JPH0823259A - 弾性表面波装置とその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置とその製造方法Info
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- JPH0823259A JPH0823259A JP17980194A JP17980194A JPH0823259A JP H0823259 A JPH0823259 A JP H0823259A JP 17980194 A JP17980194 A JP 17980194A JP 17980194 A JP17980194 A JP 17980194A JP H0823259 A JPH0823259 A JP H0823259A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】弾性表面波装置の小形化，コスト低減を図る。
【構成】圧電基板２上にＩＤＴとその端子電極５，５’
が設けられた弾性表面波素子１の振動機能面７を取り囲
み、端子電極５，５’が外側になるようなビーズ入り絶
縁性保持枠２０を形成し、その上から絶縁性上板２１を
載置してキュアすることにより、振動機能面７を保護し
て気密封止するように構成した。 【効果】従来のパッケージが不要になり、ウエハ状態で
多数の素子を同時に気密封止することができるため小形
で安価である。
が設けられた弾性表面波素子１の振動機能面７を取り囲
み、端子電極５，５’が外側になるようなビーズ入り絶
縁性保持枠２０を形成し、その上から絶縁性上板２１を
載置してキュアすることにより、振動機能面７を保護し
て気密封止するように構成した。 【効果】従来のパッケージが不要になり、ウエハ状態で
多数の素子を同時に気密封止することができるため小形
で安価である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置及びそ
の製造方法に関し、特に、圧電基板上に配設されたすだ
れ状電極（ＩＤＴ；Ｉnterdigital Ｔransducer 、以下
ＩＤＴと略記する）と、該ＩＤＴにより励振される表面
波を反射する反射器、および該表面波が伝搬する伝搬路
上が、機械的に開放されかつ気密空間となっている構
造、すなわち弾性表面波が存在する振動機能面上が中空
気密構造をもつ弾性表面波装置及びその製造方法に関す
るものである。
の製造方法に関し、特に、圧電基板上に配設されたすだ
れ状電極（ＩＤＴ；Ｉnterdigital Ｔransducer 、以下
ＩＤＴと略記する）と、該ＩＤＴにより励振される表面
波を反射する反射器、および該表面波が伝搬する伝搬路
上が、機械的に開放されかつ気密空間となっている構
造、すなわち弾性表面波が存在する振動機能面上が中空
気密構造をもつ弾性表面波装置及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の弾性表面波素子１の構造を
示す平面図である。図４に示す如く、一般に、弾性表面
波素子１は、圧電基板２の基板表面の所定の方向に表面
波を励起するためのＩＤＴ３及びバスバー４、端子電極
５，５’、さらに、バスバー４と端子電極５，５’を接
続する引き出し電極６，６’等が配設されて構成されて
いる。電極材料としては通常アルミニウム（Ａｌ）や金
（Ａｕ）が用いられる。図４の場合は簡単のためＩＤＴ
３のみで構成された多対ＩＤＴ型弾性表面波共振子を例
にとったが、表面波伝搬路方向に（図４ではＩＤＴ３の
上下方向）、ＩＤＴ３の前後左右（図４ではＩＤＴ３の
上下）に反射器を配した弾性表面波共振子、またはＩＤ
Ｔが２個以上の２端子対共振子、共振子を多数個用いた
共振子型フィルタ、さらには、入出力ＩＤＴとそのＩＤ
Ｔ間に表面波伝搬路をもついわゆるトランスバーサル型
フィルタ等の弾性表面波素子があり、以下に述べる問題
はこれらの共通の課題である。
示す平面図である。図４に示す如く、一般に、弾性表面
波素子１は、圧電基板２の基板表面の所定の方向に表面
波を励起するためのＩＤＴ３及びバスバー４、端子電極
５，５’、さらに、バスバー４と端子電極５，５’を接
続する引き出し電極６，６’等が配設されて構成されて
いる。電極材料としては通常アルミニウム（Ａｌ）や金
（Ａｕ）が用いられる。図４の場合は簡単のためＩＤＴ
３のみで構成された多対ＩＤＴ型弾性表面波共振子を例
にとったが、表面波伝搬路方向に（図４ではＩＤＴ３の
上下方向）、ＩＤＴ３の前後左右（図４ではＩＤＴ３の
上下）に反射器を配した弾性表面波共振子、またはＩＤ
Ｔが２個以上の２端子対共振子、共振子を多数個用いた
共振子型フィルタ、さらには、入出力ＩＤＴとそのＩＤ
Ｔ間に表面波伝搬路をもついわゆるトランスバーサル型
フィルタ等の弾性表面波素子があり、以下に述べる問題
はこれらの共通の課題である。
【０００３】図４において、端子電極５，５’を介して
ＩＤＴ３に高周波電圧が印加されると、圧電作用により
