の幅との間の第１の相関関係を求める。
【００６４】第２の工程として、露光エネルギー毎のシ
リル化処理時間とシリル化膜の幅との間の第２の相関関
係を求める。第２の相関関係は、測定した潜像高さから
シリル化膜の幅を予測したとき、シリル化膜の幅がスペ
ック外になる場合、シリル化処理時間を変化させてシリ
ル化膜の幅を所定値に制御するために必要である。
リル化処理時間とシリル化膜の幅との間の第２の相関関
係を求める。第２の相関関係は、測定した潜像高さから
シリル化膜の幅を予測したとき、シリル化膜の幅がスペ
ック外になる場合、シリル化処理時間を変化させてシリ
ル化膜の幅を所定値に制御するために必要である。
【００６５】図１２は、露光エネルギーが１１０，１３
０，１５０ｍＪ／ｃｍ2 のときのシリル化処理時間とシ
リル化膜の幅との第２の相関関係を示しており、図１２
から、露光エネルギー毎にシリル化処理時間とシリル化
膜の幅との間に相関関係のあることが分かる。
０，１５０ｍＪ／ｃｍ2 のときのシリル化処理時間とシ
リル化膜の幅との第２の相関関係を示しており、図１２
から、露光エネルギー毎にシリル化処理時間とシリル化
膜の幅との間に相関関係のあることが分かる。
【００６６】第３の工程として、実際にパターン露光を
行なったときにレジスト膜に形成される潜像の高さを測
定して潜像高さを求める。
行なったときにレジスト膜に形成される潜像の高さを測
定して潜像高さを求める。
【００６７】第４の工程として、第１の相関関係から、
測定された潜像高さと所定のシリル化処理時間とに対応
するシリル化膜の幅であるシリル化膜の予測幅を求め
る。
測定された潜像高さと所定のシリル化処理時間とに対応
するシリル化膜の幅であるシリル化膜の予測幅を求め
る。
【００６８】第５の工程として、第２の相関関係から、
所定のシリル化処理時間とシリル化膜の予測幅とに対応
する露光エネルギーである予測露光エネルギー（レジス
ト膜に実際に吸収された露光エネルギーに相当する。）
を求める。
所定のシリル化処理時間とシリル化膜の予測幅とに対応
する露光エネルギーである予測露光エネルギー（レジス
ト膜に実際に吸収された露光エネルギーに相当する。）
を求める。
【００６９】第６の工程として、第２の相関関係から、
シリル化膜の所望の幅と予測露光エネルギーとに対応す
るシリル化処理時間を求め、該シリル化処理時間で実際
のシリル化処理を行なった後、シリル化膜が形成された
レジスト膜に対してＯ2 プラズマによるＲＩＥエッチン
グを行ない、その後、所定の現像を行なってレジストパ
ターンを形成する。
シリル化膜の所望の幅と予測露光エネルギーとに対応す
るシリル化処理時間を求め、該シリル化処理時間で実際
のシリル化処理を行なった後、シリル化膜が形成された
レジスト膜に対してＯ2 プラズマによるＲＩＥエッチン
グを行ない、その後、所定の現像を行なってレジストパ
ターンを形成する。
【００７０】シリル化膜とレジスト膜とのエッチング選
択比は１６程度と高いため、最終的にドライ現像を行な
った後に形成されるレジストパターンのライン幅はシリ
ル化膜の幅に大きく依存する。従って、第２の実施形態
に示すように、シリル化処理時間をフィードフォワード
制御することにより、ウェハ間のレジストパターンのラ
イン幅の寸法ばらつきを低減することができる。実際に
２５枚のウェハに対して連続処理を行なったところ、シ
リル化処理時間のフィードフォワード制御をすることに
よって、０．５μｍＬ／Ｓのウェハ間の寸法ばらつきが
±０．０３μｍから±０．０１５μｍに低減できること
を確認した。
択比は１６程度と高いため、最終的にドライ現像を行な
った後に形成されるレジストパターンのライン幅はシリ
ル化膜の幅に大きく依存する。従って、第２の実施形態
に示すように、シリル化処理時間をフィードフォワード
制御することにより、ウェハ間のレジストパターンのラ
イン幅の寸法ばらつきを低減することができる。実際に
２５枚のウェハに対して連続処理を行なったところ、シ
リル化処理時間のフィードフォワード制御をすることに
よって、０．５μｍＬ／Ｓのウェハ間の寸法ばらつきが
±０．０３μｍから±０．０１５μｍに低減できること
を確認した。
【００７１】以上のように、第２の実施形態によると、
潜像の高さをＡＦＭにより高精度に計測し、計測された
潜像高さに基づき得られるシリル化処理時間をシリル化
処理工程へフィードフォワドできるので、ウェハ間にお
けるライン幅の寸法ばらつきを大きく低減することがで
きる。尚、シリル化処理前の熱処理の前にＡＦＭによる
潜像形状の計測を行ない、シリル化処理前の熱処理工程
の処理時間をフィードフォワドしても同様の効果があ
る。
潜像の高さをＡＦＭにより高精度に計測し、計測された
潜像高さに基づき得られるシリル化処理時間をシリル化
処理工程へフィードフォワドできるので、ウェハ間にお
けるライン幅の寸法ばらつきを大きく低減することがで
きる。尚、シリル化処理前の熱処理の前にＡＦＭによる
潜像形状の計測を行ない、シリル化処理前の熱処理工程
の処理時間をフィードフォワドしても同様の効果があ
る。
【００７２】尚、第１の実施形態において、レジスト膜
としてはＫｒＦエキシマレーザー用レジスト”ＡＳＫ
Ａ”を用いたが、他のＫｒＦエキシマレーザー用レジス
トを用いてもよいし、ｇ線用・ｉ線用・ＡｒＦエキシマ
レーザー用・Ｘ線用・荷電ビーム用のレジストでもよ
い。これらのレジストを用いる場合には、露光光として
はレジストに対応するものを用いる。また、現像液とし
ては、ＮＭＤ−３を用いたが、これに代えて、他の現像
液を用いてもよいと共に、ウェット現像に代えてドライ
現像を行なってもよい。
としてはＫｒＦエキシマレーザー用レジスト”ＡＳＫ
Ａ”を用いたが、他のＫｒＦエキシマレーザー用レジス
トを用いてもよいし、ｇ線用・ｉ線用・ＡｒＦエキシマ
レーザー用・Ｘ線用・荷電ビーム用のレジストでもよ
い。これらのレジストを用いる場合には、露光光として
はレジストに対応するものを用いる。また、現像液とし
ては、ＮＭＤ−３を用いたが、これに代えて、他の現像
