JPH08238583A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH08238583A JPH08238583A JP7040555A JP4055595A JPH08238583A JP H08238583 A JPH08238583 A JP H08238583A JP 7040555 A JP7040555 A JP 7040555A JP 4055595 A JP4055595 A JP 4055595A JP H08238583 A JPH08238583 A JP H08238583A
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- Japan
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- laser
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 励起用レーザダイオード１１は、励起光を出
射する。第２高調波発生ユニット１２は、励起光の照射
を受けて波長５３２ｎｍのレーザ光である第２高調波光
を発生する。光学的切換部１５は、第２高調波光を光学
的に切り換える。第４高調波発生ユニット２１は、光学
的切換部１５で切り換えられた上記第２高調波光を用い
て波長２６６ｎｍのレーザ光である第４高調波光を発生
する。 【効果】 占有スペース、価格、ランニングコストの増
大を抑えることができ、小型化及び低コスト化を実現で
きる。
射する。第２高調波発生ユニット１２は、励起光の照射
を受けて波長５３２ｎｍのレーザ光である第２高調波光
を発生する。光学的切換部１５は、第２高調波光を光学
的に切り換える。第４高調波発生ユニット２１は、光学
的切換部１５で切り換えられた上記第２高調波光を用い
て波長２６６ｎｍのレーザ光である第４高調波光を発生
する。 【効果】 占有スペース、価格、ランニングコストの増
大を抑えることができ、小型化及び低コスト化を実現で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を用いて例え
ば半導体集積回路上の配線の修正を行うようなレーザ加
工装置に関する。
ば半導体集積回路上の配線の修正を行うようなレーザ加
工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶表示装置等の細密
な構成を有するデバイスにおいては、例えばマスク形成
時の誤差等から回路配線の修正が必要な場合、レーザ光
を用いたレーザ加工装置を使用している。
な構成を有するデバイスにおいては、例えばマスク形成
時の誤差等から回路配線の修正が必要な場合、レーザ光
を用いたレーザ加工装置を使用している。
【０００３】一般に、回路配線の修正では、配線切断処
理、穴あけ処理、結線処理を順次行う必要がある。上記
レーザ加工装置では、異なる波長のレーザ光を発生する
２つのレーザを装備している。エキシマレーザで波長２
４８ｎｍの紫外線域のレーザ光を発生し上記配線切断及
び穴あけ処理を行い、アルゴンレーザで波長４８８ｎｍ
のレーザ光を発生し上記結線処理を行っている。エキシ
マレーザは、溶発又は熱的加工により、配線材料又は不
活性膜材料の除去加工を行っている。アルゴンレーザ
は、金属を含む有機塗布膜に連続的にレーザ光を発振
し、該レーザ光を走査させて金属を析出し配線形成処理
である結線処理を行っている。
理、穴あけ処理、結線処理を順次行う必要がある。上記
レーザ加工装置では、異なる波長のレーザ光を発生する
２つのレーザを装備している。エキシマレーザで波長２
４８ｎｍの紫外線域のレーザ光を発生し上記配線切断及
び穴あけ処理を行い、アルゴンレーザで波長４８８ｎｍ
のレーザ光を発生し上記結線処理を行っている。エキシ
マレーザは、溶発又は熱的加工により、配線材料又は不
活性膜材料の除去加工を行っている。アルゴンレーザ
は、金属を含む有機塗布膜に連続的にレーザ光を発振
し、該レーザ光を走査させて金属を析出し配線形成処理
である結線処理を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記レーザ
加工装置において、２つのレーザの存在は、小型化及び
低コスト化を妨げていた。特に、上記エキシマレーザは
装置自体が大型で、消費電力が大きい、このため、上記
レーザ加工装置の占有スペース、価格、ランニングコス
トを増大させていた。
加工装置において、２つのレーザの存在は、小型化及び
低コスト化を妨げていた。特に、上記エキシマレーザは
装置自体が大型で、消費電力が大きい、このため、上記
レーザ加工装置の占有スペース、価格、ランニングコス
トを増大させていた。
【０００５】本発明は、上記実情に鑑みて成されたもの
であり、占有スペース、価格、ランニングコストの増大
を抑え、小型化及び低コスト化を実現できるレーザ加工
装置の提供を目的とする。
であり、占有スペース、価格、ランニングコストの増大
を抑え、小型化及び低コスト化を実現できるレーザ加工
装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザ加工
装置は、上記課題を解決するため、励起光を出射する励
起用光源と、上記励起光の照射によりレーザ光を発生す
るレーザ光発生手段と、上記レーザ光を光学的に切り換
える光学的切換手段と、上記光学的切換手段で切り換え
られた上記レーザ光を用いて高次高調波光を発生する高
次高調波発生手段とを有して成る。
装置は、上記課題を解決するため、励起光を出射する励
起用光源と、上記励起光の照射によりレーザ光を発生す
るレーザ光発生手段と、上記レーザ光を光学的に切り換
える光学的切換手段と、上記光学的切換手段で切り換え
られた上記レーザ光を用いて高次高調波光を発生する高
次高調波発生手段とを有して成る。
【０００７】
【作用】レーザ光発生手段が励起光の照射により発生し
たレーザ光を光学的切換手段により切り換え、その一を
出力するか又は高次高調波発生手段に導き、高次高調波
光を出力するので、異なった波長のレーザ光を出力する
異なったレーザ発光部を不要とする。
たレーザ光を光学的切換手段により切り換え、その一を
出力するか又は高次高調波発生手段に導き、高次高調波
光を出力するので、異なった波長のレーザ光を出力する
異なったレーザ発光部を不要とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係るレーザ加工装置の実施例
について図面を参照しながら説明する。この実施例は、
半導体集積回路や液晶表示装置等の細密な構成を有する
デバイスの回路配線の修正を行うレーザ加工装置であ
る。このレーザ加工装置により、配線切断処理、穴あけ
処理、結線処理を順次行い回路配線の修正が行われる。
について図面を参照しながら説明する。この実施例は、
半導体集積回路や液晶表示装置等の細密な構成を有する
デバイスの回路配線の修正を行うレーザ加工装置であ
る。このレーザ加工装置により、配線切断処理、穴あけ
処理、結線処理を順次行い回路配線の修正が行われる。
【０００９】図１に示すように、このレーザ加工装置３
０は、レーザ光源１０から出射される例えば波長５３２
ｎｍのレーザ光又は例えば波長２６６ｎｍのレーザ光を
集光光学系３１により、Ｘ−Ｙステージ３２上に載置さ
れたサンプル１上の修正箇所の表面にμｍオーダーのス
ポットとして集光する。集光光学系３１は、遠紫外線域
にある上記波長２６６ｎｍのレーザ光から、可視域にあ
る上記波長５３２ｎｍのレーザ光までの広い波長域に渡
り、色収差補正されたものであり、サンプル１の表面観
察用のカメラのＣＣＤ素子３３上にサンプル１の表面の
像を結ぶように調整されている。Ｘ−Ｙステージ３２
は、制御用コンピュータ３５により駆動され、サンプル
１の修正箇所を集光光学系３１の下に位置させる。この
ため、使用者はサンプル１の修正箇所をモニタ装置３４
で観察できる。
０は、レーザ光源１０から出射される例えば波長５３２
ｎｍのレーザ光又は例えば波長２６６ｎｍのレーザ光を
集光光学系３１により、Ｘ−Ｙステージ３２上に載置さ
れたサンプル１上の修正箇所の表面にμｍオーダーのス
ポットとして集光する。集光光学系３１は、遠紫外線域
にある上記波長２６６ｎｍのレーザ光から、可視域にあ
る上記波長５３２ｎｍのレーザ光までの広い波長域に渡
り、色収差補正されたものであり、サンプル１の表面観
察用のカメラのＣＣＤ素子３３上にサンプル１の表面の
像を結ぶように調整されている。Ｘ−Ｙステージ３２
は、制御用コンピュータ３５により駆動され、サンプル
１の修正箇所を集光光学系３１の下に位置させる。この
ため、使用者はサンプル１の修正箇所をモニタ装置３４
で観察できる。
【００１０】ここで、レーザ光源１０は、図２に示すよ
うに、例えば波長８０８ｎｍの励起光を出射する励起用
光源である励起用レーザダイオード（以下ＬＤとい
う。）１１と、上記励起光の照射を受けて上記波長５３
２ｎｍのレーザ光である第２高調波光を発生するレーザ
光発生手段である第２高調波発生ユニット１２と、上記
第２高調波光を光学的に切り換える光学的切換部１５
と、この光学的切換部１５で切り換えられた上記第２高
調波光を用いて上記波長２６６ｎｍのレーザ光である第
４高調波光を発生する高次高調波発生手段である第４高
調波発生ユニット２１とを有して成る。
うに、例えば波長８０８ｎｍの励起光を出射する励起用
光源である励起用レーザダイオード（以下ＬＤとい
う。）１１と、上記励起光の照射を受けて上記波長５３
２ｎｍのレーザ光である第２高調波光を発生するレーザ
光発生手段である第２高調波発生ユニット１２と、上記
第２高調波光を光学的に切り換える光学的切換部１５
と、この光学的切換部１５で切り換えられた上記第２高
調波光を用いて上記波長２６６ｎｍのレーザ光である第
４高調波光を発生する高次高調波発生手段である第４高
調波発生ユニット２１とを有して成る。
【００１１】第２高調波発生ユニット１２は、 固体レ
ーザ素子であるＹＡＧ１３と、非線形光学結晶素子であ
るＫＴｉＯＰＯ4（以下、ＫＴＰという。）１４からな
る。励起用ＬＤ１１から出射された波長８０８ｎｍ出力
１０Ｗ程度の励起光は、ＹＡＧ１３を励起する。ＹＡＧ
１３は、励起されると波長１０６４ｎｍの基本波光を発
生する。この基本波光は、ＫＴＰ１４に入射し、波長５
３２ｎｍの第２高調波光に変換される。こうして第２高
調波発生ユニット１２が発生した第２高調波光は光学的
切換部１５に入射する。
ーザ素子であるＹＡＧ１３と、非線形光学結晶素子であ
るＫＴｉＯＰＯ4（以下、ＫＴＰという。）１４からな
る。励起用ＬＤ１１から出射された波長８０８ｎｍ出力
１０Ｗ程度の励起光は、ＹＡＧ１３を励起する。ＹＡＧ
１３は、励起されると波長１０６４ｎｍの基本波光を発
生する。この基本波光は、ＫＴＰ１４に入射し、波長５
３２ｎｍの第２高調波光に変換される。こうして第２高
調波発生ユニット１２が発生した第２高調波光は光学的
切換部１５に入射する。
【００１２】光学的切換部１５は、１／２波長板１６
と、偏光ビームスプリッタ（以下、ＰＢＳという。）１
７からなる。ここで、１／２波長板１６は、図示しない
アクチュエータにより回転されて、上記第２高調波光の
偏光方向を変える。例えば、回転されない１／２波長板
１６は、第２高調波光をＰ偏光とする。また、回転され
た１／２波長板１６は、第２高調波光をＳ偏光とする。
Ｐ偏光とされた第２高調波光は、ＰＢＳ１７を透過す
る。一方、Ｓ偏光とされた第２高調波光は、ＰＢＳ１７
の反射面１７Ｒで反射され、ミラー１８，１９及び２０
を介して第４高調波発生ユニット２１に導かれる。
と、偏光ビームスプリッタ（以下、ＰＢＳという。）１
７からなる。ここで、１／２波長板１６は、図示しない
アクチュエータにより回転されて、上記第２高調波光の
偏光方向を変える。例えば、回転されない１／２波長板
１６は、第２高調波光をＰ偏光とする。また、回転され
た１／２波長板１６は、第２高調波光をＳ偏光とする。
Ｐ偏光とされた第２高調波光は、ＰＢＳ１７を透過す
る。一方、Ｓ偏光とされた第２高調波光は、ＰＢＳ１７
の反射面１７Ｒで反射され、ミラー１８，１９及び２０
を介して第４高調波発生ユニット２１に導かれる。
【００１３】第４高調波発生ユニット２１は、非線形光
学結晶素子であるβ−ＢａＢＯ3（以下、ＢＢＯとい
う。）２２により波長５３２ｎｍの第２高調波光を波長
２６６ｎｍの第４高調波光に変換する。
学結晶素子であるβ−ＢａＢＯ3（以下、ＢＢＯとい
う。）２２により波長５３２ｎｍの第２高調波光を波長
２６６ｎｍの第４高調波光に変換する。
【００１４】このようにして、図２に示したレーザ光源
１０は、第２高調波発生ユニット１２からの上記第２高
調波レーザ光を１／２波長板１６とＰＢＳ１７からなる
光学的切換部１５によって切り換えて一方を出力すると
共に、他方を第４高調波発生ユニット２１に導き、第４
高調波光に変換して出力する。ここで、上記第４高調波
光は、回路配線修正プロセスの内の配線切断及び穴あけ
処理に使われる。また、上記第２高調波光は、結線処理
に使われる。
１０は、第２高調波発生ユニット１２からの上記第２高
調波レーザ光を１／２波長板１６とＰＢＳ１７からなる
光学的切換部１５によって切り換えて一方を出力すると
共に、他方を第４高調波発生ユニット２１に導き、第４
高調波光に変換して出力する。ここで、上記第４高調波
光は、回路配線修正プロセスの内の配線切断及び穴あけ
処理に使われる。また、上記第２高調波光は、結線処理
に使われる。
【００１５】図１のコーティングユニット３６とオーブ
ンユニット３７は、上記結線処理に用いられる有機金属
薄膜をサンプル１上に形成するためのモジュールであ
る。この有機金属薄膜は、例えばパラジウムアセテート
等の金属を含む有機化合物を有機溶剤に溶かした溶液を
サンプル１上に滴下した後、コーティングユニット３６
でのスピンコートにより均一な１μｍ前後の薄膜を塗布
してから、オーブンユニット３７でのベーキングにより
膜中の溶剤を蒸発させることによって形成される。この
ようにしてサンプル１上に有機金属薄膜を形成した後、
サンプル１はサンプル搬送ユニット３８によりＸ−Ｙス
テージ３２に送られて結線処理が行われる。
ンユニット３７は、上記結線処理に用いられる有機金属
薄膜をサンプル１上に形成するためのモジュールであ
る。この有機金属薄膜は、例えばパラジウムアセテート
等の金属を含む有機化合物を有機溶剤に溶かした溶液を
サンプル１上に滴下した後、コーティングユニット３６
でのスピンコートにより均一な１μｍ前後の薄膜を塗布
してから、オーブンユニット３７でのベーキングにより
膜中の溶剤を蒸発させることによって形成される。この
ようにしてサンプル１上に有機金属薄膜を形成した後、
サンプル１はサンプル搬送ユニット３８によりＸ−Ｙス
テージ３２に送られて結線処理が行われる。
【００１６】次に、このレーザ加工装置３０により、サ
ンプル１の回路配線を修正するプロセス例について説明
する。この回路配線修正プロセスは、上述したように、
配線切断処理、穴あけ処理、結線処理からなる。
ンプル１の回路配線を修正するプロセス例について説明
する。この回路配線修正プロセスは、上述したように、
配線切断処理、穴あけ処理、結線処理からなる。
【００１７】配線切断処理は、レーザ光源１０で切り換
え出射される波長２６６ｎｍの上記第４高調波光を用い
て行われる。初めに、サンプル１上の配線切断処理を施
す箇所に上記第４高調波光のスポットを集光するよう
に、モニタ部３４でサンプル１の表面を観察しながらＸ
−Ｙステージ３２を制御部３５で駆動した後、レーザ光
源１０から上記第４高調波光を出射する。一般に、集積
回路のようなサンプルでは、アルミニウムＡｌ等の配線
層の上部には、例えばプラズマＳｉＮ膜のような不活性
膜が被覆されている。このため、上記不活性膜を上記第
４高調波光により溶発により除去し、続いて配線金属層
を同様に溶発により切断する。
え出射される波長２６６ｎｍの上記第４高調波光を用い
て行われる。初めに、サンプル１上の配線切断処理を施
す箇所に上記第４高調波光のスポットを集光するよう
に、モニタ部３４でサンプル１の表面を観察しながらＸ
−Ｙステージ３２を制御部３５で駆動した後、レーザ光
源１０から上記第４高調波光を出射する。一般に、集積
回路のようなサンプルでは、アルミニウムＡｌ等の配線
層の上部には、例えばプラズマＳｉＮ膜のような不活性
膜が被覆されている。このため、上記不活性膜を上記第
４高調波光により溶発により除去し、続いて配線金属層
を同様に溶発により切断する。
【００１８】例えば、コンタクトホールの穴あけ加工処
理も、レーザ光源１０で切り換え出射される波長２６６
ｎｍの上記第４高調波光を用いて行われる。実際の処理
は不活性膜を上記第４高調波光による溶発で選択的に除
去する。
理も、レーザ光源１０で切り換え出射される波長２６６
ｎｍの上記第４高調波光を用いて行われる。実際の処理
は不活性膜を上記第４高調波光による溶発で選択的に除
去する。
【００１９】結線処理は、レーザ光源１０から出射され
る波長５３２ｎｍの上記第２高調波光を用いて行われ
る。この結線処理は、上記穴あけ加工処理と組み合わせ
て行われ、開口されたコンタクトホールの下にある配線
間を結ぶ配線を新たに形成する処理である。
る波長５３２ｎｍの上記第２高調波光を用いて行われ
る。この結線処理は、上記穴あけ加工処理と組み合わせ
て行われ、開口されたコンタクトホールの下にある配線
間を結ぶ配線を新たに形成する処理である。
【００２０】以下、この結線処理を具体的に説明する。
【００２１】先ず、穴あけ加工処理が所定の箇所に施さ
れたサンプル１は、サンプル搬送ユニット３２により、
コーティングユニット３６に送られる。コーティングユ
ニット３６では、上述したように、例えばパラジウムア
セテート等の金属を含む有機化合物を有機溶剤に溶かし
た溶液をサンプル１上に滴下した後、スピンコートによ
り均一な１μｍ前後の薄膜が塗布される。次に、このサ
ンプル１は、オーブンユニット３７でベーキングされ、
その表面には均一な有機金属薄膜が形成される。次に、
再びサンプル搬送ユニット３８により有機金属薄膜が形
成されたサンプル１は、Ｘ−Ｙステージ３２に送られ
る。そして、Ｘ−Ｙステージ３２上では、サンプル１の
所定のコンタクトホールを結ぶ線上にレーザ光が走査さ
れる。すると、サンプル１に形成された有機金属薄膜で
は、レーザ光が走査された部分にのみ金属が析出するの
で金属配線が形成される。このようにして形成された配
線以外の部分は、有機溶剤等により除去可能である。
れたサンプル１は、サンプル搬送ユニット３２により、
コーティングユニット３６に送られる。コーティングユ
ニット３６では、上述したように、例えばパラジウムア
セテート等の金属を含む有機化合物を有機溶剤に溶かし
た溶液をサンプル１上に滴下した後、スピンコートによ
り均一な１μｍ前後の薄膜が塗布される。次に、このサ
ンプル１は、オーブンユニット３７でベーキングされ、
その表面には均一な有機金属薄膜が形成される。次に、
再びサンプル搬送ユニット３８により有機金属薄膜が形
成されたサンプル１は、Ｘ−Ｙステージ３２に送られ
る。そして、Ｘ−Ｙステージ３２上では、サンプル１の
所定のコンタクトホールを結ぶ線上にレーザ光が走査さ
れる。すると、サンプル１に形成された有機金属薄膜で
は、レーザ光が走査された部分にのみ金属が析出するの
で金属配線が形成される。このようにして形成された配
線以外の部分は、有機溶剤等により除去可能である。
【００２２】したがって、このレーザ加工装置３０によ
れば、サンプル１の回路配線修正プロセスに応じて、上
記第４高調波光と上記第２高調波光をレーザ光源１０内
で切り換えて出力できるので、従来のように、エキシマ
レーザとアルゴンレーザの異なった２つのレーザを用い
ることがなく、占有スペース、価格、ランニングコスト
の増大を抑えることができ、小型化及び低コスト化を実
現できる。
れば、サンプル１の回路配線修正プロセスに応じて、上
記第４高調波光と上記第２高調波光をレーザ光源１０内
で切り換えて出力できるので、従来のように、エキシマ
レーザとアルゴンレーザの異なった２つのレーザを用い
ることがなく、占有スペース、価格、ランニングコスト
の増大を抑えることができ、小型化及び低コスト化を実
現できる。
【００２３】なお、本発明に係るレーザ加工装置は、上
記実施例にのみ限定されるものではなく、例えば、出射
するレーザ光と高次高調波光は、基本波光と第２高調波
光でもよい。また、固体レーザ素子や非線形光学結晶素
子は、ＹＡＧやＫＴＰに限定されないのはもちろんであ
る。さらに、上記光学的切換部としては、音響光学変調
器であるＡＯＭや電気光学変調器であるＥＯＭを用いて
もよい。
記実施例にのみ限定されるものではなく、例えば、出射
するレーザ光と高次高調波光は、基本波光と第２高調波
光でもよい。また、固体レーザ素子や非線形光学結晶素
子は、ＹＡＧやＫＴＰに限定されないのはもちろんであ
る。さらに、上記光学的切換部としては、音響光学変調
器であるＡＯＭや電気光学変調器であるＥＯＭを用いて
もよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係るレーザ加工装置は、レーザ
光発生手段が励起光の照射により発生したレーザ光を光
学的切換手段により切り換え、その一を出力するか又は
高次高調波発生手段に導き高次高調波光を出力するの
で、異なった波長のレーザ光を出力する異なったレーザ
発光部を不要とし、占有スペース、価格、ランニングコ
ストの増大を抑えることができ、小型化及び低コスト化
を実現できる。
光発生手段が励起光の照射により発生したレーザ光を光
学的切換手段により切り換え、その一を出力するか又は
高次高調波発生手段に導き高次高調波光を出力するの
で、異なった波長のレーザ光を出力する異なったレーザ
発光部を不要とし、占有スペース、価格、ランニングコ
ストの増大を抑えることができ、小型化及び低コスト化
を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るレーザ加工装置の実施例の概略構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図２】図１に示したレーザ加工装置に使われるレーザ
光源の概略構成を示すブロック図である。
光源の概略構成を示すブロック図である。
１０ レーザ光源 １１ 励起用レーザダイオード １２ 第２高調波発生ユニット １５ 光学的切換部 ２１ 第４高調波発生ユニット ３０ レーザ加工装置
Claims (3)
- 【請求項１】 励起光を出射する励起用光源と、 上記励起光の照射によりレーザ光を発生するレーザ光発
生手段と、 上記レーザ光を光学的に切り換える光学的切換手段と、 上記光学的切換手段で切り換えられた上記レーザ光を用
いて高次高調波光を発生する高次高調波発生手段とを有
することを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 上記レーザ光発生手段は第２高調波光を
発生し、上記高次高調波発生手段は第４高調波光を発生
することを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。 - 【請求項３】 上記第４高調波光は回路配線修正プロセ
スの内の配線切断及び穴あけ処理に使われ、上記第２高
調波光は結線処理に使われることを特徴とする請求項２
記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7040555A JPH08238583A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7040555A JPH08238583A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08238583A true JPH08238583A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=12583702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7040555A Withdrawn JPH08238583A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08238583A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014202902A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | 株式会社リコー | ホルダ、レーザ発振装置及びレーザ加工機 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP7040555A patent/JPH08238583A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014202902A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | 株式会社リコー | ホルダ、レーザ発振装置及びレーザ加工機 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020507 |