JPH08235538A - 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH08235538A JPH08235538A JP7038357A JP3835795A JPH08235538A JP H08235538 A JPH08235538 A JP H08235538A JP 7038357 A JP7038357 A JP 7038357A JP 3835795 A JP3835795 A JP 3835795A JP H08235538 A JPH08235538 A JP H08235538A
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の磁気ヒステリシスル
ープの角型性を改善し、大きい飽和磁束密度を保ったま
ま残留磁束密度を大きくする事が可能な永久磁石バイア
ス型磁気抵抗効果ヘッドを提供すること。 【構成】 基板１上に酸化アルミニュ−ム膜２，軟磁性
薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果用薄
膜５を順次積層して該磁気抵抗効果用薄膜５上にセンサ
作動領域を設け、このセンサ作動領域を形成する前記軟
磁性薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果
用薄膜５の一端部と他端部の各側面を切除して切除面を
形成し、該切除面を覆うようにして永久磁石バイアス薄
膜２１１，２１２及び電極膜３１１，３１２を順次積層
する。各切除面と永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２
との間に、下地膜としてクロム薄膜１１１，１１２を積
層したこと。
ープの角型性を改善し、大きい飽和磁束密度を保ったま
ま残留磁束密度を大きくする事が可能な永久磁石バイア
ス型磁気抵抗効果ヘッドを提供すること。 【構成】 基板１上に酸化アルミニュ−ム膜２，軟磁性
薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果用薄
膜５を順次積層して該磁気抵抗効果用薄膜５上にセンサ
作動領域を設け、このセンサ作動領域を形成する前記軟
磁性薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果
用薄膜５の一端部と他端部の各側面を切除して切除面を
形成し、該切除面を覆うようにして永久磁石バイアス薄
膜２１１，２１２及び電極膜３１１，３１２を順次積層
する。各切除面と永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２
との間に、下地膜としてクロム薄膜１１１，１１２を積
層したこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体から情報
を読み取るための磁気ヘッドに関し、さらに詳しくは磁
気抵抗効果により情報を読み取るように構成した永久磁
石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドに関する。
を読み取るための磁気ヘッドに関し、さらに詳しくは磁
気抵抗効果により情報を読み取るように構成した永久磁
石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果ヘッドにおいて、永久磁石
膜が磁気抵抗効果膜のセンサ作動領域の両端部に設ける
ことによって磁気抵抗効果膜に縦バイアスを印加させる
ような構造をもつ永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッ
ド，およびフォトレジストによるステンシルを用いたそ
の製造方法は、特開平３−１２５３１１号公報に開示さ
れている。ここで、その従来の永久磁石バイアス型磁気
抵抗効果ヘッドを図５を用いて説明する。
膜が磁気抵抗効果膜のセンサ作動領域の両端部に設ける
ことによって磁気抵抗効果膜に縦バイアスを印加させる
ような構造をもつ永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッ
ド，およびフォトレジストによるステンシルを用いたそ
の製造方法は、特開平３−１２５３１１号公報に開示さ
れている。ここで、その従来の永久磁石バイアス型磁気
抵抗効果ヘッドを図５を用いて説明する。
【０００３】まず、図５（ａ）に示すように、Ａｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ系などの材料からなるセラミック基板５１上
に厚さ１０００オングストローム程度のＡｌ2 Ｏ3 膜５
２，厚さ２５０オングストローム程度のコバルト・ジル
コニウム・モリブデン合金等の材料からなる軟磁性薄膜
５３，厚さ２００オングストローム程度のタンタル薄膜
等の材料からなる非磁性スペーサ薄膜５４，厚さ２００
オングストローム程度のニッケル・鉄合金などの材料か
らなる磁気抵抗効果薄膜５５を、順次積層成膜し、更に
その上に、厚さ３ミクロン程度のフォトレジスト５６を
塗布し、その後適当な条件でフォトレジスト５６を露光
・現像することによってステンシル・パターンを製作す
る。
3 −ＴｉＣ系などの材料からなるセラミック基板５１上
に厚さ１０００オングストローム程度のＡｌ2 Ｏ3 膜５
２，厚さ２５０オングストローム程度のコバルト・ジル
コニウム・モリブデン合金等の材料からなる軟磁性薄膜
５３，厚さ２００オングストローム程度のタンタル薄膜
等の材料からなる非磁性スペーサ薄膜５４，厚さ２００
オングストローム程度のニッケル・鉄合金などの材料か
らなる磁気抵抗効果薄膜５５を、順次積層成膜し、更に
その上に、厚さ３ミクロン程度のフォトレジスト５６を
塗布し、その後適当な条件でフォトレジスト５６を露光
・現像することによってステンシル・パターンを製作す
る。
【０００４】次いで、図５（ｂ）に示すように、適当な
角度をもたせた斜めイオンミリング等の方法で軟磁性薄
膜５３，非磁性スペーサ薄膜５４，磁気抵抗効果薄膜５
５をテーパ状に加工した後、厚さ５５０オングストロー
ム程度の永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２および２
１３，厚さ０．２ミクロン程度の電極膜３１１，３１
２，３１３を、前述したフォトレジスト５６上，及び同
図の左右テーパ領域に積層して成膜する。
角度をもたせた斜めイオンミリング等の方法で軟磁性薄
膜５３，非磁性スペーサ薄膜５４，磁気抵抗効果薄膜５
５をテーパ状に加工した後、厚さ５５０オングストロー
ム程度の永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２および２
１３，厚さ０．２ミクロン程度の電極膜３１１，３１
２，３１３を、前述したフォトレジスト５６上，及び同
図の左右テーパ領域に積層して成膜する。
【０００５】最後に、図５（ｃ）に示すように、磁気抵
抗効果センサとしての作動領域Ｔｗにあるフォトレジス
ト５６、永久磁石バイアス薄膜２１３、電極膜３１３を
有機系剥離剤などを用いて取り除き、永久磁石バイアス
型磁気抵抗効果ヘッドを作製する。
抗効果センサとしての作動領域Ｔｗにあるフォトレジス
ト５６、永久磁石バイアス薄膜２１３、電極膜３１３を
有機系剥離剤などを用いて取り除き、永久磁石バイアス
型磁気抵抗効果ヘッドを作製する。
【０００６】また、これに類する構造の磁気ヘッドが、
特開平４−２４５０１１号公報等どにおいて開示されて
いる。
特開平４−２４５０１１号公報等どにおいて開示されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】永久磁石バイアス膜
は、残留磁束密度および保磁力が適度に大きいことが必
要とされている。このため、主にスパッタ法により製造
されるコバルト・クロム・タンタル（ＣｏＣｒＴａ）合
金薄膜や、コバルト・クロム・プラチナ（ＣｏＣｒＰ
ｔ）合金薄膜が用いられる。
は、残留磁束密度および保磁力が適度に大きいことが必
要とされている。このため、主にスパッタ法により製造
されるコバルト・クロム・タンタル（ＣｏＣｒＴａ）合
金薄膜や、コバルト・クロム・プラチナ（ＣｏＣｒＰ
ｔ）合金薄膜が用いられる。
【０００８】ここで、ＣｏＣｒＴａ合金薄膜の場合、そ
の保磁力はスパッタ成膜時のバイアスに依存性がある。
このため、保磁力を大きくするためにはバイアスを印加
する必要がある。
の保磁力はスパッタ成膜時のバイアスに依存性がある。
このため、保磁力を大きくするためにはバイアスを印加
する必要がある。
【０００９】しかしながら、このバイアス印加に際して
は基板の温度が上昇し、永久磁石バイアス用のＣｏＣｒ
Ｔａ合金薄膜をパターン化するためのフォトレジスト５
６が熱により変形するため、永久磁石バイアス用のＣｏ
ＣｒＴａ合金薄膜パターンが変形するという不都合があ
った。
は基板の温度が上昇し、永久磁石バイアス用のＣｏＣｒ
Ｔａ合金薄膜をパターン化するためのフォトレジスト５
６が熱により変形するため、永久磁石バイアス用のＣｏ
ＣｒＴａ合金薄膜パターンが変形するという不都合があ
った。
【００１０】これに対して、ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の場
合は、バイアスを印加しなくとも、ＣｏＣｒＴａ合金薄
膜に比べてより大きい保磁力が得られる。
合は、バイアスを印加しなくとも、ＣｏＣｒＴａ合金薄
膜に比べてより大きい保磁力が得られる。
【００１１】一方、一般にスパッタ法や蒸着法で製造す
るときのＣｏＣｒＰｔ合金薄膜は、比較的大きい飽和磁
束密度を有しているものの、垂直磁気異方性が大きく膜
面内に平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスループを
測定したときの磁気ヒステリシスループの角型性が悪
い。このため、残留磁束密度が小さくなり磁気的損失が
大きいという不都合があり、これを解決するために、該
磁気抵抗効果膜に縦バイアスとしての有効な磁界を印加
するという手法が考案され効果をあげている。
るときのＣｏＣｒＰｔ合金薄膜は、比較的大きい飽和磁
束密度を有しているものの、垂直磁気異方性が大きく膜
面内に平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスループを
測定したときの磁気ヒステリシスループの角型性が悪
い。このため、残留磁束密度が小さくなり磁気的損失が
大きいという不都合があり、これを解決するために、該
磁気抵抗効果膜に縦バイアスとしての有効な磁界を印加
するという手法が考案され効果をあげている。
【００１２】しかしながら、このＣｏＣｒＰｔ合金薄膜
の場合は、その膜厚を厚くする必要があり、そのために
生産コストが高騰する、という不都合が常に生じてい
た。
の場合は、その膜厚を厚くする必要があり、そのために
生産コストが高騰する、という不都合が常に生じてい
た。
【００１３】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の磁気ヒステ
リシスループの角型性を改善し、且つ永久磁石バイアス
薄膜としての磁気特性に優れたＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の
厚さを適度に薄くすることが可能とし、これによって大
きい飽和磁束密度を保ったまま残留磁束密度を大きくす
る事が可能な永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを
提供することを、その目的とする。
を改善し、とくに ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の磁気ヒステ
リシスループの角型性を改善し、且つ永久磁石バイアス
薄膜としての磁気特性に優れたＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の
厚さを適度に薄くすることが可能とし、これによって大
きい飽和磁束密度を保ったまま残留磁束密度を大きくす
る事が可能な永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを
提供することを、その目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、基板１上に酸化アルミニュ−ム膜２，軟磁性薄膜
３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果用薄膜５
を順次積層して該磁気抵抗効果用薄膜５上にセンサ作動
領域を設ける。このセンサ作動領域を形成する前記軟磁
性薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果用
薄膜５の一端部と他端部の各側面が切除されてなる切除
面が形成されている。この切除面を覆うようにして永久
磁石バイアス薄膜２１１，２１２及び電極膜３１１，３
１２がそれぞれ順次積層されている。そして、前記各切
除面と永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２との間に、
下地膜としてクロム薄膜１１１，１１２を積層する、と
いう構成を採っている。
は、基板１上に酸化アルミニュ−ム膜２，軟磁性薄膜
３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果用薄膜５
を順次積層して該磁気抵抗効果用薄膜５上にセンサ作動
領域を設ける。このセンサ作動領域を形成する前記軟磁
性薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果用
薄膜５の一端部と他端部の各側面が切除されてなる切除
面が形成されている。この切除面を覆うようにして永久
磁石バイアス薄膜２１１，２１２及び電極膜３１１，３
１２がそれぞれ順次積層されている。そして、前記各切
除面と永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２との間に、
下地膜としてクロム薄膜１１１，１１２を積層する、と
いう構成を採っている。
【００１５】請求項２記載の発明では、基板１上に酸化
アルミニュ−ム膜２，磁気抵抗効果用薄膜５，非磁性ス
ペ−サ薄膜４，及び軟磁性薄膜３を順次積層して当該軟
磁性薄膜３上にセンサ作動領域を設ける。このセンサ作
動領域を形成する前記磁気抵抗効果用薄膜５，非磁性ス
ペ−サ薄膜４，及び軟磁性薄膜３の一端部と他端部の各
側面が切除されて成る切除面が形成されている。この切
除面を覆うようにして永久磁石バイアス薄膜２１１，２
１２及び電極膜３１１，３１２がそれぞれ順次積層され
ている。そして、前記各切除面と永久磁石バイアス薄膜
２１１，２１２との間に、下地膜としてクロム薄膜１１
１，１１２を積層する、という構成を採っている。
アルミニュ−ム膜２，磁気抵抗効果用薄膜５，非磁性ス
ペ−サ薄膜４，及び軟磁性薄膜３を順次積層して当該軟
磁性薄膜３上にセンサ作動領域を設ける。このセンサ作
動領域を形成する前記磁気抵抗効果用薄膜５，非磁性ス
ペ−サ薄膜４，及び軟磁性薄膜３の一端部と他端部の各
側面が切除されて成る切除面が形成されている。この切
除面を覆うようにして永久磁石バイアス薄膜２１１，２
１２及び電極膜３１１，３１２がそれぞれ順次積層され
ている。そして、前記各切除面と永久磁石バイアス薄膜
２１１，２１２との間に、下地膜としてクロム薄膜１１
１，１１２を積層する、という構成を採っている。
【００１６】請求項３記載の発明では、前述した永久磁
石バイアス薄膜２１１，２１２を、コバルト・クロム・
プラチナ合金薄膜で形成する、という構成を採ってい
る。
石バイアス薄膜２１１，２１２を、コバルト・クロム・
プラチナ合金薄膜で形成する、という構成を採ってい
る。
【００１７】請求項４記載の発明では、前述した下地膜
としてのクロム薄膜１１１，１１２の厚さは、磁気抵抗
効果用薄膜５の少なくとも一部がセンサ作動領域の両側
端部に配設された永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２
を結ぶ領域内に存在する厚さとする、という構成を採っ
ている。
としてのクロム薄膜１１１，１１２の厚さは、磁気抵抗
効果用薄膜５の少なくとも一部がセンサ作動領域の両側
端部に配設された永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２
を結ぶ領域内に存在する厚さとする、という構成を採っ
ている。
【００１８】請求項５記載の発明では、前述した下地膜
としてのクロム薄膜１１１，１１２の厚さは、５０ミク
ロン以上とする、という構成を採っている。
としてのクロム薄膜１１１，１１２の厚さは、５０ミク
ロン以上とする、という構成を採っている。
【００１９】
【作 用】ガラス基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜，Ｃｒ薄膜，お
よびＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を順次積層した一方の試料
と、ガラス基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜，ＣｏＣｒＰｔ合金薄
膜を順次積層した他方の試料とを設け、この各試料の膜
面内に平行に磁界を印加して、磁気ヒステリシスループ
を測定した。このときの磁気ヒステリシスループは、Ｃ
ｒ薄膜を備えた一方の試料の方が、例えば図２に示すよ
うに明確な角形特性を得ることができた。
よびＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を順次積層した一方の試料
と、ガラス基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜，ＣｏＣｒＰｔ合金薄
膜を順次積層した他方の試料とを設け、この各試料の膜
面内に平行に磁界を印加して、磁気ヒステリシスループ
を測定した。このときの磁気ヒステリシスループは、Ｃ
ｒ薄膜を備えた一方の試料の方が、例えば図２に示すよ
うに明確な角形特性を得ることができた。
【００２０】飽和磁束密度は両試料ともにほぼ等しく、
保磁力についても、下地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金
薄膜を積層した一方の試料は他方の試料の約８７％程度
を得ることができた。
保磁力についても、下地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金
薄膜を積層した一方の試料は他方の試料の約８７％程度
を得ることができた。
【００２１】磁気ヒステリシスループの角型性は、前述
したように下地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積
層した一方の試料のほうが明らかに向上しており、ま
た、残留磁束密度も、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰ
ｔ合金薄膜を積層した他方の試料の場合に比較して約２
倍近い値を得ることができた。
したように下地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積
層した一方の試料のほうが明らかに向上しており、ま
た、残留磁束密度も、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰ
ｔ合金薄膜を積層した他方の試料の場合に比較して約２
倍近い値を得ることができた。
【００２２】すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に下地Ｃｒ薄膜
を挟んでＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層することによっ
て、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層
する場合に比べて面内磁気異方性が強くでき、膜面内に
平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスループを測定し
たときの磁気ヒステリシスループにおいて角型性を向上
させ、且つ飽和磁束密度および保磁力をほぼ同じ値に保
ったまま残留磁束密度を約１．９倍にすることを見い出
すことができた。このため、ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の膜
厚をより従来の１／２程度にまで薄くすることが可能と
なった。
を挟んでＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層することによっ
て、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層
する場合に比べて面内磁気異方性が強くでき、膜面内に
平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスループを測定し
たときの磁気ヒステリシスループにおいて角型性を向上
させ、且つ飽和磁束密度および保磁力をほぼ同じ値に保
ったまま残留磁束密度を約１．９倍にすることを見い出
すことができた。このため、ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の膜
厚をより従来の１／２程度にまで薄くすることが可能と
なった。
【００２３】
【実施例】まず最初に、本発明の重要構成要件である下
地Ｃｒ薄膜の上に永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ合金薄
膜を積層した場合の効能について、その基本的な一例を
説明する。
地Ｃｒ薄膜の上に永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ合金薄
膜を積層した場合の効能について、その基本的な一例を
説明する。
【００２４】ガラス基板上に厚さ１０００オングストロ
ームのＡｌ2 Ｏ3 膜，厚さ１００オングストロームのＣ
ｒ薄膜，および厚さ４００オングストロームのＣｏＣｒ
Ｐｔ合金薄膜を順次積層した試料と、ガラス基板上に厚
さ１０００オングストロームのＡｌ2 Ｏ3 膜，厚さ４０
０オングストロームのＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を順次積層
した試料とを設け、この各試料の膜面内に平行に磁界を
印加して、磁気ヒステリシスループを測定した。このと
きの磁気ヒステリシスループを図２および図３に示す。
ームのＡｌ2 Ｏ3 膜，厚さ１００オングストロームのＣ
ｒ薄膜，および厚さ４００オングストロームのＣｏＣｒ
Ｐｔ合金薄膜を順次積層した試料と、ガラス基板上に厚
さ１０００オングストロームのＡｌ2 Ｏ3 膜，厚さ４０
０オングストロームのＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を順次積層
した試料とを設け、この各試料の膜面内に平行に磁界を
印加して、磁気ヒステリシスループを測定した。このと
きの磁気ヒステリシスループを図２および図３に示す。
【００２５】飽和磁束密度は両試料ともに約８．５キロ
ガウスとなってほぼ等しく、保磁力についても、下地Ｃ
ｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層した試料は約６
５０エルステッドであり、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣ
ｒＰｔ合金薄膜を積層した試料は約７５０エルステッド
である。
ガウスとなってほぼ等しく、保磁力についても、下地Ｃ
ｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層した試料は約６
５０エルステッドであり、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣ
ｒＰｔ合金薄膜を積層した試料は約７５０エルステッド
である。
【００２６】一方、磁気ヒステリシスループの角型性
は、下地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層した
試料のほうが明らかに向上しており、また、残留磁束密
度も、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積
層した試料が約４．０キロガウスであるのに対して、下
地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層した試料は
約７．７キロガウスと大きくなっている。
は、下地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層した
試料のほうが明らかに向上しており、また、残留磁束密
度も、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積
層した試料が約４．０キロガウスであるのに対して、下
地Ｃｒ薄膜上にＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層した試料は
約７．７キロガウスと大きくなっている。
【００２７】すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に下地Ｃｒ薄膜
を挟んでＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層することによっ
て、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層
する場合に比べて面内磁気異方性が強くでき、膜面内に
平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスループを測定し
たときの磁気ヒステリシスループにおいて角型性を向上
させ、且つ飽和磁束密度および保磁力をほぼ同じ値に保
ったまま残留磁束密度を約１．９倍にすることを見い出
すことができた。
を挟んでＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層することによっ
て、Ａｌ2 Ｏ3 膜上に直接ＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層
する場合に比べて面内磁気異方性が強くでき、膜面内に
平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスループを測定し
たときの磁気ヒステリシスループにおいて角型性を向上
させ、且つ飽和磁束密度および保磁力をほぼ同じ値に保
ったまま残留磁束密度を約１．９倍にすることを見い出
すことができた。
【００２８】次に、本発明の下地Ｃｒ薄膜の上に永久磁
石バイアスＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層して用いた具体
的な永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドの実施例
を、以下説明する。
石バイアスＣｏＣｒＰｔ合金薄膜を積層して用いた具体
的な永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドの実施例
を、以下説明する。
【００２９】（第１実施例）図１に、これを示す。この
図１に示す第１実施例は、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系のセラ
ミック基板１上に厚さ１０００オングストロームのＡｌ
2 Ｏ3 膜２、厚さ２５０オングストロームのコバルト・
ジルコニウム・モリブデン合金からなる軟磁性薄膜３、
厚さ２００オングストロームのタンタル薄膜からなる非
磁性スペーサ薄膜４、厚さ２００オングストロームのニ
ッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５を、スパッ
タ法を用いて順次積層成膜し、その上に厚さ３ミクロン
のフォトレジスト６を塗布し、その後、適当な条件でフ
ォトレジスト６を露光・現像することによってステンシ
ル・パターンを作製する。
図１に示す第１実施例は、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系のセラ
ミック基板１上に厚さ１０００オングストロームのＡｌ
2 Ｏ3 膜２、厚さ２５０オングストロームのコバルト・
ジルコニウム・モリブデン合金からなる軟磁性薄膜３、
厚さ２００オングストロームのタンタル薄膜からなる非
磁性スペーサ薄膜４、厚さ２００オングストロームのニ
ッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５を、スパッ
タ法を用いて順次積層成膜し、その上に厚さ３ミクロン
のフォトレジスト６を塗布し、その後、適当な条件でフ
ォトレジスト６を露光・現像することによってステンシ
ル・パターンを作製する。
【００３０】次いで、図３（ｂ）に示すうよに、約３０
度の角度に傾けた斜めイオンミリング法を用いて上記コ
バルト・ジルコニウム・モリブデン合金からなる軟磁性
薄膜３，タンタル薄膜からなる非磁性スペーサ薄膜４，
ニッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５の図１に
おける左右領域を、一様にテーパ状に切除加工した後、
厚さ１５０オングストロームの下地Ｃｒ薄膜１１１，１
１２，および１１３，厚さ３００オングストロームの永
久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ薄膜２１１，２１２および
２１３、厚さ０．２ミクロンの金製の電極膜３１１，３
１２および３１３を、スパッタ法を用いて積層成膜す
る。
度の角度に傾けた斜めイオンミリング法を用いて上記コ
バルト・ジルコニウム・モリブデン合金からなる軟磁性
薄膜３，タンタル薄膜からなる非磁性スペーサ薄膜４，
ニッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５の図１に
おける左右領域を、一様にテーパ状に切除加工した後、
厚さ１５０オングストロームの下地Ｃｒ薄膜１１１，１
１２，および１１３，厚さ３００オングストロームの永
久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ薄膜２１１，２１２および
２１３、厚さ０．２ミクロンの金製の電極膜３１１，３
１２および３１３を、スパッタ法を用いて積層成膜す
る。
【００３１】最後に、図３（ｃ）に示すように、磁気抵
抗効果センサとしての作動領域Ｔｗにあるフォトレジス
ト６、下地Ｃｒ薄膜１１３、永久磁石バイアスＣｏＣｒ
Ｐｔ合金薄膜２１３、電極膜３１３をアセントンなどの
有機溶剤を用いて取り除き、永久磁石バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドを作製した。
抗効果センサとしての作動領域Ｔｗにあるフォトレジス
ト６、下地Ｃｒ薄膜１１３、永久磁石バイアスＣｏＣｒ
Ｐｔ合金薄膜２１３、電極膜３１３をアセントンなどの
有機溶剤を用いて取り除き、永久磁石バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドを作製した。
【００３２】このとき、超音波による洗浄などが併用す
ると、フォトレジスト６を完全かつ速やかに取り除くこ
とができる。
ると、フォトレジスト６を完全かつ速やかに取り除くこ
とができる。
【００３３】また、この第１実施例における永久磁石バ
イアス型磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗効果薄膜に印加
される縦バイアス磁界と比較するため、永久磁石バイア
スＣｏＣｒＰｔ合金薄膜２１１，２１２および２１３を
膜厚５５０オングストロームで成膜し、他の厚さは同一
にした図５に示すような下地Ｃｒ薄膜のない従来の永久
磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを作製し、両者の磁
気抵抗の磁界依存性を測定したところ、両者ともほぼ同
じ依存性を示す同等の特性を有する永久磁石バイアス型
磁気抵抗効果ヘッドであることを確認することができ
た。
イアス型磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗効果薄膜に印加
される縦バイアス磁界と比較するため、永久磁石バイア
スＣｏＣｒＰｔ合金薄膜２１１，２１２および２１３を
膜厚５５０オングストロームで成膜し、他の厚さは同一
にした図５に示すような下地Ｃｒ薄膜のない従来の永久
磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを作製し、両者の磁
気抵抗の磁界依存性を測定したところ、両者ともほぼ同
じ依存性を示す同等の特性を有する永久磁石バイアス型
磁気抵抗効果ヘッドであることを確認することができ
た。
【００３４】すなわち、両方の永久磁石バイアス型磁気
抵抗効果ヘッドとも、ニッケル・鉄合金からなる磁気抵
抗効果薄膜５に同等の縦バイアス磁界が印加されてお
り、永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の下に下地
Ｃｒ薄膜を予め成膜することによって、永久磁石バイア
スＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の厚さを５５０オングストロー
ムから３００オングストロームへと約４５％薄くして
も、磁気抵抗効果薄膜に同等の縦バイアス磁界を印加す
る効果が得られることが判明した。
抵抗効果ヘッドとも、ニッケル・鉄合金からなる磁気抵
抗効果薄膜５に同等の縦バイアス磁界が印加されてお
り、永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の下に下地
Ｃｒ薄膜を予め成膜することによって、永久磁石バイア
スＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の厚さを５５０オングストロー
ムから３００オングストロームへと約４５％薄くして
も、磁気抵抗効果薄膜に同等の縦バイアス磁界を印加す
る効果が得られることが判明した。
【００３５】ここで、下地Ｃｒ薄膜および永久磁石Ｃｏ
ＣｒＰｔ合金薄膜はスパッタ法による成膜方法のみなら
ず蒸着法によって成膜されても同様の効果が得られる。
ＣｒＰｔ合金薄膜はスパッタ法による成膜方法のみなら
ず蒸着法によって成膜されても同様の効果が得られる。
【００３６】さらに、図１に示すような構造をもつ永久
磁石バイアス型磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下地Ｃ
ｒ薄膜の膜厚の下限値は薄膜として機能する厚さである
ことによって規定され５０オングストローム以上であれ
ばよい。
磁石バイアス型磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下地Ｃ
ｒ薄膜の膜厚の下限値は薄膜として機能する厚さである
ことによって規定され５０オングストローム以上であれ
ばよい。
【００３７】この下地Ｃｒ薄膜の膜厚の上限値につい
て、図３（ｃ）を用いて説明する。
て、図３（ｃ）を用いて説明する。
【００３８】この場合、永久磁石バイアス薄膜２１１お
よび２１２は縦バイアスとしての磁場を磁気抵抗効果薄
膜５の膜面に対して平行に印加させるために、永久磁石
バイアス薄膜２１１および２１２は、磁気抵抗効果薄膜
５の両端部の膜面方向に延長した部分に下地Ｃｒ薄膜１
１１および１１２を介して少なくとも存在することが必
要である。このことから下地Ｃｒ薄膜１１１および１１
２は磁気抵抗効果薄膜５の膜厚方向の高さを越えて存在
してはならない。
よび２１２は縦バイアスとしての磁場を磁気抵抗効果薄
膜５の膜面に対して平行に印加させるために、永久磁石
バイアス薄膜２１１および２１２は、磁気抵抗効果薄膜
５の両端部の膜面方向に延長した部分に下地Ｃｒ薄膜１
１１および１１２を介して少なくとも存在することが必
要である。このことから下地Ｃｒ薄膜１１１および１１
２は磁気抵抗効果薄膜５の膜厚方向の高さを越えて存在
してはならない。
【００３９】すなわち、下地Ｃｒ薄膜１１１および１１
２の膜厚は軟磁性薄膜３，非磁性スペーサ薄膜４および
磁気抵抗効果薄膜５の総膜厚より薄くなることによって
規定され、さらに軟磁性薄膜３および非磁性スペーサ薄
膜４の総膜厚以下であることが望ましい。
２の膜厚は軟磁性薄膜３，非磁性スペーサ薄膜４および
磁気抵抗効果薄膜５の総膜厚より薄くなることによって
規定され、さらに軟磁性薄膜３および非磁性スペーサ薄
膜４の総膜厚以下であることが望ましい。
【００４０】また、製造上の薄膜の厚さのバラツキをな
くすことは極めて困難であり、永久磁石バイアスＣｏＣ
ｒＰｔ合金薄膜の膜厚のバラツキは磁気抵抗効果膜に印
加される縦バイアス磁界の大小に直接影響を及ぼす。す
なわち、永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ膜の残留磁束密
度を大きくすることによって膜厚を極端に薄くすると、
膜厚の制御性がより困難になる。その結果、磁気抵抗効
果膜に印加される縦バイアス磁界のバラツキとして永久
磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドの特性に反映される
ため、永久磁石バイアス膜としては適当な残留磁束密度
の大きさがあるが、本実施例の永久磁石バイアス型磁気
抵抗効果型ヘッドにおける永久磁石バイアスＣｏＣｒＰ
ｔ薄膜の残留磁束密度は７．７キロガウスであり、製造
上の膜厚のバラツキによる磁気抵抗効果膜に印加される
縦バイアス磁界のバラツキを考慮しても、充分許容でき
る範囲内である。
くすことは極めて困難であり、永久磁石バイアスＣｏＣ
ｒＰｔ合金薄膜の膜厚のバラツキは磁気抵抗効果膜に印
加される縦バイアス磁界の大小に直接影響を及ぼす。す
なわち、永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ膜の残留磁束密
度を大きくすることによって膜厚を極端に薄くすると、
膜厚の制御性がより困難になる。その結果、磁気抵抗効
果膜に印加される縦バイアス磁界のバラツキとして永久
磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドの特性に反映される
ため、永久磁石バイアス膜としては適当な残留磁束密度
の大きさがあるが、本実施例の永久磁石バイアス型磁気
抵抗効果型ヘッドにおける永久磁石バイアスＣｏＣｒＰ
ｔ薄膜の残留磁束密度は７．７キロガウスであり、製造
上の膜厚のバラツキによる磁気抵抗効果膜に印加される
縦バイアス磁界のバラツキを考慮しても、充分許容でき
る範囲内である。
【００４１】（第２実施例）図４にこれを示す。ここ
で、前述した第２実施例（図１）と同一の構成部材につ
いては同一の符号を用いるものとする。
で、前述した第２実施例（図１）と同一の構成部材につ
いては同一の符号を用いるものとする。
【００４２】この図４に示す第２実施例は、Ａｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣ系のセラミック基板１上に厚さ１０００オング
ストロームのＡｌ2 Ｏ3 膜２、厚さ２００オングストロ
ームのニッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５、
厚さ２００オングストロームのタンタル薄膜からなる非
磁性スペーサ薄膜４、厚さ２５０オングストロームのコ
バルト・ジルコニウム・モリブデン合金からなる軟磁性
薄膜３を、スパッタ法を用いて順次積層成膜し、その上
に、厚さ３ミクロンのフォトレジスト６を塗布し、その
後、適当な条件でフォトレジスト６を露光・現像するこ
とによってステンシル・パターンを作製する。
−ＴｉＣ系のセラミック基板１上に厚さ１０００オング
ストロームのＡｌ2 Ｏ3 膜２、厚さ２００オングストロ
ームのニッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５、
厚さ２００オングストロームのタンタル薄膜からなる非
磁性スペーサ薄膜４、厚さ２５０オングストロームのコ
バルト・ジルコニウム・モリブデン合金からなる軟磁性
薄膜３を、スパッタ法を用いて順次積層成膜し、その上
に、厚さ３ミクロンのフォトレジスト６を塗布し、その
後、適当な条件でフォトレジスト６を露光・現像するこ
とによってステンシル・パターンを作製する。
【００４３】次いで、図４（ｂ）に示すように、約３０
度の角度に傾けた斜めイオンミリング法を用いて前述し
たニッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５、タン
タル薄膜からな非磁性スペーサ薄膜４、コバルト・ジル
コニウム・モリブデン合金からなる軟磁性薄膜３の図４
に於ける左右両端角部をテーパ状に加工し、その後、厚
さ５０オングストロームの下地Ｃｒ薄膜１１１，１１２
および１１３、厚さ３００オングストロームの永久磁石
バイアスＣｏＣｒＰｔ薄膜２１１，２１２および２１
３、厚さ０．２ミクロンの電極膜３１１，３１２および
３１３を、スパッタ法を用いて積層成膜する。
度の角度に傾けた斜めイオンミリング法を用いて前述し
たニッケル・鉄合金からなる磁気抵抗効果薄膜５、タン
タル薄膜からな非磁性スペーサ薄膜４、コバルト・ジル
コニウム・モリブデン合金からなる軟磁性薄膜３の図４
に於ける左右両端角部をテーパ状に加工し、その後、厚
さ５０オングストロームの下地Ｃｒ薄膜１１１，１１２
および１１３、厚さ３００オングストロームの永久磁石
バイアスＣｏＣｒＰｔ薄膜２１１，２１２および２１
３、厚さ０．２ミクロンの電極膜３１１，３１２および
３１３を、スパッタ法を用いて積層成膜する。
【００４４】最後に、図４（ｃ）に示すように、磁気抵
抗効果センサとしての作動領域Ｔｗにあるフォトレジス
ト６、下地Ｃｒ薄膜１１３、永久磁石バイアスＣｏＣｒ
Ｐｔ薄膜２１３、金製の電極膜３１３をアセトンなどの
有機溶剤を用いて取り除き、永久磁石バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドを作製した。このとき、フォトレジスト６
を完全且つ速やかに取り除くために超音波洗浄などを併
用してもよい。
抗効果センサとしての作動領域Ｔｗにあるフォトレジス
ト６、下地Ｃｒ薄膜１１３、永久磁石バイアスＣｏＣｒ
Ｐｔ薄膜２１３、金製の電極膜３１３をアセトンなどの
有機溶剤を用いて取り除き、永久磁石バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドを作製した。このとき、フォトレジスト６
を完全且つ速やかに取り除くために超音波洗浄などを併
用してもよい。
【００４５】また、本発明の永久磁石バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドの磁気抵抗効果薄膜に印加される縦バアイ
ス磁界と比較するために、永久磁石バイアス薄膜２１
１，２１２および２１３を膜厚５５０オングストローム
で成膜し，他の構成膜の厚さは同一にした下地Ｃｒ薄膜
のない従来の永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを
作製し、両者の磁気抵抗の磁界依存性を測定したとこ
ろ、両者共ほぼ同じ依存性を示し永久磁石バイアス型磁
気抵抗効果ヘッドとして同等の特性を有することを確認
した。磁界ゼロにおいて両者共ほぼ磁界に対する磁気抵
抗変化量の２分の１の変化量を示した。
抗効果ヘッドの磁気抵抗効果薄膜に印加される縦バアイ
ス磁界と比較するために、永久磁石バイアス薄膜２１
１，２１２および２１３を膜厚５５０オングストローム
で成膜し，他の構成膜の厚さは同一にした下地Ｃｒ薄膜
のない従来の永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを
作製し、両者の磁気抵抗の磁界依存性を測定したとこ
ろ、両者共ほぼ同じ依存性を示し永久磁石バイアス型磁
気抵抗効果ヘッドとして同等の特性を有することを確認
した。磁界ゼロにおいて両者共ほぼ磁界に対する磁気抵
抗変化量の２分の１の変化量を示した。
【００４６】すなわち、両方の永久磁石バイアス型磁気
抵抗効果ヘッドともにニッケル・鉄合金かなる磁気抵抗
効果薄膜５に同等の縦バイアス磁界が印加されており、
永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ薄膜の下に下地Ｃｒ薄膜
をあらかじめ成膜することによって永久磁石バイアスＣ
ｏＣｒＰｔ薄膜の厚さを５５０オングストロームから３
００オングストロームへと約４５％薄くしても磁気抵抗
効果薄膜に同等の縦バイアス磁界を印加する効果が得ら
れることが明らかとなった。
抵抗効果ヘッドともにニッケル・鉄合金かなる磁気抵抗
効果薄膜５に同等の縦バイアス磁界が印加されており、
永久磁石バイアスＣｏＣｒＰｔ薄膜の下に下地Ｃｒ薄膜
をあらかじめ成膜することによって永久磁石バイアスＣ
ｏＣｒＰｔ薄膜の厚さを５５０オングストロームから３
００オングストロームへと約４５％薄くしても磁気抵抗
効果薄膜に同等の縦バイアス磁界を印加する効果が得ら
れることが明らかとなった。
【００４７】ここで、下地Ｃｒ薄膜および永久磁石Ｃｏ
ＣｒＰｔ合金薄膜はスパッタ法による成膜方法のみなら
ず蒸着法によって成膜されても同様の効果が得られる。
ＣｒＰｔ合金薄膜はスパッタ法による成膜方法のみなら
ず蒸着法によって成膜されても同様の効果が得られる。
【００４８】さらに、図４に示すような構造をもつ永久
磁石バイアス型磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下地Ｃ
ｒ薄膜の膜厚の下限値は薄膜として機能する厚さである
ことによって規定され５０オングストローム以上であれ
ばよい。
磁石バイアス型磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下地Ｃ
ｒ薄膜の膜厚の下限値は薄膜として機能する厚さである
ことによって規定され５０オングストローム以上であれ
ばよい。
【００４９】この下地Ｃｒ薄膜の膜厚の上限値につい
て、図４（ｃ）を用いて説明する。
て、図４（ｃ）を用いて説明する。
【００５０】この場合、永久磁石バイアス薄膜２１１お
よび２１２は縦バイアスとしての磁場を磁気抵抗効果薄
膜５の膜面に対して平行に印加させるために、永久磁石
バイアス薄膜２１１および２１２は、磁気抵抗効果薄膜
５の両端部の膜面方向に延長した部分に下地Ｃｒ薄膜１
１１および１１２を介して少なくとも存在することが必
要であり、このことから下地Ｃｒ薄膜１１１および１１
２は磁気抵抗効果薄膜５の膜厚方向の高さを越えて存在
してはならない。
よび２１２は縦バイアスとしての磁場を磁気抵抗効果薄
膜５の膜面に対して平行に印加させるために、永久磁石
バイアス薄膜２１１および２１２は、磁気抵抗効果薄膜
５の両端部の膜面方向に延長した部分に下地Ｃｒ薄膜１
１１および１１２を介して少なくとも存在することが必
要であり、このことから下地Ｃｒ薄膜１１１および１１
２は磁気抵抗効果薄膜５の膜厚方向の高さを越えて存在
してはならない。
【００５１】すなわち、下地Ｃｒ薄膜１１１および１１
２の膜厚は磁気抵抗効果薄膜５の膜厚より薄くすること
が重要となる。
２の膜厚は磁気抵抗効果薄膜５の膜厚より薄くすること
が重要となる。
【００５２】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、下地Ｃｒ薄膜の上にＣｏＣｒＰｔ
合金薄膜を積層することによって面内磁気異方性が大き
く膜面内に平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスルー
プを測定したときの角型性がよくなり、下地Ｃｒ薄膜を
用いないＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の飽和磁束密度および保
磁力をほぼ同じ値に保ったまま残留磁束密度を例えば
１．９倍程度大きくすることができ、このため、磁気抵
抗効果膜に有効な縦バイアスとしての磁界を印加するた
めのＣｏＣｒＰｔ合金薄膜厚を適度に薄くすることが可
能となり、従来に比べて同一の高性能を維持しつつ原価
を有効に逓減せしめることができるという従来にない優
れた永久磁石バイアス型磁気抵抗効果型ヘッドを提供す
ることができる。
ので、これによると、下地Ｃｒ薄膜の上にＣｏＣｒＰｔ
合金薄膜を積層することによって面内磁気異方性が大き
く膜面内に平行に磁界を印加して磁気ヒステリシスルー
プを測定したときの角型性がよくなり、下地Ｃｒ薄膜を
用いないＣｏＣｒＰｔ合金薄膜の飽和磁束密度および保
磁力をほぼ同じ値に保ったまま残留磁束密度を例えば
１．９倍程度大きくすることができ、このため、磁気抵
抗効果膜に有効な縦バイアスとしての磁界を印加するた
めのＣｏＣｒＰｔ合金薄膜厚を適度に薄くすることが可
能となり、従来に比べて同一の高性能を維持しつつ原価
を有効に逓減せしめることができるという従来にない優
れた永久磁石バイアス型磁気抵抗効果型ヘッドを提供す
ることができる。
【図１】本発明の第１実施例における永久磁石バイアス
型磁気抵抗効果型ヘッドの製造手順を示す説明図で、図
１（ａ）は下地Ｃｒ薄膜等を積層する前の状態を示す概
略断面図、図１（ｂ）は下地Ｃｒ薄膜および永久磁石バ
イアス薄膜等を積層した状態を示す概略断面図、図１
（ｃ）はセンサ作動領域を形成した場合の状態を示す概
略断面図である。
型磁気抵抗効果型ヘッドの製造手順を示す説明図で、図
１（ａ）は下地Ｃｒ薄膜等を積層する前の状態を示す概
略断面図、図１（ｂ）は下地Ｃｒ薄膜および永久磁石バ
イアス薄膜等を積層した状態を示す概略断面図、図１
（ｃ）はセンサ作動領域を形成した場合の状態を示す概
略断面図である。
【図２】図１の基本的構成である下地クロム薄膜の上に
コバルト・クロム・プラチナ合金薄膜を積層した積層膜
の磁気ヒステリシスループの例を示す線図である。
コバルト・クロム・プラチナ合金薄膜を積層した積層膜
の磁気ヒステリシスループの例を示す線図である。
【図３】図２における下地クロム薄膜を取り除いた場合
におけるコバルト・クロム・プラチナ合金薄膜の磁気ヒ
ステリシスループの例を示す線図である。
におけるコバルト・クロム・プラチナ合金薄膜の磁気ヒ
ステリシスループの例を示す線図である。
【図４】第２実施例における永久磁石バイアス型磁気抵
抗効果型ヘッドの製造手順を示す説明図で、図４（ａ）
は下地Ｃｒ薄膜等を積層する前の状態を示す概略断面
図、図４（ｂ）は下地Ｃｒ薄膜および永久磁石バイアス
薄膜等を積層した状態を示す概略断面図、図４（ｃ）は
センサ作動領域を形成した場合の状態を示す概略断面図
である。
抗効果型ヘッドの製造手順を示す説明図で、図４（ａ）
は下地Ｃｒ薄膜等を積層する前の状態を示す概略断面
図、図４（ｂ）は下地Ｃｒ薄膜および永久磁石バイアス
薄膜等を積層した状態を示す概略断面図、図４（ｃ）は
センサ作動領域を形成した場合の状態を示す概略断面図
である。
【図５】従来例を示す永久磁石バイアス型磁気抵抗効果
型ヘッドの製造手順を示す説明図で、図５（ａ）は下地
Ｃｒ薄膜等を積層する前の状態を示す概略断面図、図５
（ｂ）は下地Ｃｒ薄膜および永久磁石バイアス薄膜等を
積層した状態を示す概略断面図、図５（ｃ）はセンサ作
動領域を形成した場合の状態を示す概略断面図である。
型ヘッドの製造手順を示す説明図で、図５（ａ）は下地
Ｃｒ薄膜等を積層する前の状態を示す概略断面図、図５
（ｂ）は下地Ｃｒ薄膜および永久磁石バイアス薄膜等を
積層した状態を示す概略断面図、図５（ｃ）はセンサ作
動領域を形成した場合の状態を示す概略断面図である。
１ 基板 ２ Ａｌ2 Ｏ3 薄膜 ３ 軟磁性薄膜 ４ 非磁性スペーサ薄膜 ５ 磁気抵抗効果薄膜 ６ フォトレジスト １１１，１１２，１１３ 下地Ｃｒ薄膜 ２１１，２１２，２１３ 永久磁石バイアスＣｏＣｒＰ
ｔ合金薄膜 ３１１，３１２，３１３ 電極膜 Ｔｗ センサ作動領域
ｔ合金薄膜 ３１１，３１２，３１３ 電極膜 Ｔｗ センサ作動領域
Claims (5)
- 【請求項１】 基板１上に酸化アルミニュ−ム膜２，軟
磁性薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗効果
用薄膜５を順次積層して該磁気抵抗効果用薄膜５上にセ
ンサ作動領域を設け、このセンサ作動領域を形成する前
記軟磁性薄膜３，非磁性スペ−サ薄膜４，及び磁気抵抗
効果用薄膜５の一端部と他端部の各側面を切除して切除
面を形成すると共に，当該切除面を覆うようにして永久
磁石バイアス薄膜２１１，２１２及び電極膜３１１，３
１２をそれぞれ順次積層し、 前記各切除面と永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２と
の間に、下地膜としてクロム薄膜１１１，１１２を積層
したことを特徴とする永久磁石バイアス型磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項２】 基板１上に酸化アルミニュ−ム膜２，磁
気抵抗効果用薄膜５，非磁性スペ−サ薄膜４，及び軟磁
性薄膜３を順次積層して当該軟磁性薄膜３上にセンサ作
動領域を設け、このセンサ作動領域を形成する前記磁気
抵抗効果用薄膜５，非磁性スペ−サ薄膜４，及び軟磁性
薄膜３の一端部と他端部の各側面を切除して切除面を形
成すると共に，当該切除面を覆うようにして永久磁石バ
イアス薄膜２１１，２１２及び電極膜３１１，３１２を
それぞれ順次積層し、 前記各切除面と永久磁石バイアス薄膜２１１，２１２と
の間に、下地膜としてクロム薄膜１１１，１１２を積層
したことを特徴とする永久磁石バイアス型磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項３】 前記永久磁石バイアス薄膜２１１，２１
２を、コバルト・クロム・プラチナ合金薄膜で形成した
ことを特徴とする請求項１又は２記載の永久磁石バイア
ス型磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 前記下地膜としてのクロム薄膜１１１，
１１２の厚さは、磁気抵抗効果用薄膜５の少なくとも一
部がセンサ作動領域の両側端部に配設された永久磁石バ
イアス薄膜２１１，２１２を結ぶ領域内に存在する厚さ
であることを特徴とした請求項１又は２記載の永久磁石
バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 前記下地膜としてのクロム薄膜１１１，
１１２の厚さは、５０ミクロン以上であることを特徴と
する請求項１又は２記載の永久磁石バイアス型磁気抵抗
効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7038357A JP2755199B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7038357A JP2755199B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08235538A true JPH08235538A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2755199B2 JP2755199B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=12523037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7038357A Expired - Lifetime JP2755199B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755199B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144534A (en) * | 1997-03-18 | 2000-11-07 | Seagate Technology Llc | Laminated hard magnet in MR sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07296339A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・エレメント磁気抵抗センサ |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP7038357A patent/JP2755199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07296339A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・エレメント磁気抵抗センサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144534A (en) * | 1997-03-18 | 2000-11-07 | Seagate Technology Llc | Laminated hard magnet in MR sensor |
| US6351357B1 (en) | 1997-03-18 | 2002-02-26 | Seagate Technology Llc | Laminated hard magnet in MR sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2755199B2 (ja) | 1998-05-20 |
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