JPH08222018A - 技術的照明のための反射器 - Google Patents
技術的照明のための反射器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 技術的照明のための反射器を提供すること。
【解決手段】 アルミニウムの反射面と、20℃におい
て6〜10.5の誘電率を有する、陽極処理によって製
造される酸化アルミニウムの透明な保護無孔バリヤー層
とを有する反射器。バリヤー層の厚さdは次の条件:
(a)強めあう干渉のために、d・n=k・λ/2±20
nm、又は(b)色調が調和した反射器面を得るため
に、[k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+1)・
λ/2−20nm]、又は(c)反射率を強めるLI/
HI多層被膜を有する反射器を製造するための出発物質
としての使用のために、d・n=l・λ/4±20nm
[式中、nはバリヤー層の屈折率、λは反射器の表面に
衝突する光線の平均波長、kは自然数、lは奇数である
自然数]、を満たす。バリヤー層の厚さは60〜490
nmの範囲内で、アルミニウム面の全体に渡って、±5
%より大きく変化しない。
て6〜10.5の誘電率を有する、陽極処理によって製
造される酸化アルミニウムの透明な保護無孔バリヤー層
とを有する反射器。バリヤー層の厚さdは次の条件:
(a)強めあう干渉のために、d・n=k・λ/2±20
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に、[k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+1)・
λ/2−20nm]、又は(c)反射率を強めるLI/
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としての使用のために、d・n=l・λ/4±20nm
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衝突する光線の平均波長、kは自然数、lは奇数である
自然数]、を満たす。バリヤー層の厚さは60〜490
nmの範囲内で、アルミニウム面の全体に渡って、±5
%より大きく変化しない。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、酸化アルミニウム
の保護層によって物理的及び化学的影響から保護される
アルミニウム面を有する、技術的照明のための反射器
と、その使用方法及びその製造方法とに関する。
の保護層によって物理的及び化学的影響から保護される
アルミニウム面を有する、技術的照明のための反射器
と、その使用方法及びその製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】高純度アルミニウム又はAlMg合金の
光沢面を有する反射器は、指向的又は拡散的に光を反射
する目的に関して知られている。持続的な光沢を得るた
めに、光沢面を通常有機若しくは無機被膜によって、又
は酸化物層によって保護される。この酸化物層は化学的
酸化又は陽極酸化によって形成することができる。有機
被膜はペイント型コーティング、粉末コーティングによ
って又はプラスチックホイルによるラミネート若しくは
被覆によって形成することができる。無機被膜はPVD
(物理的蒸着)、CVD(化学的蒸着)、エナメリング
(enamelling)又はプラズマ被覆によって形成すること
ができる。
光沢面を有する反射器は、指向的又は拡散的に光を反射
する目的に関して知られている。持続的な光沢を得るた
めに、光沢面を通常有機若しくは無機被膜によって、又
は酸化物層によって保護される。この酸化物層は化学的
酸化又は陽極酸化によって形成することができる。有機
被膜はペイント型コーティング、粉末コーティングによ
って又はプラスチックホイルによるラミネート若しくは
被覆によって形成することができる。無機被膜はPVD
(物理的蒸着)、CVD(化学的蒸着)、エナメリング
(enamelling)又はプラズマ被覆によって形成すること
ができる。
【0003】反射器面の形成のために広範囲に用いられ
る方法(practice)はガラス上の非常に薄い高純度PVD
Al層の付着であり、このような層は通常、例えばP
VD−Al2O3、PVD−SiO2又はペイント型層に
よって保護される。この層の薄さのために、PVD−A
l層は一般に陽極処理することができない。しかし、P
VD−Al2O3又はPVD−SiO2層の付着は費用が
かかり、良好な反射性を得るために必要な均質性のため
に、ペイント型層の付着は複雑になる。さらに、ペイン
ト型層は一般に、ごく低い、例えば耐引っ掻き性のよう
な機械的性質と、UV光線に対するしばしば不良な安定
性とを有する。
る方法(practice)はガラス上の非常に薄い高純度PVD
Al層の付着であり、このような層は通常、例えばP
VD−Al2O3、PVD−SiO2又はペイント型層に
よって保護される。この層の薄さのために、PVD−A
l層は一般に陽極処理することができない。しかし、P
VD−Al2O3又はPVD−SiO2層の付着は費用が
かかり、良好な反射性を得るために必要な均質性のため
に、ペイント型層の付着は複雑になる。さらに、ペイン
ト型層は一般に、ごく低い、例えば耐引っ掻き性のよう
な機械的性質と、UV光線に対するしばしば不良な安定
性とを有する。
【0004】反射器面のために現在しばしば用いられ
る、他の保護層は硫酸電解質中で直流を用いる陽極酸化
によって形成される。得られる保護層は均一な層厚さを
有するが、プロセス自体の結果として、高い孔隙率を有
する。硫酸電解質中での陽極酸化は通常、dcプロセス
と呼ばれる。この方法を用いて充分な反射性を得るため
に、反射器面として役立つべきアルミニウム面は通常、
化学的に又は電解によって磨かれ、次に、透明な保護層
によって(例えば、dcプロセスによって)保護され
る。dcプロセスにおける硫酸濃度は典型的に20重量
%であり、電解質温度は15〜30℃であり、印加電圧
は12〜30Vであり、電流密度は1〜3A/dm2で
ある。得られる層の厚さは典型的に1〜10μmであ
り、得られる層は無色〜黄色である。
る、他の保護層は硫酸電解質中で直流を用いる陽極酸化
によって形成される。得られる保護層は均一な層厚さを
有するが、プロセス自体の結果として、高い孔隙率を有
する。硫酸電解質中での陽極酸化は通常、dcプロセス
と呼ばれる。この方法を用いて充分な反射性を得るため
に、反射器面として役立つべきアルミニウム面は通常、
化学的に又は電解によって磨かれ、次に、透明な保護層
によって(例えば、dcプロセスによって)保護され
る。dcプロセスにおける硫酸濃度は典型的に20重量
%であり、電解質温度は15〜30℃であり、印加電圧
は12〜30Vであり、電流密度は1〜3A/dm2で
ある。得られる層の厚さは典型的に1〜10μmであ
り、得られる層は無色〜黄色である。
【0005】dcプロセスによって形成される酸化物層
は一般に2層、すなわち無孔の非常に薄いベース層又は
バリヤー層と、多孔質外部層とから構成される。孔は酸
化物層が電解質に暴露される表面において化学的に、部
分的に再溶解される結果として形成される。酸化物被膜
は被膜成長と溶解が平衡したときにその上限に達し、こ
れは電解質の組成、電流密度及び電解質の温度に依存す
る。
は一般に2層、すなわち無孔の非常に薄いベース層又は
バリヤー層と、多孔質外部層とから構成される。孔は酸
化物層が電解質に暴露される表面において化学的に、部
分的に再溶解される結果として形成される。酸化物被膜
は被膜成長と溶解が平衡したときにその上限に達し、こ
れは電解質の組成、電流密度及び電解質の温度に依存す
る。
【0006】腐食から充分な保護を得るために、dcプ
ロセスによって生ずる多孔質層をシールすべきである。
これは通常、沸騰水(>96℃)又は水蒸気(>98
℃)を用いて実施する。この熱水シーリング中に、酸化
アルミニウムは吸水の結果として膨潤し、孔は閉鎖され
る。プロセスにおいて、酸化アルミニウムの一部はアル
ミニウム一水和物(aluminium monohydrate)に変化す
る。
ロセスによって生ずる多孔質層をシールすべきである。
これは通常、沸騰水(>96℃)又は水蒸気(>98
℃)を用いて実施する。この熱水シーリング中に、酸化
アルミニウムは吸水の結果として膨潤し、孔は閉鎖され
る。プロセスにおいて、酸化アルミニウムの一部はアル
ミニウム一水和物(aluminium monohydrate)に変化す
る。
【0007】しかし、沸騰水又はスチーム中でのシーリ
ング時に、しばしば好ましくない、堅く接着したシーリ
ング付着物(いわゆる汚れ)が形成される。大気の影響
の結果として、この汚れは、曇ったからイリデンスまで
である、干渉色をもたらす妨害性付着物を生ずる。この
理由から、シーリング付着物を研磨手段によって除去し
なければならない。このようなシーリング付着物を防止
する1つの可能性は、特別なシーリング浴を用いること
である。
ング時に、しばしば好ましくない、堅く接着したシーリ
ング付着物(いわゆる汚れ)が形成される。大気の影響
の結果として、この汚れは、曇ったからイリデンスまで
である、干渉色をもたらす妨害性付着物を生ずる。この
理由から、シーリング付着物を研磨手段によって除去し
なければならない。このようなシーリング付着物を防止
する1つの可能性は、特別なシーリング浴を用いること
である。
【0008】無色透明である、硫酸中で形成される唯一
の陽極酸化物層は、高純度アルミニウム上に及び高純度
アルミニウム(99.85重量%以上)によるAlMg
