JPH08231274A - 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子回路基板 - Google Patents
樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子回路基板Info
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- JPH08231274A JPH08231274A JP7037319A JP3731995A JPH08231274A JP H08231274 A JPH08231274 A JP H08231274A JP 7037319 A JP7037319 A JP 7037319A JP 3731995 A JP3731995 A JP 3731995A JP H08231274 A JPH08231274 A JP H08231274A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H10P72/722—Details of electrostatic chucks
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】希土類元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系の誘
電体セラミックスと有機高分子樹脂を混合してなる樹脂
−セラミックス複合材を用いて電子回路基板を構成す
る。 【効果】ギガヘルツ帯の高周波領域において高誘電率、
低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を有し、かつ優れた成形性、寸
法精度を有する基板を得ることができ、その結果、電子
機器、情報通信機器の小型化等への貢献は極めて大であ
る。
電体セラミックスと有機高分子樹脂を混合してなる樹脂
−セラミックス複合材を用いて電子回路基板を構成す
る。 【効果】ギガヘルツ帯の高周波領域において高誘電率、
低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を有し、かつ優れた成形性、寸
法精度を有する基板を得ることができ、その結果、電子
機器、情報通信機器の小型化等への貢献は極めて大であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に高周波領域での使
用に好適な樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた
電子部品用配線板に関する。
用に好適な樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた
電子部品用配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報通信の手法として無線通信がある
が、ＩＮＳ（高度情報化社会）への移行とともに無線通
信は使用周波数帯がますます高周波帯域に移行してい
る。特に発展が期待されている衛星放送、衛星通信、
又、携帯電話、自動車電話等の移動体通信にはギガヘル
ツ（ＧＨｚ）帯の高周波が使用されている。
が、ＩＮＳ（高度情報化社会）への移行とともに無線通
信は使用周波数帯がますます高周波帯域に移行してい
る。特に発展が期待されている衛星放送、衛星通信、
又、携帯電話、自動車電話等の移動体通信にはギガヘル
ツ（ＧＨｚ）帯の高周波が使用されている。
【０００３】そのため、これらの送受信機に使用される
回路基板の材料はＧＨｚ帯に於いて高周波伝送特性が優
れた（誘電損失が小さい）ものでなければならない。
回路基板の材料はＧＨｚ帯に於いて高周波伝送特性が優
れた（誘電損失が小さい）ものでなければならない。
【０００４】ここで、誘電損失は周波数と基板の誘電率
εr と誘電正接（以下ｔａｎδと記載する）の積に比例
することから、誘電損失を小さくするためには基板のｔ
ａｎδを小さくしなければならない。又、基板中では電
磁波の波長が１／√εr に短縮されるため、誘電率εr
が大きい程基板の小型化が可能である。
εr と誘電正接（以下ｔａｎδと記載する）の積に比例
することから、誘電損失を小さくするためには基板のｔ
ａｎδを小さくしなければならない。又、基板中では電
磁波の波長が１／√εr に短縮されるため、誘電率εr
が大きい程基板の小型化が可能である。
【０００５】以上のことから高周波領域で使用される小
型の電子機器、情報機器に用いる回路基板としては、誘
電率εr が高く、かつｔａｎδが小さい材料特性が要求
されている。
型の電子機器、情報機器に用いる回路基板としては、誘
電率εr が高く、かつｔａｎδが小さい材料特性が要求
されている。
【０００６】このような回路基板の材料としては、無機
材料として誘電体セラミックス、有機材料としてフッ素
樹脂等が用いられている。さらに、有機材料と無機材料
の複合材として熱硬化性樹脂とチタン酸バリウム等の誘
電体セラミックスを混合してなる複合基板も用いられて
いる（例えば特開平１−２４５０５３号、特開平４−３
０７７８８号公報等参照）。
材料として誘電体セラミックス、有機材料としてフッ素
樹脂等が用いられている。さらに、有機材料と無機材料
の複合材として熱硬化性樹脂とチタン酸バリウム等の誘
電体セラミックスを混合してなる複合基板も用いられて
いる（例えば特開平１−２４５０５３号、特開平４−３
０７７８８号公報等参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記誘電体
セラミックスからなる基板は、誘電率、ｔａｎδの特性
は優れているが寸法精度、加工性に難点があり、脆いた
め欠けや割れが生じやすいという問題点があった。
セラミックスからなる基板は、誘電率、ｔａｎδの特性
は優れているが寸法精度、加工性に難点があり、脆いた
め欠けや割れが生じやすいという問題点があった。
【０００８】他方、樹脂等の有機材料のみからなる基板
は、成形性及び加工性に優れｔａｎδも小さいという利
点はあるが、誘電率が小さいという問題があつた。
は、成形性及び加工性に優れｔａｎδも小さいという利
点はあるが、誘電率が小さいという問題があつた。
【０００９】このため、近年、両者の利点を有する基板
を得るため、チタン酸バリウム等の誘電体セラミックス
粉末を有機高分子樹脂とを混合した複合材からなる回路
基板が提案されている。しかしながら従来の複合基板
は、誘電体セラミックスに比べ寸法精度、加工精度が改
善され、また有機基板に比べ誘電率が改善されているも
のの、ギガヘルツ帯の高周波領域に於いて、誘電率は３
程度と低く、ｔａｎδは５０×１０-4程度と高く、いず
れも不十分な特性であった。
を得るため、チタン酸バリウム等の誘電体セラミックス
粉末を有機高分子樹脂とを混合した複合材からなる回路
基板が提案されている。しかしながら従来の複合基板
は、誘電体セラミックスに比べ寸法精度、加工精度が改
善され、また有機基板に比べ誘電率が改善されているも
のの、ギガヘルツ帯の高周波領域に於いて、誘電率は３
程度と低く、ｔａｎδは５０×１０-4程度と高く、いず
れも不十分な特性であった。
【００１０】
【発明の目的】そこで本発明は、ギガヘルツ帯の高周波
領域に於いて、高い誘電率と１４×１０-4以下の小さい
ｔａｎδを有するとともに、成形性及び加工性に優れ、
小型機器への対応が容易な樹脂−セラミツク複合体を用
いた電子回路基板を提供することを目的とする。
領域に於いて、高い誘電率と１４×１０-4以下の小さい
ｔａｎδを有するとともに、成形性及び加工性に優れ、
小型機器への対応が容易な樹脂−セラミツク複合体を用
いた電子回路基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ値）の希土
類元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系の誘電体セラミッ
ク粉末と有機高分子樹脂を混合、成形して樹脂−セラミ
ックス複合材を構成した。
決するために、高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ値）の希土
類元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系の誘電体セラミッ
ク粉末と有機高分子樹脂を混合、成形して樹脂−セラミ
ックス複合材を構成した。
【００１２】また、本発明は、上記樹脂−セラミックス
複合材により電子部品用配線板を形成したものである。
なお、本発明における電子回路基板とは、電子部品を搭
載するための回路基板や多層基板、あるいは半導体素子
を収納するための半導体パッケージ用基板等を意味す
る。
複合材により電子部品用配線板を形成したものである。
なお、本発明における電子回路基板とは、電子部品を搭
載するための回路基板や多層基板、あるいは半導体素子
を収納するための半導体パッケージ用基板等を意味す
る。
【００１３】ここで、希土類元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ
−Ｔｉ系の誘電体セラミックとは、好ましくは組成範囲
が上記誘電体セラミックの成分をモル比で、ａＬｎ2 Ｏ
ｘ・ｂAl2 O 3 ・ｃＣａＯ・ｄＴｉＯ2 （尚、Ｌｎとは
Ｎｄ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｅｒ、Ｙｂのうち少なくとも一種）と表した時、 ０．０５６≦ａ≦０．２１４ ０．０５６≦ｂ≦０．２１４ ０．２８６≦ｃ≦０．５００ ０．２３０≦ｄ≦０．４７０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１ ３≦ｘ≦４ で示される主成分に対し、Ｍｎを０．００３〜６重量％
の範囲で含有させたことを特徴とする誘電体磁器組成物
である。
−Ｔｉ系の誘電体セラミックとは、好ましくは組成範囲
が上記誘電体セラミックの成分をモル比で、ａＬｎ2 Ｏ
ｘ・ｂAl2 O 3 ・ｃＣａＯ・ｄＴｉＯ2 （尚、Ｌｎとは
Ｎｄ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｅｒ、Ｙｂのうち少なくとも一種）と表した時、 ０．０５６≦ａ≦０．２１４ ０．０５６≦ｂ≦０．２１４ ０．２８６≦ｃ≦０．５００ ０．２３０≦ｄ≦０．４７０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１ ３≦ｘ≦４ で示される主成分に対し、Ｍｎを０．００３〜６重量％
の範囲で含有させたことを特徴とする誘電体磁器組成物
である。
【００１４】そして、Ｍｎを添加することによってｔａ
ｎδ（Ｑ値）を大幅に改善するとともに誘電率をも更に
