JPH08234251A - 光信号伝送装置及びその方法 - Google Patents
光信号伝送装置及びその方法Info
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- JPH08234251A JPH08234251A JP7340891A JP34089195A JPH08234251A JP H08234251 A JPH08234251 A JP H08234251A JP 7340891 A JP7340891 A JP 7340891A JP 34089195 A JP34089195 A JP 34089195A JP H08234251 A JPH08234251 A JP H08234251A
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Abstract
り率を減らす。 【解決手段】 本発明により誘導ブリリュアン散乱が有
効に抑制され、残留振幅変調の作用は、高飽和度増幅器
のような光学的装置にディザ光信号を注入することによ
ってディザ光送信器で和らげ、ディザ周波数における小
さい信号強度応答は残留振幅変調を減衰させ、アイ終結
を減少させる(代りにアイパターン通路を増やす)。光
学的装置(例えば、高飽和度増幅器)は、ファイバスパ
ンの往復トリップ時間の逆数以上の周波数で中に光信号
電力が発光される有効光伝送距離を有する低域周波数遮
断(−3dB)を示す。ディザ速度は一般には低い遮断
周波数近傍以下である。
Description
号を伝送する装置及び方法に関し、特に、パワーが誘導
ブリリュアン散乱しきい値を超える信号の伝送に関す
る。
バスパン距離が長いシステムにおいては、伝送ファイバ
の中にできるだけ高い光パワーを発光することは重要で
ある。残念ながら、特定の波長の発光パワー量は、誘導
ブリリュアン散乱(SBS:stimulated Brillouin scat
tering)、誘導ラマン散乱、自己位相変調、4光子混
合、及び混位相変調(cross-phase modulation)のような
非線形現象により制限される。これらの現象は光信号を
劣化し、データのビット誤り率を増やす。
い値が増加して伝搬光信号の線幅を増加するから、特に
SBSの害を受けやすい。SBSパワーしきい値は、入
力光ポンプ信号及び逆ストークス信号(backward Stokes
signal)のパワーが等しいように、入力光ポンプ信号パ
ワーレベルに従って任意に定められる。狭い線幅の光源
波長のディザはSBSにより課されるパワー限界を克服
するための有用な技術である。具体的には、周期的に変
化するディザ電流で光源レーザを直接変調することによ
り、光源波長はある狭い帯域の波長上を掃引できる。こ
の技術により、SBSの害を受けずにディザなしの光源
と比べると元のSBSしきい値をはるかに超えて、高い
発光パワーを用いることができる。実験により約5kH
z又はそれより上の光源波長に対するディザ速度(dithe
r rate)が、SBSを抑制するために有効であることが
示されている。例えば、1994年7月12日に発行さ
れた米国特許第5,329,396号を見るとよい。
術には1つの問題がある。ディザ電流は前後に掃引する
につれてディザ速度で振幅変調を与える。この振幅変調
は変調信号の包絡線を変える。強度変調データに対して
は、この強度変調信号上の付加又は残留振幅変調(resid
ual amplitude modulation)はアイパターンの終結を起
こして受光器を害し、0と1の光データビットの区別を
困難にする。即ち、誤り率はディザ速度が増えれば増加
する。この問題は取り扱ったり又は解決されてはいな
い。
ュアン散乱が有効に抑制され、残留振幅変調の作用は、
高飽和度増幅器のような光学的装置にディザ光信号を注
入することによってディザ光送信器で和らげ、ディザ周
波数における小さい信号強度応答は残留振幅変調を減衰
させ、アイ終結を減少させる(代りにアイパターン通路
を増やす)。光学的装置(例えば、高飽和度増幅器)
は、ファイバスパンの往復トリップ時間の逆数以上の周
波数で中に光信号電力が発光される有効光伝送距離を有
する低域周波数遮断(−3dB)を示す。即ち、低遮断
周波数はc/2nLeff以上であるべきであり、ここ
で、cは真空での光速であり、nは伝送システムの有効
屈折率であり、Leffは有効光ファイバー伝送距離であ
る。
0、受信器17、及び送信器と受信器を相互に結び付け
る光伝送ファイバ16を含む伝送システムのブロック図
を示す。送信器は誘導ブリリュアン散乱及びディザによ
り起こる残留振幅変調の有害な作用なしでハイパワー動
作できる。
2、バイアス、外部変調器14及び増幅器15を含む。
外部変調器14は、データ源13から入力データを受け
る。図1の送信器は外部変調を用いるが、本発明の原理
は直接変調レーザにも広げられる。
バックレーザ、分布型ブラッグ反射器レーザ等の単一周
波数レーザである。適当な電流(バイアス)が連続波動
作のためにレーザにバイアスをかける。ディザ源12は
バイアス信号に正弦波又は方形波信号のような周期的な
変化を与える。代りに、ディザはレーザ動作温度の局所
周期的変化を誘発することにより得られる。
ーザの光搬送波波長を特定の領域に渡ってディザ速度又
は周波数fdと呼ばれる周期的な速度で掃引することで
ある。ディザ信号は、変調周波数に加えて他のいかなる
アナログ又はディジタルの情報符号化のような変調と独
立して、レーザ出力をさせる。この周波数変調はレーザ
出力の有効線幅を増やすように働く。
上では既に示した。ここでcは真空での光速であり、n
は伝送システムの有効屈折率であり、Leffは有効光フ
ァイバー伝送距離である。Leffは、(1−e-αL)/
α → 1/αとして近似でき、ここでαは光ファイバー
減衰定数で、Lは光ファイバーの実際の距離である。典
型的な系は、α=0.22dB/kmを有し、Leffは約
20kmである。たいていのシステム応用では、これに
より約5kHz以上のディザ速度になる。
得の光周波数の絶対値は光ファイバーの動作時間と等し
い時間でシフトすることを保証できる。これはいかなる
距離の光ファイバーをもいかなる感知可能な時間に特定
の波長の狭い線幅信号にさらされるのを阻止する。結果
として、ファイバの中の光信号の相互作用距離は短くさ
れ、ファイバ距離上に渡ってSBSを抑制できる。以下
に詳細に記述するように本発明により、最大ディザ周波
数は、増幅器15のような光学的装置に対してより低遮
断周波数(−3dBの点)により限定される。
り達成した有効線幅広がりのグラフ図を示す。曲線20
1、202、203は、ある固定電流I0でバイアスを
かけられた典型的な単一周波数レーザに対する光スペク
トルのプロットである(波長に対する強度)。標準的な
動作では、レーザは中央を波長λ0にした曲線201に
より示すように、固定線幅を有する光出力信号を作る。
ディザ信号が課される時、バイアス電流は極限及びスペ
クトルが曲線202(I0−ΔIのバイアス)と曲線2
03(I0+ΔIのバイアス)に示してあるレーザ出力
信号の間をシフトする。図示のように、各出力スペクト
ルは波長ARの分シフトする。バイアス電流がI0−Δ
IとI0+Iの間を周期的に変化するようにディザすれ
ば、レーザ出力は時間に渡って見れば、曲線204によ
り中央がλ0の広がった出力を有するように見える。
ィザの大きさはレーザのΔv/ΔI周波数変調応答に依
存し、ここでΔv/ΔIはレーザバイアス電流の単位変
化当たりのレーザ出力の有効線幅の変化である。典型的
な半導体レーザは200MHz/mAと1GHz/mA
の間の周波数変調応答を示す。
に対して強度変調を供給する。データ源13からのデー
タは、特定のアナログ又はNRZ若しくはRZのような
ディジタルの形式で符号化され、レーザ出力信号で強度
変化を生む。
て、ディザ源12からの信号に関連する振幅変調(A
M:amplitude modulation)はまた、レーザ11と変調
器14から出力した信号の低周波数強度変化として現わ
れる。この付加AM信号は残留AMと呼ばれる。受信器
17により受けたデータを劣化するのはこのAM信号で
ある。図5Aに示されるように受信器でアイ終結が10
kHzディザ信号に対して生じる。
光波伝送の間のSBSの抑制等)を残しながらレーザバ
イアスをディザすることにより起こした残留AMの作用
を和らげるために、高飽和度増幅器15を変調器出力に
光学的に結合する。高飽和度光増幅器15が1/TR以
上(ここでTRは往復トリップ動作時間である)である
低遮断周波数fcを有し、これはc/2nLeffとし、こ
こでcは真空での光速であり、nは伝送システムの有効
屈折率であり、Leffは有効光ファイバー伝送距離であ
る。ディザ周波数fdはまたc/2nLeff以上である。
は、エルビウムドープの光ファイバー増幅器を用いるこ
とができる。飽和していてないエルビウムドープの光フ
ァイバー増幅器の特性利得及び飽和回復時間は典型的に
は1msの桁の程度である。従って、このような増幅器
は、10kHz(例えば、レーザ11の搬送波波長のデ
ィザによる残留振幅変調)の振幅変調が増幅器への入力
信号に存在する時、利得レベルにおいてわずか又は観測
不能な変化しか有さない。特性利得飽和及び回復時間は
利得飽和のレベルを増やして減少する。飽和及び回復時
間の最低限度はそれぞれ10μsの桁の程度である。従
って、高飽和度増幅器の利得は約10μsより小さいタ
イムスケールの入力信号パワー変化に反応しない。しか
しながら、強度変調信号で高飽和度増幅器に注入した1
0kHz残留AM信号は、残留AMの変調指数を減らす
強度依存利得を経験する。
飽和度エルビウムドープファイバ増幅器の利得特性を示
す。図3A及び3Bはそれぞれ、入力パワーと出力パワ
ーへの利得の関係を示す。図4は、二乗検波器により測
定した入力信号の周波数の関数として小さい信号強度応
答を示す。この図では縦座標は任意単位で5dB/目盛
で示してある。この図に示されるように、5kHzから
約30kHzまでの有用なディザ信号周波数は増幅器の
低遮断周波数より下にある。即ち、それらは小さい信号
強度応答が増幅器のDC上のピーク応答より約3dB又
はこれより下の周波数にある。
は、1558nmで動作する分布型ブラッグ反射器レー
ザである。抵抗結線を通ってレーザに課したディザ源か
らの10V(ピークトゥピーク:peak-to-peak)の5k
Hz信号は、レーザダイオードを熱する方法(温度ディ
ザ)によりレーザ出力で10kHzのディザを達した。
レーザ出力を時間平均FWHM(半値全幅)測定で1
2.5GHzに広げた。実施した実験からの第2の例と
しては、24mAのピークトゥピーク10kHz電流を
DBRレーザのDCバイアスに重ね合わせて8.65G
Hzのレーザ線幅の広がりを得た。2.488Gbps
の疑似ランダムビットシーケンスデータ信号は、LiN
bO3マッハ・ツェンダー(Mach-Zehnder)外部光強度変
調器に印加した。増幅の前に変調信号は、ディザにより
起こる残留振幅変調によりかなりのアイ終結を示した。
図5Aでは、論理値「1」の線路が太くなり、アイパタ
ーンが期待するよりも終結している。この信号を上述の
増幅器(図3A〜3B、図4参照)に通過させることに
より、図5Bに示すように意義ある量のアイ通路を取り
戻すことは可能である。図5C及び5Dは、他は同じ動
作条件でディザ周波数がそれぞれ7kHz及び5kHz
に減少してアイパターン通路が改善したアイパターン図
を示す。
率の関係を描く一連の曲線を示す。円形データ点(○、
●)を有する曲線は5kHzディザシグナルを用い、三
角形データ点(△、▲)を有する曲線は7kHzディザ
信号を使用し、四角形データ点(□、■)を有する曲線
は10kHzディザ信号を使用する。中抜きの四角形、
三角形及び円形のデータ点(□、△、○)を有する曲線
は、送信器10が高飽和度増幅器15を有しないシステ
ムに関連する。黒で埋められた四角形、三角形及び円形
のデータ点(■、▲、●)を有する曲線は、送信器10
が高飽和度増幅器15を有するシステムに関連する。左
の実線曲線(×のデータ点)は、レーザのディザがな
く、系発光パワーが5dBmより小さいディザしてない
伝送状態を表す。他の全ての曲線は、約23dBmの系
発光パワーのものを表す。
て、高飽和度増幅器を含むディザ送信器はディザを単独
で用いて類似の送信器に対して改善した性能を提供し
た。改善した性能は、同じ受信パワーに対してかなり低
いビット誤り率(数桁低い大きさ)や、同じビット誤り
率に対してのかなりのパワーの利点(3dBより大き
い)に見られる。後者の改善は系の距離の領域拡張を意
味する。高飽和度増幅器を利用するディザ送信器はディ
ザしていない系に対して1dB以下の小さな害だけこう
むった。
バ増幅器で記述したが、半導体増幅器又はラマン増幅器
のような他の増幅器は本発明の送信器で用いられる。特
定の増幅器が小さい信号強度応答条件を満たすことのみ
が要求されるだけである。もちろん、他の光学的装置は
上記の応答条件を満たし、従って送信器10を増幅器1
5と置き換えることは適当である。
振幅変調を減少させることに関して記述した。図示して
いないが強度変調器は増幅器15の後に置ける。
イナスの特徴なしで、光源の光搬送波波長のディザのプ
ラスの利益を維持する。即ち、本発明はSBSの作用な
しで及びかなり減少した残留振幅変調で、予想以上に高
いパワー光信号の生成及び発光を可能とする。本発明
は、光ファイバースパン距離を設定するために重要な限
界拡張や、特定のスパン距離に対するビット誤り率を改
善する。本発明はまた出力パワーを下げるために用いら
れ、特定のビット誤り率を許容する。
はfcの小さい周波数変化であり、新しい周波数fc+ε
においてさえ小さい信号強度応答は強度依存応答を供給
して残留振幅変調を抑制するようになる。
アン散乱が有効に抑制され、残留振幅変調の作用は、高
飽和度増幅器のような光学的装置にディザ光信号を注入
することによってディザ光送信器で和らげ、ディザ周波
数における小さい信号強度応答は残留振幅変調を減衰さ
せ、アイ終結を減少させてアイパターン通路を増やす。
光学的装置は、ファイバスパンの往復トリップ時間の逆
数以上の周波数で中に光信号電力が発光される有効光伝
送距離を有する低域周波数遮断(−3dB)を示す。低
遮断周波数はc/2nLeff以上であるべきである。本
発明により伝送光ファイバは低いビット誤り率となり、
長い中継器なし距離を達成する。
単純化ブロック図である。
器の、入力パワーに対する利得、出力パワーに対する利
得、周波数に対する小さい信号強度応答のプロットのグ
ラフ図である。
器の、入力パワーに対する利得、出力パワーに対する利
得、周波数に対する小さい信号強度応答のプロットのグ
ラフ図である。
アイパターン図で、B〜Dは、高飽和度増幅器を含むデ
ィザ光送信器の種々のディザ率のアイパターン図であ
る。
送信器の比較を示す実験結果のグラフ図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 屈折率n及び有効距離Leffを有する伝
送媒質で誘導ブリリュアン散乱の影響を受けないハイパ
ワー光信号を生成する光送信装置において、 a)供給バイアス電流を有し、所定の光搬送波波長で動
作する連続波出力信号を生成するレーザと、 b)前記レーザに接続され、c/2nLeff(cは真空
での光速)以上の周期的な速度fdで前記レーザの光搬
送波波をディザする手段と、 c)前記レーザの出力に接続され、前記連続波出力信号
の強度を変化させる強度変調器と、 d)前記強度変調器からの出力信号に応答して、前記強
度変調出力信号上の残留振幅変調のピークトゥピーク振
幅を減少させる高飽和度増幅手段と、前記増幅手段がc
/2nLeff以上である低遮断周波数fcを有し、c/2
nLef f≦fd≦fcであるからなる光送信装置。 - 【請求項2】前記高飽和度増幅手段が、エルビウムドー
プ光ファイバ増幅器であることを特徴とする請求項1記
載の光送信装置。 - 【請求項3】前記高飽和度増幅手段が、半導体増幅器で
あることを特徴とする請求項1記載の光送信装置。 - 【請求項4】前記高飽和度増幅手段が、ラマン増幅器で
あることを特徴とする請求項1記載の光送信装置。 - 【請求項5】前記伝送媒質が、単一モード光ファイバー
であり、前記周期的な速度が5kHz以上であることを
特徴とする請求項2記載の光送信装置。 - 【請求項6】前記ディザ手段が、前記レーザへのバイア
ス電流を変えることを特徴とする請求項1記載の光送信
装置。 - 【請求項7】前記ディザ手段が、前記レーザの動作温度
を変えることを特徴とする請求項1記載の光送信装置。 - 【請求項8】屈折率n及び有効距離Leffを有する伝送
媒質で誘導ブリリュアン散乱の影響を受けないハイパワ
ー光信号を生成する方法であって、 a)所定の光搬送波波長の近傍で周期的な速度で変化す
る波長を有する光出力信号を生成する段階と、 b)前記周期的な速度が低周波数遮断の前記近傍又はそ
れより下及びc/2nLeff以上の小さい信号強度応答
領域で起こるように、増幅することにより前記光出力信
号上に残留振幅変調のピークトゥピーク振幅を減少する
段階とからなる光信号生成方法。 - 【請求項9】前記生成段階が前記光出力信号を作るため
にバイアス電流によってレーザにバイアスをかけて、前
記光出力信号の波長を変化させるためにc/2nLeff
(cは真空での光速)以上の周期的な速度fdでレーザ
にバイアス電流をディザすることを特徴とする請求項8
記載の光信号生成方法。 - 【請求項10】前記生成段階がデータ信号に応答して前
記光出力信号の前記強度を変調する段階をさらに含むこ
とを特徴とする請求項9記載の光信号生成方法。 - 【請求項11】屈折率n及び有効距離Leffを有する伝
送媒質で誘導ブリリュアン散乱の影響を受けないハイパ
ワー光信号を生成する光送信装置であって、この装置
が、 a)所定の波長の近傍で周期的な速度fdで変化する搬
送波波長を有する強度変調出力信号を生成する光源と、 b)強度変調出力信号に応答して、前記周期的な速度に
関連して前記強度変調出力上に起こる残留振幅変調のピ
ークトゥピーク振幅を減少する高飽和度増幅手段と、こ
の増幅手段が、c/2nLeff以上である低遮断周波数
fcを有し、c/2nLeff≦fd≦fcであるからなる光
送信装置。 - 【請求項12】屈折率n及び有効距離Leffを有する伝
送媒質で誘導ブリリュアン散乱の影響を受けないハイパ
ワー光信号を生成する光送信装置であって、 a)所定の波長の近傍で周期的な速度fdで変化する搬
送波波長を有する連続波出力信号を生成する光源と、 b)前記強度変調出力信号に応答して前記周期的な速度
に関連して前記強度変調出力上に起こる残留振幅変調の
ピークトゥピーク振幅を減少する高飽和度増幅手段と、
この増幅手段が、c/2nLeff以上である低遮断周波
数fcを有し、c/2nLeff≦fd≦fcであるからなる
光送信装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/366,139 US5477368A (en) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | High power lightwave transmitter using highly saturated amplifier for residual AM suppression |
| US366139 | 1994-12-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08234251A true JPH08234251A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=23441816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7340891A Pending JPH08234251A (ja) | 1994-12-29 | 1995-12-27 | 光信号伝送装置及びその方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5477368A (ja) |
| EP (1) | EP0720313B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08234251A (ja) |
| DE (1) | DE69510438T2 (ja) |
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