JPH0823706B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH0823706B2 JPH0823706B2 JP62158221A JP15822187A JPH0823706B2 JP H0823706 B2 JPH0823706 B2 JP H0823706B2 JP 62158221 A JP62158221 A JP 62158221A JP 15822187 A JP15822187 A JP 15822187A JP H0823706 B2 JPH0823706 B2 JP H0823706B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用
いられる電子写真感光体の製造方法に関する。
いられる電子写真感光体の製造方法に関する。
従来の技術 電子写真感光体における光導電体として、10〜40atm
％の水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物質とし
て含む非晶質シリコン（以下ａ−Si:Hと記す）が、高い
光感度、無公害性、及び高い硬度を有することにより注
目され利用されている。
％の水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物質とし
て含む非晶質シリコン（以下ａ−Si:Hと記す）が、高い
光感度、無公害性、及び高い硬度を有することにより注
目され利用されている。
しかしながら、上記のａ−Si:Hで構成される電子写真
感光体ではまだまだ解決すべき問題も多い。
感光体ではまだまだ解決すべき問題も多い。
例えば、第１の問題としてａ−Si:Hは、他の感光体材
料である有機光半導体（以下OPCと記す）、あるいはSe
に比較して誘電率が約11と大きく（OPC:約３、Se:約
６）静電容量が大きいため、表面への帯電処理を行う際
には非常に大きな帯電電流を必要とする。
料である有機光半導体（以下OPCと記す）、あるいはSe
に比較して誘電率が約11と大きく（OPC:約３、Se:約
６）静電容量が大きいため、表面への帯電処理を行う際
には非常に大きな帯電電流を必要とする。
また、実用表面電位（〜400V）を得るには表面電荷の
電荷密度も高く、この電荷を光除電するためには多くの
光エネルギーを必要とするため、実際の光感度は十分高
いとは言えない。
電荷密度も高く、この電荷を光除電するためには多くの
光エネルギーを必要とするため、実際の光感度は十分高
いとは言えない。
さらに、第２の問題としてａ−Si:H膜の製膜に際して
最も良く用いられるシラン（SiH4と記す）ガスを原料ガ
スとしたプラズマCVD法では、堆積速度も10μm/H以下と
遅く、シランガスも高価であることから、製造コストの
低減は困難である。
最も良く用いられるシラン（SiH4と記す）ガスを原料ガ
スとしたプラズマCVD法では、堆積速度も10μm/H以下と
遅く、シランガスも高価であることから、製造コストの
低減は困難である。
また、第３の問題は、膜厚においても30μｍ以下で使
用されることが多く帯電電界強度も30V/μｍ程度から、
実用の表面電位はSe感光体の800Vに比べ500V以下と低い
電位で使用されるため、通常の２成分現像剤では十分な
画像濃度のコピーが得られないと言った問題がある。
用されることが多く帯電電界強度も30V/μｍ程度から、
実用の表面電位はSe感光体の800Vに比べ500V以下と低い
電位で使用されるため、通常の２成分現像剤では十分な
画像濃度のコピーが得られないと言った問題がある。
一方、OPCにおいても機能分離型が主流となり感度、
寿命においてもSe感光体を追い越しつつある。
寿命においてもSe感光体を追い越しつつある。
OPC感光体は電荷発生層、電荷移動層、表面層あるい
は支持体と電荷発生層との界面に下引き層等を使用しそ
の多くは製造法によって形成される。
は支持体と電荷発生層との界面に下引き層等を使用しそ
の多くは製造法によって形成される。
また、ａ−Si:Hの欠点を克服するため、OPCを電荷移
動層としａ−Si:Hを光導電層として積層した特開昭54-1
43645号公報には、有機半導体材料とａ−Si:Hを用いた
機能分離型の感光体が開示されているが、この場合にお
ても塗布法が主に用いられている。
動層としａ−Si:Hを光導電層として積層した特開昭54-1
43645号公報には、有機半導体材料とａ−Si:Hを用いた
機能分離型の感光体が開示されているが、この場合にお
ても塗布法が主に用いられている。
発明が解決しようとする問題点 塗布法は大面積を均一な膜厚に種々な形状を有する基
板に塗布することは困難であり、また20μｍ以上の厚膜
を得ることも難しい。また、塗布のための設備も高額で
設備負担のため、感光体も高価となる。
板に塗布することは困難であり、また20μｍ以上の厚膜
を得ることも難しい。また、塗布のための設備も高額で
設備負担のため、感光体も高価となる。
本発明の主たる目的は、塗布装置も不用な、安価な感