向上させ、しかも誘電率の温度依存性が小さく且つ安定
するという効果を得ることができる。
ｎδ（Ｑ値）を大幅に改善するとともに誘電率をも更に
向上させ、しかも誘電率の温度依存性が小さく且つ安定
するという効果を得ることができる。
【００１５】この誘電体セラミックは、焼成温度１２０
０〜１６００℃程度での完全焼成を行うことが好まし
く、焼成後粉砕して粉末を作成する。この時の平均粒径
は、３〜１２５μｍが好ましい。これは、平均粒径が１
２５μｍより大きいと基板の表面が粗くなり回路形成が
難しくなるためであり、逆に平均粒径が３μｍより小さ
いと樹脂との混練性が低下するためである。そして、得
られた誘電体セラミック粉末を有機高分子樹脂と混合す
れば良い。
０〜１６００℃程度での完全焼成を行うことが好まし
く、焼成後粉砕して粉末を作成する。この時の平均粒径
は、３〜１２５μｍが好ましい。これは、平均粒径が１
２５μｍより大きいと基板の表面が粗くなり回路形成が
難しくなるためであり、逆に平均粒径が３μｍより小さ
いと樹脂との混練性が低下するためである。そして、得
られた誘電体セラミック粉末を有機高分子樹脂と混合す
れば良い。
【００１６】一方、有機高分子樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノ−ル樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹
脂、不飽和ポリエステル、ビスマレイド系ポリイミド樹
脂（ＢＴ）、シアネ−ト樹脂、熱硬化型ポリフェニレン
エ−テル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰ
Ｏ）等の熱硬化性樹脂とフッ素系樹脂、ポリオレフイン
系ポリマ−、アクリル樹脂、ポリアセタ−ル樹脂等の熱
可塑性樹脂があり、ポリエチレンフタレ−ト（ＰＢ
Ｔ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ボリスチレン、ポリペプ
チド、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化
ビニル、ポリアクリレ−ト（ＰＭＭＡ）、ポリアミド
（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレ−ト（ＰＢＴ）、ポ
リスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルフアド
（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）等
を用いる。
樹脂、フェノ−ル樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹
脂、不飽和ポリエステル、ビスマレイド系ポリイミド樹
脂（ＢＴ）、シアネ−ト樹脂、熱硬化型ポリフェニレン
エ−テル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰ
Ｏ）等の熱硬化性樹脂とフッ素系樹脂、ポリオレフイン
系ポリマ−、アクリル樹脂、ポリアセタ−ル樹脂等の熱
可塑性樹脂があり、ポリエチレンフタレ−ト（ＰＢ
Ｔ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ボリスチレン、ポリペプ
チド、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化
ビニル、ポリアクリレ−ト（ＰＭＭＡ）、ポリアミド
（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレ−ト（ＰＢＴ）、ポ
リスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルフアド
（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）等
を用いる。
【００１７】また、誘電体セラミック粉末と有機高分子
樹脂の混合重量比は、セラミック粉末１０〜９５重量％
と有機高分子樹脂が９０〜５重量％が好ましい。これ
は、誘電体セラミック粉末の混合比が１０重量％未満で
あると基板としての寸法安定性に欠け、誘電体セラミッ
クの特徴が発揮できずに誘電率が低くなるためである。
逆に誘電体セラミック粉末の混合比が９５重量％よりも
多いと、有機高分子樹脂の特徴が発揮できずに成形加工
性が低下し、ｔａｎδが低くならないためである。さら
に、以上の理由により好ましくはセラミック粉末５０〜
８５重量％と有機高分子樹脂５０〜１５重量％の混合重
量比が良い。
樹脂の混合重量比は、セラミック粉末１０〜９５重量％
と有機高分子樹脂が９０〜５重量％が好ましい。これ
は、誘電体セラミック粉末の混合比が１０重量％未満で
あると基板としての寸法安定性に欠け、誘電体セラミッ
クの特徴が発揮できずに誘電率が低くなるためである。
逆に誘電体セラミック粉末の混合比が９５重量％よりも
多いと、有機高分子樹脂の特徴が発揮できずに成形加工
性が低下し、ｔａｎδが低くならないためである。さら
に、以上の理由により好ましくはセラミック粉末５０〜
８５重量％と有機高分子樹脂５０〜１５重量％の混合重
量比が良い。
【００１８】本発明の樹脂−セラミックス複合材の製造
方法は、まず混練機、又は加熱２本ロ−ル等を用いて有