若しくはAlMgSi合金上に形成される陽極酸化物層
である。大抵の構造用合金では、構造中に存在する異質
な析出物の結果として、多少濁った酸化物層が形成され
る。また、大抵の合金では、熱処理が不適合であるなら
ば、構造中に析出が生じて、例えば局部的熱効果による
斑点のような灰色変色が生ずる。
の陽極酸化物層は、高純度アルミニウム上に及び高純度
アルミニウム(99.85重量%以上)によるAlMg
若しくはAlMgSi合金上に形成される陽極酸化物層
である。大抵の構造用合金では、構造中に存在する異質
な析出物の結果として、多少濁った酸化物層が形成され
る。また、大抵の合金では、熱処理が不適合であるなら
ば、構造中に析出が生じて、例えば局部的熱効果による
斑点のような灰色変色が生ずる。
【0009】dcプロセスを用いてアルミニウム上に形
成される大抵の保護表面層の場合には、反射器のための
前記層が典型的に1〜10μm厚さであり、特に、例え
ばAl・99.85、Al・99.8又はAl・99.5
のような、あまり純粋でない物質の場合には、例えばF
e富化又はSi富化金属間相のような合金要素が酸化物
層に混入されて、光線の好ましくない吸収又は散乱を生
じる、すなわち光線が種々な角度に反射される。この結
果、艶出し(brightening)処理後の反射光線の技術的
特性、すなわち、例えば総反射率若しくは指向的反射率
のような値が不利に影響される。
成される大抵の保護表面層の場合には、反射器のための
前記層が典型的に1〜10μm厚さであり、特に、例え
ばAl・99.85、Al・99.8又はAl・99.5
のような、あまり純粋でない物質の場合には、例えばF
e富化又はSi富化金属間相のような合金要素が酸化物
層に混入されて、光線の好ましくない吸収又は散乱を生
じる、すなわち光線が種々な角度に反射される。この結
果、艶出し(brightening)処理後の反射光線の技術的
特性、すなわち、例えば総反射率若しくは指向的反射率
のような値が不利に影響される。
【0010】dcプロセスによって生ずる−dcプロセ
スに不可避な−酸化物層の大きい厚さのために、表面の
反射率は光線の吸収又は散乱によって低下する。最終的
に、1〜3μmの通常の厚さ範囲内の酸化物層はしばし
ば、妨害性干渉効果(いわゆるイリデンス)を示す。
スに不可避な−酸化物層の大きい厚さのために、表面の
反射率は光線の吸収又は散乱によって低下する。最終的
に、1〜3μmの通常の厚さ範囲内の酸化物層はしばし
ば、妨害性干渉効果(いわゆるイリデンス)を示す。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
欠点を回避して、反射率の損失のできるかぎり少ない、
入射光線の反射を可能にする、少なくとも1つの面又は
少なくとも1つの面の一部を有する、技術的照明のため
の反射器を提供することである。
欠点を回避して、反射率の損失のできるかぎり少ない、
入射光線の反射を可能にする、少なくとも1つの面又は
少なくとも1つの面の一部を有する、技術的照明のため
の反射器を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
ると、技術的照明のための反射器がアルミニウムの反射
面と、20℃において6〜10.5の誘電率を有する、
陽極処理によって製造される酸化アルミニウムの透明な
保護無孔バリヤー層とを有し、バリヤー層が下記条件: (a)強めあう干渉のために、 d・n=k・λ/2±20nm 又は(b)色調が調和した反射器面を得るために、 [k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+1)・λ
/2−20nm] 又は(c)反射率を強めるLI/HI多層被膜を有する
反射器を製造するための出発物質としての使用のため
に、 d・n=l・λ/4±20nm [式中、nはバリヤー層の屈折率であり、λは反射器の
表面に衝突する光線の平均波長であり、kは自然数であ
り、lは奇数である自然数である]を満たす厚さdを有
し、バリヤー層の厚さが60〜490nmの範囲内であ
り、アルミニウム面の全体にわたって、±5%より大き
く変化しないことによって達成される。同時に、分散の
ために、屈折率nが波長に依存する、すなわち、本明細
書では、nは常に反射器の面に衝突する光線の対応波長
に関係することを考慮しなければならない。
ると、技術的照明のための反射器がアルミニウムの反射
面と、20℃において6〜10.5の誘電率を有する、
陽極処理によって製造される酸化アルミニウムの透明な
保護無孔バリヤー層とを有し、バリヤー層が下記条件: (a)強めあう干渉のために、 d・n=k・λ/2±20nm 又は(b)色調が調和した反射器面を得るために、 [k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+1)・λ
/2−20nm] 又は(c)反射率を強めるLI/HI多層被膜を有する
反射器を製造するための出発物質としての使用のため
に、 d・n=l・λ/4±20nm [式中、nはバリヤー層の屈折率であり、λは反射器の
表面に衝突する光線の平均波長であり、kは自然数であ
り、lは奇数である自然数である]を満たす厚さdを有
し、バリヤー層の厚さが60〜490nmの範囲内であ
り、アルミニウム面の全体にわたって、±5%より大き
く変化しないことによって達成される。同時に、分散の
ために、屈折率nが波長に依存する、すなわち、本明細
書では、nは常に反射器の面に衝突する光線の対応波長
に関係することを考慮しなければならない。
【0013】本発明による反射器のために必要なアルミ
ニウム面は、アルミニウム部品、ストリップ、シート若
しくはホイルの表面、また、複合材料製の物体(item)上
のアルミニウム外部層の表面、特に複合体パネル上のア
ルミニウム外部層の表面、又は任意の材料上に付着した
(例えば、電解によって)アルミニウム層の表面に関す
る。好ましい態様では、アルミニウム表面を形成する物
体は、例えば圧延、押出成形、鍛造又は衝撃押出成形方
法によって製造されたアルミニウム素材に関する。
ニウム面は、アルミニウム部品、ストリップ、シート若
しくはホイルの表面、また、複合材料製の物体(item)上
のアルミニウム外部層の表面、特に複合体パネル上のア
ルミニウム外部層の表面、又は任意の材料上に付着した
(例えば、電解によって)アルミニウム層の表面に関す
る。好ましい態様では、アルミニウム表面を形成する物
体は、例えば圧延、押出成形、鍛造又は衝撃押出成形方
法によって製造されたアルミニウム素材に関する。
【0014】以下の説明においてアルミニウム材料につ
いて言及する場合には、これがあらゆる等級の純度及び
あらゆるアルミニウム合金を含むものとして理解すべき
である。特に、アルミニウムなる用語はアルミニウムの
圧延合金、精錬合金、鋳造合金、鍛造合金及び押出成形
合金の全てを含む。アルミニウム面は99.99重量%
Al以上の純度を有する高純度アルミニウム合金製、例
えばクラッド物質製であるか、又は99.5〜99.99
重量%Alの純度を有する。本発明による反射器のアル
ミニウム面は好ましくは、99.99重量%未満の純
度、特に99.5〜99.98重量%Alの純度を有す
る。99.8〜99.98重量%Alの純度を有するアル
ミニウム面が特に好ましい。
いて言及する場合には、これがあらゆる等級の純度及び
あらゆるアルミニウム合金を含むものとして理解すべき
である。特に、アルミニウムなる用語はアルミニウムの
圧延合金、精錬合金、鋳造合金、鍛造合金及び押出成形
合金の全てを含む。アルミニウム面は99.99重量%
Al以上の純度を有する高純度アルミニウム合金製、例
えばクラッド物質製であるか、又は99.5〜99.99
重量%Alの純度を有する。本発明による反射器のアル
ミニウム面は好ましくは、99.99重量%未満の純
度、特に99.5〜99.98重量%Alの純度を有す
る。99.8〜99.98重量%Alの純度を有するアル
ミニウム面が特に好ましい。
【0015】本発明による反射器上のバリヤー層は、9
9.5〜99.99重量%Alの純度のアルミニウム面上
で、本来のアルミニウム面の表面性質に比べて、技術的
照明の特性の変化を本質的に示さない、すなわち、例え
ば艶出し後のような、アルミニウム面の状態がバリヤー
層の形成後に大規模に保持されることである。しかし、
この場合に、表面層の金属純度が得られる光沢に実際に
影響を及ぼしうることを考慮すべきであり、アルミニウ
ム面の光沢に関しては、アルミニウム純度が低ければ低
いほど、得られる光沢は不良であり、それによって、反
射性も不良である。
9.5〜99.99重量%Alの純度のアルミニウム面上
で、本来のアルミニウム面の表面性質に比べて、技術的
照明の特性の変化を本質的に示さない、すなわち、例え
ば艶出し後のような、アルミニウム面の状態がバリヤー
層の形成後に大規模に保持されることである。しかし、
この場合に、表面層の金属純度が得られる光沢に実際に
影響を及ぼしうることを考慮すべきであり、アルミニウ
ム面の光沢に関しては、アルミニウム純度が低ければ低
いほど、得られる光沢は不良であり、それによって、反
射性も不良である。
【0016】アルミニウム面は任意の形状を有すること
ができ、構造化することができる。圧延アルミニウム面
の場合には、これらの面を例えば高度な仕上げロール又
はデザイナーロール(designer roll)によって処理す
ることができる。構造化アルミニウム面の好ましい用途
は例えば昼間照明に用いられる反射器に、特に、0.1
〜1mmの構造サイズを有する構造化表面にある。
ができ、構造化することができる。圧延アルミニウム面
の場合には、これらの面を例えば高度な仕上げロール又
