JPH08213869A - インターディジタルトランスデューサ型弾性表面波共振子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 電極膜厚を厚くすることなく、反共振周波数
付近に現れるスプリアスを抑圧することができるＩＤＴ
型弾性表面波共振子を提供する。 【構成】 ＩＤＴ型弾性表面波共振子は、圧電基板６１
と、この圧電基板６１上に形成されたＩＤＴ６２と、入
力端子６３と、出力端子６４を有する。ＩＤＴ６２は、
菱型の重み付けを施された多対のすだれ状電極によって
構成されている。このすだれ状電極を構成する電極指
は、弾性表面波励振部とダミー電極部のいずれの部分に
おいても、弾性表面波の伝搬方向に、λ／２のピッチで
配置されている。また、この電極指は、弾性表面波励振
部ｓに位置する電極指励振部分とダミー電極部ｄに位置
する電極指ダミー電極部分との相対的な位置が弾性表面
波の伝搬方向にλ／８ずれるように形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、インターディジタル
トランスデューサ型弾性表面波共振子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子、通信機器用の素子として、
弾性表面波を用いた素子が注目されている。この弾性表
面波素子は、圧電基板上に配置されたすだれ状電極によ
って構成されるインターディジタルトランスデューサ
（以下、「ＩＤＴ」という）により、電気信号と弾性表
面波との相互変換を行う素子である。

【０００３】この弾性表面波素子の中でも、弾性表面波
共振子は、小型、軽量、無調整という特長を持ち、その
製造プロセスには、半導体デバイス製造に用いられるフ
ォトリソグラフィ技術を利用することができるため、量
産性にも優れている。

【０００４】一般に、弾性表面波共振子は、図２（ａ）
に示すような反射器を有する反射器型弾性表面波共振子
と、同図（ｂ）に示すような反射器を有しないＩＤＴ型
弾性表面波共振子に分類される。以下、反射器型弾性表
面波共振子とＩＤＴ型弾性表面波共振子の特徴について
それぞれ説明する。

【０００５】図２（ａ）は、反射器型弾性表面波共振子
の構成図である。図において、１１は反射器型弾性表面
波共振子のＩＤＴであり、１２，１３はグレ−ティング
反射器であり、１４は入力端子であり、１５は出力端子
であり、１６は圧電基板である。

【０００６】図２（ｂ）は、ＩＤＴ型弾性表面波共振子
の構成図である。図において、２１はＩＤＴ型弾性表面
波共振子のＩＤＴであり、２２は入力端子であり、２３
は出力端子であり、２４は圧電基板である。

【０００７】一般に、ＩＤＴ１１，２１とグレ−テイン
グ反射器１２，１３は、弾性表面波の振動に対する負担
を軽くするために、比重の小さいアルミニュウム、銅、
または、シリコンを数％含んだアルミニウム合金により
形成されている。また、入力端子１４，２２および出力
端子１５，２３は、ワイヤボンディングを容易にするた
めに、金により形成されている。圧電基板１６，２４
は、電気機械結合係数の大きいＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂ
Ｏ３により形成されている。

【０００８】ここで、反射器型弾性表面波共振子とＩＤ
Ｔ型弾性表面波共振子の特徴を説明する。まず、反射器
型弾性表面波共振子の特徴を説明する。

【０００９】図２（ａ）の反射器型弾性表面波共振子
は、ＩＤＴ１１の両側にグレ−ティング反射器１２，１
３が配置された構造を有する。ここで、ＩＤＴ１１内の
各電極指は、弾性表面波の伝搬方向にλ／２（λ：弾性
表面波の波長）のピッチで配置されている。グレ−ティ
ング反射器１２，１３内の各反射格子も、弾性表面波の
伝搬方向に、λ／２のピッチで配置されている。ＩＤＴ
１１とグレ−ティング反射器１２，１３の間隔は、一般
に、λ／２に設定されている。

