JPH08217558A - セラミックス接合装置 - Google Patents
セラミックス接合装置Info
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- JPH08217558A JPH08217558A JP2639295A JP2639295A JPH08217558A JP H08217558 A JPH08217558 A JP H08217558A JP 2639295 A JP2639295 A JP 2639295A JP 2639295 A JP2639295 A JP 2639295A JP H08217558 A JPH08217558 A JP H08217558A
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- Japan
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- microwave
- materials
- ceramic
- resonator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 効率良く短時間に加熱して、セラミックスを
接合できる装置を提供することを目的とする。 【構成】 マイクロ波共振器４内に少なくとも一方がセ
ラミックス材料である二つの被接合材７を挿入すると共
にこれらの被接合材７の接合界面に僅かな隙間を形成す
る一方、該隙間に接合界面と垂直な方向の電界を発生さ
せるマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段１，２，
３を設け、また、プラズマの発生に適する雰囲気ガスを
前記マイクロ波共振器４内へ供給する雰囲気ガス供給手
段６を設けたものである。
接合できる装置を提供することを目的とする。 【構成】 マイクロ波共振器４内に少なくとも一方がセ
ラミックス材料である二つの被接合材７を挿入すると共
にこれらの被接合材７の接合界面に僅かな隙間を形成す
る一方、該隙間に接合界面と垂直な方向の電界を発生さ
せるマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段１，２，
３を設け、また、プラズマの発生に適する雰囲気ガスを
前記マイクロ波共振器４内へ供給する雰囲気ガス供給手
段６を設けたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス接合装置
に関する。例えば、セラミックスとセラミックスの接合
手段の他、セラミックスとガラス、金属等との接合手段
としても応用できる。
に関する。例えば、セラミックスとセラミックスの接合
手段の他、セラミックスとガラス、金属等との接合手段
としても応用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミックス接合装置の一例を図
３に示す。同図に示すように、二本の棒状セラミックス
材料０７，０７を向かい合わせて電気加熱炉０１１内に
挿入すると共にこれらセラミックス材料０７，０７の端
面間にガラス等のインサート材０１０を挟んで、セラミ
ック材料０７，０７を加圧手段０１２，０１２により両
側から加圧している。
３に示す。同図に示すように、二本の棒状セラミックス
材料０７，０７を向かい合わせて電気加熱炉０１１内に
挿入すると共にこれらセラミックス材料０７，０７の端
面間にガラス等のインサート材０１０を挟んで、セラミ
ック材料０７，０７を加圧手段０１２，０１２により両
側から加圧している。
【０００３】従って、電気加熱炉０１１により、セラミ
ックス材料０７，０７の接合部付近を加熱し、インサー
ト材０１０の軟化点より僅かに高い温度に保った後に冷
却することにより、セラミック材料０７，０７の接合が
得られる。尚、ガラス等のインサート材０１０の軟化点
は、セラミックス材料０７の融点より低い。
ックス材料０７，０７の接合部付近を加熱し、インサー
ト材０１０の軟化点より僅かに高い温度に保った後に冷
却することにより、セラミック材料０７，０７の接合が
得られる。尚、ガラス等のインサート材０１０の軟化点
は、セラミックス材料０７の融点より低い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した図３に示す従
