JPH08213688A - 光モジュールの製造方法および光モジュール - Google Patents
光モジュールの製造方法および光モジュールInfo
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- JPH08213688A JPH08213688A JP7034616A JP3461695A JPH08213688A JP H08213688 A JPH08213688 A JP H08213688A JP 7034616 A JP7034616 A JP 7034616A JP 3461695 A JP3461695 A JP 3461695A JP H08213688 A JPH08213688 A JP H08213688A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装時および稼働時の光半導体素子へのフラ
ックスの付着を防止し、かつ、経年変化とともに光軸の
ずれを防止する光モジュールの製造方法および光モジュ
ールを提供する。 【構成】 パッケージ内に、光半導体素子３、４、光学
系７および電子温調素子２を収納し、光半導体素子３、
４に電子温調素子２を熱的に接合して、光半導体素子
３、４を冷却する光モジュールにおいて、パッケージは
パッケージ本体２１、上蓋２２および下蓋２３を有し、
前記パッケージ本体２１は内部を上下に気密に分割する
隔壁２４を有し、該隔壁２４は熱伝導性部分２４ａの周
囲に相対的に熱伝導性の低い部分２４ｂを設けて構成さ
れており、光半導体素子３、４は隔壁２４の熱伝導性部
分２４ａの上側に熱的に接合し、光学系７は隔壁２４の
上側に搭載され、電子温調素子２は隔壁２４の熱伝導性
部分２４ａの下側に熱的に接合し、上蓋２２はパッケー
ジ本体２１の上側に気密に接合し、下蓋２３は電子温調
素子２に熱的に接合した状態でパッケージ本体２１の下
側に接合している。
ックスの付着を防止し、かつ、経年変化とともに光軸の
ずれを防止する光モジュールの製造方法および光モジュ
ールを提供する。 【構成】 パッケージ内に、光半導体素子３、４、光学
系７および電子温調素子２を収納し、光半導体素子３、
４に電子温調素子２を熱的に接合して、光半導体素子
３、４を冷却する光モジュールにおいて、パッケージは
パッケージ本体２１、上蓋２２および下蓋２３を有し、
前記パッケージ本体２１は内部を上下に気密に分割する
隔壁２４を有し、該隔壁２４は熱伝導性部分２４ａの周
囲に相対的に熱伝導性の低い部分２４ｂを設けて構成さ
れており、光半導体素子３、４は隔壁２４の熱伝導性部
分２４ａの上側に熱的に接合し、光学系７は隔壁２４の
上側に搭載され、電子温調素子２は隔壁２４の熱伝導性
部分２４ａの下側に熱的に接合し、上蓋２２はパッケー
ジ本体２１の上側に気密に接合し、下蓋２３は電子温調
素子２に熱的に接合した状態でパッケージ本体２１の下
側に接合している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用光源などにな
る光モジュールに関し、特に光半導体素子と電子温調素
子を有する光モジュールに関する。
る光モジュールに関し、特に光半導体素子と電子温調素
子を有する光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光半導体素子、特に半導体レーザ素子は
温度により光出力などの特性が変化する。このため、光
半導体素子を有する光モジュールでは、電子温調素子を
用いて光半導体素子の放熱を行い、動作特性を安定化さ
せている。従来の光モジュールは、例えば図４に示す構
造をなしており、以下のようにして組み立てられる。即
ち、先ず、金属製のパッケージ本体１の底部１ａに電子
温調素子２を半田付けする。次いで、図示していない
が、電子温調素子２の端子を外部端子とつながったパッ
ケージ本体１内のリードに半田付けする。次いで、この
電子温調素子２の上面に、半導体レーザ素子３やフォト
ダイオード４などをキャリア５を介して搭載したベース
板６を半田付けする。その後、図示していないが、半導
体レーザ素子３、フォトダイオード４とリード電極を結
ぶ。その後、光軸を合わせながら、レンズおよびアイソ
レータなどで構成される光学系７をベース板６上に搭載
する。最後に、パッケージ本体１に蓋１ｂを気密にシー
ム溶接する。このパッケージ本体１の窓部１ｃには、レ
