JPH08245230A - 半導体製造プロセス用石英ガラス製品及びその製造方法 - Google Patents
半導体製造プロセス用石英ガラス製品及びその製造方法Info
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- JPH08245230A JPH08245230A JP7822395A JP7822395A JPH08245230A JP H08245230 A JPH08245230 A JP H08245230A JP 7822395 A JP7822395 A JP 7822395A JP 7822395 A JP7822395 A JP 7822395A JP H08245230 A JPH08245230 A JP H08245230A
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造プロセスにおいて半導体を汚染せ
ず、石英ガラスに堅固に固着され、かつ光学的な読み取
りを可能とする記号を付した半導体製造プロセス用石英
ガラス製品を提供する。 【構成】 耐熱性、耐酸性に優れ、かつアルカリ金属元
素や遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ黒色の着色剤
を、記号の形状に倣って石英ガラス製品の表面又は表面
に形成した溝若しくは凹部内にこれらの溶融により付着
させることにより、着色剤を、使用環境の汚染源とさせ
ることがないと共に、長期間に亘って熱や酸等による褪
色や変質、又は消失を生じさせないものとする。
ず、石英ガラスに堅固に固着され、かつ光学的な読み取
りを可能とする記号を付した半導体製造プロセス用石英
ガラス製品を提供する。 【構成】 耐熱性、耐酸性に優れ、かつアルカリ金属元
素や遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ黒色の着色剤
を、記号の形状に倣って石英ガラス製品の表面又は表面
に形成した溝若しくは凹部内にこれらの溶融により付着
させることにより、着色剤を、使用環境の汚染源とさせ
ることがないと共に、長期間に亘って熱や酸等による褪
色や変質、又は消失を生じさせないものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＺ法によるシリコン
単結晶引き上げ用ルツボ、エピタキシャル成長用ベルジ
ャー、拡散用炉芯管やボート、ＣＶＤ用ボート又はエッ
チング用ベルジャー等の半導体製造プロセス用石英ガラ
ス製品及びその製造方法に係り、特にバーコードリーダ
ーやＯＣＲ等による光学的な読み取りが可能なバーコー
ドや文字又は算用数字等の記号を付した半導体製造プロ
セス用石英ガラス製品及びその製造方法に関する。
単結晶引き上げ用ルツボ、エピタキシャル成長用ベルジ
ャー、拡散用炉芯管やボート、ＣＶＤ用ボート又はエッ
チング用ベルジャー等の半導体製造プロセス用石英ガラ
ス製品及びその製造方法に係り、特にバーコードリーダ
ーやＯＣＲ等による光学的な読み取りが可能なバーコー
ドや文字又は算用数字等の記号を付した半導体製造プロ
セス用石英ガラス製品及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光学的な読み取りが可能な記号
を製品に付すことは、製品の流通管理のみならず、製造
工程における工程管理、在庫管理に有効であると共に、
使用者における使用回数管理等にも有効である。なぜな
らば、キーボードによるインプットは、入力者によるミ
スが避けられないことと、製品数が多くなると入力作業
による疲労、時間がかかることなどが問題となるからで
ある。従来、半導体製造プロセス用石英ガラス製品にお
いて、光学的な読み取りが可能な記号を付したものは存
在していない。これは、半導体製造プロセスは、極めて
清浄な環境の下でなされるものの、通常の着色剤を用い
て記号を石英ガラス製品に付した場合、使用環境を汚染
するおそれのあることが原因の１つである。又、石英ガ
ラス製品は、その製造工程中及び半導体製造プロセスで
使用される際に、表面汚染層の除去を目的として、たび
たびフッ酸、フッ化アンモニウムあるいはフッ酸と他の
酸との混酸で洗浄されるが、通常の着色剤では、これら
の酸処理に耐え得ないこともその原因である。更に、石
英ガラス製品は、その製造工程において、いわゆるガラ
ス細工加工によって変形加工、溶接、つや出し加工等が
行われる一方、半導体製造プロセスにおいては、拡散、
エピタキシャル成長、ＣＶＤ、エッチング工程等、熱あ
るいは熱とプラズマとに同時に曝される工程が多く、通
常の着色剤では、これらの熱処理で変質又は消失するこ
とも又その原因である。
を製品に付すことは、製品の流通管理のみならず、製造
工程における工程管理、在庫管理に有効であると共に、
使用者における使用回数管理等にも有効である。なぜな
らば、キーボードによるインプットは、入力者によるミ