はデザイナーロール(designer roll)によって処理す
ることができる。構造化アルミニウム面の好ましい用途
は例えば昼間照明に用いられる反射器に、特に、0.1
〜1mmの構造サイズを有する構造化表面にある。
【0017】バリヤー層は一定の厚さを有し、アルミニ
ウム面の全体にわたって±5%より大きくは変化しな
い。これは、技術的照明用途に電磁波の殆ど損失のない
反射を生ずるための反射器の使用を初めて可能にし、同
様に、バリヤー層の再現可能な、均一な厚さが例えば強
めあう干渉を伴う反射のために、又は正確に定義された
色調を得るために反射器の使用を初めて可能にする。
ウム面の全体にわたって±5%より大きくは変化しな
い。これは、技術的照明用途に電磁波の殆ど損失のない
反射を生ずるための反射器の使用を初めて可能にし、同
様に、バリヤー層の再現可能な、均一な厚さが例えば強
めあう干渉を伴う反射のために、又は正確に定義された
色調を得るために反射器の使用を初めて可能にする。
【0018】最初に、強めあう干渉が生ずることがで
き、第二に、バリヤー層における光線の吸収ができるだ
け小さいように、反射されるべき電磁波のために透明な
バリヤー層を形成することが、本発明にとって重要であ
る。本発明による反射器の他の重要な特徴はバリヤー層
中に孔の無いことに関する。
き、第二に、バリヤー層における光線の吸収ができるだ
け小さいように、反射されるべき電磁波のために透明な
バリヤー層を形成することが、本発明にとって重要であ
る。本発明による反射器の他の重要な特徴はバリヤー層
中に孔の無いことに関する。
【0019】バリヤー層に浸透する光線ができるかぎり
吸収されず、孔の存在によって生じ、制御が困難である
光線の拡散散乱が最小に維持されるように、バリヤー層
は無孔でなければならない。無孔なる用語は、絶対的に
無孔ではなく、むしろ本発明による反射器のバリヤー層
が本質的に無孔であると理解すべきである。これに関し
て、陽極処理によって得られる酸化アルミニウム層がプ
ロセスの結果として本質的に無孔であることが重要であ
る−−このことは、例えば、酸化アルミニウムを溶解す
る電解質の使用によって孔が生じないことを意味する。
本発明の場合には、無孔バリヤー層は特に1%未満の孔
隙率を有する。
吸収されず、孔の存在によって生じ、制御が困難である
光線の拡散散乱が最小に維持されるように、バリヤー層
は無孔でなければならない。無孔なる用語は、絶対的に
無孔ではなく、むしろ本発明による反射器のバリヤー層
が本質的に無孔であると理解すべきである。これに関し
て、陽極処理によって得られる酸化アルミニウム層がプ
ロセスの結果として本質的に無孔であることが重要であ
る−−このことは、例えば、酸化アルミニウムを溶解す
る電解質の使用によって孔が生じないことを意味する。
本発明の場合には、無孔バリヤー層は特に1%未満の孔
隙率を有する。
【0020】バリヤー層の誘電率は、特に、バリヤー層
を形成するための陽極処理中のプロセスパラメータに依
存する。本発明によると、20℃において生ずるバリヤ
ー層の誘電率はεは6〜10.5、好ましくは8〜10
の範囲内である。
を形成するための陽極処理中のプロセスパラメータに依
存する。本発明によると、20℃において生ずるバリヤ
ー層の誘電率はεは6〜10.5、好ましくは8〜10
の範囲内である。
【0021】本発明による反射器の場合には、バリヤー
層の厚さは反射器面が反射光線の強めあう干渉が得られ
るように選択するのが好ましい。強めあう干渉のための
条件はd・n=k・λ/2として表すことができ、式
中、d・nは光学的層厚さであり、nは屈折率であり、
λは反射器面に衝突する光線の波長であり、kは自然数
である。式:d・n=k・λ/2によって表される強め
あう干渉のための条件が正確には、反射器面に垂直に衝
突する光線に対してのみ有効であることに留意しなけれ
ばならない。
層の厚さは反射器面が反射光線の強めあう干渉が得られ
るように選択するのが好ましい。強めあう干渉のための
条件はd・n=k・λ/2として表すことができ、式
中、d・nは光学的層厚さであり、nは屈折率であり、
λは反射器面に衝突する光線の波長であり、kは自然数
である。式:d・n=k・λ/2によって表される強め
あう干渉のための条件が正確には、反射器面に垂直に衝
突する光線に対してのみ有効であることに留意しなけれ
ばならない。
【0022】バリヤー層の厚さに関して、反射性が本質
的に周期的に変化する、すなわち、特に3λ/2より大
きい光学的層厚さd・nを有する層の場合には、層厚さ
が増加すると、反射性が技術的照明目的のために不適切
になることが、本発明に関する研究の過程において発見
された。それ故、反射光線の強めあう干渉が得られるこ
とを可能にする厚さを有する層が好ましく、kは自然
数、好ましくは1、2又は3であり、1又は2が特に好
ましい。反射性のために、本発明による反射器上のバリ
ヤー層の厚さは60〜490nm(ナノメーター)の範
囲内であり、75〜320nmの範囲が特に好ましい。
的に周期的に変化する、すなわち、特に3λ/2より大
きい光学的層厚さd・nを有する層の場合には、層厚さ
が増加すると、反射性が技術的照明目的のために不適切
になることが、本発明に関する研究の過程において発見
された。それ故、反射光線の強めあう干渉が得られるこ
とを可能にする厚さを有する層が好ましく、kは自然
数、好ましくは1、2又は3であり、1又は2が特に好
ましい。反射性のために、本発明による反射器上のバリ
ヤー層の厚さは60〜490nm(ナノメーター)の範
囲内であり、75〜320nmの範囲が特に好ましい。
【0023】本発明に関する研究の過程において、強め
あう干渉のための条件を満たし、d・n=k・λ/2±
20nmの範囲内にある厚さのバリヤー層と共に酸化ア
ルミニウム面を含む反射器は本質的に同じ良好な反射性
を有することが発見された。
あう干渉のための条件を満たし、d・n=k・λ/2±
20nmの範囲内にある厚さのバリヤー層と共に酸化ア
ルミニウム面を含む反射器は本質的に同じ良好な反射性
を有することが発見された。
【0024】バリヤー層の屈折率nは有効には1.55
〜1.65の範囲内である。波長λが昼間にヒトの眼に
よって最も良く知覚されることができ、約550mmで
ある平均波長に相当することが非常に好ましい。
〜1.65の範囲内である。波長λが昼間にヒトの眼に
よって最も良く知覚されることができ、約550mmで
ある平均波長に相当することが非常に好ましい。
【0025】本発明による反射器の好ましい態様では、
バリヤー層が強めあう干渉のための必要条件:d・n=
k・λ/2±20nmを満たす厚さを有し、入射光線の
3%未満を吸収するように、バリヤー層を形成する。
バリヤー層が強めあう干渉のための必要条件:d・n=
k・λ/2±20nmを満たす厚さを有し、入射光線の
3%未満を吸収するように、バリヤー層を形成する。
【0026】本発明に関する研究の過程において、反射
器面の全体にわたって一定の均一な層厚さを有する艶出
し(brightened)アルミニウム面上のバリヤー層が、層
厚さを[k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+
1)・λ/2−20nm]であるように選択するなら
ば、均一な色調を有することが発見された。
器面の全体にわたって一定の均一な層厚さを有する艶出
し(brightened)アルミニウム面上のバリヤー層が、層
厚さを[k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+
1)・λ/2−20nm]であるように選択するなら
ば、均一な色調を有することが発見された。
【0027】着色剤を含む大抵の層とは対照的に、これ
らの色調は耐光堅牢性である。さらに、偏光フィルター
を用いて、色彩効果を強める又は除去することができ
る。
らの色調は耐光堅牢性である。さらに、偏光フィルター
を用いて、色彩効果を強める又は除去することができ
る。
【0028】本発明による反射器の他の態様では、バリ
ヤー層は条件:d・n=l・λ/2±20nm[式中、
lは奇数の自然数である]を満たす厚さを有する。この
ような反射器は、反射改良LI/HI多層、すなわちL
I/HI多重層を有する反射器を製造するための出発物
質として適する。LI/HI多層とは、低/高屈折率多
層、すなわち異なる屈折率を有する、少なくとも2層か
ら成る多重層を意味する。低い屈折率の層が金属層上に
存在するような、金属面上の異なる屈折率の数対の誘電
性層の組合せが、単一均質層の反射性に比べて反射性の
改良を可能にする。一定の層組成に関して、個々の層の
厚さがλ/4又はその奇数倍に等しいときに、最高の反
射率が得られる。層物質の組成に関して、個々の層の屈
折率の差ができるだけ大きい場合に、最良の反射性が得
られる。
ヤー層は条件:d・n=l・λ/2±20nm[式中、
lは奇数の自然数である]を満たす厚さを有する。この
ような反射器は、反射改良LI/HI多層、すなわちL
I/HI多重層を有する反射器を製造するための出発物
質として適する。LI/HI多層とは、低/高屈折率多
層、すなわち異なる屈折率を有する、少なくとも2層か
ら成る多重層を意味する。低い屈折率の層が金属層上に
存在するような、金属面上の異なる屈折率の数対の誘電
性層の組合せが、単一均質層の反射性に比べて反射性の
改良を可能にする。一定の層組成に関して、個々の層の
厚さがλ/4又はその奇数倍に等しいときに、最高の反
射率が得られる。層物質の組成に関して、個々の層の屈
折率の差ができるだけ大きい場合に、最良の反射性が得
られる。
【0029】本発明によるバリヤー層の厚さはdc陽極
