JPH08222848A - 半導体チップの交換方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】半田残渣の高さにバラツキがあったり、回路基
板の厚さにバラツキがあったり、反りがあったりして
も、半田残渣同士が連なったり、配線部以外に流出する
ことを防止する。 【構成】加熱ツール２０を加熱しながらそれの押圧面に
真空吸着させた基板２６の金薄膜２８で回路基板１０上
の半田残渣２４を押圧しつつ熔融してこの薄膜２８に濡
れ広がらせるときに、半田残渣２４の高さのバラツキと
か回路基板１０の厚さのバラツキなどによって金薄膜２
８の半田残渣２４に対する片当たりによる過剰な押圧
を、ステージ２または加熱ツール２０に設けたクッショ
ン材６によって防止し、これによって半田残渣２４同士
の連なりとか配線部以外への流出を防止する方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半田バンプにより回路
基板上にフリップチップ接続された半導体チップの交換
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップの多端子化、高集積化に伴
い、フェイスダウンで回路基板上に接続するフリップチ
ップ実装技術が普及しつつある。図２２ないし図２４を
参照してこのフリップチップ実装について説明する。図
２２を参照して、上面の配線５２を残してソルダレジス
ト５４が塗布された回路基板５６上に、その配線５２に
個別に対応して半田バンプ５８を有する半導体チップ６
０を対向配置する。図２３を参照して、その配置状態
で、回路基板５６上にフラックスを用いて半導体チップ
６０を固定した状態でリフロー炉を通して半田バンプ５
８を熔融して配線５２に接続する。この際、ソルダレジ
スト５４が半田ダムとなって配線５２以外の半田濡れが
防止される。このようにして接続が終了する。こうして
回路基板５６に接続された半導体チップ６０は、通常、
目視検査とかバーンインテストによって良品、不良品の
判定が行われる。良品と判定された半導体チップは図２
４を参照するように樹脂６２で封止される。不良品と判
定された半導体チップは、例えば特開平１ー２０９７３
６号公報に記載されているような半導体チップ交換方法
でもって、別の良品の半導体チップと交換される。

【０００３】従来のこの種の半導体チップの交換方法に
ついて図２５ないし図２９を参照して説明する。図２５
に示すようにホットプレート６２上に、不良半導体チッ
プ６０が実装された回路基板５６を載置して加熱する。
この加熱で半田バンプ５８が熔融するので、ピンセット
等を用いて回路基板５６から半導体チップ６０を剥離す
る。この剥離によって図２６に示すように回路基板５６
上には互いに高さが不揃いな複数の半田残渣６４が残さ
れる。

【０００４】図２７に示すようにシリコン板６６が固定
された押し当て治具６８を用意する。このシリコン板６
６には金属薄膜７０が形成されている。押し当て治具６
８に荷重を加えてその金属薄膜７０を回路基板５６上の
半田残渣６４に押し当てて加熱する。この加熱によって
金属薄膜７０を濡れ広がらせてこれに半田残渣６４を吸
収させる。半田残渣６４が吸収されると、図２８に示す
ように、押し当て治具６８を取り除く。これによって、
回路基板５６上の不揃いな半田残渣６４が除去され、回
路基板５６上の半田残渣６４は平滑化される。こうし
て、不揃いな半田残渣６４が除去された回路基板５６上
に図２８に示すように良品の交換用半導体チップ６０ａ
を搭載することで半導体チップの交換が完了する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した半導体チップ
交換方法の問題点について、図３０ないし図３５を参照
して説明することにする。ここで、図３０ないし図３２
は半田残渣の高さにバラツキがある場合であり、図３３
ないし図３５は半田残渣の高さのバラツキに加えて回路
基板の厚さにもバラツキがある場合である。ここで、そ
の問題点の説明の前に図３０と図３３に示される各部の
構成について概略説明すると、基板固定ステージ７２上
に回路基板５６が固定されている。この回路基板５６か
らは半導体チップが剥離されているので、回路基板５６
には半田残渣６４が残されている。押し当て治具６８は
半田残渣６４を加熱するものであり、この押し当て治具
６８にはシリコン板６６が固定されている。このシリコ
ン板６６には半田残渣６４を吸収するための金属薄膜７
０が形成されている。

【０００６】上記において、金属薄膜７０に半田残渣６
４を吸収させる場合、シリコン板６６が平坦化されてい
たとしても、図３０のように半田残渣６４の高さにバラ
ツキがあるとか、図３３のように回路基板５６に厚さの
バラツキがある場合では、シリコン板６６の金属薄膜７
０が複数の半田残渣６４のうち、高さ方向で金属薄膜７
０に最も近い位置にある半田残渣６４にのみ先に片当た
りしてしまうことになる。このような片当たりがあった
のでは、シリコン板６６の金属薄膜７０と最初に接触す
る半田残渣６４が他の半田残渣６４よりも先に加熱され
てしまうことになるから、最初に接触した半田残渣６４
が大きく変形してしまう。すなわち、半田残渣６４がシ
リコン板６６の金属薄膜７０に濡れ広がって吸収される
前に、押し当て治具６８によって押さえられてしまい、
図３０の場合では図３１に示すように、図３３の場合で
は図３４に示すように、それぞれ、半田残渣６４どうし
が熱で熔融して連なってしまったり、あるいは、図３２
および図３５に示すように、熔融された半田が配線部分
以外に流出してしまう。

【０００７】なお、図３１および図３４の場合では、回
路基板５６を側面から見てハッチングでもって隣り合う
半田残渣同士が連なっている状態が示され、図３２およ
び図３５の場合では、回路基板５６上を平面から見て、
半導体チップが固定される矩形の箇所から４方向のそれ
ぞれに複数の配線５２が平行して延び、半導体チップの
半田バンプが接続される配線部分には、ハッチングでも
って隣り合う半田残渣同士の連なりと共に、配線５２以
外のところのソルダレジスト塗布部分５４にも熔融半田
が流出しているのが示されている。

【０００８】以上のように、従来の半導体チップの交換
方法では、半田バンプが微小ピッチで半導体チップに形
成されている場合とか、回路基板の厚さとか反りにバラ
ツキがある場合では、金属薄膜に吸収させるために加熱
熔融された半田残渣が、前記のように互いに連なった
り、流出したりすることのないように半田残渣を除去す
ることがたいへん困難であった。

【０００９】したがって、本発明においては、半田残渣
の高さにバラツキがあっても、回路基板に厚さとか反り
のバラツキがあっても、隣り合う半田残渣が連なった
り、不要な箇所に流出したりせずに容易に半田残渣を除
去できるようにすることを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の請求項１に係る半導体チップの交換
方法においては、基板固定ステージ上に固定されている
回路基板の配線上に複数の半田バンプによってフリップ
チップ接続された半導体チップを加熱してこれら半田バ
ンプを熔融し、この熔融状態で半導体チップを回路基板
から剥離し、この剥離のときに回路基板上に残る複数の
半田残渣を加熱しながら金属薄膜を半田残渣に押圧する
ことで、金属薄膜に半田残渣を濡れ広がらせて吸収させ
る半導体チップの交換方法において、回路基板をクッシ
ョン材を介して基板固定ステージ上に固定することを特
徴としている。

【００１１】本発明の請求項２に係る半導体チップの交
換方法においては、前記基板固定ステージ上にはさらに
前記クッション材の上に硬質材を配備することを特徴と
している。

【００１２】本発明の請求項３に係る半導体チップの交
換方法においては、基板固定ステージ上に回路基板を固
定した状態で回路基板に複数の半田バンプによってフリ
ップチップ接続された半導体チップを加熱してこれら半
田バンプを熔融し、この熔融状態で半導体チップを回路
基板から剥離し、この剥離のときに回路基板上に残る複
数の半田残渣を加熱しながら金属薄膜を半田残渣に押圧
することで、該金属薄膜にこれら半田残渣を濡れ広がら
せて吸収させる半導体チップの交換方法において、加熱
ツールの押圧面にクッション材を介して金属薄膜を取り
付け、この加熱ツールで金属薄膜を加熱しながら半田残
渣を押圧することを特徴としている。

【００１３】

【作用】基板固定ステージとか回路基板の傾きは回路基
板上の半田残渣とこれを吸収する金属薄膜との片当たり
を引き起こす原因となるが、本発明の請求項１によれ
ば、回路基板をクッション材を介して基板固定ステージ
上に固定することから、クッション材が、半田残渣が金
属薄膜に濡れ広がる前に、上記片当たりによる金属薄膜
から半田残渣への過剰な押圧を防止することになり、半
田残渣同士の連なりとか、熔融した半田残渣が配線部分
以外に流出するのを防止できる。

【００１４】また、回路基板の厚みが薄い場合には、回
路基板が加熱とか押圧によって反り返ったり、へこんだ
りするが、本発明の請求項２によれば基板固定ステージ
上にはさらに前記クッション材の上に硬質材を配備する
から、このような回路基板の反り返りとかへこみが防止
され、金属薄膜による半田残渣の吸収を効果的にでき
る。

【００１５】上記では、クッション材が基板固定ステー
ジ上に配備されているが、請求項３のように加熱ツール
の押圧面にクッション材を介して金属薄膜を取り付け、
この加熱ツールで金属薄膜を加熱しながら半田残渣を押
圧するようにしても、クッション材が、半田残渣が金属
薄膜に濡れ広がる前に、上記片当たりによる金属薄膜か
ら半田残渣への過剰な押圧を防止することになり、半田
残渣同士の連なりとか、熔融した半田残渣が配線部分以
外に流出するのを防止できる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の各実施例を図面を参照して詳
細に説明する。

【００１７】実施例１ 図１ないし図７は、本発明の実施例１に係る半導体チッ
プ交換方法の説明に供する図である。まず、図１に示さ
れる各部の構成について説明する。基板固定ステージ２
には複数の真空孔４が互いに適宜の間隔毎に上下に貫通
して形成されている。このステージ２にはクッション材
６が固定されている。クッション材６にもステージ２の
各真空孔４と連通する真空孔８が形成されている。

【００１８】ステージ２の傾きとか、それに固定される
回路基板１０の傾きとか厚さのバラツキ、あるいは、半
田残渣の高さのバラツキによって、後述される金属薄膜
が回路基板１０上の半田残渣に片当たりする。実施例１
のクッション材６は、金属薄膜に半田残渣が濡れ広がる
前に上記片当たりによる過剰な押圧が半田残渣に加わら
ないように、そのクッション機能を果たすためのもので
ある。クッション材６は、加熱に耐える必要があるため
に耐熱性を有するものであり、例えばポリマー化成株式
会社製のシリコンスポンジマット（２〜５ｍｍ^t）、シ
リコフォーム（３〜５ｍｍ^t）、あるいは、シリコマッ
ト（３〜８ｍｍ^t）、あるいはまた、サカセ化成工業株
式会社製のシリコマット（４ｍｍ^t）のいずれかを設け
る。

【００１９】クッション材６上には、回路基板１０が載
置される。この回路基板１０はステージ２、クッション
材６それぞれの真空孔４，８からの真空引きでクッショ
ン材６を介してステージ２上に固定される。回路基板１
０には不良品として交換されるべき半導体チップ１２が
フリップチップ接続されている。ここで、図解の明瞭化
のために、回路基板１０上の配線部１４およびソルダレ
ジスト部１６と、半導体チップ１２の半田バンプ１８と
が拡大されて示されている。

【００２０】加熱ツール２０は、ステージ２の上方に位
置して、ステージ２に向けて上昇下降可能であり、半導
体チップ１２を吸着するための真空孔２２が上下方向に
貫通されて形成されている。加熱ツール２０はまた、パ
ルスヒート（設定温度２７０℃、１０秒）を内蔵してい
る。

【００２１】以下、実施例１の半導体チップの交換方法
について説明する。

【００２２】図１で示すようにクッション材６を介して
ステージ２上に回路基板１０を固定する。次に、図２で
示すように半導体チップ１２の上方に位置する加熱ツー
ル２０を図示していない下降手段でもって下降させてこ
れを半導体チップ１２の裏面に接触させる。半田バンプ
１８は、それが共晶半田の場合では、２００〜２４０℃
で熔融するから、半導体チップ１２を介して半田バンプ
１８を加熱ツール２０で加熱して熔融しながら、真空孔
２２を介して真空引きして加熱ツール２０に半導体チッ
プ１２を真空吸着して、図３で示すように加熱ツール２
０を上昇させる。そうすると、回路基板１０上から半導
体チップ１２が剥離する。この加熱は加熱ツール２０に
よる加熱のみではなく、ステージ２による加熱であって
もよいし、これらの併用、さらには他の加熱装置との併
用であってもよい。この剥離によって図３で示すように
回路基板１０上には互いに高さが不揃いな半田残渣２４
が残されることになる。

【００２３】次に、図４で示すように、プリント基板ま
たはセラミック基板などからなる半田吸い取り用基板２
６を準備する。この半田吸い取り用基板２６の最表層に
は金属薄膜の一例としての金薄膜２８がメッキまたはス
パッタリングなどの薄膜形成手法によって好ましくは１
０００オングストローム程度の厚さに形成されている。
この場合、半田吸い取り用基板２６の最表層に金薄膜２
８を形成するために、通常は、基板２６と金薄膜２８と
の間に、Ａｌ，Ｔｉ，ＴｉＷ，Ｃｕ，ＣｕＮｉなどから
なる多層金属薄膜３０を介在させる。そして、この半田
吸い取り用基板２６をそれの最表層の金薄膜２８の面に
フラックス３２を塗布して、同じく図４で示すように加
熱ツール２０の押圧面に真空引きにより吸着させる。そ
して、図５で示すように加熱ツール２０を回路基板１０
の半田残渣２４上に下降させていき、半田吸い取り用基
板２６の金薄膜２８を例えば荷重３００〜４００ｇで半
田残渣２４に押し当てて、加熱ツール２０内蔵のパルス
ヒートで加熱する。この場合の加熱も加熱ツールによる
加熱のみでなく、ステージによる加熱とか、ランプ照射
による加熱とかその他の加熱装置による加熱であっても
よく、これらの併用であってもよい。こうして加熱する
と、半田吸い取り用基板２６の金薄膜２８に半田残渣２
４が濡れ広がることになる。

【００２４】このとき、半田残渣２４は高さにバラツキ
があるため、クッション材６が無いと金薄膜２８は高さ
が高い半田残渣２４に片当たりしてこれに過剰な押圧を
加えることになる。実施例１ではクッション材６がステ
ージ２上に設けられてあるために、先に金薄膜２８に片
当たりした半田残渣２４に過剰な押圧がかかるようなこ
とがない。その結果、先に片当たりした半田残渣２４が
金薄膜２８に濡れ広がる前に大きく変形されてしまうこ
とがない。これによって、半田残渣２４は互いに連なっ
たり、配線部以外に流出することが効果的に防止され
て、金薄膜２８に図５で示すように吸収される。こうし
て、加熱ツール２０を上昇させ、回路基板１０をステー
ジ２から外したあとは、図６で示すように、回路基板１
０上にはそれの配線１４上の半田残渣２４がソルダーレ
ジスト１６以下の高さに残されることになる。

【００２５】そして、図７で示すように半田バンプ１８
が形成された良品と判定された交換用の半導体チップ１
２ａをフリップチップボンダーを使用して半田バンプ１
８にフラックスの適量を転写したうえで、回路基板１０
の配線１４上の平坦化された半田残渣２４に位置合わせ
してのち、搭載する。

【００２６】実施例２ 図８ないし図１４を参照して本発明の実施例２に係る半
導体チップ交換方法について説明する。これらの図にお
いて、図１ないし図７と類似ないし同一の機能を達成す
る部分には同一の符号を付すとともに、同一の符号に係
る部分については説明の重複を避けるためその説明を省
略している。

【００２７】厚みが薄い回路基板では熱による反りとか
へこみの発生率が高いために、実施例２においては、実
施例１で示した耐熱性を有するクッション材６の上部に
さらに金属板などからなる硬質材３４を敷いた構造のス
テージを用いる。硬質材となる金属板の代表例としては
１〜２ｍｍ^t程度の鉄板、ステンレス板があり、金属板
以外の素材としての代表例に１〜２ｍｍ^t程度のセラミ
ック板がある。

【００２８】この硬質材３４は加熱ツール２０の押圧と
加熱とによって回路基板１０に反りとかへこみとかが発
生するのを防止する効果がある。また、加熱ツール２０
の押圧時には回路基板１０に荷重と熱とがかかっている
から、回路基板１０が半導体チップ１２の形状に合わせ
て局部的に変形してしまうおそれがある。この変形を防
止するうえで硬質材３４がクッション材６の上に形成さ
れているのである。硬質材３４にも真空孔３６が形成さ
れている。

【００２９】まず、図８で示すようにステージ２の真空
孔４の真空引きによってこのステージ２に不良品とされ
た半導体チップ１２が搭載された回路基板１０を固定す
る。次に、図９で示すように加熱ツール２０を半導体チ
ップ１２に向けて下降させてその裏面に接触させる。半
田バンプ１８はそれが共晶半田の場合では２００〜２４
０℃で熔融するので、加熱ツール２０で加熱しながら、
図１０で示すように加熱ツール２０を上昇させて真空吸
着により半導体チップ１２を回路基板１０からを剥離さ
せる。この場合の加熱も実施例１と同様にして加熱ツー
ル２０のみではなくステージ２による加熱とか両者の併
用などであってもよい。

【００３０】このようにして半導体チップ１２を剥離し
た後は同じく図１０で示すように回路基板１０上に半田
残渣２４がその高さが不揃いに残っている。次に、実施
例１と同様にして図１１で示すように、実施例１と同様
に最表層に金薄膜２８を備えた半田吸い取り用基板２６
を加熱ツール２０に真空吸着させたうえで、加熱ツール
２０を下降させていき、半田吸い取り用基板２６の金薄
膜２８を荷重３００〜４００ｇで半田残渣２４に押し当
てて実施例１と同様の条件のパルスヒートで加熱する。
この加熱によって、図１２で示すように金薄膜２８に半
田残渣２４が濡れ広がる。このとき、クッション材６が
ステージ２上に設けられてあるために、実施例１と同様
に半田残渣が連なったり配線部以外に流出することが防
止される。こうして、図１３で示すように回路基板１０
の配線１４上の半田残渣２４はソルダーレジスト１６以
下の高さになる。図１４は良品の半導体チップと交換す
る場合を示すものであり、図７と対応するからその説明
は省略する。

【００３１】実施例３ 図１５ないし図２１を参照して本発明の実施例３に係る
半導体チップ交換方法を説明する。これらの図におい
て、図１ないし図７と類似ないし同一の機能を有する部
分には同一の符号を付し、その同一の符号に係る部分に
ついての詳しい説明は実施例１と同様であるから、重複
説明を避けるうえで省略する。

【００３２】この実施例３では、加熱ツール２０の押圧
面に、クッション材６を設ける。このクッション材６と
しては実施例１と同様の素材のものを用いる。実施例３
では実施例１がステージ２にクッション材６を設けのた
とは異なり、加熱ツール２０側に設けたことに特徴があ
る。このクッション材６の作用については実施例１と同
様である。なお、実施例３ではこのクッション材６を加
熱ツール２０に設けたことを除き、実施例１と同様の方
法である。