スが避けられないことと、製品数が多くなると入力作業
による疲労、時間がかかることなどが問題となるからで
ある。従来、半導体製造プロセス用石英ガラス製品にお
いて、光学的な読み取りが可能な記号を付したものは存
在していない。これは、半導体製造プロセスは、極めて
清浄な環境の下でなされるものの、通常の着色剤を用い
て記号を石英ガラス製品に付した場合、使用環境を汚染
するおそれのあることが原因の１つである。又、石英ガ
ラス製品は、その製造工程中及び半導体製造プロセスで
使用される際に、表面汚染層の除去を目的として、たび
たびフッ酸、フッ化アンモニウムあるいはフッ酸と他の
酸との混酸で洗浄されるが、通常の着色剤では、これら
の酸処理に耐え得ないこともその原因である。更に、石
英ガラス製品は、その製造工程において、いわゆるガラ
ス細工加工によって変形加工、溶接、つや出し加工等が
行われる一方、半導体製造プロセスにおいては、拡散、
エピタキシャル成長、ＣＶＤ、エッチング工程等、熱あ
るいは熱とプラズマとに同時に曝される工程が多く、通
常の着色剤では、これらの熱処理で変質又は消失するこ
とも又その原因である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
製造プロセス用石英ガラス製品においても、その製造工
程の管理、在庫、流通管理又は半導体製造プロセス中に
おける管理等の利便に供するため、光学的な読み取りが
可能な記号を付したものの出現が望まれている。そこ
で、本発明は、半導体製造プロセスにおいて半導体を汚
染せず、石英ガラスに堅固に固着され、かつ光学的な読
み取りを可能とする記号を付した半導体製造プロセス用
石英ガラス製品及びその製造方法を提供することを目的
とする。
製造プロセス用石英ガラス製品においても、その製造工
程の管理、在庫、流通管理又は半導体製造プロセス中に
おける管理等の利便に供するため、光学的な読み取りが
可能な記号を付したものの出現が望まれている。そこ
で、本発明は、半導体製造プロセスにおいて半導体を汚
染せず、石英ガラスに堅固に固着され、かつ光学的な読
み取りを可能とする記号を付した半導体製造プロセス用
石英ガラス製品及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の半導体製造プロセス用石英ガラス製
品は、耐熱性、耐酸性に優れ、かつアルカリ金属元素や
遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ黒色の着色剤を、
記号の形状に倣って石英ガラス製品の表面又は表面に形
成した溝若しくは凹部内にこれらの溶融により付着させ
たことを特徴とする。第２の半導体製造プロセス用石英
ガラス製品は、第１のものにおいて、前記着色剤が、珪
素、炭素、炭化珪素若しくは窒化珪素又はこれらと石英
ガラスとの混合物であることを特徴とする。第３の半導
体製造プロセス用石英ガラス製品は、第１又は第２のも
のにおいて、前記溝又は凹部が、石英ガラス薄板で気密
に被覆されていることを特徴とする。又、第１の半導体
製造プロセス用石英ガラス製品の製造方法は、耐熱性、
耐酸性に優れ、かつアルカリ金属元素や遷移元素の含有
率が極めて少ないほぼ黒色の着色剤を、石英ガラス製品
における記号の印字領域の表面に塗布し、この塗布部分
にレーザー光を記号の形状に倣って照射してすることを
特徴とする。第２の半導体製造プロセス用石英ガラス製
品の製造方法は、レーザー光を石英ガラス製品の表面に
照射して記号の形状に倣った溝若しくは凹部を形成し、
この溝若しくは凹部内に耐熱性、耐酸性に優れ、かつア
ルカリ金属元素や遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ
黒色の着色剤を塗布し、この塗布部分にレーザー光を照
射することを特徴とする。第３の半導体製造プロセス用
石英ガラス製品の製造方法は、第１又は第２の方法にお
いて、前記着色剤が、珪素、炭素、炭化珪素若しくは窒
化珪素又はこれらと石英ガラスとの混合物であることを
特徴とする。第４の半導体製造プロセス用石英ガラス製
品の製造方法は、第２又は第３の方法において、前記レ
ーザー光の照射後、全ての溝若しくは凹部を石英ガラス
薄板で覆い、この石英ガラス薄板の全周を表面と気密に
溶接することを特徴とする。
め、本発明の第１の半導体製造プロセス用石英ガラス製
品は、耐熱性、耐酸性に優れ、かつアルカリ金属元素や
遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ黒色の着色剤を、
記号の形状に倣って石英ガラス製品の表面又は表面に形
成した溝若しくは凹部内にこれらの溶融により付着させ
たことを特徴とする。第２の半導体製造プロセス用石英
ガラス製品は、第１のものにおいて、前記着色剤が、珪
素、炭素、炭化珪素若しくは窒化珪素又はこれらと石英
ガラスとの混合物であることを特徴とする。第３の半導
体製造プロセス用石英ガラス製品は、第１又は第２のも
