JPH08237425A - リニアイメージセンサ - Google Patents
リニアイメージセンサInfo
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- JPH08237425A JPH08237425A JP7034939A JP3493995A JPH08237425A JP H08237425 A JPH08237425 A JP H08237425A JP 7034939 A JP7034939 A JP 7034939A JP 3493995 A JP3493995 A JP 3493995A JP H08237425 A JPH08237425 A JP H08237425A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 転送周波数を上げることなく、解像度の向上
を可能としたリニアイメージセンサを提供する。 【構成】 基準画素の面積に対して、例えば１／１６の
面積を持つ画素からなる画素列１１〜１４を４本並べて
配置するとともに、これら画素列１１〜１４の各々に対
応して垂直シフトレジスタ１５〜１８を設けることによ
ってセンサ部１０を構成し、画素列１１〜１４の各画素
から垂直シフトレジスタ１５〜１８に読み出された信号
電荷を各列毎に水平シフトレジスタ１９を介して共通の
出力部２０に転送する構成とする。
を可能としたリニアイメージセンサを提供する。 【構成】 基準画素の面積に対して、例えば１／１６の
面積を持つ画素からなる画素列１１〜１４を４本並べて
配置するとともに、これら画素列１１〜１４の各々に対
応して垂直シフトレジスタ１５〜１８を設けることによ
ってセンサ部１０を構成し、画素列１１〜１４の各画素
から垂直シフトレジスタ１５〜１８に読み出された信号
電荷を各列毎に水平シフトレジスタ１９を介して共通の
出力部２０に転送する構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リニアイメージセンサ
に関し、特に画素配列と垂直な方向にて走査しつつ一次
元的な画像情報をアナログ電気信号に変換するＣＣＤリ
ニアイメージセンサに関する。
に関し、特に画素配列と垂直な方向にて走査しつつ一次
元的な画像情報をアナログ電気信号に変換するＣＣＤリ
ニアイメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤリニアイメージセンサの基本的な
構成を図３に示す。このＣＣＤリニアイメージセンサに
おいて、チップ上に集積化して形成された画素列３１は
分離・形成されたｐｎフォトダイオードによって構成さ
れている。そして、このフォトダイオードの各々にはそ
こに入射した光の強度と時間の積、即ち露光量に応じた
信号電荷が蓄積される。このフォトダイオードの各々に
蓄積された信号電荷は、シフトゲート３２を介して一斉
にＣＣＤシフトレジスタ３３に移され、かつ画素配列方
向に転送されて出力部３４に供給される。出力部３４
は、例えばフローティング・ディフュージョン構成とな
っており、供給された信号電荷を検出してアナログ電気
信号に変換する。
構成を図３に示す。このＣＣＤリニアイメージセンサに
おいて、チップ上に集積化して形成された画素列３１は
分離・形成されたｐｎフォトダイオードによって構成さ
れている。そして、このフォトダイオードの各々にはそ
こに入射した光の強度と時間の積、即ち露光量に応じた
信号電荷が蓄積される。このフォトダイオードの各々に
蓄積された信号電荷は、シフトゲート３２を介して一斉
にＣＣＤシフトレジスタ３３に移され、かつ画素配列方
向に転送されて出力部３４に供給される。出力部３４
は、例えばフローティング・ディフュージョン構成とな
っており、供給された信号電荷を検出してアナログ電気
信号に変換する。
【０００３】ところで、従来、ＣＣＤリニアイメージセ
ンサの解像度を高くするには、画素の数を増加させるこ
とによって達成できた。例えば、図４のＣＣＤリニアイ
メージセンサ（Ａ）を基準に考えると、Ｘ，Ｙ方向それ
ぞれ２倍の解像度に設定したものがＣＣＤリニアイメー
ジセンサ（Ｂ）、４倍の解像度に設定したものがＣＣＤ
リニアイメージセンサ（Ｃ）ということになる。この場
合、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ａ）に対する画素の
面積が、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ｂ）では１／
４、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ｃ）では１／１６と
なる。
ンサの解像度を高くするには、画素の数を増加させるこ
とによって達成できた。例えば、図４のＣＣＤリニアイ
メージセンサ（Ａ）を基準に考えると、Ｘ，Ｙ方向それ
ぞれ２倍の解像度に設定したものがＣＣＤリニアイメー
ジセンサ（Ｂ）、４倍の解像度に設定したものがＣＣＤ
リニアイメージセンサ（Ｃ）ということになる。この場
合、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ａ）に対する画素の
面積が、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ｂ）では１／
４、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ｃ）では１／１６と
なる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＣＤリニアイメージセンサでは、同一条件で解像度を
上げようとすると、解像度の上昇とともに動作周期が短
くなるため、転送周波数が上昇する。例えば、ＣＣＤリ
ニアイメージセンサ（Ａ）の蓄積時間を２００μsec 、
動作周期を２００μsec 、転送周波数を５００ｋＨｚと
すると、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ｂ）の場合は、
蓄積時間が１００μsec 、動作周期が１００μsec 、転
送周波数が２ＭＨｚとなり、ＣＣＤリニアイメージセン
サ（Ｃ）の場合は、蓄積時間が５０μsec 、動作周期が
５０μsec 、転送周波数が８ＭＨｚとなる。このよう
に、転送周波数が上昇すると、基本となる（Ａ）のデバ
イス構造のままでは転送効率など信号電荷の転送上でト
ラブルが発生することになる。
ＣＣＤリニアイメージセンサでは、同一条件で解像度を
上げようとすると、解像度の上昇とともに動作周期が短
くなるため、転送周波数が上昇する。例えば、ＣＣＤリ
ニアイメージセンサ（Ａ）の蓄積時間を２００μsec 、
動作周期を２００μsec 、転送周波数を５００ｋＨｚと
すると、ＣＣＤリニアイメージセンサ（Ｂ）の場合は、
蓄積時間が１００μsec 、動作周期が１００μsec 、転
送周波数が２ＭＨｚとなり、ＣＣＤリニアイメージセン
サ（Ｃ）の場合は、蓄積時間が５０μsec 、動作周期が
５０μsec 、転送周波数が８ＭＨｚとなる。このよう
に、転送周波数が上昇すると、基本となる（Ａ）のデバ
イス構造のままでは転送効率など信号電荷の転送上でト
ラブルが発生することになる。
【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、基本となるデバイス
構造をそのまま使用することを前提とし、転送周波数を
上げることなく、解像度の向上を可能としたリニアイメ
ージセンサを提供することにある。
であり、その目的とするところは、基本となるデバイス
構造をそのまま使用することを前提とし、転送周波数を
上げることなく、解像度の向上を可能としたリニアイメ
ージセンサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるリニアイメ
ージセンサは、基準画素の面積に対して１／２2n（ｎは
自然数）の面積の画素が一次元的に配列されてなる画素
列が２ｎ本並べて配置され、その配置方向にて走査しつ
つ各画素の信号電荷を各画素列毎に画素配列方向に転送
するセンサ部と、各画素列の転送先側端部に設けられて
各画素列毎に転送された信号電荷を画素列の配置方向に
転送する電荷転送部と、この電荷転送部によって転送さ
れた信号電荷を検出しアナログ電気信号に変換して出力
する出力部とを備えた構成となっている。
ージセンサは、基準画素の面積に対して１／２2n（ｎは
自然数）の面積の画素が一次元的に配列されてなる画素
列が２ｎ本並べて配置され、その配置方向にて走査しつ
つ各画素の信号電荷を各画素列毎に画素配列方向に転送
するセンサ部と、各画素列の転送先側端部に設けられて
各画素列毎に転送された信号電荷を画素列の配置方向に
転送する電荷転送部と、この電荷転送部によって転送さ
れた信号電荷を検出しアナログ電気信号に変換して出力
する出力部とを備えた構成となっている。
【０００７】
【作用】上記構成のリニアイメージセンサにおいて、基
準画素の面積に対して１／２2nの面積を持つ画素からな
る画素列を２ｎ本配置することで、基準画素のものに比
較して、蓄積時間は１／２ｎとなるが、動作周期は同じ
であり、よって転送周波数は２2n倍ではなく、２ｎ倍で
よい。したがって、転送周波数を上げることなく、解像
度を向上できる。また、各画素列の信号電荷は、各列毎
に順に電荷転送部を介して共通の出力部に転送される。
これにより、各列毎の出力として、各列間で相対的なレ
ベル差のない信号を導出できる。
準画素の面積に対して１／２2nの面積を持つ画素からな
る画素列を２ｎ本配置することで、基準画素のものに比
較して、蓄積時間は１／２ｎとなるが、動作周期は同じ
であり、よって転送周波数は２2n倍ではなく、２ｎ倍で
よい。したがって、転送周波数を上げることなく、解像
度を向上できる。また、各画素列の信号電荷は、各列毎
に順に電荷転送部を介して共通の出力部に転送される。
これにより、各列毎の出力として、各列間で相対的なレ
ベル差のない信号を導出できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【０００９】図１は、本発明の一実施例を示す概略構成
図である。図１において、例えば４本の画素列１１〜１
４が並べられて配置されている。この４本の画素列１１
〜１４の各画素を構成する基本のユニットセルは、ｐｎ
フォトダイオードからなる受光部ＰＤ及びその周辺のチ
ャネルストップ部ＣＳによって構成され、図４に示すＣ
ＣＤリニアイメージセンサ（Ａ）の画素を基準としたと
き、この基準画素の面積に対して１／１６（＝２4 ）の
面積を有している。これにより、４本の画素列１１〜１
４の４個ずつの画素の集合が基準画素の１つの大きさに
対応することになる。各画素には、入射光の強度と時間
の積、即ち露光量に応じた信号電荷が蓄積される。この
４本の画素列１１〜１４の各々に対応して４本の垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスタ（以下、単に垂直シフトレジスタと
称する）１５〜１８が設けられている。
図である。図１において、例えば４本の画素列１１〜１
４が並べられて配置されている。この４本の画素列１１
〜１４の各画素を構成する基本のユニットセルは、ｐｎ
フォトダイオードからなる受光部ＰＤ及びその周辺のチ
ャネルストップ部ＣＳによって構成され、図４に示すＣ
ＣＤリニアイメージセンサ（Ａ）の画素を基準としたと
き、この基準画素の面積に対して１／１６（＝２4 ）の
面積を有している。これにより、４本の画素列１１〜１
４の４個ずつの画素の集合が基準画素の１つの大きさに
対応することになる。各画素には、入射光の強度と時間
の積、即ち露光量に応じた信号電荷が蓄積される。この
４本の画素列１１〜１４の各々に対応して４本の垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスタ（以下、単に垂直シフトレジスタと
称する）１５〜１８が設けられている。
【００１０】これら垂直シフトレジスタ１５〜１８に
は、４本の画素列１１〜１４の各画素に蓄積された信号
電荷が、図示せぬシフトゲートを介して一斉に読み出さ
れる。垂直シフトレジスタ１５〜１８は、左側から順番
に転送駆動されることにより、垂直シフトレジスタ１５
〜１８から読み出された信号電荷を１列分ずつ垂直方向
（画素配列方向）に転送する。これにより、先ず一番左
側の画素列１１の１列分の信号電荷が、次に左から２番
目の画素列１２の１列分の信号電荷が、次に３番目の画
素列１３の信号電荷、４番目の画素列１４の信号電荷と
順に垂直転送される。この画素列１１〜１４及び垂直シ
フトレジスタ１５〜１８によってセンサ部１０が構成さ
れている。
は、４本の画素列１１〜１４の各画素に蓄積された信号
電荷が、図示せぬシフトゲートを介して一斉に読み出さ
れる。垂直シフトレジスタ１５〜１８は、左側から順番
に転送駆動されることにより、垂直シフトレジスタ１５
〜１８から読み出された信号電荷を１列分ずつ垂直方向
（画素配列方向）に転送する。これにより、先ず一番左
側の画素列１１の１列分の信号電荷が、次に左から２番
目の画素列１２の１列分の信号電荷が、次に３番目の画
素列１３の信号電荷、４番目の画素列１４の信号電荷と
順に垂直転送される。この画素列１１〜１４及び垂直シ
フトレジスタ１５〜１８によってセンサ部１０が構成さ
れている。
【００１１】４本の垂直シフトレジスタ１５〜１８の転
送先側の端部には、水平ＣＣＤシフトレジスタ（以下、
単に水平シフトレジスタと称する）１９が設けられてい
る。この水平シフトレジスタ１９は、垂直シフトレジス
タ１５〜１８から１列分ずつ順番に移された信号電荷を
水平方向（画素列の配置方向）に転送する。水平シフト
レジスタ１９の転送先の端部には、例えばフローティン
グ・ディフュージョン（ＦＤ）構成の出力部２０が設け
られている。この出力部２０は、信号電荷がＦＤ領域に
流入したときその電荷量に応じてＦＤ領域の電位が変化
することで、信号電荷を電圧信号に変換する。このＦＤ
領域の電位は、図示せぬソースフォロワによるインピー
ダンス変換を経て外部に導出される。
送先側の端部には、水平ＣＣＤシフトレジスタ（以下、
単に水平シフトレジスタと称する）１９が設けられてい
る。この水平シフトレジスタ１９は、垂直シフトレジス
タ１５〜１８から１列分ずつ順番に移された信号電荷を
水平方向（画素列の配置方向）に転送する。水平シフト
レジスタ１９の転送先の端部には、例えばフローティン
グ・ディフュージョン（ＦＤ）構成の出力部２０が設け
られている。この出力部２０は、信号電荷がＦＤ領域に
流入したときその電荷量に応じてＦＤ領域の電位が変化
することで、信号電荷を電圧信号に変換する。このＦＤ
領域の電位は、図示せぬソースフォロワによるインピー
ダンス変換を経て外部に導出される。
【００１２】次に、上記構成のＣＣＤリニアイメージセ
ンサの動作について、図２を参照しつつ同一の画素面積
を持つ図４に示す従来のＣＣＤリニアイメージセンサ
（Ｃ）と対比して説明する。先ず、従来のＣＣＤリニア
イメージセンサ（Ｃ）の場合には、図２（Ａ）に示すよ
うに、スキャンする情報Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，……はすべて
１アレイ（１列）で取り扱わざるを得ない。したがっ
て、先述したように、動作周期＝蓄積時間（５０μsec
）であれば、垂直転送周波数は８ＭＨｚと高いものに
なる。
ンサの動作について、図２を参照しつつ同一の画素面積
を持つ図４に示す従来のＣＣＤリニアイメージセンサ
（Ｃ）と対比して説明する。先ず、従来のＣＣＤリニア
イメージセンサ（Ｃ）の場合には、図２（Ａ）に示すよ
うに、スキャンする情報Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，……はすべて
１アレイ（１列）で取り扱わざるを得ない。したがっ
て、先述したように、動作周期＝蓄積時間（５０μsec
）であれば、垂直転送周波数は８ＭＨｚと高いものに
なる。
【００１３】これに対し、本実施例のように、スキャン
する情報Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，……を４アレイ（４列）で取
り扱う構成とすると、図２（Ｂ）に示すように、１stア
レイ（画素列１１）は情報Ａ，Ｅ，Ｉ，……を、２ndア
レイ（画素列１２）は情報Ｂ，Ｆ，Ｊ，……を、３rdア
レイ（画素列１３）は情報Ｃ，Ｇ，Ｋ，……を、４thア
レイ（画素列１４）は情報Ｄ，Ｈ，Ｌ，……をそれぞれ
取り扱えば良い。４本の画素列１１〜１４の各画素に蓄
積された信号電荷は、各列毎に順に水平シフトレジスタ
１９を介して出力部２０へ転送されて結合され、情報
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，……の順に出力される。
する情報Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，……を４アレイ（４列）で取
り扱う構成とすると、図２（Ｂ）に示すように、１stア
レイ（画素列１１）は情報Ａ，Ｅ，Ｉ，……を、２ndア
レイ（画素列１２）は情報Ｂ，Ｆ，Ｊ，……を、３rdア
レイ（画素列１３）は情報Ｃ，Ｇ，Ｋ，……を、４thア
レイ（画素列１４）は情報Ｄ，Ｈ，Ｌ，……をそれぞれ
取り扱えば良い。４本の画素列１１〜１４の各画素に蓄
積された信号電荷は、各列毎に順に水平シフトレジスタ
１９を介して出力部２０へ転送されて結合され、情報
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，……の順に出力される。
【００１４】これにより、１アレイにとれば、蓄積時間
は図４のＣＣＤリニアイメージセンサ（Ａ）の場合の１
／４の５０μsec となるが、動作周期は当該センサ
（Ａ）の場合と同等の２００μsec となり、垂直転送周
波数も本来８ＭＨZ であるところが２ＭＨZ でよい。そ
の結果、転送周波数を上げることなく、解像度を向上で
きることになる。
は図４のＣＣＤリニアイメージセンサ（Ａ）の場合の１
／４の５０μsec となるが、動作周期は当該センサ
（Ａ）の場合と同等の２００μsec となり、垂直転送周
波数も本来８ＭＨZ であるところが２ＭＨZ でよい。そ
の結果、転送周波数を上げることなく、解像度を向上で
きることになる。
【００１５】なお、１つのアレイにとっての蓄積時間は
５０μsec であるが、例えば１stアレイ（画素列１１）
に着目すると、動作周期２００μsec の期間に情報Ａの
他に情報Ｂ，Ｃ，Ｄについても蓄積されることになる。
そのため、情報Ａの次に１stアレイが取り扱うべき情報
Ｅの蓄積の前に、画素列１１に蓄積された信号電荷を排
出する処理を実行することになる。この信号電荷の排出
処理は、例えば５０μsec 蓄積モードの電子シャッター
動作によって実現できる。
５０μsec であるが、例えば１stアレイ（画素列１１）
に着目すると、動作周期２００μsec の期間に情報Ａの
他に情報Ｂ，Ｃ，Ｄについても蓄積されることになる。
そのため、情報Ａの次に１stアレイが取り扱うべき情報
Ｅの蓄積の前に、画素列１１に蓄積された信号電荷を排
出する処理を実行することになる。この信号電荷の排出
処理は、例えば５０μsec 蓄積モードの電子シャッター
動作によって実現できる。
【００１６】ところで、例えば４本の画素列１１〜１４
を用いた場合、各シフトレジスタ１５〜１８の転送先側
の端部に４つの出力部をそれぞれ配置し、各アレイ毎に
読取情報を取り出す構成を採ることも考えられる。しか
しながら、各アレイ毎に出力部を設けた場合、各出力部
間にゲインのバラツキなどがあると、各アレイ毎の出力
間に相対的なレベルが発生することになる。ところが、
本発明においては、各アレイに共通に１つの出力部２０
を設け、各アレイの信号電荷を水平シフトレジスタ１９
を介して出力部２０に順に転送する構成を採ったので、
各アレイ毎の出力を均一なレベルで導出できることにな
る。
を用いた場合、各シフトレジスタ１５〜１８の転送先側
の端部に４つの出力部をそれぞれ配置し、各アレイ毎に
読取情報を取り出す構成を採ることも考えられる。しか
しながら、各アレイ毎に出力部を設けた場合、各出力部
間にゲインのバラツキなどがあると、各アレイ毎の出力
間に相対的なレベルが発生することになる。ところが、
本発明においては、各アレイに共通に１つの出力部２０
を設け、各アレイの信号電荷を水平シフトレジスタ１９
を介して出力部２０に順に転送する構成を採ったので、
各アレイ毎の出力を均一なレベルで導出できることにな
る。
【００１７】なお、上記実施例では、図４に示すＣＣＤ
リニアイメージセンサ（Ａ）の画素を基準としたとき、
この基準画素の面積に対して１／１６（＝２4 ）の面積
を有する画素からなる４本の画素列１１〜１４を用いて
ＣＣＤリニアイメージセンサを構成した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく、基準画素の
面積に対して１／２2n（ｎは自然数）の面積を有する画
素からなる画素列を２ｎ本並べて配置した構成であれば
良い。
リニアイメージセンサ（Ａ）の画素を基準としたとき、
この基準画素の面積に対して１／１６（＝２4 ）の面積
を有する画素からなる４本の画素列１１〜１４を用いて
ＣＣＤリニアイメージセンサを構成した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく、基準画素の
面積に対して１／２2n（ｎは自然数）の面積を有する画
素からなる画素列を２ｎ本並べて配置した構成であれば
良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基準画素の面積に対して１／２2nの面積の画素からなる
画素列が２ｎ本並べて配置し、各画素列の信号電荷を各
列毎に順に電荷転送部を介して共通の出力部に転送する
構成としたことにより、基準画素のものに比して蓄積時
間は１／２ｎとなるが、動作周期は同じであり、転送周
