JPH08220518A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH08220518A JPH08220518A JP7026437A JP2643795A JPH08220518A JP H08220518 A JPH08220518 A JP H08220518A JP 7026437 A JP7026437 A JP 7026437A JP 2643795 A JP2643795 A JP 2643795A JP H08220518 A JPH08220518 A JP H08220518A
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- Japan
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- liquid crystal
- substrate
- electrode
- layer
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】広視野角で且つ高いコントラスト比を有する液
晶表示装置を得る。また、広視野角で且つ高いコントラ
スト比を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。 【構成】液晶層に印加される電界がほぼ基板表面に平行
となるように形成された、マトリクス状の画素電極３群
とトランジスタ素子及び所定の駆動手段を有する液晶表
示装置において、電極３群上に無機物からなる絶縁層を
設置し更にその上に有機高分子からなる絶縁層を設け、
無機物からなる絶縁層１の膜厚を０.１μｍ 以上とし、
さらに、有機高分子からなる絶縁層２の膜厚を画素電極
３及び共通電極４のうちより厚い電極の膜厚の半分以上
とする。
晶表示装置を得る。また、広視野角で且つ高いコントラ
スト比を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。 【構成】液晶層に印加される電界がほぼ基板表面に平行
となるように形成された、マトリクス状の画素電極３群
とトランジスタ素子及び所定の駆動手段を有する液晶表
示装置において、電極３群上に無機物からなる絶縁層を
設置し更にその上に有機高分子からなる絶縁層を設け、
無機物からなる絶縁層１の膜厚を０.１μｍ 以上とし、
さらに、有機高分子からなる絶縁層２の膜厚を画素電極
３及び共通電極４のうちより厚い電極の膜厚の半分以上
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は広視野角で高コントラス
トの液晶表示装置及びその製造法に関する。
トの液晶表示装置及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置では、液晶層を駆動
する電極は２枚の基板上にそれぞれ形成された、対向し
ている透明電極を用いていた。これは液晶に印加する電
界の方向を基板表面にほぼ垂直な方向とすることで動作
する、ツイステッドネマチック表示方式に代表される表
示方式を採用していることによるものである。一方、液
晶に印加する電界の方向を基板表面にほぼ平行にする方
式として櫛歯電極対を用いた方式が、例えば、特公昭63
−21907号，USP4345249号，WO91／10936号，特開平6−2
22397 号等により提案されている。この場合には電極は
透明である必要は無く、導電性が高く不透明な金属電極
が用いられる。これら公知技術における液晶に印加する
電界の方向を基板表面にほぼ平行な方向にする表示方式
（以下、横電界方式と称する）は、広視野角という特徴
を有するが、高コントラスト比を得るために必要な構成
等に関してはなんら言及されていない。
する電極は２枚の基板上にそれぞれ形成された、対向し
ている透明電極を用いていた。これは液晶に印加する電
界の方向を基板表面にほぼ垂直な方向とすることで動作
する、ツイステッドネマチック表示方式に代表される表
示方式を採用していることによるものである。一方、液
晶に印加する電界の方向を基板表面にほぼ平行にする方
式として櫛歯電極対を用いた方式が、例えば、特公昭63
−21907号，USP4345249号，WO91／10936号，特開平6−2
22397 号等により提案されている。この場合には電極は
透明である必要は無く、導電性が高く不透明な金属電極
が用いられる。これら公知技術における液晶に印加する
電界の方向を基板表面にほぼ平行な方向にする表示方式
（以下、横電界方式と称する）は、広視野角という特徴
を有するが、高コントラスト比を得るために必要な構成
等に関してはなんら言及されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】横電界方式では基板表
面にほぼ平行に電界を印加するため、表示画素部に不透
明な電極を有する。そのため、縦電界方式と比較して開
口率が低下し、明状態での明るさは従来の透明電極を用
いた電界を基板表面にほぼ垂直な方向に印加する方式
（以下、縦電界方式と称する）と比較して小さくなる。
その不透明な電極上では通常用いられるＳｉＮ等の保護
膜を設けても基板表面に凹凸が存在する。そのため、ラ
ビングによる配向処理を行ってもその凹凸部分にエッジ
ドメインが生じやすく、暗状態において光漏れが生じ
る。以上の理由から横電界方式では明状態と暗状態の明
るさの差、いわゆるコントラスト比が低いという問題を
有する。本発明の目的は、広視野角で高いコントラスト
比を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供するこ
とにある。
面にほぼ平行に電界を印加するため、表示画素部に不透
明な電極を有する。そのため、縦電界方式と比較して開
口率が低下し、明状態での明るさは従来の透明電極を用
いた電界を基板表面にほぼ垂直な方向に印加する方式
（以下、縦電界方式と称する）と比較して小さくなる。
その不透明な電極上では通常用いられるＳｉＮ等の保護
膜を設けても基板表面に凹凸が存在する。そのため、ラ
ビングによる配向処理を行ってもその凹凸部分にエッジ
ドメインが生じやすく、暗状態において光漏れが生じ
る。以上の理由から横電界方式では明状態と暗状態の明
るさの差、いわゆるコントラスト比が低いという問題を
有する。本発明の目的は、広視野角で高いコントラスト
比を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、発明者らは鋭意検討した結果、以下の手段を見いだ
した。
め、発明者らは鋭意検討した結果、以下の手段を見いだ
した。
【０００５】手段１として、表示画素が走査信号電極，
映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジスタ素
子により基板上に構成され、前記基板には液晶の配向膜
が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記基板は
前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、前記基
板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液晶層に
対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように構成さ
れ、前記電極群は外部の制御手段と接続されており、前
記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備えた液晶
表示装置において、前記基板上に形成された前記絶縁膜
が２層構造であり、前記電極群と接する層が無機物から
なる層であり且つ前記配向膜或いは前記液晶層と接する
層が有機高分子を含む層であって、前記無機物からなる
層の膜厚が０.１μｍ 以上であり、前記有機高分子を含
む層の膜厚が前記画素電極及び前記共通電極のうちより
厚い電極の膜厚の半分以上であることを特徴とする液晶
表示装置を発明した。
映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジスタ素
子により基板上に構成され、前記基板には液晶の配向膜
が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記基板は
前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、前記基
板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液晶層に
対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように構成さ
れ、前記電極群は外部の制御手段と接続されており、前
記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備えた液晶
表示装置において、前記基板上に形成された前記絶縁膜
が２層構造であり、前記電極群と接する層が無機物から
なる層であり且つ前記配向膜或いは前記液晶層と接する
層が有機高分子を含む層であって、前記無機物からなる
層の膜厚が０.１μｍ 以上であり、前記有機高分子を含
む層の膜厚が前記画素電極及び前記共通電極のうちより
厚い電極の膜厚の半分以上であることを特徴とする液晶
表示装置を発明した。
【０００６】手段１により広視野角で高いコントラスト
比を有する液晶表示装置を提供できる。
比を有する液晶表示装置を提供できる。
【０００７】また、手段２として、表示画素が走査信号
電極，映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジ
スタ素子により基板上に構成され、前記基板には液晶の
配向膜が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記
基板は前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、
前記基板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液
晶層に対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように
構成され、前記電極群は外部の制御手段と接続されてお
り、前記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備え
た液晶表示装置において、前記トランジスタ素子の半導
体層が有機半導体であり、且つ前記基板上に形成された
前記絶縁膜が有機高分子を含む層であって、前記有機高
分子を含む層の膜厚が０.１μｍ 以上であり且つ前記画
素電極及び前記共通電極のうちより厚い電極の膜厚の半
分以上であることを特徴とする液晶表示装置を発明し
た。
電極，映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジ
スタ素子により基板上に構成され、前記基板には液晶の
配向膜が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記
基板は前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、
前記基板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液
晶層に対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように
構成され、前記電極群は外部の制御手段と接続されてお
り、前記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備え
た液晶表示装置において、前記トランジスタ素子の半導
体層が有機半導体であり、且つ前記基板上に形成された
前記絶縁膜が有機高分子を含む層であって、前記有機高
分子を含む層の膜厚が０.１μｍ 以上であり且つ前記画
素電極及び前記共通電極のうちより厚い電極の膜厚の半
分以上であることを特徴とする液晶表示装置を発明し
た。
【０００８】また手段３として、前記絶縁膜の有機高分
子を含む層の膜厚が、前記画素電極及び前記共通電極の
うちより厚い電極の膜厚以上であることを特徴とする手
段１及び手段２記載の液晶表示装置を発明した。
子を含む層の膜厚が、前記画素電極及び前記共通電極の
うちより厚い電極の膜厚以上であることを特徴とする手
段１及び手段２記載の液晶表示装置を発明した。
【０００９】また、手段４として、表示画素が走査信号
電極，映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジ
スタ素子により基板上に構成され、前記基板には液晶の
配向膜が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記
基板は前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、
前記基板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液
晶層に対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように
構成され、前記電極群は外部の制御手段と接続されてお
り、前記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備え
た液晶表示装置の製造方法において、有機高分子を含む
溶液を作成する工程及び前記溶液を用いて印刷転写法に
より絶縁膜を形成する工程を用いることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法を発明した。
電極，映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジ
スタ素子により基板上に構成され、前記基板には液晶の
配向膜が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記
基板は前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、
前記基板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液
晶層に対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように
構成され、前記電極群は外部の制御手段と接続されてお
り、前記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備え
た液晶表示装置の製造方法において、有機高分子を含む
溶液を作成する工程及び前記溶液を用いて印刷転写法に
より絶縁膜を形成する工程を用いることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法を発明した。
【００１０】また、手段５として、表示画素が走査信号
電極，映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジ
スタ素子により基板上に構成され、前記基板には液晶の
配向膜が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記
基板は前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、
前記基板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液
晶層に対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように
構成され、前記電極群は外部の制御手段と接続されてお
り、前記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備え
た液晶表示装置の製造方法において、有機高分子を含む
溶液を作成する工程及び前記溶液を用いて回転塗布法に
より絶縁膜を形成する工程を用いることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法を発明した。
電極，映像信号電極，画素電極，共通電極及びトランジ
スタ素子により基板上に構成され、前記基板には液晶の
配向膜が直接又は絶縁層を介して形成されており、前記
基板は前記配向膜を形成した基板と対向して配置され、
前記基板により液晶層が挾持され、前記電極群は前記液
晶層に対し前記基板と概ね平行な電界を印加するように
構成され、前記電極群は外部の制御手段と接続されてお
り、前記液晶層の光学特性を変化させる偏光手段を備え
た液晶表示装置の製造方法において、有機高分子を含む
溶液を作成する工程及び前記溶液を用いて回転塗布法に
より絶縁膜を形成する工程を用いることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法を発明した。
【００１１】また、手段６として、手段４及び５記載の
有機高分子を含む溶液を作成する工程において、レベリ
ング剤を溶液に加えることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法を発明した。
有機高分子を含む溶液を作成する工程において、レベリ
ング剤を溶液に加えることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法を発明した。
【００１２】
【作用】表面の凹凸を少なくし暗状態での光漏れを抑制
するためには有機高分子の溶液を用い、印刷転写法や回
転塗布法などの湿式法により塗布し乾燥することにより
絶縁層を形成すればよいと考えられる。その溶液を塗布
した際、溶液が基板表面に平行な方向に広がることによ
って表面の凹凸が減少すると考えられる。しかし、有機
高分子を含む層のみで絶縁層を形成した場合、高いコン
トラスト比が得られないことが判明した。この原因は不
明であるが、有機高分子を含む層を形成する際に溶液が
トランジスタ素子に接するためトランジスタ素子の特性
が悪化したためではないかと考えられる。
するためには有機高分子の溶液を用い、印刷転写法や回
転塗布法などの湿式法により塗布し乾燥することにより
絶縁層を形成すればよいと考えられる。その溶液を塗布
した際、溶液が基板表面に平行な方向に広がることによ
って表面の凹凸が減少すると考えられる。しかし、有機
高分子を含む層のみで絶縁層を形成した場合、高いコン
トラスト比が得られないことが判明した。この原因は不
明であるが、有機高分子を含む層を形成する際に溶液が
トランジスタ素子に接するためトランジスタ素子の特性
が悪化したためではないかと考えられる。
【００１３】そこで発明者らは、手段１で述べたように
絶縁膜を２層構造とし、電極及びトランジスタ素子に接
する層を無機物からなる層とし、配向膜或いは液晶層と
接する層を有機高分子を含む層とすることを考案した。
電極群を有する基板の断面模式図の一例を図１に示し
た。図に示した無機絶縁膜１の膜厚ｔ1 、有機高分子膜
２の膜厚ｔ2 、画素電極３の膜厚ｔ3 及び共通電極４の
膜厚ｔ4 をパラメータとして高いコントラスト比が得ら
れる条件を鋭意検討した結果、ｔ1 が０.１μｍ以上で
あって、且つ、ｔ2 がｔ3 及びｔ4 のうち大きい方の半
分以上であれば充分高いコントラスト比が得られること
を見いだし本発明に到った。
絶縁膜を２層構造とし、電極及びトランジスタ素子に接
する層を無機物からなる層とし、配向膜或いは液晶層と
接する層を有機高分子を含む層とすることを考案した。
電極群を有する基板の断面模式図の一例を図１に示し
た。図に示した無機絶縁膜１の膜厚ｔ1 、有機高分子膜
２の膜厚ｔ2 、画素電極３の膜厚ｔ3 及び共通電極４の
膜厚ｔ4 をパラメータとして高いコントラスト比が得ら
れる条件を鋭意検討した結果、ｔ1 が０.１μｍ以上で
あって、且つ、ｔ2 がｔ3 及びｔ4 のうち大きい方の半
分以上であれば充分高いコントラスト比が得られること
を見いだし本発明に到った。
【００１４】ｔ1 が０.１μｍ 以上必要であるのは、ト
ランジスタ素子の表面が無機絶縁層で充分覆われている
ため、その層の上に有機高分子からなる層を形成する
際、溶媒等がトランジスタ素子の表面に接しずトランジ
スタ素子の特性が悪化しなかったものと考えられる。ま
た、ｔ2 がｔ3 及びｔ4 のうち大きい方の半分以上必要
であるのは、そのような膜厚の有機高分子膜を形成する
ことにより、基板表面の凹凸が小さくなり、基板表面全
域にわたってラビングが行われたためと考えられる。
ランジスタ素子の表面が無機絶縁層で充分覆われている
ため、その層の上に有機高分子からなる層を形成する
際、溶媒等がトランジスタ素子の表面に接しずトランジ
スタ素子の特性が悪化しなかったものと考えられる。ま
た、ｔ2 がｔ3 及びｔ4 のうち大きい方の半分以上必要
であるのは、そのような膜厚の有機高分子膜を形成する
ことにより、基板表面の凹凸が小さくなり、基板表面全
域にわたってラビングが行われたためと考えられる。
【００１５】また、手段２に述べたように、発明者らの
検討の結果、トランジスタ素子の半導体層に有機半導体
を用いた場合には、絶縁層に有機高分子を含む層のみを
用いても、高いコントラスト比が得られることがわかっ
た。これは、有機半導体はａ−Ｓｉ等の無機半導体と異
なり表面に非結合手が無い分子性結晶であるため、絶縁
層形成用の溶媒が半導体表面と接触しても半導体のエネ
ルギ順位に影響をおよぼすことが無く、トランジスタ素
子の特性に影響を及ぼさなかったものと推察する。
検討の結果、トランジスタ素子の半導体層に有機半導体
を用いた場合には、絶縁層に有機高分子を含む層のみを
用いても、高いコントラスト比が得られることがわかっ
た。これは、有機半導体はａ−Ｓｉ等の無機半導体と異
なり表面に非結合手が無い分子性結晶であるため、絶縁
層形成用の溶媒が半導体表面と接触しても半導体のエネ
ルギ順位に影響をおよぼすことが無く、トランジスタ素
子の特性に影響を及ぼさなかったものと推察する。
【００１６】有機高分子を含む層を設けることにより表
面の凹凸を低減する効果は、手段６で述べたような変性
シロキサン等のレベリング剤を用いることにより、さら
に表面の凹凸が小さくなり、電極部の光漏れが少なくな
ったため、更に高いコントラスト比を有する液晶表示装
置が得られたものと考えられる。
面の凹凸を低減する効果は、手段６で述べたような変性
シロキサン等のレベリング剤を用いることにより、さら
に表面の凹凸が小さくなり、電極部の光漏れが少なくな
ったため、更に高いコントラスト比を有する液晶表示装
置が得られたものと考えられる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００１８】［実施例１］図２は本発明の第一の実施例
の単位画素における各種電極の構造を示した説明図であ
る。研磨したガラス基板上に走査信号電極６を形成し、
走査信号電極の表面はＡｌの陽極酸化膜であるアルミナ
膜で被覆した。走査信号電極を覆うようにゲート絶縁膜
となるＳｉＮ（ゲートＳｉＮ）膜７と非晶質Ｓｉ(ａ−
Ｓｉ)膜８を形成し、このａ−Ｓｉ膜上にｎ型ａ−Ｓｉ
膜、画素電極３及び映像信号電極５を形成した。更に、
画素電極及び映像信号電極と同層に共通電極４を形成し
た。画素電極及び共通電極の膜厚はいずれも０.５μｍ
とした。画素電極及び信号電極の構造としては、図２に
示すようにいずれもストライプ状の共通電極と平行で走
査信号電極と交差するような構造とし一方の基板状にト
ランジスタ素子９及び金属電極群が形成された。これら
によって一方の基板状の画素電極、共通電極間に電界が
かかり、且つ、其の方向が基板表面にほぼ平行になるよ
うにした。基板状の電極はいずれもアルミニウムからな
るが電気抵抗の低い金属製のものであれば特に材料の制
約はなく、クロム，銅、等でもよい。画素数は４０(Ｘ
３)Ｘ３０で、画素ピッチは横方向（即ち共通電極間）
は８０μｍ、縦方向（即ち走査信号電極間）は２４０μ
ｍである。共通電極の幅は１２μｍであり、隣接する共
通電極の間隙の６８μｍよりも狭くし、高い開口率を確
保した。また、トランジスタ素子を有する基板に相対向
する基板上にストライプ状のＲ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフ
ィルタを備えた。カラーフィルタの上には表面を平坦化
する透明樹脂を積層した。透明樹脂の材料としてはエポ
キシ樹脂を用いた。更にこの透明樹脂上にポリイミド系
の配向膜を塗布した。パネルには図３のように駆動ＬＳ
Ｉが接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査回路１０，映像
信号駆動回路１１を接続し、電源回路及びコントローラ
１２から走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号
を供給し、アクティブマトリクス駆動した。
の単位画素における各種電極の構造を示した説明図であ
る。研磨したガラス基板上に走査信号電極６を形成し、
走査信号電極の表面はＡｌの陽極酸化膜であるアルミナ
膜で被覆した。走査信号電極を覆うようにゲート絶縁膜
となるＳｉＮ（ゲートＳｉＮ）膜７と非晶質Ｓｉ(ａ−
Ｓｉ)膜８を形成し、このａ−Ｓｉ膜上にｎ型ａ−Ｓｉ
膜、画素電極３及び映像信号電極５を形成した。更に、
画素電極及び映像信号電極と同層に共通電極４を形成し
た。画素電極及び共通電極の膜厚はいずれも０.５μｍ
とした。画素電極及び信号電極の構造としては、図２に
示すようにいずれもストライプ状の共通電極と平行で走
査信号電極と交差するような構造とし一方の基板状にト
ランジスタ素子９及び金属電極群が形成された。これら
によって一方の基板状の画素電極、共通電極間に電界が
かかり、且つ、其の方向が基板表面にほぼ平行になるよ
うにした。基板状の電極はいずれもアルミニウムからな
るが電気抵抗の低い金属製のものであれば特に材料の制
約はなく、クロム，銅、等でもよい。画素数は４０(Ｘ
３)Ｘ３０で、画素ピッチは横方向（即ち共通電極間）
は８０μｍ、縦方向（即ち走査信号電極間）は２４０μ
ｍである。共通電極の幅は１２μｍであり、隣接する共
通電極の間隙の６８μｍよりも狭くし、高い開口率を確
保した。また、トランジスタ素子を有する基板に相対向
する基板上にストライプ状のＲ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフ
ィルタを備えた。カラーフィルタの上には表面を平坦化
する透明樹脂を積層した。透明樹脂の材料としてはエポ
キシ樹脂を用いた。更にこの透明樹脂上にポリイミド系
の配向膜を塗布した。パネルには図３のように駆動ＬＳ
Ｉが接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査回路１０，映像
信号駆動回路１１を接続し、電源回路及びコントローラ
１２から走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号
を供給し、アクティブマトリクス駆動した。
【００１９】一方、上下基板上のラビング方向は互いに
ほぼ平行で、且つ印加電界方向とのなす角を１５度（φ
ＬＣ１＝φＬＣ２＝１５°）とした（図４）。ギャップ
ｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して狭持し、液
晶封入状態で６.５μｍ とした。２枚の偏光板（日東電
工社製、G1220DU)でパネルをはさみ、一方の偏光板の偏
光透過軸をラビング方向にほぼ平行、即ちφＰ１＝１５
°とし、他方をそれに直交、即ちφＰ２＝−７５°とし
た。これにより、ノーマリクローズ特性を得た。基板間
にはトランス、トランス−４，４′−ジペンチル−トラ
ンス−１，１′−ジシクロヘキサン−４−カルボニトリ
ルを主成分とした誘電異方性Δεが負のＺＬＩ−２８０
６（メルク社製）を狭持した。無機絶縁層１にはＳｉＮ
を用い、膜厚を約０.６μｍ とした。有機高分子膜２に
はエポキシ樹脂を用いた。ポリグリシジルメタクリレー
ト５ｇ，３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，
４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート３ｇ，無
水トリメリット酸２ｇをエチルセロソルブアセテートと
ジエチルレングリコールジメチルエーテルとの混合溶媒
５０ｇ（混合比７５：２５ｗｔ％）に溶解し其の塗液を
用い、ドクターロール式ロールコータを用い転写ロール
と基板との接地幅が５mmとなるように基板を設置し、印
刷転写法により上記溶液を印刷転写した。その後１８０
℃で１時間焼成した。膜厚を約０.３μｍ とした。この
有機絶縁層用有機高分子は特にエポキシ樹脂に限定され
るわけではなく、例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル
系樹脂などの絶縁性を有し且つ焼成により溶媒への溶解
度が低下するものであればよい。配向膜には２，２−ビ
ス［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニルプロパン］
とピロメリット酸二水物からなるポリイミド配向膜を用
いた。このように作製したパネルのコントラスト比は電
圧無印加の状態（暗状態）での光透過率及び光透過率が
最大となる電圧下（明状態）での光透過率を共通電極と
画素電極の間の領域（両電極上を含む）について測定
し、其の光透過率の比からコントラスト比を求めた。こ
のようなコントラスト比の測定をパネル中の２０箇所に
ついて測定した結果、このパネルのコントラスト比の平
均は約１００であった。
ほぼ平行で、且つ印加電界方向とのなす角を１５度（φ
ＬＣ１＝φＬＣ２＝１５°）とした（図４）。ギャップ
ｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して狭持し、液
晶封入状態で６.５μｍ とした。２枚の偏光板（日東電
工社製、G1220DU)でパネルをはさみ、一方の偏光板の偏
光透過軸をラビング方向にほぼ平行、即ちφＰ１＝１５
°とし、他方をそれに直交、即ちφＰ２＝−７５°とし
た。これにより、ノーマリクローズ特性を得た。基板間
にはトランス、トランス−４，４′−ジペンチル−トラ
ンス−１，１′−ジシクロヘキサン−４−カルボニトリ
ルを主成分とした誘電異方性Δεが負のＺＬＩ−２８０
６（メルク社製）を狭持した。無機絶縁層１にはＳｉＮ
を用い、膜厚を約０.６μｍ とした。有機高分子膜２に
はエポキシ樹脂を用いた。ポリグリシジルメタクリレー
ト５ｇ，３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，
４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート３ｇ，無
水トリメリット酸２ｇをエチルセロソルブアセテートと
ジエチルレングリコールジメチルエーテルとの混合溶媒
５０ｇ（混合比７５：２５ｗｔ％）に溶解し其の塗液を
用い、ドクターロール式ロールコータを用い転写ロール
と基板との接地幅が５mmとなるように基板を設置し、印
刷転写法により上記溶液を印刷転写した。その後１８０
℃で１時間焼成した。膜厚を約０.３μｍ とした。この
有機絶縁層用有機高分子は特にエポキシ樹脂に限定され
るわけではなく、例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル
系樹脂などの絶縁性を有し且つ焼成により溶媒への溶解
度が低下するものであればよい。配向膜には２，２−ビ
ス［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニルプロパン］
とピロメリット酸二水物からなるポリイミド配向膜を用
いた。このように作製したパネルのコントラスト比は電
圧無印加の状態（暗状態）での光透過率及び光透過率が
最大となる電圧下（明状態）での光透過率を共通電極と
画素電極の間の領域（両電極上を含む）について測定
し、其の光透過率の比からコントラスト比を求めた。こ
のようなコントラスト比の測定をパネル中の２０箇所に
ついて測定した結果、このパネルのコントラスト比の平
均は約１００であった。
【００２０】次にこのパネルの縦方向及び横方向の視野
角を測定した結果、いずれの方向もコントラスト比２０
以上の領域が１２０°以上あった。
角を測定した結果、いずれの方向もコントラスト比２０
以上の領域が１２０°以上あった。
【００２１】［実施例２］図５は本発明の第二の実施例
の単位画素における各種電極の構造を示した説明図であ
る。研磨したガラス基板上に前記走査信号電極６及び共
通電極４を形成し、走査信号電極の表面はＡｌの陽極酸
化膜であるアルミナ膜で被覆した。走査信号電極及び共
通電極を覆うようにゲート絶縁膜となるＳｉＮ（ゲート
ＳｉＮ）膜７を形成した。次に非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）
膜８とこのａ−Ｓｉ膜上にｎ型ａ−Ｓｉ膜を形成した。
さらに画素電極３及び映像信号電極５を形成した。従っ
て、画素電極と共通電極は異層である。画素電極及び共
通電極の膜厚はそれぞれ0.5μｍ、０.３μｍ とした。
画素電極の構造としては、図５に示すようにＨ字状のと
し、共通電極は十字状の形を形成し、それぞれの電極の
一部が容量素子として機能するような構造にした。これ
らによって、一方の基板上の画素電極、共通電極間で電
界がかかり、且つ其の方向が基板表面にほぼ平行となる
ようにした。基板状の電極はいずれもアルミニウムから
なるが電気抵抗の低い金属製のものであれば特に材料の
制約はなく、クロム，銅、等でもよい。画素数は３２０
×１６０で、画素ピッチは横方向（即ち映像信号電極
間）は１００μｍ、縦方向（即ち走査信号電極間）は３
００μｍである。パネルには図３のように駆動ＬＳＩが
接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査回路１０，映像信号
駆動回路１１を接続し、電源回路及びコントローラ１２
から走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号を供
給し、アクティブマトリクス駆動した。
の単位画素における各種電極の構造を示した説明図であ
る。研磨したガラス基板上に前記走査信号電極６及び共
通電極４を形成し、走査信号電極の表面はＡｌの陽極酸
化膜であるアルミナ膜で被覆した。走査信号電極及び共
通電極を覆うようにゲート絶縁膜となるＳｉＮ（ゲート
ＳｉＮ）膜７を形成した。次に非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）
膜８とこのａ−Ｓｉ膜上にｎ型ａ−Ｓｉ膜を形成した。
さらに画素電極３及び映像信号電極５を形成した。従っ
て、画素電極と共通電極は異層である。画素電極及び共
通電極の膜厚はそれぞれ0.5μｍ、０.３μｍ とした。
画素電極の構造としては、図５に示すようにＨ字状のと
し、共通電極は十字状の形を形成し、それぞれの電極の
一部が容量素子として機能するような構造にした。これ
らによって、一方の基板上の画素電極、共通電極間で電
界がかかり、且つ其の方向が基板表面にほぼ平行となる
ようにした。基板状の電極はいずれもアルミニウムから
なるが電気抵抗の低い金属製のものであれば特に材料の
制約はなく、クロム，銅、等でもよい。画素数は３２０
×１６０で、画素ピッチは横方向（即ち映像信号電極
間）は１００μｍ、縦方向（即ち走査信号電極間）は３
００μｍである。パネルには図３のように駆動ＬＳＩが
接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査回路１０，映像信号
駆動回路１１を接続し、電源回路及びコントローラ１２
から走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号を供
給し、アクティブマトリクス駆動した。
【００２２】一方、上下基板上のラビング方向は互いに
ほぼ平行で、且つ印加電界方向とのなす角を１０５度
（φＬＣ１＝φＬＣ２＝１０５°）とした（図４）。ギ
ャップｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して狭持
し、液晶封入状態で４.２μｍとした。２枚の偏光板
（日東電工社製、G1220DU ）でパネルをはさみ、一方の
偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行、即ちφ
Ｐ１＝１０５°とし、他方をそれに直交、即ちφＰ２＝
１５°とした。これにより、ノーマリクローズ特性を得
た。基板間には末端に三つのフルオロ基を有する化合物
を主成分としたを主成分とした誘電異方性Δεが正の液
晶を狭持した。無機絶縁層１にはＳｉＮを用い、膜厚を
約０.３μｍ とした。有機高分子膜２にはポリイミド樹
脂を用いた。ポリイミドワニス（日立化成工業社製、Ｐ
ＩＱ−６０００）を回転速度３０００rpm 、回転時間６
０秒の条件で回転塗布法により基板上に塗布した。その
後、２００℃で１時間焼成し、有機絶縁層を得た。其の
膜厚は約０.６μｍ であった。また、配向膜には２，２
−ビス［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニルプロパ
ン］とピロメリット酸二水物からなるポリイミド配向膜
を用いた。このように作製したパネルのコントラスト比
を実施例１と同様に測定した結果、このパネルのコント
ラスト比の平均は約１２０であった。視野角を実施例１
と同様に測定した結果、いずれの方向もコントラスト比
２０以上の領域が１２０°以上あった。 ［実施例３〜６］無機絶縁膜，有機高分子膜，画素電極
及び共通電極の膜厚がそれぞれ異なる以外は実施例２と
同様に液晶表示装置を作製した。それらの無機絶縁膜，
有機高分子膜，画素電極，共通電極の膜厚及びコントラ
スト比を表１に示した。
ほぼ平行で、且つ印加電界方向とのなす角を１０５度
（φＬＣ１＝φＬＣ２＝１０５°）とした（図４）。ギ
ャップｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して狭持
し、液晶封入状態で４.２μｍとした。２枚の偏光板
（日東電工社製、G1220DU ）でパネルをはさみ、一方の
偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行、即ちφ
Ｐ１＝１０５°とし、他方をそれに直交、即ちφＰ２＝
１５°とした。これにより、ノーマリクローズ特性を得
た。基板間には末端に三つのフルオロ基を有する化合物
を主成分としたを主成分とした誘電異方性Δεが正の液
晶を狭持した。無機絶縁層１にはＳｉＮを用い、膜厚を
約０.３μｍ とした。有機高分子膜２にはポリイミド樹
脂を用いた。ポリイミドワニス（日立化成工業社製、Ｐ
ＩＱ−６０００）を回転速度３０００rpm 、回転時間６
０秒の条件で回転塗布法により基板上に塗布した。その
後、２００℃で１時間焼成し、有機絶縁層を得た。其の
膜厚は約０.６μｍ であった。また、配向膜には２，２
−ビス［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニルプロパ
ン］とピロメリット酸二水物からなるポリイミド配向膜
を用いた。このように作製したパネルのコントラスト比
を実施例１と同様に測定した結果、このパネルのコント
ラスト比の平均は約１２０であった。視野角を実施例１
と同様に測定した結果、いずれの方向もコントラスト比
２０以上の領域が１２０°以上あった。 ［実施例３〜６］無機絶縁膜，有機高分子膜，画素電極
及び共通電極の膜厚がそれぞれ異なる以外は実施例２と
同様に液晶表示装置を作製した。それらの無機絶縁膜，
有機高分子膜，画素電極，共通電極の膜厚及びコントラ
スト比を表１に示した。
【００２３】
【表１】
【００２４】いずれも高いコントラスト比を示した。ま
た視野角は、いずれの液晶表示装置もいずれの方向でも
コントラスト比２０以上の領域が１２０°以上あった。
た視野角は、いずれの液晶表示装置もいずれの方向でも
コントラスト比２０以上の領域が１２０°以上あった。
【００２５】［実施例７］図６は本発明の第三の実施例
の単位画素における各種電極の構造を示した説明図であ
る。研磨したガラス基板上に走査信号電極６及び共通電
極４を形成し、走査信号電極の表面はＡｌの陽極酸化膜
であるアルミナ膜で被覆した。走査信号電極及び共通電
極を覆うようにゲート絶縁膜となるＳｉＮ（ゲートＳｉ
Ｎ）膜７を形成した。次に有機半導体膜１３を形成し
た。有機半導体層には２，５′′′′′′−ジ（トリフ
ルオロエトキシ）セクシチオフェンを用いた。さらに画
素電極３及び映像信号電極５を形成した。従って、画素
電極と共通電極は異層である。画素電極の構造は、図６
に示すようにＨ字状のとし、共通電極は十字状の形を形
成し、それぞれの電極の一部が容量素子として機能する
ような構造にした。これらによって、一方の基板上の画
素電極、共通電極間で電界がかかり、且つ其の方向が基
板表面にほぼ平行となるようにした。基板状の電極はい
ずれもアルミニウムからなるが電気抵抗の低い金属製の
ものであれば特に材料の制約はなく、クロム，銅等でも
よい。画素数は３２０×１６０で、画素ピッチは横方向
（即ち映像信号電極間）は１００μｍ、縦方向(即ち走
査信号電極間)は３００μｍである。パネルには図３の
ように駆動ＬＳＩが接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査
回路１０，映像信号駆動回路１１を接続し、電源回路及
びコントローラ１２から走査信号電圧，映像信号電圧，
タイミング信号を供給し、アクティブマトリクス駆動し
た。
の単位画素における各種電極の構造を示した説明図であ
る。研磨したガラス基板上に走査信号電極６及び共通電
極４を形成し、走査信号電極の表面はＡｌの陽極酸化膜
であるアルミナ膜で被覆した。走査信号電極及び共通電
極を覆うようにゲート絶縁膜となるＳｉＮ（ゲートＳｉ
Ｎ）膜７を形成した。次に有機半導体膜１３を形成し
た。有機半導体層には２，５′′′′′′−ジ（トリフ
ルオロエトキシ）セクシチオフェンを用いた。さらに画
素電極３及び映像信号電極５を形成した。従って、画素
電極と共通電極は異層である。画素電極の構造は、図６
に示すようにＨ字状のとし、共通電極は十字状の形を形
成し、それぞれの電極の一部が容量素子として機能する
ような構造にした。これらによって、一方の基板上の画
素電極、共通電極間で電界がかかり、且つ其の方向が基
板表面にほぼ平行となるようにした。基板状の電極はい
ずれもアルミニウムからなるが電気抵抗の低い金属製の
ものであれば特に材料の制約はなく、クロム，銅等でも
よい。画素数は３２０×１６０で、画素ピッチは横方向
（即ち映像信号電極間）は１００μｍ、縦方向(即ち走
査信号電極間)は３００μｍである。パネルには図３の
ように駆動ＬＳＩが接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査
回路１０，映像信号駆動回路１１を接続し、電源回路及
びコントローラ１２から走査信号電圧，映像信号電圧，
タイミング信号を供給し、アクティブマトリクス駆動し
た。
【００２６】一方、上下基板上のラビング方向は互いに
ほぼ平行で、且つ印加電界方向とのなす角を１０５度
（φＬＣ１＝φＬＣ２＝１０５°）とした（図４）。ギ
ャップｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して狭持
し、液晶封入状態で４.２μｍとした。２枚の偏光板
（日東電工社製、G1220DU ）でパネルをはさみ、一方の
偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行、即ち、
φＰ１＝１０５°とし、他方をそれに直交、即ち、φＰ
２＝１５°とした。これにより、ノーマリクローズ特性
を得た。基板間には末端に三つのフルオロ基を有する化
合物を主成分とした１誘電異方性Δεが正の液晶を狭持
した。有機高分子膜２にはポリイミド樹脂を用いた。ポ
リイミドワニス（日立化成工業社製、ＰＩＱ−６００
０）を回転速度２０００rpm 、回転時間６０秒の条件で
回転塗布法により基板上に塗布した。その後２００℃で
１時間焼成し、有機絶縁層を得た。其の膜厚は約１.５
μｍ であった。また、配向膜には２，２−ビス［４−
（ｐ−アミノフェノキシ）フェニルプロパン］とピロメ
リット酸二水物からなるポリイミド配向膜を用いた。こ
のように作製したパネルのコントラスト比を実施例１と
同様に測定した結果、このパネルのコントラスト比の平
均は約１３０であった。視野角を実施例１と同様に測定
した結果、いずれの方向もコントラスト比２０以上の領
域が１２０°以上あった。
ほぼ平行で、且つ印加電界方向とのなす角を１０５度
（φＬＣ１＝φＬＣ２＝１０５°）とした（図４）。ギ
ャップｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して狭持
し、液晶封入状態で４.２μｍとした。２枚の偏光板
（日東電工社製、G1220DU ）でパネルをはさみ、一方の
偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行、即ち、
φＰ１＝１０５°とし、他方をそれに直交、即ち、φＰ
２＝１５°とした。これにより、ノーマリクローズ特性
を得た。基板間には末端に三つのフルオロ基を有する化
合物を主成分とした１誘電異方性Δεが正の液晶を狭持
した。有機高分子膜２にはポリイミド樹脂を用いた。ポ
リイミドワニス（日立化成工業社製、ＰＩＱ−６００
０）を回転速度２０００rpm 、回転時間６０秒の条件で
回転塗布法により基板上に塗布した。その後２００℃で
１時間焼成し、有機絶縁層を得た。其の膜厚は約１.５
μｍ であった。また、配向膜には２，２−ビス［４−
（ｐ−アミノフェノキシ）フェニルプロパン］とピロメ
リット酸二水物からなるポリイミド配向膜を用いた。こ
のように作製したパネルのコントラスト比を実施例１と
同様に測定した結果、このパネルのコントラスト比の平
均は約１３０であった。視野角を実施例１と同様に測定
した結果、いずれの方向もコントラスト比２０以上の領
域が１２０°以上あった。
【００２７】［実施例８〜１１］有機高分子膜，画素電
極及び共通電極の膜厚が異なる以外は実施例７と同様に
液晶表示装置を作製した。それらの有機高分子膜，画素
電極，共通電極の膜厚及びコントラスト比を表２に示し
た。
極及び共通電極の膜厚が異なる以外は実施例７と同様に
液晶表示装置を作製した。それらの有機高分子膜，画素
電極，共通電極の膜厚及びコントラスト比を表２に示し
た。
【００２８】
【表２】
【００２９】表に示したようにいずれも高いコントラス
ト比を示した。また、視野角は、いずれの液晶表示装置
もいずれの方向でもコントラスト比２０以上の領域が12
0°以上あった。
ト比を示した。また、視野角は、いずれの液晶表示装置
もいずれの方向でもコントラスト比２０以上の領域が12
0°以上あった。
【００３０】［実施例１２］本実施例は、下記の用件を
除いては、実施例１と同一である。
除いては、実施例１と同一である。
【００３１】実施例１のエポキシ樹脂の溶液にレベリン
グ剤（信越化学工業社製、ＫＰ−３２３）を０.１重量
％ となるように添加した。このレベリング剤は特にこ
の材料に限定されるわけではなく、その他のレベリング
効果を有するものでもいっこうに差しつかえない。其の
溶液を用いて実施例１と同様に有機高分子膜を形成し
た。
グ剤（信越化学工業社製、ＫＰ−３２３）を０.１重量
％ となるように添加した。このレベリング剤は特にこ
の材料に限定されるわけではなく、その他のレベリング
効果を有するものでもいっこうに差しつかえない。其の
溶液を用いて実施例１と同様に有機高分子膜を形成し
た。
【００３２】実施例１と同様に測定したパネルの平均コ
ントラスト比は約１２０であった。視野角を実施例１と
同様に測定した結果、いずれの方向もコントラスト比２
０以上の領域が１２０°以上あった。
ントラスト比は約１２０であった。視野角を実施例１と
同様に測定した結果、いずれの方向もコントラスト比２
０以上の領域が１２０°以上あった。
【００３３】［実施例１３］本実施例は、下記の用件を
除いては、実施例２と同一である。
除いては、実施例２と同一である。
【００３４】実施例２のポリイミドワニスにレベリング
剤（信越化学工業社製、ＫＰ−340)を０.１重量％ とな
るように添加した。其の溶液を用いて実施例２と同様に
有機高分子膜を形成した。
剤（信越化学工業社製、ＫＰ−340)を０.１重量％ とな
るように添加した。其の溶液を用いて実施例２と同様に
有機高分子膜を形成した。
【００３５】実施例２と同様に測定したパネルの平均コ
ントラスト比は約１３０であった。視野角を実施例１と
同様に測定した結果、いずれの方向もコントラスト比２
０以上の領域が１２０°以上あった。
ントラスト比は約１３０であった。視野角を実施例１と
同様に測定した結果、いずれの方向もコントラスト比２
０以上の領域が１２０°以上あった。
【００３６】［比較例１］本比較例は下記の用件を除け
ば実施例１と同一である。
ば実施例１と同一である。
【００３７】実施例１の無機絶縁層の膜厚を０.６μｍ
とした。また、実施例１の有機絶縁層を設けなかった。
とした。また、実施例１の有機絶縁層を設けなかった。
【００３８】実施例１と同様に測定したパネルの平均コ
ントラスト比は約６０であった。
ントラスト比は約６０であった。
【００３９】［比較例２］本比較例は下記の用件を除け
ば実施例２と同一である。
ば実施例２と同一である。
【００４０】実施例２の無機絶縁層の膜厚を０.６μｍ
とした。また、実施例２の有機絶縁層を設けなかった。
とした。また、実施例２の有機絶縁層を設けなかった。
【００４１】実施例２と同様に測定したパネルの平均コ
ントラスト比は約７０であった。
ントラスト比は約７０であった。
【００４２】［比較例３］本比較例は下記の用件を除け
ば実施例２と同一である。
ば実施例２と同一である。
【００４３】実施例２の無機絶縁層を設けず、直接有機
高分子膜を画素電極，映像信号電極及びトランジスタ素
子の上に実施例２と同様に有機高分子膜を形成した。
高分子膜を画素電極，映像信号電極及びトランジスタ素
子の上に実施例２と同様に有機高分子膜を形成した。
【００４４】実施例２と同様に測定したパネルの平均コ
ントラスト比は約６０であった。
ントラスト比は約６０であった。
【００４５】［比較例４〜６］無機絶縁層，有機高分子
膜，画素電極及び共通電極の膜厚が異なる以外は実施例
２と同様に液晶表示装置を作製した。それらの無機絶縁
層，有機高分子膜，画素電極，共通電極の膜厚及びコン
トラスト比を表３に示した。
膜，画素電極及び共通電極の膜厚が異なる以外は実施例
２と同様に液晶表示装置を作製した。それらの無機絶縁
層，有機高分子膜，画素電極，共通電極の膜厚及びコン
トラスト比を表３に示した。
【００４６】
【表３】
【００４７】表に示したようにいずれもコントラスト比
があまり大きくなかった。
があまり大きくなかった。
【００４８】［比較例７〜９］有機高分子膜，画素電極
及び共通電極の膜厚が異なる以外は実施例２と同様に液
晶表示装置を作製した。それらの無機絶縁層，有機高分
子膜，画素電極，共通電極の膜厚及びコントラスト比を
表４に示した。
及び共通電極の膜厚が異なる以外は実施例２と同様に液
晶表示装置を作製した。それらの無機絶縁層，有機高分
子膜，画素電極，共通電極の膜厚及びコントラスト比を
表４に示した。
【００４９】
【表４】
【００５０】表に示したようにいずれもコントラスト比
があまり大きくなかった。
があまり大きくなかった。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、広視野角で高いコント
ラスト比を有する液晶表示装置を提供できる。
ラスト比を有する液晶表示装置を提供できる。
【図１】本発明の液晶表示装置の断面図。
【図２】実施例１，１２及び比較例１における単位画素
の説明図。
の説明図。
【図３】本発明の液晶表示装置におけるシステム構成の
典型例を示す説明図。
典型例を示す説明図。
【図４】本発明の基板に水平な電界を印加する液晶表示
装置に於て、電界方向に対する界面上の液晶分子長軸配
向方向及び偏光板透過軸のなす角を示す説明図。
装置に於て、電界方向に対する界面上の液晶分子長軸配
向方向及び偏光板透過軸のなす角を示す説明図。
【図５】実施例２〜６及び比較例２〜６における単位画
素の説明図。
素の説明図。
【図６】実施例７〜１１における単位画素の説明図。
１…無機絶縁層、２…有機高分子膜、３…画素電極、４
…共通電極、５…映像信号電極。
…共通電極、５…映像信号電極。
Claims (6)
- 【請求項１】表示画素が走査信号電極，映像信号電極，
画素電極，共通電極及びトランジスタ素子により基板上
に構成され、前記基板には液晶の配向膜が直接又は絶縁
層を介して形成されており、前記基板は前記配向膜を形
成した基板と対向して配置され、前記基板により液晶層
が挾持され、前記電極群は前記液晶層に対し前記基板と
概ね平行な電界を印加するように構成され、前記電極群
は外部の制御手段と接続されており、前記液晶層の光学
特性を変化させる偏光手段を備えた液晶表示装置におい
て、 前記基板上に形成された前記絶縁膜が２層構造であり、
前記電極群と接する層が無機物からなる層であり且つ前
記配向膜或いは前記液晶層と接する層が有機高分子を含
む層であって、前記無機物からなる層の膜厚が０.１μ
ｍ 以上であり、前記有機高分子を含む層の膜厚が前記
画素電極及び前記共通電極のうちより厚い電極の膜厚の
半分以上であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】表示画素が走査信号電極，映像信号電極，
画素電極，共通電極及びトランジスタ素子により基板上
に構成され、前記基板には液晶の配向膜が直接又は絶縁
層を介して形成されており、前記基板は前記配向膜を形
成した基板と対向して配置され、前記基板により液晶層
が挾持され、前記電極群は前記液晶層に対し前記基板と
概ね平行な電界を印加するように構成され、前記電極群
は外部の制御手段と接続されており、前記液晶層の光学
特性を変化させる偏光手段を備えた液晶表示装置におい
て、 前記トランジスタ素子の半導体層が有機半導体であり、
且つ前記基板上に形成された前記絶縁膜が有機高分子を
含む層であって、前記有機高分子を含む層の膜厚が０.
１μｍ 以上であり且つ前記画素電極及び前記共通電極
のうちより厚い電極の膜厚の半分以上であることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記絶縁膜の
有機高分子を含む層の膜厚が、前記画素電極及び前記共
通電極のうちより厚い電極の膜厚以上である液晶表示装
置。 - 【請求項４】表示画素が走査信号電極，映像信号電極，
画素電極，共通電極及びトランジスタ素子により基板上
に構成され、前記基板には液晶の配向膜が直接又は絶縁
層を介して形成されており、前記基板は前記配向膜を形
成した基板と対向して配置され、前記基板により液晶層
が挾持され、前記電極群は前記液晶層に対し前記基板と
概ね平行な電界を印加するように構成され、前記電極群
は外部の制御手段と接続されており、前記液晶層の光学
特性を変化させる偏光手段を備えた液晶表示装置の製造
方法において、有機高分子を含む溶液を作成する工程及
び前記溶液を用いて印刷転写法により絶縁膜を形成する
工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】表示画素が走査信号電極，映像信号電極，
画素電極，共通電極及びトランジスタ素子により基板上
に構成され、前記基板には液晶の配向膜が直接又は絶縁
層を介して形成されており、前記基板は前記配向膜を形
成した基板と対向して配置され、前記基板により液晶層
が挾持され、前記電極群は前記液晶層に対し前記基板と
概ね平行な電界を印加するように構成され、前記電極群
は外部の制御手段と接続されており、前記液晶層の光学
特性を変化させる偏光手段を備えた液晶表示装置の製造
方法において、有機高分子を含む溶液を作成する工程及
び前記溶液を用いて回転塗布法により絶縁膜を形成する
工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】請求項４または５において、前記有機高分
子を含む溶液を作成する工程で、レベリング剤を溶液に
加える液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026437A JPH08220518A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026437A JPH08220518A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220518A true JPH08220518A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12193492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7026437A Pending JPH08220518A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08220518A (ja) |
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