液を用いてもよいと共に、ウェット現像に代えてドライ
現像を行なってもよい。
【００７３】また、第２の実施形態において、レジスト
膜はＳＡＬ６０１を用いたが、他のｇ線用、ｉ線用、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー用、ＡｒＦエキシマレーザー用、
Ｘ線用、荷電ビーム用のレジストでもよい。
膜はＳＡＬ６０１を用いたが、他のｇ線用、ｉ線用、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー用、ＡｒＦエキシマレーザー用、
Ｘ線用、荷電ビーム用のレジストでもよい。
【００７４】また、第１又は第２の実施形態において。
潜像の高さをＡＦＭにより測定したが、これに代えて、
レジスト膜の表面に形成される潜像の高さをｎｍオーダ
ーで測定できるものを適宜用いることができ、また、潜
像の高さの測定はオフラインで行なったがインラインで
行なってもよいし、現像時間の制御又は表面修飾の処理
時間の制御を自動化してもよい。
潜像の高さをＡＦＭにより測定したが、これに代えて、
レジスト膜の表面に形成される潜像の高さをｎｍオーダ
ーで測定できるものを適宜用いることができ、また、潜
像の高さの測定はオフラインで行なったがインラインで
行なってもよいし、現像時間の制御又は表面修飾の処理
時間の制御を自動化してもよい。
【００７５】（実施形態３）図１３は本発明の第３の実
施形態に係るレジストパターン形成方法のプロセスシー
ケンス説明図であって、図１３に示すように、基板上に
レジスト膜を形成した後、レジスト膜に所定のパターン
を露光し、その後、パターン露光されたレジスト膜にお
ける露光部又は未露光部に選択的に表面修飾膜を形成し
た後、表面修飾膜の幅をＡＦＭにより測定する。そし
て、あらかじめ求めておいた表面修飾膜の幅と現像後の
パターン寸法との間の相関関係からパターン寸法を予測
し、予測したパターン寸法が許容範囲内にある場合には
レジスト膜に対して現像を行なう一方、予測したパター
ン寸法が許容範囲内にない場合には表面修飾膜及びレジ
スト膜を除去する。
施形態に係るレジストパターン形成方法のプロセスシー
ケンス説明図であって、図１３に示すように、基板上に
レジスト膜を形成した後、レジスト膜に所定のパターン
を露光し、その後、パターン露光されたレジスト膜にお
ける露光部又は未露光部に選択的に表面修飾膜を形成し
た後、表面修飾膜の幅をＡＦＭにより測定する。そし
て、あらかじめ求めておいた表面修飾膜の幅と現像後の
パターン寸法との間の相関関係からパターン寸法を予測
し、予測したパターン寸法が許容範囲内にある場合には
レジスト膜に対して現像を行なう一方、予測したパター
ン寸法が許容範囲内にない場合には表面修飾膜及びレジ
スト膜を除去する。
【００７６】以下、第３の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法を図１４〜図１７を参照しながら詳細に説
明する。
ーン形成方法を図１４〜図１７を参照しながら詳細に説
明する。
【００７７】まず、図１４に示すように、シリコン基板
１の上に、１、２、３、４ーテトラヒドロナフチリデン
イミノーｐ−スチレンスルフォネートとメタクリル酸メ
チルとの共重合体よりなるレジスト膜２を１μｍの膜厚
に形成した後、ＫｒＦエキシマレーザステッパを用いて
レジスト膜２の所定のパターンを露光して、レジスト膜
２の露光部の表面に酸を発生させる。その後、レジスト
膜２を３０℃の温度下における９５％の湿度状態に保持
して、レジスト膜２の表面にアルコキシシランガスとし
てのメチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）と水蒸気
とを供給して、レジスト膜２の露光部の表面に選択的に
金属酸化膜としてのポリシロキサンよりなる０．５μｍ
のＬ／Ｓの表面修飾膜４を形成した後、該表面修飾膜４
の幅：Ｗ20をＡＦＭにより測定する。
１の上に、１、２、３、４ーテトラヒドロナフチリデン
イミノーｐ−スチレンスルフォネートとメタクリル酸メ
チルとの共重合体よりなるレジスト膜２を１μｍの膜厚
に形成した後、ＫｒＦエキシマレーザステッパを用いて
レジスト膜２の所定のパターンを露光して、レジスト膜
２の露光部の表面に酸を発生させる。その後、レジスト
膜２を３０℃の温度下における９５％の湿度状態に保持
して、レジスト膜２の表面にアルコキシシランガスとし
てのメチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）と水蒸気
とを供給して、レジスト膜２の露光部の表面に選択的に
金属酸化膜としてのポリシロキサンよりなる０．５μｍ
のＬ／Ｓの表面修飾膜４を形成した後、該表面修飾膜４
の幅：Ｗ20をＡＦＭにより測定する。
【００７８】次に、表面修飾膜４が形成されたレジスト
膜２に対してＯ2 プラズマによるＲＩＥエッチングを行
なって、図１５に示すような０．５μｍのＬ／Ｓのレジ
ストパターン５を形成した後、該レジストパターン５の
ライン幅：Ｗ21をＡＦＭにより測定する。
膜２に対してＯ2 プラズマによるＲＩＥエッチングを行
なって、図１５に示すような０．５μｍのＬ／Ｓのレジ
ストパターン５を形成した後、該レジストパターン５の
ライン幅：Ｗ21をＡＦＭにより測定する。
【００７９】次に、表面修飾膜４の幅：Ｗ20と現像後の
レジストパターン５のライン幅：Ｗ21との間の相関関係
を図１６に示すように求めておく。
レジストパターン５のライン幅：Ｗ21との間の相関関係
を図１６に示すように求めておく。
【００８０】次に、前記同様にして、実際のレジスト膜
に所定のパターンを露光した後、所定のパターンが露光
された実際のレジスト膜の表面に実際の表面修飾膜を形
成し、該実際の表面修飾膜の幅を測定する。
に所定のパターンを露光した後、所定のパターンが露光
された実際のレジスト膜の表面に実際の表面修飾膜を形
成し、該実際の表面修飾膜の幅を測定する。
【００８１】次に、図１６に示す表面修飾膜４の幅：Ｗ
20と現像後のレジストパターン５のライン幅：Ｗ21との
間の相関関係から実際の表面修飾膜の幅と対応するレジ
ストパターンのライン幅である予測ライン幅を求める。
尚、図１６においては、縦軸は、表面修飾層の幅及びレ
ジストパターンのライン幅を示している。そして、予測
ライン幅がレジストパターンのライン幅の許容範囲に入
っているか否かを判断し、予測ライン幅がレジストパタ
ーンのライン幅の許容範囲に入っている場合には、レジ
スト膜２を例えばＯ2 プラズマによるＲＩＥエッチング
を行なう。
20と現像後のレジストパターン５のライン幅：Ｗ21との
間の相関関係から実際の表面修飾膜の幅と対応するレジ
ストパターンのライン幅である予測ライン幅を求める。
尚、図１６においては、縦軸は、表面修飾層の幅及びレ
ジストパターンのライン幅を示している。そして、予測
ライン幅がレジストパターンのライン幅の許容範囲に入
っているか否かを判断し、予測ライン幅がレジストパタ
ーンのライン幅の許容範囲に入っている場合には、レジ
スト膜２を例えばＯ2 プラズマによるＲＩＥエッチング
を行なう。
【００８２】一方、予測ライン幅がレジストパターンの
ライン幅の許容範囲に入っていない場合には、図１７に
示すような工程を行なう。すなわち、図１７（ａ）に示
すように、シリコン基板１０の上に、素子分離層１１、
ポリシリコン膜１２、シリコン酸化膜１３及びレジスト
膜１４が順次形成され、レジスト膜１４に形成されたポ
リシロキサンよりなる表面修飾膜１５の幅と対応する予
測ライン幅がレジストパターンのライン幅の許容範囲に
入っていない場合には、図１７（ｂ）に示すように、表
面修飾膜１５をＣＦ4 のプラズマにより除去した後、図
１７（ｃ）に示すように、レジスト膜１４をＯ2 プラズ
マにより除去して、シリコン基板１０を再生する。この
ようにすると、素子分離層１１、ポリシリコン膜１２及
びシリコン酸化膜１３が形成されているシリコン基板１
０にダメージを与えることなく再生することができる。
その後、再生されたシリコン基板１０の上に前記と同様
にしてレジスト膜を形成し、レジストパターンを形成す
ることができる。前記のようにシリコン基板１０がダメ
ージを受けていないので、再度、形成されたレジストパ
ターンによりシリコン酸化膜１３及びポリシリコン膜１
２に対してエッチングを行なって例えばゲート電極を形
成しても、半導体素子の特性がばらつく等の問題が起き
ることがない。
ライン幅の許容範囲に入っていない場合には、図１７に
示すような工程を行なう。すなわち、図１７（ａ）に示
すように、シリコン基板１０の上に、素子分離層１１、
ポリシリコン膜１２、シリコン酸化膜１３及びレジスト
膜１４が順次形成され、レジスト膜１４に形成されたポ
リシロキサンよりなる表面修飾膜１５の幅と対応する予
測ライン幅がレジストパターンのライン幅の許容範囲に
入っていない場合には、図１７（ｂ）に示すように、表
面修飾膜１５をＣＦ4 のプラズマにより除去した後、図
１７（ｃ）に示すように、レジスト膜１４をＯ2 プラズ
マにより除去して、シリコン基板１０を再生する。この
ようにすると、素子分離層１１、ポリシリコン膜１２及
びシリコン酸化膜１３が形成されているシリコン基板１
０にダメージを与えることなく再生することができる。
その後、再生されたシリコン基板１０の上に前記と同様
にしてレジスト膜を形成し、レジストパターンを形成す
ることができる。前記のようにシリコン基板１０がダメ
ージを受けていないので、再度、形成されたレジストパ
ターンによりシリコン酸化膜１３及びポリシリコン膜１
２に対してエッチングを行なって例えばゲート電極を形
成しても、半導体素子の特性がばらつく等の問題が起き
ることがない。
【００８３】第３の実施形態によると、ポリシロキサン
よりなる表面修飾膜１５の幅をＡＦＭにより高精度に測
定することにより、レジスト膜１４に対する現像工程を
行なわなくても、測定された表面修飾膜１５の幅に基づ
きレジストパターンのライン幅を正確に予測でき、ライ
ン幅が許容範囲を越える場合にはダメージレスでシリコ
ン基板１０を再生できるので、ウェハ間におけるレジス
トパターンのライン幅の寸法ばらつきを低減することが
できる。
よりなる表面修飾膜１５の幅をＡＦＭにより高精度に測
定することにより、レジスト膜１４に対する現像工程を
行なわなくても、測定された表面修飾膜１５の幅に基づ
きレジストパターンのライン幅を正確に予測でき、ライ
ン幅が許容範囲を越える場合にはダメージレスでシリコ
ン基板１０を再生できるので、ウェハ間におけるレジス
トパターンのライン幅の寸法ばらつきを低減することが
できる。
【００８４】尚、第３の実施形態においては、レジスト
パターンのライン幅が許容範囲を越える場合には、ＣＦ
4 のプラズマにより表面修飾膜１５を除去した後、Ｏ2
プラズマによりレジスト膜１４を除去したが、これに代
えて、ＨＦにより表面修飾膜１５を除去した後、アセト
ン等の有機溶剤によりレジスト膜１４を除去してもよ
い。
パターンのライン幅が許容範囲を越える場合には、ＣＦ
4 のプラズマにより表面修飾膜１５を除去した後、Ｏ2
プラズマによりレジスト膜１４を除去したが、これに代
えて、ＨＦにより表面修飾膜１５を除去した後、アセト
ン等の有機溶剤によりレジスト膜１４を除去してもよ
い。
【００８５】また、第３の実施形態においては、表面修
飾膜は金属酸化膜であったが、これに代えて、第２の実
施形態において示したシリル化膜であってもよい。
飾膜は金属酸化膜であったが、これに代えて、第２の実
施形態において示したシリル化膜であってもよい。
【００８６】
【発明の効果】請求項１の発明に係るレジストパターン
形成方法によると、露光後にレジスト膜の表面に形成さ
れる潜像の高さを測定することにより、レジスト膜の露
光に実際に適用された露光条件と対応する現像工程にお
けるパラメーターの値を得ることができ、該パラメータ
ーの値に基づき現像を行なうと、レジストパターンの所
望のライン幅を実現することができるため、回折光を用