波数も２ｎ倍で良いため、転送周波数を上げることな
く、解像度を向上できるとともに、各列毎の出力として
各列間で相対的なレベル差のない信号を導出できること
になる。
基準画素の面積に対して１／２2nの面積の画素からなる
画素列が２ｎ本並べて配置し、各画素列の信号電荷を各
列毎に順に電荷転送部を介して共通の出力部に転送する
構成としたことにより、基準画素のものに比して蓄積時
間は１／２ｎとなるが、動作周期は同じであり、転送周
波数も２ｎ倍で良いため、転送周波数を上げることな
く、解像度を向上できるとともに、各列毎の出力として
各列間で相対的なレベル差のない信号を導出できること
になる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図２】動作説明のための模式図である。
【図３】ＣＣＤリニアイメージセンサの基本的な構成図
である。
である。
【図４】従来例を示す概略構成図である。
【符号の説明】 １０ センサ部 １１〜１
４ 画素列 １５〜１８ 垂直ＣＣＤシフトレジスタ １９ 水平ＣＣＤシフトレジスタ ２０ 出
力部
４ 画素列 １５〜１８ 垂直ＣＣＤシフトレジスタ １９ 水平ＣＣＤシフトレジスタ ２０ 出
力部
Claims (1)
- 【請求項１】 基準画素の面積に対して１／２2n（ｎは
自然数）の面積の画素が一次元的に配列されてなる画素
列が２ｎ本並べて配置され、その配置方向にて走査しつ
つ各画素の信号電荷を各画素列毎に画素配列方向に転送
するセンサ部と、 各画素列の転送先側端部に設けられて各画素列毎に転送
された信号電荷を画素列の配置方向に転送する電荷転送
部と、 前記電荷転送部によって転送された信号電荷を検出しア
ナログ電気信号に変換して出力する出力部とを備えたこ
とを特徴とするリニアイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034939A JPH08237425A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | リニアイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034939A JPH08237425A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | リニアイメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08237425A true JPH08237425A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12428159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7034939A Pending JPH08237425A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | リニアイメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08237425A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178080A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-09 | Sony Corp | 黒レベルの自動設定回路 |
| JPS63290454A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 走査装置 |
| JPH03159485A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-09 | Ricoh Co Ltd | イメージセンサ |
| JPH03274960A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
-
1995
- 1995-02-23 JP JP7034939A patent/JPH08237425A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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