JPH0821467B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPH0821467B2
JPH0821467B2 JP63127750A JP12775088A JPH0821467B2 JP H0821467 B2 JPH0821467 B2 JP H0821467B2 JP 63127750 A JP63127750 A JP 63127750A JP 12775088 A JP12775088 A JP 12775088A JP H0821467 B2 JPH0821467 B2 JP H0821467B2
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秀樹 寺沢
孝正 大嶋
勝則 播磨
昭徳 大塚
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高周波加熱装置に関し、さらに詳しくは、部
品の変更を要することなく電源周波数の異なる地域に対
応できる調理器に関する。
従来の技術 日本国においては、電源周波数が50Hzの地域と60Hzの
地域がある。これに対処し、第11図に示す様に、電子レ
ンジには2つの高圧コンデンサ52、53と、高圧コンデン
サの容量を変化させる手段としてa接点型の高圧リレー
54、放電抵抗55、56を用いて構成し、電源周波数が50Hz
の時には電源投入時に、制御部57で電源周波数判定後、
高圧リレーのコイル部54aに電圧を印加して、接点54bを
閉させ、低圧トランス58を介した電源クロックが所定の
時間以上制御部58に入力されなくなると、電圧リレーの
コイル部54aに電圧を印加するのをやめ、接点54を開成
させ高圧コンデンサ53にチャージされた電荷を放電抵抗
56でデスチャージし、また、高圧コンデンサ52にチャー
ジされた電荷を放電抵抗55でデスチャージしている。ま
た、電源周波数が60Hzの時には、高圧リレー接点54bは
「開」の状態で、高圧トランス59を介した電圧が入力さ
れないと、高圧コンデンサ52にチャージされた電荷を放
電抵抗55でディスチャージしている。
発明が解決しようとする課題 ところが、上記システム、すなわち、高圧コンデンサ
52、53、1a接点型高圧リレー54、放電抵抗55、56を用い
て電源周波数50、60Hzに対処する方法はきわめてコスト
がかかり、また、電源周波数50Hzの場合、電源投入後、
所定の時間以上低圧トランス59を介して、制御部57に電
源クロックが入力されなくなるまで、高圧リレーコイル
部54aに電圧が印加され、コイル部の温度上昇等に問題
があった。
課題を解決するための手段 本発明の高周波加熱装置は、高圧トランス、高圧ダイ
オード、放電用高圧抵抗、2つの高圧コンデンサおよび
高圧切換え用リレーなどを有する高圧回路と、この高圧
回路を介して外用電源に接続される高周波発生装置と被
加熱物を載置する加熱室と、前記加熱室の前面に設けら
れた扉体と、機能情報や数字情報等よりなる調理データ
を入力するための入力手段と、波形整形回路、マイクロ
コンピュータ等よりなり、少なくとも2回以上同一周波
数であることを判定する電源周波数を判定する手段と、
前記高周波発生装置等を制御する制御手段とを備え、前
記高圧トランスの高圧出力側の一端に外部電源が60Hzが
地域向けの出力が得られる前記高圧コンデンサの一方が
接続され、さらに、前記60Hz用高圧コンデンサに並列に
前記放電用高圧抵抗が接続され、前記高圧切換え用リレ
ーの接点を介して、他方の高圧コンデンサが前記60Hz用
高圧コンデンサが並列になる用に接続され、前記高圧切
換え用リレーの接点は常閉接点で構成され、外部電源の
周波数により励磁、非励磁し、この励磁、非励磁の信号
は前記電源周波数判定手段および前記制御手段にゆだね
られる構成とした。
作用 本発明の高周波加熱装置は、高圧コンデンサの一方に
通電制御を行なうスイッチ手段として、1b接点型高圧リ
レーを用いることにより、放電用高圧抵抗を1つで済ま
すことができる。また、電源周波数の判定をプラグイン
直後と、調理設定後にユーザが調理開始キーを入力後の
2回行い、その後に高圧リレーを動作させるので、確実
に電源周波数に適合した電圧コンデンサの容量を設定で
きる。また、高圧トランスに通電を行うのは、高圧リレ
ーの接点が完全に「開」した後に行い、高圧トランスに