いることなくレジストパターンのライン幅を正確に予測
できるので、パターン露光の露光条件がばらついても、
ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきがなく安定し
たレジストパターンのライン幅を得ることができる。
形成方法によると、露光後にレジスト膜の表面に形成さ
れる潜像の高さを測定することにより、レジスト膜の露
光に実際に適用された露光条件と対応する現像工程にお
けるパラメーターの値を得ることができ、該パラメータ
ーの値に基づき現像を行なうと、レジストパターンの所
望のライン幅を実現することができるため、回折光を用
いることなくレジストパターンのライン幅を正確に予測
できるので、パターン露光の露光条件がばらついても、
ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきがなく安定し
たレジストパターンのライン幅を得ることができる。
【００８７】請求項２の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、パラメーターは現像時間であるため、
レジストパターンのライン幅に与える影響の大きい現像
時間を制御できるので、ウェハ間におけるライン幅の寸
法ばらつきを一層低減することができる。
成方法によると、パラメーターは現像時間であるため、
レジストパターンのライン幅に与える影響の大きい現像
時間を制御できるので、ウェハ間におけるライン幅の寸
法ばらつきを一層低減することができる。
【００８８】請求項３の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、請求項１の発明の現像工程においてレ
ジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメーター
を、熱処理工程においてレジストパターンのライン幅に
影響を与えるパラメーターに置き換えており、該熱処理
工程におけるパラメーターの値に基づき熱処理を行なう
と、レジストパターンの所望のライン幅を実現すること
ができるため、回折光を用いることなくレジストパター
ンのライン幅を正確に予測できるので、パターン露光の
露光条件がばらついても、ウェハ間におけるライン幅の
寸法ばらつきがなく安定したレジストパターンのライン
幅を得ることができる。
成方法によると、請求項１の発明の現像工程においてレ
ジストパターンのライン幅に影響を与えるパラメーター
を、熱処理工程においてレジストパターンのライン幅に
影響を与えるパラメーターに置き換えており、該熱処理
工程におけるパラメーターの値に基づき熱処理を行なう
と、レジストパターンの所望のライン幅を実現すること
ができるため、回折光を用いることなくレジストパター
ンのライン幅を正確に予測できるので、パターン露光の
露光条件がばらついても、ウェハ間におけるライン幅の
寸法ばらつきがなく安定したレジストパターンのライン
幅を得ることができる。
【００８９】請求項４の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、パラメーターは熱処理時間又は熱処理
温度であるため、レジストパターンのライン幅に与える
影響の大きい熱処理の時間又は温度を制御できるので、
ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきを一層低減す
ることができる。
成方法によると、パラメーターは熱処理時間又は熱処理
温度であるため、レジストパターンのライン幅に与える
影響の大きい熱処理の時間又は温度を制御できるので、
ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきを一層低減す
ることができる。
【００９０】請求項５の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、露光後にレジスト膜の表面に形成され
る潜像の高さを測定することにより、レジスト膜の露光
に実際に適用された露光条件に対応するパラメーターの
値を得ることができ、該パラメーターの値に基づき表面
修飾膜を形成すると、所望の幅を有する表面修飾膜を形
成でき、また、レジストパターンのライン幅はレジスト
膜に形成される表面修飾膜の幅に大きく依存するため、
回折光を用いることなくレジストパターンのライン幅を
正確に制御できるので、パターン露光の露光条件がばら
ついても、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきが
なく安定したレジストパターンのライン幅を得ることが
できる。
成方法によると、露光後にレジスト膜の表面に形成され
る潜像の高さを測定することにより、レジスト膜の露光
に実際に適用された露光条件に対応するパラメーターの
値を得ることができ、該パラメーターの値に基づき表面
修飾膜を形成すると、所望の幅を有する表面修飾膜を形
成でき、また、レジストパターンのライン幅はレジスト
膜に形成される表面修飾膜の幅に大きく依存するため、
回折光を用いることなくレジストパターンのライン幅を
正確に制御できるので、パターン露光の露光条件がばら
ついても、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつきが
なく安定したレジストパターンのライン幅を得ることが
できる。
【００９１】請求項６の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、パラメーターは熱処理時間又は熱処理
温度であるため、表面修飾膜の幅に与える影響の大きい
熱処理の時間又は温度を制御できるので、ウェハ間にお
けるライン幅の寸法ばらつきを一層低減することができ
る。
成方法によると、パラメーターは熱処理時間又は熱処理
温度であるため、表面修飾膜の幅に与える影響の大きい
熱処理の時間又は温度を制御できるので、ウェハ間にお
けるライン幅の寸法ばらつきを一層低減することができ
る。
