JPH08235501A - 磁気抵抗センサのドリフト補償回路を備えた永久磁石アセンブリ - Google Patents
磁気抵抗センサのドリフト補償回路を備えた永久磁石アセンブリInfo
- Publication number
- JPH08235501A JPH08235501A JP7268778A JP26877895A JPH08235501A JP H08235501 A JPH08235501 A JP H08235501A JP 7268778 A JP7268778 A JP 7268778A JP 26877895 A JP26877895 A JP 26877895A JP H08235501 A JPH08235501 A JP H08235501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- correction
- magnetoresistive
- signal
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
- G01R33/1207—Testing individual magnetic storage devices, e.g. records carriers or digital storage elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V3/00—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation
- G01V3/08—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V3/00—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation
- G01V3/08—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices
- G01V3/081—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices the magnetic field is produced by the objects or geological structures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/08—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes
- G06K7/082—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors
- G06K7/083—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors inductive
- G06K7/084—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors inductive sensing magnetic material by relative movement detecting flux changes without altering its magnetised state
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07D—HANDLING OF COINS OR VALUABLE PAPERS, e.g. TESTING, SORTING BY DENOMINATIONS, COUNTING, DISPENSING, CHANGING OR DEPOSITING
- G07D7/00—Testing specially adapted to determine the identity or genuineness of valuable papers or for segregating those which are unacceptable, e.g. banknotes that are alien to a currency
- G07D7/04—Testing magnetic properties of the materials thereof, e.g. by detection of magnetic imprint
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07D—HANDLING OF COINS OR VALUABLE PAPERS, e.g. TESTING, SORTING BY DENOMINATIONS, COUNTING, DISPENSING, CHANGING OR DEPOSITING
- G07D7/00—Testing specially adapted to determine the identity or genuineness of valuable papers or for segregating those which are unacceptable, e.g. banknotes that are alien to a currency
- G07D7/20—Testing patterns thereon
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07F—COIN-FREED OR LIKE APPARATUS
- G07F7/00—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus
- G07F7/08—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus by coded identity card or credit card or other personal identification means
- G07F7/086—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus by coded identity card or credit card or other personal identification means by passive credit-cards adapted therefor, e.g. constructive particularities to avoid counterfeiting, e.g. by inclusion of a physical or chemical security-layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geophysics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 書類の検出と鑑定を同時に行うことのできる
磁気アセンブリを提供する。 【解決手段】 磁気アセンブリ６０は、永久磁石（Ｐ
Ｍ）６２と、軟磁性体から成り透磁性の高い第１及び第
２の磁極片６４、６６を含む。第１及び第２の磁性体
は、永久磁石６２との組み合わせによって、異なる大き
さの間隙を有する先細の磁気回路を形成する。永久磁石
６２は、第１の磁極片と第２の磁極片の間の第２間隙に
位置する。第１磁極片と第２磁極片の間の第１間隙の中
心もしくは中心付近に、磁気抵抗（ＭＲ）検出要素６８
が配設される。第１間隙及びＭＲ検出要素６８が、検出
される磁気書類に近接する位置にある。導電層８０は磁
気抵抗検出要素６８に隣接して設けられるが、これから
電気的に絶縁されている。
磁気アセンブリを提供する。 【解決手段】 磁気アセンブリ６０は、永久磁石（Ｐ
Ｍ）６２と、軟磁性体から成り透磁性の高い第１及び第
２の磁極片６４、６６を含む。第１及び第２の磁性体
は、永久磁石６２との組み合わせによって、異なる大き
さの間隙を有する先細の磁気回路を形成する。永久磁石
６２は、第１の磁極片と第２の磁極片の間の第２間隙に
位置する。第１磁極片と第２磁極片の間の第１間隙の中
心もしくは中心付近に、磁気抵抗（ＭＲ）検出要素６８
が配設される。第１間隙及びＭＲ検出要素６８が、検出
される磁気書類に近接する位置にある。導電層８０は磁
気抵抗検出要素６８に隣接して設けられるが、これから
電気的に絶縁されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広く磁界の検出に
関し、特に磁気インク等の磁気層を有する書類から発生
する磁界の、永久磁石バイアス磁気抵抗（ＭＲ：magnet
oresistive）要素による検出に関する。
関し、特に磁気インク等の磁気層を有する書類から発生
する磁界の、永久磁石バイアス磁気抵抗（ＭＲ：magnet
oresistive）要素による検出に関する。
【０００２】
【従来の技術】本願で用いられる「書類」という用語
は、特定の磁気特性を有する磁気顔料を含むインク等の
磁気層が形成された有価紙または他の物体を意味する。
は、特定の磁気特性を有する磁気顔料を含むインク等の
磁気層が形成された有価紙または他の物体を意味する。
【０００３】磁気抵抗検出要素は、磁気媒体に記録され
た信号に反応するが、この反応は、磁気媒体から発生す
る信号のフラックス（磁束）を遮る磁気抵抗要素の抵抗
の変化によって生じる。単一ドメインフィルムに対する
抵抗の理論的変化は、磁気抵抗要素に印加される磁界の
強さの放物関数である。図１において、曲線１０の縦座
標は、一般的な単一ドメインＮｉＦｅパーマロイの薄膜
磁気抵抗要素の抵抗の相対的な変化を、磁界の強さＨの
関数として示している。磁気層の減磁界（反磁場）のた
めに、曲線１０は、領域１２においては、点線１４で表
された「単純な」放物反応からずれている。
た信号に反応するが、この反応は、磁気媒体から発生す
る信号のフラックス（磁束）を遮る磁気抵抗要素の抵抗
の変化によって生じる。単一ドメインフィルムに対する
抵抗の理論的変化は、磁気抵抗要素に印加される磁界の
強さの放物関数である。図１において、曲線１０の縦座
標は、一般的な単一ドメインＮｉＦｅパーマロイの薄膜
磁気抵抗要素の抵抗の相対的な変化を、磁界の強さＨの
関数として示している。磁気層の減磁界（反磁場）のた
めに、曲線１０は、領域１２においては、点線１４で表
された「単純な」放物反応からずれている。
【０００４】通常、磁気抵抗要素の動作点１７は、最大
出力信号及び最小第２高調波ひずみを供給するよう設定
される。この点は、均一の信号磁界において、曲線１０
の変曲点１６で発生する。ところが実際には、いくつか
の要因のために最適点を定義するのはさらに複雑であ
り、所定の応用においてこの最適点を理論的にもしくは
実験的に一般的に定義しなければならない。磁気抵抗要
素に印加される一定のバイアス磁界Ｈｂ１８が動作点１
７を確定し、この動作点１７の周囲に印加される変動す
る入力信号磁界Ｈｓ２０が出力抵抗の変動２２を決定す
る。出力抵抗の変動２２は、入力信号Ｈｓ２０の変動の
コピーである。この出力抵抗の変動は、磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）要素を流れるセンス（検出）電流２３による電圧降
下により電圧出力に変換される。
出力信号及び最小第２高調波ひずみを供給するよう設定
される。この点は、均一の信号磁界において、曲線１０
の変曲点１６で発生する。ところが実際には、いくつか
の要因のために最適点を定義するのはさらに複雑であ
り、所定の応用においてこの最適点を理論的にもしくは
実験的に一般的に定義しなければならない。磁気抵抗要
素に印加される一定のバイアス磁界Ｈｂ１８が動作点１
７を確定し、この動作点１７の周囲に印加される変動す
る入力信号磁界Ｈｓ２０が出力抵抗の変動２２を決定す
る。出力抵抗の変動２２は、入力信号Ｈｓ２０の変動の
コピーである。この出力抵抗の変動は、磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）要素を流れるセンス（検出）電流２３による電圧降
下により電圧出力に変換される。
【０００５】一般的に、バイアス磁界は、永久磁石、分
路バイアス、軟近接層（soft adjacent layer ）、バー
バーポール（barber pole ）ＭＲ構成などの技術のいず
れかにより生成することができる。このうち、永久磁石
バイアスは、大バイアスを得るためにＭＲアセンブリに
外付けする回路及び構成要素が不要であり効果的であ
る。また、分路バイアスについては、米国特許第４，５
２３，２４３号（１９８５年６月１１日発行、発明者：
ビリントン）及び米国特許第５，１５９，５１１号（１
９９２年１０月２７日発行、発明者：ダス）に開示され
ている。
路バイアス、軟近接層（soft adjacent layer ）、バー
バーポール（barber pole ）ＭＲ構成などの技術のいず
れかにより生成することができる。このうち、永久磁石
バイアスは、大バイアスを得るためにＭＲアセンブリに
外付けする回路及び構成要素が不要であり効果的であ
る。また、分路バイアスについては、米国特許第４，５
２３，２４３号（１９８５年６月１１日発行、発明者：
ビリントン）及び米国特許第５，１５９，５１１号（１
９９２年１０月２７日発行、発明者：ダス）に開示され
ている。
【０００６】書類の磁気層の飽和磁界を、その形成と同
時に検出することのできる磁気アセンブリが所望され
る。磁気インク顔料は、その磁性性質が劣り、保磁力及
び残留磁化が低いことから、磁気アセンブリは、書類の
磁界内測定を行う能力を備えるのが望ましい。すなわ
ち、外部磁界によって書類を磁化しながら、磁気抵抗検
出要素によって書類の特徴的磁気信号を読みとることが
望ましい。この外部磁場は、書類のインクに含まれる磁
気顔料を部分的あるいは完全に飽和できる十分な大きさ
を有するものである。さらに、磁気アセンブリは、書類
のＭＲ検出要素通過前もしくは通過後に、書類に表れる
反転磁界を減衰するのが望ましい。
時に検出することのできる磁気アセンブリが所望され
る。磁気インク顔料は、その磁性性質が劣り、保磁力及
び残留磁化が低いことから、磁気アセンブリは、書類の
磁界内測定を行う能力を備えるのが望ましい。すなわ
ち、外部磁界によって書類を磁化しながら、磁気抵抗検
出要素によって書類の特徴的磁気信号を読みとることが
望ましい。この外部磁場は、書類のインクに含まれる磁
気顔料を部分的あるいは完全に飽和できる十分な大きさ
を有するものである。さらに、磁気アセンブリは、書類
のＭＲ検出要素通過前もしくは通過後に、書類に表れる
反転磁界を減衰するのが望ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】米国特許第３，７９
６，８５９号（１９７４年３月１２日発行、発明者：ト
ンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ））には、書類の磁気イン
クを磁化するためのＵ字型永久磁石記録ヘッドを有す
る、磁気インク記録システムが開示される。この発明に
おいては、磁気抵抗（ＭＲ）検出要素は、永久磁石のヨ
ーク内に設けられており、永久磁石よってバイアスをか
けられ、インクが磁化されると同時にこのインクの磁化
を検出する。しかしながら、この特許に開示されたシス
テムは次の点で不都合がある。つまり、永久磁石のヨー
ク端部は、書類の磁化されたインクに近接した位置にあ
るため、磁気ヘッドの下流側に位置する磁気読みとりア
センブリがインクを検出する前に、このインクを消磁し
てしまう。さらに、Ｕ字型永久磁石は高価であり、ま
た、特定仕様のために構成するのは困難である。
６，８５９号（１９７４年３月１２日発行、発明者：ト
ンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ））には、書類の磁気イン
クを磁化するためのＵ字型永久磁石記録ヘッドを有す
る、磁気インク記録システムが開示される。この発明に
おいては、磁気抵抗（ＭＲ）検出要素は、永久磁石のヨ
ーク内に設けられており、永久磁石よってバイアスをか
けられ、インクが磁化されると同時にこのインクの磁化
を検出する。しかしながら、この特許に開示されたシス
テムは次の点で不都合がある。つまり、永久磁石のヨー
ク端部は、書類の磁化されたインクに近接した位置にあ
るため、磁気ヘッドの下流側に位置する磁気読みとりア
センブリがインクを検出する前に、このインクを消磁し
てしまう。さらに、Ｕ字型永久磁石は高価であり、ま
た、特定仕様のために構成するのは困難である。
【０００８】同時係属中の米国特許出願第０８／１１
４，７２０（１９９３年８月３１日出願）には、磁気書
類を検出及び認証（鑑定）する磁気アセンブリが開示さ
れる。この磁気アセンブリによれば、書類の磁気層（イ
ンク）を部分的にもしくは完全に飽和する十分な磁界が
供給され、これと同時に、書類が識別すなわち鑑定のた
めに磁気によって検出される。この磁気アセンブリは、
簡易な構成を有し、固有感度が高く、Ｓ／Ｎ比の高い信
号出力を有する。さらに、この信号出力は、磁気書類が
磁気アセンブリを通過する速度には依存しない。また、
この磁気アセンブリにおいては、エネルギーの散逸およ
び発熱が最小限に抑えられている。磁気書類の磁化及び
検出を行うこの磁気アセンブリは、永久磁石と、軟磁性
でかつ透磁性の高い第１及び第２の磁極片を備える。第
１及び第２の磁極片は、永久磁石との組み合わせによ
り、異なる間隙サイズを有する先細の磁気回路を形成す
る。永久磁石は、第１及び第２の磁極片の間に形成され
た第１の間隙に配設されている。磁気アセンブリはさら
に、前記第１の磁極片と第２の磁極片の間に形成された
第２間隙の中央部及び中央部付近に配設された磁気抵抗
（ＭＲ）検出要素を含む。第２間隙とＭＲ検出要素は、
ＭＲ検出要素によって検出される磁気書類に最も近接し
ている。また、ＭＲ検出要素における磁界により、ＭＲ
要素は適当な磁気バイアス状態に維持され、十分な感度
を有することにより、検出対象である磁気書類から発生
する磁界の検出を行う。
４，７２０（１９９３年８月３１日出願）には、磁気書
類を検出及び認証（鑑定）する磁気アセンブリが開示さ
れる。この磁気アセンブリによれば、書類の磁気層（イ
ンク）を部分的にもしくは完全に飽和する十分な磁界が
供給され、これと同時に、書類が識別すなわち鑑定のた
めに磁気によって検出される。この磁気アセンブリは、
簡易な構成を有し、固有感度が高く、Ｓ／Ｎ比の高い信
号出力を有する。さらに、この信号出力は、磁気書類が
磁気アセンブリを通過する速度には依存しない。また、
この磁気アセンブリにおいては、エネルギーの散逸およ
び発熱が最小限に抑えられている。磁気書類の磁化及び
検出を行うこの磁気アセンブリは、永久磁石と、軟磁性
でかつ透磁性の高い第１及び第２の磁極片を備える。第
１及び第２の磁極片は、永久磁石との組み合わせによ
り、異なる間隙サイズを有する先細の磁気回路を形成す
る。永久磁石は、第１及び第２の磁極片の間に形成され
た第１の間隙に配設されている。磁気アセンブリはさら
に、前記第１の磁極片と第２の磁極片の間に形成された
第２間隙の中央部及び中央部付近に配設された磁気抵抗
（ＭＲ）検出要素を含む。第２間隙とＭＲ検出要素は、
ＭＲ検出要素によって検出される磁気書類に最も近接し
ている。また、ＭＲ検出要素における磁界により、ＭＲ
要素は適当な磁気バイアス状態に維持され、十分な感度
を有することにより、検出対象である磁気書類から発生
する磁界の検出を行う。
【０００９】絶対信号レベルは、偽造書類の検出におい
て重要なパラメータである。ところが、どんなに感度の
良い磁気抵抗検出器を使ったとしても、多くの書類の場
合その磁気顔料の濃度が低いため、信号チャネルにおい
ては非常に高い利得増幅器を使わなければならない。こ
こで問題になるのは、センサや増幅器は、時間や温度の
変化に伴う感度及びゲインのドリフトの影響を受けやす
いということである。米国特許第５，３０１，０８０号
（１９９４年４月５日発行、発明者：オテセン他）に
は、磁気抵抗記録ヘッドのバイアスサーボループが開示
される。このバイアスサーボループは、ＭＲヘッドから
の読みとり信号における歪みを検出し、ＭＲヘッドの動
作点を調節して歪みを最小限に抑える。しかし、この発
明においては、ＭＲヘッドのバイアスは分路バイアス技
術によってのみ供給されており、永久磁石バイアスは用
いられていない。
て重要なパラメータである。ところが、どんなに感度の
良い磁気抵抗検出器を使ったとしても、多くの書類の場
合その磁気顔料の濃度が低いため、信号チャネルにおい
ては非常に高い利得増幅器を使わなければならない。こ
こで問題になるのは、センサや増幅器は、時間や温度の
変化に伴う感度及びゲインのドリフトの影響を受けやす
いということである。米国特許第５，３０１，０８０号
（１９９４年４月５日発行、発明者：オテセン他）に
は、磁気抵抗記録ヘッドのバイアスサーボループが開示
される。このバイアスサーボループは、ＭＲヘッドから
の読みとり信号における歪みを検出し、ＭＲヘッドの動
作点を調節して歪みを最小限に抑える。しかし、この発
明においては、ＭＲヘッドのバイアスは分路バイアス技
術によってのみ供給されており、永久磁石バイアスは用
いられていない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来技術
の有する課題を解決すべくなされたものであり、以下を
含む磁気アセンブリを提供するものである。磁気体から
発生する磁界を検出し、この検出された磁界を表す検出
信号を生成する磁気抵抗（ＭＲ）検出要素；磁界を発生
させて磁気体を磁化するとともに、ＭＲ検出要素を適当
な磁気バイアス状態に維持することにより、ＭＲ検出要
素が十分な感度を有して前記磁界を検出できるようにす
る永久磁石；前記ＭＲ検出要素に隣接して設けられる
が、これから電気的に絶縁された導電層；前記ＭＲ検出
要素によって生成された前記検出信号を処理する信号処
理回路；及び、所定の修正電流を前記電導層に定期的に
通して、修正磁界を発生させる修正回路。前記ＭＲ検出
要素はこの修正磁界を検出し、修正信号を生成する。修
正信号は前記信号処理回路のパラメータを制御するのに
用いられる。
の有する課題を解決すべくなされたものであり、以下を
含む磁気アセンブリを提供するものである。磁気体から
発生する磁界を検出し、この検出された磁界を表す検出
信号を生成する磁気抵抗（ＭＲ）検出要素；磁界を発生
させて磁気体を磁化するとともに、ＭＲ検出要素を適当
な磁気バイアス状態に維持することにより、ＭＲ検出要
素が十分な感度を有して前記磁界を検出できるようにす
る永久磁石；前記ＭＲ検出要素に隣接して設けられる
が、これから電気的に絶縁された導電層；前記ＭＲ検出
要素によって生成された前記検出信号を処理する信号処
理回路；及び、所定の修正電流を前記電導層に定期的に
通して、修正磁界を発生させる修正回路。前記ＭＲ検出
要素はこの修正磁界を検出し、修正信号を生成する。修
正信号は前記信号処理回路のパラメータを制御するのに
用いられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図２は、本発明による磁気ヘッド
アレイの構成を示す図である。第１磁気アセンブリ５０
は、飽和磁界を発生するための要素５１と、要素５１の
間隙に設けられ、磁気体に誘導される飽和磁気モーメン
トを検出するＭＲセンサ５２とを含む。磁気体の残留モ
ーメントを検出する２次センサ５３を設けてもよい。要
素５１は、軟磁性体のヨークの間に設けられた永久磁石
５１Ａを含む。第２磁気アセンブリ５５は、第１磁気ア
センブリによって発生された磁界の方向と反対方向に非
飽和磁界を発生する要素５６と、この磁界発生要素５６
の間隙に設けられ、前記磁気体に誘導される非飽和磁気
モーメントを検出するＭＲセンサ５７とを含む。さら
に、磁気体の残留モーメントを検出する２次センサ５８
を設けてもよい。要素５６は、軟磁性体ヨークの間に配
設された永久磁石５６Ｂを有する。図のセンサ５３及び
５８をさらに設けることより、書類の鑑定を助けるさら
なる情報を提供することができる。
アレイの構成を示す図である。第１磁気アセンブリ５０
は、飽和磁界を発生するための要素５１と、要素５１の
間隙に設けられ、磁気体に誘導される飽和磁気モーメン
トを検出するＭＲセンサ５２とを含む。磁気体の残留モ
ーメントを検出する２次センサ５３を設けてもよい。要
素５１は、軟磁性体のヨークの間に設けられた永久磁石
５１Ａを含む。第２磁気アセンブリ５５は、第１磁気ア
センブリによって発生された磁界の方向と反対方向に非
飽和磁界を発生する要素５６と、この磁界発生要素５６
の間隙に設けられ、前記磁気体に誘導される非飽和磁気
モーメントを検出するＭＲセンサ５７とを含む。さら
に、磁気体の残留モーメントを検出する２次センサ５８
を設けてもよい。要素５６は、軟磁性体ヨークの間に配
設された永久磁石５６Ｂを有する。図のセンサ５３及び
５８をさらに設けることより、書類の鑑定を助けるさら
なる情報を提供することができる。
【００１２】検出器（センサ）５２及び５７による検出
は、磁気抵抗の原理に基づくものである。８１／１９Ｎ
ｉＦｅの薄膜が要素５１の間隙内と５６の間隙内に配設
される。この時、薄膜の平面がこれらの点における大磁
界に対して垂直になるように薄膜を配設する。薄膜の平
面がこの大磁場に対して垂直なので、この磁界は検出さ
れず、センサは書類から発生する非常に小さな磁界に、
優れたＳ／Ｎ比で応答することができる。好ましくは、
好適な実施例においては、図２の別のセンサ５３及び５
８も磁気抵抗センサである。
は、磁気抵抗の原理に基づくものである。８１／１９Ｎ
ｉＦｅの薄膜が要素５１の間隙内と５６の間隙内に配設
される。この時、薄膜の平面がこれらの点における大磁
界に対して垂直になるように薄膜を配設する。薄膜の平
面がこの大磁場に対して垂直なので、この磁界は検出さ
れず、センサは書類から発生する非常に小さな磁界に、
優れたＳ／Ｎ比で応答することができる。好ましくは、
好適な実施例においては、図２の別のセンサ５３及び５
８も磁気抵抗センサである。
【００１３】本発明による磁気アセンブリの好適な実施
例を図３に示す。図からわかるように、磁気アセンブリ
６０は、永久磁石６２と、軟磁性で透磁性の高い磁極片
６４、６６と、磁極片６４と６６間の間に形成される第
１間隙Ｇの中心もしくは中心付近に配設された磁気抵抗
（ＭＲ）検出要素６８とを有する。検出要素６８は、導
電パッド７０及びコンダクタ７２を有し、これによりＭ
Ｒ検出要素６８に検出電流を流すことができる。
例を図３に示す。図からわかるように、磁気アセンブリ
６０は、永久磁石６２と、軟磁性で透磁性の高い磁極片
６４、６６と、磁極片６４と６６間の間に形成される第
１間隙Ｇの中心もしくは中心付近に配設された磁気抵抗
（ＭＲ）検出要素６８とを有する。検出要素６８は、導
電パッド７０及びコンダクタ７２を有し、これによりＭ
Ｒ検出要素６８に検出電流を流すことができる。
【００１４】第１間隙Ｇの大きさは、（ｘ方向に沿っ
た）この間隙における磁界ＨG が十分に大きく、かつ勾
配∂Ｈx ／∂ｙが十分に小さくなるように選択される。
これは、読みとられる書類の顔料（インク）の磁気成分
を、ほぼ完全にあるいは完全に磁気によって飽和するた
めである。この場合、書類が第１間隙Ｇの中心あるいは
中心付近に設けられた磁気抵抗（ＭＲ）検出要素６８を
通過するという書類の機械的搬送において、ヘッドと書
類の間隔において十分な機械的公差が許容されるように
する。第２の間隙ｇは永久磁石（ＰＭ）６２の位置に形
成されており、永久磁石６２の厚さに等しい。第２間隙
ｇは、永久磁石６２が十分な起磁力を提供して間隙にお
ける十分に強い磁界ＨG を形成できるように選択され
る。永久磁石６２の高さｌと共に、間隙ｇの特定の大き
さを最適化することにより、永久磁石６２を最も効果的
な（Ｂ−Ｈ）max 動作点で動作させたり、または、標準
的な厚みを有するＰＭ６２に適応させ、ＰＭ６２と機械
アセンブリの双方もしくはいずれかのコストを低減する
ようにしてもよい。
た）この間隙における磁界ＨG が十分に大きく、かつ勾
配∂Ｈx ／∂ｙが十分に小さくなるように選択される。
これは、読みとられる書類の顔料（インク）の磁気成分
を、ほぼ完全にあるいは完全に磁気によって飽和するた
めである。この場合、書類が第１間隙Ｇの中心あるいは
中心付近に設けられた磁気抵抗（ＭＲ）検出要素６８を
通過するという書類の機械的搬送において、ヘッドと書
類の間隔において十分な機械的公差が許容されるように
する。第２の間隙ｇは永久磁石（ＰＭ）６２の位置に形
成されており、永久磁石６２の厚さに等しい。第２間隙
ｇは、永久磁石６２が十分な起磁力を提供して間隙にお
ける十分に強い磁界ＨG を形成できるように選択され
る。永久磁石６２の高さｌと共に、間隙ｇの特定の大き
さを最適化することにより、永久磁石６２を最も効果的
な（Ｂ−Ｈ）max 動作点で動作させたり、または、標準
的な厚みを有するＰＭ６２に適応させ、ＰＭ６２と機械
アセンブリの双方もしくはいずれかのコストを低減する
ようにしてもよい。
【００１５】磁気アセンブリ全体の高さＬは、永久磁石
６２が第１の間隙Ｇから隔てられるよう十分に大きく選
択される。これにより、第１の間隙Ｇあるいはその上部
（すなわちＭＲ要素６８及び書類が置かれる位置）にお
ける磁界の勾配（field gradinent ）は、主として磁極
片６４と６６のジオメトリにより決定するとともに、永
久磁石６２自体から漂遊する磁界からは直接大きな影響
を受けない。また、ｇ、Ｇ、ｌ、Ｌを十分に大きく選択
することによって、ＭＲ検出要素６８が磁極片６４と６
６間の間隙領域の内部にうまく収まるようにすることが
できる。上部（第１）間隙における横方向の磁界Ｈy の
勾配∂Ｈy ／∂ｘが大きい場合、ＭＲ要素６８はさらに
機械的要素を含み、ＭＲ要素６８の位置をｘ方向に微調
節できるようにし、これによってＭＲ要素６８における
横方向の磁界Ｈy がＭＲ要素６８を適当なバイアス磁化
状態に維持できるようにしてもよい。この磁界Ｈy をさ
らに活用して、ＭＲ要素６８の所定デザインに対する適
当なバイアス磁界を供給するために用いてもよい。
６２が第１の間隙Ｇから隔てられるよう十分に大きく選
択される。これにより、第１の間隙Ｇあるいはその上部
（すなわちＭＲ要素６８及び書類が置かれる位置）にお
ける磁界の勾配（field gradinent ）は、主として磁極
片６４と６６のジオメトリにより決定するとともに、永
久磁石６２自体から漂遊する磁界からは直接大きな影響
を受けない。また、ｇ、Ｇ、ｌ、Ｌを十分に大きく選択
することによって、ＭＲ検出要素６８が磁極片６４と６
６間の間隙領域の内部にうまく収まるようにすることが
できる。上部（第１）間隙における横方向の磁界Ｈy の
勾配∂Ｈy ／∂ｘが大きい場合、ＭＲ要素６８はさらに
機械的要素を含み、ＭＲ要素６８の位置をｘ方向に微調
節できるようにし、これによってＭＲ要素６８における
横方向の磁界Ｈy がＭＲ要素６８を適当なバイアス磁化
状態に維持できるようにしてもよい。この磁界Ｈy をさ
らに活用して、ＭＲ要素６８の所定デザインに対する適
当なバイアス磁界を供給するために用いてもよい。
【００１６】磁極片６６、６４の幅ｗは、機械的に便利
な程度まで小さくできると同時に、磁極片６６、６４の
磁気抵抗を十分に低く保って優れた効率を得、ＰＭ６２
に近接する磁極片６６、６４のベース付近における飽和
を回避するように選択される。トラック幅Ｗは、磁気に
よって検出される書類の相当幅に関連して決定される。
磁極片６４、６６の外部角において約４５度のテーパが
得られれば、ＭＲ要素６８を通過する前もしくは通過し
た後に書類にみられる反転磁界をかなりの程度低減する
ことができる。
な程度まで小さくできると同時に、磁極片６６、６４の
磁気抵抗を十分に低く保って優れた効率を得、ＰＭ６２
に近接する磁極片６６、６４のベース付近における飽和
を回避するように選択される。トラック幅Ｗは、磁気に
よって検出される書類の相当幅に関連して決定される。
磁極片６４、６６の外部角において約４５度のテーパが
得られれば、ＭＲ要素６８を通過する前もしくは通過し
た後に書類にみられる反転磁界をかなりの程度低減する
ことができる。
【００１７】磁気アセンブリの特定設計として、以下の
ものがある。アニールされた冷間圧延鋼板から成る磁極
片６４、６６とＮｄＦｅＢ永久磁石６２（残留磁気Ｂr
＝１１ｋＧ、飽和保持力Ｈc ＝１５ｋＯｅ、本質的に四
角形のＭ−Ｈループ）を含み、間隙Ｇ＝０．３インチ、
間隙ｇ＝０．１２５インチ（標準的厚みのＮｄＦｅＢ）
であり、Ｌ＝０．８インチ、ｌ＝０．１８５インチ、ｗ
＝０．６インチ、Ｗ＝３．０インチである。この設計に
おいては、間隙磁界は、ＨG ≒１２００ Ｏｅであり、
０．０８インチ以下のヘッドと書類の間隔に対しては、
「書類磁界」≧８００ Ｏｅである。
ものがある。アニールされた冷間圧延鋼板から成る磁極
片６４、６６とＮｄＦｅＢ永久磁石６２（残留磁気Ｂr
＝１１ｋＧ、飽和保持力Ｈc ＝１５ｋＯｅ、本質的に四
角形のＭ−Ｈループ）を含み、間隙Ｇ＝０．３インチ、
間隙ｇ＝０．１２５インチ（標準的厚みのＮｄＦｅＢ）
であり、Ｌ＝０．８インチ、ｌ＝０．１８５インチ、ｗ
＝０．６インチ、Ｗ＝３．０インチである。この設計に
おいては、間隙磁界は、ＨG ≒１２００ Ｏｅであり、
０．０８インチ以下のヘッドと書類の間隔に対しては、
「書類磁界」≧８００ Ｏｅである。
【００１８】磁気抵抗要素６８の磁化困難軸バイアス磁
界が１５±２．０エルステッドでなければならないのに
対し、永久磁石（ＰＭ）６２及び磁極片６４、６６から
の磁界は１０００エルステッド程度でもよい。機械的公
差及び漂遊磁界の問題のため、磁気アセンブリ６０の構
成要素を組み立てて最適なバイアスを得るのは非常に困
難とされていた。そこで、導電層８０を供給することに
よってこの問題を解決している。導電層８０は、磁気抵
抗要素に近接して設けられるが、絶縁層８２により磁気
抵抗要素から電気的に絶縁されている。導電層８０は、
導電パッド８４、８６を有する。導電パッド８４、８６
は、コンダクタ８８、９０をそれぞれ有し、これにより
補償ＤＣ電流が導電層８０に流れる。この補償ＤＣ電流
が、０．１５ Ｏｅ／ｍＡの磁化困難バイアス磁界を発
生し、この磁界が、永久磁石の発生するより大きいバイ
アスに混合される。
界が１５±２．０エルステッドでなければならないのに
対し、永久磁石（ＰＭ）６２及び磁極片６４、６６から
の磁界は１０００エルステッド程度でもよい。機械的公
差及び漂遊磁界の問題のため、磁気アセンブリ６０の構
成要素を組み立てて最適なバイアスを得るのは非常に困
難とされていた。そこで、導電層８０を供給することに
よってこの問題を解決している。導電層８０は、磁気抵
抗要素に近接して設けられるが、絶縁層８２により磁気
抵抗要素から電気的に絶縁されている。導電層８０は、
導電パッド８４、８６を有する。導電パッド８４、８６
は、コンダクタ８８、９０をそれぞれ有し、これにより
補償ＤＣ電流が導電層８０に流れる。この補償ＤＣ電流
が、０．１５ Ｏｅ／ｍＡの磁化困難バイアス磁界を発
生し、この磁界が、永久磁石の発生するより大きいバイ
アスに混合される。
【００１９】磁気アセンブリ６０の最終的な組付けの
後、適当なＤＣ電流を導電層８０に通すことにより、補
償バイアス磁界を、独立して簡単に調整することができ
る。ＤＣ（直流電流）の可変ソース１２２により、補償
電流が導電層８０に流れる。ソース１２２は、＋ＶREF
と−ＶREF との間に接続された電位差計（分圧器）１２
９、緩衝増幅器（バッファーアンプ）１２６、抵抗１２
８を含む。アセンブリの組立の間は、スイッチ１３０を
開き、スイッチ１１２を閉じ、電位差計１２２は最大信
号を出力するように調整される。磁気抵抗要素６８の動
作中は、スイッチ１３０が閉じられ、スイッチ１１２が
開かれ、ＤＣソースは補償ＤＣ電流を導電層８０に流
す。
後、適当なＤＣ電流を導電層８０に通すことにより、補
償バイアス磁界を、独立して簡単に調整することができ
る。ＤＣ（直流電流）の可変ソース１２２により、補償
電流が導電層８０に流れる。ソース１２２は、＋ＶREF
と−ＶREF との間に接続された電位差計（分圧器）１２
９、緩衝増幅器（バッファーアンプ）１２６、抵抗１２
８を含む。アセンブリの組立の間は、スイッチ１３０を
開き、スイッチ１１２を閉じ、電位差計１２２は最大信
号を出力するように調整される。磁気抵抗要素６８の動
作中は、スイッチ１３０が閉じられ、スイッチ１１２が
開かれ、ＤＣソースは補償ＤＣ電流を導電層８０に流
す。
【００２０】図４は、上記の調整を実行するための修正
回路を概略的に示したブロック図である。図示されるよ
うに、磁気体が磁化も検出もされていない期間におい
て、ＣＰＵ１００は、ディジタル信号をバス１０２を介
して周期的にレジスタ１０４に送る。レジスタ１０４
は、このディジタル信号をディジタルアナログコンバー
タ（ＤＡＣ）に送り、ここでディジタル信号がアナログ
信号に変換される。この信号の等価波形は、１．０ボル
トのステップ電圧で表される。このアナログ信号は、緩
衝増幅器１１０でバッファされ、閉スイッチ１１２を通
って導電層８０に送られる。導電層８０の電流は、磁気
抵抗要素が検出する磁界を生成する。次に、この信号は
増幅器１１４において増幅され、フィルタ１１６によっ
てフィルタリングを受けてステップ応答の導関数である
信号を形成する。この信号は、アナログディジタル（Ａ
／Ｄ）コンバータ１１８によりディジタル信号に変換さ
れ、レジスタ１２０及びバス１０２を介してＣＰＵに送
られ、さらに処理される。
回路を概略的に示したブロック図である。図示されるよ
うに、磁気体が磁化も検出もされていない期間におい
て、ＣＰＵ１００は、ディジタル信号をバス１０２を介
して周期的にレジスタ１０４に送る。レジスタ１０４
は、このディジタル信号をディジタルアナログコンバー
タ（ＤＡＣ）に送り、ここでディジタル信号がアナログ
信号に変換される。この信号の等価波形は、１．０ボル
トのステップ電圧で表される。このアナログ信号は、緩
衝増幅器１１０でバッファされ、閉スイッチ１１２を通
って導電層８０に送られる。導電層８０の電流は、磁気
抵抗要素が検出する磁界を生成する。次に、この信号は
増幅器１１４において増幅され、フィルタ１１６によっ
てフィルタリングを受けてステップ応答の導関数である
信号を形成する。この信号は、アナログディジタル（Ａ
／Ｄ）コンバータ１１８によりディジタル信号に変換さ
れ、レジスタ１２０及びバス１０２を介してＣＰＵに送
られ、さらに処理される。
【００２１】導電層８０を通過した修正信号によって生
成された磁気抵抗要素６８の信号を用いることにより、
全体的なシステムゲインが決定する。これは、一定時間
（例えば１０秒間）における、複数個（例えば１０）の
ピーク信号の移動平均を計算することによって得られる
ものである。この平均値は、ＣＰＵにおいて、基準値と
比較される。計算された平均ピーク値と基準ピーク値と
の比率から、乗数が決定される。次に、この乗数を、磁
気アセンブリの動作中に磁気抵抗装置６８が測定する各
データポイントに供給する。このようにしてシステムゲ
インを周期的に修正することによって、時間及び温度の
変化によって生じる感度の変化及びチャネルゲインのド
リフトが補償される。
成された磁気抵抗要素６８の信号を用いることにより、
全体的なシステムゲインが決定する。これは、一定時間
（例えば１０秒間）における、複数個（例えば１０）の
ピーク信号の移動平均を計算することによって得られる
ものである。この平均値は、ＣＰＵにおいて、基準値と
比較される。計算された平均ピーク値と基準ピーク値と
の比率から、乗数が決定される。次に、この乗数を、磁
気アセンブリの動作中に磁気抵抗装置６８が測定する各
データポイントに供給する。このようにしてシステムゲ
インを周期的に修正することによって、時間及び温度の
変化によって生じる感度の変化及びチャネルゲインのド
リフトが補償される。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、簡易な構成を有し、外
部からの電力をほとんど要求しない永久磁化部材によ
り、高度に磁化された磁界が供給される。さらに、書類
とヘッドの間隔の実際的な機械公差で書類の磁気インク
を部分的もしくは完全に飽和すると同時に、最大の感度
及び再生率で磁気抵抗ヘッドがこの磁気インクを読みと
る。
部からの電力をほとんど要求しない永久磁化部材によ
り、高度に磁化された磁界が供給される。さらに、書類
とヘッドの間隔の実際的な機械公差で書類の磁気インク
を部分的もしくは完全に飽和すると同時に、最大の感度
及び再生率で磁気抵抗ヘッドがこの磁気インクを読みと
る。
【００２３】図面を参照して本発明を詳細に説明してき
たが、本発明の範囲において変化及び修正が可能であ
る。
たが、本発明の範囲において変化及び修正が可能であ
る。
【図１】 印加される磁界の関数としての磁気抵抗を表
すグラフである。
すグラフである。
【図２】 本発明による磁気ヘッドアレイの概略図であ
る。
る。
【図３】 本発明による磁気アセンブリの概略斜視図で
ある。
ある。
【図４】 本発明による磁気アセンブリの回路構成の概
略図である。
略図である。
６０ 磁気アセンブリ、６２ 永久磁石、６４，６６
磁極片、６８ 磁気抵抗検出要素、８０ 導電層、８２
絶縁層、 ８４，８６ 導電パッド、８８，９０ コ
ンダクタ、１００ ＣＰＵ、１０６ Ｄ／Ａコンバー
タ、１１８ Ａ／Ｄコンバータ。
磁極片、６８ 磁気抵抗検出要素、８０ 導電層、８２
絶縁層、 ８４，８６ 導電パッド、８８，９０ コ
ンダクタ、１００ ＣＰＵ、１０６ Ｄ／Ａコンバー
タ、１１８ Ａ／Ｄコンバータ。
フロントページの続き (72)発明者 ジェイ デービス フリーマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 ルー カディア カプリ 814 (72)発明者 ケント ラファエル ガンドラ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 ポー ウェイ ゴールデン アイ レイン 12455 (72)発明者 ピーター ヴァンデルサルム ケーペ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ディエゴ コルテ アル フレスコ 4351
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気体から発生する磁界を検出し、この
検出された磁界を表す検出信号を生成する磁気抵抗検出
要素と、 磁界を発生して、磁気体を磁化するとともに、前記磁気
抵抗検出要素を適当な磁気バイアス状態に維持して最適
な感度を与え前記磁界を検出できるようにする永久磁石
と、 前記磁気抵抗検出要素に隣接するがこれから電気的に絶
縁された導電層と、 前記磁気抵抗検出要素によって生成された検出信号を処
理する信号処理回路と、 前記導電層に所定の修正電流を周期的に流し、修正磁界
を発生させ、この磁界を前記磁気抵抗検出要素が検出す
ることによって修正信号を生成する修正回路であり、前
記修正信号を用いて前記信号処理回路のパラメータを制
御する修正回路と、 を含む磁気アセンブリ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気アセンブリにおい
て、前記信号処理回路は可変利得を有する増幅器を含
み、前記修正信号は前記利得を変えるために用いられる
ことを特徴とする磁気アセンブリ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気アセンブリにおい
て、前記信号を基準値と比較し、訂正係数を生成する中
央処理装置を有し、前記訂正係数は前記磁気抵抗検出要
素によって生成される測定信号を訂正するために用いら
れることを特徴とする磁気アセンブリ。 - 【請求項４】 請求項１に記載の磁気アセンブリにおい
て、前記修正回路は複数の修正電流信号を一定の修正周
期で前記導電層に送り、前記磁気抵抗検出要素は前記修
正信号に対応する複数の修正信号を発生し、さらに、制
御回路を含み、これにより前記修正信号の平均をとっ
て、この平均信号と基準値を比較して訂正係数を決定す
ることを特徴とする磁気アセンブリ。 - 【請求項５】 磁気書類の磁化と検出の両方を行う磁気
アセンブリであり、 永久磁石と、 前記永久磁石とともに異なる大きさの間隙を有する先細
の磁気回路を形成する形状を有する、軟磁性体から成り
透磁性の高い第１及び第２の磁極片で、前記永久磁石は
この第１及び第２の磁極片間の第２間隙に配設されるこ
とを特徴とする第１及び第２の磁極片と、 前記第１及び第２の磁極片の間の第１間隙の中心部ある
いは中心部付近に位置する磁気抵抗検出要素であり、前
記第１間隙と前記磁気抵抗検出要素は、磁気抵抗検出要
素によって検出される磁気書類に近接して設けられ、前
記磁気抵抗検出要素において発生する前記磁界は磁気抵
抗要素を適当な磁気バイアス状態に維持することによ
り、磁気抵抗要素が十分な感度を有して検出対象である
磁気書類から発生する磁界を検出できるようにし、前記
磁界はさらに検出対象の磁化にも用いられることを特徴
とする磁気抵抗検出要素と、 前記磁気抵抗要素に隣接するがこれから電気的に絶縁さ
れた導電体と、 前記磁気抵抗検出要素により生成された検出信号を処理
する信号処理回路と、 前記導電層に所定の修正電流を周期的に流し、修正磁界
を発生させ、この磁界を前記磁気抵抗検出要素が検出す
ることによって修正信号を生成する修正回路であり、前
記修正信号を用いて前記信号処理回路のパラメータを制
御する修正回路と、 を含む磁気書類磁化及び検出磁気アセンブリ。 - 【請求項６】 請求項５に記載の磁気アセンブリにおい
て、前記第１及び第２の磁極片は内部角及び外部角を有
し、この外部角のうち、検出される磁気書類が時間的に
最後にその上部を通過する少なくとも１つの外部角は、
書類が離れると、その位置において、前記第１及び第２
の磁極片の間の第１間隙の中心部もしくは中心部付近に
おいて発生した磁界とは実質的に反対方向の磁界成分の
強度を減じることを特徴とする磁気アセンブリ。 - 【請求項７】 請求項５に記載の磁気アセンブリにおい
て、前記磁気抵抗検出要素は前記第１間隙内に調節自在
に設けられ、前記磁気抵抗要素の感度を最適化できるよ
うにしたことを特徴とする磁気アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US330639 | 1994-10-28 | ||
| US08/330,639 US5532584A (en) | 1993-08-31 | 1994-10-28 | MR sensor including calibration circuit wherein signals are averaged for determining a correction factor and pole pieces are shaped to reduce field in gap therebetween |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08235501A true JPH08235501A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=23290637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7268778A Pending JPH08235501A (ja) | 1994-10-28 | 1995-10-17 | 磁気抵抗センサのドリフト補償回路を備えた永久磁石アセンブリ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5532584A (ja) |
| EP (1) | EP0709695B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08235501A (ja) |
| DE (1) | DE69520642T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017194455A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | キヤノン電子株式会社 | 磁気識別装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260742A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| US5946169A (en) * | 1996-11-07 | 1999-08-31 | Seagate Technology, Inc. | Soft adjacent layer vertically biased magnetoresistive sensor having improved sensor stability |
| US6356420B1 (en) | 1998-05-07 | 2002-03-12 | Seagate Technology Llc | Storage system having read head utilizing GMR and AMr effects |
| DE10113131B4 (de) * | 2001-03-17 | 2006-11-16 | Sensitec Gmbh | Anordnung zur Messung der magnetischen Feldstärke oder von örtlichen Differenzen magnetischer Feldstärken, sowie Schaltungsanordnung für die Auswerteeinheit und Verwendungen der Anordnung und der Schaltungsanordnung |
| US7289924B2 (en) * | 2005-07-20 | 2007-10-30 | Honeywell International Inc. | Self-calibrating sensor |
| IT1403421B1 (it) | 2010-12-23 | 2013-10-17 | St Microelectronics Srl | Sensore magnetoresistivo integrato, in particolare sensore magnetoresistivo triassiale e suo procedimento di fabbricazione |
| EP3171190B1 (en) * | 2015-11-18 | 2021-08-25 | Nxp B.V. | Magnetic field sensor |
| US10353019B2 (en) * | 2016-07-18 | 2019-07-16 | Apple Inc. | High dynamic range magnetometer architecture |
| CN208888915U (zh) * | 2017-09-07 | 2019-05-21 | 东芝泰格有限公司 | 磁性墨水读取装置以及打印机 |
| TWI693418B (zh) | 2019-03-22 | 2020-05-11 | 宇能電科技股份有限公司 | 校正磁場產生裝置及其具有自我校正磁場能力的磁場感測器與校正方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3796859A (en) * | 1971-12-27 | 1974-03-12 | Ibm | Magnetic ink recording system to both magnetize and read ink |
| GB1519142A (en) * | 1974-07-04 | 1978-07-26 | Emi Ltd | Detection of magnetic patterns |
| US4048557A (en) * | 1975-11-17 | 1977-09-13 | Rockwell International Corporation | Planar magnetoresistance thin film probe for magnetic field alignment |
| US4523243A (en) * | 1982-05-24 | 1985-06-11 | Storage Technology Corporation | Magnetoresistive transducer using an independent recessed electromagnetic bias |
| US4667157A (en) * | 1984-04-03 | 1987-05-19 | The Babcock & Wilcox Company | Linear Hall effect oxygen sensor with auxiliary coil magnetic field balancing |
| JPS61214205A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Sony Corp | ヨ−ク型磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| US5111352A (en) * | 1987-07-29 | 1992-05-05 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| US4873655A (en) * | 1987-08-21 | 1989-10-10 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Sensor conditioning method and apparatus |
| ES2039019T3 (es) * | 1988-04-21 | 1993-08-16 | Landis & Gyr Business Support Ag | Circuito semiconductor integrado con un sensor de campo magnetico hecho de material semiconductor. |
| US5068519A (en) * | 1990-01-10 | 1991-11-26 | Brandt, Inc. | Magnetic document validator employing remanence and saturation measurements |
| US5247278A (en) * | 1991-11-26 | 1993-09-21 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensing device |
| US5301080A (en) * | 1992-12-31 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Bias servo loop for magneto-resistive read/write head |
| US5418458A (en) * | 1993-08-31 | 1995-05-23 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for authentication of documents printed with magnetic ink |
| CA3131256A1 (en) | 2019-02-26 | 2020-09-03 | Niagara Bottling, Llc | Nozzle for blow-molding stepped finish preform |
-
1994
- 1994-10-28 US US08/330,639 patent/US5532584A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-06 DE DE69520642T patent/DE69520642T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-06 EP EP95115739A patent/EP0709695B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-17 JP JP7268778A patent/JPH08235501A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017194455A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | キヤノン電子株式会社 | 磁気識別装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0709695A3 (en) | 1997-10-15 |
| DE69520642D1 (de) | 2001-05-17 |
| EP0709695A2 (en) | 1996-05-01 |
| EP0709695B1 (en) | 2001-04-11 |
| US5532584A (en) | 1996-07-02 |
| DE69520642T2 (de) | 2001-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5418458A (en) | Apparatus and method for authentication of documents printed with magnetic ink | |
| US4280158A (en) | Magnetoresistive reading head | |
| US6392849B2 (en) | Magnetic head with dual spin valve element for differential operation | |
| US6310475B1 (en) | Magnetic sensor having magnetic detectors arranged in a direction orthogonal to a relative moving direction | |
| JPH08235501A (ja) | 磁気抵抗センサのドリフト補償回路を備えた永久磁石アセンブリ | |
| JP2002222504A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US5644228A (en) | Permanent magnet assembly with MR and DC compensating bias | |
| US6765770B2 (en) | Apparatus and method of making a stabilized MR/GMR spin valve read element using longitudinal ferromagnetic exchange interactions | |
| US5552589A (en) | Permanent magnet assembly with MR element for detection/authentication of magnetic documents | |
| US5914839A (en) | MR Device with anti-ferro magnetic field anti-parallel to sense current magnetic field | |
| CA1242485A (en) | Magnetic field sensor | |
| JPH09128716A (ja) | 磁気抵抗と直流補償バイアスを備えた永久磁石アセンブリ | |
| JPH05205223A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3134538B2 (ja) | 磁気記録再生装置及び磁気ヘッドの検査装置 | |
| JPH09102109A (ja) | 記録再生分離型磁気ヘッド | |
| US6590740B2 (en) | Shielded magnetic head and magnetic reproducing apparatus | |
| JP2563255B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2559109B2 (ja) | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH04351708A (ja) | ホール素子および磁気ヘッド | |
| JPH05266439A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06207834A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH07169024A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた記録再生装置 | |
| JPH10149514A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS5856485A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPS6032245B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050607 |