JPH08222477A - コンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィルム - Google Patents
コンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィルムInfo
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- JPH08222477A JPH08222477A JP2182095A JP2182095A JPH08222477A JP H08222477 A JPH08222477 A JP H08222477A JP 2182095 A JP2182095 A JP 2182095A JP 2182095 A JP2182095 A JP 2182095A JP H08222477 A JPH08222477 A JP H08222477A
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- polyethylene naphthalate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁破壊電圧が向上し、かつ誘電特性が安定
化したコンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィル
ムを提供する。 【構成】 縦横共にフィルムの破断強度が２５ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上であり、２００℃１０分のフィルム長手方向熱
収縮率が３〜１５％であることを特徴とするコンデンサ
ー用ポリエチレンナフタレートフィルム。
化したコンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィル
ムを提供する。 【構成】 縦横共にフィルムの破断強度が２５ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上であり、２００℃１０分のフィルム長手方向熱
収縮率が３〜１５％であることを特徴とするコンデンサ
ー用ポリエチレンナフタレートフィルム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサー用ポリエ
チレンナフタレートフィルムに関する。更に詳しくは、
チップ実装可能な耐熱性、電気特性に優れたコンデンサ
ー用ポリエチレンナフタレートフィルムに関する。
チレンナフタレートフィルムに関する。更に詳しくは、
チップ実装可能な耐熱性、電気特性に優れたコンデンサ
ー用ポリエチレンナフタレートフィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】フィルムコンデンサーは、一般に二軸配
向ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸配向ポリ
プロピレンフィルム等のフィルムとアルミニウム箔等の
金属箔膜とを重ね合わせて巻回する方法や、あるいは前
記フィルムの表面にアルミニウム、亜鉛等の蒸着膜を形
成させた後に巻回したり積層する方法により製造されて
いる。
向ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸配向ポリ
プロピレンフィルム等のフィルムとアルミニウム箔等の
金属箔膜とを重ね合わせて巻回する方法や、あるいは前
記フィルムの表面にアルミニウム、亜鉛等の蒸着膜を形
成させた後に巻回したり積層する方法により製造されて
いる。
【０００３】最近では、電気あるいは電子回路の小型化
要求に伴い、コンデンサーについてもその小型化や実装
可能化が押し進められており、耐熱性向上や薄物化が進
められている。また薄物化に対応するためにはフィルム
のヤング率向上が加工性向上のために必要であり、耐熱
性、高ヤング率の薄物フィルムが求められている。
要求に伴い、コンデンサーについてもその小型化や実装
可能化が押し進められており、耐熱性向上や薄物化が進
められている。また薄物化に対応するためにはフィルム
のヤング率向上が加工性向上のために必要であり、耐熱
性、高ヤング率の薄物フィルムが求められている。
【０００４】この目的に適合するコンデンサー用フィル
ムとして、例えば、特開昭６２ー６０２１４号公報、特
開昭６２ー１３６０１３号公報、特開昭６３ー１４０５
１２号公報、特開平４ー２５５２０８号公報で二軸配向
ポリエチレンナフタレートフィルムが提案されている。
ムとして、例えば、特開昭６２ー６０２１４号公報、特
開昭６２ー１３６０１３号公報、特開昭６３ー１４０５
１２号公報、特開平４ー２５５２０８号公報で二軸配向
ポリエチレンナフタレートフィルムが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ポリエチレンナフタレ
ートフィルムは汎用されているポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに近い電気特性を有しながら比較的高いガ
ラス転移温度を有しているためにポリエチレンテレフタ
レートフィルムコンデンサーの使用温度範囲を広げるも
のとして期待されている。また、ヤング率も高いために
薄物化に適するフィルムとしてこの観点からの検討がな
されている。しかし、コンデンサー用フィルムとして使
用するには、絶縁破壊電圧の向上や誘電率や誘電損失な
どの誘電特性の安定化が必要であり、特にチップ状コン
デンサーなどの極薄物フィルムではこれらの特性を向上
させることを強く要求されている。これらを解決する目
的でフィルム表面粗さを制御したり、突起を形成するた
めに添加する粒子を特定することが提案されているが、
必ずしも充分ではないのが現状である。
ートフィルムは汎用されているポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに近い電気特性を有しながら比較的高いガ
ラス転移温度を有しているためにポリエチレンテレフタ
レートフィルムコンデンサーの使用温度範囲を広げるも
のとして期待されている。また、ヤング率も高いために
薄物化に適するフィルムとしてこの観点からの検討がな
されている。しかし、コンデンサー用フィルムとして使
用するには、絶縁破壊電圧の向上や誘電率や誘電損失な
どの誘電特性の安定化が必要であり、特にチップ状コン
デンサーなどの極薄物フィルムではこれらの特性を向上
させることを強く要求されている。これらを解決する目
的でフィルム表面粗さを制御したり、突起を形成するた
めに添加する粒子を特定することが提案されているが、
必ずしも充分ではないのが現状である。
【０００６】本発明はかかる上記したポリエチレンナフ
タレートフィルムをコンデンサー用フィルムとして使用
する際絶縁破壊電圧の向上および誘電特性の安定化を目
的とするものである。
タレートフィルムをコンデンサー用フィルムとして使用
する際絶縁破壊電圧の向上および誘電特性の安定化を目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記実状に
鑑みて、コンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィ
ルムの電気特性向上について鋭意検討を重ねた結果、特
定の破断強度と熱収縮率をを有するフィルムがこれらの
特性を高度に満足することを知見し、本発明を完成する
に至った。
鑑みて、コンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィ
ルムの電気特性向上について鋭意検討を重ねた結果、特
定の破断強度と熱収縮率をを有するフィルムがこれらの
特性を高度に満足することを知見し、本発明を完成する
に至った。
【０００８】すなわち、本発明の要旨は、縦横共にフィ
ルムの破断強度が２５ｋｇ／ｍｍ2以上であり、２００
℃１０分のフィルム長手方向熱収縮率が３〜１５％であ
ることを特徴とするコンデンサー用ポリエチレンナフタ
レートフィルムに存する。
ルムの破断強度が２５ｋｇ／ｍｍ2以上であり、２００
℃１０分のフィルム長手方向熱収縮率が３〜１５％であ
ることを特徴とするコンデンサー用ポリエチレンナフタ
レートフィルムに存する。
【０００９】本発明でいうポリエチレンナフタレートフ
ィルムとはその主たる構成単位がエチレンー２、６ーナ
フタレート単位から構成されているフィルムであり、２
０モル％以下の共重合成分により変性されていてもよ
い。共重合成分としては、アジピン酸、セバシン酸、テ
レフタル酸、イソフタル酸、２、７ーナフタレンジカル
ボン酸、１、５ーナフタレンジカルボン酸、シクロヘキ
サンジカルボン酸、ジフェニルエタンジカルボン酸、フ
ェニルインダンジカルボン酸などのジカルボン酸成分、
ジエチレングリコール、プロピレングリコール、テトラ
エチレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、キ
シリレングリコール、ポリエチレングリコールなどのグ
リコール成分が挙げられる。
ィルムとはその主たる構成単位がエチレンー２、６ーナ
フタレート単位から構成されているフィルムであり、２
０モル％以下の共重合成分により変性されていてもよ
い。共重合成分としては、アジピン酸、セバシン酸、テ
レフタル酸、イソフタル酸、２、７ーナフタレンジカル
ボン酸、１、５ーナフタレンジカルボン酸、シクロヘキ
サンジカルボン酸、ジフェニルエタンジカルボン酸、フ
ェニルインダンジカルボン酸などのジカルボン酸成分、
ジエチレングリコール、プロピレングリコール、テトラ
エチレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、キ
シリレングリコール、ポリエチレングリコールなどのグ
リコール成分が挙げられる。
【００１０】共重合成分量が増加すると、本来ポリエチ
レンー２、６ーナフタレートフィルムの有している耐熱
性が低下するので、好ましくは１０モル％以下、さらに
は５モル％以下とするのが好ましい。
レンー２、６ーナフタレートフィルムの有している耐熱
性が低下するので、好ましくは１０モル％以下、さらに
は５モル％以下とするのが好ましい。
【００１１】ポリエチレンナフタレートは一般にナフタ
レンー２、６ージカルボン酸またはその機能的誘導体例
えばナフタレンー２、６ージカルボン酸ジメチルとエチ
レングリコールとを触媒の存在下、適当な反応条件の下
に重縮合せしめる公知の方法で製造される。
レンー２、６ージカルボン酸またはその機能的誘導体例
えばナフタレンー２、６ージカルボン酸ジメチルとエチ
レングリコールとを触媒の存在下、適当な反応条件の下
に重縮合せしめる公知の方法で製造される。
【００１２】この時、得られるフィルムに滑り性を付与
したり、加工適性を向上する目的で例えば酸化チタン、
炭酸カルシウム、シリカ、アルミナやジルコニアなどの
無機粒子やシリコン粒子、架橋アクリル粒子や架橋ポリ
スチレン粒子などの有機粒子などの不活性粒子を添加し
たり、またポリマの合成時に酢酸カルシウムや酢酸リチ
ウムなどを使用し、合成過程で粒子を析出させるなど公
知の方法が好ましく利用される。使用される粒子の平均
径や添加量は後述するフィルムの表面粗さの観点から選
択されるが、好ましくは平均粒子径が０．０１〜３μｍ
の範囲であり、ポリエチレンー２、６ーナフタレートに
対し０．０５〜１重量％の範囲が好ましく使用される。
また、粗大粒子は絶縁欠点などの原因になり、絶縁破壊
電圧を低下させるため５μｍ以上の粗大粒子は含有しな
いことが好ましい。このため、無機粒子や有機粒子など
の不活性粒子はエチレングリコールなどの溶媒中でスラ
リーとしサンドグラインダーなどの媒体撹拌型分散装置
や超音波分散装置で分散し、その後湿式分級装置で分級
したりフィルター出濾過し粗大粒子を除去するのが好ま
しい。
したり、加工適性を向上する目的で例えば酸化チタン、
炭酸カルシウム、シリカ、アルミナやジルコニアなどの
無機粒子やシリコン粒子、架橋アクリル粒子や架橋ポリ
スチレン粒子などの有機粒子などの不活性粒子を添加し
たり、またポリマの合成時に酢酸カルシウムや酢酸リチ
ウムなどを使用し、合成過程で粒子を析出させるなど公
知の方法が好ましく利用される。使用される粒子の平均
径や添加量は後述するフィルムの表面粗さの観点から選
択されるが、好ましくは平均粒子径が０．０１〜３μｍ
の範囲であり、ポリエチレンー２、６ーナフタレートに
対し０．０５〜１重量％の範囲が好ましく使用される。
また、粗大粒子は絶縁欠点などの原因になり、絶縁破壊
電圧を低下させるため５μｍ以上の粗大粒子は含有しな
いことが好ましい。このため、無機粒子や有機粒子など
の不活性粒子はエチレングリコールなどの溶媒中でスラ
リーとしサンドグラインダーなどの媒体撹拌型分散装置
や超音波分散装置で分散し、その後湿式分級装置で分級
したりフィルター出濾過し粗大粒子を除去するのが好ま
しい。
【００１３】本発明で用いるポリエチレンナフタレート
は重合度が低すぎると、機械的特性が低下するため、そ
の極限粘度は０．４以上好ましくは０．５以上、最も好
ましくは０．６以上である。
は重合度が低すぎると、機械的特性が低下するため、そ
の極限粘度は０．４以上好ましくは０．５以上、最も好
ましくは０．６以上である。
【００１４】さらに、ポリマーを減圧下または不活性ガ
ス雰囲気下その融点以下の温度で加熱処理や固相重合を
おこなうこともできる。この処理を行うことにより、オ
リゴマー量が低減し、また極限粘度も高めることができ
コンデンサー用フィルムとして好ましい。
ス雰囲気下その融点以下の温度で加熱処理や固相重合を
おこなうこともできる。この処理を行うことにより、オ
リゴマー量が低減し、また極限粘度も高めることができ
コンデンサー用フィルムとして好ましい。
【００１５】本発明のコンデンサー用ポリエチレンナフ
タレートフィルムは縦横共にフィルムの破断強度が２５
ｋｇ／ｍｍ2 以上であり、２００℃１０分のフィルム長
手方向熱収縮率が３〜１５％であることが必要である。
縦横の破断強度が２５ｋｇ／ｍｍ2 より小さい場合には
絶縁破壊電圧が低下し好ましくない。好ましい破断強度
は３０ｋｇ／ｍｍ2 以上、更に好ましくは３５ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上である。
タレートフィルムは縦横共にフィルムの破断強度が２５
ｋｇ／ｍｍ2 以上であり、２００℃１０分のフィルム長
手方向熱収縮率が３〜１５％であることが必要である。
縦横の破断強度が２５ｋｇ／ｍｍ2 より小さい場合には
絶縁破壊電圧が低下し好ましくない。好ましい破断強度
は３０ｋｇ／ｍｍ2 以上、更に好ましくは３５ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上である。
【００１６】２００℃１０分のフィルム長手方向の熱収
縮率が３％未満の時は、アルミニウムなどを蒸着し金属
化フィルムとなし巻回または積層してコンデンサーを作
成した場合またはアルミニウム箔とともに巻回し箔巻き
コンデンサーを作成し、さらにプレス・熱処理してコン
デンサー製品を作成した場合の絶縁破壊電圧が低下し、
好ましくない。また、２００℃１０分のフィルム長手方
向の熱収縮率が１５％を越える場合にも同様に絶縁破壊
電圧が低下し、好ましくない。好ましい熱収縮率は４〜
１０％である。
縮率が３％未満の時は、アルミニウムなどを蒸着し金属
化フィルムとなし巻回または積層してコンデンサーを作
成した場合またはアルミニウム箔とともに巻回し箔巻き
コンデンサーを作成し、さらにプレス・熱処理してコン
デンサー製品を作成した場合の絶縁破壊電圧が低下し、
好ましくない。また、２００℃１０分のフィルム長手方
向の熱収縮率が１５％を越える場合にも同様に絶縁破壊
電圧が低下し、好ましくない。好ましい熱収縮率は４〜
１０％である。
【００１７】また本発明のコンデンサー用ポリエチレン
ナフタレートフィルムはフィルム表面粗さＲａが０．０
１〜１．０μｍであり、かつ０．１μｍ以上の高さの突
起数が１０4 個／ｍｍ2 以下であることが必要である。
Ｒａが０．０１μｍより小さい場合にはフィルムが平坦
すぎて作業性が悪化し易い。一方Ｒａが１．０μｍより
大きい場合にはフィルム上の突起が大きすぎてコンデン
サーとしたときフィルム間に空気が介在し誘電特性が不
安定化したり、また絶縁破壊電圧が低下し易い。さら
に、０．１μｍ以上の高さの突起数が１０4 個／ｍｍ2
を越える場合には、アルミニウムなどを蒸着し金属化フ
ィルムとなし巻回または積層してコンデンサーを作成し
た場合またはアルミニウム箔とともに巻回し箔巻きコン
デンサーを作成し、さらにプレス・熱処理してコンデン
サー製品を作成した場合の絶縁破壊電圧が低下し、好ま
しくない。
ナフタレートフィルムはフィルム表面粗さＲａが０．０
１〜１．０μｍであり、かつ０．１μｍ以上の高さの突
起数が１０4 個／ｍｍ2 以下であることが必要である。
Ｒａが０．０１μｍより小さい場合にはフィルムが平坦
すぎて作業性が悪化し易い。一方Ｒａが１．０μｍより
大きい場合にはフィルム上の突起が大きすぎてコンデン
サーとしたときフィルム間に空気が介在し誘電特性が不
安定化したり、また絶縁破壊電圧が低下し易い。さら
に、０．１μｍ以上の高さの突起数が１０4 個／ｍｍ2
を越える場合には、アルミニウムなどを蒸着し金属化フ
ィルムとなし巻回または積層してコンデンサーを作成し
た場合またはアルミニウム箔とともに巻回し箔巻きコン
デンサーを作成し、さらにプレス・熱処理してコンデン
サー製品を作成した場合の絶縁破壊電圧が低下し、好ま
しくない。
【００１８】また、本発明のフィルム厚みは好ましくは
５０μｍ、より好ましくは２５μｍ以下であり、またチ
ップコンデンサー用には好ましくは５μｍ以下さらに好
ましくは３μｍ以下である。
５０μｍ、より好ましくは２５μｍ以下であり、またチ
ップコンデンサー用には好ましくは５μｍ以下さらに好
ましくは３μｍ以下である。
【００１９】次に本発明のフィルムを得るための方法を
以下に具体的に述べるが、これに限定されるものではな
い。
以下に具体的に述べるが、これに限定されるものではな
い。
【００２０】溶融重合または固相重合して得た微細粒子
含有ポリエチレンナフタレートを乾燥後、２８０〜３２
０℃の範囲の温度で押出機よりシート状に押出し、８０
℃以下の温度に冷却して実質的に無定形のシートとす
る。なお、溶融押出しするに際しフィルターでろ過する
のが好ましく、必要に応じ多段フィルターを用いること
が好ましい。また冷却固化する際にキャスティングドラ
ムに密着させるため、静電印加キャスト法を適用するの
が好ましい。
含有ポリエチレンナフタレートを乾燥後、２８０〜３２
０℃の範囲の温度で押出機よりシート状に押出し、８０
℃以下の温度に冷却して実質的に無定形のシートとす
る。なお、溶融押出しするに際しフィルターでろ過する
のが好ましく、必要に応じ多段フィルターを用いること
が好ましい。また冷却固化する際にキャスティングドラ
ムに密着させるため、静電印加キャスト法を適用するの
が好ましい。
【００２１】該未延伸シート状物はまず縦方向に１２０
〜１７０℃の温度で２．５倍以上６倍以下、好ましくは
３倍以上５倍以下延伸する。該一軸延伸フィルムは一旦
ガラス転移温度以下に冷却した後、または冷却すること
なく１２０〜１７０℃に予備加熱し、ついで幅方向にほ
ぼ同程度の温度で２．５倍以上６倍以下の倍率で延伸
し、二軸延伸とする。この場合にさらに縦方向、幅方向
に１．１倍以上３倍以下の倍率で延伸することもでき
る。縦方向に延伸する際の温度は１３０〜１８０℃が好
ましく、引き続く幅方向の延伸は１５０〜２４０℃で行
うことが好ましい。次いで得られた二軸配向フィルム
は、１２０〜２５０℃好ましくは１８０〜２４０℃の温
度範囲で１秒から１時間の間で熱固定を行なう。熱固定
温度が２５０℃より高い時には破断強度が低下しまた１
２０℃より低い場合には長手方向熱収縮率が大きくなる
ため好ましくない。
〜１７０℃の温度で２．５倍以上６倍以下、好ましくは
３倍以上５倍以下延伸する。該一軸延伸フィルムは一旦
ガラス転移温度以下に冷却した後、または冷却すること
なく１２０〜１７０℃に予備加熱し、ついで幅方向にほ
ぼ同程度の温度で２．５倍以上６倍以下の倍率で延伸
し、二軸延伸とする。この場合にさらに縦方向、幅方向
に１．１倍以上３倍以下の倍率で延伸することもでき
る。縦方向に延伸する際の温度は１３０〜１８０℃が好
ましく、引き続く幅方向の延伸は１５０〜２４０℃で行
うことが好ましい。次いで得られた二軸配向フィルム
は、１２０〜２５０℃好ましくは１８０〜２４０℃の温
度範囲で１秒から１時間の間で熱固定を行なう。熱固定
温度が２５０℃より高い時には破断強度が低下しまた１
２０℃より低い場合には長手方向熱収縮率が大きくなる
ため好ましくない。
【００２２】また得られたフィルムはロール状態で２０
〜１２０℃好ましくは４０〜１００℃の温度範囲で１時
間から７日間の間で加熱処理を行うのが好ましい。
〜１２０℃好ましくは４０〜１００℃の温度範囲で１時
間から７日間の間で加熱処理を行うのが好ましい。
【００２３】このようにして、これまで知られていたフ
ィルムに比較して、絶縁破壊特性および誘電特性が安定
化した、ポリエチレンナフタレートフィルムを得ること
ができ、特に耐熱性に優れたチップ状フィルムコンデン
サー用フィルムとして好適に使用できる。
ィルムに比較して、絶縁破壊特性および誘電特性が安定
化した、ポリエチレンナフタレートフィルムを得ること
ができ、特に耐熱性に優れたチップ状フィルムコンデン
サー用フィルムとして好適に使用できる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、その主旨を越えない限り本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。なお、実施例で得られたフ
ィルムの物性値の測定値は下記の方法による。
るが、その主旨を越えない限り本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。なお、実施例で得られたフ
ィルムの物性値の測定値は下記の方法による。
【００２５】（１）破断強度 ＪＩＳ−Ｋ−７１２７に準じた。インストロンタイプの
引張試験機を用い、試料長５０ｍｍ、試料幅１０ｍｍの
試料を用いて２０℃、６５％ＲＨにてフィルムが破断す
るまで引っ張り、破断時の応力を測定した。
引張試験機を用い、試料長５０ｍｍ、試料幅１０ｍｍの
試料を用いて２０℃、６５％ＲＨにてフィルムが破断す
るまで引っ張り、破断時の応力を測定した。
【００２６】（２）熱収縮率 測定試料に約３０ｃｍ間隔で標線を入れ、２００℃に制
御した加熱オーブン中で張力なしの状態で１０分間加熱
処理を行ない、熱処理後の試料長を測定し次式により求
めた。
御した加熱オーブン中で張力なしの状態で１０分間加熱
処理を行ない、熱処理後の試料長を測定し次式により求
めた。
【００２７】熱収縮率＝１００×（熱処理前の長さ−熱
処理後の長さ）／熱処理前の長さ （３）中心線平均表面粗さ（Ｒａ：μｍ） 小坂研究所社製表面粗さ測定器（ＳＥ−３ＦＫ）を使用
し、ＪＩＳーＢー０６０１の従って測定した。
処理後の長さ）／熱処理前の長さ （３）中心線平均表面粗さ（Ｒａ：μｍ） 小坂研究所社製表面粗さ測定器（ＳＥ−３ＦＫ）を使用
し、ＪＩＳーＢー０６０１の従って測定した。
【００２８】（４）表面突起数 ２検出方式の走査型電子顕微鏡「ＥＭＳ−３２００、エ
リオニクス（株）製」と断面測定装置「ＰＭＳ−１、エ
リオニクス（株）製」においてフィルム表面の平坦部を
０として走査した時の突起の高さ測定値を画像解析装置
［ＩＢＡＳ２０００、カールツアイス（株）製」に送
り、フィルム表面突起画像を再構築する。次に、この表
面画像で突起部分を２値化し、個々の突起分布の中で最
も高い値を突起の高さとし、これを個々の突起について
求める。この測定を場所を変えて５０回繰り返した。こ
こで測定された突起の高さが０．１μｍ以上のものの個
数を測定した。走査型電子顕微鏡の倍率は通常３０００
倍、突起の大きさの応じて２０００〜５０００倍の範囲
で最適な倍率を選択できる。
リオニクス（株）製」と断面測定装置「ＰＭＳ−１、エ
リオニクス（株）製」においてフィルム表面の平坦部を
０として走査した時の突起の高さ測定値を画像解析装置
［ＩＢＡＳ２０００、カールツアイス（株）製」に送
り、フィルム表面突起画像を再構築する。次に、この表
面画像で突起部分を２値化し、個々の突起分布の中で最
も高い値を突起の高さとし、これを個々の突起について
求める。この測定を場所を変えて５０回繰り返した。こ
こで測定された突起の高さが０．１μｍ以上のものの個
数を測定した。走査型電子顕微鏡の倍率は通常３０００
倍、突起の大きさの応じて２０００〜５０００倍の範囲
で最適な倍率を選択できる。
【００２９】（４）誘電特性 ＪＩＳーＣ−５１０２の測定法により測定した。
【００３０】（５）絶縁破壊電圧 ＪＩＳ−Ｃ−２３１８の測定法に準じて直流電圧を用い
て測定した。絶縁破壊電圧は５０個の測定結果の平均値
として求めた。
て測定した。絶縁破壊電圧は５０個の測定結果の平均値
として求めた。
【００３１】実施例１ ジメチルー２、６ーナフタレート１００部（重量部、以
下特記しない限り部は重量部を示す。）、エチレングリ
コール６０部および酢酸マンガン４水和物０．０６部を
反応器にとり、約４時間をかけて２３０℃まで徐々に加
熱昇温した。この時生成してくるメタノールを留去さ
せ、エステル交換反応を終了した。この反応物にリン酸
トリメチル０．０４部、三酸化アンチモン０．０３部お
よびエチレングリコール１０部に分散させた平均粒子径
０．３μｍの球状シリカ０．２部を添加し、常法に従っ
て重合し、極限粘度０．６８のチップを得た。このチッ
プを１６０℃で１０時間真空乾燥した後、３００℃で溶
融し、Ｔダイから押出し静電印可キャスト法にて急冷し
て無定形シートとした。得られた無定形シートを１３５
℃で長手方向に５．０倍、ついで１３５℃で幅方向に
５．０倍延伸し、２４０℃で２秒間熱固定した後ロール
の巻取った。このフィルムの厚さは２．０μｍであり、
フィルム表面粗さ（Ｒａ）は０．０３０μｍ、０．１μ
ｍ以上の高さの表面突起数は３×１０3 個／ｍｍ2 、長
手方向の破断強度は３５ｋｇ／ｍｍ2 、幅方向の破断強
度は３４ｋｇ／ｍｍ2 であった。また、２００℃１０分
熱処理後の収縮率は８％であった。
下特記しない限り部は重量部を示す。）、エチレングリ
コール６０部および酢酸マンガン４水和物０．０６部を
反応器にとり、約４時間をかけて２３０℃まで徐々に加
熱昇温した。この時生成してくるメタノールを留去さ
せ、エステル交換反応を終了した。この反応物にリン酸
トリメチル０．０４部、三酸化アンチモン０．０３部お
よびエチレングリコール１０部に分散させた平均粒子径
０．３μｍの球状シリカ０．２部を添加し、常法に従っ
て重合し、極限粘度０．６８のチップを得た。このチッ
プを１６０℃で１０時間真空乾燥した後、３００℃で溶
融し、Ｔダイから押出し静電印可キャスト法にて急冷し
て無定形シートとした。得られた無定形シートを１３５
℃で長手方向に５．０倍、ついで１３５℃で幅方向に
５．０倍延伸し、２４０℃で２秒間熱固定した後ロール
の巻取った。このフィルムの厚さは２．０μｍであり、
フィルム表面粗さ（Ｒａ）は０．０３０μｍ、０．１μ
ｍ以上の高さの表面突起数は３×１０3 個／ｍｍ2 、長
手方向の破断強度は３５ｋｇ／ｍｍ2 、幅方向の破断強
度は３４ｋｇ／ｍｍ2 であった。また、２００℃１０分
熱処理後の収縮率は８％であった。
【００３２】次に該フィルムの片面にアルミニウムを幅
２０ｍｍの帯状に真空蒸着し（マージン幅３ｍｍ）、蒸
着部とマージン部の間で切断して巻き取った。この切断
したフィルムを、マージン部が互いに反対側になるよう
に重ね合わせて巻回し、常法に従ってプレス、熱処理、
端面封止および、各電極のリードを取り付けを行ない容
量０．１μＦのコンデンサーを作製した。誘電正接は
０．４％、絶縁破壊電圧は５９０Ｖ、５０個の測定のう
ち最低値は４００Ｖで、良好な耐圧を有していた。
２０ｍｍの帯状に真空蒸着し（マージン幅３ｍｍ）、蒸
着部とマージン部の間で切断して巻き取った。この切断
したフィルムを、マージン部が互いに反対側になるよう
に重ね合わせて巻回し、常法に従ってプレス、熱処理、
端面封止および、各電極のリードを取り付けを行ない容
量０．１μＦのコンデンサーを作製した。誘電正接は
０．４％、絶縁破壊電圧は５９０Ｖ、５０個の測定のう
ち最低値は４００Ｖで、良好な耐圧を有していた。
【００３３】実施例２〜５ 実施例１において、粒子の添加量および延伸条件を変更
する以外は実施例１と同様にして厚み１．５μｍの二軸
延伸フィルムを得、実施例１と同様にしてコンデンサー
のを作成した。フィルムの特性およびコンデンサーの誘
電率および絶縁破壊電圧を表１に示す。
する以外は実施例１と同様にして厚み１．５μｍの二軸
延伸フィルムを得、実施例１と同様にしてコンデンサー
のを作成した。フィルムの特性およびコンデンサーの誘
電率および絶縁破壊電圧を表１に示す。
【００３４】
【表１】 比較例１〜４ 実施例１において粒子の添加量および延伸条件、熱固定
条件を変更し、フィルムの破断強度および表面特性、熱
収縮率を変更した２．０μｍ厚みのフィルムを作製し、
実施例１と同様にしてコンデンサーの絶縁破壊電圧およ
び誘電正接を測定した。結果を表２に示した。
条件を変更し、フィルムの破断強度および表面特性、熱
収縮率を変更した２．０μｍ厚みのフィルムを作製し、
実施例１と同様にしてコンデンサーの絶縁破壊電圧およ
び誘電正接を測定した。結果を表２に示した。
【００３５】
【表２】 この結果、破断強度および熱収縮率、表面特性が本発明
の範囲を越える場合には、絶縁破壊電圧および誘電特性
は不安定で、ばらつきが大きくなり、コンデンサーとし
て良好ではなかった。
の範囲を越える場合には、絶縁破壊電圧および誘電特性
は不安定で、ばらつきが大きくなり、コンデンサーとし
て良好ではなかった。
【００３６】
【発明の効果】本発明のコンデンサー用ポリエチレンナ
フタレートフィルムは、耐熱性に優れ、また絶縁破壊電
圧や誘電特性が安定化し、耐熱性、誘電特性および電気
特性に優れたコンデンサーを得ることができる。特に小
型化、耐熱化が必要なチップコンデンサー用フィルムと
して好適である。
フタレートフィルムは、耐熱性に優れ、また絶縁破壊電
圧や誘電特性が安定化し、耐熱性、誘電特性および電気
特性に優れたコンデンサーを得ることができる。特に小
型化、耐熱化が必要なチップコンデンサー用フィルムと
して好適である。
Claims (3)
- 【請求項１】 縦横共にフィルムの破断強度が２５ｋｇ
／ｍｍ2 以上であり、２００℃１０分のフィルム長手方
向熱収縮率が３〜１５％であることを特徴とするコンデ
ンサー用ポリエチレンナフタレートフィルム。 - 【請求項２】 フィルム表面粗さが０．０１〜１．０μ
ｍであり、かつ０．１μｍ以上の高さの突起数が１０4
個／ｍｍ2 以下であることを特徴とする請求項１記載の
コンデンサ用ポリエチレンナフタレートフィルム。 - 【請求項３】 チップ状フィルムコンデンサーに用いら
れてなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサー
用ポリエチレンナフタレートフィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182095A JPH08222477A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | コンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182095A JPH08222477A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | コンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222477A true JPH08222477A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12065702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182095A Pending JPH08222477A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | コンデンサー用ポリエチレンナフタレートフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222477A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100537100B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2005-12-16 | 주식회사 코오롱 | 콘덴서 피복용 폴리에스테르계 열수축성 튜브 |
| US20120040208A1 (en) * | 2004-01-29 | 2012-02-16 | Teijin Dupont Films Japan Limited | Biaxially oriented film |
| US8310802B2 (en) * | 2006-08-28 | 2012-11-13 | Panasonic Corporation | Metallization film capacitor having divided electrode with fuse |
-
1995
- 1995-02-09 JP JP2182095A patent/JPH08222477A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100537100B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2005-12-16 | 주식회사 코오롱 | 콘덴서 피복용 폴리에스테르계 열수축성 튜브 |
| US20120040208A1 (en) * | 2004-01-29 | 2012-02-16 | Teijin Dupont Films Japan Limited | Biaxially oriented film |
| US8367199B2 (en) * | 2004-01-29 | 2013-02-05 | Teijin Dupont Films Japan Limited | Biaxially oriented film |
| US8310802B2 (en) * | 2006-08-28 | 2012-11-13 | Panasonic Corporation | Metallization film capacitor having divided electrode with fuse |
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