JPH08239286A - 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム基板およびその製造方法Info
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- JPH08239286A JPH08239286A JP31709295A JP31709295A JPH08239286A JP H08239286 A JPH08239286 A JP H08239286A JP 31709295 A JP31709295 A JP 31709295A JP 31709295 A JP31709295 A JP 31709295A JP H08239286 A JPH08239286 A JP H08239286A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の窒化アルミニウム基板は、素子を安
定な状態で搭載することができ、基板の放熱性を損なう
ことがなく、また回路へ安定した状態で組み込むことが
可能となる。さらに、本発明の製造方法によれば、１度
のメタライズ処理およびメッキ処理で均質な窒化アルミ
ニウム基板を大量に製造することができ、製造コストの
低廉化に寄与する。 【解決手段】 大寸法のＡｌＮ板表面全面にメタライズ
を形成し、さらにメッキ層を形成する。ついで、ＡｌＮ
板の周縁部のメタライズ層およびメッキ層が水平でない
領域Ａを切除する。その後メタライズ層およびメッキ層
が積層形成された大寸法のＡｌＮ板を所望の寸法となる
ように切断する。
定な状態で搭載することができ、基板の放熱性を損なう
ことがなく、また回路へ安定した状態で組み込むことが
可能となる。さらに、本発明の製造方法によれば、１度
のメタライズ処理およびメッキ処理で均質な窒化アルミ
ニウム基板を大量に製造することができ、製造コストの
低廉化に寄与する。 【解決手段】 大寸法のＡｌＮ板表面全面にメタライズ
を形成し、さらにメッキ層を形成する。ついで、ＡｌＮ
板の周縁部のメタライズ層およびメッキ層が水平でない
領域Ａを切除する。その後メタライズ層およびメッキ層
が積層形成された大寸法のＡｌＮ板を所望の寸法となる
ように切断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化アルミニウム基
板およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、その上
に各種半導体素子を搭載する目的で、メタライズ処理お
よびメッキ処理が施された窒化アルミニウム基板とそれ
を効率的に製造する方法に関する。
板およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、その上
に各種半導体素子を搭載する目的で、メタライズ処理お
よびメッキ処理が施された窒化アルミニウム基板とそれ
を効率的に製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を搭載するためのセラ
ミックス基板としては、絶縁性ならびに放熱性に優れた
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を使用することが一般的であ
る。そして、このＡｌ2 Ｏ3 基板表面にメタライズ処理
を施し、次いでメッキ処理をしたのち、例えば、ハンダ
付けなどによりこのメッキ層上に素子を搭載していた。
ところが、マイクロ波トランジスタなどの高出力半導体
素子をＡｌ2 Ｏ3 基板に搭載すると、基板の放熱性が不
充分で、半導体素子の発熱により機能の低下を招くおそ
れがあった。そこで、Ａｌ2 Ｏ3 基板に代えて、ベリリ
ア（ＢｅＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのより
放熱性に優れた基板を使用することが試みられてきた。
ミックス基板としては、絶縁性ならびに放熱性に優れた
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を使用することが一般的であ
る。そして、このＡｌ2 Ｏ3 基板表面にメタライズ処理
を施し、次いでメッキ処理をしたのち、例えば、ハンダ
付けなどによりこのメッキ層上に素子を搭載していた。
ところが、マイクロ波トランジスタなどの高出力半導体
素子をＡｌ2 Ｏ3 基板に搭載すると、基板の放熱性が不
充分で、半導体素子の発熱により機能の低下を招くおそ
れがあった。そこで、Ａｌ2 Ｏ3 基板に代えて、ベリリ
ア（ＢｅＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのより
放熱性に優れた基板を使用することが試みられてきた。
【０００３】ところが、このＢｅＯは、切断もしくは研
磨する際に切り屑として生じる粉末に毒性があるため、
国内で切削加工することができず、所定の形状・寸法に
既に切断してあるものを輸入して実用に供していた。し
たがって、例えばマイクロ波トランジスタ用のＢｅＯ基
板の場合には、２ｍｍ×２ｍｍ程度のＢｅＯ板を１個ず
つメタライズ処理したのちメッキ処理を施し、その後所
定の素子を例えばろう付けなどにより搭載するという工
程を経ることにより製造される。
磨する際に切り屑として生じる粉末に毒性があるため、
国内で切削加工することができず、所定の形状・寸法に
既に切断してあるものを輸入して実用に供していた。し
たがって、例えばマイクロ波トランジスタ用のＢｅＯ基
板の場合には、２ｍｍ×２ｍｍ程度のＢｅＯ板を１個ず
つメタライズ処理したのちメッキ処理を施し、その後所
定の素子を例えばろう付けなどにより搭載するという工
程を経ることにより製造される。
【０００４】しかしながら、かかる製造工程は、ＢｅＯ
板１個１個にメタライズ処理およびメッキ処理を施すた
め製造コストが高くなり、しかも各基板に形成されたメ
タライズ層およびメッキ層の層厚が均一にならないとい
う不都合がある。さらに、それに加えて、このようにし
て製造されたＢｅＯ基板にあっては、図３に示すよう
に、ＢｅＯ板１上に形成されたメタライズ層２およびメ
ッキ層３の周縁部２ａおよび３ａが盛り上がってしま
い、この上に素子を搭載する際、素子が水平に固定され
ず素子と基板との間に空間が生じて熱放散性が悪くなる
ため素子の機能が低下し、極端な場合には、回路を破壊
したり、あるいは、ＢｅＯ板１の側面から突出した部分
３ｂが、他部材などと接触して剥離したり、または寸法
不良のため回路中に組み込めないなどという不都合が生
じ、基板の信頼性を著しく低下させる原因となってい
る。
板１個１個にメタライズ処理およびメッキ処理を施すた
め製造コストが高くなり、しかも各基板に形成されたメ
タライズ層およびメッキ層の層厚が均一にならないとい
う不都合がある。さらに、それに加えて、このようにし
て製造されたＢｅＯ基板にあっては、図３に示すよう
に、ＢｅＯ板１上に形成されたメタライズ層２およびメ
ッキ層３の周縁部２ａおよび３ａが盛り上がってしま
い、この上に素子を搭載する際、素子が水平に固定され
ず素子と基板との間に空間が生じて熱放散性が悪くなる
ため素子の機能が低下し、極端な場合には、回路を破壊
したり、あるいは、ＢｅＯ板１の側面から突出した部分
３ｂが、他部材などと接触して剥離したり、または寸法
不良のため回路中に組み込めないなどという不都合が生
じ、基板の信頼性を著しく低下させる原因となってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のＢ
ｅＯ基板には、製造効率が悪く、製品の均質性が低く、
また、素子の機能を安定な状態に保持することが困難で
あるという問題があった。
ｅＯ基板には、製造効率が悪く、製品の均質性が低く、
また、素子の機能を安定な状態に保持することが困難で
あるという問題があった。
【０００６】本発明は従来のかかる問題を解消し、表面
に形成されたメタライズ層およびメッキ層の周縁部に盛
り上がりなどがなく、素子を安定に搭載しうるため、基
板の放熱性を損なわず、メッキ層などの剥離、寸法不良
を生じず回路に安定に組み込むことができる基板および
かかる基板を高い効率で製造する方法の提供を目的とす
る。
に形成されたメタライズ層およびメッキ層の周縁部に盛
り上がりなどがなく、素子を安定に搭載しうるため、基
板の放熱性を損なわず、メッキ層などの剥離、寸法不良
を生じず回路に安定に組み込むことができる基板および
かかる基板を高い効率で製造する方法の提供を目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、まず基板材料とし
て、ＢｅＯに代えて、放熱性が良好で切削・切断などの
加工が可能な窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を採用し、し
かも、基板を製造する際には大面積のＡｌＮ板にメタラ
イズ処理およびメッキ処理を施し、しかるのち、該Ａｌ
Ｎ板を所定の寸法・形状に切断することとなせば、表面
に水平なメタライズ層およびメッキ層が形成されてなる
ＡｌＮ基板を効率よく量産しうることを見出して本発明
を完成するに至った。
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、まず基板材料とし
て、ＢｅＯに代えて、放熱性が良好で切削・切断などの
加工が可能な窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を採用し、し
かも、基板を製造する際には大面積のＡｌＮ板にメタラ
イズ処理およびメッキ処理を施し、しかるのち、該Ａｌ
Ｎ板を所定の寸法・形状に切断することとなせば、表面
に水平なメタライズ層およびメッキ層が形成されてなる
ＡｌＮ基板を効率よく量産しうることを見出して本発明
を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明の窒化アルミニウム基板
は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・ｋ以上と放熱性に優れてい
る窒化アルミニウム板表面にメタライズ層およびメッキ
層がこの順に積層形成されてなる窒化アルミニウム基板
であって、窒化アルミニウム板表面全面に高融点金属成
分を有するメタライズ層およびメッキ層が形成され、か
つ窒化アルミニウム基板の側面には、メタライズ層が露
出しており、このメタライズ層側面およびメッキ層側面
が窒化アルミニウム板側面と同一平面上にあることを特
徴とする。特にメタライズ層およびメッキ層が窒化アル
ミニウム板表面と平行であることが好ましいが、具体的
にはメタライズ処理およびメッキ処理を施した面のう
ち、切断後製品として使用する部分の平坦度を２０μｍ
以下とすればよく、特に１０μｍ以下にすることが好ま
しい。さらに窒化アルミニウム基板のすべての側面にメ
タライズ層が露出していることが好ましい。
は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・ｋ以上と放熱性に優れてい
る窒化アルミニウム板表面にメタライズ層およびメッキ
層がこの順に積層形成されてなる窒化アルミニウム基板
であって、窒化アルミニウム板表面全面に高融点金属成
分を有するメタライズ層およびメッキ層が形成され、か
つ窒化アルミニウム基板の側面には、メタライズ層が露
出しており、このメタライズ層側面およびメッキ層側面
が窒化アルミニウム板側面と同一平面上にあることを特
徴とする。特にメタライズ層およびメッキ層が窒化アル
ミニウム板表面と平行であることが好ましいが、具体的
にはメタライズ処理およびメッキ処理を施した面のう
ち、切断後製品として使用する部分の平坦度を２０μｍ
以下とすればよく、特に１０μｍ以下にすることが好ま
しい。さらに窒化アルミニウム基板のすべての側面にメ
タライズ層が露出していることが好ましい。
【０００９】またその製造方法は、窒化アルミニウム板
表面に高融点金属成分を有するペーストを用いメタライ
ズ処理およびメッキ処理を順次施し窒化アルミニウム基
板とした後、窒化アルミニウム基板を切断することを特
徴とする。特に窒化アルミニウム板表面全面にメタライ
ズ処理およびメッキ処理を施すことが好ましく、またメ
タライズ処理およびメッキ処理を順次施し窒化アルミニ
ウム基板とした後、窒化アルミニウム基板を切断する前
に窒化アルミニウム基板周縁部の表面の平坦度が２０μ
ｍを超える領域を切除することが好ましい。さらに窒化
アルミニウム基板を切断し複数個の窒化アルミニウム基
板とすることができる。
表面に高融点金属成分を有するペーストを用いメタライ
ズ処理およびメッキ処理を順次施し窒化アルミニウム基
板とした後、窒化アルミニウム基板を切断することを特
徴とする。特に窒化アルミニウム板表面全面にメタライ
ズ処理およびメッキ処理を施すことが好ましく、またメ
タライズ処理およびメッキ処理を順次施し窒化アルミニ
ウム基板とした後、窒化アルミニウム基板を切断する前
に窒化アルミニウム基板周縁部の表面の平坦度が２０μ
ｍを超える領域を切除することが好ましい。さらに窒化
アルミニウム基板を切断し複数個の窒化アルミニウム基
板とすることができる。
【００１０】このような基板を得るためには、メタライ
ズ処理およびメッキ処理を施した面のうち、切断後製品
として使用する部分の平坦度を２０μｍ以下とすればよ
く、特に１０μｍ以下にすることが好ましい。また、本
発明において、切断加工後のＡｌＮ基板の大きさは特に
限定されるものではないが、特に、小型形状の基板が効
果的である。具体的には、表面形状が２０ｍｍ×２０ｍ
ｍ以内、好ましくは１０ｍｍ×１０ｍｍ以内、さらに好
ましくは３ｍｍ×３ｍｍ以内のものである。このＡｌＮ
板上に形成されるメタライズ層およびメッキ層の材料は
例えば、メタライズ層としては、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）などの高融点金属成分および高融点
金属成分を有するペーストまたはこのペーストに添加剤
を加えたペーストを使用したものなどがあげられ、メッ
キ層としてはニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などを使用
したものをあげることができる。
ズ処理およびメッキ処理を施した面のうち、切断後製品
として使用する部分の平坦度を２０μｍ以下とすればよ
く、特に１０μｍ以下にすることが好ましい。また、本
発明において、切断加工後のＡｌＮ基板の大きさは特に
限定されるものではないが、特に、小型形状の基板が効
果的である。具体的には、表面形状が２０ｍｍ×２０ｍ
ｍ以内、好ましくは１０ｍｍ×１０ｍｍ以内、さらに好
ましくは３ｍｍ×３ｍｍ以内のものである。このＡｌＮ
板上に形成されるメタライズ層およびメッキ層の材料は
例えば、メタライズ層としては、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）などの高融点金属成分および高融点
金属成分を有するペーストまたはこのペーストに添加剤
を加えたペーストを使用したものなどがあげられ、メッ
キ層としてはニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などを使用
したものをあげることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】ついで、このような本発明のＡｌ
Ｎ基板を製造する方法を以下に説明する。
Ｎ基板を製造する方法を以下に説明する。
【００１２】すなわち、まず、図１に示したような大寸
法のＡｌＮ板１１を用意し、このＡｌＮ板１１表面全面
にメタライズ処理を施して高融点金属成分を有するメタ
ライズ層１２を形成した後、さらに、メッキ処理を施し
てメッキ層１３を形成する。ついで、このようにして得
られたＡｌＮ板１１の周縁部、すなわち、メタライズ層
１２およびメッキ層１３が水平でない領域Ａを切断す
る。しかるのち、このメタライズ層１２およびメッキ層
１３が積層形成された大寸法のＡｌＮ板１１を図２に示
す如く、所望の寸法となるように切断して目的とするＡ
ｌＮ基板１４を得る。
法のＡｌＮ板１１を用意し、このＡｌＮ板１１表面全面
にメタライズ処理を施して高融点金属成分を有するメタ
ライズ層１２を形成した後、さらに、メッキ処理を施し
てメッキ層１３を形成する。ついで、このようにして得
られたＡｌＮ板１１の周縁部、すなわち、メタライズ層
１２およびメッキ層１３が水平でない領域Ａを切断す
る。しかるのち、このメタライズ層１２およびメッキ層
１３が積層形成された大寸法のＡｌＮ板１１を図２に示
す如く、所望の寸法となるように切断して目的とするＡ
ｌＮ基板１４を得る。
【００１３】このようにして得られた本発明のＡｌＮ基
板１４は、ＡｌＮ板１１表面全面に形成されたメタライ
ズ層１２およびメッキ層１３両層の表面がいずれもＡｌ
Ｎ板１１表面に平行な面であって、しかも、これらの層
１２および１３の側面はＡｌＮ板１１の側面と同一平面
内に位置するものである。
板１４は、ＡｌＮ板１１表面全面に形成されたメタライ
ズ層１２およびメッキ層１３両層の表面がいずれもＡｌ
Ｎ板１１表面に平行な面であって、しかも、これらの層
１２および１３の側面はＡｌＮ板１１の側面と同一平面
内に位置するものである。
【００１４】かかるＡｌＮ基板１４はメッキ層１３表面
が水平なため、放熱性をそこなわずに素子を安定に搭載
することが可能であり、機能の低下を招くことがない。
しかも基板側面からの突出などがないために、回路に安
定に組み込むことが可能である。
が水平なため、放熱性をそこなわずに素子を安定に搭載
することが可能であり、機能の低下を招くことがない。
しかも基板側面からの突出などがないために、回路に安
定に組み込むことが可能である。
【００１５】実施例 ＡｌＮ板として、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍおよび厚さ
０．５ｍｍのものを用意した。このＡｌＮ板表面全面
に、Ｍｏ−ＴｉＮペーストを用いて厚さ１５μｍのメタ
ライズ層を形成した後、さらにその上にＮｉよりなる厚
さ５μｍのメッキ層を形成した。しかるのちこのＡｌＮ
板の周縁に沿う幅５ｍｍの領域を切除した。ついで、こ
のＡｌＮ板を切断して縦２ｍｍ、横２ｍｍのＡｌＮ基板
４００個を得た。なお、平坦度が２０μｍを超えるもの
はなかった。
０．５ｍｍのものを用意した。このＡｌＮ板表面全面
に、Ｍｏ−ＴｉＮペーストを用いて厚さ１５μｍのメタ
ライズ層を形成した後、さらにその上にＮｉよりなる厚
さ５μｍのメッキ層を形成した。しかるのちこのＡｌＮ
板の周縁に沿う幅５ｍｍの領域を切除した。ついで、こ
のＡｌＮ板を切断して縦２ｍｍ、横２ｍｍのＡｌＮ基板
４００個を得た。なお、平坦度が２０μｍを超えるもの
はなかった。
【００１６】このようにして得られたＡｌＮ基板のメッ
キ層上にマイクロ波トランジスタを搭載したところ、放
熱不良による素子の機能低下、寸法不良により回路に組
み込めなかったもの、および素子の脱落などが生じたも
のは皆無であった。
キ層上にマイクロ波トランジスタを搭載したところ、放
熱不良による素子の機能低下、寸法不良により回路に組
み込めなかったもの、および素子の脱落などが生じたも
のは皆無であった。
【００１７】なお、比較のために、上記ＡｌＮ基板と同
寸法のＡｌ2 Ｏ3 およびＢｅＯ基板各１００個に前述し
たように１個ずつメタライズ処理およびメッキ処理を施
した後、マイクロ波トランジスタを搭載したところ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 基板を用いたものは、素子として必要な機能を
満足できず、ＢｅＯ基板を用いたものはそのうち１０個
が放熱性の低下による素子能力の低下を招いた。
寸法のＡｌ2 Ｏ3 およびＢｅＯ基板各１００個に前述し
たように１個ずつメタライズ処理およびメッキ処理を施
した後、マイクロ波トランジスタを搭載したところ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 基板を用いたものは、素子として必要な機能を
満足できず、ＢｅＯ基板を用いたものはそのうち１０個
が放熱性の低下による素子能力の低下を招いた。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の窒化アルミニウム基板は、メタライズ層およびメッキ
層の表面が窒化アルミニウム板表面に平行であり、この
上には素子を安定な状態で搭載することができ、基板の
放熱性を損なうことがなく、また、メッキ層の周縁部が
窒化アルミニウム板側面より突出することがないので、
回路へ安定した状態で組み込むことが可能となる。さら
に、本発明の製造方法によれば、従来のように基板１個
ずつにメタライズ処理およびメッキ処理をする必要がな
く、１度のメタライズ処理およびメッキ処理で均質な窒
化アルミニウム基板を大量に製造することができ、製造
コストの低廉化に寄与する。したがって、その工業的価
値は極めて大である。
の窒化アルミニウム基板は、メタライズ層およびメッキ
層の表面が窒化アルミニウム板表面に平行であり、この
上には素子を安定な状態で搭載することができ、基板の
放熱性を損なうことがなく、また、メッキ層の周縁部が
窒化アルミニウム板側面より突出することがないので、
回路へ安定した状態で組み込むことが可能となる。さら
に、本発明の製造方法によれば、従来のように基板１個
ずつにメタライズ処理およびメッキ処理をする必要がな
く、１度のメタライズ処理およびメッキ処理で均質な窒
化アルミニウム基板を大量に製造することができ、製造
コストの低廉化に寄与する。したがって、その工業的価
値は極めて大である。
【図１】本発明の窒化アルミニウム基板の製造工程を示
す断面図
す断面図
【図２】本発明の窒化アルミニウム基板の製造工程を示
す斜視図
す斜視図
【図３】従来のベリリア基板の構造を示す断面図
１１…ＡｌＮ板 １２…メタライズ層 １３…メッキ層 １４…ＡｌＮ基板
Claims (12)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム板表面にメタライズ層
およびメッキ層がこの順に積層形成されてなる窒化アル
ミニウム基板であって、前記窒化アルミニウム板表面全
面に高融点金属成分を有するメタライズ層およびメッキ
層が形成され、かつ前記窒化アルミニウム基板の側面に
は、前記メタライズ層が露出しており、このメタライズ
層側面およびメッキ層側面が前記窒化アルミニウム板側
面と同一平面上にあることを特徴とする窒化アルミニウ
ム基板。 - 【請求項２】 高融点金属成分はモリブデンおよび／ま
たはタングステンである請求項１記載の窒化アルミニウ
ム基板。 - 【請求項３】 前記メタライズ層およびメッキ層が前記
窒化アルミニウム板表面と平行である請求項１または２
記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項４】 前記窒化アルミニウム基板のすべての側
面に前記メタライズ層が露出している請求項１ないし３
いずれか１項に記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項５】 前記窒化アルミニウム基板表面の平坦度
が２０μｍ以下である請求項１ないし４いずれか１項に
記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項６】 メッキ層はニッケルおよび／または金で
ある請求項１ないし５いずれか１項に記載の窒化アルミ
ニウム基板。 - 【請求項７】 窒化アルミニウム板表面に高融点金属成
分を有するペーストを用いメタライズ処理およびメッキ
処理を順次施し窒化アルミニウム基板とした後、前記窒
化アルミニウム基板を切断することを特徴とする窒化ア
ルミニウム基板の製造方法。 - 【請求項８】 高融点金属成分はモリブデンおよび／ま
たはタングステンである請求項７記載の窒化アルミニウ
ム基板の製造方法。 - 【請求項９】 窒化アルミニウム板表面全面にメタライ
ズ処理およびメッキ処理を施す請求項７または８記載の
窒化アルミニウム基板の製造方法。 - 【請求項１０】 メタライズ処理およびメッキ処理を順
次施し窒化アルミニウム基板とした後、前記窒化アルミ
ニウム基板を切断する前に前記窒化アルミニウム基板周
縁部の表面の平坦度が２０μｍを超える領域を切除する
請求項７ないし９いずれか１項に記載の窒化アルミニウ
ム基板の製造方法。 - 【請求項１１】 窒化アルミニウム基板を切断し複数個
の窒化アルミニウム基板とする請求項７ないし１０いず
れか１項に記載の窒化アルミニウム基板の製造方法。 - 【請求項１２】 メッキ層はニッケルおよび／または金
である請求項７ないし１１いずれか１項に記載の窒化ア
ルミニウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31709295A JP2716959B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31709295A JP2716959B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193988A Division JPS6351662A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08239286A true JPH08239286A (ja) | 1996-09-17 |
| JP2716959B2 JP2716959B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=18084352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31709295A Expired - Lifetime JP2716959B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2716959B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102476A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | セラミックス基板およびその製造方法 |
| WO2006051881A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokuyama Corporation | メタライズド窒化アルミニウム基板の製造方法及びそれによって得られる基板 |
| WO2007088748A1 (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Tokuyama Corporation | メタライズドセラミックス基板の製造方法、該方法により製造したメタライズドセラミックス基板、およびパッケージ |
| WO2008066133A1 (fr) | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Tokuyama Corporation | Procédé de fabrication de puce de substrat en céramique métallisée |
| US7888187B2 (en) | 2004-11-25 | 2011-02-15 | Tokuyama Corporation | Element mounting substrate and method for manufacturing same |
-
1995
- 1995-11-13 JP JP31709295A patent/JP2716959B2/ja not_active Expired - Lifetime
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