光体を提供することを目的としている。
光体を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 光導電層、高分子フィルムを主成分とした電荷移動層
が積層された電子写真感光体において、前記電荷移動層
をポリ（ｐ−フェニレン）スルフィドを主成分とした高
分子フィルムとし、加熱処理による融着により形成する 作用 ポリ（ｐ−フェニレン）スルフィドを主成分とした高
分子フィルムは主鎖に環構造（フェニレン）とVIb族元
素であるＳをパラ位に持つ直鎖状につながった構造を有
し〜280℃に融点をもつ。
が積層された電子写真感光体において、前記電荷移動層
をポリ（ｐ−フェニレン）スルフィドを主成分とした高
分子フィルムとし、加熱処理による融着により形成する 作用 ポリ（ｐ−フェニレン）スルフィドを主成分とした高
分子フィルムは主鎖に環構造（フェニレン）とVIb族元
素であるＳをパラ位に持つ直鎖状につながった構造を有
し〜280℃に融点をもつ。
また、キャリア移動度も10-4〜10-7cm2/V・secと大き
い反面、キャリア寿命が小さく、従来、電子写真感光体
の電荷移動層としては十分な特性が得られなかった。
い反面、キャリア寿命が小さく、従来、電子写真感光体
の電荷移動層としては十分な特性が得られなかった。
また、ａ−Si:Hのようなイオン化ポテンシアルの小さ
く光学的禁止帯幅の小さな光導電層に対しても、正孔あ
るいは電子の注入効率が悪く、残留電位も大きいもので
あった。
く光学的禁止帯幅の小さな光導電層に対しても、正孔あ
るいは電子の注入効率が悪く、残留電位も大きいもので
あった。
また、これらは種々の溶剤にも溶けにくく任意の基板
上に形成するのは困難であった。
上に形成するのは困難であった。
しかし、これらのフィルムを導電性基板上に直接ある
いはシランカップリング剤を介して密着し、融点付近の
200〜350℃にて0.1〜15時間、空気中あるいは酸化性の
活性ガス中て加熱処理を行うことによって高分子フィル
ムを軟化し融着することにより、均一な電荷移動層を容
易に形成することができた。
いはシランカップリング剤を介して密着し、融点付近の
200〜350℃にて0.1〜15時間、空気中あるいは酸化性の
活性ガス中て加熱処理を行うことによって高分子フィル
ムを軟化し融着することにより、均一な電荷移動層を容
易に形成することができた。
また、同時にこれらの高分子層に酸化反応を誘起し、
電荷移動層の正孔の飛程（μτ積）が向上し、高感度な
残留電位の小さい電子写真感光体特性を得ることができ
た。
電荷移動層の正孔の飛程（μτ積）が向上し、高感度な
残留電位の小さい電子写真感光体特性を得ることができ
た。
以上の相乗効果により、残留電位の小さな、高感度で
帯電電位の大きな電子写真感光体が、塗布装置も必要と
することなく容易に、安価に得られる。
帯電電位の大きな電子写真感光体が、塗布装置も必要と
することなく容易に、安価に得られる。
実施例 図は、本発明における基本的な電子写真感光体の一実
施例の断面を模式的に示したものである。
施例の断面を模式的に示したものである。
図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての
支持体１上に、高分子フィルムからなる電荷移動層２と
光導電層３とを有し、前記光導電層３は一方で自由表面
４を有している。
支持体１上に、高分子フィルムからなる電荷移動層２と
光導電層３とを有し、前記光導電層３は一方で自由表面
４を有している。
本発明において、光導電層としては、硬度の高いシリ
コンを含有する非晶質層を用い、ａ−Si（:H:X）、ａ−
Si1-yＣy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yＯy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yＮy（:H:X）（０＜ｙ＜
１）、ａ−Si1-zGez（:H:X）（０＜ｚ＜１）、ａ−（Si
1-zGez）1-yＮy（:H:X）（０＜y,z＜１）、ａ−（Si1-z
Gez）1-yＯy（:H:X）（０＜y,z＜１）、またはａ−（Si
1-zGez）1-yＣy（:H:X）（０＜y,z＜１）の単層、ある
いはこれらの積層を用いる事ができる。また、ｙを連続
的に変化させた場合も使用できる。
コンを含有する非晶質層を用い、ａ−Si（:H:X）、ａ−
Si1-yＣy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yＯy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yＮy（:H:X）（０＜ｙ＜
１）、ａ−Si1-zGez（:H:X）（０＜ｚ＜１）、ａ−（Si
1-zGez）1-yＮy（:H:X）（０＜y,z＜１）、ａ−（Si1-z
Gez）1-yＯy（:H:X）（０＜y,z＜１）、またはａ−（Si
1-zGez）1-yＣy（:H:X）（０＜y,z＜１）の単層、ある