ンズ８および光ファイバ９がホルダー１０で取り付けら
れている。
温度により光出力などの特性が変化する。このため、光
半導体素子を有する光モジュールでは、電子温調素子を
用いて光半導体素子の放熱を行い、動作特性を安定化さ
せている。従来の光モジュールは、例えば図４に示す構
造をなしており、以下のようにして組み立てられる。即
ち、先ず、金属製のパッケージ本体１の底部１ａに電子
温調素子２を半田付けする。次いで、図示していない
が、電子温調素子２の端子を外部端子とつながったパッ
ケージ本体１内のリードに半田付けする。次いで、この
電子温調素子２の上面に、半導体レーザ素子３やフォト
ダイオード４などをキャリア５を介して搭載したベース
板６を半田付けする。その後、図示していないが、半導
体レーザ素子３、フォトダイオード４とリード電極を結
ぶ。その後、光軸を合わせながら、レンズおよびアイソ
レータなどで構成される光学系７をベース板６上に搭載
する。最後に、パッケージ本体１に蓋１ｂを気密にシー
ム溶接する。このパッケージ本体１の窓部１ｃには、レ
ンズ８および光ファイバ９がホルダー１０で取り付けら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の光モジュールに
は以下のような問題があった。即ち、 １）電子温調素子２のパッケージ底部１ａへの半田付
け、電子温調素子２端子のパッケージ内のリードへの半
田付け、電子温調素子２上面への半導体レーザ素子３や
フォトダイオード４などを搭載したベース板６の半田付
けには、フラックスを使用することが必要になる。そう
すると、光モジュールを高温雰囲気中で動作させたとき
に、フラックス成分が気化し、パッケージの温度よりも
低い温度に温度調節されている電子温調素子２の上部に
搭載されている半導体レーザ素子３やフォトダイオード
４に、フラクッスが付着することがある。そうすると、
これらの半導体素子の特性が劣化し、また、光学系を構
成するレンズの透過率が減少する。
は以下のような問題があった。即ち、 １）電子温調素子２のパッケージ底部１ａへの半田付
け、電子温調素子２端子のパッケージ内のリードへの半
田付け、電子温調素子２上面への半導体レーザ素子３や
フォトダイオード４などを搭載したベース板６の半田付
けには、フラックスを使用することが必要になる。そう
すると、光モジュールを高温雰囲気中で動作させたとき
に、フラックス成分が気化し、パッケージの温度よりも
低い温度に温度調節されている電子温調素子２の上部に
搭載されている半導体レーザ素子３やフォトダイオード
４に、フラクッスが付着することがある。そうすると、
これらの半導体素子の特性が劣化し、また、光学系を構
成するレンズの透過率が減少する。
【０００４】２）上記問題を解決するために、図５に示
すように、光半導体素子とレンズおよびアイソレータな
どで構成される光学系７のみを内部パッケージ１１に気
密に収納してサブモジュールを構成し、このサブモジュ
ールを電子温調素子２の上面に実装し、さらに全体を気
密にした二重構造の光モジュールが提案されている。し
かしながら、この構造では、温調される部分の熱容量が
大きくなり、電子温調素子２の駆動電流・電圧が増大
し、トータルの消費電力が増大する。また、モジュール
の動作温度範囲が狭くなる。さらに、製造工程が複雑に
なる。なお、一部の光学系を内部パッケージ１１外に出
して、熱容量を小さくした場合には、内部パッケージ１
１に窓が必要となり、その部分にフラックスが付着して
しまう。
すように、光半導体素子とレンズおよびアイソレータな
どで構成される光学系７のみを内部パッケージ１１に気
密に収納してサブモジュールを構成し、このサブモジュ
ールを電子温調素子２の上面に実装し、さらに全体を気
密にした二重構造の光モジュールが提案されている。し
かしながら、この構造では、温調される部分の熱容量が
大きくなり、電子温調素子２の駆動電流・電圧が増大
し、トータルの消費電力が増大する。また、モジュール
の動作温度範囲が狭くなる。さらに、製造工程が複雑に
なる。なお、一部の光学系を内部パッケージ１１外に出
して、熱容量を小さくした場合には、内部パッケージ１
１に窓が必要となり、その部分にフラックスが付着して
しまう。
【０００５】３）図４に示した光モジュールでは、光モ
ジュールが温度サイクル、高温放置などの環境に曝され
ると、電子温調素子２の上下面の半田付け部のクリープ
などにより、半導体レーザ素子３と光ファイバ９との光
学的結合効率が変動する。
ジュールが温度サイクル、高温放置などの環境に曝され
ると、電子温調素子２の上下面の半田付け部のクリープ
などにより、半導体レーザ素子３と光ファイバ９との光
学的結合効率が変動する。
【０００６】４）上記３）の問題を解決するために、実
開平１−８６２６０号公報に示されているように、気密
パッケージを二重底構造にして、その上底に光半導体素
子と光学系を搭載した金属ブロックを、また下底に電子
冷却素子を支持固定した光モジュールが提案されてい
る。この光モジュールを製作する際には、光半導体素子
と光学系をあらかじめ搭載した金属ブロックの下側に、
低温半田で電子冷却素子を固定する。そのため、フラッ
クスが光半導体素子に付着する恐れがある。
開平１−８６２６０号公報に示されているように、気密
パッケージを二重底構造にして、その上底に光半導体素
子と光学系を搭載した金属ブロックを、また下底に電子
冷却素子を支持固定した光モジュールが提案されてい
る。この光モジュールを製作する際には、光半導体素子
と光学系をあらかじめ搭載した金属ブロックの下側に、
低温半田で電子冷却素子を固定する。そのため、フラッ
クスが光半導体素子に付着する恐れがある。
【０００７】そこで、本発明では、実装時および稼働時
の光半導体素子へのフラックスの付着を防止し、かつ、
経年変化とともに光軸のずれを防止する光モジュールの
製造方法および光モジュールを提供することを目的とす
る。
の光半導体素子へのフラックスの付着を防止し、かつ、
経年変化とともに光軸のずれを防止する光モジュールの
製造方法および光モジュールを提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した光モジュールの製造方法および光モジュールを提
供するもので、内部空間を上下に気密に分割する隔壁を
有するパッケージ本体の隔壁の上側に、光半導体を熱的
に接合し、また光学系を搭載し、次いで、パッケージ本
体に気密に上蓋をし、次いで、隔壁の下側に電子温調素
子を熱的に接合し、次いで、パッケージ本体に、電子温
調素子に熱的に接合するように、下蓋を被せることを特
徴とする光モジュールの製造方法を第１発明とする。
決した光モジュールの製造方法および光モジュールを提
供するもので、内部空間を上下に気密に分割する隔壁を
有するパッケージ本体の隔壁の上側に、光半導体を熱的
に接合し、また光学系を搭載し、次いで、パッケージ本
体に気密に上蓋をし、次いで、隔壁の下側に電子温調素
子を熱的に接合し、次いで、パッケージ本体に、電子温
調素子に熱的に接合するように、下蓋を被せることを特
徴とする光モジュールの製造方法を第１発明とする。
【０００９】また、パッケージ内に、光半導体素子、光
学系および電子温調素子を収納し、光半導体素子に電子
温調素子を熱的に接合して、光半導体素子を冷却する光
モジュールにおいて、パッケージはパッケージ本体、上
蓋および下蓋を有し、前記パッケージ本体は内部を上下
に気密に分割する隔壁を有し、該隔壁は熱伝導性部分の
周囲に相対的に熱伝導性の低い部分を設けて構成されて
おり、光半導体素子は隔壁の熱伝導性部分の上側に熱的
に接合し、光学系は隔壁の上側に搭載され、電子温調素
子は隔壁の熱伝導性部分の下側に熱的に接合し、上蓋は
パッケージ本体の上側に気密に接合し、下蓋は電子温調
素子に熱的に接合した状態でパッケージ本体の下側に接
合していることを特徴とする光モジュールを第２発明と
する。
学系および電子温調素子を収納し、光半導体素子に電子
温調素子を熱的に接合して、光半導体素子を冷却する光
モジュールにおいて、パッケージはパッケージ本体、上
蓋および下蓋を有し、前記パッケージ本体は内部を上下
に気密に分割する隔壁を有し、該隔壁は熱伝導性部分の
周囲に相対的に熱伝導性の低い部分を設けて構成されて
おり、光半導体素子は隔壁の熱伝導性部分の上側に熱的
に接合し、光学系は隔壁の上側に搭載され、電子温調素
子は隔壁の熱伝導性部分の下側に熱的に接合し、上蓋は
パッケージ本体の上側に気密に接合し、下蓋は電子温調
素子に熱的に接合した状態でパッケージ本体の下側に接
合していることを特徴とする光モジュールを第２発明と
する。
【００１０】さらに、第２発明において、下蓋はパッケ
ージ本体の隔壁との間隔が調節可能にパッケージ本体の
下側に接合する調節構造を有することを特徴とする光モ
ジュールを第３発明とする。
ージ本体の隔壁との間隔が調節可能にパッケージ本体の
下側に接合する調節構造を有することを特徴とする光モ
ジュールを第３発明とする。
【００１１】ここで、「熱的に接合し」ということは、
熱伝導性が良好になるように接合することを意味する。
また、光半導体素子としては、光源となる半導体レーザ
素子、受光素子であるフォトダイオードなどである。さ
らに、光学系としては、レンズおよびアイソレータなど
を含む。
熱伝導性が良好になるように接合することを意味する。
また、光半導体素子としては、光源となる半導体レーザ
素子、受光素子であるフォトダイオードなどである。さ
らに、光学系としては、レンズおよびアイソレータなど
を含む。
【００１２】
【作用】第１発明の光モジュールの製造方法では、パッ
ケージ本体の内部空間を上下に気密に分割する隔壁の上
側に光半導体と光学系を搭載し、その後に隔壁の下側に
電子温調素子を熱的に接合するため、電子温調素子をフ
ラックスを使用して半田接合しても、その際にフラック
スが光半導体や光学系に付着することはない。
ケージ本体の内部空間を上下に気密に分割する隔壁の上
側に光半導体と光学系を搭載し、その後に隔壁の下側に
電子温調素子を熱的に接合するため、電子温調素子をフ
ラックスを使用して半田接合しても、その際にフラック
スが光半導体や光学系に付着することはない。
【００１３】第２発明の光モジュールでは、第１発明の
方法で組み立てられるため、製造時に、光半導体や光学
系にフラックスが付着することがなく、かつ、組み立て
後の稼働時においても、電子温調素子側からの気化した
フラックスが隔壁に遮られて光半導体や光学系にフラッ
クスが付着することがない。また、光半導体や光学系は
隔壁を介して電子温調素子に接合しているので、電子温
調素子の半田付け部にクリープが生じても、光半導体と
光学系の相対的な位置は変化せず、光軸のずれを生ずる
ことはない。
方法で組み立てられるため、製造時に、光半導体や光学
系にフラックスが付着することがなく、かつ、組み立て
後の稼働時においても、電子温調素子側からの気化した
フラックスが隔壁に遮られて光半導体や光学系にフラッ
クスが付着することがない。また、光半導体や光学系は
隔壁を介して電子温調素子に接合しているので、電子温
調素子の半田付け部にクリープが生じても、光半導体と
光学系の相対的な位置は変化せず、光軸のずれを生ずる
ことはない。
【００１４】第３発明の光モジュールでは、下蓋はパッ
ケージ本体の隔壁との間隔が調節可能にパッケージ本体
の下側に接合する調節構造を有するので、隔壁と電子温
調素子、および電子温調素子と下蓋の接合が半田付けな
どで熱的に十分になるように、下蓋と隔壁の間隔を調節
することができる。
ケージ本体の隔壁との間隔が調節可能にパッケージ本体
の下側に接合する調節構造を有するので、隔壁と電子温
調素子、および電子温調素子と下蓋の接合が半田付けな
どで熱的に十分になるように、下蓋と隔壁の間隔を調節
することができる。
【００１５】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本
発明にかかる光モジュールの一実施例の断面図および図
１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。この光モジュールは、
本発明の方法で製造される。図中、２１は四角形のリン
グ状をなす金属製のパッケージ本体、２２はパッケージ
本体２１に被さる金属製の上蓋、２３は金属製の下蓋で
ある。下蓋２３には、周端部に接合位置を調節する凸状
部２３ａが設けられている。２４はパッケージ本体２１
内部を上下に気密に２分割する隔壁であり、隔壁２４は
内部を構成する金属板からなる熱伝導性のある隔壁金属
部２４ａと、その周囲のガラス板からなる非熱伝導性の
隔壁ガラス部２４ｂから構成されている。隔壁金属部２
４ａの上には、半導体レーザ素子３とフォトダイオード
４がキャリア５を介して熱的に接合している。レンズお
よびアイソレータを搭載した光学系７も隔壁金属部２４
ａの上に固定されている。隔壁金属部２４ａの下には、
電子温調素子２が接合している。さらに、このパッケー
ジ本体２１の窓部２１ａには、レンズ８および光ファイ
バ９がホルダー１０で取り付けられている。上記隔壁２
４では、隔壁金属部２４ａが熱伝導性の低い隔壁ガラス
部２４ｂで囲まれているので、電子温調素子２は隔壁金
属部２４ａのみを温度調節し、温度調節の効率を上げて
いる。
を詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本
発明にかかる光モジュールの一実施例の断面図および図
１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。この光モジュールは、
本発明の方法で製造される。図中、２１は四角形のリン
グ状をなす金属製のパッケージ本体、２２はパッケージ
本体２１に被さる金属製の上蓋、２３は金属製の下蓋で
ある。下蓋２３には、周端部に接合位置を調節する凸状
部２３ａが設けられている。２４はパッケージ本体２１
内部を上下に気密に２分割する隔壁であり、隔壁２４は
内部を構成する金属板からなる熱伝導性のある隔壁金属
部２４ａと、その周囲のガラス板からなる非熱伝導性の
隔壁ガラス部２４ｂから構成されている。隔壁金属部２
４ａの上には、半導体レーザ素子３とフォトダイオード
４がキャリア５を介して熱的に接合している。レンズお
よびアイソレータを搭載した光学系７も隔壁金属部２４
ａの上に固定されている。隔壁金属部２４ａの下には、
電子温調素子２が接合している。さらに、このパッケー
ジ本体２１の窓部２１ａには、レンズ８および光ファイ
バ９がホルダー１０で取り付けられている。上記隔壁２
４では、隔壁金属部２４ａが熱伝導性の低い隔壁ガラス
部２４ｂで囲まれているので、電子温調素子２は隔壁金
属部２４ａのみを温度調節し、温度調節の効率を上げて
いる。
【００１６】この光モジュールの製造工程を図２に示
す。その工程は以下の通りである。即ち、 １）先ず、図３に示すように、アウターリード２５を組
付けたパッケージ本体２１に、隔壁金属部２４ａと隔壁
ガラス部２４ｂを低融点ガラス２７で気密に接合した隔
壁２４を、パッケージ本体２１の内部に張り出した枠状
体２１ｂ部分で、枠状体２１ｂと同サイズの低融点ガラ
ス２６でもって気密に接合する。２６ａはリード端子の
通る孔である。 ２）次いで、半導体レーザ素子３とフォトダイオード４
を搭載したキャリア５を隔壁金属部２４ａの上に、Ａｕ
Ｓｎ、ＡｕＧｅなどの高融点半田で熱的に接合する。 ３）次いで、半導体レーザ素子３とフォトダイオード４
をワイヤーボンドでリード電極（図示せず）に接続し、
半導体レーザ素子３を発光させなて光軸を調整しながら
光学系７をＹＡＧレーザで隔壁金属部２４ａに固定す
る。 ４）次いで、パッケージ本体２１上端に上蓋２２を気密
にシーム溶接する。 ５）次いで、電子温調素子２を隔壁金属部２４ａの下面
に半田付けして熱的に接合する。 ６）次いで、電子温調素子２の下面に下蓋２３を半田付
けして熱的に接合し、さらに、下蓋２３をパッケージ本
体２１下端に凸状部２３ａで高さ方向の位置を調節しな
がらシーム溶接または半田付けをする。
す。その工程は以下の通りである。即ち、 １）先ず、図３に示すように、アウターリード２５を組
付けたパッケージ本体２１に、隔壁金属部２４ａと隔壁
ガラス部２４ｂを低融点ガラス２７で気密に接合した隔
壁２４を、パッケージ本体２１の内部に張り出した枠状
体２１ｂ部分で、枠状体２１ｂと同サイズの低融点ガラ
ス２６でもって気密に接合する。２６ａはリード端子の
通る孔である。 ２）次いで、半導体レーザ素子３とフォトダイオード４
を搭載したキャリア５を隔壁金属部２４ａの上に、Ａｕ
Ｓｎ、ＡｕＧｅなどの高融点半田で熱的に接合する。 ３）次いで、半導体レーザ素子３とフォトダイオード４
をワイヤーボンドでリード電極（図示せず）に接続し、
半導体レーザ素子３を発光させなて光軸を調整しながら
光学系７をＹＡＧレーザで隔壁金属部２４ａに固定す
る。 ４）次いで、パッケージ本体２１上端に上蓋２２を気密
にシーム溶接する。 ５）次いで、電子温調素子２を隔壁金属部２４ａの下面
に半田付けして熱的に接合する。 ６）次いで、電子温調素子２の下面に下蓋２３を半田付
けして熱的に接合し、さらに、下蓋２３をパッケージ本
体２１下端に凸状部２３ａで高さ方向の位置を調節しな
がらシーム溶接または半田付けをする。
【００１７】上記実施例において、隔壁金属部２４ａは
銅、アルミなどの熱伝導性のよい材質から構成される
が、隔壁ガラス部２４ｂはガラスに限らず、隔壁金属部
２４ａに対して相対的に熱伝導性の低い材質、例えばコ
バールなどでもよい。また、パッケージ本体２１、上蓋
２２、下蓋２３は銅、アルミなどの熱伝導性のよい材質
に限らず、コバールなどの比較的熱伝導性の低い材質で
構成してもよい。
銅、アルミなどの熱伝導性のよい材質から構成される
が、隔壁ガラス部２４ｂはガラスに限らず、隔壁金属部
２４ａに対して相対的に熱伝導性の低い材質、例えばコ
バールなどでもよい。また、パッケージ本体２１、上蓋
２２、下蓋２３は銅、アルミなどの熱伝導性のよい材質
に限らず、コバールなどの比較的熱伝導性の低い材質で
構成してもよい。
【００１８】なお、上記５）、６）の工程における半田
付けのフラックスは隔壁２４に遮られて、半導体レーザ
素子３、フォトダイオード４および光学系７に悪影響を
与えることはない。また、これらの工程における半田付
け温度は、低融点ガラスの融点よりも低いので、この工
程の半田付けにより、半導体レーザ素子３、フォトダイ
オード４および光学系７の相対位置に変化を与えること
はないので、光軸のずれは生じない。
付けのフラックスは隔壁２４に遮られて、半導体レーザ
素子３、フォトダイオード４および光学系７に悪影響を
与えることはない。また、これらの工程における半田付
け温度は、低融点ガラスの融点よりも低いので、この工
程の半田付けにより、半導体レーザ素子３、フォトダイ
オード４および光学系７の相対位置に変化を与えること
はないので、光軸のずれは生じない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、第１発明の製造方
法で第２発明の光モジュールを製造すると、パッケージ
本体の内部は 光半導体および光学系側と電子温調素子
側が気密に分割されているので、実装時および稼働時に
光半導体素子や光学系にフラックスの付着を防止するこ
とができ、経年変化による光軸のずれをも防止すること
ができるという優れた効果がある。また、第３発明のよ
うに、下蓋にパッケージ本体の隔壁との間隔が調節可能
にパッケージ本体の下側に接合する調節構造を設ける
と、隔壁と電子温調素子、および電子温調素子と下蓋の
接合が半田付けなどで熱的に十分になるように、下蓋を
パッケージ本体に接合することができる。
法で第２発明の光モジュールを製造すると、パッケージ
本体の内部は 光半導体および光学系側と電子温調素子
側が気密に分割されているので、実装時および稼働時に
光半導体素子や光学系にフラックスの付着を防止するこ
とができ、経年変化による光軸のずれをも防止すること
ができるという優れた効果がある。また、第３発明のよ
うに、下蓋にパッケージ本体の隔壁との間隔が調節可能
にパッケージ本体の下側に接合する調節構造を設ける
と、隔壁と電子温調素子、および電子温調素子と下蓋の
接合が半田付けなどで熱的に十分になるように、下蓋を
パッケージ本体に接合することができる。
【図１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明にかかる光
モジュールの一実施例の断面図および（ａ）のＡ−Ａ断
面図である。
モジュールの一実施例の断面図および（ａ）のＡ−Ａ断
面図である。
【図２】上記実施例の光モジュールの製造工程の説明図
である。
である。
【図３】上記実施例のパッケージ本体の分解斜視図であ
る。
る。
【図４】従来の光モジュールの断面図である。
【図５】従来の他の光モジュールの断面図である。
２ 電子温調素子 ３ 半導体レーザ素子 ４ フォトダイオード ５ キャリア ７ 光学系 ８ レンズ ９ 光ファイバ １０ ホルダー ２１ パッケージ本体 ２１ａ 窓部 ２１ｂ 枠状体 ２２ 上蓋 ２３ 下蓋 ２３ａ 凸状部 ２４ 隔壁 ２４ａ 隔壁金属部 ２４ｂ 隔壁ガラス部 ２５ アウターリード ２６、２７ 低融点ガラス ２６ａ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｇ 3/043 3/18
Claims (3)
- 【請求項１】 内部空間を上下に気密に分割する隔壁を
有するパッケージ本体の隔壁の上側に、光半導体を熱的
に接合し、また光学系を搭載し、次いで、パッケージ本
体に気密に上蓋をし、次いで、隔壁の下側に電子温調素
子を熱的に接合し、次いで、パッケージ本体に、電子温
調素子に熱的に接合するように、下蓋を被せることを特
徴とする光モジュールの製造方法。 - 【請求項２】 パッケージ内に、光半導体素子、光学系
および電子温調素子を収納し、光半導体素子に電子温調
素子を熱的に接合して、光半導体素子を冷却する光モジ
ュールにおいて、パッケージはパッケージ本体、上蓋お
よび下蓋を有し、前記パッケージ本体は内部を上下に気
密に分割する隔壁を有し、該隔壁は熱伝導性部分の周囲
に相対的に熱伝導性の低い部分を設けて構成されてお
り、光半導体素子は隔壁の熱伝導性部分の上側に熱的に
接合し、光学系は隔壁の上側に搭載され、電子温調素子
は隔壁の熱伝導性部分の下側に熱的に接合し、上蓋はパ
ッケージ本体の上側に気密に接合し、下蓋は電子温調素
子に熱的に接合した状態でパッケージ本体の下側に接合
していることを特徴とする光モジュール。 - 【請求項３】 下蓋は、パッケージ本体の隔壁との間隔
が調節可能にパッケージ本体の下側に接合する調節構造
を有することを特徴とする請求項２記載の光モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034616A JPH08213688A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 光モジュールの製造方法および光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034616A JPH08213688A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 光モジュールの製造方法および光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213688A true JPH08213688A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12419316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7034616A Pending JPH08213688A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 光モジュールの製造方法および光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213688A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124541A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール |
| WO2001033680A1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-10 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of driving semiconductor laser module |
| JP2001284699A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光通信機器および光モジュールの固定方法 |
| US6385222B1 (en) | 1998-11-19 | 2002-05-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| JP2002280654A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Eco Twenty One:Kk | 光通信用モジュール |
| US6996145B2 (en) | 1999-11-01 | 2006-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| JP2007103666A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP7034616A patent/JPH08213688A/ja active Pending
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| JP2007103666A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
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