処理によって得られる酸化物層に比べて小さい。その結
果、本発明によるバリヤー層は光線の散乱中心として作
用する異物粒子を殆ど有さない。さらに、本発明による
反射器の場合には、入射光線の線状依存性吸収が小さ
く;その結果、特にバリヤー層の厚さが強めあう干渉が
生ずるように選択される場合には、例えば、dcプロセ
スによって得られる酸化物層付き既知反射器の反射性に
比べて、反射性の増強が得られる。dc陽極処理によっ
て得られる酸化物層に比べて、本発明による反射器上の
バリヤー層は例えばFe、Si、AlFeSiの粒子の
ような異物粒子によって影響されない、すなわち、バリ
ヤー層中に混入された、このような粒子は総反射率に影
響を与える光吸収にあまり強い影響を与えないし、入射
光線の散乱にも影響を及ぼさない。さらに、バリヤー層
の厚さが小さいために、曲がり縁における、特に酸化物
層の亀裂から生ずる曲がり縁における光の散乱度は通常
は無視できるほど小さい。
処理によって得られる酸化物層に比べて小さい。その結
果、本発明によるバリヤー層は光線の散乱中心として作
用する異物粒子を殆ど有さない。さらに、本発明による
反射器の場合には、入射光線の線状依存性吸収が小さ
く;その結果、特にバリヤー層の厚さが強めあう干渉が
生ずるように選択される場合には、例えば、dcプロセ
スによって得られる酸化物層付き既知反射器の反射性に
比べて、反射性の増強が得られる。dc陽極処理によっ
て得られる酸化物層に比べて、本発明による反射器上の
バリヤー層は例えばFe、Si、AlFeSiの粒子の
ような異物粒子によって影響されない、すなわち、バリ
ヤー層中に混入された、このような粒子は総反射率に影
響を与える光吸収にあまり強い影響を与えないし、入射
光線の散乱にも影響を及ぼさない。さらに、バリヤー層
の厚さが小さいために、曲がり縁における、特に酸化物
層の亀裂から生ずる曲がり縁における光の散乱度は通常
は無視できるほど小さい。
【0030】dcプロセスによって生ずる層厚さの通常
大きい差は選択的な光吸収と、それによるイリデンス問
題とを生ずる。他方では、反射器面上の本発明によるバ
リヤー層の小さく、非常に均一な厚さはイリデンス(虹
色)を生じない。さらに、このバリヤー層の厚さのため
に、反射面の間隔は非常に小さく、イリデンス効果を生
じない。dc層の場合には、反射面間隔は入射光線の波
長の範囲内であり、その結果、イリデンスが生ずること
になる。
大きい差は選択的な光吸収と、それによるイリデンス問
題とを生ずる。他方では、反射器面上の本発明によるバ
リヤー層の小さく、非常に均一な厚さはイリデンス(虹
色)を生じない。さらに、このバリヤー層の厚さのため
に、反射面の間隔は非常に小さく、イリデンス効果を生
じない。dc層の場合には、反射面間隔は入射光線の波
長の範囲内であり、その結果、イリデンスが生ずること
になる。
【0031】赤外領域での酸化物層の強い吸収の結果と
して、dc陽極処理によって製造される酸化物層を含む
反射器は中程度の反射率のみを有し、このような反射率
は反射器を赤外反射器として不適当にする。これとは対
照的に、本発明による反射器は約10μmの厚さまで赤
外波長の有意な吸収を示さない。
して、dc陽極処理によって製造される酸化物層を含む
反射器は中程度の反射率のみを有し、このような反射率
は反射器を赤外反射器として不適当にする。これとは対
照的に、本発明による反射器は約10μmの厚さまで赤
外波長の有意な吸収を示さない。
【0032】本発明による反射器にさらに加工を施す場
合にも、これらの反射器は、例えば曲げた時に目視可能
な亀裂すなわち光る縁が形成されないという、既知の最
先端技術の反射器を凌駕する有意な利点を有する。
合にも、これらの反射器は、例えば曲げた時に目視可能
な亀裂すなわち光る縁が形成されないという、既知の最
先端技術の反射器を凌駕する有意な利点を有する。
【0033】下記表1は、バリヤー層なしの艶出しアル
ミニウム面と150nm厚さバリヤー層を有する種々な
純度を有する艶出しアルミニウム面との典型的な反射率
特性の比較、特に指向性反射値と散乱反射値の数値の比
較を示す。バリヤー層なしの艶出しアルミニウム面は9
9.9重量%Alの純度を有する。バリヤー層付きアル
ミニウム艶出し面は99.50、99.9及び99.98
重量%Alの純度を有する。表1の反射率値はドイツ工
業規格DIN5036に従って測定したものであり、技
術的照明特性を表す、すなわち、反射率測定値は光に対
する眼の感度に従って評価する。得られた値から知るこ
とができるように、反射率はバリヤー層によって最小度
にのみ低下するにすぎない。
ミニウム面と150nm厚さバリヤー層を有する種々な
純度を有する艶出しアルミニウム面との典型的な反射率
特性の比較、特に指向性反射値と散乱反射値の数値の比
較を示す。バリヤー層なしの艶出しアルミニウム面は9
9.9重量%Alの純度を有する。バリヤー層付きアル
ミニウム艶出し面は99.50、99.9及び99.98
重量%Alの純度を有する。表1の反射率値はドイツ工
業規格DIN5036に従って測定したものであり、技
術的照明特性を表す、すなわち、反射率測定値は光に対
する眼の感度に従って評価する。得られた値から知るこ
とができるように、反射率はバリヤー層によって最小度
にのみ低下するにすぎない。
【0034】
【表1】
【0035】本発明は、陽極処理によって製造される酸
化アルミニウムから形成され、20℃において6〜1
0.5の誘電率εを有し、アルミニウム面の全体にわた
って±5%より大きく変化しない、一定厚さの透明な無
孔バリヤー層によって保護されるアルミニウム面を特徴
とする、技術的照明のための反射器の製造方法にも関す
る。
化アルミニウムから形成され、20℃において6〜1
0.5の誘電率εを有し、アルミニウム面の全体にわた
って±5%より大きく変化しない、一定厚さの透明な無
孔バリヤー層によって保護されるアルミニウム面を特徴
とする、技術的照明のための反射器の製造方法にも関す
る。
【0036】この目的は、本発明によると、アルミニウ
ム面を、酸化アルミニウム層を溶解しない電解質中で電
解酸化し、nmで測定して、生ずる酸化物層の所望の厚
さdが、下記判断基準に従って選択される、一定の電解
質電圧U(volt): d/1.4≦U≦d/1.2 [式中、d/1.4とd/1.2とは分子としてのdと分
母の1.4及び1.2との商を表す]を選択して、設定す
ることによって得られることによって達成される。
ム面を、酸化アルミニウム層を溶解しない電解質中で電
解酸化し、nmで測定して、生ずる酸化物層の所望の厚
さdが、下記判断基準に従って選択される、一定の電解
質電圧U(volt): d/1.4≦U≦d/1.2 [式中、d/1.4とd/1.2とは分子としてのdと分
母の1.4及び1.2との商を表す]を選択して、設定す
ることによって得られることによって達成される。
【0037】本発明による方法は、薄い均質な−少なく
とも可視領域における電磁放射線に関して−透明な、均
一厚さのバリヤー層の製造を可能にする。例えば空気の
ような媒質中に光線が広がり、光線の伝播速度の異なる
(屈折率の異なる)他の媒質(例えば、アルミニウム)
に入ると、表面に衝突する光線部分が反射される。それ
故、表面全体にわたって均一な反射率特性を有する反射
器を得るためには、均一な厚さの同質な層を有すること
が必要である。
とも可視領域における電磁放射線に関して−透明な、均
一厚さのバリヤー層の製造を可能にする。例えば空気の
ような媒質中に光線が広がり、光線の伝播速度の異なる
(屈折率の異なる)他の媒質(例えば、アルミニウム)
に入ると、表面に衝突する光線部分が反射される。それ
故、表面全体にわたって均一な反射率特性を有する反射
器を得るためには、均一な厚さの同質な層を有すること
が必要である。
【0038】本発明による電解方法では、少なくとも、
酸化されるべきアルミニウム面に既述し、定義した表面
条件を与えて、次に導電性流体、すなわち電解質中に入
れ、陽極としてdc電源に結合させる、この場合に、負
の電極は通常ステンレス鋼、黒鉛、鉛又はアルミニウム
である。本発明によると、電解質は電解プロセス中に形
成される酸化アルミニウムが化学的に溶解しない、すな
わち、酸化アルミニウムが再溶解しないような電解質で
ある。dc電界では、ガス状水素が陰極に形成され、陽
極にガス状酸素が形成される。アルミニウム面に形成さ
れる酸素はアルミニウムと反応して、プロセス中に酸化
物層の厚さが増大する。バリヤー層の厚さが増大するに
つれて、層の抵抗は急速に増加するので、対応して電流
は低下し、層は成長を停止する。
酸化されるべきアルミニウム面に既述し、定義した表面
条件を与えて、次に導電性流体、すなわち電解質中に入
れ、陽極としてdc電源に結合させる、この場合に、負
の電極は通常ステンレス鋼、黒鉛、鉛又はアルミニウム
である。本発明によると、電解質は電解プロセス中に形
成される酸化アルミニウムが化学的に溶解しない、すな
わち、酸化アルミニウムが再溶解しないような電解質で
ある。dc電界では、ガス状水素が陰極に形成され、陽
極にガス状酸素が形成される。アルミニウム面に形成さ
れる酸素はアルミニウムと反応して、プロセス中に酸化
物層の厚さが増大する。バリヤー層の厚さが増大するに
つれて、層の抵抗は急速に増加するので、対応して電流
は低下し、層は成長を停止する。
【0039】本発明による反射器の製造は清浄な硫酸ア
ルミニウムを必要とする、すなわち、電解酸化すべき表
面は通常、本発明によるプロセスの前に、表面処理(い
わゆる前処理)を受けなければならない。
ルミニウムを必要とする、すなわち、電解酸化すべき表
面は通常、本発明によるプロセスの前に、表面処理(い
わゆる前処理)を受けなければならない。
