JPH08236934A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH08236934A JPH08236934A JP3568195A JP3568195A JPH08236934A JP H08236934 A JPH08236934 A JP H08236934A JP 3568195 A JP3568195 A JP 3568195A JP 3568195 A JP3568195 A JP 3568195A JP H08236934 A JPH08236934 A JP H08236934A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 23
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】有機高分子材料を層間絶縁膜とした多層配線基
板の製造において、配線基板表面の凹凸を低減させた製
造方法を提供する。 【構成】（ａ）基板１上に有機高分子材料からなる絶縁
膜２を形成した後、１層目の配線を形成する工程と、
（ｂ）有機高分子材料からなる層間絶縁膜５を形成し、
バイアホール６を形成する工程と、（ｃ）下地導体膜３
ｂを形成した後フォトレジスト層７を形成する工程と、
（ｄ）バイアホール６部分を露光し、下地導体膜３ｂを
露出させる工程と、（ｅ）バイアホール６内部をめっき
金属で充填する工程と、（ｆ）再度フォトレジスト層７
を形成し、露光、現像して配線パターンを形成する工程
と、（ｇ）導体４ｂを形成して２層目の配線を形成する
工程と、（ｈ）フォトレジスト７、および導体４ｂの形
成されていない下地導体膜３ｂを除去する工程とからな
る。
板の製造において、配線基板表面の凹凸を低減させた製
造方法を提供する。 【構成】（ａ）基板１上に有機高分子材料からなる絶縁
膜２を形成した後、１層目の配線を形成する工程と、
（ｂ）有機高分子材料からなる層間絶縁膜５を形成し、
バイアホール６を形成する工程と、（ｃ）下地導体膜３
ｂを形成した後フォトレジスト層７を形成する工程と、
（ｄ）バイアホール６部分を露光し、下地導体膜３ｂを
露出させる工程と、（ｅ）バイアホール６内部をめっき
金属で充填する工程と、（ｆ）再度フォトレジスト層７
を形成し、露光、現像して配線パターンを形成する工程
と、（ｇ）導体４ｂを形成して２層目の配線を形成する
工程と、（ｈ）フォトレジスト７、および導体４ｂの形
成されていない下地導体膜３ｂを除去する工程とからな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩなどの電子部品
の実装基板として用いられる多層配線基板の製造方法に
関する。
の実装基板として用いられる多層配線基板の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＬＳＩなどの電子部品を実装する
回路基板において、高密度化・高速度化の要請が高まっ
ている。これを実現するために、フォトリソグラフィー
の技術を用いて回路配線を形成し、層間絶縁膜には低誘
電率の有機高分子材料を用い、バイアホールによって層
間を接続する多層配線の形成方法が実施されている。こ
のバイアホールの形成には、層間絶縁膜をドライおよび
ウエットのエッチングをする方法や、感光性の層間絶縁
膜を露光、現像する方法が採用されている。その中で、
特に微細な配線を形成しようとするときには、配線形成
にポジ型のフォトレジストを用いる場合が多い。
回路基板において、高密度化・高速度化の要請が高まっ
ている。これを実現するために、フォトリソグラフィー
の技術を用いて回路配線を形成し、層間絶縁膜には低誘
電率の有機高分子材料を用い、バイアホールによって層
間を接続する多層配線の形成方法が実施されている。こ
のバイアホールの形成には、層間絶縁膜をドライおよび
ウエットのエッチングをする方法や、感光性の層間絶縁
膜を露光、現像する方法が採用されている。その中で、
特に微細な配線を形成しようとするときには、配線形成
にポジ型のフォトレジストを用いる場合が多い。
【０００３】以下、感光性の有機高分子材料を層間絶縁
膜に用い、ポジ型のフォトレジストを用いてセミアディ
ティブ法により配線を形成する多層配線基板の製造方法
を図面に基づき説明する。図３は多層配線基板の製造工
程を示す断面図である。
膜に用い、ポジ型のフォトレジストを用いてセミアディ
ティブ法により配線を形成する多層配線基板の製造方法
を図面に基づき説明する。図３は多層配線基板の製造工
程を示す断面図である。
【０００４】まず、図３（ａ）に示すように、基板上に
１層目の配線を形成する。即ち、基板１上の有機高分子
材料からなる絶縁膜２の全面に１層目の下地導体膜３ａ
を形成し、その上にポジ型のフォトレジスト層を形成し
た後、１層目用のポジ型のフォトマスクを用いて１層目
の配線パターンを露光する。その後、これを現像して１
層目の配線パターンを得た後、露出した下地導体膜３ａ
の上に電解めっき膜を析出させて１層目の導体４ａを形
成する（セミアディティブ法）。その後、フォトレジス
ト層、および下地導体膜３ａのうちで導体４ａが形成さ
れていない部分を除去して図３（ａ）に示す１層目の配
線を得る。
１層目の配線を形成する。即ち、基板１上の有機高分子
材料からなる絶縁膜２の全面に１層目の下地導体膜３ａ
を形成し、その上にポジ型のフォトレジスト層を形成し
た後、１層目用のポジ型のフォトマスクを用いて１層目
の配線パターンを露光する。その後、これを現像して１
層目の配線パターンを得た後、露出した下地導体膜３ａ
の上に電解めっき膜を析出させて１層目の導体４ａを形
成する（セミアディティブ法）。その後、フォトレジス
ト層、および下地導体膜３ａのうちで導体４ａが形成さ
れていない部分を除去して図３（ａ）に示す１層目の配
線を得る。
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、１層目の
配線を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間
絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜にバイアホールを形成
する。即ち、１層目の配線を形成した基板上全面にネガ
型の感光性の有機高分子材料からなる層間絶縁膜５を形
成した後、ネガ型のフォトマスクを用いてバイアホール
のパターンを露光する。その後、これを現像して、図３
（ｂ）に示すバイアホール６を形成する。
配線を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間
絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜にバイアホールを形成
する。即ち、１層目の配線を形成した基板上全面にネガ
型の感光性の有機高分子材料からなる層間絶縁膜５を形
成した後、ネガ型のフォトマスクを用いてバイアホール
のパターンを露光する。その後、これを現像して、図３
（ｂ）に示すバイアホール６を形成する。
【０００６】その後、図３（ｃ）に示すように、層間絶
縁膜５およびバイアホール６に下地導体膜３ｂを形成し
た後、ポジ型のフォトレジスト層７を形成する。
縁膜５およびバイアホール６に下地導体膜３ｂを形成し
た後、ポジ型のフォトレジスト層７を形成する。
【０００７】次に、図３（ｄ）に示すように、２層目の
配線パターンを形成する。即ち、ポジ型のフォトマスク
を用いてポジ型のフォトレジスト層７に２層目の配線パ
ターンを露光する。さらに、多重露光用のポジ型のフォ
トマスクを用いてポジ型のフォトレジスト層７のバイア
ホール６の部分をさらに露光する。そして、これを現像
して、図３（ｄ）に示す２層目配線パターンを得る。
配線パターンを形成する。即ち、ポジ型のフォトマスク
を用いてポジ型のフォトレジスト層７に２層目の配線パ
ターンを露光する。さらに、多重露光用のポジ型のフォ
トマスクを用いてポジ型のフォトレジスト層７のバイア
ホール６の部分をさらに露光する。そして、これを現像
して、図３（ｄ）に示す２層目配線パターンを得る。
【０００８】次に、図３（ｅ）に示すように、露出した
２層目の下地導体膜３ｂ上に電解めっき膜を析出させて
２層目の導体４ｂを形成する。その後、フォトレジスト
７、および下地導体膜３ｂのうちで導体４ｂが形成され
ていない部分を除去して、図３（ｆ）に示す２層配線基
板を得る。さらに多層化する場合は、以降同様の操作を
繰り返す。
２層目の下地導体膜３ｂ上に電解めっき膜を析出させて
２層目の導体４ｂを形成する。その後、フォトレジスト
７、および下地導体膜３ｂのうちで導体４ｂが形成され
ていない部分を除去して、図３（ｆ）に示す２層配線基
板を得る。さらに多層化する場合は、以降同様の操作を
繰り返す。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の多層配線基板の
製造方法においては、２層目以降の配線を形成する際
に、層間絶縁膜に形成されたバイアホール部分は層間絶
縁膜の表面部より一段と深くなっているため、２層目の
配線を形成した後でもバイアホール部分に窪みが残る。
以後、積層を繰り返すと、基板表面の平滑性が益々失わ
れてしまう。このため、フォトリソグラフの工程で寸法
精度が悪くなるなどの不具合が生じて歩留まりが低下す
る。また、この窪みのために、バイアホール上に次層の
バイアホールを配置することが困難になるという問題点
を有していた。
製造方法においては、２層目以降の配線を形成する際
に、層間絶縁膜に形成されたバイアホール部分は層間絶
縁膜の表面部より一段と深くなっているため、２層目の
配線を形成した後でもバイアホール部分に窪みが残る。
以後、積層を繰り返すと、基板表面の平滑性が益々失わ
れてしまう。このため、フォトリソグラフの工程で寸法
精度が悪くなるなどの不具合が生じて歩留まりが低下す
る。また、この窪みのために、バイアホール上に次層の
バイアホールを配置することが困難になるという問題点
を有していた。
【００１０】そこで、本発明の目的は、配線基板表面の
凹凸を低減させた多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。
凹凸を低減させた多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の多層配線基板の製造方法は次の工程よりな
る。 （ａ）基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜上に１層目の配線を形成する工程、
（ｂ）１層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材
料からなる層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜にバイア
ホールを形成する工程、（ｃ）層間絶縁膜およびバイア
ホール部分に、下地導体膜を形成した後フォトレジスト
層を形成する工程、（ｄ）フォトマスクを用いてフォト
レジスト層のバイアホール部分を露光し、バイアホール
部分の下地導体膜を露出させる工程、（ｅ）めっきによ
りバイアホール内部をめっき金属で充填する工程、
（ｆ）再度フォトレジスト層を形成し、フォトマスクを
用いて該フォトレジスト層を露光し、現像して配線パタ
ーンを形成する工程、（ｇ）配線パターンに導体を形成
して２層目の配線を形成する工程、（ｈ）フォトレジス
ト、および導体の形成されていない下地導体膜を除去す
る工程。
め、本発明の多層配線基板の製造方法は次の工程よりな
る。 （ａ）基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜上に１層目の配線を形成する工程、
（ｂ）１層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材
料からなる層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜にバイア
ホールを形成する工程、（ｃ）層間絶縁膜およびバイア
ホール部分に、下地導体膜を形成した後フォトレジスト
層を形成する工程、（ｄ）フォトマスクを用いてフォト
レジスト層のバイアホール部分を露光し、バイアホール
部分の下地導体膜を露出させる工程、（ｅ）めっきによ
りバイアホール内部をめっき金属で充填する工程、
（ｆ）再度フォトレジスト層を形成し、フォトマスクを
用いて該フォトレジスト層を露光し、現像して配線パタ
ーンを形成する工程、（ｇ）配線パターンに導体を形成
して２層目の配線を形成する工程、（ｈ）フォトレジス
ト、および導体の形成されていない下地導体膜を除去す
る工程。
【００１２】また、バイアホールは、感光性の有機高分
子材料からなる層間絶縁膜を露光、現像して形成する
か、または、有機高分子材料からなる層間絶縁膜をドラ
イまたはウエットのエッチングをして形成することを特
徴とする。
子材料からなる層間絶縁膜を露光、現像して形成する
か、または、有機高分子材料からなる層間絶縁膜をドラ
イまたはウエットのエッチングをして形成することを特
徴とする。
【００１３】また、配線は、セミアディティブ法または
フルアディティブ法で形成することを特徴とする。
フルアディティブ法で形成することを特徴とする。
【００１４】さらに、層間絶縁膜は感光性ポリイミドで
あることを特徴とする。
あることを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明の多層配線基板の製造方法によれば、バ
イアホール内部にめっき金属を充填するため、従来のよ
うに、バイアホール部分が凹状となっていて２層目以降
の配線を形成した後でバイアホール部分に窪みが残るよ
うなことがなく、多層配線基板表面の凹凸が低減され
る。
イアホール内部にめっき金属を充填するため、従来のよ
うに、バイアホール部分が凹状となっていて２層目以降
の配線を形成した後でバイアホール部分に窪みが残るよ
うなことがなく、多層配線基板表面の凹凸が低減され
る。
【００１６】
【実施例】 （実施例）以下、本発明の多層配線基板の製造方法の実
施例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の多層
配線基板の製造工程を示す断面図であ。同図において、
１０はバイアホール内に充填されためっき金属である。
その他の部分は図３と同一であるので、同一符号を付し
て説明は省略する。
施例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の多層
配線基板の製造工程を示す断面図であ。同図において、
１０はバイアホール内に充填されためっき金属である。
その他の部分は図３と同一であるので、同一符号を付し
て説明は省略する。
【００１７】まず、図１（ａ）に示すように、基板上に
１層目の配線を形成した。即ち、純度９９．５％のアル
ミナ製の基板１の上に、感光性ポリイミド（例えば、東
レ社製フォトニース：商品名）からなり硬化後の膜厚が
２０μｍの絶縁膜２を形成した。その後、ヒドラジンで
表面処理しパラジウムで触媒活性化処理を行なった絶縁
膜２の全面に、硫酸銅めっき液を用いて膜厚５００オン
グストロームの無電解銅めっき膜を下地導体膜３ａとし
て形成した。その後、下地導体膜３ａの上に、ポジ型の
フォトレジスト層（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２
０：商品名）を形成した後、１層目用のポジ型のフォト
マスクを用いて１層目配線パターンを露光した。次に、
これを現像して１層目の配線パターンを得た後、硫酸銅
めっき液を用いた電解銅めっきによって、露出した下地
導体膜３ａの上に膜厚約５μｍの電解銅めっき膜を析出
させて導体４ａを形成した。その後、フォトレジスト
層、および下地導体膜３ａのうち導体４ａが形成されて
いない部分を除去して図１（ａ）に示す１層目の配線を
得た。
１層目の配線を形成した。即ち、純度９９．５％のアル
ミナ製の基板１の上に、感光性ポリイミド（例えば、東
レ社製フォトニース：商品名）からなり硬化後の膜厚が
２０μｍの絶縁膜２を形成した。その後、ヒドラジンで
表面処理しパラジウムで触媒活性化処理を行なった絶縁
膜２の全面に、硫酸銅めっき液を用いて膜厚５００オン
グストロームの無電解銅めっき膜を下地導体膜３ａとし
て形成した。その後、下地導体膜３ａの上に、ポジ型の
フォトレジスト層（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２
０：商品名）を形成した後、１層目用のポジ型のフォト
マスクを用いて１層目配線パターンを露光した。次に、
これを現像して１層目の配線パターンを得た後、硫酸銅
めっき液を用いた電解銅めっきによって、露出した下地
導体膜３ａの上に膜厚約５μｍの電解銅めっき膜を析出
させて導体４ａを形成した。その後、フォトレジスト
層、および下地導体膜３ａのうち導体４ａが形成されて
いない部分を除去して図１（ａ）に示す１層目の配線を
得た。
【００１８】次に、図１（ｂ）に示すように、１層目の
配線を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間
絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜にバイアホールを形成
した。即ち、１層目の配線を形成した基板上全面に膜厚
２０μｍのネガ型の感光性の有機高分子材料であるポリ
イミドからなる層間絶縁膜５を形成した後、ネガ型のフ
ォトマスクを用いてバイアホールのパターンを露光し
た。その後、これを現像して、図１（ｂ）に示すバイア
ホール６を形成した。
配線を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間
絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜にバイアホールを形成
した。即ち、１層目の配線を形成した基板上全面に膜厚
２０μｍのネガ型の感光性の有機高分子材料であるポリ
イミドからなる層間絶縁膜５を形成した後、ネガ型のフ
ォトマスクを用いてバイアホールのパターンを露光し
た。その後、これを現像して、図１（ｂ）に示すバイア
ホール６を形成した。
【００１９】その後、図１（ｃ）に示すように、層間絶
縁膜５およびバイアホール６に下地導体膜３ｂを形成し
た後、その上にポジ型のフォトレジスト層７（例えば、
ヘキスト社製ＡＺ４６２０：商品名）を形成した。
縁膜５およびバイアホール６に下地導体膜３ｂを形成し
た後、その上にポジ型のフォトレジスト層７（例えば、
ヘキスト社製ＡＺ４６２０：商品名）を形成した。
【００２０】その後、図１（ｄ）に示すように、ポジ型
のフォトレジスト層７のバイアホール６の部分を露光・
現像して、バイアホール６の部分の下地導体膜３ｂを露
出させた。
のフォトレジスト層７のバイアホール６の部分を露光・
現像して、バイアホール６の部分の下地導体膜３ｂを露
出させた。
【００２１】その後、図１（ｅ）に示すように、硫酸銅
めっき液を用いた電解銅めっきで、露出したバイアホー
ル６に銅のめっき金属１０を充填した。
めっき液を用いた電解銅めっきで、露出したバイアホー
ル６に銅のめっき金属１０を充填した。
【００２２】次に、図１（ｆ）に示すように、２層目の
配線パターンを形成した。即ち、まず、ポジ型のフォト
レジスト層７を一旦除去した。その後、下地導体膜３ｂ
およびめっき金属１０の上にポジ型のフォトレジスト層
７（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２０：商品名）を再
度形成した後、２層目用のポジ型のフォトマスクを用い
て２層目配線パターンを露光した。次に、これを現像し
て２層目の配線パターンを得た。
配線パターンを形成した。即ち、まず、ポジ型のフォト
レジスト層７を一旦除去した。その後、下地導体膜３ｂ
およびめっき金属１０の上にポジ型のフォトレジスト層
７（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２０：商品名）を再
度形成した後、２層目用のポジ型のフォトマスクを用い
て２層目配線パターンを露光した。次に、これを現像し
て２層目の配線パターンを得た。
【００２３】次に、図１（ｇ）に示すように、硫酸銅め
っき液を用いた電解銅めっきで、露出した２層目の下地
導体膜３ｂおよびめっき金属１０の上に、膜厚約５μｍ
の電解銅めっき膜を析出させて２層目の導体４ｂを形成
した。
っき液を用いた電解銅めっきで、露出した２層目の下地
導体膜３ｂおよびめっき金属１０の上に、膜厚約５μｍ
の電解銅めっき膜を析出させて２層目の導体４ｂを形成
した。
【００２４】その後、フォトレジスト層７、および下地
導体膜３ｂのうち導体４ｂが形成されていない部分を除
去して図１（ｈ）に示す２層目の配線を得た。
導体膜３ｂのうち導体４ｂが形成されていない部分を除
去して図１（ｈ）に示す２層目の配線を得た。
【００２５】さらに、同様の操作を繰り返して３層配線
基板を得た。得られた配線基板の断面図を図２に示す。
なお、同図において、４ｃは３層目の配線、１５は２層
目と３層目との配線間の層間絶縁膜、２０は２層目と３
層目との配線間を接続するめっき金属であり、下地導体
膜は省略している。その他の部分は、図１と同様である
ので、同一の符号を付す。
基板を得た。得られた配線基板の断面図を図２に示す。
なお、同図において、４ｃは３層目の配線、１５は２層
目と３層目との配線間の層間絶縁膜、２０は２層目と３
層目との配線間を接続するめっき金属であり、下地導体
膜は省略している。その他の部分は、図１と同様である
ので、同一の符号を付す。
【００２６】（比較例）比較のため、従来方法によっ
て、実施例と同様の３層配線基板を得た。従来の多層配
線基板の製造工程を示す断面図の図３に基づいて説明す
る。
て、実施例と同様の３層配線基板を得た。従来の多層配
線基板の製造工程を示す断面図の図３に基づいて説明す
る。
【００２７】即ち、まず、図３（ａ）に示すように、実
施例と同様にして、基板上に１層目の配線を形成した。
施例と同様にして、基板上に１層目の配線を形成した。
【００２８】次に、図３（ｂ）に示すように、実施例と
同様にして、１層目の配線を形成した基板上に、有機高
分子材料からなる層間絶縁膜５を形成し、この層間絶縁
膜５にバイアホール６を形成した。
同様にして、１層目の配線を形成した基板上に、有機高
分子材料からなる層間絶縁膜５を形成し、この層間絶縁
膜５にバイアホール６を形成した。
【００２９】その後、図３（ｃ）に示すように、実施例
と同様にして、層間絶縁膜５およびバイアホール６に下
地導体膜３ｂを形成した後、ポジ型のフォトレジスト層
７（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２０：商品名）を形
成した。
と同様にして、層間絶縁膜５およびバイアホール６に下
地導体膜３ｂを形成した後、ポジ型のフォトレジスト層
７（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２０：商品名）を形
成した。
【００３０】その後、図３（ｄ）に示すように、２層目
の配線パターンを形成した。即ち、ポジ型のフォトマス
クを用いてポジ型のフォトレジスト層７に２層目の配線
パターンを露光した。さらに、多重露光用のポジ型のフ
ォトマスクを用いてポジ型のフォトレジスト層７のバイ
アホール６の部分を露光した。そして、これを現像し
て、図３（ｄ）に示す２層目配線パターンを得た。
の配線パターンを形成した。即ち、ポジ型のフォトマス
クを用いてポジ型のフォトレジスト層７に２層目の配線
パターンを露光した。さらに、多重露光用のポジ型のフ
ォトマスクを用いてポジ型のフォトレジスト層７のバイ
アホール６の部分を露光した。そして、これを現像し
て、図３（ｄ）に示す２層目配線パターンを得た。
【００３１】次に、図３（ｅ）に示すように、硫酸銅め
っき液を用いた電解銅めっきで、露出した２層目の下地
導体膜３ｂ上に膜厚約５μｍの電解銅めっき膜を析出さ
せて２層目の導体４ｂを形成した。その後、フォトレジ
スト７、および下地導体膜３ｂのうちで導体４ｂが形成
されていない部分を除去して、図３（ｆ）に示す２層配
線基板を得た。
っき液を用いた電解銅めっきで、露出した２層目の下地
導体膜３ｂ上に膜厚約５μｍの電解銅めっき膜を析出さ
せて２層目の導体４ｂを形成した。その後、フォトレジ
スト７、および下地導体膜３ｂのうちで導体４ｂが形成
されていない部分を除去して、図３（ｆ）に示す２層配
線基板を得た。
【００３２】さらに、同様の操作を繰り返して３層配線
基板を得た。得られた配線基板の断面図を図４に示す。
なお同図において、４ｃは３層目の配線、１５は２層目
と３層目との配線間の層間絶縁膜であり、下地導体膜は
省略している。その他の部分は、図３と同様であるの
で、同一の符号を付す。
基板を得た。得られた配線基板の断面図を図４に示す。
なお同図において、４ｃは３層目の配線、１５は２層目
と３層目との配線間の層間絶縁膜であり、下地導体膜は
省略している。その他の部分は、図３と同様であるの
で、同一の符号を付す。
【００３３】以上得られた実施例および従来例の多層配
線基板について、その表面の凹凸を表面粗さ計で測定し
た。その結果、基板表面の最も高い部分と最も低い部分
の高低差（ｒ）は、従来例の場合の２５μｍに対して実
施例の場合は１５μｍを示し、多層配線基板表面の凹凸
を大幅に低減することができた。
線基板について、その表面の凹凸を表面粗さ計で測定し
た。その結果、基板表面の最も高い部分と最も低い部分
の高低差（ｒ）は、従来例の場合の２５μｍに対して実
施例の場合は１５μｍを示し、多層配線基板表面の凹凸
を大幅に低減することができた。
【００３４】なお、上記実施例において、基板として純
度９９．５％のアルミナ基板を用いているが、これに限
定されることはなく、平滑性の得られるものであれば種
々の材質のものを用いることができる。
度９９．５％のアルミナ基板を用いているが、これに限
定されることはなく、平滑性の得られるものであれば種
々の材質のものを用いることができる。
【００３５】また、有機高分子層の上に形成する下地導
体膜として、無電解銅めっき膜を用いているが、これに
限定されることはなく、スパッタあるいは蒸着によって
形成した金属薄膜などの選択的な剥離が可能な種々のも
のを用いることができる。
体膜として、無電解銅めっき膜を用いているが、これに
限定されることはなく、スパッタあるいは蒸着によって
形成した金属薄膜などの選択的な剥離が可能な種々のも
のを用いることができる。
【００３６】また、上記実施例においては、電解銅めっ
きでバイアホールに銅のめっき金属を充填しているが、
充填材料としては銅以外にニッケル、金など一般的な導
体を用いることができ、充填方法としても電解めっき以
外に無電解めっきを採用することができる。
きでバイアホールに銅のめっき金属を充填しているが、
充填材料としては銅以外にニッケル、金など一般的な導
体を用いることができ、充填方法としても電解めっき以
外に無電解めっきを採用することができる。
【００３７】また、層間絶縁膜として、感光性の有機高
分子材料であるポリイミドを用いそれを露光、現像して
バイアホールを形成しているが、感光性を有しない有機
高分子材料を用いて、フォトレジストによるバイアホー
ルパターンの形成とドライまたはウエットのエッチング
によってバイアホールを形成することもできる。
分子材料であるポリイミドを用いそれを露光、現像して
バイアホールを形成しているが、感光性を有しない有機
高分子材料を用いて、フォトレジストによるバイアホー
ルパターンの形成とドライまたはウエットのエッチング
によってバイアホールを形成することもできる。
【００３８】また、配線形成方法として無電解めっきの
上に電解めっき配線をするセミアディティブ法を用いて
いるが、無電解めっきで配線するフルアディティブ法に
よることも可能である。即ち、有機高分子層の表面の触
媒活性化処理を行なった後、無電解めっき膜を所望の膜
厚まで成長させて導体を形成させればよい。
上に電解めっき配線をするセミアディティブ法を用いて
いるが、無電解めっきで配線するフルアディティブ法に
よることも可能である。即ち、有機高分子層の表面の触
媒活性化処理を行なった後、無電解めっき膜を所望の膜
厚まで成長させて導体を形成させればよい。
【００３９】さらに、本実施例では、ポリイミドの膜厚
を２０μｍとしたが、５〜１００μｍの範囲で本製造方
法の効果を期待できる。
を２０μｍとしたが、５〜１００μｍの範囲で本製造方
法の効果を期待できる。
【００４０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
多層配線基板の製造方法によれば、バイアホール内部に
めっき金属を充填するため、従来のように、バイアホー
ル部分が凹状となっていて２層目以降の配線を形成した
後でバイアホール部分に窪みが残るようなことがなく、
多層配線基板表面の凹凸を低減させることができる。
多層配線基板の製造方法によれば、バイアホール内部に
めっき金属を充填するため、従来のように、バイアホー
ル部分が凹状となっていて２層目以降の配線を形成した
後でバイアホール部分に窪みが残るようなことがなく、
多層配線基板表面の凹凸を低減させることができる。
【００４１】したがって、多層配線基板の製造におい
て、フォトリソグラフの工程での寸法精度が悪くなるな
どの不具合を防止して歩留まりを向上させることができ
る。
て、フォトリソグラフの工程での寸法精度が悪くなるな
どの不具合を防止して歩留まりを向上させることができ
る。
【００４２】また、従来困難であったバイアホール上に
次層のバイアホールを配置することも可能となる。
次層のバイアホールを配置することも可能となる。
【図１】本発明の多層配線基板の製造工程を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明の製造方法により得られた多層配線基板
の断面図である。
の断面図である。
【図３】従来の多層配線基板の製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の製造方法により得られた多層配線基板の
断面図である。
断面図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ａ，３ｂ 下地導体膜 ４ａ，４ｂ，４ｃ 導体 ５，１５ 層間絶縁膜 ６ バイアホール ７ フォトレジスト層 １０，２０ めっき金属
Claims (6)
- 【請求項１】 次の工程よりなる多層配線基板の製造方
法。 （ａ）基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜上に１層目の配線を形成する工程、 （ｂ）１層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材
料からなる層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜にバイア
ホールを形成する工程、 （ｃ）層間絶縁膜およびバイアホール部分に、下地導体
膜を形成した後フォトレジスト層を形成する工程、 （ｄ）フォトマスクを用いてフォトレジスト層のバイア
ホール部分を露光し、バイアホール部分の下地導体膜を
露出させる工程、 （ｅ）めっきによりバイアホール内部をめっき金属で充
填する工程、 （ｆ）再度フォトレジスト層を形成し、フォトマスクを
用いて該フォトレジスト層を露光、現像して配線パター
ンを形成する工程、 （ｇ）配線パターンに導体を形成して２層目の配線を形
成する工程、 （ｈ）フォトレジスト、および導体の形成されていない
下地導体膜を除去する工程。 - 【請求項２】 感光性の有機高分子材料からなる層間絶
縁膜を露光、現像してバイアホールを形成することを特
徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 有機高分子材料からなる層間絶縁膜をド
ライまたはウエットのエッチングをしてバイアホールを
形成することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板
の製造方法。 - 【請求項４】 セミアディティブ法により配線を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造
方法。 - 【請求項５】 フルアディティブ法により配線を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造
方法。 - 【請求項６】 層間絶縁膜は感光性ポリイミドであるこ
とを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3568195A JPH08236934A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3568195A JPH08236934A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236934A true JPH08236934A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12448638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3568195A Pending JPH08236934A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236934A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344671A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-02-23 JP JP3568195A patent/JPH08236934A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344671A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050614 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |