JPH08236469A - ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート - Google Patents
ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートInfo
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- JPH08236469A JPH08236469A JP7347101A JP34710195A JPH08236469A JP H08236469 A JPH08236469 A JP H08236469A JP 7347101 A JP7347101 A JP 7347101A JP 34710195 A JP34710195 A JP 34710195A JP H08236469 A JPH08236469 A JP H08236469A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱処理炉の炉芯管の板状体の大きな温度勾配
に起因する破壊を防止してなるウェーハ熱処理用ＳｉＣ
質ボートを提供する。 【解決手段】 複数枚の半導体ウェーハを支持するボー
ト本体の上端部および下端部に対してそれぞれ連絡され
た上部板状体および下部板状体からなる半導体ウェーハ
熱処理用ＳｉＣ質ボートにおいて、上記上部板状体およ
び下部板状体にスリット部が穿設されている半導体ウェ
ーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート。
に起因する破壊を防止してなるウェーハ熱処理用ＳｉＣ
質ボートを提供する。 【解決手段】 複数枚の半導体ウェーハを支持するボー
ト本体の上端部および下端部に対してそれぞれ連絡され
た上部板状体および下部板状体からなる半導体ウェーハ
熱処理用ＳｉＣ質ボートにおいて、上記上部板状体およ
び下部板状体にスリット部が穿設されている半導体ウェ
ーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ熱処理用
ＳｉＣ（炭化珪素）質ボートに関し、特に熱処理炉にお
ける半導体ウェーハの熱処理に供されるウェーハ熱処理
用ＳｉＣ質ボートに関するものである。
ＳｉＣ（炭化珪素）質ボートに関し、特に熱処理炉にお
ける半導体ウェーハの熱処理に供されるウェーハ熱処理
用ＳｉＣ質ボートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウェーハ熱処理用ＳｉＣ
質ボートは、ウェーハ熱処理用ボートが縦型熱処理炉の
炉芯管内ではその材料たる石英ガラスの軟化に伴う変形
により外周を炉芯管の内周面面に接触し特に回転処理す
る場合に炉芯管の内周面面を損傷する事故ないしは横方
向に載置された半導体ウェーハが落下する事故を防止す
るために提案されており、具体的には、図４に示すよう
に半導体ウェーハを支持するための複数の突条部がほぼ
半筒状の側壁の内周面に対し縦方向に延長して形成され
ており、炭素珪素で作成されたボート本体２０′の下端
部および上端部に対し、接合あるいは嵌合などの適宜の
手段によって下部板状体３０′および上部板状体４０′
がそれぞれ連結された構造を有していた。
質ボートは、ウェーハ熱処理用ボートが縦型熱処理炉の
炉芯管内ではその材料たる石英ガラスの軟化に伴う変形
により外周を炉芯管の内周面面に接触し特に回転処理す
る場合に炉芯管の内周面面を損傷する事故ないしは横方
向に載置された半導体ウェーハが落下する事故を防止す
るために提案されており、具体的には、図４に示すよう
に半導体ウェーハを支持するための複数の突条部がほぼ
半筒状の側壁の内周面に対し縦方向に延長して形成され
ており、炭素珪素で作成されたボート本体２０′の下端
部および上端部に対し、接合あるいは嵌合などの適宜の
手段によって下部板状体３０′および上部板状体４０′
がそれぞれ連結された構造を有していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示した従来のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートでは、縦
型熱処理炉の炉芯管の長さが小さく、一般に輻斜熱の大
きい石英ガラスによって炉芯管が作成されるようになっ
たことに起因して、その上部および下部における温度勾
配が大きくなっていたために、下部開口部からの挿入取
出に際してボート本体２０′、下部板状体３０′および
上部板状体４０′（特に下部板状体３０′）に対し内部
熱応力が蓄積され熱衝撃すなわち熱膨脹あるいは熱収縮
に伴って比較的に短期間で破壊されてしまう欠点があっ
た。
示した従来のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートでは、縦
型熱処理炉の炉芯管の長さが小さく、一般に輻斜熱の大
きい石英ガラスによって炉芯管が作成されるようになっ
たことに起因して、その上部および下部における温度勾
配が大きくなっていたために、下部開口部からの挿入取
出に際してボート本体２０′、下部板状体３０′および
上部板状体４０′（特に下部板状体３０′）に対し内部
熱応力が蓄積され熱衝撃すなわち熱膨脹あるいは熱収縮
に伴って比較的に短期間で破壊されてしまう欠点があっ
た。
【０００４】そこで、本発明は、この欠点を解決し、縦
型熱処理炉の炉芯管の下部開口部近傍の大きな温度勾配
に起因する破壊を防止してなるウェーハ熱処理用ＳｉＣ
質ボートを提供せんとするものである。
型熱処理炉の炉芯管の下部開口部近傍の大きな温度勾配
に起因する破壊を防止してなるウェーハ熱処理用ＳｉＣ
質ボートを提供せんとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数枚の半導
体ウェーハを支持するボート本体の上端部および下部端
部に対してそれぞれ連結された上部板状体および下部板
状体からなる半導体ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートに
おいて、上記上部板状体および下部板状体にスリット部
が穿設されていることを特徴とする半導体ウェーハ熱処
理用ＳｉＣ質ボートを要旨としている。
体ウェーハを支持するボート本体の上端部および下部端
部に対してそれぞれ連結された上部板状体および下部板
状体からなる半導体ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートに
おいて、上記上部板状体および下部板状体にスリット部
が穿設されていることを特徴とする半導体ウェーハ熱処
理用ＳｉＣ質ボートを要旨としている。
【０００６】
【作用】本発明にかかるウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボー
トは、半導体ウェーハを支持するボート本体の上端部お
よび下端部に対してそれぞれ連結された上部板状体およ
び下部板状体に対してスリット部が穿設されているの
で、内部熱応力を吸収緩和し、熱膨張あるいは熱収縮に
伴う破壊を防止する作用をなしており、ひいては長寿化
する作用をなしている。
トは、半導体ウェーハを支持するボート本体の上端部お
よび下端部に対してそれぞれ連結された上部板状体およ
び下部板状体に対してスリット部が穿設されているの
で、内部熱応力を吸収緩和し、熱膨張あるいは熱収縮に
伴う破壊を防止する作用をなしており、ひいては長寿化
する作用をなしている。
【０００７】
【実施例】次に本発明の好適な実施例についても添付図
面を参照しつつ説明する。
面を参照しつつ説明する。
【０００８】図１は、本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ
質ボートを縦型熱処理炉に使用する例を示す斜視図であ
る。
質ボートを縦型熱処理炉に使用する例を示す斜視図であ
る。
【０００９】図２は、同部分斜視図であって、特に下部
板状体を示している。
板状体を示している。
【００１０】図３は、同使用状態を示す斜視図である。
【００１１】まず、縦型熱処理炉に用いる本発明のウェ
ーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートの構成について詳細に説明
する。
ーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートの構成について詳細に説明
する。
【００１２】１０は本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質
ボートであって、ＳｉＣでできたボート本体２０と、Ｓ
ｉＣでできておりボート本体２０の下端部に対して接合
あるいは嵌合などの適宜の手段により連結された下部板
状体３０と、ＳｉＣでできておりボート本体２０の上端
部に対して接合あるいは嵌合などの適宜の手段により連
結された上部板状体４０とを有している。
ボートであって、ＳｉＣでできたボート本体２０と、Ｓ
ｉＣでできておりボート本体２０の下端部に対して接合
あるいは嵌合などの適宜の手段により連結された下部板
状体３０と、ＳｉＣでできておりボート本体２０の上端
部に対して接合あるいは嵌合などの適宜の手段により連
結された上部板状体４０とを有している。
【００１３】ボート本体２０は、ほぼ半筒状に形成され
ており、その側壁の内周面に対して熱処理すべき半導体
ウェーハを支持するための複数（たとえば４つ）の突条
部２１ａ，〜，２１ｄが縦方向に延長して形成されてい
る。突条部２１ａ，〜，２１ｄ間には、ボート本体２０
の熱衝撃による破壊を防止すると共にボート本体２０を
軽量化しかつ熱容量を削減して熱分布を良好とするため
にその側壁に対して適宜の数の窓溝２２ａ，〜，２２ｃ
が形成されている。突条部２１ａ，〜，２１ｄには、そ
れぞれ複数のウェーハ支持溝２３ａ，〜，２３ｄが穿設
されている。ウェーハ支持溝２３ａ，〜，２３ｄは、突
条部２１ａ，〜，２１ｄの内周面に対して同一の高さ位
置に一つずつ穿設されており、熱処理すべき半導体ウェ
ーハ（図示せず）が横方向に挿入載置される。
ており、その側壁の内周面に対して熱処理すべき半導体
ウェーハを支持するための複数（たとえば４つ）の突条
部２１ａ，〜，２１ｄが縦方向に延長して形成されてい
る。突条部２１ａ，〜，２１ｄ間には、ボート本体２０
の熱衝撃による破壊を防止すると共にボート本体２０を
軽量化しかつ熱容量を削減して熱分布を良好とするため
にその側壁に対して適宜の数の窓溝２２ａ，〜，２２ｃ
が形成されている。突条部２１ａ，〜，２１ｄには、そ
れぞれ複数のウェーハ支持溝２３ａ，〜，２３ｄが穿設
されている。ウェーハ支持溝２３ａ，〜，２３ｄは、突
条部２１ａ，〜，２１ｄの内周面に対して同一の高さ位
置に一つずつ穿設されており、熱処理すべき半導体ウェ
ーハ（図示せず）が横方向に挿入載置される。
【００１４】またボート本体２０の下部には、窓部２２
ａ，〜，２１ｃのいずれか（ここでは窓部２２ｂ）に対
し連通されたスリット部２４を形成してもよく、これに
より縦型熱処理炉５０の炉芯管５２に対する挿入取出時
もしくはその炉芯管５２内での加熱ヒータ５３による加
熱時に生じる内部熱応力を吸収緩和でき、ボート本体２
０の熱衝撃すなわち熱膨張あるいは熱収縮に伴う破壊を
防止できる。
ａ，〜，２１ｃのいずれか（ここでは窓部２２ｂ）に対
し連通されたスリット部２４を形成してもよく、これに
より縦型熱処理炉５０の炉芯管５２に対する挿入取出時
もしくはその炉芯管５２内での加熱ヒータ５３による加
熱時に生じる内部熱応力を吸収緩和でき、ボート本体２
０の熱衝撃すなわち熱膨張あるいは熱収縮に伴う破壊を
防止できる。
【００１５】下部板状体３０は、ボート本体２０の下部
に対し接着あるいは嵌合などの適宜の手段により直接に
より連結された第１の板状体３１と、本発明のウェーハ
熱処理用ＳｉＣ質ボート１０を縦型熱処理炉５０の炉芯
管５２に対して挿入取出しもしくはその炉芯管５２に対
して支持回転するボート載置台５１に載置するための第
２の板状体３２と、第１及び第２の板状体３１、３２を
互いに連結するための連結中空筒体３３とを包有してい
る。第１及び第２の板状体３１、３２には、それぞれ連
結中空筒体３３の内部中空３３ａの両端開口部に連結さ
れた開口部３１ａ、３２ａが穿設されている。また、板
状体３１、３２および連結中空筒体３３には、それぞれ
外周面から開口部３１ａ、３２ａおよび内部中空３３ａ
に達し、かつ互いに連通されたスリット部３１ｂ、３２
ｂ、３３ｂが穿設されており、縦型熱処理炉５０の炉芯
管５２に対する挿入取出時もしくはその炉芯管５２にお
ける加熱時に生じる内部熱応力を吸収緩和でき、下部板
状体３０の熱衝撃すなわち熱膨張あるいは熱収縮に伴う
破壊を十分に防止できる。
に対し接着あるいは嵌合などの適宜の手段により直接に
より連結された第１の板状体３１と、本発明のウェーハ
熱処理用ＳｉＣ質ボート１０を縦型熱処理炉５０の炉芯
管５２に対して挿入取出しもしくはその炉芯管５２に対
して支持回転するボート載置台５１に載置するための第
２の板状体３２と、第１及び第２の板状体３１、３２を
互いに連結するための連結中空筒体３３とを包有してい
る。第１及び第２の板状体３１、３２には、それぞれ連
結中空筒体３３の内部中空３３ａの両端開口部に連結さ
れた開口部３１ａ、３２ａが穿設されている。また、板
状体３１、３２および連結中空筒体３３には、それぞれ
外周面から開口部３１ａ、３２ａおよび内部中空３３ａ
に達し、かつ互いに連通されたスリット部３１ｂ、３２
ｂ、３３ｂが穿設されており、縦型熱処理炉５０の炉芯
管５２に対する挿入取出時もしくはその炉芯管５２にお
ける加熱時に生じる内部熱応力を吸収緩和でき、下部板
状体３０の熱衝撃すなわち熱膨張あるいは熱収縮に伴う
破壊を十分に防止できる。
【００１６】上部板状体４０に対し、図１の実施例では
開口部およびスリット部が形成されていないが、本発明
はこれに限定されるものではなく、所望により下部板状
体３０と同様にこれらを形成してもよい。これにより上
部板状体４０の熱衝撃すなわち熱膨張あるいは熱収縮に
伴う破壊をさらに防止でき、併せて本発明のウェーハ熱
処理用ＳｉＣ質ボート１０を全体として軽量化すること
ができるので、有益である。
開口部およびスリット部が形成されていないが、本発明
はこれに限定されるものではなく、所望により下部板状
体３０と同様にこれらを形成してもよい。これにより上
部板状体４０の熱衝撃すなわち熱膨張あるいは熱収縮に
伴う破壊をさらに防止でき、併せて本発明のウェーハ熱
処理用ＳｉＣ質ボート１０を全体として軽量化すること
ができるので、有益である。
【００１７】更に、本発明によるウェーハ熱処理用Ｓｉ
Ｃ質ボートの作用について詳細に説明する。
Ｃ質ボートの作用について詳細に説明する。
【００１８】ボート本体２０のウェーハ支持溝２３ａ，
〜，２３ｄに対して熱処理すべき半導体ウェーハ（図示
せず）を横方向に所望枚数だけ載置したのち、ボート載
置台５１に対して下部板状体３０を載置する。
〜，２３ｄに対して熱処理すべき半導体ウェーハ（図示
せず）を横方向に所望枚数だけ載置したのち、ボート載
置台５１に対して下部板状体３０を載置する。
【００１９】次いでボート載置台５１が上昇し、縦型熱
処理炉５０の炉芯管５２に対しその下部開口部５２ａよ
り本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１０を装入
する。このときスリット部３１ｂ、３２ｂ、３３ｂが形
成されているので、下部板状体３０は縦型熱処理炉５０
の炉芯管５２内部の大きな温度勾配に伴って急速に加熱
されても内部熱応力を吸収緩和でき、熱衝撃ひいては熱
膨張に伴う破壊を回避できる。またボート本体２０に対
し窓部２２ａ，〜，２２ｃとスリット部２４が形成され
ておれば、ボート本体２０の熱衝撃ひいては熱膨張に伴
う破壊も併せて回避でき、好適である。加えて上部板状
体４０に対して開口部およびスリット部（特にスリット
部）が形成されておれば、上部板状体４０の熱衝撃ひい
ては熱膨張に伴う破壊も防止でき、一層好適である。
処理炉５０の炉芯管５２に対しその下部開口部５２ａよ
り本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１０を装入
する。このときスリット部３１ｂ、３２ｂ、３３ｂが形
成されているので、下部板状体３０は縦型熱処理炉５０
の炉芯管５２内部の大きな温度勾配に伴って急速に加熱
されても内部熱応力を吸収緩和でき、熱衝撃ひいては熱
膨張に伴う破壊を回避できる。またボート本体２０に対
し窓部２２ａ，〜，２２ｃとスリット部２４が形成され
ておれば、ボート本体２０の熱衝撃ひいては熱膨張に伴
う破壊も併せて回避でき、好適である。加えて上部板状
体４０に対して開口部およびスリット部（特にスリット
部）が形成されておれば、上部板状体４０の熱衝撃ひい
ては熱膨張に伴う破壊も防止でき、一層好適である。
【００２０】炉芯管５２内部での半導体ウェーハの熱処
理時にも、本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１
０では下部板状体３０にスリット部３１ｂ、３２ｂ、３
３ｂが形成されているので、炉芯管５２の下端部におけ
る大きな温度勾配に伴う下部板状体３０の熱破壊を防止
できる。またボート本体２０に対してスリット部２４が
形成されておれば、炉芯管５２の下端部における大きな
温度勾配に伴うボート本体２０の熱破壊も防止でき、好
適である。加えて上部板状体４０に対して開口部および
スリット部（特にスリット部）が形成されておれば、炉
芯管５２の上端部における大きな温度勾配に伴う上部板
状体４０の熱破壊も併せて防止でき、一層好適である。
理時にも、本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１
０では下部板状体３０にスリット部３１ｂ、３２ｂ、３
３ｂが形成されているので、炉芯管５２の下端部におけ
る大きな温度勾配に伴う下部板状体３０の熱破壊を防止
できる。またボート本体２０に対してスリット部２４が
形成されておれば、炉芯管５２の下端部における大きな
温度勾配に伴うボート本体２０の熱破壊も防止でき、好
適である。加えて上部板状体４０に対して開口部および
スリット部（特にスリット部）が形成されておれば、炉
芯管５２の上端部における大きな温度勾配に伴う上部板
状体４０の熱破壊も併せて防止でき、一層好適である。
【００２１】縦型熱処理炉５０の炉芯管５２内部での半
導体ウェーハの熱処理が終了すると、ボート載置台５１
が降下し、縦型熱処理炉５０の炉芯管５２の下部開口部
５２ａから本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１
０を取出す。このときも挿入時と同様に本発明のウェー
ハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１０は、炉芯部５２の下端部
における大きな温度勾配に伴う内部熱応力を吸収緩和で
き、その熱破壊を防止できる。
導体ウェーハの熱処理が終了すると、ボート載置台５１
が降下し、縦型熱処理炉５０の炉芯管５２の下部開口部
５２ａから本発明のウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１
０を取出す。このときも挿入時と同様に本発明のウェー
ハ熱処理用ＳｉＣ質ボート１０は、炉芯部５２の下端部
における大きな温度勾配に伴う内部熱応力を吸収緩和で
き、その熱破壊を防止できる。
【００２２】なお、上述の例においては、下部板状体３
０が、２つの板状体３１、３２と連通中空筒体３３とを
包有しているが、所望によって、これを１つの板状体３
１のみで形成しても差支えない。
０が、２つの板状体３１、３２と連通中空筒体３３とを
包有しているが、所望によって、これを１つの板状体３
１のみで形成しても差支えない。
【００２３】また下部板状体３０の形状は、円環状とさ
れているが、所望によっては外形および開口部の少なく
とも一方を多角形状としてもよい。
れているが、所望によっては外形および開口部の少なく
とも一方を多角形状としてもよい。
【００２４】更に上部板状体４０の形状は、円板状とさ
れているが、所望によっては多角形状としてもよく、併
せて開口部を形成する場合にあってはそれを多角形状と
してもよい。
れているが、所望によっては多角形状としてもよく、併
せて開口部を形成する場合にあってはそれを多角形状と
してもよい。
【００２５】加えてボート本体２０が半筒状に形成され
ているが、これを単に複数（例えば４本）の棒体によっ
て形成し、かつその内側にそれぞれウェーハ支持溝を穿
設しても良い。
ているが、これを単に複数（例えば４本）の棒体によっ
て形成し、かつその内側にそれぞれウェーハ支持溝を穿
設しても良い。
【００２６】
【発明の効果】上述より明らかなように、本発明にかか
るウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートは、半導体ウェーハ
を支持するボート本体の上端部および下端部に対してそ
れぞれ連結された上部板状体および下部板状体に対して
スリット部が穿設されているので、（ｉ）縦型熱処理炉
の炉芯管に対する挿入取出に際して炉芯管の大きな熱勾
配により印加される内部熱応力を十分に吸収緩和できる
効果を有し、ひいては（ｉｉ）熱破壊を防止し、長寿命
とできる効果を有しており、併せて（ｉｉｉ）輻射熱が
大きくボートに対する熱的影響が大きな石英ガラスでで
きた炉芯管内での長期間の使用にも十分耐える効果を有
する。
るウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボートは、半導体ウェーハ
を支持するボート本体の上端部および下端部に対してそ
れぞれ連結された上部板状体および下部板状体に対して
スリット部が穿設されているので、（ｉ）縦型熱処理炉
の炉芯管に対する挿入取出に際して炉芯管の大きな熱勾
配により印加される内部熱応力を十分に吸収緩和できる
効果を有し、ひいては（ｉｉ）熱破壊を防止し、長寿命
とできる効果を有しており、併せて（ｉｉｉ）輻射熱が
大きくボートに対する熱的影響が大きな石英ガラスでで
きた炉芯管内での長期間の使用にも十分耐える効果を有
する。
【図１】本発明の一実施例を示す斜視図。
【図２】同部分斜視図。
【図３】同使用状態を示す斜視図。
【図４】従来例を示す斜視図。
１０ ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート ２０ ボート本体 ２１ａ，〜，２１ｄ 突条部 ２２ａ，〜，２２ｃ 窓部 ２３ａ，〜，２３ｄ ウェーハ支持溝 ２４ スリット部 ３０ 下部板状体 ３１，３２ 板状体 ３１ａ，３２ａ 開口部 ３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ スリット部 ３３ 連結中空筒体 ３３ａ 内部中空 ４０ 上部板状体 ５０ 縦型熱処理炉 ５１ ボート載置台 ５２ 炉芯管 ５２ａ 下部開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安部 茂 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内
Claims (1)
- 【請求項１】 複数枚の半導体ウェーハを支持するボー
ト本体の上端部および下部端部に対してそれぞれ連結さ
れた上部板状体および下部板状体からなる半導体ウェー
ハ熱処理用ＳｉＣ質ボートにおいて、上記上部板状体お
よび下部板状体にスリット部が穿設されていることを特
徴とする半導体ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7347101A JPH08236469A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7347101A JPH08236469A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62051725A Division JPH06105693B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | ウエ−ハ熱処理用炭化珪素質治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236469A true JPH08236469A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=18387921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7347101A Pending JPH08236469A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | ウェーハ熱処理用ＳｉＣ質ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236469A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6364957B1 (en) * | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6228437B2 (ja) * | 1979-12-13 | 1987-06-19 | Hitachi Ltd |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP7347101A patent/JPH08236469A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6228437B2 (ja) * | 1979-12-13 | 1987-06-19 | Hitachi Ltd |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6364957B1 (en) * | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
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