のにおいて、前記溝又は凹部が、石英ガラス薄板で気密
に被覆されていることを特徴とする。又、第１の半導体
製造プロセス用石英ガラス製品の製造方法は、耐熱性、
耐酸性に優れ、かつアルカリ金属元素や遷移元素の含有
率が極めて少ないほぼ黒色の着色剤を、石英ガラス製品
における記号の印字領域の表面に塗布し、この塗布部分
にレーザー光を記号の形状に倣って照射してすることを
特徴とする。第２の半導体製造プロセス用石英ガラス製
品の製造方法は、レーザー光を石英ガラス製品の表面に
照射して記号の形状に倣った溝若しくは凹部を形成し、
この溝若しくは凹部内に耐熱性、耐酸性に優れ、かつア
ルカリ金属元素や遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ
黒色の着色剤を塗布し、この塗布部分にレーザー光を照
射することを特徴とする。第３の半導体製造プロセス用
石英ガラス製品の製造方法は、第１又は第２の方法にお
いて、前記着色剤が、珪素、炭素、炭化珪素若しくは窒
化珪素又はこれらと石英ガラスとの混合物であることを
特徴とする。第４の半導体製造プロセス用石英ガラス製
品の製造方法は、第２又は第３の方法において、前記レ
ーザー光の照射後、全ての溝若しくは凹部を石英ガラス
薄板で覆い、この石英ガラス薄板の全周を表面と気密に
溶接することを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明の第１の半導体製造プロセス用石英ガラ
ス製品及びその第１、第２の製造方法においては、石英
ガラス製品の表面又は表面に形成した溝若しくは凹部内
に付着された記号としての着色剤が、使用環境の汚染源
となることがないと共に、長期間に亘って熱や酸等によ
る褪色や変質、又は消失を生じることがない。第２石英
ガラス製品及びその第３の製造方法においては、着色剤
が、こげ茶色から黒色までの色調を呈する。又、第３の
石英ガラス製品及びその第４の製造方法においては、記
号が石英ガラス薄板によって保護される。
ス製品及びその第１、第２の製造方法においては、石英
ガラス製品の表面又は表面に形成した溝若しくは凹部内
に付着された記号としての着色剤が、使用環境の汚染源
となることがないと共に、長期間に亘って熱や酸等によ
る褪色や変質、又は消失を生じることがない。第２石英
ガラス製品及びその第３の製造方法においては、着色剤
が、こげ茶色から黒色までの色調を呈する。又、第３の
石英ガラス製品及びその第４の製造方法においては、記
号が石英ガラス薄板によって保護される。
【０００６】記号としては、バーコード、文字、標章、
符号又は算用数字等が用いられる。レーザー光の照射
は、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等の固体レーザ
ーにより行われる。又、レーザー光による着色剤の加熱
は、着色剤に対応させて大気中又はアルゴンガス等の非
酸化性雰囲気下で行われる。
符号又は算用数字等が用いられる。レーザー光の照射
は、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等の固体レーザ
ーにより行われる。又、レーザー光による着色剤の加熱
は、着色剤に対応させて大気中又はアルゴンガス等の非
酸化性雰囲気下で行われる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。 実施例１〜４ 着色剤として、高純度の窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）粉末
（平均粒径１０μｍ）１０重量部に、予め１０重量％の
ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を溶解してある水溶液
（以下、「１０％ＰＶＡ水溶液」という）１０重量部を
ビーカー中で混合し、スラリーとした。このスラリーを
厚さ１０ｍｍの透明で高純度の石英ガラス板の表面にお
けるバーコードの印字領域全面に塗布し、放置乾燥した
後、炭酸ガスレーザーを使用し、大気中において出力１
０Ｗのレーザー光をバーコードの形状に倣って上記塗布
部分に送り速度２ｍ／分で照射した。又、着色剤とし
て、それぞれ高純度の炭化珪素（ＳｉＣ）粉末（平均粒
径１０〜５０μｍ）、炭素（Ｃ）粉末（耐酸化性に優れ
た、平均長６０〜１００μｍ、平均径１０〜５０μｍの
ニードルコークス）及び珪素（Ｓｉ）粉末（平均粒径２
０〜８０μｍ）を、同様に１０％ＰＶＡ水溶液と混合し
てスラリーとし、それぞれのスラリーを同様の石英ガラ
ス板上におけるバーコードの印字領域全面に塗布し、乾
燥した後、同様にレーザー光をバーコードの形状に倣っ
て照射した。
る。 実施例１〜４ 着色剤として、高純度の窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）粉末
（平均粒径１０μｍ）１０重量部に、予め１０重量％の
ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を溶解してある水溶液
（以下、「１０％ＰＶＡ水溶液」という）１０重量部を
ビーカー中で混合し、スラリーとした。このスラリーを
厚さ１０ｍｍの透明で高純度の石英ガラス板の表面にお
けるバーコードの印字領域全面に塗布し、放置乾燥した
後、炭酸ガスレーザーを使用し、大気中において出力１
０Ｗのレーザー光をバーコードの形状に倣って上記塗布
部分に送り速度２ｍ／分で照射した。又、着色剤とし
て、それぞれ高純度の炭化珪素（ＳｉＣ）粉末（平均粒
径１０〜５０μｍ）、炭素（Ｃ）粉末（耐酸化性に優れ
た、平均長６０〜１００μｍ、平均径１０〜５０μｍの
ニードルコークス）及び珪素（Ｓｉ）粉末（平均粒径２
０〜８０μｍ）を、同様に１０％ＰＶＡ水溶液と混合し
てスラリーとし、それぞれのスラリーを同様の石英ガラ
ス板上におけるバーコードの印字領域全面に塗布し、乾
燥した後、同様にレーザー光をバーコードの形状に倣っ
て照射した。
【０００８】各石英ガラス板の表面には、表１に示すよ
うに、珪素を除き、それぞれこげ茶色から黒色までの色
調でバーコードが印字された。着色剤の製造上の付着生
は、Ｓｉ3 Ｎ4 が最もよく、次いでＣ，ＳｉＣ，Ｓｉの
順であった。理由は明確でないが、Ｓｉ3 Ｎ4 を用いた
場合は、Ｃ，ＳｉＣ，Ｓｉを用いた場合に比べ、作業効
率が２０％も向上することが確認された。バーコードが
印字された各石英ガラス板の表面をステンレス質の針で
擦ってみたが、着色剤が剥がれ落ちることはなかった。
又、バーコードが印字された各石英ガラス板を、１０％
のフッ酸に１５分間浸漬した後、同様に擦ったが、着色
剤は剥離しなかった。一方、バーコードが印字された各
石英ガラス板を、シリコンウエハを存置した大気中にお
いて１０００℃の温度で２時間保持したところ、表１に
示すように、シリコンウエハの汚染が認められず、又、
炭素によるバーコードは消失したが、炭化珪素及び窒化
珪素によるバーコードは着色をとどめた。上記各石英ガ
ラス板のバーコードを、バーコードリーダーで読み取っ
たところ容易に読み取りができた。
うに、珪素を除き、それぞれこげ茶色から黒色までの色
調でバーコードが印字された。着色剤の製造上の付着生
は、Ｓｉ3 Ｎ4 が最もよく、次いでＣ，ＳｉＣ，Ｓｉの
順であった。理由は明確でないが、Ｓｉ3 Ｎ4 を用いた
場合は、Ｃ，ＳｉＣ，Ｓｉを用いた場合に比べ、作業効
率が２０％も向上することが確認された。バーコードが
印字された各石英ガラス板の表面をステンレス質の針で
擦ってみたが、着色剤が剥がれ落ちることはなかった。
又、バーコードが印字された各石英ガラス板を、１０％
のフッ酸に１５分間浸漬した後、同様に擦ったが、着色
剤は剥離しなかった。一方、バーコードが印字された各
石英ガラス板を、シリコンウエハを存置した大気中にお
いて１０００℃の温度で２時間保持したところ、表１に
示すように、シリコンウエハの汚染が認められず、又、
炭素によるバーコードは消失したが、炭化珪素及び窒化
珪素によるバーコードは着色をとどめた。上記各石英ガ
ラス板のバーコードを、バーコードリーダーで読み取っ
たところ容易に読み取りができた。
【０００９】
【表１】
【００１０】なお、着色剤として珪素を用いる場合は、
アルゴンガス等の非酸化性雰囲気下においてレーザー加
熱を行うと、濃暗青灰色でバーコードを印字することが
できた。又、バーコードが炭素を着色剤として印字され
た石英ガラス板を、窒素ガス雰囲気下において１３００
℃の温度で１０時間保持したところ、バーコードは着色
をとどめていた。
アルゴンガス等の非酸化性雰囲気下においてレーザー加
熱を行うと、濃暗青灰色でバーコードを印字することが
できた。又、バーコードが炭素を着色剤として印字され
た石英ガラス板を、窒素ガス雰囲気下において１３００
℃の温度で１０時間保持したところ、バーコードは着色
をとどめていた。
【００１１】実施例５ ゾル、ゲル法で製作した粒径１μｍ以下の石英ガス微粉
末１０重量部に、平均粒径５μｍのＳｉ3 Ｎ4 粉末１０
重量部を混合し、この混合粉末に１０％ＰＶＡ水溶液２
重量部を混合してスラリーとした。このスラリーを４０
メッシュのナイロン篩を通過させて造粒し、乾燥した
後、これを５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧して直径２
０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの圧粉体とした。この圧粉体を窒
素ガス雰囲気下において１４００℃の温度で２時間加熱
し、着色した焼結体を製作し、これを乳鉢にて粉砕して
石英ガラスと着色剤としてのＳｉ3 Ｎ4 との混合粉末を
調製した。上記混合粉末を実施例１〜４と同様にスラリ
ーとし、同様の石英ガラス板の表面におけるバーコード
の印字領域全面に塗布し、乾燥した後、実施例１〜４と
同様にレーザー光をバーコードの形状に倣って照射し
た。
末１０重量部に、平均粒径５μｍのＳｉ3 Ｎ4 粉末１０
重量部を混合し、この混合粉末に１０％ＰＶＡ水溶液２
重量部を混合してスラリーとした。このスラリーを４０
メッシュのナイロン篩を通過させて造粒し、乾燥した
後、これを５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧して直径２
０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの圧粉体とした。この圧粉体を窒
素ガス雰囲気下において１４００℃の温度で２時間加熱
し、着色した焼結体を製作し、これを乳鉢にて粉砕して
石英ガラスと着色剤としてのＳｉ3 Ｎ4 との混合粉末を
調製した。上記混合粉末を実施例１〜４と同様にスラリ
ーとし、同様の石英ガラス板の表面におけるバーコード
の印字領域全面に塗布し、乾燥した後、実施例１〜４と
同様にレーザー光をバーコードの形状に倣って照射し
た。
【００１２】印字されたバーコードの付着性は、表１に
示すように、良好であり、シリコンウエハと共に大気中
において１３００℃の温度で加熱しても、シリコンウエ
ハは汚染されず、又、バーコードは良好に着色をとどめ
た。又、印字されたバーコードを、バーコードリーダー
で読み取ったところ、容易に読み取りができた。
示すように、良好であり、シリコンウエハと共に大気中
において１３００℃の温度で加熱しても、シリコンウエ
ハは汚染されず、又、バーコードは良好に着色をとどめ
た。又、印字されたバーコードを、バーコードリーダー
で読み取ったところ、容易に読み取りができた。
【００１３】実施例６ 炭酸ガスレーザーを使用し、出力７Ｗ、送り速度１ｃｍ
／１秒で１０回走査という条件で、実施例１〜４と同様
の石英ガラス板の表面にバーコードの形状に倣って溝を
形成した。溝の深さは、およそ０．３ｍｍであった。上
記バーコードに倣った溝内に、実施例１のＳｉ3 Ｎ4 か
らなるスラリーを塗布し、乾燥した後、実施例１〜４と
同様にレーザー光を照射した。
／１秒で１０回走査という条件で、実施例１〜４と同様
の石英ガラス板の表面にバーコードの形状に倣って溝を
形成した。溝の深さは、およそ０．３ｍｍであった。上
記バーコードに倣った溝内に、実施例１のＳｉ3 Ｎ4 か
らなるスラリーを塗布し、乾燥した後、実施例１〜４と
同様にレーザー光を照射した。
【００１４】石英ガラス板には、その表面よりへこんだ
ところに黒色のバーコードが印字され、このバーコード
は、表１に示すように、実施例１と同様の効果が得られ
ると共に、石英ガラス板同志を擦り合わせても、互いに
接触することがなく、剥離することはなかった。
ところに黒色のバーコードが印字され、このバーコード
は、表１に示すように、実施例１と同様の効果が得られ
ると共に、石英ガラス板同志を擦り合わせても、互いに
接触することがなく、剥離することはなかった。
【００１５】実施例７ 実施例６と同様にしてバーコードを印字した。印字され
たバーコードの大きさは、２ｃｍ×３．５ｃｍであっ
た。石英ガラス板上に３ｃｍ×４ｃｍ×０．５ｍｍの透
明な石英ガラス薄板を載置し、上記バーコードを覆った
後、この薄板の全周を直径１ｍｍの透明石英ガラス質溶
接棒を用い、酸水素バーナーを使用して石英ガラス板の
表面と気密に溶接した。
たバーコードの大きさは、２ｃｍ×３．５ｃｍであっ
た。石英ガラス板上に３ｃｍ×４ｃｍ×０．５ｍｍの透
明な石英ガラス薄板を載置し、上記バーコードを覆った
後、この薄板の全周を直径１ｍｍの透明石英ガラス質溶
接棒を用い、酸水素バーナーを使用して石英ガラス板の
表面と気密に溶接した。
【００１６】上記石英ガラス薄板で被覆されたバーコー
ドは、表１に示すように、シリコンウエハを存置した大
気中において、１２００℃の温度で１００時間保持して
もシリコンウエハの汚染が認められないと共に、褪色も
せず、バーコードリーダーでの読み取りが容易であっ
た。なお、着色剤を炭素とし、実施例６と同様にしてバ
ーコードを印字し、かつ上述したように透明な石英ガラ
ス薄板でバーコードを被覆したものは、シリコンウエハ
を存置した大気中において１２００℃の温度で１０時間
保持してもシリコンウエハの汚染が認められないと共に
バーコードは薄れず、バーコードリーダーでの読み取り
が容易であった。
ドは、表１に示すように、シリコンウエハを存置した大
気中において、１２００℃の温度で１００時間保持して
もシリコンウエハの汚染が認められないと共に、褪色も
せず、バーコードリーダーでの読み取りが容易であっ
た。なお、着色剤を炭素とし、実施例６と同様にしてバ
ーコードを印字し、かつ上述したように透明な石英ガラ
ス薄板でバーコードを被覆したものは、シリコンウエハ
を存置した大気中において１２００℃の温度で１０時間
保持してもシリコンウエハの汚染が認められないと共に
バーコードは薄れず、バーコードリーダーでの読み取り
が容易であった。
【００１７】なお、上記各実施例においては、記号をバ
ーコードとする場合について述べたが、これに限定され
るものではなく、表面又は表面に形成した溝若しくは凹