【0040】アルミニウム表面は通常、自然に形成さ
れ、その今までの履歴のために、異物によって汚染され
た酸化物層を示す。このような異物は例えば圧延滑沢剤
残渣、輸送目的の保護油、腐食産物又は圧入された異物
粒子等であると考えられる。このような異物を除去する
ために、アルミニウム面を通常、面に作用する洗浄剤に
よって化学的に前処理する。この目的には、酸性水性脱
脂剤を別として、ポリホスフェート及びボレートに基づ
くアルカリ性脱脂剤が特に適切である。例えば苛性ソー
ダ又は硝酸とフッ化水素酸との混合物のような、強アル
カリ性又は酸性溶液による酸洗い又はエッチングは中程
度から顕著なまでの作用と物質除去とを生ずる。その結
果、自然の酸化物層と、それに混入されたあらゆる不純
物は除去される。侵襲性アルカリ作用はしばしば、酸後
処理によって除去しなければならない付着物を生ずる。
表面物質を除去しない洗浄は有機溶剤による又は水性若
しくはアルカリ性洗浄剤による脱脂によって実施する。
れ、その今までの履歴のために、異物によって汚染され
た酸化物層を示す。このような異物は例えば圧延滑沢剤
残渣、輸送目的の保護油、腐食産物又は圧入された異物
粒子等であると考えられる。このような異物を除去する
ために、アルミニウム面を通常、面に作用する洗浄剤に
よって化学的に前処理する。この目的には、酸性水性脱
脂剤を別として、ポリホスフェート及びボレートに基づ
くアルカリ性脱脂剤が特に適切である。例えば苛性ソー
ダ又は硝酸とフッ化水素酸との混合物のような、強アル
カリ性又は酸性溶液による酸洗い又はエッチングは中程
度から顕著なまでの作用と物質除去とを生ずる。その結
果、自然の酸化物層と、それに混入されたあらゆる不純
物は除去される。侵襲性アルカリ作用はしばしば、酸後
処理によって除去しなければならない付着物を生ずる。
表面物質を除去しない洗浄は有機溶剤による又は水性若
しくはアルカリ性洗浄剤による脱脂によって実施する。
【0041】表面状態に依存して、機械的な手段によっ
て、すなわち研磨材によって表面を除去することも必要
である。このような処理は、例えば磨砕、表面ブラスチ
ング、ブラッシング又は研磨によって、必要な場合に
は、化学的後処理によって補助して、実施することがで
きる。
て、すなわち研磨材によって表面を除去することも必要
である。このような処理は、例えば磨砕、表面ブラスチ
ング、ブラッシング又は研磨によって、必要な場合に
は、化学的後処理によって補助して、実施することがで
きる。
【0042】平坦な金属状態において、アルミニウム面
は光及び熱の非常に高い反射能力を有し、そのために、
表面が平滑であればあるほど、指向性反射率は大きくな
り、表面はより光沢を有することになる。高純度のアル
ミニウム及び例えばAlMg若しくはAlMgSiのよ
うな特定の合金によって、最大の光沢が得られる。
は光及び熱の非常に高い反射能力を有し、そのために、
表面が平滑であればあるほど、指向性反射率は大きくな
り、表面はより光沢を有することになる。高純度のアル
ミニウム及び例えばAlMg若しくはAlMgSiのよ
うな特定の合金によって、最大の光沢が得られる。
【0043】例えば、研磨、ミリング(milling)、最
終ロールパスにおける高度磨きロールによるローリング
によって、又は化学的若しくは電解による艶出しによっ
て、高度な反射面が得られる。研磨は例えばソフトクロ
スのバフホイール(buffingwheel)を用いて、必要な場
合には、研磨用ペーストを用いて実施することができ
る。ローリングによって研磨する場合には、最後のロー
ルパスにおいてロールと、ローリングされるべき物質と
の間に配置される、例えば彫刻ロール又は蝕刻鋼ロール
又は特定の構造を有する物質を用いてアルミニウム面に
一定の構造を与えることも可能である。化学的艶出しは
例えば高濃縮酸混合物を通常訳100℃を越える高温に
おいて用いることによって実施する。酸性又はアルカリ
性電解質を電解艶出しに用いることができるが、酸性電
解質が通常好ましい。
終ロールパスにおける高度磨きロールによるローリング
によって、又は化学的若しくは電解による艶出しによっ
て、高度な反射面が得られる。研磨は例えばソフトクロ
スのバフホイール(buffingwheel)を用いて、必要な場
合には、研磨用ペーストを用いて実施することができ
る。ローリングによって研磨する場合には、最後のロー
ルパスにおいてロールと、ローリングされるべき物質と
の間に配置される、例えば彫刻ロール又は蝕刻鋼ロール
又は特定の構造を有する物質を用いてアルミニウム面に
一定の構造を与えることも可能である。化学的艶出しは
例えば高濃縮酸混合物を通常訳100℃を越える高温に
おいて用いることによって実施する。酸性又はアルカリ
性電解質を電解艶出しに用いることができるが、酸性電
解質が通常好ましい。
【0044】光沢仕上げを維持するために、艶出し面を
化学的及び物理的影響から保護しなければならない。例
えばdc陽極処理又はペイント塗布のような既知の最先
端技術方法は、例えば、大きくて制御し難い層厚さ又は
不均質な層のような、上記欠点を有する。
化学的及び物理的影響から保護しなければならない。例
えばdc陽極処理又はペイント塗布のような既知の最先
端技術方法は、例えば、大きくて制御し難い層厚さ又は
不均質な層のような、上記欠点を有する。
【0045】本発明による方法は、バリヤー層/アルミ
ニウム界面において光線が反射されることができるよう
に、可視領域において本質的に透明であるような、均一
厚さの均質バリヤー層を形成する。
ニウム界面において光線が反射されることができるよう
に、可視領域において本質的に透明であるような、均一
厚さの均質バリヤー層を形成する。
【0046】本発明の方法によって電解的にバリヤー層
を形成することは、バリヤー層の厚さ全体に及ぶ正確な
制御を可能にする。本発明による方法によって得られる
バリヤー層の、ナノメーター(nm)で測定した、最大
層厚さは印加電圧(volt)に大体対応する、すなわ
ち、最大層厚さは陽極処理に関して印加する電圧の線状
関数である。印加電圧Uの関数として得られる最大バリ
ヤー層の正確な値は簡単な試行によって算出することが
でき、1.2〜1.4nm/Vの範囲内にあり、印加電圧
の関数としての厚さの正確な値は、用いる電解質に、す
なわちその組成及びその温度に依存する。
を形成することは、バリヤー層の厚さ全体に及ぶ正確な
制御を可能にする。本発明による方法によって得られる
バリヤー層の、ナノメーター(nm)で測定した、最大
層厚さは印加電圧(volt)に大体対応する、すなわ
ち、最大層厚さは陽極処理に関して印加する電圧の線状
関数である。印加電圧Uの関数として得られる最大バリ
ヤー層の正確な値は簡単な試行によって算出することが
でき、1.2〜1.4nm/Vの範囲内にあり、印加電圧
の関数としての厚さの正確な値は、用いる電解質に、す
なわちその組成及びその温度に依存する。
【0047】バリヤー層を再溶解しない電解質を用いる
ことによって、これらの層は殆ど無孔になる、すなわ
ち、生ずる孔は例えば電解質中の汚染物によるか、又は
外部アルミニウム層の構造欠陥によるものであり、電解
質中での酸化アルミニウムの溶解によるものとは殆ど考
えられない。酸化物層の形成中に酸化物層の電気抵抗は
増大するので、dcプロセスにおけるよりも非常に高い
電圧が必要になる。
ことによって、これらの層は殆ど無孔になる、すなわ
ち、生ずる孔は例えば電解質中の汚染物によるか、又は
外部アルミニウム層の構造欠陥によるものであり、電解
質中での酸化アルミニウムの溶解によるものとは殆ど考
えられない。酸化物層の形成中に酸化物層の電気抵抗は
増大するので、dcプロセスにおけるよりも非常に高い
電圧が必要になる。
【0048】本発明による方法に使用可能である非再溶
解性の電解質は、例えば、一般に水で希釈された、2以
上、好ましくは3以上、特に4以上、7以下、好ましく
は6以下、特に5.5以下のpH値を有する有機酸又は
無機酸である。常温(すなわち、室温)処理可能である
電解質が好ましい。例えば、低温における硫酸若しくは
リン酸、ホウ酸、アジピン酸、クエン酸、酒石酸又はこ
れらの混合物のような、無機酸若しくは有機酸、又は特
に上記酸とこれらの混合物のような、無機酸若しくは有
機酸のアンモニウム塩若しくはナトリウム塩の溶液がが
特に好ましい。塩溶液は電解質中に溶解したアンモニウ
ム塩若しくはナトリウム塩の全体で20g/l以下、有
効には2〜15g/lの濃度を有する。クエン酸若しく
は酒石酸のアンモニウム塩の溶液又はリン酸のナトリウ
ム塩の溶液が非常に好ましい。
解性の電解質は、例えば、一般に水で希釈された、2以
上、好ましくは3以上、特に4以上、7以下、好ましく
は6以下、特に5.5以下のpH値を有する有機酸又は
無機酸である。常温(すなわち、室温)処理可能である
電解質が好ましい。例えば、低温における硫酸若しくは
リン酸、ホウ酸、アジピン酸、クエン酸、酒石酸又はこ
れらの混合物のような、無機酸若しくは有機酸、又は特
に上記酸とこれらの混合物のような、無機酸若しくは有
機酸のアンモニウム塩若しくはナトリウム塩の溶液がが
特に好ましい。塩溶液は電解質中に溶解したアンモニウ
ム塩若しくはナトリウム塩の全体で20g/l以下、有
効には2〜15g/lの濃度を有する。クエン酸若しく
は酒石酸のアンモニウム塩の溶液又はリン酸のナトリウ
ム塩の溶液が非常に好ましい。
【0049】非常に高度に好ましい電解質は1〜5重量
%の酒石酸と、pHを所望のレベルに調節するためにこ
れに加えられた適当量の水酸化アンモニウム(NH4O
H)とを含む。
%の酒石酸と、pHを所望のレベルに調節するためにこ
れに加えられた適当量の水酸化アンモニウム(NH4O