基板表面にＩＤＴの電極ピッチに対応した歪みが生じ
る。この歪みがいわゆる表面波である。ＩＤＴによって
励振された表面波は、ＩＤＴの左右（図４ではＩＤＴの
上下）に伝搬するが、ＩＤＴ自身が反射器となり、電極
指の対数がある程度以上多くなるとほぼ全反射され、励
振波と反射波による共振を起こし共振子が構成される。
この共振状態では、弾性表面波のエネルギーは、ほぼＩ
ＤＴ内部に閉じ込められている。エネルギーが閉じ込め
られている部分は、バスバー４と、バスバー４の内側に
あるＩＤＴ３の部分であるが、バースバー４の外側では
そのエネルギーは指数関数的に減少する。
ＩＤＴ３に高周波電圧が印加されると、圧電作用により
基板表面にＩＤＴの電極ピッチに対応した歪みが生じ
る。この歪みがいわゆる表面波である。ＩＤＴによって
励振された表面波は、ＩＤＴの左右（図４ではＩＤＴの
上下）に伝搬するが、ＩＤＴ自身が反射器となり、電極
指の対数がある程度以上多くなるとほぼ全反射され、励
振波と反射波による共振を起こし共振子が構成される。
この共振状態では、弾性表面波のエネルギーは、ほぼＩ
ＤＴ内部に閉じ込められている。エネルギーが閉じ込め
られている部分は、バスバー４と、バスバー４の内側に
あるＩＤＴ３の部分であるが、バースバー４の外側では
そのエネルギーは指数関数的に減少する。
【０００４】すなわち、図４において、弾性表面波素子
１が正常に機能するためには、励振された表面波及びそ
の表面波エネルギーが閉じ込められる部分の表面は弾性
的に開放（フリー）でなければならない。従って、弾性
表面波素子の封止（モールド）には、ＩＣ等で用いられ
ているようなチップ全体を樹脂で隙間なく固定するよう
な方法は用いられず、少なくとも弾性表面波素子として
正常に機能させるための機能面７、すなわち、図４のバ
スバー４及びＩＤＴ３の外側に数λ0 （λ0 ：表面波の
波長）程度の範囲の破線で囲まれた部分の表面を弾性的
に開放して中空構造にする必要がある。図４はＩＤＴ共
振子のみ設けられた素子の例であるが、ＩＤＴの両側に
反射器を有する弾性表面波共振子、及び入出力ＩＤＴ間
に伝搬路をもつトランスバーサル型フィルタの場合は、
反射器や伝搬路も前記機能面となることはいうまでもな
い。また、図４のように引き出し電極６，６’がある場
合は、バスバー４との接続部付近を除けば機能面ではな
い。以上詳細に述べたように、弾性表面波素子を正常に
機能させるためには機能面表面をを弾性的に開放しなけ
ればならないが、それと同時に電極表面が結露現象等に
より電気的に短絡されないように気密性も持たせて弾性
表面波装置を構成する必要がある。
１が正常に機能するためには、励振された表面波及びそ
の表面波エネルギーが閉じ込められる部分の表面は弾性
的に開放（フリー）でなければならない。従って、弾性
表面波素子の封止（モールド）には、ＩＣ等で用いられ
ているようなチップ全体を樹脂で隙間なく固定するよう
な方法は用いられず、少なくとも弾性表面波素子として
正常に機能させるための機能面７、すなわち、図４のバ
スバー４及びＩＤＴ３の外側に数λ0 （λ0 ：表面波の
波長）程度の範囲の破線で囲まれた部分の表面を弾性的
に開放して中空構造にする必要がある。図４はＩＤＴ共
振子のみ設けられた素子の例であるが、ＩＤＴの両側に
反射器を有する弾性表面波共振子、及び入出力ＩＤＴ間
に伝搬路をもつトランスバーサル型フィルタの場合は、
反射器や伝搬路も前記機能面となることはいうまでもな
い。また、図４のように引き出し電極６，６’がある場
合は、バスバー４との接続部付近を除けば機能面ではな
い。以上詳細に述べたように、弾性表面波素子を正常に
機能させるためには機能面表面をを弾性的に開放しなけ
ればならないが、それと同時に電極表面が結露現象等に
より電気的に短絡されないように気密性も持たせて弾性
表面波装置を構成する必要がある。
【０００５】そのため、従来から最も一般的に用いられ
ていた封止構造として、ハーメチックケースに封止した
構造がある。図５は、ハーメチックケースを用いた従来
の弾性表面波装置の構造例図であり、（ａ）はキャップ
１１を外したときの平面図、（ｂ）は縦断面図である。
弾性表面波素子１はステム１０上にダイボンディングさ
れ、リードピン１２と弾性表面波素子１の端子電極と
は、ワイヤ１３により接続されており、機能面は弾性的
に開放されている。キャップ１１とステム１０は冷間圧
接法又は抵抗溶接法等により気密封止され、内部の雰囲
気は通常Ｎ2 ガス等により置換されている。
ていた封止構造として、ハーメチックケースに封止した
構造がある。図５は、ハーメチックケースを用いた従来
の弾性表面波装置の構造例図であり、（ａ）はキャップ
１１を外したときの平面図、（ｂ）は縦断面図である。
弾性表面波素子１はステム１０上にダイボンディングさ
れ、リードピン１２と弾性表面波素子１の端子電極と
は、ワイヤ１３により接続されており、機能面は弾性的
に開放されている。キャップ１１とステム１０は冷間圧
接法又は抵抗溶接法等により気密封止され、内部の雰囲
気は通常Ｎ2 ガス等により置換されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のハーメチックケースによる封止は構造は、ステム
１０とキャップ１１の封止用パッケージが必要であり、
コストアップになること、リードピン１２が直角に自
立しているため表面実装ができないこと、弾性表面波
素子１のチップ面積に比べてステム１０のベース面積が
大きく、ステム１０のベースの厚さやキャップ１１の高
さなどのために小型化がむずかしいこと等の欠点があっ
た。また、最近では、表面実装を可能にするためセラミ
ックケースが用いられているが、セラミックケースはハ
ーメチックケースよりさらに高価なことや、チップ面積
に比べベースの面積がさらに大きく、かつ、高さもベー
スの厚さが必要なため薄型化できない等の問題がある。
また、ハーメチックケースやセラミックケースを用いた
弾性表面波装置は、個別部品として取り扱うことを前提
としており、ＩＣのベアチップと同様に弾性表面波素子
を取り扱うことができなかった。すなわち従来の装置で
は、弾性表面波素子とＩＣベアチップ等を複数個実装し
てマルチチップモジュール（ＭＣＭ）を実現しようとし
た場合、モジュール全体を気密封止構造としなければな
らず、封止方法が限定されると同時にコストアップにな
る欠点があった。
来のハーメチックケースによる封止は構造は、ステム
１０とキャップ１１の封止用パッケージが必要であり、
コストアップになること、リードピン１２が直角に自
立しているため表面実装ができないこと、弾性表面波
素子１のチップ面積に比べてステム１０のベース面積が
大きく、ステム１０のベースの厚さやキャップ１１の高
さなどのために小型化がむずかしいこと等の欠点があっ
た。また、最近では、表面実装を可能にするためセラミ
ックケースが用いられているが、セラミックケースはハ
ーメチックケースよりさらに高価なことや、チップ面積
に比べベースの面積がさらに大きく、かつ、高さもベー
スの厚さが必要なため薄型化できない等の問題がある。
また、ハーメチックケースやセラミックケースを用いた
弾性表面波装置は、個別部品として取り扱うことを前提
としており、ＩＣのベアチップと同様に弾性表面波素子
を取り扱うことができなかった。すなわち従来の装置で
は、弾性表面波素子とＩＣベアチップ等を複数個実装し
てマルチチップモジュール（ＭＣＭ）を実現しようとし
た場合、モジュール全体を気密封止構造としなければな
らず、封止方法が限定されると同時にコストアップにな
る欠点があった。
【０００７】本発明の目的は、上記従来の問題点を解決
し、弾性表面波素子の機能面の気密中空構造を維持し、
かつ、パッケージ構造を改良して小形化，コスト低減を
図るとともに、ＩＣベアチップと同様な取扱いができる
弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
し、弾性表面波素子の機能面の気密中空構造を維持し、
かつ、パッケージ構造を改良して小形化，コスト低減を
図るとともに、ＩＣベアチップと同様な取扱いができる
弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１および
請求項３〜９に記載した弾性表面波装置は、本発明の第
１の実施例を示すものであり、その構成は、圧電基板上
にすだれ状電極と該すだれ状電極に連接した端子電極と
が配設された弾性表面波素子と、該弾性表面波素子の電
極面上に、前記すだれ状電極によって励振される表面波
の振動機能面を取り囲み前記端子電極が外側になるよう
な枠形をなし、該振動機能面の最大振動振幅より大きい
直径のビーズを混入して形成した厚さ一定の絶縁性保持
枠と、該保持枠の上に、該保持枠の外側寸法とほぼ等し
い大きさで該保持枠の内側中空部分を覆って気密封止す
るように載置固定された絶縁性上板とを備えたことを特
徴とするものである。
請求項３〜９に記載した弾性表面波装置は、本発明の第
１の実施例を示すものであり、その構成は、圧電基板上
にすだれ状電極と該すだれ状電極に連接した端子電極と
が配設された弾性表面波素子と、該弾性表面波素子の電
極面上に、前記すだれ状電極によって励振される表面波
の振動機能面を取り囲み前記端子電極が外側になるよう
な枠形をなし、該振動機能面の最大振動振幅より大きい
直径のビーズを混入して形成した厚さ一定の絶縁性保持
枠と、該保持枠の上に、該保持枠の外側寸法とほぼ等し
い大きさで該保持枠の内側中空部分を覆って気密封止す
るように載置固定された絶縁性上板とを備えたことを特
徴とするものである。
【０００９】さらに、前記絶縁性保持枠は、高融点微
細ガラスビーズを混入した低融点ガラスで構成されたこ
と、高融点微細ガラスビーズを混入したエポキシ樹脂
で構成されたこと、微細セラミックビーズを混入した
低融点ガラスで構成されたこと、微細セラミックビー
ズを混入したエポキシ樹脂で構成されたことを特徴とす
るものである。また、前記絶縁性上板は、前記圧電基
板と同じ材質の基板であること、ガラス基板であるこ
と、セラミック基板であることを特徴とするものであ
る。
細ガラスビーズを混入した低融点ガラスで構成されたこ
と、高融点微細ガラスビーズを混入したエポキシ樹脂
で構成されたこと、微細セラミックビーズを混入した
低融点ガラスで構成されたこと、微細セラミックビー
ズを混入したエポキシ樹脂で構成されたことを特徴とす
るものである。また、前記絶縁性上板は、前記圧電基
板と同じ材質の基板であること、ガラス基板であるこ
と、セラミック基板であることを特徴とするものであ
る。
【００１０】本発明の請求項２および請求項３〜９に記
載した弾性表面波装置は、本発明の第２の実施例を示す
ものであり、その構成は、圧電基板上にすだれ状電極と
該すだれ状電極に連接した端子電極とが配設された弾性
表面波素子と、該弾性表面波素子の電極面上に、前記す
だれ状電極によって励振される表面波の振動機能面を取
り囲み前記端子電極が外側になるような枠形をなし、該
振動機能面の最大振動振幅より大きい直径のビーズを混
入して形成した厚さ一定の絶縁性保持枠と、該保持枠の
上に、前記圧電基板の外側寸法と等しい大きさで、か
つ、前記端子電極に対向する部分に該端子電極にワイヤ
ボンディングするための窓穴が設けられ、該保持枠の内
側中空部分を覆って気密封止するように載置固定された
絶縁性上板とを備えたことを特徴とするものである。
載した弾性表面波装置は、本発明の第２の実施例を示す
ものであり、その構成は、圧電基板上にすだれ状電極と
該すだれ状電極に連接した端子電極とが配設された弾性
表面波素子と、該弾性表面波素子の電極面上に、前記す
だれ状電極によって励振される表面波の振動機能面を取
り囲み前記端子電極が外側になるような枠形をなし、該
振動機能面の最大振動振幅より大きい直径のビーズを混
入して形成した厚さ一定の絶縁性保持枠と、該保持枠の
上に、前記圧電基板の外側寸法と等しい大きさで、か
つ、前記端子電極に対向する部分に該端子電極にワイヤ
ボンディングするための窓穴が設けられ、該保持枠の内
側中空部分を覆って気密封止するように載置固定された
絶縁性上板とを備えたことを特徴とするものである。
【００１１】さらに、前記絶縁性保持枠は、高融点微
細ガラスビーズを混入した低融点ガラスで構成されたこ
と、高融点微細ガラスビーズを混入したエポキシ樹脂
で構成されたこと、微細セラミックビーズを混入した
低融点ガラスで構成されたこと、微細セラミックビー
ズを混入したエポキシ樹脂で構成されたことを特徴とす
るものである。また、前記絶縁性上板は、前記圧電基
板と同じ材質の基板であること、ガラス基板であるこ
と、セラミック基板であることを特徴とするものであ
る。
細ガラスビーズを混入した低融点ガラスで構成されたこ
と、高融点微細ガラスビーズを混入したエポキシ樹脂
で構成されたこと、微細セラミックビーズを混入した
低融点ガラスで構成されたこと、微細セラミックビー
ズを混入したエポキシ樹脂で構成されたことを特徴とす
るものである。また、前記絶縁性上板は、前記圧電基
板と同じ材質の基板であること、ガラス基板であるこ
と、セラミック基板であることを特徴とするものであ
る。
【００１２】本発明の請求項１０および請求項１１に記
載した弾性表面波装置の製造方法は、それぞれ本発明の
第１の実施例および第２の実施例の弾性表面波装置を製
造する方法を示すものであり、(1) まず、圧電性ウエハ
上に多数の弾性表面波素子のすだれ状電極と該すだれ状
電極に連接した端子電極とを配設し、(2) 次に、前記多
数の弾性表面波素子のそれぞれの電極面上に、前記すだ
れ状電極によって励起される表面波の振動機能面を取り
囲み前記端子電極が外側になるような枠形をなし、該振
動機能面の最大振動振幅より大きい直径のビーズを混入
した厚さ一定の絶縁性保持枠を形成し、(3) 前記すだれ
状電極と端子電極とが配設され絶縁性保持枠が形成され
た圧電性ウエハの上から、上板用ウエハを該絶縁性保持
枠を挟んで固着して重ねた状態でダイシングを行って個
々の弾性表面波素子を切り出すと同時に前記上板用ウエ
ハが前記端子電極の位置より内側に切断されるようにし
た弾性表面波装置の製造方法、または、(3)'前記すだれ
状電極と端子電極とが配設され絶縁性保持枠が形成され
た圧電性ウエハの上から、上板用ウエハを該絶縁性保持
枠を挟んで固着して重ねた状態でダイシングを行って個
々の弾性表面波装置を切り出すようにした弾性表面波装
置の製造方法である。
載した弾性表面波装置の製造方法は、それぞれ本発明の
第１の実施例および第２の実施例の弾性表面波装置を製
造する方法を示すものであり、(1) まず、圧電性ウエハ
上に多数の弾性表面波素子のすだれ状電極と該すだれ状
電極に連接した端子電極とを配設し、(2) 次に、前記多
数の弾性表面波素子のそれぞれの電極面上に、前記すだ
れ状電極によって励起される表面波の振動機能面を取り
囲み前記端子電極が外側になるような枠形をなし、該振
動機能面の最大振動振幅より大きい直径のビーズを混入
した厚さ一定の絶縁性保持枠を形成し、(3) 前記すだれ