部内に付される記号は、文字又は算用数字等であっても
よく、この場合には、ＯＣＲで読み取られる。又、レー
ザーは、ガスレーザーに限らず、固体レーザーであって
もよい。
ーコードとする場合について述べたが、これに限定され
るものではなく、表面又は表面に形成した溝若しくは凹
部内に付される記号は、文字又は算用数字等であっても
よく、この場合には、ＯＣＲで読み取られる。又、レー
ザーは、ガスレーザーに限らず、固体レーザーであって
もよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の半
導体製造プロセス用石英ガラス製品及びその第１、第２
の製造方法によれば、石英ガラス製品の表面又は表面に
形成した溝若しくは凹部内に付着された記号としての着
色剤が、使用環境の汚染源となることがないので、半導
体を汚染することがないと共に、長期間に亘って熱や酸
等による褪色や変質又は消失を生じることがないので、
石英ガラスへの付着を堅固とし得、かつ光学的な読み取
りを可能にすることができる。第２の石英ガラス製品及
びその第３の製造方法によれば、着色剤が、こげ茶から
黒色までの色調を呈するので、光学的な読み取りを容易
に行うことができる。又、第３の石英ガラス製品及びそ
の第４の製造方法によれば、記号が石英ガラス薄板によ
って保護されるので、記号を長期間によって鮮明に保持
できると共に、半導体を汚染することは全くない。
導体製造プロセス用石英ガラス製品及びその第１、第２
の製造方法によれば、石英ガラス製品の表面又は表面に
形成した溝若しくは凹部内に付着された記号としての着
色剤が、使用環境の汚染源となることがないので、半導
体を汚染することがないと共に、長期間に亘って熱や酸
等による褪色や変質又は消失を生じることがないので、
石英ガラスへの付着を堅固とし得、かつ光学的な読み取
りを可能にすることができる。第２の石英ガラス製品及
びその第３の製造方法によれば、着色剤が、こげ茶から
黒色までの色調を呈するので、光学的な読み取りを容易
に行うことができる。又、第３の石英ガラス製品及びそ
の第４の製造方法によれば、記号が石英ガラス薄板によ
って保護されるので、記号を長期間によって鮮明に保持
できると共に、半導体を汚染することは全くない。
Claims (7)
- 【請求項１】 耐熱性、耐酸性に優れ、かつアルカリ金
属元素や遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ黒色の着
色剤を、記号の形状に倣って石英ガラス製品の表面又は
表面に形成した溝若しくは凹部内にこれらの溶融により
付着させたことを特徴とする半導体製造プロセス用石英
ガラス製品。 - 【請求項２】 前記着色剤が、珪素、炭素、炭化珪素若
しくは窒化珪素又はこれらと石英ガラスとの混合物であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体製造プロセス
用石英ガラス製品。 - 【請求項３】 前記溝又は凹部が、石英ガラス薄板で気
密に被覆されていることを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体製造プロセス用石英ガラス製品。 - 【請求項４】 耐熱性、耐酸性に優れ、かつアルカリ金
属元素や遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ黒色の着
色剤を、石英ガラス製品における記号の印字領域の表面
に塗布し、この塗布部分にレーザー光を記号の形状に倣
って照射することを特徴とする半導体製造プロセス用石
英ガラス製品の製造方法。 - 【請求項５】 レーザー光を石英ガラス製品の表面に照
射して記号の形状に倣った溝若しくは凹部を形成し、こ
の溝若しくは凹部内に耐熱性、耐酸性に優れ、かつアル
カリ金属元素や遷移元素の含有率が極めて少ないほぼ黒
色の着色剤を塗布し、この塗布部分にレーザー光を照射
することを特徴とする半導体製造プロセス用石英ガラス
製品の製造方法。 - 【請求項６】 前記着色剤が、珪素、炭素、炭化珪素若
しくは窒化珪素又はこれらと石英ガラスとの混合物であ
ることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体製造プ
ロセス用石英ガラス製品の製造方法。 - 【請求項７】 前記レーザー光の照射後、全ての溝若し
くは凹部を石英ガラス薄板で覆い、この石英ガラス薄板
の全周を表面と気密に溶接することを特徴とする請求項
５又は６記載の半導体製造プロセス用石英ガラス製品の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7822395A JPH08245230A (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体製造プロセス用石英ガラス製品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7822395A JPH08245230A (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体製造プロセス用石英ガラス製品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08245230A true JPH08245230A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=13656058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7822395A Pending JPH08245230A (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体製造プロセス用石英ガラス製品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08245230A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043398A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2010208874A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ用栓と石英ガラスルツボおよびその取り扱い方法 |
| JP2011105533A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ用蓋と石英ガラスルツボおよびその取り扱い方法 |
| WO2011071176A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボ |
| JP2012140299A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Japan Siper Quarts Corp | シリカガラスルツボ及びその製造方法 |
| JP2021519384A (ja) * | 2018-03-26 | 2021-08-10 | アイクストロン、エスイー | 個別識別子を付与されたｃｖｄ装置部品及びその情報伝達方法 |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP7822395A patent/JPH08245230A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043398A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
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| US9260795B2 (en) | 2009-03-09 | 2016-02-16 | Japan Super Quartz Corporation | Closure for silica glass crucible, silica glass crucible and method of handling the same |
| JP2011105533A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ用蓋と石英ガラスルツボおよびその取り扱い方法 |
| WO2011071176A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボ |
| JP4875229B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2012-02-15 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボ |
| US9115445B2 (en) | 2009-12-11 | 2015-08-25 | Sumco Corporation | Vitreous silica crucible |
| JP2012140299A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Japan Siper Quarts Corp | シリカガラスルツボ及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041005 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20041026 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050303 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |