JPH08236485A - ウェーハからダイを解体し分割する方法および装置 - Google Patents
ウェーハからダイを解体し分割する方法および装置Info
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- JPH08236485A JPH08236485A JP7343743A JP34374395A JPH08236485A JP H08236485 A JPH08236485 A JP H08236485A JP 7343743 A JP7343743 A JP 7343743A JP 34374395 A JP34374395 A JP 34374395A JP H08236485 A JPH08236485 A JP H08236485A
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- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0041—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing the workpiece being brought into contact with a suitably shaped rigid body which remains stationary during breaking
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 損傷しやすい腐食加工済みの半導体デバイス
のウェーハをデバイスに分割する。 【解決手段】 アンビル100がウェーハ300を付け
たフレキシブルな薄膜を圧する。アンビル100に用い
た真空が、ウェーハ300をアンビル100の表面に密
着させる。アンビル100に接するフレキシブルな薄膜
が変形するにつれて、ウェーハ300は解体して個別デ
バイスになる。ウェーハ300の解体で生ずるさいの目
切りの破片は、基部固定装置408へ落ちるので破片が
デバイスに接触して損傷することはない。
のウェーハをデバイスに分割する。 【解決手段】 アンビル100がウェーハ300を付け
たフレキシブルな薄膜を圧する。アンビル100に用い
た真空が、ウェーハ300をアンビル100の表面に密
着させる。アンビル100に接するフレキシブルな薄膜
が変形するにつれて、ウェーハ300は解体して個別デ
バイスになる。ウェーハ300の解体で生ずるさいの目
切りの破片は、基部固定装置408へ落ちるので破片が
デバイスに接触して損傷することはない。
Description
【0001】
【発明の属する技術の分野】本発明は,集積回路製作の
分野に係り、特に、ディジタルマイクロミラー装置の製
作等のマイクロメカニカルデバイスの製作に関するもの
である。
分野に係り、特に、ディジタルマイクロミラー装置の製
作等のマイクロメカニカルデバイスの製作に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】集積回路の製作は、多数の回路またはデ
バイスを単一の半導体ウェーハ上で同時に製作する時に
最もコスト効果がよい。このバッチ加工の形式、すなわ
ち、ウェーハ加工は、各製作工程のコストを多数のデバ
イスの間に分散し、また個別のデバイス加工に要する処
理を削減する。典型的な工程の流れは、多くの石版術、
析出、ドーピング、エッチングおよびテストのステップ
を含んでいる。石版術とテストのステップでは、デバイ
スの非常に小さな各部分が正確に製作されテストされる
よう、加工設備の正確な位置調整が要求される。ウェー
ハレベルの加工では、一度ウェーハに位置を合わせれ
ば、加工機械が自らウェーハ上のデバイスに位置合わせ
することが可能である。ウェーハ上のデバイスが製作さ
れた後に、各デバイスがテストされ、一般的にはウェー
ハを鋸引きまたは解体して、ウェーハが分割される。個
々のデバイスは、次に包装されて製作工程が完了する。
バイスを単一の半導体ウェーハ上で同時に製作する時に
最もコスト効果がよい。このバッチ加工の形式、すなわ
ち、ウェーハ加工は、各製作工程のコストを多数のデバ
イスの間に分散し、また個別のデバイス加工に要する処
理を削減する。典型的な工程の流れは、多くの石版術、
析出、ドーピング、エッチングおよびテストのステップ
を含んでいる。石版術とテストのステップでは、デバイ
スの非常に小さな各部分が正確に製作されテストされる
よう、加工設備の正確な位置調整が要求される。ウェー
ハレベルの加工では、一度ウェーハに位置を合わせれ
ば、加工機械が自らウェーハ上のデバイスに位置合わせ
することが可能である。ウェーハ上のデバイスが製作さ
れた後に、各デバイスがテストされ、一般的にはウェー
ハを鋸引きまたは解体して、ウェーハが分割される。個
々のデバイスは、次に包装されて製作工程が完了する。
【0003】ウェーハからデイバイスを分割する際に、
ウェーハの細片とほこりからなるさいの目切りの破片が
生ずる。このさいの目切りの破片は、デバイスをパッケ
ージに結合する前にデバイスの表面から洗浄される。マ
イクロ電子機械システム(MEMS)、またはマイクロ
メカニカルデバイスは、非常に脆い構造を有するので、
デバイス分割や洗浄などいくつかの標準的なデバイス製
作ステップに耐えられない場合が多い。いくつかのME
MSのこの脆弱な性質のために、標準的なIC加工ステ
ップを再構成して、完成デバイスの損傷を避けることが
必要である。たとえばディジタルマイクロミラー装置
や、米国特許No.5061049と米国特許シリアル
ナンバー07/883616を共に与えられた特許に記
述されたような加速度計は、シリコン基板の表面に形成
された電極の上に吊された非常に小さな構造物を有す
る。ひとたびこれらの構造物が形成されて、これら構造
物と電極の間の隙間から犠牲の材料が腐食されれば、デ
バイスは非常に脆くなる。吊された構造物を破壊する危
険をおかすことなしに、ウェーハの洗浄ステップなど
で、これらのデイバイスを液体でぬらすことができな
い。したがって、ミラーの底面から犠牲の物質を腐食す
る以前に、これらのデバイスを分割して、さいの目切り
の破片を洗い去らなければならない。
ウェーハの細片とほこりからなるさいの目切りの破片が
生ずる。このさいの目切りの破片は、デバイスをパッケ
ージに結合する前にデバイスの表面から洗浄される。マ
イクロ電子機械システム(MEMS)、またはマイクロ
メカニカルデバイスは、非常に脆い構造を有するので、
デバイス分割や洗浄などいくつかの標準的なデバイス製
作ステップに耐えられない場合が多い。いくつかのME
MSのこの脆弱な性質のために、標準的なIC加工ステ
ップを再構成して、完成デバイスの損傷を避けることが
必要である。たとえばディジタルマイクロミラー装置
や、米国特許No.5061049と米国特許シリアル
ナンバー07/883616を共に与えられた特許に記
述されたような加速度計は、シリコン基板の表面に形成
された電極の上に吊された非常に小さな構造物を有す
る。ひとたびこれらの構造物が形成されて、これら構造
物と電極の間の隙間から犠牲の材料が腐食されれば、デ
バイスは非常に脆くなる。吊された構造物を破壊する危
険をおかすことなしに、ウェーハの洗浄ステップなど
で、これらのデイバイスを液体でぬらすことができな
い。したがって、ミラーの底面から犠牲の物質を腐食す
る以前に、これらのデバイスを分割して、さいの目切り
の破片を洗い去らなければならない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】デバイスが完成する以
前にウェーハを分割することは、パッシベーション(p
assivation)やデバイスのテストなど残りの
デバイス製作ステップの間の大量のデバイス処理を結果
として生ずる。残りのステップ、特にデバイスのテスト
を個別のデバイスについて実行することは、必要な処理
を大きく増大させ、したがって完成したデバイスのコス
トを大きく増大させる。さいの目切りの破片の清掃の必
要を省くような半導体ウェーハの解体と分解のための方
法と必要が存在する。そのような方法によれば、破片に
敏感なデバイスをウェーハの形で完全に製造して、高価
なデバイスレベルでの加工を省くことができよう。
前にウェーハを分割することは、パッシベーション(p
assivation)やデバイスのテストなど残りの
デバイス製作ステップの間の大量のデバイス処理を結果
として生ずる。残りのステップ、特にデバイスのテスト
を個別のデバイスについて実行することは、必要な処理
を大きく増大させ、したがって完成したデバイスのコス
トを大きく増大させる。さいの目切りの破片の清掃の必
要を省くような半導体ウェーハの解体と分解のための方
法と必要が存在する。そのような方法によれば、破片に
敏感なデバイスをウェーハの形で完全に製造して、高価
なデバイスレベルでの加工を省くことができよう。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明においては、ウ
ェーハはフレキシブルな薄膜上に装着され、アンビルが
このウェーハを変形して、個別のウェーハ部分に分割す
る。アンビルがフレキブルな薄膜を変形していてウェー
ハを解体している時、フレキシブルな薄膜は引っ張られ
て、空間的にひろがってウェーハ部分に分割される。こ
の解体作業の間、基部固定装置が、テープ枠を保持す
る。基部固定装置を電離窒素で浄化して、静電気の放電
による損傷を防止してもよい。
ェーハはフレキシブルな薄膜上に装着され、アンビルが
このウェーハを変形して、個別のウェーハ部分に分割す
る。アンビルがフレキブルな薄膜を変形していてウェー
ハを解体している時、フレキシブルな薄膜は引っ張られ
て、空間的にひろがってウェーハ部分に分割される。こ
の解体作業の間、基部固定装置が、テープ枠を保持す
る。基部固定装置を電離窒素で浄化して、静電気の放電
による損傷を防止してもよい。
【0006】この発明においては、単一の作業で、ウェ
ーハを、X軸方向とY軸方向に空間的にひろげて分割す
ることにより、ウェーハが解体される時に生ずるさいの
目切りの破片がウェーハから脱落し去ることを可能に
し、破片がデバイスを損傷するのを防止する。
ーハを、X軸方向とY軸方向に空間的にひろげて分割す
ることにより、ウェーハが解体される時に生ずるさいの
目切りの破片がウェーハから脱落し去ることを可能に
し、破片がデバイスを損傷するのを防止する。
【0007】
【発明の実施の形態】ここに開示される発明は、一個の
ウェーハを解体して複数のデバイスへの分解することを
単一作業で行ない、同時に、このウェーハ分割工程で発
生するさいの目切りの破片を制御する方法と手段を提供
する。図1および図2に示したドーム形のアンビル10
0は、図3に示すウェーハ300を変形して解体するの
に用いられる。ウェーハ300は、多数のデバイス30
2、すなわちダイを含んでなり、フレキシブルな薄膜、
典型的には一片のダイシングテープ(dicing t
ape)304上に保持され、ダイシングテープ304
はテープ枠306に保持される。アンビル102の面
は、一つの曲率半径があるだけでも良く、また、図1、
図2に示すようなより複雑な形のものでも良い。図示さ
れたアンビル100は、差渡し5インチの中心部の曲率
半径が36インチであり、外側部の曲率半径が24イン
チである。この二つの部分の曲率半径はウェーハ300
の直径とウェーハ300上のデバイス302のサイズに
基づいて選ばれる。ウェーハ300上のデバイス302
が大きくなればなるほど、アンビル100の曲率半径が
大きくなる。
ウェーハを解体して複数のデバイスへの分解することを
単一作業で行ない、同時に、このウェーハ分割工程で発
生するさいの目切りの破片を制御する方法と手段を提供
する。図1および図2に示したドーム形のアンビル10
0は、図3に示すウェーハ300を変形して解体するの
に用いられる。ウェーハ300は、多数のデバイス30
2、すなわちダイを含んでなり、フレキシブルな薄膜、
典型的には一片のダイシングテープ(dicing t
ape)304上に保持され、ダイシングテープ304
はテープ枠306に保持される。アンビル102の面
は、一つの曲率半径があるだけでも良く、また、図1、
図2に示すようなより複雑な形のものでも良い。図示さ
れたアンビル100は、差渡し5インチの中心部の曲率
半径が36インチであり、外側部の曲率半径が24イン
チである。この二つの部分の曲率半径はウェーハ300
の直径とウェーハ300上のデバイス302のサイズに
基づいて選ばれる。ウェーハ300上のデバイス302
が大きくなればなるほど、アンビル100の曲率半径が
大きくなる。
【0008】アンビル100の端部には縁104があっ
て、アンビル100をテープ枠306に、かみ合わせ可
能にしている。アンビル100にあるオリフィスまたは
穴106により、アンビル100の背面から真空を用い
ることができ、これにより、ダイシングテープ304を
アンビル100に押し付けて、ウェーハ300の解体を
容易にする。図2に示すようにアンビル100はバキュ
ームカバー200の上に装着され、バキュームポート2
02を通じてアンビル100の背面に真空を用いること
が可能になっている。
て、アンビル100をテープ枠306に、かみ合わせ可
能にしている。アンビル100にあるオリフィスまたは
穴106により、アンビル100の背面から真空を用い
ることができ、これにより、ダイシングテープ304を
アンビル100に押し付けて、ウェーハ300の解体を
容易にする。図2に示すようにアンビル100はバキュ
ームカバー200の上に装着され、バキュームポート2
02を通じてアンビル100の背面に真空を用いること
が可能になっている。
【0009】テープ枠306は、図4に示すように、典
型的には二つの独立したリング、すなわち内輪400と
外輪402を含んでなる。ダイシングテープ304は、
この二つのリング400、402の間に保持される。ウ
ェーハ300は、典型的には、デバイス302の間の領
域に刻みをつけるか、またはデバイス302の間を部分
的に鋸びきして、ひき目406を残すかして、デバイス
302の間を弱めてある。テープ枠306は、一体形の
枠であってもよいが、典型的には、ダイシングテープ3
04がアンビル100に引っ張られた後に、一体形の枠
の中でぴんと張っていない。
型的には二つの独立したリング、すなわち内輪400と
外輪402を含んでなる。ダイシングテープ304は、
この二つのリング400、402の間に保持される。ウ
ェーハ300は、典型的には、デバイス302の間の領
域に刻みをつけるか、またはデバイス302の間を部分
的に鋸びきして、ひき目406を残すかして、デバイス
302の間を弱めてある。テープ枠306は、一体形の
枠であってもよいが、典型的には、ダイシングテープ3
04がアンビル100に引っ張られた後に、一体形の枠
の中でぴんと張っていない。
【0010】ウェーハ300を解体する以前に、ウェー
ハ300、テープ304、フレーム306が基部固定装
置408の上に置かれる。ウェーハ300は典型的に
は、基部固定装置408の上に表面を下向きして置かれ
て、ウェーハ300の裏側にあるダイシングテープ30
4をアンビル100がプレスできるようにする。アンビ
ル100がウェーハ300自体をプレスしても良いが、
表面の損傷が起こるかも知れないし、さいの目切りの破
片がアンビル100と分割されたウェーハの間に挟まる
かも知れない。典型的には外輪402と一致するもので
ある第三のリング410が、基部固定装置408と、内
外輪400、402を含んでなるテープ枠306との間
に保持されている。
ハ300、テープ304、フレーム306が基部固定装
置408の上に置かれる。ウェーハ300は典型的に
は、基部固定装置408の上に表面を下向きして置かれ
て、ウェーハ300の裏側にあるダイシングテープ30
4をアンビル100がプレスできるようにする。アンビ
ル100がウェーハ300自体をプレスしても良いが、
表面の損傷が起こるかも知れないし、さいの目切りの破
片がアンビル100と分割されたウェーハの間に挟まる
かも知れない。典型的には外輪402と一致するもので
ある第三のリング410が、基部固定装置408と、内
外輪400、402を含んでなるテープ枠306との間
に保持されている。
【0011】基部固定装置408は、低圧の電離窒素で
浄化され、からになっている。電離窒素は静電気の放電
がデバイス402を損傷するのを防ぐ。ウェーハが下向
きになっているので、ウェーハ300が解体した時にで
きるさいの目切りの破片が基部固定装置408に入り、
ここで基部固定装置に利用される真空が、さいの目切り
の破片を基部固定装置408から除去するのを助ける。
浄化され、からになっている。電離窒素は静電気の放電
がデバイス402を損傷するのを防ぐ。ウェーハが下向
きになっているので、ウェーハ300が解体した時にで
きるさいの目切りの破片が基部固定装置408に入り、
ここで基部固定装置に利用される真空が、さいの目切り
の破片を基部固定装置408から除去するのを助ける。
【0012】アンビル100がダイシングテープ304
を押しつけるとウェーハ300が変形し、ついにはX軸
方向とY軸方向へ解体し、こうしたウェーハ300は物
理的に分割されて個別のデバイス302になる。分割さ
れたデバイス302はまた、引っ張り手段の働きによ
り、相互に空間的に離れている。薄膜304のこの引っ
張り手段には、内輪400、外輪402、第三のリング
410、アンビル100の縁104が含まれる。
を押しつけるとウェーハ300が変形し、ついにはX軸
方向とY軸方向へ解体し、こうしたウェーハ300は物
理的に分割されて個別のデバイス302になる。分割さ
れたデバイス302はまた、引っ張り手段の働きによ
り、相互に空間的に離れている。薄膜304のこの引っ
張り手段には、内輪400、外輪402、第三のリング
410、アンビル100の縁104が含まれる。
【0013】装置の作用を図5Aから図5Eまでに示
す。ウェーハ300は基部固定装置408に下向きに置
かれる。この時、基部固定装置408は浄化され、から
になっている。アンビル100がダイシングテープ30
4の裏側に接触させられ、バキュームカバー200が撤
去される。真空がダイシングテープ304をアンビル1
00に圧着させ、ウェーハ300を解体する。ウェーハ
300が解体された後、または、ウェーハ300が解体
しつつある時は、アンビル100がダイシングテープ3
04を圧着している。典型的には、ウェーハ300が解
体された後に、真空がバキュームカバー200から取り
除かれて、ダイシングテープ304がアンビル100の
上に引き伸ばせるようになる。アンビルの縁104は、
テープ枠306の内輪400とかみ合って、内輪400
を基部固定装置408の方へ押し付けるので、第三のリ
ング410が外輪402を内輪400から滑り抜けさせ
る。外輪402が内輪400を滑り抜けるとき、外輪4
02はダイシングテープ304を引っ張って、デバイス
302を相互に空間的にひろがるように分割する。ウェ
ーハ300を解体した後にアンビル100が移動する距
離は、デバイス302の分割の空間的なひろがりを決定
する。
す。ウェーハ300は基部固定装置408に下向きに置
かれる。この時、基部固定装置408は浄化され、から
になっている。アンビル100がダイシングテープ30
4の裏側に接触させられ、バキュームカバー200が撤
去される。真空がダイシングテープ304をアンビル1
00に圧着させ、ウェーハ300を解体する。ウェーハ
300が解体された後、または、ウェーハ300が解体
しつつある時は、アンビル100がダイシングテープ3
04を圧着している。典型的には、ウェーハ300が解
体された後に、真空がバキュームカバー200から取り
除かれて、ダイシングテープ304がアンビル100の
上に引き伸ばせるようになる。アンビルの縁104は、
テープ枠306の内輪400とかみ合って、内輪400
を基部固定装置408の方へ押し付けるので、第三のリ
ング410が外輪402を内輪400から滑り抜けさせ
る。外輪402が内輪400を滑り抜けるとき、外輪4
02はダイシングテープ304を引っ張って、デバイス
302を相互に空間的にひろがるように分割する。ウェ
ーハ300を解体した後にアンビル100が移動する距
離は、デバイス302の分割の空間的なひろがりを決定
する。
【0014】図6Aと図6Bは、上述した引っ張り手段
の実施例を示す。ダイシングテープ304は、最初は内
輪400と外輪402の間に保持されている。アンビル
の縁104が内輪400を下方へ圧して、ダイシングテ
ープが内輪400と第三のリング410の間に保持され
るまで圧する。外輪402と接触するダイシングテープ
の底面600には接着剤がついているので、ダイシング
テープ304は外輪402に対して滑らず、従って、ア
ンビル100とリング400、402、410の動作に
よって引っ張られる。
の実施例を示す。ダイシングテープ304は、最初は内
輪400と外輪402の間に保持されている。アンビル
の縁104が内輪400を下方へ圧して、ダイシングテ
ープが内輪400と第三のリング410の間に保持され
るまで圧する。外輪402と接触するダイシングテープ
の底面600には接着剤がついているので、ダイシング
テープ304は外輪402に対して滑らず、従って、ア
ンビル100とリング400、402、410の動作に
よって引っ張られる。
【0015】図7Aと図7Bは、第三のリング410を
用いた引っ張り手段の代替案を示す。図7Aと図7Bに
おいて、外輪700は図6Aと図6Bの外輪402より
も大きい。これにより内輪400は外輪700の上端の
位置から滑って、外輪700の下端の位置に到り、この
間にダイシングテープ304が引っ張られる。
用いた引っ張り手段の代替案を示す。図7Aと図7Bに
おいて、外輪700は図6Aと図6Bの外輪402より
も大きい。これにより内輪400は外輪700の上端の
位置から滑って、外輪700の下端の位置に到り、この
間にダイシングテープ304が引っ張られる。
【0016】図8Aと図8Bは引っ張り手段のもう一つ
の代替案を示す。図7Aと図7Bの場合と同様に大きく
された外輪700を使用しているが、内輪400を外輪
700に対して滑らせる代わりに、内側に割りリング8
00を用いている。この割りリング(split ri
ng )800は、最初は圧縮されて内輪400の内側
に保持されている。アンビルの縁104が、内輪400
の代わりに割りリング800とかみ合い、割りリング8
00を下方へ圧し下げて、内輪400を通過する。割り
リング800が内輪400を通過し終えると、割りリン
グ800は外輪700に対して展開し、ダイシングテー
プ304を引っ張る。ダイシングテープ304を引き伸
ばすため、または、ダイシングテープ304がアンビル
100で引っ張られた後にダイシングテープ304をぴ
んと張っておくために、多数の代替の引っ張り手段を利
用できる。
の代替案を示す。図7Aと図7Bの場合と同様に大きく
された外輪700を使用しているが、内輪400を外輪
700に対して滑らせる代わりに、内側に割りリング8
00を用いている。この割りリング(split ri
ng )800は、最初は圧縮されて内輪400の内側
に保持されている。アンビルの縁104が、内輪400
の代わりに割りリング800とかみ合い、割りリング8
00を下方へ圧し下げて、内輪400を通過する。割り
リング800が内輪400を通過し終えると、割りリン
グ800は外輪700に対して展開し、ダイシングテー
プ304を引っ張る。ダイシングテープ304を引き伸
ばすため、または、ダイシングテープ304がアンビル
100で引っ張られた後にダイシングテープ304をぴ
んと張っておくために、多数の代替の引っ張り手段を利
用できる。
【0017】以上に、特定の実施例について、ウェーハ
を解体し分割する装置とその方法を説明してきたが、こ
れらの詳細な説明は、この発明を後述するクレームに示
す範囲のほかに限定して考えることを目的とするもので
はない。さらに、この発明をいくつかの詳細な実施例と
結びつけて説明したので、さらなる修正例が当業者にお
のずから暗示されることを理解すべきである。添付する
クレームの範囲に入るすべてのそうした修正をカバーす
ることを意図している。
を解体し分割する装置とその方法を説明してきたが、こ
れらの詳細な説明は、この発明を後述するクレームに示
す範囲のほかに限定して考えることを目的とするもので
はない。さらに、この発明をいくつかの詳細な実施例と
結びつけて説明したので、さらなる修正例が当業者にお
のずから暗示されることを理解すべきである。添付する
クレームの範囲に入るすべてのそうした修正をカバーす
ることを意図している。
【0018】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。
る。
【0019】(1) 一個のウェーハを複数のウェーハ
部分に分割する方法であって、フレキシブルな薄膜上に
ウェーハを装着すること、このウェーハをアンビルで変
形させてこのウェーハを複数のウェーハ部分に分割する
こと、この薄膜を引っ張ってこれらのウェーハ部分を空
間的に分割することを含んでなる方法。
部分に分割する方法であって、フレキシブルな薄膜上に
ウェーハを装着すること、このウェーハをアンビルで変
形させてこのウェーハを複数のウェーハ部分に分割する
こと、この薄膜を引っ張ってこれらのウェーハ部分を空
間的に分割することを含んでなる方法。
【0020】(2) ウェーハ部分の間に変形のステッ
プに先立ってウェーハを弱めた領域があり、弱めること
により弱めた領域の解体を容易にした第1項記載の方
法。
プに先立ってウェーハを弱めた領域があり、弱めること
により弱めた領域の解体を容易にした第1項記載の方
法。
【0021】(3) 変形のステップが、薄膜をアンビ
ルに接触させること、アンビルの内側部分をからにし
て、薄膜がアンビルに押し付けられるようにすることを
含んでなる第1項記載の方法。
ルに接触させること、アンビルの内側部分をからにし
て、薄膜がアンビルに押し付けられるようにすることを
含んでなる第1項記載の方法。
【0022】(4) フレキシブルな薄膜が内輪と外輪
の間に保持されて、引っ張りのステップが、内輪を第三
のリングへ圧することを含んでなる第1項記載の方法。
の間に保持されて、引っ張りのステップが、内輪を第三
のリングへ圧することを含んでなる第1項記載の方法。
【0023】(5) フレキシブルな薄膜が内輪と外輪
の第一の部分の間に保持され、引っ張りのステップが内
輪を外輪の第二の部分へ圧することを含んでなる第1項
記載の方法。
の第一の部分の間に保持され、引っ張りのステップが内
輪を外輪の第二の部分へ圧することを含んでなる第1項
記載の方法。
【0024】(6) フレキシブルな薄膜が内輪と外輪
の第一の部分の間に保持され、引っ張りのステップが割
りリングを外輪の第二の部分へ圧することを含んでなる
第1項記載の方法。
の第一の部分の間に保持され、引っ張りのステップが割
りリングを外輪の第二の部分へ圧することを含んでなる
第1項記載の方法。
【0025】(7) アンビルと、フレキシブルな薄膜
を支持するテープ枠であってそこでウェーハがこのフレ
キシブルな薄膜の片面に貼付されるテープ枠と、アンビ
ルがフレキシブルな薄膜とこのウェーハを変形する間こ
のテープ枠を支持することによりウエーハを個別のデバ
イスに解体する基部固定装置と、フレキシブルな薄膜を
引っ張って個別のデバイスに空間的に分割する手段とを
含んでなるウェーハをデバイスに分割する装置。
を支持するテープ枠であってそこでウェーハがこのフレ
キシブルな薄膜の片面に貼付されるテープ枠と、アンビ
ルがフレキシブルな薄膜とこのウェーハを変形する間こ
のテープ枠を支持することによりウエーハを個別のデバ
イスに解体する基部固定装置と、フレキシブルな薄膜を
引っ張って個別のデバイスに空間的に分割する手段とを
含んでなるウェーハをデバイスに分割する装置。
【0026】(8) テープ枠は内輪と外輪を含んでな
り、フレキシブルな薄膜が内輪と外輪の第一の部分の間
に保持されている第7項記載の装置。
り、フレキシブルな薄膜が内輪と外輪の第一の部分の間
に保持されている第7項記載の装置。
【0027】(9) フレキシブルな薄膜を引っ張る手
段が、内輪を第三のリングへ圧することを含んでなる第
8項記載の装置。
段が、内輪を第三のリングへ圧することを含んでなる第
8項記載の装置。
【0028】(10) フレキシブルな薄膜を引っ張る
手段が、内輪を外輪の第二の部分へ圧することを含んで
なる第8項記載の装置。
手段が、内輪を外輪の第二の部分へ圧することを含んで
なる第8項記載の装置。
【0029】(11) フレキシブルな薄膜を引っ張る
手段が、内輪から割りリングを押し出して、割りリング
が展開して薄膜を外輪の第二の部分へ押しつけるように
するアンビルの縁を含んでなる第8項記載の装置。 (12) 一つのウェーハを複数の個別のデバイスに解
体する装置およびこれを使用する方法。アンビル100
が、ウェーハ300を付けたフレキシブルな薄膜を圧す
る。アンビル100が用いる真空がフレキシブルな薄膜
とウェーハ300をアンビル100の面に圧することを
可能にする。フレキシブルな薄膜がアンビル100に圧
されて変形させられるときに、ウェーハ300が解体し
て個別のデバイスになる。ウェーハ300が解体すると
きに生ずるさいの目切りの破片は基部固定装置408へ
落ちるので、この破片が装置に接触し損傷することは無
い。
手段が、内輪から割りリングを押し出して、割りリング
が展開して薄膜を外輪の第二の部分へ押しつけるように
するアンビルの縁を含んでなる第8項記載の装置。 (12) 一つのウェーハを複数の個別のデバイスに解
体する装置およびこれを使用する方法。アンビル100
が、ウェーハ300を付けたフレキシブルな薄膜を圧す
る。アンビル100が用いる真空がフレキシブルな薄膜
とウェーハ300をアンビル100の面に圧することを
可能にする。フレキシブルな薄膜がアンビル100に圧
されて変形させられるときに、ウェーハ300が解体し
て個別のデバイスになる。ウェーハ300が解体すると
きに生ずるさいの目切りの破片は基部固定装置408へ
落ちるので、この破片が装置に接触し損傷することは無
い。
【図1】この発明の一実施例で、半導体のウェーハを解
体するのに用いるアンビルの平面図である。
体するのに用いるアンビルの平面図である。
【図2】図1のアンビルの横断面図であって、アンビル
の裏側に接触させたバキュームカバーを示している。
の裏側に接触させたバキュームカバーを示している。
【図3】部分的に鋸びきされた筋道を有し、テープ枠が
保持する一片のダイシングテープに貼付された半導体ウ
ェーハの透視図。
保持する一片のダイシングテープに貼付された半導体ウ
ェーハの透視図。
【図4】基部固定装置の中に置かれた図3のウェーハ、
ダイシングテープ、テープ枠の横断面図。
ダイシングテープ、テープ枠の横断面図。
【図5】図4に示したダイシングテープとテープ枠に付
けられたウェーハを解体し分解するアンビルを示す一連
の横断面図。
けられたウェーハを解体し分解するアンビルを示す一連
の横断面図。
【図6】引っ張り手段の一実施例を示す一連の横断面
図。
図。
【図7】引っ張り手段の他の実施例を示す一連の横断面
図。
図。
【図8】引っ張り手段の他の実施例を示す一連の横断面
図。
図。
100 アンビル 200 バキュームカバー 300 ウェーハ 302 デバイス 304 ダイシングテープ(フレキシブルシブルな薄膜
の例) 306 テープ枠 400 内輪 402 外輪 408 基部固定装置
の例) 306 テープ枠 400 内輪 402 外輪 408 基部固定装置
Claims (2)
- 【請求項1】 一個のウェーハを複数のウェーハ部分に
分割する方法であって、フレキシブルな薄膜上にウェー
ハを装着すること、このウェーハをアンビルで変形させ
てこのウェーハを複数のウェーハ部分に分割すること、
この薄膜を引っ張ってこれらのウェーハ部分を空間的に
分割することを含んでなる方法。 - 【請求項2】 アンビルと、フレキシブルな薄膜を支持
するテープ枠であってそこでウェーハがこのフレキシブ
ルな薄膜の片面に貼付されるテープ枠と、アンビルがフ
レキシブルな薄膜とこのウェーハを変形する間このテー
プ枠を支持することによりウエーハを個別のデバイスに
解体する基部固定装置と、フレキシブルな薄膜を引っ張
って個別のデバイスに空間的に分割する手段とを含んで
なるウェーハをデバイスに分割する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/367,970 US5710065A (en) | 1995-01-03 | 1995-01-03 | Method and apparatus for breaking and separating dies from a wafer |
| US367970 | 2003-02-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236485A true JPH08236485A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=23449357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7343743A Pending JPH08236485A (ja) | 1995-01-03 | 1995-12-28 | ウェーハからダイを解体し分割する方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5710065A (ja) |
| EP (1) | EP0721208A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08236485A (ja) |
| KR (1) | KR960030356A (ja) |
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| JP2010177340A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | ダイシング方法およびエキスパンド装置 |
| JP2020188137A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | ハイソル株式会社 | ウェハチャック及びチャックリング |
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| US6184063B1 (en) * | 1996-11-26 | 2001-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for breaking and separating a wafer into die using a multi-radii dome |
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- 1995-12-28 JP JP7343743A patent/JPH08236485A/ja active Pending
- 1995-12-29 KR KR1019950067686A patent/KR960030356A/ko not_active Withdrawn
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- 1997-09-11 US US08/927,430 patent/US5979728A/en not_active Expired - Lifetime
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