来のセラミックス接合装置においては、電気加熱炉０１
１を加熱手段として利用しているため、セラミックス材
料０７の全体或いは相当の部分を加熱していた。
来のセラミックス接合装置においては、電気加熱炉０１
１を加熱手段として利用しているため、セラミックス材
料０７の全体或いは相当の部分を加熱していた。
【０００５】そのため、本来加熱する必要のない、セラ
ミックス材料０７の界面以外の部分も加熱しており、ま
た、電気加熱炉０１１も大きな熱容量を持つため、材料
の接合に必要な温度まで上昇させるために、時間が長
くかかり、エネルギー効率も悪いという欠点があっ
た。
ミックス材料０７の界面以外の部分も加熱しており、ま
た、電気加熱炉０１１も大きな熱容量を持つため、材料
の接合に必要な温度まで上昇させるために、時間が長
くかかり、エネルギー効率も悪いという欠点があっ
た。
【０００６】本発明は、上記従来技術に鑑みてなされた
ものであり、効率良く短時間に加熱して、セラミックス
を接合できる装置を提供することを目的とする。
ものであり、効率良く短時間に加熱して、セラミックス
を接合できる装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明の構成はマイクロ波共振器内に少なくとも一方がセ
ラミックス材料である二つの被接合材を挿入すると共に
これらの被接合材の接合界面に僅かな隙間を形成する一
方、該隙間に接合界面と垂直な方向の磁界を発生させる
マイクロ波を供給するマイクロ波供給手段を設け、ま
た、プラズマの発生に適する雰囲気ガスを前記マイクロ
波共振器内へ供給する雰囲気ガス供給手段を設けたこと
を特徴とする。
発明の構成はマイクロ波共振器内に少なくとも一方がセ
ラミックス材料である二つの被接合材を挿入すると共に
これらの被接合材の接合界面に僅かな隙間を形成する一
方、該隙間に接合界面と垂直な方向の磁界を発生させる
マイクロ波を供給するマイクロ波供給手段を設け、ま
た、プラズマの発生に適する雰囲気ガスを前記マイクロ
波共振器内へ供給する雰囲気ガス供給手段を設けたこと
を特徴とする。
【０００８】更に、前記接合界面の隙間には、発生する
プラズマにより溶解するインサート材を介装すること、
凹凸を以て形成されること、前記雰囲気ガス供給手段
は、水素、酸素、不活性ガス及びこれら二種類以上の混
合ガスを供給すること、前記マイクロ波供給手段は、少
なくとも２系統以上設けられること、前記マイクロ波供
給手段は、複数の共振モードのマイクロ波を励振するこ
とを特徴とする。
プラズマにより溶解するインサート材を介装すること、
凹凸を以て形成されること、前記雰囲気ガス供給手段
は、水素、酸素、不活性ガス及びこれら二種類以上の混
合ガスを供給すること、前記マイクロ波供給手段は、少
なくとも２系統以上設けられること、前記マイクロ波供
給手段は、複数の共振モードのマイクロ波を励振するこ
とを特徴とする。
【０００９】
【作用】被接合材の接合界面の隙間に電界集中が起こり
高電界となるために、接合界面部分に雰囲気ガスによる
プラズマが点灯し、プラズマはマイクロ波のエネルギー
を効率よく吸収するため、被接合材が容易に接合される
ことになる。
高電界となるために、接合界面部分に雰囲気ガスによる
プラズマが点灯し、プラズマはマイクロ波のエネルギー
を効率よく吸収するため、被接合材が容易に接合される
ことになる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明について、図面に示す実施例を
参照して詳細に説明する。図１（ａ）に本発明の一実施
例を示す。本実施例のセラミックス接合装置は、マイク
ロ波発振器１、導波管２、整合器３、マイクロ波共振器
４、加圧制御手段５、雰囲気ガス供給手段６、共振周波
数同調手段８よりなる。
参照して詳細に説明する。図１（ａ）に本発明の一実施
例を示す。本実施例のセラミックス接合装置は、マイク
ロ波発振器１、導波管２、整合器３、マイクロ波共振器
４、加圧制御手段５、雰囲気ガス供給手段６、共振周波
数同調手段８よりなる。
【００１１】同図に示すように、マイクロ波共振器４内
には、雰囲気ガス供給手段６を通じて、水素、酸素、不
活性ガス及びこれら二種類以上の混合ガスが供給され、
マイクロ波共振器４内部の雰囲気はプラズマが点灯し易
い組成、圧力に調整されている。また、マイクロ波共振
器４内には、マイクロ波発振器１から導波管２を通じて
マイクロ波のパワーが伝送されている。導波管２には、