状電極と端子電極とが配設され絶縁性保持枠が形成され
た圧電性ウエハの上から、上板用ウエハを該絶縁性保持
枠を挟んで固着して重ねた状態でダイシングを行って個
々の弾性表面波素子を切り出すと同時に前記上板用ウエ
ハが前記端子電極の位置より内側に切断されるようにし
た弾性表面波装置の製造方法、または、(3)'前記すだれ
状電極と端子電極とが配設され絶縁性保持枠が形成され
た圧電性ウエハの上から、上板用ウエハを該絶縁性保持
枠を挟んで固着して重ねた状態でダイシングを行って個
々の弾性表面波装置を切り出すようにした弾性表面波装
置の製造方法である。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について以下図によって詳細
に説明する。図１は本発明の第１の実施例の製造途中の
構造を示す平面図（Ａ），（Ｂ）とそれぞれのＡ−Ａ’
断面図（ａ），（ｂ）であり、図２は本発明の第１の実
施例の完成品の構造を示す平面図（Ｃ）とそのＡ−Ａ’
断面図（ｃ）である。図１（Ａ）→（Ｂ）→図２（Ｃ）
の順序で工程が進められる。図１，図２の第１の実施例
は、図４のようなＩＤＴのみ設けられた共振子の場合を
示したが、従来技術で述べたように、機能面７は、反射
器及び伝搬路を含む場合はそれに応じた機能面として対
応することはいうまでもない。図１（Ａ）は、図４と同
じ弾性表面波素子１の平面図であり、図１（ａ）はその
Ａ−Ａ’断面図である。図４と同一部分には同一符号を
用いた。図１（Ｂ）及び（ｂ）の２０は、機能面７の周
囲を囲み、かつ、外部回路への端子電極５，５’が外側
になるように弾性表面波素子１の表面上に形成した絶縁
性保持枠であり、微細ガラスビーズ、もしくは微細セラ
ミックビーズを混合させた低融点ガラス、もしくはエポ
キシ樹脂をスクリーン印刷等の技術により形成された均
一の厚みをもった保持枠である。図２（Ｃ），（ｃ）の
２１は絶縁性上板であり、保持枠２０の上面に固定さ
れ、弾性表面波素子１の機能面７に中空部分を確保して
気密封止するための蓋である。この上板２１は保持枠２
０の外周形状とほぼ同等の外形寸法をもち、圧電基板２
と同じ材質、又は熱膨張係数が圧電基板２とほぼ同等の
値を有するガラス基板又はセラミック基板であり、か
つ、端子電極５，５’が覆われない寸法にして端子電極
５，５’にワイヤボンディングできる形状である。この
ような上板２１を保持枠２０の上に載せ、低融点ガラス
もしくはエポキシ樹脂による保持枠２０を所定の条件に
てキュアさせて固定する。
に説明する。図１は本発明の第１の実施例の製造途中の
構造を示す平面図（Ａ），（Ｂ）とそれぞれのＡ−Ａ’
断面図（ａ），（ｂ）であり、図２は本発明の第１の実
施例の完成品の構造を示す平面図（Ｃ）とそのＡ−Ａ’
断面図（ｃ）である。図１（Ａ）→（Ｂ）→図２（Ｃ）
の順序で工程が進められる。図１，図２の第１の実施例
は、図４のようなＩＤＴのみ設けられた共振子の場合を
示したが、従来技術で述べたように、機能面７は、反射
器及び伝搬路を含む場合はそれに応じた機能面として対
応することはいうまでもない。図１（Ａ）は、図４と同
じ弾性表面波素子１の平面図であり、図１（ａ）はその
Ａ−Ａ’断面図である。図４と同一部分には同一符号を
用いた。図１（Ｂ）及び（ｂ）の２０は、機能面７の周
囲を囲み、かつ、外部回路への端子電極５，５’が外側
になるように弾性表面波素子１の表面上に形成した絶縁
性保持枠であり、微細ガラスビーズ、もしくは微細セラ
ミックビーズを混合させた低融点ガラス、もしくはエポ
キシ樹脂をスクリーン印刷等の技術により形成された均
一の厚みをもった保持枠である。図２（Ｃ），（ｃ）の
２１は絶縁性上板であり、保持枠２０の上面に固定さ
れ、弾性表面波素子１の機能面７に中空部分を確保して
気密封止するための蓋である。この上板２１は保持枠２
０の外周形状とほぼ同等の外形寸法をもち、圧電基板２
と同じ材質、又は熱膨張係数が圧電基板２とほぼ同等の
値を有するガラス基板又はセラミック基板であり、か
つ、端子電極５，５’が覆われない寸法にして端子電極
５，５’にワイヤボンディングできる形状である。この
ような上板２１を保持枠２０の上に載せ、低融点ガラス
もしくはエポキシ樹脂による保持枠２０を所定の条件に
てキュアさせて固定する。
【００１４】上記の絶縁性保持枠２０には、ビーズのス
ペーサが混入されているため、絶縁性上板２１と圧電基
板２の機能面７との間にビーズの直径以上の空間が確保
でき、かつ、機能面７が保持枠２０の内側になるため、
外側の空間とは完全に遮断された気密中空部が形成され
る。図２（Ｃ），（ｃ）に図示した構造は、圧電基板２
と上板２１がビーズ入り保持枠２０を挟んでビーズ径以
上の高さの気密空間をもつように形成されているが、気
密性をより確実なものとすることと歩留向上のため、保
持枠２０の低融点ガラス又はエポキシ樹脂をキュアする
時に、所定の圧力で圧電基板２と上板２１を抑えつける
治具を利用する。
ペーサが混入されているため、絶縁性上板２１と圧電基
板２の機能面７との間にビーズの直径以上の空間が確保
でき、かつ、機能面７が保持枠２０の内側になるため、
外側の空間とは完全に遮断された気密中空部が形成され
る。図２（Ｃ），（ｃ）に図示した構造は、圧電基板２
と上板２１がビーズ入り保持枠２０を挟んでビーズ径以
上の高さの気密空間をもつように形成されているが、気
密性をより確実なものとすることと歩留向上のため、保
持枠２０の低融点ガラス又はエポキシ樹脂をキュアする
時に、所定の圧力で圧電基板２と上板２１を抑えつける
治具を利用する。
【００１５】実際のデバイス製造に当っては、チップ１
個１個を作成するのは現実的ではない。本発明のもう１
つの特徴は、ウエハ単位で処理できることにある。すな
わち、保持枠２０のスクリーン印刷はウエハ単位で処理
し、上板２１もウエハと同寸法のものを使用し、上板２
１を押さえつける治具はウエハの位置ズレ及びそりを矯
正できるようにする。ウエハを切断する場合はダイシン
グマシンを使用するが、上板２１として圧電基板２と同
じウエハを用いる場合、ウエハ２枚が所定の間隔で貼り
合わされ、かつ、チップに切断された後の状態は、上下
の基板（チップ）サイズが異なるためダイシング時に工
夫が必要である。例えば、ダイシングブレードをチップ
形状に合わせた逆凸状にすることで対応できる。
個１個を作成するのは現実的ではない。本発明のもう１
つの特徴は、ウエハ単位で処理できることにある。すな
わち、保持枠２０のスクリーン印刷はウエハ単位で処理
し、上板２１もウエハと同寸法のものを使用し、上板２
１を押さえつける治具はウエハの位置ズレ及びそりを矯
正できるようにする。ウエハを切断する場合はダイシン
グマシンを使用するが、上板２１として圧電基板２と同
じウエハを用いる場合、ウエハ２枚が所定の間隔で貼り
合わされ、かつ、チップに切断された後の状態は、上下
の基板（チップ）サイズが異なるためダイシング時に工
夫が必要である。例えば、ダイシングブレードをチップ
形状に合わせた逆凸状にすることで対応できる。
【００１６】図３は本発明の第２の実施例を示す平面図
（Ｄ）とそのＡ−Ａ’断面図（ｄ）である。この場合の
製造途中の構造は図１と同じである。第１の実施例と第
２の実施例の違いは、上板の平面寸法である。図３に示
した第２の実施例では、上板２２の平面寸法が圧電基板
２と同じであり、ダイシングブレードを特殊形状にする
ことなく、汎用のものを使用することができる。この第
２の実施例における上板２２には、ボンディング用の窓
穴２３，２３’が設けられている。ボンディング用窓穴
２３，２３’は、圧電基板２の端子電極５，５’と対応
した位置にあり、圧電基板２と上板２２を貼り合わせる
前にエッチングにより加工され、また、押さえつけ治具
は２枚の基板を貼り合わせる時に、窓穴２３，２３’と
端子電極５，５’の位置合わせが自動的に行えるような
構造である。本発明の第２の実施例の作用は、上板の構
造が違うだけで第１の実施例の作用と本質的に異なると
ころはない。
（Ｄ）とそのＡ−Ａ’断面図（ｄ）である。この場合の
製造途中の構造は図１と同じである。第１の実施例と第
２の実施例の違いは、上板の平面寸法である。図３に示
した第２の実施例では、上板２２の平面寸法が圧電基板
２と同じであり、ダイシングブレードを特殊形状にする
ことなく、汎用のものを使用することができる。この第
２の実施例における上板２２には、ボンディング用の窓
穴２３，２３’が設けられている。ボンディング用窓穴
２３，２３’は、圧電基板２の端子電極５，５’と対応
した位置にあり、圧電基板２と上板２２を貼り合わせる
前にエッチングにより加工され、また、押さえつけ治具
は２枚の基板を貼り合わせる時に、窓穴２３，２３’と
端子電極５，５’の位置合わせが自動的に行えるような
構造である。本発明の第２の実施例の作用は、上板の構
造が違うだけで第１の実施例の作用と本質的に異なると
ころはない。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、弾性表面波素子が素子として正常に機能するため
の中空部分を有し、外部に対する気密性が確保され、か
つ、従来から用いられていたパッケージを必要とせず、
ＩＣのベアチップと同様に扱えるため、マルチチップモ
ジュール化に対応できる。また、ウエハ単位で処理でき
るため量産効果が得られ、パッケージ材料費が必要なく
なるのと相まって製造コスト低減に極めて大きい効果が
ある。
れば、弾性表面波素子が素子として正常に機能するため
の中空部分を有し、外部に対する気密性が確保され、か
つ、従来から用いられていたパッケージを必要とせず、
ＩＣのベアチップと同様に扱えるため、マルチチップモ
ジュール化に対応できる。また、ウエハ単位で処理でき
るため量産効果が得られ、パッケージ材料費が必要なく
なるのと相まって製造コスト低減に極めて大きい効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造途中の構造説明図である。
【図２】本発明の第１の実施例の構造を示す平面図と断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２の実施例構造を示す平面図と断面
図である。
図である。
【図４】弾性表面波素子の平面図である。
【図５】従来の構造例図である。
１ 弾性表面波素子 ２ 圧電基板 ３ ＩＤＴ ４ バスバー ５，５’ 端子電極 ６，６’ 引き出し電極 ７ 機能面 １０ ステム １１ キャップ １２ リードピン １３ ワイヤ ２０ 絶縁性保持枠 ２１ 絶縁性上板 ２２ 絶縁性上板 ２３，２３’ 窓用穴
Claims (11)
- 【請求項１】 圧電基板上にすだれ状電極と該すだれ状
電極に連接した端子電極とが配設された弾性表面波素子
と、 該弾性表面波素子の電極面上に、前記すだれ状電極によ
って励振される表面波の振動機能面を取り囲み前記端子
電極が外側になるような枠形をなし、該振動機能面の最
大振動振幅より大きい直径のビーズを混入して形成した
厚さ一定の絶縁性保持枠と、 該保持枠の上に、該保持枠の外側寸法とほぼ等しい大き
さで該保持枠の内側中空部分を覆って気密封止するよう
に載置固定された絶縁性上板とを備えた弾性表面波装
置。 - 【請求項２】 前記絶縁性上板は、前記圧電基板の外側
寸法と等しい大きさで、かつ、前記端子電極に対向する
部分に該端子電極にワイヤボンディングするための窓穴
が設けられたことを特徴とする請求項１記載の弾性表面
波装置。 - 【請求項３】 前記絶縁性保持枠は、高融点微細ガラス
ビーズを混入した低融点ガラスで構成されたことを特徴
とする請求項１，２記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 前記絶縁性保持枠は、高融点微細ガラス
ビーズを混入したエポキシ樹脂で構成されたことを特徴
とする請求項１，２記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 前記絶縁性保持枠は、微細セラミックビ
ーズを混入した低融点ガラスで構成されたことを特徴と
する請求項１，２記載の弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記絶縁性保持枠は、微細セラミックビ
ーズを混入したエポキシ樹脂で構成されたことを特徴と
する請求項１，２記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 前記絶縁性上板は、前記圧電基板と同じ
材質の基板であることを特徴とする請求項１乃至６記載
の弾性表面波装置。 - 【請求項８】 前記絶縁性上板は、ガラス基板であるこ
とを特徴とする請求項１乃至６記載の弾性表面波装置。 - 【請求項９】 前記絶縁性上板は、セラミック基板であ
ることを特徴とする請求項１乃至６記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項１０】 圧電性ウエハ上に多数の弾性表面波素
子のすだれ状電極と該すだれ状電極に連接した端子電極
とを配設し、 前記多数の弾性表面波素子のそれぞれの電極面上に、前
記すだれ状電極によって励振される表面波の振動機能面
を取り囲み前記端子電極が外側になるような枠形をな
し、該振動機能面の最大振動振幅より大きい直径のビー
ズを混入した厚さ一定の絶縁性保持枠を形成し、 前記すだれ状電極と端子電極とが配設され絶縁性保持枠
が形成された圧電性ウエハの上から、上板用ウエハを該
絶縁性保持枠を挟んで固着して重ねた状態でダイシング
を行って個々の弾性表面波素子を切り出すと同時に前記
上板用ウエハが前記端子電極の位置より内側に切断され
るようにした弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１１】 圧電性ウエハ上に多数の弾性表面波素
子のすだれ状電極と該すだれ状電極に連接した端子電極
とを配設し、 前記多数の弾性表面波素子のそれぞれの電極面上に、前
記すだれ状電極によって励振される表面波の振動機能面
を取り囲み前記端子電極が外側になるような枠形をな
し、該振動機能面の最大振動振幅より大きい直径のビー
ズを混入した厚さ一定の絶縁性保持枠を形成し、 前記すだれ状電極と端子電極とが配設され絶縁性保持枠
が形成された圧電性ウエハの上から、上板用ウエハを該
絶縁性保持枠を挟んで固着して重ねた状態でダイシング
を行って個々の弾性表面波装置を切り出すようにした弾
性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17980194A JPH0823259A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 弾性表面波装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17980194A JPH0823259A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 弾性表面波装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823259A true JPH0823259A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=16072139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17980194A Pending JPH0823259A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 弾性表面波装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823259A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0805552A3 (en) * | 1996-04-29 | 1998-07-08 | Motorola, Inc. | Acoustic wave filter package and method |
| WO2009078137A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面波装置及びその製造方法 |
| US9151284B2 (en) | 2011-09-06 | 2015-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Fluid control device |
| WO2020195741A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| JPWO2020195740A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP17980194A patent/JPH0823259A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0805552A3 (en) * | 1996-04-29 | 1998-07-08 | Motorola, Inc. | Acoustic wave filter package and method |
| WO2009078137A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面波装置及びその製造方法 |
| US7944125B2 (en) | 2007-12-14 | 2011-05-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP5110090B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-12-26 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及びその製造方法 |
| EP2230764A4 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-02 | Murata Manufacturing Co | Surface wave device and method of manufacturing the same |
| US9151284B2 (en) | 2011-09-06 | 2015-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Fluid control device |
| WO2020195741A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| JPWO2020195741A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | ||
| JPWO2020195740A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | ||
| WO2020195740A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| CN113748599A (zh) * | 2019-03-25 | 2021-12-03 | 京瓷株式会社 | 电子部件及其制造方法 |
| US11973486B2 (en) | 2019-03-25 | 2024-04-30 | Kyocera Corporation | Electronic component and method for manufacturing the same |
| CN113748599B (zh) * | 2019-03-25 | 2024-09-10 | 京瓷株式会社 | 电子部件及其制造方法 |
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