H)とを含む。
【0050】一般に、電解質は水溶液である。
【0051】最大に可能な陽極酸化電圧は、電解質の誘
電値によって決定される。これは例えば電解質の組成及
び温度に依存し、通常は300〜600Vの範囲内であ
る。
電値によって決定される。これは例えば電解質の組成及
び温度に依存し、通常は300〜600Vの範囲内であ
る。
【0052】電解質の誘電値を高めるために、電解質に
新たな溶媒としてアルコールを加えることができる。こ
のために特に適するのは、メタノール、エタノール、プ
ロパノール(例えば、ポリプロピルアルコール若しくは
イソプロパノール)又はブタノールである。電解質への
アルコールの添加量は決定的ではなく、電解質対溶媒の
定量比は例えば1:50になることができる。アルコー
ルの添加によって、電解質の誘電値は例えば1200V
まで上昇することができる。しかし、本発明による方法
に関しては、アルコールを含まない電解質が好ましい。
新たな溶媒としてアルコールを加えることができる。こ
のために特に適するのは、メタノール、エタノール、プ
ロパノール(例えば、ポリプロピルアルコール若しくは
イソプロパノール)又はブタノールである。電解質への
アルコールの添加量は決定的ではなく、電解質対溶媒の
定量比は例えば1:50になることができる。アルコー
ルの添加によって、電解質の誘電値は例えば1200V
まで上昇することができる。しかし、本発明による方法
に関しては、アルコールを含まない電解質が好ましい。
【0053】本発明による方法のための最適温度は用い
る電解質に依存する;しかし、一般には、これは得られ
るバリヤー層の品質に対してあまり重要ではない。本発
明による方法のために、15〜40℃、特に18〜30
℃の温度が好ましい。
る電解質に依存する;しかし、一般には、これは得られ
るバリヤー層の品質に対してあまり重要ではない。本発
明による方法のために、15〜40℃、特に18〜30
℃の温度が好ましい。
【0054】本発明による方法はアルミニウム製コイ
ル、シート、ホイル若しくは物体上に連続的に若しくは
部分的に、又は少なくともアルミニウム外部層を有する
複合物質上にバリヤー層を形成するために特に適する。
このようなものとして、99.5重量%以上の純度のア
ルミニウムの使用がバリヤー層の品質に有意な影響を与
えないこと、すなわち、アルミニウム面の艶出し後に存
在する表面条件がバリヤー層形成後にも本質的に同じに
留まることが判明している。
ル、シート、ホイル若しくは物体上に連続的に若しくは
部分的に、又は少なくともアルミニウム外部層を有する
複合物質上にバリヤー層を形成するために特に適する。
このようなものとして、99.5重量%以上の純度のア
ルミニウムの使用がバリヤー層の品質に有意な影響を与
えないこと、すなわち、アルミニウム面の艶出し後に存
在する表面条件がバリヤー層形成後にも本質的に同じに
留まることが判明している。
【0055】本発明による方法は、例えば処理ラインを
用いる連続プロセス(例えばストリップ陽極処理プロセ
ス)におけるアルミニウム面の電解酸化に特に適する。
用いる連続プロセス(例えばストリップ陽極処理プロセ
ス)におけるアルミニウム面の電解酸化に特に適する。
【0056】本発明による方法は最先端技術のdc陽極
処理に比べて下記利点を有する: ・酸化アルミニウムが再溶解せず、塩濃度が通常非常に
低い(約20g/lまで)ので、電解質の消耗が無視で
きる; ・シーリング不要; ・電流の消費が低い。
処理に比べて下記利点を有する: ・酸化アルミニウムが再溶解せず、塩濃度が通常非常に
低い(約20g/lまで)ので、電解質の消耗が無視で
きる; ・シーリング不要; ・電流の消費が低い。
【0057】dcプロセスでは、酸化アルミニウムの再
溶解の結果として、電解質のアルミニウム富化が生じ、
これに応じて、電解質の消費が増大する。さらに、dc
陽極処理のための電解質は高濃度の酸(すなわち、20
0g/lまで)を必要とする。これに比べて、本発明に
よる方法のための電解液中の塩の濃度は非常に低い(す
なわち、約20g/lまで)。したがって、本発明によ
る方法は酸化物層中への電解質成分の混入を殆ど生じな
い。
溶解の結果として、電解質のアルミニウム富化が生じ、
これに応じて、電解質の消費が増大する。さらに、dc
陽極処理のための電解質は高濃度の酸(すなわち、20
0g/lまで)を必要とする。これに比べて、本発明に
よる方法のための電解液中の塩の濃度は非常に低い(す
なわち、約20g/lまで)。したがって、本発明によ
る方法は酸化物層中への電解質成分の混入を殆ど生じな
い。
【0058】dcプロセスによる陽極処理による2mμ
m厚さの酸化物層の製造は約35,000A/m2の電流
消費を生ずるが、これに比べて、本発明による方法によ
って150nmの典型的なバリヤー層を形成するための
電流の消費は、約2,500A/m2であるにすぎない。
m厚さの酸化物層の製造は約35,000A/m2の電流
消費を生ずるが、これに比べて、本発明による方法によ
って150nmの典型的なバリヤー層を形成するための
電流の消費は、約2,500A/m2であるにすぎない。
【0059】dcプロセスによ酸化物層の製造は、厚い
酸化物層中に埋封された不溶性粒子による光の吸収若し
くは拡散散乱を防止するため又は干渉効果による好まし
くないイリデンスを防止するために非常に純粋なアルミ
ニウムを必要とするが、本発明による方法の場合には、
バリヤー層の厚さを適当に選択することによって、この
ような層をあまり純粋でないアルミニウムによってもイ
リデンスなく製造することができる。
酸化物層中に埋封された不溶性粒子による光の吸収若し
くは拡散散乱を防止するため又は干渉効果による好まし
くないイリデンスを防止するために非常に純粋なアルミ
ニウムを必要とするが、本発明による方法の場合には、
バリヤー層の厚さを適当に選択することによって、この
ような層をあまり純粋でないアルミニウムによってもイ
リデンスなく製造することができる。
【0060】本発明による反射器は技術的照明のための
ランプに、特に、例えばコンピュータモニタースクリー
ンを用いる職場のための機能的ランプに、二次照明に、
スポットランプに、又は例えば光偏向ラメラのような照
明要素に優先的に用いられる。
ランプに、特に、例えばコンピュータモニタースクリー
ンを用いる職場のための機能的ランプに、二次照明に、
スポットランプに、又は例えば光偏向ラメラのような照
明要素に優先的に用いられる。
【0061】本発明による反射器の好ましい使用は、装
飾用ランプ、特に色調ランプ、又は例えば天井若しくは
壁要素上の装飾面に関してである。
飾用ランプ、特に色調ランプ、又は例えば天井若しくは
壁要素上の装飾面に関してである。
【0062】本発明による反射器は、照明の角度及び/
又は観察の角度に依存する色調の発生にも好ましく用い
られる。
又は観察の角度に依存する色調の発生にも好ましく用い
られる。
【0063】本発明による反射器の他の好ましい使用
は、反射を強化するLI/HI多層の形成のための出発
物質としてのそれらの使用である。このためには、(k
・λ/4±20nm)厚さのAl2O3バリヤー層が必要
である、式中、λは反射器面に衝突する光線の平均波長
であり、kは奇数の自然数である。
は、反射を強化するLI/HI多層の形成のための出発
物質としてのそれらの使用である。このためには、(k
・λ/4±20nm)厚さのAl2O3バリヤー層が必要
である、式中、λは反射器面に衝突する光線の平均波長
であり、kは奇数の自然数である。
【0064】1.6の屈折率を有する、本発明によるバ
リヤー層上に付着するための適当なHI層(高屈折率
層)は、例えば約2.5の屈折率を有する二酸化チタン
(TiO2)層、プラセオジミウム−チタン−オキシド
(Pr−Ti−オキシド)層、ランタン−チタン−オキ
シド(La−Ti−オキシド)層、ZnS層又はCeO
2層である。しかし、TiO2、Pr−Ti−オキシド又
はLa−Ti−オキシドのHI層が好ましい。HI層は
PVD方法又は所望の金属酸化物を含む有機化合物の分
解(例えば、CVD方法によって)によって付着させる
ことができる。
リヤー層上に付着するための適当なHI層(高屈折率
層)は、例えば約2.5の屈折率を有する二酸化チタン
(TiO2)層、プラセオジミウム−チタン−オキシド
(Pr−Ti−オキシド)層、ランタン−チタン−オキ
シド(La−Ti−オキシド)層、ZnS層又はCeO
2層である。しかし、TiO2、Pr−Ti−オキシド又
はLa−Ti−オキシドのHI層が好ましい。HI層は
PVD方法又は所望の金属酸化物を含む有機化合物の分
解(例えば、CVD方法によって)によって付着させる
ことができる。
【0065】
【実施例】用いたアルミニウム面は99.9重量%純度
の平坦な圧延アルミニウムであり、これに下記前処理を
実施した: (1)5分間沸騰による脱脂; (2)すすぎ洗い; (3)HNO3(濃度HNO3:H2O=1:1)中での
中和; (4)すすぎ洗い; (5)H2O及び脱イオンH2O中でのすすぎ洗い; (6)エタノール浴中への浸漬; (7)熱風による乾燥。
の平坦な圧延アルミニウムであり、これに下記前処理を
実施した: (1)5分間沸騰による脱脂; (2)すすぎ洗い; (3)HNO3(濃度HNO3:H2O=1:1)中での
中和; (4)すすぎ洗い; (5)H2O及び脱イオンH2O中でのすすぎ洗い; (6)エタノール浴中への浸漬; (7)熱風による乾燥。
【0066】前処理後に、アルミニウム面を下記操作に
より艶出しする: (1)低温電解質浴中への浸漬; (2)H3PO4/H2SO4(比重1.755)中で16