機高分子樹脂を溶融、軟化させ、これに誘電体セラミッ
ク粉末を小量ずつ加えながら加熱混練する。この後、例
えば押出法、加熱プレス法、射出成形法、シートロール
法等により板状に成形すれば回路基板とすることができ
る。
方法は、まず混練機、又は加熱２本ロ−ル等を用いて有
機高分子樹脂を溶融、軟化させ、これに誘電体セラミッ
ク粉末を小量ずつ加えながら加熱混練する。この後、例
えば押出法、加熱プレス法、射出成形法、シートロール
法等により板状に成形すれば回路基板とすることができ
る。
【００１９】この基板に回路を形成する方法としては、
回路となる金属層を基板に付着させる無電解メッキ、又
は無電解メッキと電解メッキの組み合わせを用いる。ま
た、表面平滑性の良い金属箔を用いる場合は、高誘電
率、低損失（ｔａｎδが低い）の接着剤で接着する方法
が有効である。接着剤としてはフエノ−ル樹脂、エポキ
シ樹脂等の熱硬化性接着剤やビニル樹脂、アクリル樹脂
等の熱可塑性接着剤がある。さらに、熱可塑性樹脂の場
合、金属回路パタ−ンを基板に加熱圧着、転写する方法
も可能である。
回路となる金属層を基板に付着させる無電解メッキ、又
は無電解メッキと電解メッキの組み合わせを用いる。ま
た、表面平滑性の良い金属箔を用いる場合は、高誘電
率、低損失（ｔａｎδが低い）の接着剤で接着する方法
が有効である。接着剤としてはフエノ−ル樹脂、エポキ
シ樹脂等の熱硬化性接着剤やビニル樹脂、アクリル樹脂
等の熱可塑性接着剤がある。さらに、熱可塑性樹脂の場
合、金属回路パタ−ンを基板に加熱圧着、転写する方法
も可能である。
【００２０】
【作用】本発明によれば、ギガヘルツ（ＧＨｚ）帯にお
いて、高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを有
し、かつ優れた成形性、寸法精度を呈する樹脂−セラミ
ック複合体を提供することができる。
いて、高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを有
し、かつ優れた成形性、寸法精度を呈する樹脂−セラミ
ック複合体を提供することができる。
【００２１】
【実施例】実施例１ 有機高分子樹脂として、ポリオレフイン系ポリマーであ
るポリプロピレン（εr ＝２．８、ｔａｎδ＝１×１０
-4）をラボプラストミルにて２００℃で加熱溶融させ
る。その後、誘電体セラミツク粉末として、Ｎｄ2 Ｏ3
−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉの組成で、前記組成範囲を満足する
ものにＭｎを０．１％含有させた誘電体セラミック粉末
（εr ＝１１０、ｔａｎδ＝４×１０-4、平均粒径１２
５μｍ）を小量ずつ添加しながら混練してポリオレフイ
ン系ポリマーと誘電体セラミツク粉末の混合物を作成し
た。更に混合物を２００℃で熱間プレス成形し、厚さ２
ｍｍで３６ｍｍ×５９ｍｍの基板を作成した。
るポリプロピレン（εr ＝２．８、ｔａｎδ＝１×１０
-4）をラボプラストミルにて２００℃で加熱溶融させ
る。その後、誘電体セラミツク粉末として、Ｎｄ2 Ｏ3
−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉの組成で、前記組成範囲を満足する
ものにＭｎを０．１％含有させた誘電体セラミック粉末
（εr ＝１１０、ｔａｎδ＝４×１０-4、平均粒径１２
５μｍ）を小量ずつ添加しながら混練してポリオレフイ
ン系ポリマーと誘電体セラミツク粉末の混合物を作成し
た。更に混合物を２００℃で熱間プレス成形し、厚さ２
ｍｍで３６ｍｍ×５９ｍｍの基板を作成した。
【００２２】なお、混合比率は全体重量に対してポリオ
レフイン系ポリマーがそれぞれ１５、３０、５０、７
０、９０重量％とした。
レフイン系ポリマーがそれぞれ１５、３０、５０、７
０、９０重量％とした。
【００２３】それぞれの基板について、空洞共振器法に
より誘電率εr 、ｔａｎδ、損失Ｑを測定した。結果は
表１に示す通りである。
より誘電率εr 、ｔａｎδ、損失Ｑを測定した。結果は
表１に示す通りである。
【００２４】この結果より、樹脂混合比率を１５、３
０、５０重量％としたものは、ギガヘルツ帯に於いて４
以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを有し
ており、従来の複合基板に比べて優れた特性を有してい
る。
０、５０重量％としたものは、ギガヘルツ帯に於いて４
以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを有し
ており、従来の複合基板に比べて優れた特性を有してい
る。
【００２５】一方、樹脂混合比率を７０、９０重量％と
したものは、樹脂量が少ないためｔａｎδがさ程低くな
らなかった。
したものは、樹脂量が少ないためｔａｎδがさ程低くな
らなかった。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例２ 表２〜４の組成を用い、それぞれ樹脂混合比を１５、５
０、９０％として実施例１と同様に試料を作製し、それ
ぞれについて同様の測定を行った。なお、表中＊のもの
は前記組成範囲外の数値であることを示す。結果を表２
〜４に示す。
０、９０％として実施例１と同様に試料を作製し、それ
ぞれについて同様の測定を行った。なお、表中＊のもの
は前記組成範囲外の数値であることを示す。結果を表２
〜４に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】
【表４】
【００３１】これら表から明らかなように、この実施例
では、誘電率が２．３〜３．８、３．０〜３．９、２，
２〜３．０と低く、他方ｔａｎδは１５×１０-4〜２５
×１０-4、１５×１０-4〜２２×１０-4、１９×１０-4
〜３１×１０-4と高かった。
では、誘電率が２．３〜３．８、３．０〜３．９、２，
２〜３．０と低く、他方ｔａｎδは１５×１０-4〜２５
×１０-4、１５×１０-4〜２２×１０-4、１９×１０-4
〜３１×１０-4と高かった。
【００３２】実施例３ 実施例１におけるＮｄ2 Ｏ3 のＮｄを他の希土類に代え
て同様の実験を行った。尚、前記組成におけるａ，ｂ，
ｃ，ｄの値はａ，ｂが０．０８１、ｃ，ｄが０．４１９
である。それらの結果を表５〜表７に示す。。
て同様の実験を行った。尚、前記組成におけるａ，ｂ，
ｃ，ｄの値はａ，ｂが０．０８１、ｃ，ｄが０．４１９
である。それらの結果を表５〜表７に示す。。
【００３３】
【表５】
【００３４】
【表６】
【００３５】
【表７】
【００３６】表５より明らかなように、Ｎｄ2 Ｏ3 以外
の希土類酸化物を用いても、ギガヘルヅ帯において、ε
≧４，ｔａｎδ≦１４×１０-4の特性値を示した。
の希土類酸化物を用いても、ギガヘルヅ帯において、ε
≧４，ｔａｎδ≦１４×１０-4の特性値を示した。
【００３７】また、表６より明らかなように、表５と同
一組成でかつ樹脂混合比を１５％としたものは、誘電率
が１０．１２〜１１．１８で４より高く、またｔａｎδ
は７．０３×１０-4〜１２．８８×１０-4で１４×１０
-4より低い値を示した。
一組成でかつ樹脂混合比を１５％としたものは、誘電率
が１０．１２〜１１．１８で４より高く、またｔａｎδ
は７．０３×１０-4〜１２．８８×１０-4で１４×１０
-4より低い値を示した。
【００３８】さらに、表７より明らかなように、表５と
同一組成でかつ上記混合比が９０％としたものは、誘電
率が４より低く、ｔａｎδは９．０×１０-4〜１６．５
×１０-4の範囲にあった。
同一組成でかつ上記混合比が９０％としたものは、誘電
率が４より低く、ｔａｎδは９．０×１０-4〜１６．５
×１０-4の範囲にあった。
【００３９】実施例４ 希土類酸化物としてＮｄ2 Ｏ3 を用いるとともに、前記
組成におけるａ，ｂ，ｃ，ｄの値はａ，ｂが０．０８
１、ｃ，ｄが０．４１９である主成分に対して、各種の
金属酸化物を添加し、実施例１と同様の測定を行った。
それらの結果を表８〜表１０に示す。
組成におけるａ，ｂ，ｃ，ｄの値はａ，ｂが０．０８
１、ｃ，ｄが０．４１９である主成分に対して、各種の
金属酸化物を添加し、実施例１と同様の測定を行った。
それらの結果を表８〜表１０に示す。
【００４０】
【表８】
【００４１】
【表９】
【００４２】
【表１０】
【００４３】表８より明らかなように、各種の金属酸化
物を添加したものは無添加の場合よりも特性が若干低下
するがε≧４，ｔａｎδ≦１４×１０-4の特性値を示し
た。
物を添加したものは無添加の場合よりも特性が若干低下
するがε≧４，ｔａｎδ≦１４×１０-4の特性値を示し
た。
【００４４】また、表９より明らかなように、表５と同
一組成でかつ樹脂混合比を１５％としたものは、誘電率
が１０．１２〜１０．８８で４より高く、またｔａｎδ
は７．３２×１０-4〜１３．２７×１０-4で１４×１０
-4より低い値を示した。
一組成でかつ樹脂混合比を１５％としたものは、誘電率
が１０．１２〜１０．８８で４より高く、またｔａｎδ
は７．３２×１０-4〜１３．２７×１０-4で１４×１０
-4より低い値を示した。
【００４５】さらに、表７より明らかなように、表５と
同一組成でかつ上記混合比が９０％としたものは、誘電
率が４より低く、ｔａｎδは１０．３７×１０-4〜１
６．８８×１０-4の範囲にあった。
同一組成でかつ上記混合比が９０％としたものは、誘電
率が４より低く、ｔａｎδは１０．３７×１０-4〜１
６．８８×１０-4の範囲にあった。
【００４６】なお、以上の実施例では電子部品用配線板
としてを回路基板の例のみを述べたが、この他に多層基
板や半導体素子収納パッケージ用基板等として用いるこ
ともできる。
としてを回路基板の例のみを述べたが、この他に多層基
板や半導体素子収納パッケージ用基板等として用いるこ
ともできる。
【００４７】また、本発明の樹脂−セラミックス複合材
は電子部品用配線板以外にもさまざまな用途に好適に利
用することができる。例えば、携帯電話等の各種電子機
器におけるケースを本発明の樹脂−セラミックス複合材
で形成することもでき、この場合ケースを回路基板と兼
用させれば、より小型化が可能となる。
は電子部品用配線板以外にもさまざまな用途に好適に利
用することができる。例えば、携帯電話等の各種電子機
器におけるケースを本発明の樹脂−セラミックス複合材
で形成することもでき、この場合ケースを回路基板と兼
用させれば、より小型化が可能となる。
【００４８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、希土類
元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系の誘電体セラミック
ス粉末と有機高分子樹脂を混合して樹脂−セラミックス
複合材を構成したことによって、この複合体を用いて電
子配線基板を形成すれば、ギガヘルツ帯の高周波領域に
おいて高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を有し、かつ
優れた成形性、寸法精度を有する配線板を得ることがで
きる。その結果、電子機器、情報通信機器の小型化等へ
の貢献は極めて大である。
元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系の誘電体セラミック
ス粉末と有機高分子樹脂を混合して樹脂−セラミックス
複合材を構成したことによって、この複合体を用いて電
子配線基板を形成すれば、ギガヘルツ帯の高周波領域に
おいて高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を有し、かつ
優れた成形性、寸法精度を有する配線板を得ることがで
きる。その結果、電子機器、情報通信機器の小型化等へ
の貢献は極めて大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｃ // Ｂ２９Ｋ 103:04 (72)発明者 酒井 久満 京都府京都市山科区東野北井ノ上町５番地 の22 京セラ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】希土類元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系
の誘電体セラミックス粉末と有機高分子樹脂を混合して
なる樹脂−セラミックス複合材。 - 【請求項２】希土類元素（Ｌｎ）−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系
の誘電体セラミックス粉末と有機高分子樹脂を混合した
樹脂−セラミックス複合材からなる電子回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7037319A JPH08231274A (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7037319A JPH08231274A (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231274A true JPH08231274A (ja) | 1996-09-10 |
Family
ID=12494355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7037319A Pending JPH08231274A (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08231274A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005444A3 (de) * | 2001-06-29 | 2003-08-21 | Siemens Ag | Keramikgefüllte polymersubstrate für die anwendung in der hf-technik |
| KR100462451B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2004-12-17 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 폴리머 및 세라믹 복합 전자 기판 |
| EP1541537A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-15 | TDK Corporation | Dielectric ceramic powder, method for producing the same, and composite dielectric material |
-
1995
- 1995-02-24 JP JP7037319A patent/JPH08231274A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462451B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2004-12-17 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 폴리머 및 세라믹 복합 전자 기판 |
| WO2003005444A3 (de) * | 2001-06-29 | 2003-08-21 | Siemens Ag | Keramikgefüllte polymersubstrate für die anwendung in der hf-technik |
| EP1541537A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-15 | TDK Corporation | Dielectric ceramic powder, method for producing the same, and composite dielectric material |
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