非通電にした後に、高圧リレーの接点を「閉」するので
アークを発生させることなく、安全に高圧リレーの切換
えができる。さらに、高圧リレーを動作させておく期間
は調理開始キーを受け付けた後、調理終了または取消キ
ーを入力されるまでなので、コイル部の温度上昇を押え
ることが可能である。
実施例 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説
明する。
第1図は本発明を適用した高周波加熱装置の外観斜視
図を示し、キャビネット1内には前方に開口する加熱室
2が形成され、この加熱室2に開閉自在に設けられたド
ア3により、加熱室2への食品の出入れと高周波エネル
ギーの漏洩防止とが果される。上記キャビネット1の上
部前面には、各種スイッチ、加熱モード・加熱時間など
の設定キー、ボタン調理を開始させるスタートキー4a等
を配設した操作パネル4が設けられる。
第2図は、上記キャビネット1の上部水平断面図であ
り、高周波エネルギーを発生するマグネトロン5、この
マグネトロン5の高電圧を印加する高圧トランス6およ
び高圧コンデンサ7などが配設される。また電源周波数
を検出したり、加熱制御をするための情報を有するマイ
クロコンピュータ22(第3図)の組み込まれた制御板8
が設けられ、モータ9、10で回転駆動される冷却ファン
9a、10aが上記各回路部品を冷却するために設けられ
る。冷却ファン10aによりマグネトロン5を冷却した風
の一部は、送風ダクト11を経て前記した加熱室2に送り
込まれるように構成されている。
第3図はこの高周波加熱装置の回路の基本的な構成を
示し、図において12は商用交流電源で、この電源12に
は、メインリレー接点(常閉接点)13b、高圧トランス
6の一次コイル6a、ドアスイッチ14、ヒューズ15が直列
に接続される。また電源12に対し、ドアモニタスイッチ
16が並列に接続される。また、ランプリレー接点42bと
加熱室内照明用の庫内灯43、マグネトロン冷却ファン10
の、ターンテーブル用モータ44等も並列に接続される。
高圧トランス6の二次コイル6bには高圧コンデンサ7
と高圧ダイオード17とで形成される半波倍電圧回路を介
して高周波発生装置であるところのマグネトロン5のア
ノード・カソード間が接続される。そして、マグネトロ
ン5のアノードは接地され、ヒータ(カソード)は高圧
トランス6の二次コイル6cに接続される。上記高圧コン
デンサ7は、並列接続した二つの素子7の、7bからな
り、また、これらの素子に並列には放電抵抗18が接続さ
れている。また、高圧コンデンサ7a、7bの電路の途中に
はb接点型高圧リレー19の接点19bが介装されている。
また、電源12には上記ヒューズ15および低圧トランス
20を介して制御部21が接続される。この制御部21はマイ
クロコンピュータ22およびその周辺回路等よりなり、内
部に電源周波数に応じたパルス発生回路23を有し、外部
に操作部24、表示部25およびリレー13、19、42のコイル
部13a、19a、42aを接続している。
また、マイクロコンピュータ22(以下マイコンと呼
ぶ。)は、大略I/(入力、出力部)22aを介してCPU
(中央情報処理装置)22bが結合され、これにRAM(書き
込み読み出しができる記憶装置)22cおよびROM(読み出
し専用記憶装置)22dが結合される構成になっている。
つぎに上記の様な構成において、作用を説明する。
まず、電源周波数の判定について述べる。
この高周波加熱装置に交流電源が投入されると、第3
図に示すパルス発生回路23を経て、第4図に示す様に50
Hzの電源波形47aは、矩形波形47bに整形される。ここで
波形47aの周期は47cに示す様に20msecである。また、第
5図に示す様に60Hzの電源波形60aは、矩形波形60bに整
形され、その周期は60cに示す様に16.7msecである。例
えばマイコン22として富士通社製MB8851OBシリーズのマ
イコンを用いた際、第3図に示す様に、パルス発生回路
23を、▲▼端子に接続する。マイコン22のROM部2
2dには、電源12が入力されると、RAM部22cのオールクリ
ア、各ポートの初期設定の後、第6図に示す電源周波数
判定プログラムが構成されている。以下電源周波数が50
Hzの時について述べる。ステップ26で▲▼の立下
りをセンスする(第4図47g)。次にステップ27、28でP
msec後に内部割込みが発生する様に設定する。ここでP
は50、60Hzの中間の値すなわち、〔(1/60)+(1/5
0)〕/2を設定する。Pmsec後、第7図に示す内部割り込
みが発生し、RAM2=φより、ステップ38→39のプログラ
ムを実行し、第4図より、47hでは▲▼=「H」
より、40でRAM1=0010にセットされる。再び、第6図の
メインルーテンに戻り、RAM2がインクリメントされ、RA
M2=1になり、ステップ32で▲▼の立ち上りをセ
ンスする(第4図47i)。Pmsec後の▲▼のレベル
は第4図47jより、「L」であるので、第7図ステップ3
8→45のプログラムを実行し、RAM1=0010のままで、第
6図のメインルーチンへ復帰する。RAM2は2になるの
で、ステップ41を実行し、RAM1=1000になり、再びステ
ップ26でIRQの立下りをセンスする(第4図47k)。第4
図47Iを捕えて、RAM1=1010にセットされ、RAM2=3に
なり、ステップ32で▲▼の立下りをセンスする
(第4図47m)。第4図の47hを捕えて、RAM1=1010の状
態で、ステップ30を実行し、RAM2=4にインリメントさ
れ、以上で、合計「4回」の整形波形の判別が終了した
事になる。電源周波数が60Hzの時は第5図から、わかる
様に、合計「4回」の判別が終了した時RAM1=5であ
る。RAM1を用いて、34〜37で、50Hzの時、RAM3を1にセ
ットしておく。ここで、36でメインルーチンの最初に戻
る場合があるが、この時は、4回連続同一周波数の判定
を行わない時で、4回連続同一周波数の判定をするま
で、ループする。
次にb接点型高圧リレー19の動作について述べる。電
源オフ時、オールオフモード時、調理設定モード時は、
第8図(b)に示すように、高圧リレーの接点部19bは
「閉」している。操作パネル4に有るメニューキーを選
択し、調理時間等を設定した後、調理開始キー49を入力
すると、第8図に示すマイコン22のROM部22dに設定して
有るプログラムをステップ60→62→64という順に実行す
る。ここでステップ62はメニュー、調理時間が正しく設
定して有るかの確認を行ない、正しくなければステップ
63で次のルーチンに移る。ステップ64で、ドアが閉じて
いることを確認した後、ステップ65で再び第6図に示す
電源周波数の判定を再度行う。次にステップ66でRAM3に
プラグイン直後の判定結果とステップ65で判定した結果
が等しい時、ステップ67で高圧リレーの駆動、マグネト
ロンの出力等の制御を行なう。
電源周波数が60Hzの時、制御部より高圧リレーのコイ
ル部19aに電圧が印加され、第9図(b)に示す様に接
点部19bは「開」する。これにより、マグネトロン5の
駆動部における高圧コンデンサ7では、素子7a(容量
c1)のみが半波倍電圧回路に組み込まれた状態になる。
よって、この時の電源周波数(60Hz)に適合する容量と
して、前記容量C1が与えられる。各リレーのコイル印加
電圧のタイミングチャートを第10図に示す。ここでS1は
高圧リレー接点部19bが完全に「開」するので時間を設
定しておく。これはアークの発生を防ぐためである。調
理終了時または、取消キー46入力時においてもアークの
発生を防ぐためにメインリレー接点部13bが完全に
「開」するまで時間S2を経過させてから、高圧リレーコ
イル部19aに電圧を印加するのを中止し、接点19bを
「閉」させる。その後、コンデンサ7aにチャージされた
電荷は放電抵抗R18でディスチャージされる。また、電
源周波数が50Hzの時(RAM3=φ)の時は調理中において
も、高圧リレーの接点部19bは「閉」しており、高圧コ
ンデンサ7では素子7aと素子7b(容量C2)とが並列接続
された形で半波倍電圧回路に組み込まれることになり、
電源周波数(50Hz)に適合する容量としてC1+C2が与え
られる。そして、調理終了後にも、高圧リレーの接点部
19bが「閉」しているのでコンデンサ7a、7bにチャージ
された電荷は放電抵抗R18でディスチャージされる。
発明の効果 本発明によれば、下記に示す効果を得ることができ
る。
1. 1b接点型高圧リレーを用いることにより、放電用高
圧抵抗が1つ削除でき、製品のコストダウンになる。
2. 高圧リレーは調理中にのみ動作するので、リレーコ
イル部分の温度上昇を押える事ができる。
3. 「2」と関連して、リレーの耐久性が保つことがで
きる。
4 1b接点型高圧リレー接点は、「開」する時は、メ
インリレーが「閉」した後に行い、「閉」する時は、メ
インリレーが「開」した後に行うことにより、アークが
発生せず、安全に切換えることができる。
5. 電源周波数の判定をプラグイン直後と、調理開始キ
ー入力時の合計2回行ない、その結果が一致した時にの
み、実際の調理を開始するので、確実に電源周波数に適
合した高圧コンデンサの容量を設定できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に適用される高周波加熱装置
の外観斜視図、第2図は同上部水平断面図、第3図は同
回路図、第4図、第5図はそれぞれ同IRQポートの入力
波形図、第6図〜第7図はそれぞれ電源周波数判定プロ
グラムのフローチャート、第8図は同スタートキー処理
プログラムのフローチャート、第9図は同高圧リレーの
動作を示す高圧2次回路図、第10図は同高圧リレーのコ
イル部のタイミングチャート、第11図は従来例の回路図
である。 1……キャビネット、2……加熱室、3……ドア、4…
…操作パネル、4a……調理開始キー、4b……取消キー、
5……マグネトロン、6……高圧トランス、7……高圧
コンデンサ、8……制御基板、9……モータ、9a……冷
却ファン、11……送風ダクト、12……商用交流電源、13
……メインリレー、13a……メインリレーコイル部、13b
……メインリレー接点部、20……低圧トランス、21……
制御部、22……マイクロコンピュータ、22a……I/、2
2b……CPU、22c……RAM、22C1……RAM1、22C2……RA
M2、22C3……RAM3、22d……RM、23……パルス発生
回路、24……操作部、25……表示部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大塚 昭徳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−41689(JP,A) 特開 昭61−292883(JP,A) 特開 昭62−17990(JP,A) 実開 昭63−12189(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高圧トランス、高圧ダイオード、放電用高
    圧抵抗、2つの高圧コンデンサおよび高圧切換え用リレ
    ーなどを有する高圧回路と、この高圧回路を介して外部
    電源に接続される高周波発生装置と被加熱物を載置する
    加熱室と、前記加熱室の前面に設けられた扉体と、機能
    情報や数字情報等よりなる調理データを入力するための
    入力手段と、波形整形回路、マイクロコンピュータ等よ
    りなり少なくともプラグイン直後と調理開始キー入力時
    の2回同一周波数であることを判定する電源周波数を判
    定する手段と、前記高周波発生装置等を制御する制御手
    段とを備え、前記高圧トランスの高圧出力側の一端に外
    部電源が60Hz用地域向けの出力が得られる前記高圧コン
    デンサの一方が接続され、さらに、前記60Hz用高圧コン
    デンサを並列に前記放電用高圧抵抗が接続され、前記高
    圧切換え用リレーの接点を介して、他方の高圧コンデン
    サが前記60Hz用高圧コンデンサが並列になる様に接続さ
    れ、前記高圧切換え用リレーの接点は常閉接点で構成さ
    れ、外部電源の周波数により励磁、非励磁し、この励
    磁、非励磁の信号は前記電源周波数判定手段および前記
    制御手段にゆだねられていることを特徴とする高周波加
    熱装置。
JP63127750A 1988-05-25 1988-05-25 高周波加熱装置 Expired - Lifetime JPH0821467B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61292883A (ja) * 1985-06-20 1986-12-23 松下電器産業株式会社 高周波加熱装置
JPS6217990A (ja) * 1985-07-15 1987-01-26 松下電器産業株式会社 高周波加熱装置
JPS6312189U (ja) * 1986-07-09 1988-01-26

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