Vにおいて60秒間電解; (3)60℃のH2O中ですすぎ洗い; (4)NaOH(100g/l)中で50℃において3
秒間、電解質付着物の除去; (5)すすぎ洗い; (6)HNO3(濃度HNO3:H2O=1:1)中での
中和; (7)H2O及び脱イオンH2O中でのすすぎ洗い; (8)エタノール浴中への浸漬; (9)熱風による乾燥。
より艶出しする: (1)低温電解質浴中への浸漬; (2)H3PO4/H2SO4(比重1.755)中で16
Vにおいて60秒間電解; (3)60℃のH2O中ですすぎ洗い; (4)NaOH(100g/l)中で50℃において3
秒間、電解質付着物の除去; (5)すすぎ洗い; (6)HNO3(濃度HNO3:H2O=1:1)中での
中和; (7)H2O及び脱イオンH2O中でのすすぎ洗い; (8)エタノール浴中への浸漬; (9)熱風による乾燥。
【0067】次に、艶出しアルミニウム面を1g/lの
濃度のクエン酸中で室温において陽極処理した、印加電
圧は最初は20Vであり、これを20V/分の速度で連
続的に上昇させた。電圧を10V上昇させた後に、バリ
ヤー層を有するアルミニウム面の指向性反射率を、各
回、DIN67530による方法を用いて表面法線に対
して20゜の角度において、すなわち、Alミラー(ミ
ラーの反射率は100%である)に比較して測定した。
20〜370Vの全電圧範囲にわたる電解中に測定され
た残留電流は15mA/dm未満であった。
濃度のクエン酸中で室温において陽極処理した、印加電
圧は最初は20Vであり、これを20V/分の速度で連
続的に上昇させた。電圧を10V上昇させた後に、バリ
ヤー層を有するアルミニウム面の指向性反射率を、各
回、DIN67530による方法を用いて表面法線に対
して20゜の角度において、すなわち、Alミラー(ミ
ラーの反射率は100%である)に比較して測定した。
20〜370Vの全電圧範囲にわたる電解中に測定され
た残留電流は15mA/dm未満であった。
【0068】図1は、99.9重量%Alの艶出しアル
ミニウム面の指向性屈折率と、150nmバリヤー層を
有する、同じ純度の艶出しアルミニウム面の指向性屈折
率との比較を示すグラフである。図1の縦座標軸に沿っ
て、DIN67530に従って測定した反射率値をプロ
ットし、横座標軸に沿っては電解のために印加した電圧
をプロットする。曲線(a)は艶出しアルミニウム面上
で測定した反射率値を示し、曲線(b)はバリヤー層を
有する艶出しアルミニウム面上で測定した反射率値を示
す。各場合に、反射率値は基準ミラー(すなわち、アル
ミニウムが蒸着し、SiO2層によって保護されたガラ
ス板)の反射率値の%として記載する。図1に、バリヤ
ー層厚さの測定反射率値も示す、光学的層厚さは本質的
にλ/4(ラムダ/4)と本質的にλ/2(ラムダ/
2)である。
ミニウム面の指向性屈折率と、150nmバリヤー層を
有する、同じ純度の艶出しアルミニウム面の指向性屈折
率との比較を示すグラフである。図1の縦座標軸に沿っ
て、DIN67530に従って測定した反射率値をプロ
ットし、横座標軸に沿っては電解のために印加した電圧
をプロットする。曲線(a)は艶出しアルミニウム面上
で測定した反射率値を示し、曲線(b)はバリヤー層を
有する艶出しアルミニウム面上で測定した反射率値を示
す。各場合に、反射率値は基準ミラー(すなわち、アル
ミニウムが蒸着し、SiO2層によって保護されたガラ
ス板)の反射率値の%として記載する。図1に、バリヤ
ー層厚さの測定反射率値も示す、光学的層厚さは本質的
にλ/4(ラムダ/4)と本質的にλ/2(ラムダ/
2)である。
【図1】99.9重量%Alの艶出しアルミニウム面の
指向性屈折率と、150nmバリヤー層を有する、同じ
純度の艶出しアルミニウム面の指向性屈折率との比較を
示すグラフ。
指向性屈折率と、150nmバリヤー層を有する、同じ
純度の艶出しアルミニウム面の指向性屈折率との比較を
示すグラフ。
Claims (14)
- 【請求項1】 アルミニウムの反射面と、20℃におい
て6〜10.5の誘電率を有する、陽極処理によって製
造される酸化アルミニウムの透明な保護無孔バリヤー層
とを有する技術的照明のための反射器であって、バリヤ
ー層の厚さdが下記条件: (a)強めあう干渉のために、 d・n=k・λ/2±20nm 又は(b)色調が調和した反射器面を得るために、 [k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+1)・λ
/2−20nm] 又は(c)反射率を強めるLI/HI多層被膜を有する
反射器を製造するための出発物質としての使用のため
に、 d・n=l・λ/4±20nm [式中、nはバリヤー層の屈折率であり、λは反射器の
表面に衝突する光線の平均波長であり、kは自然数であ
り、lは奇数である自然数である]を満たし、バリヤー
層の厚さが60〜490nmの範囲内であり、アルミニ
ウム面の全体にわたって、±5%より大きく変化しない
前記反射器。 - 【請求項2】 アルミニウム面が99.5〜99.98重
量%の純度を有する請求項1記載の反射器。 - 【請求項3】 バリヤー層の厚さが75〜320nmの
範囲内である請求項1記載の反射器。 - 【請求項4】 λが日中にヒトの眼によって最も良く知
覚されることができる光の平均波長に相当する請求項1
記載の反射器。 - 【請求項5】 バリヤー層が、強めあう干渉のための条
件: d・n=k・λ/2±20nm を満たす厚さdを有して、入射光線のエネルギーの3%
未満を吸収する請求項1記載の反射器。 - 【請求項6】 アルミニウム面を、酸化アルミニウム層
を溶解しない電解質中で電解酸化し、生ずる酸化物層の
所望の厚さd(nmで測定)が、下記判断基準に従って
選択される、一定の電解質電圧U(volt): d/1.4≦U≦d/1.2 を選択して、設定することによって得られる請求項1記
載の反射器の製造方法。 - 【請求項7】 有機酸又は無機酸を含む溶液を非再溶解
性電解質として用い、前記溶液が2〜7のpH値を有す
る請求項6記載の方法。 - 【請求項8】 非再溶解性電解質が有機酸若しくは無機
酸のアンモニウム塩若しくはナトリウム塩の溶液、又は
有機酸若しくは無機酸のアンモニウム塩若しくはナトリ
ウム塩と対応有機酸若しくは無機酸とを含む溶液であ
り、この溶液が2〜7のpH値を有する請求項6記載の
方法。 - 【請求項9】 電解質がアンモニウム塩又はナトリウム
塩の20g/l以下の濃度を有する請求項8記載の方
法。 - 【請求項10】 アルミニウム面の電解酸化を連続処理
ラインにおける連続プロセスとして、好ましくはストリ
ップ材料の陽極処理プロセスにおいて実施する請求項6
記載の方法。 - 【請求項11】 特にコンピュータモニタースクリーン
を用いる職場の機能ランプ、二次照明、スポットラン
プ、光偏向要素又は光偏向ラメラとしての、特に昼間に
おける、技術的照明用途のランプ用の、バリヤー層の厚
さdが下記条件: d・n=k・λ/2±20nm [式中、kは自然数である]を満たす請求項1〜5のい
ずれかに記載の反射器の使用方法。 - 【請求項12】 装飾的ランプ又は天井若しくは壁要素
の装飾面用の、バリヤー層の厚さdが下記条件: [k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+1)・λ
/2−20nm] [式中、kは自然数である]を満たす請求項1〜4のい
ずれかに記載の反射器の使用方法。 - 【請求項13】 反射率を高めるLI/HI多層バリヤ
ー層を製造するための出発物質としての、バリヤー層の
厚さdが下記条件: d・n=l・λ/4±20nm [式中、lは奇数の自然数である]を満たす請求項1〜
4のいずれかに記載の反射器の使用方法。 - 【請求項14】 照明の角度又は観察の角度に依存する
色調を生ずるための、バリヤー層の厚さが下記条件: [k・λ/2+20nm]<d・n<[(k+1)・λ
/2−20nm] [式中、kは自然数である]を満たす請求項1〜4のい
ずれかに記載の反射器の使用方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH03543/94-0 | 1994-11-24 | ||
| CH03543/94A CH689065A5 (de) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Aluminiumoberflaechen fuer lichttechnische Zwecke. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222018A true JPH08222018A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=4258252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7305379A Pending JPH08222018A (ja) | 1994-11-24 | 1995-11-24 | 技術的照明のための反射器 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5856020A (ja) |
| EP (1) | EP0714039B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08222018A (ja) |
| KR (1) | KR100237502B1 (ja) |
| AT (1) | ATE302425T1 (ja) |
| CA (1) | CA2162423C (ja) |
| CH (1) | CH689065A5 (ja) |
| DE (1) | DE59511012D1 (ja) |
| ES (1) | ES2243931T3 (ja) |
| NO (1) | NO319859B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237210A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-08-23 | Tozai Denko Co Ltd | 高照度蛍光灯用照明器具 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH690080A5 (de) * | 1995-09-12 | 2000-04-14 | Alusuisse Lonza Services Ag | Aluminium-Reflektor mit reflexionserhöhendem Schichtverbund. |
| AU2020597A (en) * | 1996-04-03 | 1997-10-29 | Alusuisse Technology & Management Ag | Coating substrate |
| EP0802267B1 (de) * | 1996-04-18 | 2000-01-05 | Alusuisse Technology & Management AG | Aluminiumoberfläche mit Interferenzfarben |
| EP0816875A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-07 | Alusuisse Technology & Management AG | Reflektor mit reflexionserhöhendem Schichtverbund |
| DE59712489D1 (de) * | 1997-07-17 | 2005-12-22 | Alcan Tech & Man Ag | Walzprodukt aus Metall mit lichtaufweitender Oberflächenstruktur |
| US6138490A (en) * | 1998-07-17 | 2000-10-31 | Pechiney Rolled Products Llc | Process for rendering a metal sheet suitable for lighting applications and sheet produced thereby |
| FR2782668B1 (fr) * | 1998-09-01 | 2000-11-24 | Pechiney Rhenalu | Tole ou bande en alliage d'aluminium a reflectivite elevee sur une face et faible sur l'autre face |
| ES2205565T3 (es) * | 1998-11-12 | 2004-05-01 | ALCAN TECHNOLOGY & MANAGEMENT AG | Reflector con superficie resistente. |
| US6427904B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-08-06 | Clad Metals Llc | Bonding of dissimilar metals |
| US6350176B1 (en) * | 1999-02-01 | 2002-02-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High quality optically polished aluminum mirror and process for producing |
| US6966820B1 (en) | 2000-01-27 | 2005-11-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High quality optically polished aluminum mirror and process for producing |
| US6709119B2 (en) | 2001-04-27 | 2004-03-23 | Alusuisse Technology & Management Ltd. | Resistant surface reflector |
| DE10149928C1 (de) * | 2001-10-10 | 2002-12-12 | Wkw Erbsloeh Automotive Gmbh | Verfahren zum Glänzen von Aluminium und dessen Verwendung |
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| EP2418521B1 (en) * | 2009-08-07 | 2017-08-23 | Almeco S.p.A. | A method of making a temperature resistant highly reflective aluminium based surface for solar reflector applications and reflector parts made thereof |
| EP2328183A1 (de) * | 2009-11-26 | 2011-06-01 | Engineered Products Switzerland AG | Substrat mit einer Metallfolie zur Herstellung von Photovoltaik-Zellen |
| KR102652258B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2024-03-28 | 에이비엠 주식회사 | 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버 |
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| US4065364A (en) * | 1976-01-21 | 1977-12-27 | Fromson H A | Process for anodizing aluminum |
| US4379196A (en) * | 1981-04-23 | 1983-04-05 | General Electric Company | Protective coating for aluminum and method of making |
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| US4737246A (en) * | 1984-09-19 | 1988-04-12 | Aluminum Company Of America | Anodizing process for producing highly reflective aluminum materials without preliminary brightening processing |
| US5116674A (en) * | 1989-01-27 | 1992-05-26 | Ciba-Geigy Corporation | Composite structure |
| CH683188A5 (de) * | 1991-01-11 | 1994-01-31 | Alusuisse Lonza Services Ag | Aluminiumoberflächen. |
| EP0523677A3 (en) * | 1991-07-16 | 1994-10-19 | Canon Kk | Method and apparatus for anodic oxidation treatment |
-
1994
- 1994-11-24 CH CH03543/94A patent/CH689065A5/de not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-10-25 US US08/547,799 patent/US5856020A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-30 DE DE59511012T patent/DE59511012D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-30 AT AT95810679T patent/ATE302425T1/de not_active IP Right Cessation
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- 1995-10-30 ES ES95810679T patent/ES2243931T3/es not_active Expired - Lifetime
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-
1997
- 1997-05-19 US US08/859,807 patent/US5779871A/en not_active Expired - Fee Related
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