いはこれらの積層を用いる事ができる。また、ｙを連続
的に変化させた場合も使用できる。
この時の膜厚は、電荷移動層は５〜50μｍ、好適には
10〜25μｍ、また光導電層の膜厚は0.5〜10μｍ好適に
は１〜５μｍとすれば良い。
10〜25μｍ、また光導電層の膜厚は0.5〜10μｍ好適に
は１〜５μｍとすれば良い。
本発明において、更に電子写真特性を向上させるため
に、図において、支持体１と電荷移動層２との間に、支
持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効果的に
阻止するため障壁層を設けてもよい。
に、図において、支持体１と電荷移動層２との間に、支
持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効果的に
阻止するため障壁層を設けてもよい。
障壁層を形成する材料としては、Al2Ｏ3、BaO、Ba
O2、BeO、Bi2Ｏ3、CaO、CeO2、Ce2Ｏ3、La2Ｏ3、Dy
2Ｏ3、Lu2Ｏ3、Cr2Ｏ3、CuO、Cu2Ｏ、FeO、PbO、MgO、S
rO、Ta2Ｏ3、ThO2、ZrO2、HfO2、TiO2、TiO、SiO2、GeO
2,SiO、GeO等の金属酸化物またはTiN、AlN、SnN、NbN、
TaN、GaN等の金属窒化物、またはWC、SnC、TiC、等の金
属炭化物またはSiC,SiN、GeC、GeN、BC、BN等の絶縁
物、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアクリルニト
リル等の耐熱性を有する有機化合物が使用される。
O2、BeO、Bi2Ｏ3、CaO、CeO2、Ce2Ｏ3、La2Ｏ3、Dy
2Ｏ3、Lu2Ｏ3、Cr2Ｏ3、CuO、Cu2Ｏ、FeO、PbO、MgO、S
rO、Ta2Ｏ3、ThO2、ZrO2、HfO2、TiO2、TiO、SiO2、GeO
2,SiO、GeO等の金属酸化物またはTiN、AlN、SnN、NbN、
TaN、GaN等の金属窒化物、またはWC、SnC、TiC、等の金
属炭化物またはSiC,SiN、GeC、GeN、BC、BN等の絶縁
物、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアクリルニト
リル等の耐熱性を有する有機化合物が使用される。
また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コ
ロナ性を向上させるため、図における、自由表面４上に
表面被覆層を形成する。表面被覆層として好適な材料と
しては、SixＯ1-x、SixＣ1-x、SixＮ1-x、GexＯ1-x、Ge
xＣ1-x、GexＮ1-x、ＢxＮ1-x、ＢxＣ1-x、AlxＮ1-x（０
＜ｘ＜１）、カーボンおよびこれらに水素あるいはハロ
ゲンを含有する層等の無機物などが挙げられる。
ロナ性を向上させるため、図における、自由表面４上に
表面被覆層を形成する。表面被覆層として好適な材料と
しては、SixＯ1-x、SixＣ1-x、SixＮ1-x、GexＯ1-x、Ge
xＣ1-x、GexＮ1-x、ＢxＮ1-x、ＢxＣ1-x、AlxＮ1-x（０
＜ｘ＜１）、カーボンおよびこれらに水素あるいはハロ
ゲンを含有する層等の無機物などが挙げられる。
シリコンを含有する光導電層であるａ−Si（:H:X）の
作成には、SiH4、Si2Ｈ6、Si3Ｈ8、SiF4、SiCl4、SiH
F3、SiH2Ｆ2、SiH3Ｆ、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl等のSi
原子の原料ガスを用いたプラズマCVD法、または多結晶
シリコンをターゲットとし、ArとＨ2（さらにＦ2又はCl
2を混合しても良い）の混合ガス中での反応性スパッタ
法が用いられる。また、ａ−Si1-yＣy（:H:X）（０＜ｙ
＜１）、ａ−Si1-yＯy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si
1-yＮｙ（:H:X）（０＜ｙ＜１）の作成には、更に炭素
源として、CH4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、Ｃ2Ｈ4、Ｃ
3Ｈ6、Ｃ4Ｈ8、Ｃ2Ｈ2,C3Ｈ4、Ｃ4Ｈ6、Ｃ6Ｈ6等の炭化
水素、CH3Ｆ、CH3Cl、CH3Ｉ、Ｃ2Ｈ5Cl、Ｃ2Ｈ5Br、等
のハロゲン化アリル、CClF3、CF4、CHF3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3
Ｆ8等のフロンガス、Ｃ6Ｈ6-mＦm（ｍ＝１〜６）の弗化
ベンゼン等のＣ原子の原料ガスをプラズマCVD法に用い
るシリコン原料ガスと混合して、あるいは、反応性スパ
ッタ法にはAr等のスパッタガスと混合して用いる。ま
た、酸素源としてはＯ2、CO、CO2、NO、NO2等、また、
窒素源としてはＮ2、NH3、NO等を混合して用いる。
作成には、SiH4、Si2Ｈ6、Si3Ｈ8、SiF4、SiCl4、SiH
F3、SiH2Ｆ2、SiH3Ｆ、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl等のSi
原子の原料ガスを用いたプラズマCVD法、または多結晶
シリコンをターゲットとし、ArとＨ2（さらにＦ2又はCl
2を混合しても良い）の混合ガス中での反応性スパッタ
法が用いられる。また、ａ−Si1-yＣy（:H:X）（０＜ｙ
＜１）、ａ−Si1-yＯy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si
1-yＮｙ（:H:X）（０＜ｙ＜１）の作成には、更に炭素
源として、CH4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、Ｃ2Ｈ4、Ｃ
3Ｈ6、Ｃ4Ｈ8、Ｃ2Ｈ2,C3Ｈ4、Ｃ4Ｈ6、Ｃ6Ｈ6等の炭化
水素、CH3Ｆ、CH3Cl、CH3Ｉ、Ｃ2Ｈ5Cl、Ｃ2Ｈ5Br、等
のハロゲン化アリル、CClF3、CF4、CHF3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3
Ｆ8等のフロンガス、Ｃ6Ｈ6-mＦm（ｍ＝１〜６）の弗化
ベンゼン等のＣ原子の原料ガスをプラズマCVD法に用い
るシリコン原料ガスと混合して、あるいは、反応性スパ
ッタ法にはAr等のスパッタガスと混合して用いる。ま
た、酸素源としてはＯ2、CO、CO2、NO、NO2等、また、
窒素源としてはＮ2、NH3、NO等を混合して用いる。
また、ａ−Si（:H:X）にGeを添加する場合もGeH4、Ge
2Ｈ6、Ge3Ｈ8、GeF4、GeCl4、GeHF3、GeH2Ｆ2、GeH
3Ｆ、GeHCl3、GeH2Cl2、GeH3Cl等のガスを上記Si原子の
原料ガスと混合し、プラズマCVD法によって形成するこ
とも出来る。さらに、本発明において、上記のａ−S
i（:H:X）,a−Si1-yＣy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−S
i1-yＯy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yＮy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）、あるいはこれらにGe添加のこれら
の膜中に、不純物を添加することにより伝導性を制御
し、所望の電子写真特性を得ることができる。ｐ型伝導
性を与えるｐ型不純物としては、周期律表第III族ｂに
属する、Ｂ、Al、Ga、In等があり、好適にはＢ、Al、Ga
が用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物としては、
周期律表第Ｖ族ｂに属するＮ、Ｐ、As、Sb等が有り、好
適にはＰ、Asが用いられる。
2Ｈ6、Ge3Ｈ8、GeF4、GeCl4、GeHF3、GeH2Ｆ2、GeH
3Ｆ、GeHCl3、GeH2Cl2、GeH3Cl等のガスを上記Si原子の
原料ガスと混合し、プラズマCVD法によって形成するこ
とも出来る。さらに、本発明において、上記のａ−S
i（:H:X）,a−Si1-yＣy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−S
i1-yＯy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yＮy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）、あるいはこれらにGe添加のこれら
の膜中に、不純物を添加することにより伝導性を制御
し、所望の電子写真特性を得ることができる。ｐ型伝導
性を与えるｐ型不純物としては、周期律表第III族ｂに
属する、Ｂ、Al、Ga、In等があり、好適にはＢ、Al、Ga
が用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物としては、
周期律表第Ｖ族ｂに属するＮ、Ｐ、As、Sb等が有り、好
適にはＰ、Asが用いられる。
また、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不
純物の場合、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6
Ｈ12、Ｂ6Ｈ14、BF3、BCl3、BBr3、AlCl3、（CH3）3A
l、（Ｃ2Ｈ5）3Al、（ｉ−Ｃ4Ｈ9）3Al、（CH3）3Ga、
（Ｃ2Ｈ5）3Ga、InCl3、（Ｃ2Ｈ5）3Inを、ｎ型不純物
の場合は、Ｎ2、NH3、NO、Ｎ2Ｏ、NO2、PH3、Ｐ2Ｈ4、P
H4Ｉ、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3,PBr5、PI3、AsH3、
AsF3、AsCl3、AsBr3、SbH3、SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5
等のガスを、あるいはこれらのガスをH2、He、Arで希釈
したガスを、プラズマCVD法では、それぞれの膜形成時
において、使用する上記のＣ原子、Si原子等の原料ガス
と混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では、Arま
たはＨ2、あるいはＦ2、Cl2に混合して用いれば良い。
以下実施例について述べる。
純物の場合、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6
Ｈ12、Ｂ6Ｈ14、BF3、BCl3、BBr3、AlCl3、（CH3）3A
l、（Ｃ2Ｈ5）3Al、（ｉ−Ｃ4Ｈ9）3Al、（CH3）3Ga、
（Ｃ2Ｈ5）3Ga、InCl3、（Ｃ2Ｈ5）3Inを、ｎ型不純物
の場合は、Ｎ2、NH3、NO、Ｎ2Ｏ、NO2、PH3、Ｐ2Ｈ4、P
H4Ｉ、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3,PBr5、PI3、AsH3、
AsF3、AsCl3、AsBr3、SbH3、SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5
等のガスを、あるいはこれらのガスをH2、He、Arで希釈
したガスを、プラズマCVD法では、それぞれの膜形成時
において、使用する上記のＣ原子、Si原子等の原料ガス
と混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では、Arま
たはＨ2、あるいはＦ2、Cl2に混合して用いれば良い。
以下実施例について述べる。
実施例１ 鏡面研磨した15cm角アルミニウム基板上に、15μｍの
ポリ（ｐ−フェニレン）スルフィド高分子フィルムを密
着させ端部を固定し、空気中にて、280〜360℃の温度で
0.1〜0.5時間加熱し、電荷移動層として形成した。この
基板を、６インチの放電電極を有する平行平板型の容量
結合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応容器内を５
×10-6Torr以下に排気後、基板を150〜200℃に加熱し
た。つぎにSiH4を10〜40sccm導入し、圧力0.2〜1.0Tor
r、高周波電力20〜100WでＢを0.5〜5ppm添加したａ−S
i:H層を光導電層として0.5〜５μｍ形成し、更に、SiH4
を10〜30sccm、Ｃ2Ｈ4を20〜40sccm導入し、圧力0.2〜
1.0Torr、高周波電力50〜150WでSi1-xＣx:H（０＜ｘ＜
１）を表面被覆層として0.08〜0.3μｍ形成して電子写
真感光体を作成した。
ポリ（ｐ−フェニレン）スルフィド高分子フィルムを密
着させ端部を固定し、空気中にて、280〜360℃の温度で
0.1〜0.5時間加熱し、電荷移動層として形成した。この
基板を、６インチの放電電極を有する平行平板型の容量
結合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応容器内を５
×10-6Torr以下に排気後、基板を150〜200℃に加熱し
た。つぎにSiH4を10〜40sccm導入し、圧力0.2〜1.0Tor
r、高周波電力20〜100WでＢを0.5〜5ppm添加したａ−S
i:H層を光導電層として0.5〜５μｍ形成し、更に、SiH4
を10〜30sccm、Ｃ2Ｈ4を20〜40sccm導入し、圧力0.2〜
1.0Torr、高周波電力50〜150WでSi1-xＣx:H（０＜ｘ＜
１）を表面被覆層として0.08〜0.3μｍ形成して電子写
真感光体を作成した。
このようにして得られた電子写真感光体を＋6.0kVで
コロナ帯電させたところ、＋1200Vの表面電位を得るこ
とが出来、白色光で露光したところ、残留電位＋450V以
下で半減電位露光量は10lux・sec以下と高い感度が得ら
れた。
コロナ帯電させたところ、＋1200Vの表面電位を得るこ
とが出来、白色光で露光したところ、残留電位＋450V以
下で半減電位露光量は10lux・sec以下と高い感度が得ら
れた。
次に、電子受容体としてTCNQ（7,7,8,8,テトラシアノ
キノジメタン）を0.04〜0.1重量％添加したフィルムを2
0μｍの膜厚に形成した高分子フィルムとした。これ
を、上記と同様に250〜280℃にて0.5〜５時間の加熱処
理をおこない基板に融着し電荷移動層とした。
キノジメタン）を0.04〜0.1重量％添加したフィルムを2
0μｍの膜厚に形成した高分子フィルムとした。これ
を、上記と同様に250〜280℃にて0.5〜５時間の加熱処
理をおこない基板に融着し電荷移動層とした。
さらに、光導電層として上記と同様に0.5〜５μｍの
ａ−Si:H層を形成し、Si1-xＣx:H（０＜ｘ＜１）を表面
被覆層として0.08〜0.3μｍ形成して電子写真感光体を
作成した。
ａ−Si:H層を形成し、Si1-xＣx:H（０＜ｘ＜１）を表面
被覆層として0.08〜0.3μｍ形成して電子写真感光体を
作成した。
この感光体を＋900Vに帯電させ同じく白色光にて露光
したところ、半減電位露光量を1.0lux・sec以下と感度
は非常に向上した。これを、従来のａ−Si:Hの20μｍか
らなる感光体を＋400Vに帯電させ白色光で露光した場合
と比較すれば同程度の感度が確認された。また、同じコ
ロナ電位での帯電ではａ−Si:Hのみに比べ、帯電電位も
４倍以上と少ない帯電電流で高い感度の感光体が得られ
る事を示した。
したところ、半減電位露光量を1.0lux・sec以下と感度
は非常に向上した。これを、従来のａ−Si:Hの20μｍか
らなる感光体を＋400Vに帯電させ白色光で露光した場合
と比較すれば同程度の感度が確認された。また、同じコ
ロナ電位での帯電ではａ−Si:Hのみに比べ、帯電電位も
４倍以上と少ない帯電電流で高い感度の感光体が得られ
る事を示した。
また、0.2〜２μｍのａ−Si:H層に炭素を２〜30atm％
添加し、Si1-xＣx:Hを水素あるいはHeガスに５％以下と
十分に希釈した原料ガスを用いて形成し光導電層とし
た。この場合、残留電位が50V以下と小さな電子写真感
光体を形成することができた。
添加し、Si1-xＣx:Hを水素あるいはHeガスに５％以下と
十分に希釈した原料ガスを用いて形成し光導電層とし
た。この場合、残留電位が50V以下と小さな電子写真感
光体を形成することができた。
実施例２ 表面研磨したアルミニウムドラム基板に、そのドラム
外径より僅かに小さい円筒状の〜20μｍ厚のポリ（ｐ−
フェニレン）スルフィドフィルムの内面にシランカップ
リング剤を塗布して装着する。
外径より僅かに小さい円筒状の〜20μｍ厚のポリ（ｐ−
フェニレン）スルフィドフィルムの内面にシランカップ
リング剤を塗布して装着する。
本発明で使用されるシランカップリング剤の代表的な
化合物は一般式ＲnSi4-nで表される有機シラン化合物で
ある。ただしR:有機置換基、X:加水分解性の置換基、n:
1〜３の整数を示す。
化合物は一般式ＲnSi4-nで表される有機シラン化合物で
ある。ただしR:有機置換基、X:加水分解性の置換基、n:
1〜３の整数を示す。
置換基Ｒは、脂肪族、芳香族、環状脂肪族、ヘテロ芳
香族等の任意の置換基であるが、この内少なくとも１つ
は活性は基例えばアルキル基が、オレフィン性基、グリ
シジル基、メルカプト基、アミノ基、エポキシ基を有す
るアルキル基もしくはアルカリール基である。
香族等の任意の置換基であるが、この内少なくとも１つ
は活性は基例えばアルキル基が、オレフィン性基、グリ
シジル基、メルカプト基、アミノ基、エポキシ基を有す
るアルキル基もしくはアルカリール基である。
一方、Ｘは加水分解性を示し。例えばハロゲン、アミ
ノ基、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルコキシ基であ
る。
ノ基、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルコキシ基であ
る。
ドラム基板を乾燥雰囲気中で冷却し熱収縮によって小
さくなった外径のドラムをPPS内に挿入し、常温まで上
昇させるとシランカップリング剤を塗布した面と基板と
が密着し、ドラム状の基板においても電荷移動層を初期
の均一な膜厚で覆うことができる。
さくなった外径のドラムをPPS内に挿入し、常温まで上
昇させるとシランカップリング剤を塗布した面と基板と
が密着し、ドラム状の基板においても電荷移動層を初期
の均一な膜厚で覆うことができる。
このようなドラム基板を酸素中にて200〜260℃にて0.
5〜10時間加熱し融着した。この状態でのPPSは褐色を帯
びものとなり光学的禁止帯幅で〜2.4eVであった。
5〜10時間加熱し融着した。この状態でのPPSは褐色を帯
びものとなり光学的禁止帯幅で〜2.4eVであった。
これを、長さ45cm、内径16cmΦの円筒型の放電電極を
有する容量結合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応
容器内を５×10-6Torr以下に排気後、アルミニウムドラ
ムを150〜200℃に加熱した。SiH4を50〜150sccm、Ｃ2Ｈ
2を２〜10sccm、Ｂ2Ｈ6をSiH4に対し５〜100ppm、Ｈ2を
1000〜1500sccm、圧力0.2〜1.0Torr、高周波電力100〜2
50Wで光導電層としてａ−Si1-xＣx:H層を１〜５μｍ形
成し、続いてSiH4に対しＣ2Ｈ2を20〜50sccmと増加し、
Ｈ2を100sccm、として表面被覆層であるａ−Si1-xＣx層
を0.05〜0.5μｍ形成し電子写真感光体とした。この時
のａ−Si1-xＣx:H層の光学的禁止帯幅が1.7〜1.9eVであ
った。
有する容量結合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応
容器内を５×10-6Torr以下に排気後、アルミニウムドラ
ムを150〜200℃に加熱した。SiH4を50〜150sccm、Ｃ2Ｈ
2を２〜10sccm、Ｂ2Ｈ6をSiH4に対し５〜100ppm、Ｈ2を
1000〜1500sccm、圧力0.2〜1.0Torr、高周波電力100〜2
50Wで光導電層としてａ−Si1-xＣx:H層を１〜５μｍ形
成し、続いてSiH4に対しＣ2Ｈ2を20〜50sccmと増加し、
Ｈ2を100sccm、として表面被覆層であるａ−Si1-xＣx層
を0.05〜0.5μｍ形成し電子写真感光体とした。この時
のａ−Si1-xＣx:H層の光学的禁止帯幅が1.7〜1.9eVであ
った。
この感光体を670nmのLEDを光源とする光プリンタに実
装し、正帯電において＋500〜800Vの表面電位で鮮明な
印字を確認した。このドラムの残留電位は＋100〜200V
であった。
装し、正帯電において＋500〜800Vの表面電位で鮮明な
印字を確認した。このドラムの残留電位は＋100〜200V
であった。
また、ａ−Si1-xＣx:HにGeを添加したａ−（Si1-zG
ez）1-xＣx:Hを用いれば更に感度の向上が計られた。
ez）1-xＣx:Hを用いれば更に感度の向上が計られた。
表面被覆層としてａ−Si1-xＣx層に代わる材料として
0.1〜0.5μｍのａ−Ge1-xＣx:H（０＜ｘ＜１）をプラズ
マCVD法で形成し、同様に光プリンタに実装したとこ
ろ、この構成の電子写真感光体が耐熱性、耐湿性に優
れ、50万枚の耐刷性を有することを確認した。
0.1〜0.5μｍのａ−Ge1-xＣx:H（０＜ｘ＜１）をプラズ
マCVD法で形成し、同様に光プリンタに実装したとこ
ろ、この構成の電子写真感光体が耐熱性、耐湿性に優
れ、50万枚の耐刷性を有することを確認した。
また、PPS高分子層にTCNQを電子受容体として0.02〜
0.1wt％添加することによって、更に残留電位が50〜90V
と小さな電子写真感光体を得ることができた。
0.1wt％添加することによって、更に残留電位が50〜90V
と小さな電子写真感光体を得ることができた。
発明の効果 本発明によれば、光励起によって移動可能なキャリア
を発生する光導電層を、電荷移動層上に積層する際、前
記電荷移動層を加熱処理による融着により形成すること
により、耐熱性に優れたキャリアのμτ積の大きな電荷
移動層を、均一な膜厚に、また塗布装置を使用しないで
形成することが可能となる。
を発生する光導電層を、電荷移動層上に積層する際、前
記電荷移動層を加熱処理による融着により形成すること
により、耐熱性に優れたキャリアのμτ積の大きな電荷
移動層を、均一な膜厚に、また塗布装置を使用しないで
形成することが可能となる。
以上の相乗効果により、残留電位の小さな、高感度で
帯電電位の大きな電子写真感光体が安価に得られる。
帯電電位の大きな電子写真感光体が安価に得られる。
図は、本発明の実施例により製造される電子写真感光体
の断面図である。 １……支持体、２……電荷移動層、３……光導電層、４
……自由表面、
の断面図である。 １……支持体、２……電荷移動層、３……光導電層、４
……自由表面、
フロントページの続き (72)発明者 秋山 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 阪原 千里 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−59353（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−90954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−98735（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−80646（ＪＰ，Ａ) 特公 昭45−10273（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (4)
- 【請求項１】導電性支持体上に、光導電層、高分子フィ
ルムを主成分とした電荷移動層が積層された電子写真感
光体において、前記電荷移動層をポリ（ｐ−フェニレ
ン）スルフィドを主成分とした高分子フィルムとし、加
熱処理による融着により形成する工程を有する電子写真
感光体の製造方法。 - 【請求項２】電荷移動層である高分子フィルムに電子受
容体を添加することを特徴とした特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項３】光導電層が局在化状態密度を減少せしめる
修飾物質を含む非晶質層を形成する工程を有する特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項４】自由表面に表面被服層を形成する工程を有
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158221A JPH0823706B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US07/190,093 US4886719A (en) | 1987-05-07 | 1988-05-04 | Electrophotography photosensitive member and a method for fabricating same |
| DE3855975T DE3855975T2 (de) | 1987-05-07 | 1988-05-06 | Lichtempfindliches, elektrophotographisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP88304123A EP0290270B1 (en) | 1987-05-07 | 1988-05-06 | Electrophotography photosensitive member and a method for fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158221A JPH0823706B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH012062A JPH012062A (ja) | 1989-01-06 |
| JPS642062A JPS642062A (en) | 1989-01-06 |
| JPH0823706B2 true JPH0823706B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=15666930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62158221A Expired - Lifetime JPH0823706B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-06-25 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823706B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256351A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Process for making biaxially stretched, heat shrinkable VLDPE films |
| CA1340037C (en) * | 1985-06-17 | 1998-09-08 | Stanley Lustig | Puncture resistant, heat-shrinkable films containing very low density polyethylene copolymer |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5590954A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-10 | Toray Ind Inc | Photoconductor |
| JPS57105744A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57165846A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-13 | Canon Inc | Support for use in image bearing material |
| JPS5880646A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-14 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS5898735A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-11 | Canon Inc | 電子写真用記録体 |
| JPS6059353A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-05 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPH0721644B2 (ja) * | 1985-05-31 | 1995-03-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 光導電部材 |
-
1987
- 1987-06-25 JP JP62158221A patent/JPH0823706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS642062A (en) | 1989-01-06 |
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