【００３３】以下、実施例３の交換方法について説明す
ると、まず、図１５で示すように回路基板１０に接続さ
れた不良品と判定された半導体チップ１２を交換するた
めに、ステージ２上に真空吸着により回路基板１０を固
定する。次に、図１６で示すように半導体チップ１２の
上方に位置する加熱ツール２０を下降させて半導体チッ
プ１２の裏面に接触させる。そして、加熱ツール２０で
加熱しながら、真空孔２２を介して半導体チップ１２を
真空吸着した状態で図１７で示すように加熱ツール２０
を上昇させて、回路基板１０上から半導体チップ１２を
剥離させる。この剥離後では回路基板１０上に半田残渣
２４が互いの高さが不揃いに残されていることになる。

【００３４】次に、図１８で示すように加熱ツール２０
を、それの押圧面に半田吸い取り用基板２６を真空吸着
させた状態で、回路基板１０上に下降させ、図１９で示
すように半田吸い取り用基板２６の金薄膜２８を荷重３
００〜４００ｇで半田残渣２４に押し当てて加熱する。
こうして加熱すると、同じく図１９で示すように金薄膜
２８に半田残渣２４が濡れ広がることになる。

【００３５】このとき、クッション材６が加熱ツール２
０に設けられてあるために、実施例１と同様の理由で半
田残渣２４はその高さにバラツキがあっても互いに連な
ったりあるいは配線部以外に流出することが防止され
る。こうして、図２０で示すように回路基板１０の配線
１４上の半田残渣２４はソルダーレジスト１６以下の高
さになる。図２１は図７と対応するのでその説明は省略
する。

【００３６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板固定
ステージ上のクッション材が、金属薄膜の半田残渣に対
する片当たりによる過剰な押圧を防止するから、熔融し
た半田残渣同士が連なったりあるいは配線部以外に流出
することが防止される。

【００３７】また、本発明によれば、クッション材の上
部にさらに硬質材を配備した場合では、回路基板が熱で
反り返ったり、へこんだりすることを防止するので、結
果として、金属薄膜の半田残渣に対する片当たりによる
過剰な押圧の防止効果と、これに伴う、半田残渣同士の
連なりとか流出を防止できる。

【００３８】また、本発明によれば、加熱ツールの押圧
面にクッション材を配備した場合でも、そのクッション
材が前記過剰な押圧を防止する結果、半田残渣同士の連
なりとか、流出とかを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る交換方法に用いられる
回路基板および交換されるべき半導体チップと、ならび
にその交換方法に用いられる装置の構成とを示す図であ
る。

【図２】実施例１の交換方法に従う図１の装置の動作を
示す図である。

【図３】実施例１の交換方法に従う図１の装置の動作を
示す図である。

【図４】実施例１の交換方法に従う図１の装置の動作を
示す図である。

【図５】実施例１の交換方法に従う図１の装置の動作を
示す図である。

【図６】実施例１の交換方法によって半田残渣が平坦さ
れた回路基板の側面断面図である。

【図７】図６の回路基板上と、これに接続された交換用
半導体チップとの側面断面図である。

【図８】本発明の実施例２に係る交換方法に用いられる
回路基板および交換されるべき半導体チップと、ならび
にその交換方法に用いられる装置の構成とを示す図であ
る。

【図９】実施例２の交換方法に従う図８の装置の動作を
示す図である。

【図１０】実施例２の交換方法に従う図８の装置の動作
を示す図である。

【図１１】実施例２の交換方法に従う図８の装置の動作
を示す図である。

【図１２】実施例２の交換方法に従う図８の装置の動作
を示す図である。

【図１３】実施例２の交換方法によって半田残渣が平坦
化された回路基板の側面断面図である。

【図１４】図１３の回路基板上と、これに接続された交
換用半導体チップとの側面断面図である。

【図１５】本発明の実施例３に係る交換方法に用いられ
る回路基板および交換されるべき半導体チップと、なら
びにその交換方法に用いられる装置の構成とを示す図で
ある。

【図１６】実施例３の交換方法に従う図１５の装置の動
作を示す図である。

【図１７】実施例３の交換方法に従う図１５の装置の動
作を示す図である。

【図１８】実施例３の交換方法に従う図１５の装置の動
作を示す図である。

【図１９】実施例３の交換方法に従う図１５の装置の動
作を示す図である。

【図２０】実施例３の交換方法によって半田残渣が平坦
化された回路基板の側面断面図である。

【図２１】図２０の回路基板上と、これに接続された交
換用半導体チップとの側面断面図である。

【図２２】フリップチップ実装技術の説明に供するもの
で、半導体チップが回路基板に実装される前の断面図で
ある。

【図２３】図２２において半導体チップが回路基板に実
装された状態の断面図である。

【図２４】図２２で樹脂封止されて回路基板と半導体チ
ップとの断面図である。

【図２５】回路基板と、従来に係る半導体チップの交換
方法で交換される回路基板上の半導体チップと、この方
法に用いられる装置との断面図である。

【図２６】図２５の交換方法によって半田残渣が残され
た回路基板の断面図である。

【図２７】図２６の回路基板上の半田残渣を除去するた
めに示された回路基板と、シリコン板と、押し当て治具
との断面図である。

【図２８】図２７の押し当て治具を回路基板から上昇さ
せた状態を示す図である。

【図２９】図２７の回路基板に半導体チップを交換した
状態を示す断面図である。

【図３０】図２７の押し当て治具による問題点の説明に
供する断面図であってこの治具のシリコン板が高さが高
い半田残渣に接触した状態を示している。

【図３１】図２７の押し当て治具による問題点の説明に
供する断面図であって、半田残渣が連なっている状態を
示している。

【図３２】図２７の押し当て治具による問題点の説明に
供する基板の主面図であって、回路基板を平面から見て
半田残渣の連なりと配線部以外への流出を示している。

【図３３】図２７の押し当て治具による問題点の説明に
供する断面図であってこの治具のシリコン板が厚さにバ
ラツキがある回路基板の半田残渣に接触した状態を示し
ている。

【図３４】図２７の押し当て治具による図３３における
問題点の説明に供する断面図であって、半田残渣が連な
っている状態を示している。

【図３５】図２７の押し当て治具による図３３における
問題点の説明に供する基板の主面図であって、回路基板
を平面から見て半田残渣の連なりと配線部以外への流出
を示している。

【符号の説明】

２ 基板固定ステージ ６ クッション材 １０ 回路基板 １２ 半導体チップ １４ 配線部 １８ 半田バンプ ２０ 加熱ツール ２４ 半田残渣 ２６ 半田吸い取り用基板 ２８ 金薄膜 ３４ 硬質材

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板固定ステージ上に固定されている回
   路基板の配線上に複数の半田バンプによってフリップチ
   ップ接続された半導体チップを加熱してこれら半田バン
   プを熔融し、この熔融状態で半導体チップを回路基板か
   ら剥離し、この剥離のときに回路基板上に残る複数の半
   田残渣を加熱しながら金属薄膜を半田残渣に押圧するこ
   とで、金属薄膜に半田残渣を濡れ広がらせて吸収させる
   半導体チップの交換方法において、回路基板をクッショ
   ン材を介して基板固定ステージ上に固定することを特徴
   とする半導体チップの交換方法。
2. 【請求項２】 前記基板固定ステージ上にはさらに前記
   クッション材の上に硬質材を配備することを特徴とする
   請求項１に記載の半導体チップの交換方法。
3. 【請求項３】 基板固定ステージ上に回路基板を固定し
   た状態で、回路基板に複数の半田バンプによってフリッ
   プチップ接続された半導体チップを加熱してこれら半田
   バンプを熔融し、この熔融状態で半導体チップを回路基
   板から剥離し、この剥離のときに回路基板上に残る複数
   の半田残渣を加熱しながら金属薄膜を半田残渣に押圧す
   ることで、該金属薄膜にこれら半田残渣を濡れ広がらせ
   て吸収させる半導体チップの交換方法において、加熱ツ
   ールの押圧面にクッション材を介して金属薄膜を取り付
   け、この加熱ツールで金属薄膜を加熱しながら半田残渣
   を押圧することを特徴とする半導体チップの交換方法。