マイクロ波パワーを全てマイクロ波共振器４に投入させ
るように、マイクロ波共振器４の負荷を整合させる整合
器３が介装されている。
には、雰囲気ガス供給手段６を通じて、水素、酸素、不
活性ガス及びこれら二種類以上の混合ガスが供給され、
マイクロ波共振器４内部の雰囲気はプラズマが点灯し易
い組成、圧力に調整されている。また、マイクロ波共振
器４内には、マイクロ波発振器１から導波管２を通じて
マイクロ波のパワーが伝送されている。導波管２には、
マイクロ波パワーを全てマイクロ波共振器４に投入させ
るように、マイクロ波共振器４の負荷を整合させる整合
器３が介装されている。
【００１２】マイクロ波共器４としては、本実施例では
円筒型のマイクロ波共振器を用いた。マイクロ波共振器
４の共振モードは、電界が接合界面に垂直であるものと
する。マイクロ波共振器４内には、内部の電磁界エネル
ギーが外部に漏れ出すのを防ぐ金属円筒９が設けられて
いる。
円筒型のマイクロ波共振器を用いた。マイクロ波共振器
４の共振モードは、電界が接合界面に垂直であるものと
する。マイクロ波共振器４内には、内部の電磁界エネル
ギーが外部に漏れ出すのを防ぐ金属円筒９が設けられて
いる。
【００１３】マイクロ波共振器４には、二本の棒状のセ
ラミックス材料７が挿入され、中心部で突き合わされて
いる。図１（ａ）中において二点鎖線で囲むＡ部の拡大
図を同図（ｂ）に示すように、セラミックス材料７の表
面にはインサート材１０が凹凸をもって施工されてい
る。そのため、接合前の状態では、セラミックス材料７
の接合界面には僅かな隙間が存在する。マイクロ波共振
器４の共振周波数は、セラミックス材料７を挿入した状
態でマイクロ波共振器４が共振状態となるように調整さ
れている。共振周波数の調整は、マイクロ波発振器１の
発振周波数を変化させても良く、共振周波数同調手段８
を用いても良い。
ラミックス材料７が挿入され、中心部で突き合わされて
いる。図１（ａ）中において二点鎖線で囲むＡ部の拡大
図を同図（ｂ）に示すように、セラミックス材料７の表
面にはインサート材１０が凹凸をもって施工されてい
る。そのため、接合前の状態では、セラミックス材料７
の接合界面には僅かな隙間が存在する。マイクロ波共振
器４の共振周波数は、セラミックス材料７を挿入した状
態でマイクロ波共振器４が共振状態となるように調整さ
れている。共振周波数の調整は、マイクロ波発振器１の
発振周波数を変化させても良く、共振周波数同調手段８
を用いても良い。
【００１４】ここで、マイクロ波の周波数がマイクロ波
共振器４のＴＭ010に同調しているとすると、セラミッ
クス材料７近辺の電界分布はセラミックス材料７に並
行、即ち、接合界面に垂直である。このとき、接合界面
の電解強度と周囲の電解強度の比率は以下の式で近似的
に表すことができる。 Ｅa（Ｘ−Ｄ）＋Ｅ0Ｄ＝Ｖ …（１）
共振器４のＴＭ010に同調しているとすると、セラミッ
クス材料７近辺の電界分布はセラミックス材料７に並
行、即ち、接合界面に垂直である。このとき、接合界面
の電解強度と周囲の電解強度の比率は以下の式で近似的
に表すことができる。 Ｅa（Ｘ−Ｄ）＋Ｅ0Ｄ＝Ｖ …（１）
【００１５】但し、Ｘは共振器の高さ、Ｅaはセラミッ
クス材料７の内部電解強度、Ｄは隙間の間隔、Ｅ0は隙
間部分の電解強度、Ｖはマイクロ波共振器４中心近くの
上下壁面の電位差である。
クス材料７の内部電解強度、Ｄは隙間の間隔、Ｅ0は隙
間部分の電解強度、Ｖはマイクロ波共振器４中心近くの
上下壁面の電位差である。
【００１６】また、マイクロ波共振器４中心近くの電解
をＥとすると、Ｅ＝Ｖ／Ｘで定義される。更に、セラミ
ックス材料７の誘電率がεaのとき、電束密度の法線成
分が連続であることから、εaＥa＝ε0Ｅ0（ε0は真空
の誘電率）の関係が成立する。この式を利用して（１）
式を変形し、Ｘ≫Ｄの近似を行うと、次式の関係返られ
る。 Ｅ0≒Ｅ（εa／ε0） …（２）
をＥとすると、Ｅ＝Ｖ／Ｘで定義される。更に、セラミ
ックス材料７の誘電率がεaのとき、電束密度の法線成
分が連続であることから、εaＥa＝ε0Ｅ0（ε0は真空
の誘電率）の関係が成立する。この式を利用して（１）
式を変形し、Ｘ≫Ｄの近似を行うと、次式の関係返られ
る。 Ｅ0≒Ｅ（εa／ε0） …（２）
【００１７】この関係式は、隙間の電解強度が周囲に比
べて、（εa／ε0）倍に増幅されることを意味してい
る。一般に、セラミックス材料７の比誘電率は、１より
相当に大きいので、セラミックス材料７の隙間の部分に
電界集中現象が表れ、容易に高電界が得られる。
べて、（εa／ε0）倍に増幅されることを意味してい
る。一般に、セラミックス材料７の比誘電率は、１より
相当に大きいので、セラミックス材料７の隙間の部分に
電界集中現象が表れ、容易に高電界が得られる。
【００１８】このため、接合界面部分に雰囲気ガスによ
るプラズマが点灯し、プラズマはマイクロ波のエネルギ
ーを効率良く吸収するので、投入されたエネルギーは殆
どプラズマに吸収されることになる。このように接合界
面部分に発生したプラズマはインサート材１０を溶解さ
せ、その後に加圧制御手段５によって二本のセラミック
ス材料７を加圧すればセラミックス材料７は接合する。
るプラズマが点灯し、プラズマはマイクロ波のエネルギ
ーを効率良く吸収するので、投入されたエネルギーは殆
どプラズマに吸収されることになる。このように接合界
面部分に発生したプラズマはインサート材１０を溶解さ
せ、その後に加圧制御手段５によって二本のセラミック
ス材料７を加圧すればセラミックス材料７は接合する。
【００１９】尚、本実施例では円筒型のマイクロ波共振
器４を用いたが、必ずしも円筒形である必要はない。ま
た、インサート材１０としては凹凸を施したものに限ら
ず、粉末の材料を使用しても同様の効果を得られる。
器４を用いたが、必ずしも円筒形である必要はない。ま
た、インサート材１０としては凹凸を施したものに限ら
ず、粉末の材料を使用しても同様の効果を得られる。
【００２０】本発明の他の実施例を図２（ａ）に示す。
本実施例は、板状のセラミックス材料７に適するよう
に、２系統のマイクロ波供給手段１１０，１１０′を設
けたものである。即ち、マイクロ波共振器４には、その
左方からマイクロ波発生器１、導波管２及び整合器３か
らなるのマイクロ波供給手段１１０が接続すると共にそ
の右方からマイクロ波供給手段１１０′が接続してい
る。
本実施例は、板状のセラミックス材料７に適するよう
に、２系統のマイクロ波供給手段１１０，１１０′を設
けたものである。即ち、マイクロ波共振器４には、その
左方からマイクロ波発生器１、導波管２及び整合器３か
らなるのマイクロ波供給手段１１０が接続すると共にそ
の右方からマイクロ波供給手段１１０′が接続してい
る。
【００２１】マイクロ波供給手段１１０は、ＴＭ010モ
ードのマイクロ波をマイクロ波共振器４へ供給する一
方、マイクロ波供給手段１１０′は、ＴＭ020モードの
マイクロ波をマイクロ波共振器４へ供給する。ＴＭ010
モードの電界強度は、図２（ｂ）に示すように、共振器
の中央ほど強く、周辺部へ行くに従って減衰するのに対
し、ＴＭ020モードの電界強度は、図２（ｃ）に示すよ
うに三つのピークを持つ波形を持つ。
ードのマイクロ波をマイクロ波共振器４へ供給する一
方、マイクロ波供給手段１１０′は、ＴＭ020モードの
マイクロ波をマイクロ波共振器４へ供給する。ＴＭ010
モードの電界強度は、図２（ｂ）に示すように、共振器
の中央ほど強く、周辺部へ行くに従って減衰するのに対
し、ＴＭ020モードの電界強度は、図２（ｃ）に示すよ
うに三つのピークを持つ波形を持つ。
【００２２】従って、二つのモードの重畳により、マイ
クロ波共振器４内の周辺部の電界強度を増強できるた
め、セラミック材料８がマイクロ波共振器４の相当広い
部分を占めるときにも、セラミック材料８の全面に渡り
均一で充分な電界強度を得ることができる。また、本実
施例では加圧制御手段５は金属製であるため、マイクロ
波共振器４の上下の間隔が狭くなったと同様な効果を与
えるため、一層の高電界が得られ、一層容易にプラズマ
を点灯させることががきる。
クロ波共振器４内の周辺部の電界強度を増強できるた
め、セラミック材料８がマイクロ波共振器４の相当広い
部分を占めるときにも、セラミック材料８の全面に渡り
均一で充分な電界強度を得ることができる。また、本実
施例では加圧制御手段５は金属製であるため、マイクロ
波共振器４の上下の間隔が狭くなったと同様な効果を与
えるため、一層の高電界が得られ、一層容易にプラズマ
を点灯させることががきる。
【００２３】尚、マイクロ波はいずれのモードにおいて
も電界の方向は接合界面に対して垂直であるため、前述
した実施例と同様に接合界面を選択的に加熱し、接合す
ることが可能である。また、マイクロ波供給手段１１
０′により励振するモードは、ＴＭ020モードに限らな
い。
も電界の方向は接合界面に対して垂直であるため、前述
した実施例と同様に接合界面を選択的に加熱し、接合す
ることが可能である。また、マイクロ波供給手段１１
０′により励振するモードは、ＴＭ020モードに限らな
い。
【００２４】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明では、電界集中により接合界面近傍に
プラズマを点灯させるため、セラミックス材料等ををよ
り高速に、少ないエネルギーで接合することができる。
また、セラミックス材料よりも軟化点の低いインサート
材を接合界面に介装することにより、一層効率的に接合
することが可能となる。特に、複数の共振モードをマイ
クロ波共振器に印加することにより、電界強度を均一に
増強することができるため、平面状のセラミックス材料
等の接合にも適する。
たように、本発明では、電界集中により接合界面近傍に
プラズマを点灯させるため、セラミックス材料等ををよ
り高速に、少ないエネルギーで接合することができる。
また、セラミックス材料よりも軟化点の低いインサート
材を接合界面に介装することにより、一層効率的に接合
することが可能となる。特に、複数の共振モードをマイ
クロ波共振器に印加することにより、電界強度を均一に
増強することができるため、平面状のセラミックス材料
等の接合にも適する。
【図１】本発明の一実施例に係るセラミックス接合装置
の構成図である。
の構成図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るセラミックス接合装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図３】従来のセラミックス接合装置の構成図である。
１ マイクロ波発振器 ２ 導波管 ３ 整合器 ４ マイクロ波共振器 ５ 加圧制御手段 ６ 雰囲気ガス供給手段 ７ セラミックス材料 ８ 共振周波数同調手段 ９ 金属円筒 １０ インサート材 １１０，１１０′ マイクロ波供給手段
【手続補正書】
【提出日】平成７年４月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明の構成はマイクロ波共振器内に少なくとも一方がセ
ラミックス材料である二つの被接合材を挿入すると共に
これらの被接合材の接合界面に僅かな隙間を形成する一
方、該隙間に接合界面と垂直な方向の電界を発生させる
マイクロ波を供給するマイクロ波供給手段を設け、ま
た、プラズマの発生に適する雰囲気ガスを前記マイクロ
波共振器内へ供給する雰囲気ガス供給手段を設けたこと
を特徴とする。
発明の構成はマイクロ波共振器内に少なくとも一方がセ
ラミックス材料である二つの被接合材を挿入すると共に
これらの被接合材の接合界面に僅かな隙間を形成する一
方、該隙間に接合界面と垂直な方向の電界を発生させる
マイクロ波を供給するマイクロ波供給手段を設け、ま
た、プラズマの発生に適する雰囲気ガスを前記マイクロ
波共振器内へ供給する雰囲気ガス供給手段を設けたこと
を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】また、マイクロ波共振器４中心近くの電解
をＥとすると、Ｅ＝Ｖ／Ｘで定義される。更に、セラミ
ックス材料７の誘電率がεaのとき、電束密度の法線成
分が連続であることから、εaＥa＝ε0Ｅ0（ε0は真空
の誘電率）の関係が成立する。この式を利用して（１）
式を変形し、Ｘ≫Ｄの近似を行うと、次式の関係が得ら
れる。 Ｅ0≒Ｅ（εa／ε0） …（２）
をＥとすると、Ｅ＝Ｖ／Ｘで定義される。更に、セラミ
ックス材料７の誘電率がεaのとき、電束密度の法線成
分が連続であることから、εaＥa＝ε0Ｅ0（ε0は真空
の誘電率）の関係が成立する。この式を利用して（１）
式を変形し、Ｘ≫Ｄの近似を行うと、次式の関係が得ら
れる。 Ｅ0≒Ｅ（εa／ε0） …（２）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明では、電界集中により接合界面近傍に
プラズマを点灯させるため、セラミックス材料等をより
高速に、少ないエネルギーで接合することができる。ま
た、セラミックス材料よりも軟化点の低いインサート材
を接合界面に介装することにより、一層効率的に接合す
ることが可能となる。特に、複数の共振モードをマイク
ロ波共振器に印加することにより、電界強度を均一に増
強することができるため、平面状のセラミックス材料等
の接合にも適する。
たように、本発明では、電界集中により接合界面近傍に
プラズマを点灯させるため、セラミックス材料等をより
高速に、少ないエネルギーで接合することができる。ま
た、セラミックス材料よりも軟化点の低いインサート材
を接合界面に介装することにより、一層効率的に接合す
ることが可能となる。特に、複数の共振モードをマイク
ロ波共振器に印加することにより、電界強度を均一に増
強することができるため、平面状のセラミックス材料等
の接合にも適する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平松 恭二 兵庫県神戸市兵庫区和田崎町一丁目１番１ 号 三菱重工業株式会社神戸造船所内
Claims (6)
- 【請求項１】 マイクロ波共振器内に少なくとも一方が
セラミックス材料である二つの被接合材を挿入すると共
にこれらの被接合材の接合界面に僅かな隙間を形成する
一方、該隙間に接合界面と垂直な方向の磁界を発生させ
るマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段を設け、ま
た、プラズマの発生に適する雰囲気ガスを前記マイクロ
波共振器内へ供給する雰囲気ガス供給手段を設けたこと
を特徴とするセラミックス接合装置。 - 【請求項２】 前記接合界面の隙間には、発生するプラ
ズマにより溶解するインサート材を介装することを特徴
とする請求項１記載のセラミックス接合装置。 - 【請求項３】 前記インサート材は、凹凸を以て形成さ
れることを特徴とする請求項２記載のセラミックス接合
装置。 - 【請求項４】 前記雰囲気ガス供給手段は、水素、酸
素、不活性ガス及びこれら二種類以上の混合ガスを供給
することを特徴とする請求項１〜３記載のセラミックス
接合装置。 - 【請求項５】 前記マイクロ波供給手段は、少なくとも
２系統以上設けられることを特徴とする請求項１〜４記
載のセラミックス接合装置。 - 【請求項６】 前記マイクロ波供給手段は、複数の共振
モードのマイクロ波を励振することを特徴とする請求項
５記載のセラミックス接合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2639295A JPH08217558A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | セラミックス接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2639295A JPH08217558A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | セラミックス接合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08217558A true JPH08217558A (ja) | 1996-08-27 |
Family
ID=12192279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2639295A Withdrawn JPH08217558A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | セラミックス接合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08217558A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096773A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Dana Corporation | Plasma-assisted joining |
| US7022198B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-04-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microwave assisted reactive brazing of ceramic materials |
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