JPH0822009A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH0822009A JPH0822009A JP15460794A JP15460794A JPH0822009A JP H0822009 A JPH0822009 A JP H0822009A JP 15460794 A JP15460794 A JP 15460794A JP 15460794 A JP15460794 A JP 15460794A JP H0822009 A JPH0822009 A JP H0822009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- vapor deposition
- display device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】従来より穏やかな条件下で製造することができ
る、安定で信頼性の高い無機斜方蒸着膜を有する液晶表
示素子を提供すること。 【構成】一方または両方の内面に透明電極および配向膜
が順次形成された一対の基板間に液晶層が狭持されてい
る液晶表示素子において、少なくとも一方の配向膜が無
機化合物からなる斜方蒸着膜であって、該斜方蒸着膜の
少なくとも一方がシラン処理されていることを特徴とす
る液晶表示素子。
る、安定で信頼性の高い無機斜方蒸着膜を有する液晶表
示素子を提供すること。 【構成】一方または両方の内面に透明電極および配向膜
が順次形成された一対の基板間に液晶層が狭持されてい
る液晶表示素子において、少なくとも一方の配向膜が無
機化合物からなる斜方蒸着膜であって、該斜方蒸着膜の
少なくとも一方がシラン処理されていることを特徴とす
る液晶表示素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、従来より穏やかな条件
下で製造することができる、安定で信頼性の高い液晶表
示素子に関する。
下で製造することができる、安定で信頼性の高い液晶表
示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】特にここ１０年間、液晶の電気光学的性
質及び表示素子としての性質が必要とされる様々な技術
分野（例えば時計、電卓、タイプライターの表示部等）
において、液晶が導入されてきた。これらの表示素子
は、液晶化合物のネマチック、コレステリックまたはス
メクチック相における誘電性配向効果を利用するもので
あり、これらの液晶相においては、誘電異方性のために
化合物の分子の長軸は印加電界中で選択的な配向をとっ
ている。表示素子の通常の応答時間は、液晶の応用が可
能なその他の多くの分野にとっては長すぎる。この欠点
は特に、多くのピクセルに電界を印加しなければならな
い場合に顕著である。この問題を解決するためにＴＦＴ
（Thin Filmtransistor）を使ったアクティブ・モード
が有効であるが、比較的広い画面面積を有する機器の生
産コストは一般的に高すぎる。
質及び表示素子としての性質が必要とされる様々な技術
分野（例えば時計、電卓、タイプライターの表示部等）
において、液晶が導入されてきた。これらの表示素子
は、液晶化合物のネマチック、コレステリックまたはス
メクチック相における誘電性配向効果を利用するもので
あり、これらの液晶相においては、誘電異方性のために
化合物の分子の長軸は印加電界中で選択的な配向をとっ
ている。表示素子の通常の応答時間は、液晶の応用が可
能なその他の多くの分野にとっては長すぎる。この欠点
は特に、多くのピクセルに電界を印加しなければならな
い場合に顕著である。この問題を解決するためにＴＦＴ
（Thin Filmtransistor）を使ったアクティブ・モード
が有効であるが、比較的広い画面面積を有する機器の生
産コストは一般的に高すぎる。
【０００３】ネマチックおよびコレステリック液晶の
他、光学的に活性なスメクチック液晶相もまた、ここ数
年間にその重要性が増大している。
他、光学的に活性なスメクチック液晶相もまた、ここ数
年間にその重要性が増大している。
【０００４】クラーク（Clark）およびラガヴァール（L
agerwall）は、非常に薄いセルの中において強誘電性液
晶系を使用すると、通常のＴＮ（ツイステッド・ネマチ
ック）セルの１０００倍も速い応答時間を示す電気光学
的スイッチングまたは表示素子が得られることを明らか
にした（例えば、ラガヴァール等、「ディスプレイ用強
誘電性液晶（Ferroelectoric Liquid Crystal Display
s，SID Symposium，October Meeting，１９８５，San D
iego，Ca，USA」）。このような性質、あるいは、双安
定性スイッチングや、高視野角性、高コントラストなど
の、その他の好ましい性質のため、強誘電性液晶（ＦＬ
Ｃ）は原理的には上述の応用分野、例えばマトリックス
・アドレスを用いる分野に適している。
agerwall）は、非常に薄いセルの中において強誘電性液
晶系を使用すると、通常のＴＮ（ツイステッド・ネマチ
ック）セルの１０００倍も速い応答時間を示す電気光学
的スイッチングまたは表示素子が得られることを明らか
にした（例えば、ラガヴァール等、「ディスプレイ用強
誘電性液晶（Ferroelectoric Liquid Crystal Display
s，SID Symposium，October Meeting，１９８５，San D
iego，Ca，USA」）。このような性質、あるいは、双安
定性スイッチングや、高視野角性、高コントラストなど
の、その他の好ましい性質のため、強誘電性液晶（ＦＬ
Ｃ）は原理的には上述の応用分野、例えばマトリックス
・アドレスを用いる分野に適している。
【０００５】液晶の配向膜を作る手段としては従来ラビ
ング法、あるいは斜め蒸着法などが用られている。ラビ
ング法は、透明電極上に有機高分子膜をスピンコーティ
ング、あるいは印刷等で形成させた後、有機高分子製の
布を巻き付けたローラーを回転させて、有機高分子膜を
擦ることにより液晶分子が擦った方向に配向する。この
方法は、量産性に優れているが、液晶分子の基板からの
傾き角（プレチルト角）が０°から約１０°のパネルし
かできない。
ング法、あるいは斜め蒸着法などが用られている。ラビ
ング法は、透明電極上に有機高分子膜をスピンコーティ
ング、あるいは印刷等で形成させた後、有機高分子製の
布を巻き付けたローラーを回転させて、有機高分子膜を
擦ることにより液晶分子が擦った方向に配向する。この
方法は、量産性に優れているが、液晶分子の基板からの
傾き角（プレチルト角）が０°から約１０°のパネルし
かできない。
【０００６】これ以上のプレチルト角が必要な時にはＳ
ｉＯのような無機化合物の斜め蒸着法が用いられてき
た。特に、強誘電性液晶の配向は２つの’くの字’層構
造（シェブロン構造）を有しており、異なったシェブロ
ン構造の存在はジグザグ欠陥となってディスプレイの品
質上好ましくない。このようなジグザグ欠陥をなくし、
モノドメインな配向を得るために充分大きなプレチルト
が必要であり、斜め蒸着法は強誘電性液晶の配向方法と
して適している。
ｉＯのような無機化合物の斜め蒸着法が用いられてき
た。特に、強誘電性液晶の配向は２つの’くの字’層構
造（シェブロン構造）を有しており、異なったシェブロ
ン構造の存在はジグザグ欠陥となってディスプレイの品
質上好ましくない。このようなジグザグ欠陥をなくし、
モノドメインな配向を得るために充分大きなプレチルト
が必要であり、斜め蒸着法は強誘電性液晶の配向方法と
して適している。
【０００７】斜め蒸着法に関しては、これまでの多くの
文献や（例えば、W. Urbach，M. Boix，and E. Guyon，
Alignment of nematics and smectics on evaporated f
ilms，Applied Physics Letters，Ｖｏｌ．２５，Ｎ
ｏ．９，１ Ｐ４７９，１９７４）、多くの特許出願が
なされている（例えば、特開昭６２−１６１１２２、特
開昭６３−６６５３３、特開昭６３−６６５３７、特開
昭６３−９７９１７、特開平１−１９８６８２、特開平
１−３１３５８９等）。これら特許は、主に無機化合物
の材料や蒸着条件に関するものである。
文献や（例えば、W. Urbach，M. Boix，and E. Guyon，
Alignment of nematics and smectics on evaporated f
ilms，Applied Physics Letters，Ｖｏｌ．２５，Ｎ
ｏ．９，１ Ｐ４７９，１９７４）、多くの特許出願が
なされている（例えば、特開昭６２−１６１１２２、特
開昭６３−６６５３３、特開昭６３−６６５３７、特開
昭６３−９７９１７、特開平１−１９８６８２、特開平
１−３１３５８９等）。これら特許は、主に無機化合物
の材料や蒸着条件に関するものである。
【０００８】しかしながら、無機化合物の斜方蒸着層
は、微細なカラム構造を形成するため表面積が大きくな
っており、さらに有機膜よりも親水性が高いことから水
分が吸着しやすいという問題がある。配向膜上に残存す
る水分は、液晶分子の配向性やスイッチング特性に影響
を与えるため好ましくない。さらに、強誘電性液晶表示
素子においては、有機配向膜を用いた場合であっても、
例えば洗浄水が残っている場合、ツイストが発生したり
メモリー状態が焼き付くなどの悪影響が出てしまう。こ
のような理由から、斜方蒸着膜を用いた液晶表示素子の
場合、セルヘ液晶を注入する前にセルを充分乾燥し、好
ましくは減圧加熱によって充分に水分除去することが必
要である。しかし、微細なカラム構造を有しているた
め、充分に水分を除去するにはかなり厳しい脱水条件が
必要である。さらに、斜方蒸着膜を使用した場合、液晶
材料を注入後加熱処理すると、セル中に気泡が発生す
る。気泡の発生を防ぐ方法としても、特開平５−８０３
３９では、３００℃以上の温度で斜方蒸着後の基板をア
ニール処理する方法を提案している。しかし、上述のよ
うな水分の除去、気泡発生の防止等のために必要な３０
０℃以上の高温での前処理は繁雑であり、またアニール
温度が高温になるとガラス基板のひずみや変形、ＩＴＯ
の抵抗値の変化など、好ましくない問題が発生する。し
かも、一旦水分を除去した後、再吸着を防ぐために、保
存・処理工程でも乾燥条件下、好ましくは窒素雰囲気下
などで行わなければならないため、実用的であるとはい
えない。
は、微細なカラム構造を形成するため表面積が大きくな
っており、さらに有機膜よりも親水性が高いことから水
分が吸着しやすいという問題がある。配向膜上に残存す
る水分は、液晶分子の配向性やスイッチング特性に影響
を与えるため好ましくない。さらに、強誘電性液晶表示
素子においては、有機配向膜を用いた場合であっても、
例えば洗浄水が残っている場合、ツイストが発生したり
メモリー状態が焼き付くなどの悪影響が出てしまう。こ
のような理由から、斜方蒸着膜を用いた液晶表示素子の
場合、セルヘ液晶を注入する前にセルを充分乾燥し、好
ましくは減圧加熱によって充分に水分除去することが必
要である。しかし、微細なカラム構造を有しているた
め、充分に水分を除去するにはかなり厳しい脱水条件が
必要である。さらに、斜方蒸着膜を使用した場合、液晶
材料を注入後加熱処理すると、セル中に気泡が発生す
る。気泡の発生を防ぐ方法としても、特開平５−８０３
３９では、３００℃以上の温度で斜方蒸着後の基板をア
ニール処理する方法を提案している。しかし、上述のよ
うな水分の除去、気泡発生の防止等のために必要な３０
０℃以上の高温での前処理は繁雑であり、またアニール
温度が高温になるとガラス基板のひずみや変形、ＩＴＯ
の抵抗値の変化など、好ましくない問題が発生する。し
かも、一旦水分を除去した後、再吸着を防ぐために、保
存・処理工程でも乾燥条件下、好ましくは窒素雰囲気下
などで行わなければならないため、実用的であるとはい
えない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は従来
より穏やかな条件下で製造することができる、安定で優
れた無機斜方蒸着膜を有する液晶表示素子を提供して、
上記問題を解決することを目的とする。
より穏やかな条件下で製造することができる、安定で優
れた無機斜方蒸着膜を有する液晶表示素子を提供して、
上記問題を解決することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
方の配向膜がシラン処理された無機化合物の斜方蒸着膜
であることを特徴とする、一方または両方の内面に透明
電極および配向膜が順次形成された一対の基板間に液晶
層が狭持されている液晶表示素子を提供する。本発明の
液晶表示素子は、無機蒸着膜表面に存在する水酸基や吸
着水分がシラン処理剤で疎水性処理されているため、水
分の吸着を防ぎ、より乾燥しやすくなっている点に特徴
がある。
方の配向膜がシラン処理された無機化合物の斜方蒸着膜
であることを特徴とする、一方または両方の内面に透明
電極および配向膜が順次形成された一対の基板間に液晶
層が狭持されている液晶表示素子を提供する。本発明の
液晶表示素子は、無機蒸着膜表面に存在する水酸基や吸
着水分がシラン処理剤で疎水性処理されているため、水
分の吸着を防ぎ、より乾燥しやすくなっている点に特徴
がある。
【００１１】本発明で使用する蒸着膜用の無機化合物と
しては、酸化ケイ素、酸化イットリウム、酸化マグネシ
ウム、酸化ジルコニウム等の無機酸化物が挙げられる。
また、斜方蒸着膜の形成は、従来技術の欄で列挙した文
献や公報に記載されているような当業者に公知の手段に
より行うことができる。
しては、酸化ケイ素、酸化イットリウム、酸化マグネシ
ウム、酸化ジルコニウム等の無機酸化物が挙げられる。
また、斜方蒸着膜の形成は、従来技術の欄で列挙した文
献や公報に記載されているような当業者に公知の手段に
より行うことができる。
【００１２】また、本発明で使用するシラン処理剤とし
ては、トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラ
ン、トリクロロフェニルシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、ジクロロメチルシラン、ジクロロエチルシラン、ジ
クロロメチルフェニルシラン、トリメチルクロロシラ
ン、トリメチルヨードシラン、トリメチルシアノシラ
ン、ジメチルクロロシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロ
シラン、トリエチルクロロシラン、トリ−ｎ−プロピル
クロロシラン、トリ−ｎ−ブチルクロロシラン、トリフ
ェニルクロロシラン、トリメチルシリルイミダゾール、
トリメチルシリルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノトリメチルシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノトリメチ
ルシラン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシ
ラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）尿素、
Ｎ，Ｎ’−ビス（トリエチルシリル）尿素、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノトリメチルシラン、Ｎ−トリメチルシリル
フェニル尿素のようなシリル化剤や、トリメトキシメチ
ルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシフ
ェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキ
シジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメト
キシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキ
シジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシランのよ
うなシランカップリング剤などがあげられる。
ては、トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラ
ン、トリクロロフェニルシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、ジクロロメチルシラン、ジクロロエチルシラン、ジ
クロロメチルフェニルシラン、トリメチルクロロシラ
ン、トリメチルヨードシラン、トリメチルシアノシラ
ン、ジメチルクロロシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロ
シラン、トリエチルクロロシラン、トリ−ｎ−プロピル
クロロシラン、トリ−ｎ−ブチルクロロシラン、トリフ
ェニルクロロシラン、トリメチルシリルイミダゾール、
トリメチルシリルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノトリメチルシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノトリメチ
ルシラン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシ
ラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）尿素、
Ｎ，Ｎ’−ビス（トリエチルシリル）尿素、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノトリメチルシラン、Ｎ−トリメチルシリル
フェニル尿素のようなシリル化剤や、トリメトキシメチ
ルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシフ
ェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキ
シジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメト
キシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキ
シジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシランのよ
うなシランカップリング剤などがあげられる。
【００１３】シラン処理は、加熱したシリル化剤あるい
はシランカップリング剤の蒸気に斜方蒸着を施したガラ
ス基板を曝すことにより容易に行うことができる。ま
た、少量の水と加水分解用触媒（例えば塩酸、酢酸等）
を含む溶媒にシランを溶解させ、この溶液に基板を浸漬
させて反応させる方法や、クロロシラン系シラン処理剤
を３級アミンと混合し、その中に基板を浸漬させる方法
などもある。これらの方法で使用する溶媒としては、ア
ルコール類、ベンゼン、ハロゲン化炭化水素等を挙げる
ことができる。反応後は、トルエン、ヘキサン等で余分
のシラン化合物や副生成物を洗い流した後、溶媒を除去
するために例えば約１００℃で乾燥するのが好ましい。
また、水とシラン処理剤との副反応を抑え、シラン処理
剤の使用量を少なくするために、シラン処理の前になる
べく基板を乾燥させておくことが好ましい。
はシランカップリング剤の蒸気に斜方蒸着を施したガラ
ス基板を曝すことにより容易に行うことができる。ま
た、少量の水と加水分解用触媒（例えば塩酸、酢酸等）
を含む溶媒にシランを溶解させ、この溶液に基板を浸漬
させて反応させる方法や、クロロシラン系シラン処理剤
を３級アミンと混合し、その中に基板を浸漬させる方法
などもある。これらの方法で使用する溶媒としては、ア
ルコール類、ベンゼン、ハロゲン化炭化水素等を挙げる
ことができる。反応後は、トルエン、ヘキサン等で余分
のシラン化合物や副生成物を洗い流した後、溶媒を除去
するために例えば約１００℃で乾燥するのが好ましい。
また、水とシラン処理剤との副反応を抑え、シラン処理
剤の使用量を少なくするために、シラン処理の前になる
べく基板を乾燥させておくことが好ましい。
【００１４】本発明の液晶表示素子は、シラン処理され
た無機化合物の斜方蒸着基板を用いて、当業者に周知の
方法により製造することができる。シラン処理された無
機化合物の斜方蒸着膜は、本発明の液晶表示素子の基板
の一方の内面のみに形成されていてもよいし、両方の内
面に形成されていてもよい。一方の内面のみに形成され
ている場合は、他方の内面には配向膜が形成されていな
くてもよいし、当業者に公知のいずれの配向膜が形成さ
れていてもよい。他の配向膜としては、有機配向膜が挙
げられ、例えば一般にネマチックまたは強誘電性液晶の
配向膜として使用されるポリアミド、ポリイミド、ポリ
ビニルアルコール系の高分子配向膜やシランカップリン
グ剤などをラビングして使用することができる。本発明
の液晶表示素子には、様々な種類の液晶を使用すること
ができるが、その中でも強誘電性液晶を用いるのが好ま
しい。
た無機化合物の斜方蒸着基板を用いて、当業者に周知の
方法により製造することができる。シラン処理された無
機化合物の斜方蒸着膜は、本発明の液晶表示素子の基板
の一方の内面のみに形成されていてもよいし、両方の内
面に形成されていてもよい。一方の内面のみに形成され
ている場合は、他方の内面には配向膜が形成されていな
くてもよいし、当業者に公知のいずれの配向膜が形成さ
れていてもよい。他の配向膜としては、有機配向膜が挙
げられ、例えば一般にネマチックまたは強誘電性液晶の
配向膜として使用されるポリアミド、ポリイミド、ポリ
ビニルアルコール系の高分子配向膜やシランカップリン
グ剤などをラビングして使用することができる。本発明
の液晶表示素子には、様々な種類の液晶を使用すること
ができるが、その中でも強誘電性液晶を用いるのが好ま
しい。
【００１５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明の特徴および効
果を具体的に示すが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
果を具体的に示すが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
【００１６】（実施例１）ピンホールの開いた、蓋付き
タンタル製ボートにＳｉＯ粉末を入れ、それを抵抗加熱
することによりＩＴＯが設けられたガラス基板上に、膜
厚４００ÅのＳｉＯ斜方蒸着膜を形成した。蒸着時の真
空度、蒸着速度および蒸着角度はそれぞれ、１０-5トー
ル、７Å／秒、８５°であった。
タンタル製ボートにＳｉＯ粉末を入れ、それを抵抗加熱
することによりＩＴＯが設けられたガラス基板上に、膜
厚４００ÅのＳｉＯ斜方蒸着膜を形成した。蒸着時の真
空度、蒸着速度および蒸着角度はそれぞれ、１０-5トー
ル、７Å／秒、８５°であった。
【００１７】トリメチルクロロシラン１０重量部、トリ
エチルアミン１０重量部、トルエン８０重量部の溶液に
上記ＳｉＯ斜方蒸着基板を浸漬した。基板表面についた
副生成物の塩を水で洗い流し、さらにヘキサン中で超音
波洗浄を行って、１２０℃でヘキサンを減圧乾燥した。
エチルアミン１０重量部、トルエン８０重量部の溶液に
上記ＳｉＯ斜方蒸着基板を浸漬した。基板表面についた
副生成物の塩を水で洗い流し、さらにヘキサン中で超音
波洗浄を行って、１２０℃でヘキサンを減圧乾燥した。
【００１８】このようにシラン処理されたＳｉＯ斜方蒸
着基板を用いて、１．５μｍのセルギャップで蒸着方向
が平行になるようにセルを作製した。その間に下記に示
す特性を有する強誘電性液晶（ヘキスト社製）を、真空
オーブン中にてネマチック相で注入した。
着基板を用いて、１．５μｍのセルギャップで蒸着方向
が平行になるようにセルを作製した。その間に下記に示
す特性を有する強誘電性液晶（ヘキスト社製）を、真空
オーブン中にてネマチック相で注入した。
【００１９】
【表１】 このようにして製造した、液晶セルは欠陥のないモノド
メインを形成していた。このセルに室温で７０μ秒、±
２０Ｖの電圧パルスを印加したときスイッチングした。
このセル中での有効コーン角は４３°で、メモリ時のコ
ントラストは２００以上であった。また、このセルを１
１０℃で２４時間で貯蔵したが配向、スイッチング特性
等に変化はなかった。
メインを形成していた。このセルに室温で７０μ秒、±
２０Ｖの電圧パルスを印加したときスイッチングした。
このセル中での有効コーン角は４３°で、メモリ時のコ
ントラストは２００以上であった。また、このセルを１
１０℃で２４時間で貯蔵したが配向、スイッチング特性
等に変化はなかった。
【００２０】（実施例２）実施例１において、トリメチ
ルクロロシランの代わりにヘキサメチルジシラザンを用
いた。冷却管を備えた反応器内にヘキサメチルジシラザ
ンとＳｉＯ斜方蒸着基板を仕込み、１２０℃に加熱、沸
騰させてその蒸気で基板表面を処理した。３０分間反応
させた後、実施例１と同様の後処理を行いセルを作製
し、液晶の評価を行った。配向、その他の特性は実施例
１と同様の結果であった。
ルクロロシランの代わりにヘキサメチルジシラザンを用
いた。冷却管を備えた反応器内にヘキサメチルジシラザ
ンとＳｉＯ斜方蒸着基板を仕込み、１２０℃に加熱、沸
騰させてその蒸気で基板表面を処理した。３０分間反応
させた後、実施例１と同様の後処理を行いセルを作製
し、液晶の評価を行った。配向、その他の特性は実施例
１と同様の結果であった。
【００２１】（実施例３）実施例２において、ヘキサメ
チルジシラザンの代わりにＮ，Ｎ’−ビス（トリメチル
シリル）アセトアミドを用いた。冷却管を備えた反応器
内にＮ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド
とＳｉＯ斜方蒸着基板を仕込み、１００℃に加熱、沸騰
させてその蒸気で基板表面を処理した。３０分間反応さ
せた後、実施例１と同様の後処理を行ってセルを作製
し、液晶の評価を行った。配向、その他の特性は実施例
１と同様の結果であった。
チルジシラザンの代わりにＮ，Ｎ’−ビス（トリメチル
シリル）アセトアミドを用いた。冷却管を備えた反応器
内にＮ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド
とＳｉＯ斜方蒸着基板を仕込み、１００℃に加熱、沸騰
させてその蒸気で基板表面を処理した。３０分間反応さ
せた後、実施例１と同様の後処理を行ってセルを作製
し、液晶の評価を行った。配向、その他の特性は実施例
１と同様の結果であった。
【００２２】（実施例４）実施例２において、ヘキサメ
チルジシラザンの代わりにジメチルジメトキシシランを
用いた。冷却管を備えた反応器内にジメチルジメトキシ
シランとＳｉＯ斜方蒸着基板を仕込み、１００℃に加
熱、沸騰させてその蒸気で基板表面を処理した。３０分
間反応させた後、実施例１と同様の後処理を行いセルを
作製し、液晶の評価を行った。配向、その他特性は実施
例１と同様の結果であった。
チルジシラザンの代わりにジメチルジメトキシシランを
用いた。冷却管を備えた反応器内にジメチルジメトキシ
シランとＳｉＯ斜方蒸着基板を仕込み、１００℃に加
熱、沸騰させてその蒸気で基板表面を処理した。３０分
間反応させた後、実施例１と同様の後処理を行いセルを
作製し、液晶の評価を行った。配向、その他特性は実施
例１と同様の結果であった。
【００２３】（比較例１）実施例１のシラン処理前のＳ
ｉＯ斜方蒸着基板を１２０℃で２時間減圧下で脱水乾燥
後、セルを作製して実施例１と同様の評価をおこなっ
た。注入直後の性能は、実施例１と同様であったが、１
１０℃で２４時間貯蔵後、配向が乱れていた。また、セ
ル中に気泡の発生がみられた。さらに、スメクチックＣ
相からスメクチックＡ相への転移温度が２℃低下し、し
きい値電圧も１０％高くなった。
ｉＯ斜方蒸着基板を１２０℃で２時間減圧下で脱水乾燥
後、セルを作製して実施例１と同様の評価をおこなっ
た。注入直後の性能は、実施例１と同様であったが、１
１０℃で２４時間貯蔵後、配向が乱れていた。また、セ
ル中に気泡の発生がみられた。さらに、スメクチックＣ
相からスメクチックＡ相への転移温度が２℃低下し、し
きい値電圧も１０％高くなった。
【００２４】（比較例２）比較例１のシラン処理前のＳ
ｉＯ斜方蒸着基板の脱水乾燥条件を２００℃で２時間減
圧下とし、セルを作製して比較例１と同様の評価をおこ
なった。注入直後の性能は、やはり実施例１と同様であ
ったが、１１０℃で２４時間貯蔵後、若干配向が乱れて
いた。セル中の気泡は比較例１と比較すると少なかった
が発生しており、容認できるものではなかった。また、
スメクチックＣ相からスメクチックＡ相への転移温度が
１℃低下し、しきい値電圧は１０％高くなった。このよ
うに、セル作製前にＳｉＯ斜方蒸着基板を加熱乾燥する
ことによってセルの安定性は若干改良されたが、２００
℃でも不十分であった。
ｉＯ斜方蒸着基板の脱水乾燥条件を２００℃で２時間減
圧下とし、セルを作製して比較例１と同様の評価をおこ
なった。注入直後の性能は、やはり実施例１と同様であ
ったが、１１０℃で２４時間貯蔵後、若干配向が乱れて
いた。セル中の気泡は比較例１と比較すると少なかった
が発生しており、容認できるものではなかった。また、
スメクチックＣ相からスメクチックＡ相への転移温度が
１℃低下し、しきい値電圧は１０％高くなった。このよ
うに、セル作製前にＳｉＯ斜方蒸着基板を加熱乾燥する
ことによってセルの安定性は若干改良されたが、２００
℃でも不十分であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、無機化合物斜
方蒸着膜の少なくとも一方がシラン処理されていること
を特徴とする。シラン処理によって斜方蒸着膜の活性基
である水酸基が疎水化されているため、蒸着膜は水分を
吸着しにくくなっており、基板の管理がより容易になっ
ている。また、本発明の液晶表示素子は、無機化合物の
斜方蒸着膜を有する従来の液晶表示素子の製造条件より
穏やかな条件下で製造することができる。
方蒸着膜の少なくとも一方がシラン処理されていること
を特徴とする。シラン処理によって斜方蒸着膜の活性基
である水酸基が疎水化されているため、蒸着膜は水分を
吸着しにくくなっており、基板の管理がより容易になっ
ている。また、本発明の液晶表示素子は、無機化合物の
斜方蒸着膜を有する従来の液晶表示素子の製造条件より
穏やかな条件下で製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 晴彦 埼玉県川越市南台１−３−２ ヘキストジ ャパン株式会社先端材料技術研究所内 (72)発明者 ヤフィーア・マネロ ドイツ連邦共和国65931 フランクフルト, ジントリンガー・バーンシュトラーセ 163
Claims (3)
- 【請求項１】一方または両方の内面に透明電極および配
向膜が順次形成された一対の基板間に液晶層が狭持され
ている液晶表示素子において、少なくとも一方の配向膜
がシラン処理された無機化合物の斜方蒸着膜であること
を特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】無機化合物が酸化ケイ素であることを特徴
とする、請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】液晶層が強誘電性液晶からなることを特徴
とする、請求項１記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15460794A JPH0822009A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15460794A JPH0822009A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822009A true JPH0822009A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15587884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15460794A Pending JPH0822009A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822009A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007163821A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 配向膜の保管方法、及び液晶デバイスの作製方法 |
| JP2007279201A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法 |
| JP2007328100A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶パネルおよびその製造方法 |
| JP2008541172A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-11-20 | オーロラ システムズ， インコーポレイテッド | 液晶ディスプレイ装置の製造方法及び該方法により製造された装置 |
| JP2011095570A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2019181308A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | ソニー株式会社 | シランカップリング材料および基板ならびにデバイス |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15460794A patent/JPH0822009A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008541172A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-11-20 | オーロラ システムズ， インコーポレイテッド | 液晶ディスプレイ装置の製造方法及び該方法により製造された装置 |
| US8164723B2 (en) | 2005-05-10 | 2012-04-24 | Omnivision Technologies, Inc. | Liquid crystal display having a thin gasket and method for manufacturing the same |
| JP2007163821A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 配向膜の保管方法、及び液晶デバイスの作製方法 |
| JP2007279201A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法 |
| JP2007328100A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶パネルおよびその製造方法 |
| JP2011095570A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2019181308A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | ソニー株式会社 | シランカップリング材料および基板ならびにデバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000515923A (ja) | 液晶組成物および配列層 | |
| JPH11305256A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH0822009A (ja) | 液晶表示素子 | |
| Jeong et al. | Homogeneous liquid crystal alignment of spin-coated strontium oxide and its application for superior LCD performance | |
| JPH08286190A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| JPS61241727A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH052169A (ja) | 液晶配向膜の製造方法 | |
| JP3302645B2 (ja) | 液晶配向膜およびこれを用いた液晶表示素子 | |
| JP3537709B2 (ja) | 液晶配向膜およびこれを用いた液晶表示装置 | |
| JPH05341288A (ja) | 強誘電性液晶デバイス | |
| JP3537713B2 (ja) | 液晶配向膜およびこれを用いた液晶表示装置 | |
| JPH04141625A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2914889B2 (ja) | 液晶表示素子および製造方法 | |
| WO2002056105A1 (en) | Method for optically aligning and network-stabilizing ferroelectric liquid crystals | |
| JPH04366920A (ja) | 液晶配向膜 | |
| JP3062978B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH0580339A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2853198B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH06230387A (ja) | 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置 | |
| JPH04251822A (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
| JPH08245962A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JPH04101118A (ja) | 強誘電性液晶を用いた表示素子 | |
| JPH04174416A (ja) | 強誘電性液晶デバイス | |
| JPH0258025A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH11281984A (ja) | 液晶配向膜、液晶配向膜の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |