JPH08236705A - マルチチップモジュール用薄膜コンデンサの誘電材料 - Google Patents
マルチチップモジュール用薄膜コンデンサの誘電材料Info
- Publication number
- JPH08236705A JPH08236705A JP4162995A JP4162995A JPH08236705A JP H08236705 A JPH08236705 A JP H08236705A JP 4162995 A JP4162995 A JP 4162995A JP 4162995 A JP4162995 A JP 4162995A JP H08236705 A JPH08236705 A JP H08236705A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- dielectric material
- sputtering
- mcm
- capacitor
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＣＭ用薄膜コンデンサに関し、使用温度範
囲において高い誘電率を示すセラミックコンデンサ用誘
電材料の実用化を目的とする。 【構成】 高周波電力比が９：１〜７：３の範囲でＢa
Ｔi Ｏ3 とＢa Ｚr Ｏ3を共スパッタして形成したＢa
（Ｔi1-xＺr x ) Ｏ3 を用いてＭＣＭ用薄膜コンデンサ
の誘電材料を構成する。
囲において高い誘電率を示すセラミックコンデンサ用誘
電材料の実用化を目的とする。 【構成】 高周波電力比が９：１〜７：３の範囲でＢa
Ｔi Ｏ3 とＢa Ｚr Ｏ3を共スパッタして形成したＢa
（Ｔi1-xＺr x ) Ｏ3 を用いてＭＣＭ用薄膜コンデンサ
の誘電材料を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマルチチップモジュール
（以下略してＭＣＭ）に使用される薄膜コンデンサの誘
電材料に関する。
（以下略してＭＣＭ）に使用される薄膜コンデンサの誘
電材料に関する。
【０００２】大量の情報を迅速に処理する必要から情報
処理装置は大容量化が行われており、ＬＳＩやＶＬＳＩ
などの集積回路をマトリックス状に配列してなるＭＣＭ
の実用化が進められている。
処理装置は大容量化が行われており、ＬＳＩやＶＬＳＩ
などの集積回路をマトリックス状に配列してなるＭＣＭ
の実用化が進められている。
【０００３】こゝで、ＭＣＭを構成するセラミック多層
回路基板は、この基板上部に高速信号を処理し、また、
多大の発熱を伴うＬＳＩやＶＬＳＩなどの集積回路をマ
トリックス状に配列して装着することから基板材料とし
て窒化アルミニウム（Ａl Ｎ）など耐熱性と熱伝導性の
優れたセラミック基板が用いられている。
回路基板は、この基板上部に高速信号を処理し、また、
多大の発熱を伴うＬＳＩやＶＬＳＩなどの集積回路をマ
トリックス状に配列して装着することから基板材料とし
て窒化アルミニウム（Ａl Ｎ）など耐熱性と熱伝導性の
優れたセラミック基板が用いられている。
【０００４】そして、多層回路基板の製造方法として
は、Ａl Ｎなどのセラミック粉末に少量の焼結助剤とバ
インダおよび分散剤を加え、良く混練してスラリーを作
り、このスラリーをドクターブレード法によりグリーン
シートを形成してバイアホールを孔あけした後、このグ
リーンシートにタングステン（Ｗ）ペーストを印刷して
電源線路やアース線路などのパターン形成を行い、積層
して一体化して後、窒素（Ｎ2 ）ガスのような不活性ガ
ス雰囲気中で脱脂し、高温にまで加熱して焼結させるこ
とによりビア（Via ）により回路接続された多層回路基
板が作られる。
は、Ａl Ｎなどのセラミック粉末に少量の焼結助剤とバ
インダおよび分散剤を加え、良く混練してスラリーを作
り、このスラリーをドクターブレード法によりグリーン
シートを形成してバイアホールを孔あけした後、このグ
リーンシートにタングステン（Ｗ）ペーストを印刷して
電源線路やアース線路などのパターン形成を行い、積層
して一体化して後、窒素（Ｎ2 ）ガスのような不活性ガ
ス雰囲気中で脱脂し、高温にまで加熱して焼結させるこ
とによりビア（Via ）により回路接続された多層回路基
板が作られる。
【０００５】次に、かゝる基板の上に真空蒸着やスパッ
タなどの薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグラフ
ィ）を用いて多数の微細な信号線路をパターン形成した
後、この上にポリイミドや二酸化シリコン（Ｓi Ｏ2 ）
などの耐熱性材料を用いて層間絶縁層を作り、この絶縁
層上にＬＳＩやＶＬＳＩなどの集積回路を搭載し、ビア
により信号線路に回路接続することでＭＣＭが形成され
ている。
タなどの薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグラフ
ィ）を用いて多数の微細な信号線路をパターン形成した
後、この上にポリイミドや二酸化シリコン（Ｓi Ｏ2 ）
などの耐熱性材料を用いて層間絶縁層を作り、この絶縁
層上にＬＳＩやＶＬＳＩなどの集積回路を搭載し、ビア
により信号線路に回路接続することでＭＣＭが形成され
ている。
【０００６】本発明はかゝるＭＣＭに使用される薄膜コ
ンデンサに関するものである。
ンデンサに関するものである。
【０００７】
【従来の技術】先に記したように、ＭＣＭはＡl Ｎなど
よりなる多層回路基板上にＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導
体集積回路（以下略してＬＳＩ）をマトリックス状に配
列して形成されているが、ＬＳＩを構成している多数の
トランジスタが同時にスイッチング動作を行う場合に
は、配線が有するインダクタンスの影響により電源電圧
が変動し、この際に発生する高速のノイズによりＬＳＩ
が誤動作すると云う問題がある。
よりなる多層回路基板上にＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導
体集積回路（以下略してＬＳＩ）をマトリックス状に配
列して形成されているが、ＬＳＩを構成している多数の
トランジスタが同時にスイッチング動作を行う場合に
は、配線が有するインダクタンスの影響により電源電圧
が変動し、この際に発生する高速のノイズによりＬＳＩ
が誤動作すると云う問題がある。
【０００８】そこで、この対策としてセラミックよりな
るチップコンデンサをＬＳＩの近傍に配置することが行
われている。然し、チップコンデンサとＬＳＩとを回路
接続する配線のもつインダクタンスによって、このチッ
プコンデンサは所謂るデカップリングコンデンサとして
充分には機能しておらず、また、装着するチップコンデ
ンサが相当の面積を必要とすることから、このチップコ
ンデンサの存在によりＭＣＭの小形化が妨げられてい
る。
るチップコンデンサをＬＳＩの近傍に配置することが行
われている。然し、チップコンデンサとＬＳＩとを回路
接続する配線のもつインダクタンスによって、このチッ
プコンデンサは所謂るデカップリングコンデンサとして
充分には機能しておらず、また、装着するチップコンデ
ンサが相当の面積を必要とすることから、このチップコ
ンデンサの存在によりＭＣＭの小形化が妨げられてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＭＣＭに使用されるデ
カップリングコンデンサとして現状ではセラミックチッ
プコンデンサが使われているが、このチップコンデンサ
とＬＳＩを結ぶ配線の有するインダクタンスによって、
スイッチングノイズが充分には除去できず、一方、チッ
プコンデンサはＬＳＩが搭載されていると同じ基板面上
に搭載されることから、ＭＣＭの小形化が妨げられると
云う問題がある。
カップリングコンデンサとして現状ではセラミックチッ
プコンデンサが使われているが、このチップコンデンサ
とＬＳＩを結ぶ配線の有するインダクタンスによって、
スイッチングノイズが充分には除去できず、一方、チッ
プコンデンサはＬＳＩが搭載されていると同じ基板面上
に搭載されることから、ＭＣＭの小形化が妨げられると
云う問題がある。
【００１０】そこで、この解決法としてチップコンデン
サの搭載を無くし、その代わりに信号線路がパターン形
成してある信号層に薄膜コンデンサを形成し、この上に
層間絶縁層を介してＬＳＩを配列すると面積をとらずに
効果的である。
サの搭載を無くし、その代わりに信号線路がパターン形
成してある信号層に薄膜コンデンサを形成し、この上に
層間絶縁層を介してＬＳＩを配列すると面積をとらずに
効果的である。
【００１１】さて、今まで高誘電率材料として薄膜形成
に用いられている材料としては、チタン酸ストロンチウ
ム（Ｓr Ｔi Ｏ3 ），チタン酸ストロンチウム酸バリウ
ム〔Ｂa （Ｔi1-xＳr x ) Ｏ3 〕，チタン酸ジルコン酸
鉛〔Ｐb （Ｔi1-xＺr x ) Ｏ 3 略称ＰＺＴ〕などがあ
る。然し、Ｓr Ｔi Ｏ3 とＢa （Ｔi1-xＳr x ) Ｏ3 に
ついては誘電率が小さく、また、スパッタ法で成膜する
場合に成膜速度が遅いと云う問題がある。
に用いられている材料としては、チタン酸ストロンチウ
ム（Ｓr Ｔi Ｏ3 ），チタン酸ストロンチウム酸バリウ
ム〔Ｂa （Ｔi1-xＳr x ) Ｏ3 〕，チタン酸ジルコン酸
鉛〔Ｐb （Ｔi1-xＺr x ) Ｏ 3 略称ＰＺＴ〕などがあ
る。然し、Ｓr Ｔi Ｏ3 とＢa （Ｔi1-xＳr x ) Ｏ3 に
ついては誘電率が小さく、また、スパッタ法で成膜する
場合に成膜速度が遅いと云う問題がある。
【００１２】また、層間絶縁層上に形成される信号線路
は銅（Ｃu ）を用いて形成されるが、この配線パターン
の形成は還元雰囲気で行われることから、蒸気圧の高い
Ｐbを含むＰＺＴの使用は適当ではない。これらのこと
から、従来のコンデンサ用セラミック材料の使用は適当
ではなく、これに代わるセラミック材料を実用化するこ
とが課題である。
は銅（Ｃu ）を用いて形成されるが、この配線パターン
の形成は還元雰囲気で行われることから、蒸気圧の高い
Ｐbを含むＰＺＴの使用は適当ではない。これらのこと
から、従来のコンデンサ用セラミック材料の使用は適当
ではなく、これに代わるセラミック材料を実用化するこ
とが課題である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題はＭＣＭ用薄
膜コンデンサの誘電体を形成する材料がチタン酸バリウ
ム（Ｂa Ｔi Ｏ3 ）とジルコン酸バリウム（Ｂa Ｚr Ｏ
3 ）の二元スパッタにより得られるチタン酸ジルコン酸
バリウム〔Ｂa （Ｔi1-xＺr x ) Ｏ3 〕よりなり、その
際の高周波電力比が９：１〜７：３の範囲で生じた材料
を用いてＭＣＭ用薄膜コンデンサを構成することにより
解決することができる。
膜コンデンサの誘電体を形成する材料がチタン酸バリウ
ム（Ｂa Ｔi Ｏ3 ）とジルコン酸バリウム（Ｂa Ｚr Ｏ
3 ）の二元スパッタにより得られるチタン酸ジルコン酸
バリウム〔Ｂa （Ｔi1-xＺr x ) Ｏ3 〕よりなり、その
際の高周波電力比が９：１〜７：３の範囲で生じた材料
を用いてＭＣＭ用薄膜コンデンサを構成することにより
解決することができる。
【００１４】
【作用】ＭＣＭ用薄膜コンデンサは小面積で大静電容量
を実現できることが必要であり、そのための必要条件と
して、 誘電率（ε）が大きなこと、 誘電損失（tan δ) が小さいこと、 耐熱性が優れていること、 などを挙げることができ、この観点からはＢa Ｔi Ｏ3
のような強誘電体セラミック材料が適しており、薄膜コ
ンデンサの誘電体としても使用されている。
を実現できることが必要であり、そのための必要条件と
して、 誘電率（ε）が大きなこと、 誘電損失（tan δ) が小さいこと、 耐熱性が優れていること、 などを挙げることができ、この観点からはＢa Ｔi Ｏ3
のような強誘電体セラミック材料が適しており、薄膜コ
ンデンサの誘電体としても使用されている。
【００１５】すなわち、Ｂa Ｔi Ｏ3 焼結体をターゲッ
トとし、成分の分解を防ぐために約１パスカルの酸素
（Ｏ2 ）雰囲気中でスパッタ処理を行うことによりＢa
Ｔi Ｏ 3 薄膜を形成することができる。
トとし、成分の分解を防ぐために約１パスカルの酸素
（Ｏ2 ）雰囲気中でスパッタ処理を行うことによりＢa
Ｔi Ｏ 3 薄膜を形成することができる。
【００１６】然しながら、Ｂa Ｔi Ｏ3 結晶のキュリー
（Curie)点は120 ℃であり、このキュリー温度の近傍に
おいて誘電率（ε）は12000 にも達する高い値を示すも
のゝ、常温においては数100 にまで減少する性質があ
る。すなわち、Ｂa Ｔi Ｏ3 はペロブスカイト（Perovs
kite) 構造をとり、キュリー点以上では立方晶系（Cubi
c)であるが、それ以下の温度では正方晶系(Tetragonal)
となり、0 ℃付近では斜方晶系(Orthorhombic)に変わ
り、またー80℃以下では菱面体晶系(Rhombohedral)に変
わることから、結晶系の変化と共に誘電率（ε）が変化
している。
（Curie)点は120 ℃であり、このキュリー温度の近傍に
おいて誘電率（ε）は12000 にも達する高い値を示すも
のゝ、常温においては数100 にまで減少する性質があ
る。すなわち、Ｂa Ｔi Ｏ3 はペロブスカイト（Perovs
kite) 構造をとり、キュリー点以上では立方晶系（Cubi
c)であるが、それ以下の温度では正方晶系(Tetragonal)
となり、0 ℃付近では斜方晶系(Orthorhombic)に変わ
り、またー80℃以下では菱面体晶系(Rhombohedral)に変
わることから、結晶系の変化と共に誘電率（ε）が変化
している。
【００１７】そこで、Ｂa Ｔi Ｏ3 を主体とするチップ
コンデンサにおいては、常温において大きな誘電率
（ε）を実現するために、各種元素の酸化物を添加し、
キュリー点を常温近傍に下げることが行われている。
コンデンサにおいては、常温において大きな誘電率
（ε）を実現するために、各種元素の酸化物を添加し、
キュリー点を常温近傍に下げることが行われている。
【００１８】すなわち、酸化チタン（Ｔi Ｏ2 ）や炭酸
バリウム（Ｂa ＣＯ3 ）などの原料粉末を混合する際に
各種元素の酸化物を添加し、これを混練して作った成形
体を高温で焼成することにより、キュリー点や温度係数
を移動させたセラミックスを実現している。
バリウム（Ｂa ＣＯ3 ）などの原料粉末を混合する際に
各種元素の酸化物を添加し、これを混練して作った成形
体を高温で焼成することにより、キュリー点や温度係数
を移動させたセラミックスを実現している。
【００１９】これに対し、発明者等はキュリー点を下げ
る方法として、Ｂa Ｔi Ｏ3 と同様にペロブスカイト構
造をとるＢa Ｚr Ｏ3 を同時にスパッタ（二元スパッ
タ）してＢa （Ｔi1-xＺr x ) Ｏ3 の構造をもつ薄膜を
作り、これにより常温においてＢa Ｔi Ｏ3 よりも誘電
率（ε）の大きなコンデンサ用誘電材料を実現するもの
である。
る方法として、Ｂa Ｔi Ｏ3 と同様にペロブスカイト構
造をとるＢa Ｚr Ｏ3 を同時にスパッタ（二元スパッ
タ）してＢa （Ｔi1-xＺr x ) Ｏ3 の構造をもつ薄膜を
作り、これにより常温においてＢa Ｔi Ｏ3 よりも誘電
率（ε）の大きなコンデンサ用誘電材料を実現するもの
である。
【００２０】すなわち、ターゲットに対する電力比を変
えてスパッタを行うことにより、組成比の異なる化合物
を作ることができるが、この場合はＢa （Ｔi1-x Ｚr
x ）Ｏ3 ，但しｘはＺr の置換量で表わすことができ、
ペロブスカイト構造をとるＢサイトのＴi がＺr に置換
されてゆき、それに従ってキュリー点が低下する。
えてスパッタを行うことにより、組成比の異なる化合物
を作ることができるが、この場合はＢa （Ｔi1-x Ｚr
x ）Ｏ3 ，但しｘはＺr の置換量で表わすことができ、
ペロブスカイト構造をとるＢサイトのＴi がＺr に置換
されてゆき、それに従ってキュリー点が低下する。
【００２１】本発明はＢa Ｔi Ｏ3 ターゲットとＢa Ｚ
r Ｏ3 ターゲットに対する高周波電力比を９：１〜７：
３として二元スパッタを行うことにより、常温において
ＢaＴi Ｏ3 よりも大きな誘電率を示すセラミックスを
得るものである。
r Ｏ3 ターゲットに対する高周波電力比を９：１〜７：
３として二元スパッタを行うことにより、常温において
ＢaＴi Ｏ3 よりも大きな誘電率を示すセラミックスを
得るものである。
【００２２】なお、スパッタにより得られる誘電体薄膜
の誘電率はバルクの誘電率に比較して桁違いに小さくな
るが、この理由はスパッタを行う際に基板温度を充分高
くとることが困難であり、そのために結晶粒が小さく、
充分なドメイン構造をとることができないためである。
の誘電率はバルクの誘電率に比較して桁違いに小さくな
るが、この理由はスパッタを行う際に基板温度を充分高
くとることが困難であり、そのために結晶粒が小さく、
充分なドメイン構造をとることができないためである。
【００２３】なお、Ｘ線回折の結果から二元スパッタに
より得られるＢa （Ｔi1-x Ｚr x）Ｏ3 膜の優先的な
面方位は＜１００＞であることが判った。
より得られるＢa （Ｔi1-x Ｚr x）Ｏ3 膜の優先的な
面方位は＜１００＞であることが判った。
【００２４】
【実施例】シリコン（Ｓi ）基板上に熱酸化法によりＳ
i Ｏ2 膜を500nm の厚さに形成し、この上に白金（Ｐt
）膜を100nm の厚さに形成して下側の電極とした。
i Ｏ2 膜を500nm の厚さに形成し、この上に白金（Ｐt
）膜を100nm の厚さに形成して下側の電極とした。
【００２５】次に、Ｂa Ｔi Ｏ3 の焼結体とＢa Ｚr Ｏ
3 の焼結体をターゲットとして上記基板と共に高周波マ
グネトロンスパッタ装置に装着し、次の条件で二元スパ
ッタを行った。
3 の焼結体をターゲットとして上記基板と共に高周波マ
グネトロンスパッタ装置に装着し、次の条件で二元スパ
ッタを行った。
【００２６】 成膜温度・・・・・・・・・・・・・・・・・・500 ℃ ガス圧 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・１Ｐa ガスの組成（Ａr ：Ｏ2)・・・・・・・・・・・９：１ Ｂa Ｔi Ｏ3 への高周波電力・・・・・・・・・1.6 〜3.2 Ｗ／cm2 Ｂa Ｚr Ｏ3 への高周波電力・・・・・・・・・０ 〜1.6 Ｗ／cm2 スパッタ時間 ・・・・・・・・・・・・・・・５時間 そして、両者の電力比を10：０より５：５の範囲に変え
てスパッタを行い、薄膜の結晶方位はＸ線回折法（ＸＲ
Ｄ）で、化学組成は誘導結合プラズマ発光分光分析法
（Inductively Coupled Plasma Method 略称ＩＣＰ）で
測定し、また、この上にスパッタ法によりＰt 膜を100n
m の厚さに形成してコンデンサを作り、静電容量をイン
ピーダンス・アナライザ(Impedance／Gain Phase Analy
zer)を用いて測定した。
てスパッタを行い、薄膜の結晶方位はＸ線回折法（ＸＲ
Ｄ）で、化学組成は誘導結合プラズマ発光分光分析法
（Inductively Coupled Plasma Method 略称ＩＣＰ）で
測定し、また、この上にスパッタ法によりＰt 膜を100n
m の厚さに形成してコンデンサを作り、静電容量をイン
ピーダンス・アナライザ(Impedance／Gain Phase Analy
zer)を用いて測定した。
【００２７】その結果、Ｂa （Ｔi1-x Ｚr x ）Ｏ3 膜
の形成に当たってＢa Ｔi Ｏ3 ターゲットとＢa Ｚr Ｏ
3 ターゲットに対する高周波電力比とＢa （Ｔi1-x Ｚ
r x）Ｏ3 膜のｘの値との関係は次のようになった。
の形成に当たってＢa Ｔi Ｏ3 ターゲットとＢa Ｚr Ｏ
3 ターゲットに対する高周波電力比とＢa （Ｔi1-x Ｚ
r x）Ｏ3 膜のｘの値との関係は次のようになった。
【００２８】 高周波電力比が10：０の場合 ・・・・・・・・・０ 高周波電力比が９：１の場合 ・・・・・・・・・0.015 高周波電力比が８：２の場合 ・・・・・・・・・0.082 高周波電力比が７：３の場合 ・・・・・・・・・0.209 次に、図１はターゲットへの電力供給比を変えてスパッ
タした場合の誘電率に及ぼす影響を示すもので、高周波
電力比が９：１の場合、すなわち、Ｂa （Ｔi 0.985 Ｚr
0.015）Ｏ3 の場合に約150 の誘電率を示し、この値は
Ｂa Ｔi Ｏ3 の示す約105 より優っている。
タした場合の誘電率に及ぼす影響を示すもので、高周波
電力比が９：１の場合、すなわち、Ｂa （Ｔi 0.985 Ｚr
0.015）Ｏ3 の場合に約150 の誘電率を示し、この値は
Ｂa Ｔi Ｏ3 の示す約105 より優っている。
【００２９】
【発明の効果】本発明はデカップリングコンデンサを最
上層の下の信号層に形成し、この信号層の上に絶縁層を
形成し、この上に多数のＬＳＩを搭載すると共に、この
絶縁層に設けたビアによりＬＳＩと回路接続する構成を
とるＭＣＭにおいて、デカップリングコンデンサの誘電
体としてＢa Ｔi Ｏ3 とＢa Ｚr Ｏ3 とを二元スパッタ
したＢa （Ｔi1-x Ｚr x ）Ｏ3 膜が優れていることを
示すもので、この材料の使用により、ＭＣＭの小型化が
可能となる。
上層の下の信号層に形成し、この信号層の上に絶縁層を
形成し、この上に多数のＬＳＩを搭載すると共に、この
絶縁層に設けたビアによりＬＳＩと回路接続する構成を
とるＭＣＭにおいて、デカップリングコンデンサの誘電
体としてＢa Ｔi Ｏ3 とＢa Ｚr Ｏ3 とを二元スパッタ
したＢa （Ｔi1-x Ｚr x ）Ｏ3 膜が優れていることを
示すもので、この材料の使用により、ＭＣＭの小型化が
可能となる。
【図１】 スパッタ比の誘電率に及ぼす影響を示す図で
ある。
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムとジルコン酸バリウム
の二元スパッタにより得られるチタン酸ジルコン酸バリ
ウムよりなることを特徴とするマルチチップモジュール
用薄膜コンデンサの誘電材料。 - 【請求項２】 前記チタン酸バリウムとジルコン酸バリ
ウムのスパッタにおける高周波電力比が９：１〜７：３
の範囲で形成されたものであることを特徴とする請求項
１記載のマルチチップモジュール用薄膜コンデンサの誘
電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162995A JPH08236705A (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | マルチチップモジュール用薄膜コンデンサの誘電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162995A JPH08236705A (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | マルチチップモジュール用薄膜コンデンサの誘電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236705A true JPH08236705A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12613629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4162995A Withdrawn JPH08236705A (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | マルチチップモジュール用薄膜コンデンサの誘電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1054166C (zh) * | 1997-11-14 | 2000-07-05 | 中国科学院固体物理研究所 | 尺寸可控的纳米级银颗粒镶嵌在钛酸钡薄膜中的制备方法 |
| KR100451569B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2004-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수소배리어막을 구비한 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-03-01 JP JP4162995A patent/JPH08236705A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1054166C (zh) * | 1997-11-14 | 2000-07-05 | 中国科学院固体物理研究所 | 尺寸可控的纳米级银颗粒镶嵌在钛酸钡薄膜中的制备方法 |
| KR100451569B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2004-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수소배리어막을 구비한 반도체 장치의 제조 방법 |
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