【００１０】図２（ａ）の反射器型弾性表面波共振子に
おいて、入力端子１４に高周波電気信号を入力すると、
ＩＤＴ１１で弾性表面波が励起される。この弾性表面波
は、図示矢印Ｘ１，Ｘ２の方向に伝搬し、グレーティン
グ反射器１２，１３により反射される。これにより、弾
性表面波は、グレ−ティング反射器１２，１３間を多重
走行する。その結果、ＩＤＴ１１上で透過波と反射波が
重なり合い、弾性表面波の定在波が発生し、共振現象が
起こる。

【００１１】ＩＤＴ１１とグレ−ティング反射器１２，
１３の間隔がλ／２に設定された反射器型弾性表面波共
振子においては、ＩＤＴ１１の電極指の膜厚Ｈは、通
常、Ｈ／λ≧０．１なる条件を満たすように設定され
る。これは、反共振周波数付近に生じるスプリアスを軽
減するためである。

【００１２】以下、これを図３を参照しながら説明す
る。図３は、電極膜厚Ｈが薄い場合の反射器型弾性表面
波共振子の伝送特性Ｃ１と厚い場合の伝送特性Ｃ２を比
較しながら示す特性図である。

【００１３】ここで、図３（ａ）は、電極膜厚Ｈが薄い
場合、すなわち、電極膜厚Ｈが、Ｈ／λ≦０．０８なる
条件を満たすように設定されている場合の伝送特性Ｃ１
を示す。これに対し、図３（ｂ）は、電極膜厚Ｈが厚い
場合、すなわち、電極膜厚Ｈが、Ｈ／λ≧０．１なる条
件を満たすように設定されている場合の伝送特性Ｃ２を
示す。

【００１４】図３（ａ）に示すように、電極膜厚Ｈが薄
い場合、反共振周波数ｆα付近に大きなスプリアスＳＰ
が現れる。このスプリアスＳＰは、例えば、弾性表面波
共振子で梯子型回路構成のフィルタを構成すると、通過
域でのリップル発生の原因となる。

【００１５】しかし、スプリアスＳＰの周波数膜厚偏差
は、反共振周波数ｆαの膜厚偏差に比べて非常に小さい
ことが実験的に知られている。従って、電極膜厚Ｈを厚
くしていき、これがＨ／λ≧０．１なる条件を満たすよ
うにすると、図３（ｂ）に示すように、スプリアスＳＰ
は、反共振周波数ｆαから大きく離れた周波数位置に現
れ、伝送特性Ｃ２に影響を及ぼさなくなる。

【００１６】これにより、電極膜厚ＨをＨ／λ≧０．１
なる条件を満たすような厚さに設定することにより、弾
性表面波共振子で梯子型回路構成のフィルタを構成した
場合でも、通過域でリップルが発生しないようにするこ
とができる。

【００１７】図２（ａ）に示すような反射器型弾性表面
波共振子において、反共振周波数ｆα付近に現れるスプ
リアスＳＰを抑制する方法としては、上述したような電
極膜厚Ｈを厚くする方法以外にも、ＩＤＴ１１とグレ−
ティング反射器１２，１３との間隔をλ／２ではなく、
５λ／８に設定する方法がある。

【００１８】以下、これを図４および図５を参照しなが
ら説明する。ここで、図４（ａ）は、ＩＤＴ１１とグレ
−ティング反射器１２，１３の間隔がλ／２の場合のＩ
ＤＴ型弾性表面波共振子の構成を示し、図４（ｂ）は、
この間隔が５λ／８（＝λ／２＋λ／８）の場合のＩＤ
Ｔ型弾性表面波共振子の構成を示すものである。図５
（ａ）は、ＩＤＴ１１とグレ−ティング反射器１２，１
３の間隔がλ／２の場合のＩＤＴ型弾性表面波共振子の
伝送特性Ｃ１を示し、図５（ｂ）は、この間隔が５λ／
８の場合のＩＤＴ型弾性表面波共振子の伝送特性Ｃ３を
示すものである。

【００１９】図４（ａ）に示すように、ＩＤＴ１１とグ
レ−ティング反射器１２，１３の間隔がλ／２の場合
（図４（ａ）中の拡大図参照）、電極膜厚Ｈが、Ｈ／λ
≦０．０８なる条件を満たすと、図５（ａ）の特性曲線
Ｃ１に示すように、反共振周波数ｆα付近に大きなスプ
リアスＳＰが発生する。

【００２０】しかし、図４（ｂ）に示すように、ＩＤＴ
１１とグレ−ティング反射器１２，１３の間隔を５λ／
８に設定すると（図４（ｂ）中の拡大図参照）、すなわ
ち図４（ａ）の場合よりＩＤＴ１１とグレ−ティング反
射器１２，１３の間隔をλ／８だけ広げると、電極膜厚
Ｈが、Ｈ／λ≦０．０８なる条件を満たす場合であって
も、図５（ｂ）の特性曲線Ｃ３に示すように、スプリア
スＳＰのない伝送特性Ｃ３が得られる。

【００２１】つぎに、ＩＤＴ型弾性表面波共振子の特徴
について説明する。このＩＤＴ型弾性表面波共振子の構
成は、図２（ｂ）に示した通りである。

【００２２】このＩＤＴ型弾性表面波共振子において
は、ＩＤＴ２１内の各電極子は、λ／２のピッチで配置
されている。また、ＩＤＴ２１を構成するすだれ状電極
の対数は、１００対以上に設定されている。これによ
り、ＩＤＴ２１内で発生した弾性表面波は、このＩＤＴ
２１内で内部反射される。その結果、ＩＤＴ２１内に弾
性表面波の定在波が発生し、共振現象が生じる。

【００２３】このＩＤＴ型弾性表面波共振子によれば、
反射器を必要としないため、反射器型弾性表面波共振子
に比べて、共振子の小型化を図ることができるという利
点がある。

【００２４】しかし、図２（ｂ）に示すような正規型の
構造を持つＩＤＴ型弾性表面波共振子では、ＩＤＴ２１
の両端部から弾性表面波が漏れ、反射器型弾性表面波共
振子に比べて、Ｑ値が低くなるという欠点がある。

【００２５】ＩＤＴ型弾性表面波共振子において、ＩＤ
Ｔ両端部からの弾性表面波の漏れを少なくし、高Ｑ化を
図る方法としては、すだれ状電極に重み付けを施す方法
が知られている。また、この重み付けを施す方法として
は、すだれ状電極の交差長を変化させる方法が知られて
いる。

【００２６】図６は、すだれ状電極に菱形の重み付けを
施したＩＤＴ型弾性表面波共振子の構成を示す図であ
る。図において、３１は菱形の重み付けが施されたすだ
れ状電極により構成されたＩＤＴであり、３２は入力端
子であり、３３は出力端子であり、３４は圧電基板であ
る。

【００２７】図７は、ＩＤＴ３１の拡大図である。図に
おいて、破線４１で囲まれる領域ｓは、上記重み付けに
より形成され、弾性表面波を励振する弾性表面波励振部
である。また、破線４２あるいは４３で囲まれる領域ｄ
は、上記重み付けにより形成され、弾性表面波の励振に
は関係のないダミ−電極部である。

【００２８】図８は、図７において、丸Ａで囲んだ部分
の拡大図である。図において、破線４１ａ−４１ｂより
上部は弾性表面波励振部ｓであり、下部はダミー電極部
ｄである。また、５１ｓ，５２ｓ，５３ｓは、弾性表面
波共振部ｓに位置する電極指部分（以下、「電極指励振
部分」という）であり、５１ｄ，５２ｄ，５３ｄは、ダ
ミー電極部ｄに位置する電極指部分（以下、「電極指ダ
ミー電極部分」という）である。

【００２９】各電極指は、表面波励振部ｓとダミ−電極
部ｄのいずれの部分においても、λ／２のピッチで配置
されている。また、すだれ状電極に重み付けを施すと、
電極指励振部分５１ｓと電極指ダミー電極部分５１ｄ、
あるいは、電極指励振部分５３ｓと電極指ダミー電極部
分５３ｄのように、同一電極指でも、弾性表面波励振部
ｓに位置する部分とダミ−電極部ｄに位置する部分に分
けられる。

【００３０】上記のように、すだれ状電極に菱形の重み
付けを施すことにより、ＩＤＴ３１は弾性表面波励振部
ｓとダミ−電極部ｄに分けられる。ここで、弾性表面波
の励振に関係のないダミ−電極部ｄは、実質的に反射器
の役割を果たす。

【００３１】これを図８を参照しながら説明する。図８
において、電極指励振部分５１ｓで励起された弾性表面
波は、矢印５４，５５に示すように、電極指励振部分５
１ｓからｎλ／２（ｎ：整数）離れた位置にある電極指
ダミ−電極部分５２ｄ，５３ｄ，…で反射される。同様
に、電極指励振部分５２ｓで励振された弾性表面波も、
矢印５６に示すように、電極指５２ｓからｎλ／２離れ
た位置にある電極指ダミ−電極部分５３ｄ，…で反射さ
れる。

【００３２】このように、重み付けにより形成されたダ
ミ−電極部ｄは、反射器の役割を果たし、ＩＤＴ３１の
両端部から漏れる弾性表面波を軽減する。従って、ＩＤ
Ｔ型弾性表面波共振子においては、すだれ状電極に重み
付けを施すことにより、図２（ｂ）に示す正規型のＩＤ
Ｔ型弾性表面波共振子より高いＱ値を得ることができ
る。

【００３３】また、図８で説明したように、各電極指励
振部分５１ｓ，５２ｓ，５３ｓ，…により励起された弾
性表面波は、各電極指励振部分５１ｓ，５２ｓ，５３
ｓ，…からｎλ／２離れた位置にある電極指ダミ−電極
部分５２ｓ，５３ｓ，…で反射される。

【００３４】したがって、弾性表面波励振部ｓとダミー
電極部ｄとの相対的な位置関係は、図４（ａ）に示すよ
うなＩＤＴ１１とグレ−ティング反射器１２，１３との
間隔がλ／２に設定された反射器型弾性表面波共振子の
ＩＤＴ１１とグレ−ティング反射器１２，１３との相対
的な位置関係と同じである。

【００３５】従って、すだれ状電極に菱型の重み付けが
施されたＩＤＴ型弾性表面波共振子においても、図４
（ａ）に示すような反射器型弾性表面波共振子と同様
に、電極膜厚Ｈを厚くすることにより（Ｈ／λ≧０．１
なる条件を満たすようにすることにより）、スプリアス
を抑圧することができる。

【００３６】

【発明が解決しようとする課題】以上詳述したように、
弾性表面波共振子には、反射器型弾性表面波共振子とＩ
ＤＴ型弾性表面波共振子がある。また、ＩＤＴ型弾性表
面波共振子では、通常、ＩＤＴの両端部からの弾性表面
波の漏れを少なくするために、すだれ状電極の交差長を
変化させる方法によって、すだれ状電極に重み付けを施
すようになっている。

【００３７】ここで、反射器型弾性表面波共振子では、
反共振周波数付近に現れるスプリアスを抑圧する方法と
して、電極膜厚Ｈを厚くする方法（Ｈ／λ≧０．１なる
条件を満たすようにする方法）と、ＩＤＴとグレーティ
ング反射器との間隔を５λ／８に設定する方法が考えら
れている。

【００３８】また、すだれ状電極に重み付けを施したＩ
ＤＴ型弾性表面波共振子では、上記スプリアスを抑圧す
る方法として、電極膜厚Ｈを厚くする方法（Ｈ／λ≧
０．１なる条件を満たすようにする方法）が考えられて
いる。

【００３９】しかしながら、電極膜厚Ｈを厚くすること
により、反共振周波数付近に現れるスプリアスを抑圧す
る方法では、電極指の質量負荷および音響インピ−ダン
スの不連続量が増加するため、弾性表面波の散乱やバル
ク波へのモ−ド変換が生じ、共振子のＱ値が低くなると
いう問題があった。

【００４０】これに対し、反射器型弾性表面波共振子に
おいて、ＩＤＴとグレ−ティング反射器との間隔を５λ
／８に設定することにより、スプリアスを抑圧する方法
では、電極膜厚Ｈを厚くすることなく、スプリアスを抑
圧することができるため、上述したような問題は生じな
い。

【００４１】しかしながら、反射器型弾性表面波共振子
では、反射器が必要なため、ＩＤＴ型弾性表面波共振子
に比べて、共振子の小型化を図ることが困難であるとい
う問題があった。

【００４２】この発明は、上記の問題に鑑みてなされた
もので、電極膜厚を厚くすることなく、反共振周波数付
近に現れるスプリアスを抑圧することができるＩＤＴ型
弾性表面波共振子を提供することを課題とする。

【００４３】

【課題を解決するための手段】この発明は、多対に設定
され、かつ、交差長を変化させる方法によって重み付け
が施されたすだれ状電極によってＩＤＴが構成されてい
るＩＤＴ型弾性表面波共振子において、すだれ状電極を
構成する電極指を、弾性表面波励振部とダミー電極部の
いずれの部分においても、弾性表面波の伝搬方向にλ／
２のピッチで配置し、かつ、この電極指を、弾性表面波
励振部に位置する部分とダミー電極部に位置する部分と
の相対的な位置が前記弾性表面波の伝搬方向にλ／８ず
れるように形成したものである。

【００４４】

【作用】弾性表面波励振部で励起された弾性表面波は、
ダミー電極部で反射される。この場合、ある電極指励振
部分で励起された弾性表面波は、この電極指励振部分か
ら｛ｎλ／２＋λ／８｝離れた位置にある電極指ダミ−
電極部分で反射される。これにより、弾性表面波励振部
とダミー電極部との相対的な位置関係は、ＩＤＴとグレ
−ティング反射器との間隔が５λ／８に設定された反射
器型弾性表面波共振子におけるＩＤＴとグレ−ティング
反射器との相対的な位置関係と同じになる。その結果、
この発明のＩＤＴ型弾性表面波共振子によれば、上記反
射器型弾性表面波共振子と同様に、ＩＤＴの電極膜厚が
薄い場合でも、スプリアスが抑圧された伝送特性を得る
ことができる。

【００４５】

【実施例】以下、図面を参照しながら、この発明の実施
例を詳細に説明する。図１は、この発明の一実施例のＩ
ＤＴ型弾性表面波共振子の構成を示す図である。

【００４６】図において、６１は、圧電基板である。６
２は、圧電基板６１上に形成され、電気信号と弾性表面
波との相互変換を行うＩＤＴである。６２は、圧電基板
６１上に形成され、ＩＤＴ６２に電気信号を印加するた
めの入力端子である。６４は、圧電基板６１上に形成さ
れ、上ＩＤＴ６２から電気信号を取り出すための出力端
子である。

【００４７】圧電基板６１は、例えば、電気機械結合係
数の大きいＬｉＮｂＯ３により形成されている。ＩＤＴ
６２は、弾性表面波の振動に対する負担を軽くするため
に、例えば、比重の小さいアルミニュウム、銅、また
は、シリコンを数％含んだアルミニュウム合金により形
成されている。入力端子６３と出力端子６４は、ワイヤ
ボンディングを容易にするために、例えば、金により形
成されている。

【００４８】ＩＤＴ６２は、すだれ状電極により構成さ
れている。このすだれ状電極は、多対に設定されてい
る。また、このすだれ状電極は、交差長を変化させる方
法によって重み付けを施されている。図には、菱形の重
み付けを施す場合を代表として示す。

【００４９】図９は、図１のＩＤＴ６２を拡大して示す
図である。図において、破線７１で囲まれる領域ｓは、
上記重み付けにより形成され、弾性表面波を励振する役
割を果たす弾性表面波励振部である。また、破線７２あ
るいは７３で囲まれる領域ｄは、上記重み付けにより形
成され、弾性表面波の励振には関係のないダミ−電極部
である。このダミー電極部ｄは、弾性表面波を反射する
役割を果たす。

【００５０】すだれ状電極を構成する電極指としては、
次の４種類の電極指がある。第１の電極指は、入力端子
６３からダミー電極部ｄを介して弾性表面波励振部ｓの
終端まで延びる電極指である。図９においては、７４が
この電極指の１つに相当する。第２の電極指は、出力端
子６４からダミー電極部ｄを介して弾性表面波励振部ｓ
の終端まで延びる電極指である。図９においては、７５
がこの電極指の１つに相当する。第３の電極指は、入力
端子６３からダミー電極部ｄの終端まで延びる電極指で
ある。図９においては、７６がこの電極指の１つに相当
する。第４の電極指は、出力端子６４からダミー電極部
ｄの終端まで延びる電極指である。図９においては、７
７がこの電極指の１つに相当する。

【００５１】このような構成において、すだれ状電極
は、電極指７４のような電極指と、この電極指に隣接す
る電極指７５のような電極指との交差長を菱形に沿って
変化させることにより、弾性表面波の漏れを軽減するた
めの重み付けを施されている。

【００５２】図１０は、図９の丸Ｂで囲んだ部分を拡大
して示す図である。図１０において、破線７１ａ−７１
ｂより上部は弾性表面波励振部ｓであり、下部はダミー
電極部ｄである。また、８１ｓ，８２ｓ，８３ｓは、弾
性表面波共振部ｓに位置する電極指励振部分であり、８
１ｄ，８２ｄ，８３ｄは、ダミー電極部ｄに位置する電
極指ダミー電極部分である。

【００５３】ここで、電極指励振部分８１ｓ，８３ｓ
は、図９に示す電極指７５のような電極指において、弾
性表面波励振部ｄに位置する部分である。電極指励振部
分８２ｓは、図９に示す電極指７４のような電極指にお
いて、弾性表面波励振部ｓに位置する部分である。

【００５４】電極指ダミー電極部分８１ｄ，８３ｄは、
図９に示す電極指７５のような電極指において、ダミー
電極部ｄに位置する部分である。電極指ダミー電極部分
８２ｄは、図９に示す電極指７７のような電極指そのも
のである。

【００５５】各電極指は、従来と同様に、表面波励振部
ｓとダミ−電極部ｄのいずれの部分においても、弾性表
面波の伝搬方向に、λ／２のピッチで配置されている。
これを図１０を使って説明すれば、電極指励振部分８１
ｓ，８２ｓ，８３ｓ，…は、弾性表面波の伝搬方向に、
λ／２のピッチで配置され、同じく、電極指ダミー電極
部分８１ｄ，８２ｄ，８３ｄ，…は、弾性表面波の伝搬
方向に、λ／２のピッチで配置されているということに
なる。

【００５６】但し、各電極指は、従来と異なり、弾性表
面波励振部ｓに位置する部分とダミー電極部ｄに位置す
る部分との相対的が位置が、弾性表面波の伝搬方向にλ
／８ずれるように形成されている。これを図１０を使っ
て説明すれば、電極指は、電極指励振部分８１ｓ，８２
ｓ，８３ｓ，…と電極指ダミー電極部分８１ｄ，８２
ｄ，８３ｄ，…の相対的な位置が、弾性表面波の伝搬方
向にλ／８ずれるように形成されているということにな
る。これは、例えば、図９に示す電極指７４や７５のよ
うに、ダミー電極部ｄと弾性表面波励振部ｓにまたがる
電極指を、ダミー電極部ｄと弾性表面波励振部ｓの境界
部で曲げ、鍵状に形成することによりなされる。

【００５７】上記構成において、動作を説明する。

【００５８】図１において、入力端子６３に、高周波電
気信号を入力すると、弾性表面波励振部ｓで弾性表面波
が励起される。この弾性表面波は、図中、水平方向に伝
搬し、ダミー電極部ｄで反射される。これにより、弾性
表面波は、ＩＤＴ６２内を図中水平方向に多重走行す
る。その結果、ＩＤＴ６２上で透過波と反射波が重なり
合い、弾性表面波の定在波が発生し、共振現象が起こ
る。

【００５９】この場合、ある電極指励振部分で励起され
た弾性表面波は、この電極指励振部分から｛ｎλ／２＋
λ／８｝離れた位置にある電極指ダミ−電極部分で反射
される。これを図１０を参照しながら、具体的に説明す
る。

【００６０】図１０において、電極指励振部分８１ｓで
励起された弾性表面波は、図示矢印８４，８５に示すよ
うに、電極指励振部分８１ｓから｛ｎλ／２＋λ／８｝
離れた位置にある電極指ダミ−電極部分８２ｄ，８３
ｄ，…で反射される。同様に、電極指励振部分８２ｓで
励起された弾性表面波も、矢印８６に示すように、電極
指励振部分８２ｓから｛ｎλ／２＋λ／８｝離れた位置
にある電極指ダミ−電極部分８３ｄで反射される。

【００６１】これにより、弾性表面波励振部ｓとダミー
電極部ｄとの相対的な位置関係は、図４（ｂ）に示すよ
うなＩＤＴ１１とグレ−ティング反射器１２，１３との
間隔が５λ／８（＝λ／２＋λ／８）に設定された反射
器型弾性表面波共振子におけるＩＤＴ１１とグレ−ティ
ング反射器１２，１３との相対的な位置関係と同じにな
る。その結果、図１に示すＩＤＴ型弾性表面波共振子
は、図４（ｂ）に示す反射器型弾性表面波共振子と同様
に、ＩＤＴ６２の電極膜厚Ｈが薄い場合（Ｈ／λ≦０．
０８なる条件を満たす場合）でも、スプリアスが抑圧さ
れた伝送特性を得ることができる。

【００６２】以上詳述したこの実施例によれば、次のよ
うな効果が得られる。

【００６３】（１） まず、この実施例によれば、すだ
れ状電極を構成する電極指を、弾性表面波励振部ｓとダ
ミー電極部ｄのいずれの部分においても、弾性表面波の
伝搬方向にλ／２のピッチで配置し、かつ、この電極指
を、電極指励振部分と電極指ダミー電極部分の相対的な
位置が弾性表面波の伝搬方向にλ／８ずれるように形成
したので、弾性表面波励振部ｓとダミー電極部ｄの相対
的な位置関係を、ＩＤＴとグレ−ティング反射器との間
隔が５λ／８に設定された反射器型弾性表面波共振子に
おけるＩＤＴとグレ−ティング反射器の相対的な位置関
係と同じにすることができる。

【００６４】これにより、上述したような反射器型弾性
表面波共振子と同様に、ＩＤＴ６２の電極膜厚Ｈが薄い
場合（Ｈ／λ≦０．０８なる条件を満たす場合）でも、
スプリアスが抑圧された伝送特性を得ることができ、共
振子の高Ｑ化を図ることができる。

【００６５】（２） また、この実施例によれば、反射
器を必要としないＩＤＴ型弾性表面波共振子において、
電極膜厚Ｈを厚くすることなく、スプリアスを抑圧する
ことができるので、反射器型弾性表面波共振子におい
て、スプリアスを抑圧する場合より、弾性表面波共振子
を小型化することができる。

【００６６】以上、この発明の一実施例を詳細に説明し
たが、この発明は、上述したような実施例に限定される
ものではない。

【００６７】（１） 例えば、先の実施例では、弾性表
面波の漏れを軽減するための重み付けとして、菱型の重
み付けが施されたＩＤＴ型弾性表面波共振子に、この発
明を適用する場合を説明した。しかし、この発明は、電
極指の交差長を変化させる方法の重み付けであれば、菱
型の重み付け以外の重み付けが施されたＩＤＴ型弾性表
面波共振子にも適用することができ、この場合であって
も、先の実施例と同様の効果を得ることができる。

【００６８】（２） また、先の実施例では、共振子単
体として使用されるＩＤＴ型弾性表面波共振子にこの発
明を適用する場合を説明した。しかし、この発明は、発
振器等に組み込まれるＩＤＴ型弾性表面波共振子にも適
用することができ、この場合であっても、先の実施例と
同様の効果を得ることができる。

【００６９】（３） このほかにも、この発明は、その
要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは
勿論である。

【００７０】

【発明の効果】以上詳述したこの発明によれば、すだれ
状電極を構成する電極指を、弾性表面波励振部とダミー
電極部のいずれの部分においても、弾性表面波の伝搬方
向にλ／２の間隔で配置し、かつ、この電極指を、電極
指励振部分と電極指ダミー電極部分の相対的な位置が弾
性表面波の伝搬方向にλ／８ずれるように形成したの
で、弾性表面波励振部とダミー電極部の相対的な位置関
係を、ＩＤＴとグレ−ティング反射器との間隔が５λ／
８に設定された反射器型弾性表面波共振子におけるＩＤ
Ｔとグレ−ティング反射器の相対的な位置関係と同じに
することができる。これにより、上述したような反射器
型弾性表面波共振子と同様に、ＩＤＴの電極膜厚が薄い
場合でも、スプリアスが抑制された伝送特性を得ること
ができ、共振子の高Ｑ化を図ることができる。

【００７１】また、この発明によれば、反射器を必要と
しないＩＤＴ型弾性表面波共振子において、電極膜厚を
厚くすることなく、スプリアスを抑圧することができる
ので、反射器型弾性表面波共振子において、スプリアス
を抑圧する場合より、弾性表面波共振子を小型化するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例の構成を示す図である。

【図２】従来の弾性表面波共振子の構成を示す図であ
る。

【図３】反射器型弾性表面波共振子の伝送特性を示す特
性図である。

【図４】反射器型弾性表面波共振子の構成を示す図であ
る。

【図５】図４の反射器型弾性表面波共振子の伝送特性を
示す特性図である。

【図６】重み付けを施された従来のＩＤＴ型弾性表面波
共振子の構成を示す図である。

【図７】図６の一部を拡大して示す図である。

【図８】図７の一部を拡大して示す図である。

【図９】図１の一部を拡大して示す図である。

【図１０】図９の一部を拡大して示す図である。

【符号の説明】

６１…圧電基板 ６２…ＩＤＴ ６３…入力端子 ６４…出力端子 ｓ…弾性表面波励振部 ｄ…ダミー電極部 ７４，７５，７６，７７…電極指 ８１ｓ，８２ｓ，８３ｓ…電極指励振部分 ８１ｄ，８２ｄ，８３ｄ…電極指ダミー電極部分

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多対に設定され、かつ、交差長を変化さ
   せる方法によって重み付けが施されたすだれ状電極によ
   ってインターディジタルトランスデューサが構成されて
   いるインターディジタルトランスデューサ型弾性表面波
   共振子において、 前記すだれ状電極を構成する電極指が、 前記重み付けにより形成されかつ前記弾性表面波を励振
   する役割を果たす弾性表面波励振部と前記重み付けより
   形成されかつ前記弾性表面波を反射する役割を果たすダ
   ミー電極部のいずれの部分においても、前記弾性表面波
   の伝搬方向にこの弾性表面波の２分の１波長のピッチで
   配置され、かつ、 前記弾性表面波励振部に位置する部分と前記ダミー電極
   部に位置する部分との相対的な位置が前記弾性表面波の
   伝搬方向にこの弾性表面波の８分の１波長分ずれるよう
   に形成されていることを特徴とするインターディジタル
   トランスデューサ型弾性表面波共振子。