【００９２】請求項７の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、凹凸形状をｎｍオーダーで計測できる
原子間力顕微鏡により潜像の高さを求めるため、潜像の
高さをｎｍオーダーで計測でき、現像工程、熱処理工程
又は表面修飾膜形成工程におけるパラメーターの値を正
確に得られるので、レジストパターンの所望のライン幅
を極めて正確に得ることができる。
成方法によると、凹凸形状をｎｍオーダーで計測できる
原子間力顕微鏡により潜像の高さを求めるため、潜像の
高さをｎｍオーダーで計測でき、現像工程、熱処理工程
又は表面修飾膜形成工程におけるパラメーターの値を正
確に得られるので、レジストパターンの所望のライン幅
を極めて正確に得ることができる。
【００９３】請求項８の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、レジスト膜に形成された表面修飾膜の
幅を測定することにより、レジストパターンのライン幅
をほぼ正確に予測することができ、正確に予測されるラ
イン幅が許容範囲内にないときにレジスト膜を除去する
ため、基板を露出することなく不良のレジスト膜を除去
できるので、基板が受けるダメージが大きく低減され、
これにより、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつき
及び半導体素子等の特性のばらつきを低減することがで
きる。
成方法によると、レジスト膜に形成された表面修飾膜の
幅を測定することにより、レジストパターンのライン幅
をほぼ正確に予測することができ、正確に予測されるラ
イン幅が許容範囲内にないときにレジスト膜を除去する
ため、基板を露出することなく不良のレジスト膜を除去
できるので、基板が受けるダメージが大きく低減され、
これにより、ウェハ間におけるライン幅の寸法ばらつき
及び半導体素子等の特性のばらつきを低減することがで
きる。
【００９４】請求項９の発明に係るレジストパターン形
成方法によると、表面修飾膜は、パターン露光されたレ
ジスト膜の露光部に水を吸収させた後、水を吸収した露
光部の表面に水及び金属アルコキシドを供給することに
よって、露光部の表面に形成される金属酸化膜であるた
め、表面修飾膜として金属酸化膜を形成する場合に、金
属酸化膜の幅を測定することにより、レジストパターン
のライン幅をほぼ正確に予測することができる。
成方法によると、表面修飾膜は、パターン露光されたレ
ジスト膜の露光部に水を吸収させた後、水を吸収した露
光部の表面に水及び金属アルコキシドを供給することに
よって、露光部の表面に形成される金属酸化膜であるた
め、表面修飾膜として金属酸化膜を形成する場合に、金
属酸化膜の幅を測定することにより、レジストパターン
のライン幅をほぼ正確に予測することができる。
【００９５】請求項１０の発明に係るレジストパターン
形成方法によると、表面修飾膜はシリル化膜であるた
め、表面修飾膜としてシリル化膜を形成する場合に、シ
リル化膜の幅を測定することにより、レジストパターン
のライン幅をほぼ正確に予測することができる。
形成方法によると、表面修飾膜はシリル化膜であるた
め、表面修飾膜としてシリル化膜を形成する場合に、シ
リル化膜の幅を測定することにより、レジストパターン
のライン幅をほぼ正確に予測することができる。
【００９６】請求項１１の発明に係るレジストパターン
の形成方法によると、凹凸形状をｎｍオーダーで計測で
きる原子間力顕微鏡により表面修飾膜の幅を求めるた
め、表面修飾膜の幅をｎｍオーダーで計測することがで
きる。
の形成方法によると、凹凸形状をｎｍオーダーで計測で
きる原子間力顕微鏡により表面修飾膜の幅を求めるた
め、表面修飾膜の幅をｎｍオーダーで計測することがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレジストパター
ン形成方法のプロセスシーケンスの概略図である。
ン形成方法のプロセスシーケンスの概略図である。
【図２】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法においてＡＦＭにより観測されたレジスト膜表面
の概略断面図である。
成方法においてＡＦＭにより観測されたレジスト膜表面
の概略断面図である。
【図３】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法における露光エネルギーと潜像高さとの関係を示
す図である。
成方法における露光エネルギーと潜像高さとの関係を示
す図である。
【図４】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法における露光エネルギーとレジストパターンのラ
イン幅との関係を示す図である。
成方法における露光エネルギーとレジストパターンのラ
イン幅との関係を示す図である。
【図５】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法における潜像の高さとレジストパターンのライン
幅との間の第１の相関関係を示す図である。
成方法における潜像の高さとレジストパターンのライン
幅との間の第１の相関関係を示す図である。
【図６】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法における現像時間とレジストパターンのライン幅
との間の第２の相関関係を示す図である。
成方法における現像時間とレジストパターンのライン幅
との間の第２の相関関係を示す図である。
【図７】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法の評価試験を示す図であって、現像時間の制御し
た場合及び現像時間を制御しなかった場合におけるライ
ン幅の寸法ばらつきを示す図である。
成方法の評価試験を示す図であって、現像時間の制御し
た場合及び現像時間を制御しなかった場合におけるライ
ン幅の寸法ばらつきを示す図である。
【図８】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法の評価試験を示す図であって、現像時間を制御し
た場合、現像時間を制御しなかった場合及び光回折方式
を用いて現像時間を制御した場合におけるライン幅のば
らつきを示す図である。
成方法の評価試験を示す図であって、現像時間を制御し
た場合、現像時間を制御しなかった場合及び光回折方式
を用いて現像時間を制御した場合におけるライン幅のば
らつきを示す図である。
【図９】前記第１の実施形態に係るレジストパターン形
成方法の評価試験を示す図であって、現像時間の制御し
た場合及び現像時間を制御しなかった場合におけるライ
ン幅の寸法ばらつきを示す図である。
成方法の評価試験を示す図であって、現像時間の制御し
た場合及び現像時間を制御しなかった場合におけるライ
ン幅の寸法ばらつきを示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法のプロセスシーケンスの概略図である。
ーン形成方法のプロセスシーケンスの概略図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法におけるシリル化処理の後に形成されるシ
リル化膜の断面形状を示す断面図である。
ーン形成方法におけるシリル化処理の後に形成されるシ
リル化膜の断面形状を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法におけるシリル化処理時間とシリル化膜の
幅との関係を示す図である。
ーン形成方法におけるシリル化処理時間とシリル化膜の
幅との関係を示す図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係るレジストパタ
ーン形成方法のプロセスシーケンスの概略図である。
ーン形成方法のプロセスシーケンスの概略図である。
【図１４】前記第３の実施形態に係るレジストパターン
形成方法の一工程を示す断面図である。
形成方法の一工程を示す断面図である。
【図１５】前記第３の実施形態に係るレジストパターン
形成方法の一工程を示す断面図である。
形成方法の一工程を示す断面図である。
【図１６】前記第３の実施形態に係るレジストパターン
形成方法における露光量とラインパターン寸法との関係
を示す図である。
形成方法における露光量とラインパターン寸法との関係
を示す図である。
【図１７】前記第３の実施形態に係るレジストパターン
形成方法の各工程を示す断面図である。
形成方法の各工程を示す断面図である。
１ シリコン基板 ２ レジスト膜 ３ シリル化膜 ４ 表面修飾膜 ５ レジストパターン １０ シリコン基板 １１ 素子分離層 １２ ポリシリコン膜 １３ シリコン酸化膜 １４ レジスト膜 １５ 表面修飾膜
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上にレジスト膜を形成するレジスト
膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを露光
する露光工程と、所定のパターンが露光されたレジスト
膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程とを
備えたレジストパターン形成方法であって、 露光後にレジスト膜に形成される潜像の高さと現像工程
においてレジストパターンのライン幅に影響を与えるパ
ラメーターの所定値におけるレジストパターンのライン
幅との間の第１の相関関係、及び、露光エネルギー又は
露光焦点よりなる露光条件毎における前記パラメーター
の所定値とレジストパターンのライン幅との間の第２の
相関関係を求めておく工程と、 実際に露光されたレジスト膜に形成される潜像の高さを
測定して潜像高さを求める工程と、 前記第１の相関関係から、前記潜像高さと前記パラメー
ターの所定値とに対応するレジストパターンのライン幅
である予測ライン幅を求める工程と、 前記第２の相関関係から、前記パラメーターの所定値と
前記予測ライン幅とに対応する前記露光条件である予測
露光条件を求める工程と、 前記第２の相関関係から、レジストパターンの所望のラ
イン幅と前記予測露光条件とに対応する前記パラメータ
ーの値を求め、該パラメーターの値に基づきレジストパ
ターンを形成する工程とを備えていることを特徴とする
レジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記現像工程におけるレジストパターン
のライン幅に影響を与えるパラメーターは現像時間であ
ることを特徴とする請求項１に記載のレジストパターン
形成方法。 - 【請求項３】 基板上にレジスト膜を形成するレジスト
膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを露光
する露光工程と、所定のパターンが露光されたレジスト
膜に熱処理を行なう熱処理工程と、熱処理が行なわれた
レジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジ
ストパターン形成工程とを備えたレジストパターン形成
方法であって、 露光後にレジスト膜に形成される潜像の高さと熱処理工
程においてレジストパターンのライン幅に影響を与える
パラメーターの所定値におけるレジストパターンのライ
ン幅との間の第１の相関関係、及び、露光エネルギー又
は露光焦点よりなる露光条件毎における前記パラメータ
ーの所定値とレジストパターンのライン幅との間の第２
の相関関係を求めておく工程と、 実際に露光されたレジスト膜に形成される潜像の高さを
測定して潜像高さを求める工程と、 前記第１の相関関係から、前記潜像高さと前記パラメー
ターの所定値とに対応するレジストパターンのライン幅
である予測ライン幅を求める工程と、 前記第２の相関関係から、前記パラメーターの所定値と
前記予測ライン幅とに対応する前記露光条件である予測
露光条件を求める工程と、 前記第２の相関関係から、レジストパターンの所望のラ
イン幅と前記予測露光条件とに対応する前記パラメータ
ーの値を求め、該パラメーターの値に基づきレジスト膜
に熱処理を行なう工程とを備えていることを特徴とする
レジストパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記熱処理工程におけるレジストパター
ンのライン幅に影響を与えるパラメーターは処理時間又
は処理温度であることを特徴とする請求項３に記載のレ
ジストパターン形成方法。 - 【請求項５】 基板上にレジスト膜を形成するレジスト
膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを露光
する露光工程と、所定のパターンが露光されたレジスト
膜に表面修飾膜を形成する修飾膜形成工程と、表面修飾
膜が形成されたレジスト膜を現像してレジストパターン
を形成する現像工程とを備えたレジストパターン形成方
法であって、 露光後にレジスト膜に形成される潜像の高さと修飾膜形
成工程において表面修飾膜の幅に影響を与えるパラメー
ターの所定値における表面修飾膜の幅との間の第１の相
関関係、及び、露光エネルギー又は露光焦点よりなる露
光条件毎における前記パラメーターの所定値と表面修飾
膜の幅との間の第２の相関関係を求めておく工程と、 実際に露光されたレジスト膜に形成される潜像の高さを
測定して潜像高さを求める工程と、 前記第１の相関関係から、前記潜像高さと前記パラメー
ターの所定値とに対応する表面修飾膜の幅である予測修
飾膜幅を求める工程と、 前記第２の相関関係から、前記パラメーターの所定値と
前記予測修飾膜幅とに対応する前記露光条件である予測
露光条件を求める工程と、 前記第２の相関関係から、表面修飾膜の所望の幅と前記
予測露光条件とに対応する前記パラメーターの値を求
め、該パラメーターの値に基づき表面修飾膜を形成する
工程とを備えていることを特徴とするレジストパターン
形成方法。 - 【請求項６】 前記修飾膜形成工程における表面修飾膜
の幅に影響を与えるパラメーターは処理時間又は処理温
度であることを特徴とする請求項５に記載のレジストパ
ターン形成方法。 - 【請求項７】 前記潜像高さは原子間力顕微鏡により求
めることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記
載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項８】 レジスト膜に形成された表面修飾膜の幅
と、該表面修飾膜が形成されたレジスト膜を現像して得
られるレジストパターンのライン幅との間の相関関係を
求めておく工程と、 基板上に実際のレジスト膜を形成する工程と、 前記実際のレジスト膜に所定のパターンを露光する工程
と、 所定のパターンが露光された実際のレジスト膜の表面に
実際の表面修飾膜を形成する工程と、 前記実際の表面修飾膜の幅を測定し、前記の相関関係か
ら前記実際の表面修飾膜の幅と対応するレジストパター
ンのライン幅である予測ライン幅を求める工程と、 前記予測ライン幅が所望のライン幅の許容範囲内である
か否かを判断し、前記予測ライン幅が許容範囲内にある
ときには前記実際のレジスト膜に対して現像を行なって
レジストパターンを形成する一方、前記予測ライン幅が
許容範囲内にないときには前記実際のレジスト膜を除去
する工程とを備えていることを特徴とするレジストパタ
ーン形成方法。 - 【請求項９】 前記レジスト膜はパターン露光されると
酸を発生するレジストよりなり、 前記表面修飾膜は、パターン露光された前記レジスト膜
の露光部に水を吸収させた後、水を吸収した前記露光部
の表面に水及び金属アルコキシドを供給することによっ
て、前記露光部の表面に形成される金属酸化膜であるこ
とを特徴とする請求項５、６又は８に記載のレジストパ
ターン形成方法。 - 【請求項１０】 前記表面修飾膜は、パターン露光され
た前記レジスト膜の未露光部の表面に形成されるシリル
化膜であることを特徴とする請求項５、６又は８に記載
のレジストパターン形成方法。 - 【請求項１１】 前記表面修飾膜の幅は原子間力顕微鏡
により求めることを特徴とする請求項８〜１０のいずれ
か１項に記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07278640A JP3115517B2 (ja) | 1994-11-14 | 1995-10-26 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-279132 | 1994-11-14 | ||
| JP27913294 | 1994-11-14 | ||
| JP07278640A JP3115517B2 (ja) | 1994-11-14 | 1995-10-26 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213313A true JPH08213313A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3115517B2 JP3115517B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=26552967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07278640A Expired - Fee Related JP3115517B2 (ja) | 1994-11-14 | 1995-10-26 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115517B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007324479A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | シミュレーションモデルの作成方法、プログラム及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008219055A (ja) * | 1998-07-02 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 加熱装置の評価方法とパターン形成方法及び加熱装置の制御方法 |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP07278640A patent/JP3115517B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008219055A (ja) * | 1998-07-02 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 加熱装置の評価方法とパターン形成方法及び加熱装置の制御方法 |
| JP2007324479A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | シミュレーションモデルの作成方法、プログラム及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3115517B2 (ja) | 2000-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100197191B1 (ko) | 레지스트 패턴 형성방법 | |
| JP5013657B2 (ja) | 半導体プロセスパラメータを制御する方法 | |
| CN110799903B (zh) | 确定边缘粗糙度参数 | |
| US6654660B1 (en) | Controlling thermal expansion of mask substrates by scatterometry | |
| US20170040228A1 (en) | Method for reducing charge in critical dimension-scanning electron microscope metrology | |
| JP3325465B2 (ja) | 形状シミュレーション方法 | |
| US6507474B1 (en) | Using localized ionizer to reduce electrostatic charge from wafer and mask | |
| US6762133B1 (en) | System and method for control of hardmask etch to prevent pattern collapse of ultra-thin resists | |
| TW202238262A (zh) | 修補光罩缺陷的方法、裝置、與電腦程式 | |
| JP3115517B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US7352451B2 (en) | System method and structure for determining focus accuracy | |
| CN114514468A (zh) | 光刻模拟和光学邻近校正 | |
| US6473162B1 (en) | Method of computing defocus amount in lithography and lithographic process using the method | |
| KR100596269B1 (ko) | 반도체 소자의 노광방법 | |
| USRE39913E1 (en) | Method to control gate CD | |
| Bunday et al. | Static and dynamic photoresist shrinkage effects in EUV photoresists | |
| JPH10256149A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| Ronse et al. | Characterization and optimization of CD control for 0.25-um CMOS applications | |
| US12443107B2 (en) | Method for inspecting photosensitive composition and method for producing photosensitive composition | |
| Flack et al. | Advanced simulation techniques for thick photoresist lithography | |
| TWI841450B (zh) | 度量衡方法及設備 | |
| KR100496815B1 (ko) | 화학적 팽창 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 | |
| KR100403322B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 및 그에 사용되는 노광장치 | |
| KR100818388B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 임계치수 제어 방법 | |
| EP1804121A1 (en) | Methods and systems for optimising immersion lithographic processing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000912 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |