JPH08245524A - アミン類の製造方法 - Google Patents
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アミド類を温和な条件下、高選択的かつ高収
率でアミン類に変換する方法を提供する。 【構成】アルミナ若しくはゼオライトの不存在下、周期
律表第VIII族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素
と周期律表VIb族及びVIIb族の元素から選ばれる少なく
とも一種の元素からなる触媒の存在下にアミド類を水素
化還元することを特徴とするアミン類の製造方法。
率でアミン類に変換する方法を提供する。 【構成】アルミナ若しくはゼオライトの不存在下、周期
律表第VIII族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素
と周期律表VIb族及びVIIb族の元素から選ばれる少なく
とも一種の元素からなる触媒の存在下にアミド類を水素
化還元することを特徴とするアミン類の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアミド類の水素化還元に
よるアミン類の製造方法に関するものである。アミン類
は医薬品の原料、化学反応の溶媒、触媒、配位子等に幅
広く利用される有用な物質である。
よるアミン類の製造方法に関するものである。アミン類
は医薬品の原料、化学反応の溶媒、触媒、配位子等に幅
広く利用される有用な物質である。
【０００２】
【従来の技術】従来、アミド類の水素化還元によりアミ
ン類を製造する方法に関してはいくつかの提案がなされ
ている。
ン類を製造する方法に関してはいくつかの提案がなされ
ている。
【０００３】例えば、ＵＳＰ４４４８９９８では触媒と
してＣｕ−ＣｒＯ4−ゼオライトを用いて、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルラウルアミドを反応温度２８７℃、圧力１４０ｋ
ｇ／ｃｍ2で水素化する方法が示されている。しかしな
がら、この方法では反応温度、水素圧が高く、経済的に
不利であった。
してＣｕ−ＣｒＯ4−ゼオライトを用いて、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルラウルアミドを反応温度２８７℃、圧力１４０ｋ
ｇ／ｃｍ2で水素化する方法が示されている。しかしな
がら、この方法では反応温度、水素圧が高く、経済的に
不利であった。
【０００４】また、ＥＰ−Ａ−２８６２８０では、触媒
として、パラジウム−レニウム／炭素及びゼオライトを
用いてＭｅＣＨ2ＣＯＮＨ2を、反応温度２００℃、圧力
２０００ｐｓｉｇ（１４０ｋｇ／ｃｍ2）で水素化する
方法が示されている。しかし、この方法では反応温度、
水素圧が高く経済的に不利である。しかも、アミンへの
選択率が低い上、生成物としてＰｒＮＨ2、Ｐｒ2ＮＨ、
Ｐｒ3Ｎの３種類のアミン混合物が生成しており、実用
的とはいえない。また、この特許には、面積の大きな活
性炭を用いなければ活性が低い上、アルミナやゼオライ
トを共存させなければ反応がほとんど進行しない旨の記
載がある。さらに、パラジウム−レニウム以外の組合せ
については実質的に記載されていない。
として、パラジウム−レニウム／炭素及びゼオライトを
用いてＭｅＣＨ2ＣＯＮＨ2を、反応温度２００℃、圧力
２０００ｐｓｉｇ（１４０ｋｇ／ｃｍ2）で水素化する
方法が示されている。しかし、この方法では反応温度、
水素圧が高く経済的に不利である。しかも、アミンへの
選択率が低い上、生成物としてＰｒＮＨ2、Ｐｒ2ＮＨ、
Ｐｒ3Ｎの３種類のアミン混合物が生成しており、実用
的とはいえない。また、この特許には、面積の大きな活
性炭を用いなければ活性が低い上、アルミナやゼオライ
トを共存させなければ反応がほとんど進行しない旨の記
載がある。さらに、パラジウム−レニウム以外の組合せ
については実質的に記載されていない。
【０００５】そのほか、特開昭５３−２８１８８号に
は、触媒としてコバルトを用い、ε−カプロラクタムを
反応温度２００℃、圧力２５０ｋｇ／ｃｍ2で水素化す
る方法が示されている。しかし、この方法では触媒量が
２０重量％と多く、反応温度、水素圧も高く不経済であ
った。
は、触媒としてコバルトを用い、ε−カプロラクタムを
反応温度２００℃、圧力２５０ｋｇ／ｃｍ2で水素化す
る方法が示されている。しかし、この方法では触媒量が
２０重量％と多く、反応温度、水素圧も高く不経済であ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はアミド
類の水素化還元を用いて、温和な条件下高収率、高選択
的にアミン類を製造する方法を提供することにある。
類の水素化還元を用いて、温和な条件下高収率、高選択
的にアミン類を製造する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる問
題を解決すべく鋭意研究を行った結果、公知の周期律第
VIII族、第VIIｂ族または第VIｂ族の触媒単独では達成
不可能であった高活性な触媒作用が、周期律第VIII族金
属と周期律第VIｂ族金属若しくはVIIｂ族金属を組み合
わせることにより、可能になることを見いだした。即
ち、周期律第VIII族の元素から選ばれる少なくとも一種
の元素と周期律第VIｂ族及び第VIIｂ族の元素から選ば
れる少なくとも一種の元素からなる触媒の存在下に、原
料としてアミド類を用いて水素化反応を行うことで、温
和な条件下高収率でアミン類を製造できることを見いだ
し本発明を完成するに至った。
題を解決すべく鋭意研究を行った結果、公知の周期律第
VIII族、第VIIｂ族または第VIｂ族の触媒単独では達成
不可能であった高活性な触媒作用が、周期律第VIII族金
属と周期律第VIｂ族金属若しくはVIIｂ族金属を組み合
わせることにより、可能になることを見いだした。即
ち、周期律第VIII族の元素から選ばれる少なくとも一種
の元素と周期律第VIｂ族及び第VIIｂ族の元素から選ば
れる少なくとも一種の元素からなる触媒の存在下に、原
料としてアミド類を用いて水素化反応を行うことで、温
和な条件下高収率でアミン類を製造できることを見いだ
し本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、周期律第VIII族の元
素から選ばれる少なくとも一種の元素と周期律VIb族の
元素から選ばれる少なくとも一種の元素からなる触媒の
存在下にアミド類を水素化還元することを特徴とするア
ミン類の製造方法に関する。
素から選ばれる少なくとも一種の元素と周期律VIb族の
元素から選ばれる少なくとも一種の元素からなる触媒の
存在下にアミド類を水素化還元することを特徴とするア
ミン類の製造方法に関する。
【０００９】また、本発明は、鉄、コバルト、ニッケ
ル、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム及
び白金から選ばれる少なくとも一種の周期律第VIII族の
元素と周期律VIIb族の元素から選ばれる少なくとも一種
の元素からなる触媒の存在下にアミド類を水素化還元す
ることを特徴とするアミン類の製造方法に関する。
ル、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム及
び白金から選ばれる少なくとも一種の周期律第VIII族の
元素と周期律VIIb族の元素から選ばれる少なくとも一種
の元素からなる触媒の存在下にアミド類を水素化還元す
ることを特徴とするアミン類の製造方法に関する。
【００１０】第一の発明における触媒としては、周期律
第VIII族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素と周
期律VIb族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素か
らなる触媒が使用される。これらの触媒は担体に担持さ
れていても差し支えない。周期律第VIII族の元素として
はルテニウム、ロジウム、パラジウム、第VIb族の元素
としてはモリブデン、タングステンを用いることが水素
化反応の活性および選択性の点で好ましい。
第VIII族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素と周
期律VIb族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素か
らなる触媒が使用される。これらの触媒は担体に担持さ
れていても差し支えない。周期律第VIII族の元素として
はルテニウム、ロジウム、パラジウム、第VIb族の元素
としてはモリブデン、タングステンを用いることが水素
化反応の活性および選択性の点で好ましい。
【００１１】また、第二の発明における触媒としては、
鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、オス
ミウム、イリジウム及び白金から選ばれる少なくとも一
種の周期律第VIII族の元素と周期律VIIb族の元素から選
ばれる少なくとも一種の元素からなる触媒が使用され
る。これらの触媒は担体に担持されていても差し支えな
い。周期律第VIII族の元素としてはルテニウム、ロジウ
ム、第VIIb族の元素としてはレニウムを用いることが水
素化反応の活性および選択性の点で好ましい。
鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、オス
ミウム、イリジウム及び白金から選ばれる少なくとも一
種の周期律第VIII族の元素と周期律VIIb族の元素から選
ばれる少なくとも一種の元素からなる触媒が使用され
る。これらの触媒は担体に担持されていても差し支えな
い。周期律第VIII族の元素としてはルテニウム、ロジウ
ム、第VIIb族の元素としてはレニウムを用いることが水
素化反応の活性および選択性の点で好ましい。
【００１２】本発明で用いられるルテニウムは０価の金
属そのもの、および／または各種ルテニウムの無機化合
物、有機化合物あるいは錯体化合物等である。具体的に
は、ルテニウムブラック、ルテニウムパウダー、酸化ル
テニウム、硝酸ルテニウム、硝酸ニトロシルルテニウ
ム、塩化ルテニウム、臭化ルテニウム、ヨウ化ルテニウ
ム、オキシデカクロロジルテニウム酸アンモニウム、ペ
ンタクロロアクアルテニウム酸アンモニウム、オキシデ
カクロロジルテニウム酸カリウム、オキシデカクロロジ
ルテニウム酸ナトリウム、ペンタクロロアクアルテニウ
ム酸カリウム、過ルテニウム酸カリウム、ヘキサアンミ
ンルテニウム塩化物、ペンタアンミンクロロルテニウム
塩化物、ヘキサアンミンルテニウム臭化物、ドデカカル
ボニルトリルテニウム、ヘキサカルボニルテトラクロロ
ジルテニウム、トリス（アセチルアセトナト〕ルテニウ
ム、ジクロロトリカルボニルルテニウムダイマー、ジク
ロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジ
クロロジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウム、ジカルボニルシクロペンタジエニルルテニウ
ムダイマー、ビス〔シクロペンタジエニル〕ルテニウム
等を用いることができる。
属そのもの、および／または各種ルテニウムの無機化合
物、有機化合物あるいは錯体化合物等である。具体的に
は、ルテニウムブラック、ルテニウムパウダー、酸化ル
テニウム、硝酸ルテニウム、硝酸ニトロシルルテニウ
ム、塩化ルテニウム、臭化ルテニウム、ヨウ化ルテニウ
ム、オキシデカクロロジルテニウム酸アンモニウム、ペ
ンタクロロアクアルテニウム酸アンモニウム、オキシデ
カクロロジルテニウム酸カリウム、オキシデカクロロジ
ルテニウム酸ナトリウム、ペンタクロロアクアルテニウ
ム酸カリウム、過ルテニウム酸カリウム、ヘキサアンミ
ンルテニウム塩化物、ペンタアンミンクロロルテニウム
塩化物、ヘキサアンミンルテニウム臭化物、ドデカカル
ボニルトリルテニウム、ヘキサカルボニルテトラクロロ
ジルテニウム、トリス（アセチルアセトナト〕ルテニウ
ム、ジクロロトリカルボニルルテニウムダイマー、ジク
ロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジ
クロロジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウム、ジカルボニルシクロペンタジエニルルテニウ
ムダイマー、ビス〔シクロペンタジエニル〕ルテニウム
等を用いることができる。
【００１３】本発明で用いられるロジウムは０価の金属
そのもの、および／または各種ロジウムの無機化合物、
有機化合物あるいは錯体化合物等である。具体的には、
ロジウムブラック、ロジウムパウダー、酸化ロジウム、
硝酸ロジウム、酢酸ロジウム、酢酸ロジウムダイマー、
塩化ロジウム、臭化ロジウム、ヨウ化ロジウム、ヘキサ
クロロロジウム酸アンモニウム、ペンタクロロアクアロ
ジウム酸アンモニウム、ペンタクロロアクアロジウム酸
カリウム、ヘキサクロロロジウム酸ナトリウム、ヘキサ
ブロモロジウム酸ナトリウム、クロロペンタアミンロジ
ウム塩化物、ドデカカルボニルテトラロジウム、ヘキサ
デカカルボニルヘキサロジウム、トリス（アセチルアセ
トナト）ロジウム、ビス〔１、３ージフェニル１、３ー
プロパンジオナト）ロジウムアセテト、ビス〈ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）ジクロロロジウム等を用い
ることができる。
そのもの、および／または各種ロジウムの無機化合物、
有機化合物あるいは錯体化合物等である。具体的には、
ロジウムブラック、ロジウムパウダー、酸化ロジウム、
硝酸ロジウム、酢酸ロジウム、酢酸ロジウムダイマー、
塩化ロジウム、臭化ロジウム、ヨウ化ロジウム、ヘキサ
クロロロジウム酸アンモニウム、ペンタクロロアクアロ
ジウム酸アンモニウム、ペンタクロロアクアロジウム酸
カリウム、ヘキサクロロロジウム酸ナトリウム、ヘキサ
ブロモロジウム酸ナトリウム、クロロペンタアミンロジ
ウム塩化物、ドデカカルボニルテトラロジウム、ヘキサ
デカカルボニルヘキサロジウム、トリス（アセチルアセ
トナト）ロジウム、ビス〔１、３ージフェニル１、３ー
プロパンジオナト）ロジウムアセテト、ビス〈ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）ジクロロロジウム等を用い
ることができる。
【００１４】本発明で用いられるパラジウムは０価の金
属そのもの、および／または各種パラジウムの無機化合
物、有機化合物あるいは錯体化合物等である。具体的に
は、パラジウムブラック、パラジウムパウダー、酸化パ
ラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウム、硫酸パラ
ジウム、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラ
ジウム、ヘキサクロロパラジウム酸アンモニウム、テト
ラクロロパラジウム酸アンモニウム、ジニトロジアミン
パラジウム、ヘキサクロロパラジウム酸カリウム、テト
ラブロモパラジウム酸カリウム、ヘキサクロロパラジウ
ム酸ナトリウム、ビス（アセチルアセトナト）パラジウ
ム等を用いることができる。
属そのもの、および／または各種パラジウムの無機化合
物、有機化合物あるいは錯体化合物等である。具体的に
は、パラジウムブラック、パラジウムパウダー、酸化パ
ラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウム、硫酸パラ
ジウム、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラ
ジウム、ヘキサクロロパラジウム酸アンモニウム、テト
ラクロロパラジウム酸アンモニウム、ジニトロジアミン
パラジウム、ヘキサクロロパラジウム酸カリウム、テト
ラブロモパラジウム酸カリウム、ヘキサクロロパラジウ
ム酸ナトリウム、ビス（アセチルアセトナト）パラジウ
ム等を用いることができる。
【００１５】本発明で用いられるモリブデンは０価の金
属そのもの、および／または各種モリブデンの無機化合
物、有機化合物あるいは錯体化合物である。具体的に
は、モリブデンヘキサカルボニル、モリブデン酸アンモ
ニウム、酢酸モリブデン、酸化モリブデン、酸化モリブ
デンアセチルアセトナト等を用いることができる。
属そのもの、および／または各種モリブデンの無機化合
物、有機化合物あるいは錯体化合物である。具体的に
は、モリブデンヘキサカルボニル、モリブデン酸アンモ
ニウム、酢酸モリブデン、酸化モリブデン、酸化モリブ
デンアセチルアセトナト等を用いることができる。
【００１６】本発明で用いられるタングステンは０価の
金属そのもの、および／または各種タングステンの無機
化合物、有機化合物あるいは錯体化合物である。具体的
には、タングステンヘキサカルボニル、酸化タングステ
ン、タングステン酸、パラタングステン酸アンモニウム
等を用いることができる。
金属そのもの、および／または各種タングステンの無機
化合物、有機化合物あるいは錯体化合物である。具体的
には、タングステンヘキサカルボニル、酸化タングステ
ン、タングステン酸、パラタングステン酸アンモニウム
等を用いることができる。
【００１７】本発明で用いられるレニウムは０価の金属
そのもの、および／または各種レニウムの無機化合物、
有機化合物あるいは錯体化合物である。具体的には、レ
ニウムカルボニル、酸化レニウム、過レニウム酸、過レ
ニウム酸アンモニウム、塩化レニウム、シクロペンタジ
エニルレニウムトリカルボニル等を用いることができ
る。
そのもの、および／または各種レニウムの無機化合物、
有機化合物あるいは錯体化合物である。具体的には、レ
ニウムカルボニル、酸化レニウム、過レニウム酸、過レ
ニウム酸アンモニウム、塩化レニウム、シクロペンタジ
エニルレニウムトリカルボニル等を用いることができ
る。
【００１８】担体に担持された触媒の調製に使用するVI
II族の金属化合物としては、水素化反応中あるいは反応
に用いる前に金属状のVIII族の金属に変化できるもので
あれば特に制限はない。また、触媒を調製する場合に、
VIｂ族またはVIIｂ族元素の硝酸塩、酢酸塩、硫酸塩、
塩化物等の無機化合物、あるいはアセチルアセトナトな
どの有機の化合物やアミン錯体、カルボニル錯体等を使
用することができる。
II族の金属化合物としては、水素化反応中あるいは反応
に用いる前に金属状のVIII族の金属に変化できるもので
あれば特に制限はない。また、触媒を調製する場合に、
VIｂ族またはVIIｂ族元素の硝酸塩、酢酸塩、硫酸塩、
塩化物等の無機化合物、あるいはアセチルアセトナトな
どの有機の化合物やアミン錯体、カルボニル錯体等を使
用することができる。
【００１９】担体に担持された触媒におけるVIII族の金
属担持量は、総触媒量に対して、０．５〜６０重量％、
好ましくは０．５〜５０重量％である。この担持量が６
０％より多い場合、VIII族の金属単位重量当たりの活性
増加は小さくなる傾向があり、又、０．１重量％より低
い場合、十分な活性が得られない恐れがある。
属担持量は、総触媒量に対して、０．５〜６０重量％、
好ましくは０．５〜５０重量％である。この担持量が６
０％より多い場合、VIII族の金属単位重量当たりの活性
増加は小さくなる傾向があり、又、０．１重量％より低
い場合、十分な活性が得られない恐れがある。
【００２０】担体に担持された触媒におけるVIｂ族及び
VIIｂ族元素の担持量は、VIII族金属とVIｂ族及びVIIｂ
族の元素の原子比が１００：１〜１：５０、好ましくは
５０：１〜１：２０である。
VIIｂ族元素の担持量は、VIII族金属とVIｂ族及びVIIｂ
族の元素の原子比が１００：１〜１：５０、好ましくは
５０：１〜１：２０である。
【００２１】担体に担持された触媒を使用する場合の触
媒の製造法は特に制限はなく、公知の方法で製造したも
のを使用できる。たとえば含浸法、イオン交換法、物理
混合法等で調製することができる。
媒の製造法は特に制限はなく、公知の方法で製造したも
のを使用できる。たとえば含浸法、イオン交換法、物理
混合法等で調製することができる。
【００２２】含浸法で調製する場合には、VIII族の金属
化合物においてはさらにVIｂ族及びVIIｂ族より選ばれ
る少なくとも一種以上の金属化合物を適当な溶媒に溶解
し、ここに担体を加え、必要ならば所定の時間静置した
後、乾燥する。乾燥直後に還元しても良いし、場合によ
っては焼成した後に還元しても差し支えない。もちろん
反応系中で還元しても構わない。還元方法は特に制限な
く、VIII族の０価の金属が得られれば、例えば水素など
を用いて気相で還元しても、あるいはヒドラジンなどを
用いて液相で還元しても構わない。還元温度は少なくと
もVIII族の金属化合物が０価の金属にまで還元されれば
特に制限はない。還元操作後のVIｂ族、VIIｂ族の元素
の価数に特に制限なく、０価の金属であっても、酸化さ
れた状態であっても差し支えない。一般的には６００℃
までの温度でよい。なお、触媒成分は必ずしも一度にす
べてを担持する必要はなく、いずれかの一方を先に担持
した後、残りの成分を担持しても構わないのは言うまで
もない。
化合物においてはさらにVIｂ族及びVIIｂ族より選ばれ
る少なくとも一種以上の金属化合物を適当な溶媒に溶解
し、ここに担体を加え、必要ならば所定の時間静置した
後、乾燥する。乾燥直後に還元しても良いし、場合によ
っては焼成した後に還元しても差し支えない。もちろん
反応系中で還元しても構わない。還元方法は特に制限な
く、VIII族の０価の金属が得られれば、例えば水素など
を用いて気相で還元しても、あるいはヒドラジンなどを
用いて液相で還元しても構わない。還元温度は少なくと
もVIII族の金属化合物が０価の金属にまで還元されれば
特に制限はない。還元操作後のVIｂ族、VIIｂ族の元素
の価数に特に制限なく、０価の金属であっても、酸化さ
れた状態であっても差し支えない。一般的には６００℃
までの温度でよい。なお、触媒成分は必ずしも一度にす
べてを担持する必要はなく、いずれかの一方を先に担持
した後、残りの成分を担持しても構わないのは言うまで
もない。
【００２３】本発明で触媒を担体に担持して使用する場
合、使用される担体は多孔性の物質であればよく、金属
酸化物あるいは複合酸化物、層状粘土化合物、活性炭等
が挙げられる。中でもシリカ、アルミナ、活性炭が好ま
しい。また、触媒の形状には特に制限はなく、粉末のま
ま若しくは成形して用いることができる。なお、本発明
の方法においては、担体として特に高い面積の黒鉛化炭
素等を使用する事なく、通常の活性炭を用いて好適に反
応が進行する。また、触媒の第二成分として通常使用さ
れるアルミナやゼオライトを特に加えなくてもよい。
合、使用される担体は多孔性の物質であればよく、金属
酸化物あるいは複合酸化物、層状粘土化合物、活性炭等
が挙げられる。中でもシリカ、アルミナ、活性炭が好ま
しい。また、触媒の形状には特に制限はなく、粉末のま
ま若しくは成形して用いることができる。なお、本発明
の方法においては、担体として特に高い面積の黒鉛化炭
素等を使用する事なく、通常の活性炭を用いて好適に反
応が進行する。また、触媒の第二成分として通常使用さ
れるアルミナやゼオライトを特に加えなくてもよい。
【００２４】使用する触媒量は特に制限されないが、ア
ミド類に対し０．０１〜１０モル％とすることが好まし
く、さらに好ましくは０．１〜３モル％である。
ミド類に対し０．０１〜１０モル％とすることが好まし
く、さらに好ましくは０．１〜３モル％である。
【００２５】本発明の原料であるアミド類は、分子内に
アミド結合を有するものならいかなるものでもよく、脂
肪族アミド類、芳香族アミド類、ラクタム類、尿素類、
ペプチド類等を例示することができる。また、分子内に
他の不飽和結合がある化合物では、用いる条件によって
は不飽和結合が水素化される場合もある。
アミド結合を有するものならいかなるものでもよく、脂
肪族アミド類、芳香族アミド類、ラクタム類、尿素類、
ペプチド類等を例示することができる。また、分子内に
他の不飽和結合がある化合物では、用いる条件によって
は不飽和結合が水素化される場合もある。
【００２６】本発明の方法においては、原料のアミド類
は好ましくは溶媒に溶解させた後、反応に供する。溶媒
としては、水素化反応に不活性であり、また、反応生成
物と反応しないものであれば特に制限はなく、ジエチル
エーテル、ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライ
ム、テトラグライム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系溶媒、ジエチルアミン、ジイソプロピル
アミン、トリエチルアミン等のアミン系溶媒、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素
系溶媒、および水が挙げられる。溶媒の使用量は、反応
温度において原料が溶解する程度であればよく、特に限
定されない。
は好ましくは溶媒に溶解させた後、反応に供する。溶媒
としては、水素化反応に不活性であり、また、反応生成
物と反応しないものであれば特に制限はなく、ジエチル
エーテル、ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライ
ム、テトラグライム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系溶媒、ジエチルアミン、ジイソプロピル
アミン、トリエチルアミン等のアミン系溶媒、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素
系溶媒、および水が挙げられる。溶媒の使用量は、反応
温度において原料が溶解する程度であればよく、特に限
定されない。
【００２７】本発明の方法において、反応は、加温、水
素加圧下で実施される。反応方法は特に制限はなく、例
えば回分式または半回分式の反応方法であってもよい。
素加圧下で実施される。反応方法は特に制限はなく、例
えば回分式または半回分式の反応方法であってもよい。
【００２８】反応温度は、通常５０〜２５０℃、好まし
くは１００〜２００℃である。これより温度を高くする
と副反応生成物が増加する傾向があり、逆に温度をこれ
より低くすると反応速度の面で不利になる。また、水素
の圧力は、通常１０〜１５０kg/cm2G、好ましくは２０
〜１２０kg/cm2Gが選ばれる。これより高圧では安全並
びに経済上不利であり、これより低圧では反応速度が遅
くなり不利になる。
くは１００〜２００℃である。これより温度を高くする
と副反応生成物が増加する傾向があり、逆に温度をこれ
より低くすると反応速度の面で不利になる。また、水素
の圧力は、通常１０〜１５０kg/cm2G、好ましくは２０
〜１２０kg/cm2Gが選ばれる。これより高圧では安全並
びに経済上不利であり、これより低圧では反応速度が遅
くなり不利になる。
【００２９】反応時間は、温度、圧力および触媒量等の
設定の仕方によって変わるため、一概にその範囲を決め
ることは困難であるが、回分式及び半回分式においては
通常１〜３０時間、好ましくは２〜２０時間がよい。反
応時間は３０時間より長くても構わないが、その範囲内
で十分反応は進行する。一方、１時間未満では高い転化
率が得られないことがある。
設定の仕方によって変わるため、一概にその範囲を決め
ることは困難であるが、回分式及び半回分式においては
通常１〜３０時間、好ましくは２〜２０時間がよい。反
応時間は３０時間より長くても構わないが、その範囲内
で十分反応は進行する。一方、１時間未満では高い転化
率が得られないことがある。
【００３０】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によりさ
らに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例および
比較例に限定されるものではない。
らに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例および
比較例に限定されるものではない。
【００３１】実施例１
【００３２】
【化１】
【００３３】１０ｍｌのステンレス製オートクレーブに
Ｎ−アセチルピペリジン１２７．２ｍｇ（１．００ｍｍ
ｏｌ）、ヘキサデカカルボニルヘキサロジウム１．８ｍ
ｇ、レニウムカルボニル３．２ｍｇ、およびジメトキシ
エタン１．０ｍｌを仕込み、系内を水素で十分置換した
後、１００ｋｇ／ｃｍ2Ｇになるように水素を圧入し
た。加熱攪拌しながら１６０℃に昇温し、１６時間水素
化反応を行った。
Ｎ−アセチルピペリジン１２７．２ｍｇ（１．００ｍｍ
ｏｌ）、ヘキサデカカルボニルヘキサロジウム１．８ｍ
ｇ、レニウムカルボニル３．２ｍｇ、およびジメトキシ
エタン１．０ｍｌを仕込み、系内を水素で十分置換した
後、１００ｋｇ／ｃｍ2Ｇになるように水素を圧入し
た。加熱攪拌しながら１６０℃に昇温し、１６時間水素
化反応を行った。
【００３４】反応終了後、オートクレーブを室温まで冷
却し、続いて水素をパージし、反応液を取り出した。反
応液をガスクロマトグラフィ−により分析した結果、Ｎ
−エチルピペリジンの収率は原料のＮ−アセチルピペリ
ジンに対して７８％であった。結果を表１に示す。
却し、続いて水素をパージし、反応液を取り出した。反
応液をガスクロマトグラフィ−により分析した結果、Ｎ
−エチルピペリジンの収率は原料のＮ−アセチルピペリ
ジンに対して７８％であった。結果を表１に示す。
【００３５】実施例２ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２８．８ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇ、タングステンカルボニル
３．５ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にして水
素化反応および分析を行った。結果を表１に示す。
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇ、タングステンカルボニル
３．５ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にして水
素化反応および分析を行った。結果を表１に示す。
【００３６】実施例３ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．２ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇ、モリブデンヘキサカルボ
ニル２．６ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にし
て水素化反応および分析を行った。結果を表１に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇ、モリブデンヘキサカルボ
ニル２．６ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にし
て水素化反応および分析を行った。結果を表１に示す。
【００３７】実施例４ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．２ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてルテニウムカルボニ
ル２．１ｍｇ、レニウムカルボニル３．２ｍｇを用いた
こと以外は実施例１と同様にして水素化反応および分析
を行った。結果を表１に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてルテニウムカルボニ
ル２．１ｍｇ、レニウムカルボニル３．２ｍｇを用いた
こと以外は実施例１と同様にして水素化反応および分析
を行った。結果を表１に示す。
【００３８】実施例５ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２８．８ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてルテニウムカルボニ
ル２．２ｍｇ、モリブデンヘキサカルボニル２．６ｍｇ
を用いたこと以外は実施例１と同様にして水素化反応お
よび分析を行った。結果を表１に示す。
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてルテニウムカルボニ
ル２．２ｍｇ、モリブデンヘキサカルボニル２．６ｍｇ
を用いたこと以外は実施例１と同様にして水素化反応お
よび分析を行った。結果を表１に示す。
【００３９】比較例１ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．２ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇを用いたこと以外は実施例
１と同様にして水素化反応および分析を行った。結果を
表１に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇを用いたこと以外は実施例
１と同様にして水素化反応および分析を行った。結果を
表１に示す。
【００４０】比較例２ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．２ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてレニウムカルボニル
３．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にして水
素化反応および分析を行った。結果を表１に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてレニウムカルボニル
３．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にして水
素化反応および分析を行った。結果を表１に示す。
【００４１】比較例３ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．２ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてモリブデンヘキサカ
ルボニル２．６ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様
にして水素化反応および分析を行った。結果を表１に示
す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてモリブデンヘキサカ
ルボニル２．６ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様
にして水素化反応および分析を行った。結果を表１に示
す。
【００４２】
【表１】
【００４３】実施例６ 基質としてＮ−アセチルピペリジン１２７．６ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．６ｍｇ、５％Ｒｅ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）３７．２ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行なった。
結果を表２に示す
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．６ｍｇ、５％Ｒｅ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）３７．２ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行なった。
結果を表２に示す
【００４４】実施例７ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２６．８ｍｇ
（０．９９７ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．６ｍｇ、レニウムカルボニル
３．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にして水
素化反応および分析を行った。結果を表２に示す。
（０．９９７ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．６ｍｇ、レニウムカルボニル
３．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様にして水
素化反応および分析を行った。結果を表２に示す。
【００４５】実施例８ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２８．５ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇ、５％Ｒｅ／活性炭（Ｓｔ
ｒｅｍ社製）３７．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１
と同様にして水素化反応および分析を行った。結果を表
２に示す。
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．８ｍｇ、５％Ｒｅ／活性炭（Ｓｔ
ｒｅｍ社製）３７．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１
と同様にして水素化反応および分析を行った。結果を表
２に示す。
【００４６】実施例９ 塩化ルテニウム１１６．２ｍｇと塩化レニウム１６３．
９ｍｇをエタノール２５０ｍｌに溶解した。この溶液
を、活性炭２．０７９８ｇに含浸した。溶媒をロータリ
ーエバポレーターで減圧下に除去し、得られた粉体を９
５℃で２０時間乾燥させ触媒粉体を得た。この触媒粉体
をガス流通式還元装置にいれ、１００ｍｌ／ｍｉｎ流速
の水素ガスを用いて、３００℃で４時間還元し、２．５
％Ｒｕ−４．７％Ｒｅ／活性炭の触媒を得た。
９ｍｇをエタノール２５０ｍｌに溶解した。この溶液
を、活性炭２．０７９８ｇに含浸した。溶媒をロータリ
ーエバポレーターで減圧下に除去し、得られた粉体を９
５℃で２０時間乾燥させ触媒粉体を得た。この触媒粉体
をガス流通式還元装置にいれ、１００ｍｌ／ｍｉｎ流速
の水素ガスを用いて、３００℃で４時間還元し、２．５
％Ｒｕ−４．７％Ｒｅ／活性炭の触媒を得た。
【００４７】基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２
９．４ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）、触媒として上記の
２．５％Ｒｕ−４．７％Ｒｅ／活性炭４０．０ｍｇを用
いたこと以外は実施例１と同様にして水素化反応および
分析を行った。結果を表２に示す。
９．４ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）、触媒として上記の
２．５％Ｒｕ−４．７％Ｒｅ／活性炭４０．０ｍｇを用
いたこと以外は実施例１と同様にして水素化反応および
分析を行った。結果を表２に示す。
【００４８】実施例１０ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２９．４ｍｇ
（１．０２ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭２
０．６ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）、モリブデンヘキサカル
ボニル２．６ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様に
して水素化反応および分析を行った。結果を表２に示
す。
（１．０２ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭２
０．６ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）、モリブデンヘキサカル
ボニル２．６ｍｇを用いたこと以外は実施例１と同様に
して水素化反応および分析を行った。結果を表２に示
す。
【００４９】実施例１１ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２８．９ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／Ａｌ2Ｏ3
２０．６ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3
３７．３ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／Ａｌ2Ｏ3
２０．６ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3
３７．３ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
【００５０】実施例１２ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．７ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．７ｍｇ、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3３
７．１ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実施
例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結果
を表２に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニ
ルヘキサロジウム１．７ｍｇ、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3３
７．１ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実施
例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結果
を表２に示す。
【００５１】実施例１３ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．３ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｕ／Ａｌ2Ｏ3
２０．４ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3
３７．３ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｕ／Ａｌ2Ｏ3
２０．４ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3
３７．３ｍｇ（Ｓｔｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
【００５２】実施例１４ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２８．４ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてルテニウムカルボニ
ル２．２ｍｇ、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3３７．２ｍｇ（Ｓｔ
ｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実施例１と同様にして
水素化反応および分析を行った。結果を表２に示す。
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてルテニウムカルボニ
ル２．２ｍｇ、５％Ｒｅ／Ａｌ2Ｏ3３７．２ｍｇ（Ｓｔ
ｒｅｍ社製）を用いたこと以外は実施例１と同様にして
水素化反応および分析を行った。結果を表２に示す。
【００５３】比較例４ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．８ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．６ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｈ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．６ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
【００５４】比較例５ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２８．４ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｕ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．２ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｕ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２０．２ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
【００５５】比較例６ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．４ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｅ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）３７．２ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｒｅ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）３７．２ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
【００５６】比較例７ 基質としてＮ−アセチルピペリジンを１２７．０ｍｇ
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｐｄ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２１．３ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
（１．００ｍｍｏｌ）、触媒として５％Ｐｄ／活性炭
（Ｓｔｒｅｍ社製）２１．３ｍｇを用いたこと以外は実
施例１と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表２に示す。
【００５７】
【表２】
【００５８】実施例１５
【００５９】
【化２】
【００６０】１０ｍｌのステンレス製オートクレーブに
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド１３０．８ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、ヘキサデカカルボニルヘキサロ
ジウム１．８ｍｇ、レニウムカルボニル３．２ｍｇ、お
よびジメトキシエタン２．０ｍｌを仕込み、系内を水素
で十分置換した後、１００ｋｇ／ｃｍ2Ｇになるように
水素を圧入した。加熱攪拌しながら１６０℃に昇温し、
１６時間水素化反応を行った。
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド１３０．８ｍｇ
（１．０１ｍｍｏｌ）、ヘキサデカカルボニルヘキサロ
ジウム１．８ｍｇ、レニウムカルボニル３．２ｍｇ、お
よびジメトキシエタン２．０ｍｌを仕込み、系内を水素
で十分置換した後、１００ｋｇ／ｃｍ2Ｇになるように
水素を圧入した。加熱攪拌しながら１６０℃に昇温し、
１６時間水素化反応を行った。
【００６１】反応終了後、オートクレーブを室温まで冷
却し、続いて水素をパージし、反応液を取り出した。反
応液をガスクロマトグラフィ−により分析した結果、
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルメチルアミンの収率は原料の
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミドに対して９２％で
あった。結果を表３に示す。
却し、続いて水素をパージし、反応液を取り出した。反
応液をガスクロマトグラフィ−により分析した結果、
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルメチルアミンの収率は原料の
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミドに対して９２％で
あった。結果を表３に示す。
【００６２】実施例１６
【００６３】
【化３】
【００６４】基質としてカプロン酸アミド５８．５ｍｇ
（０．５０８ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボ
ニルヘキサロジウム２．７ｍｇ、レニウムカルボニル
９．６ｍｇ、、溶媒としてジメトキシエタン２．０ｍｌ
およびジエチルアミン０．１ｍｌを用い、反応時間を８
時間としたこと以外は実施例１５と同様にして水素化反
応および分析を行った。結果を表３に示す。
（０．５０８ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボ
ニルヘキサロジウム２．７ｍｇ、レニウムカルボニル
９．６ｍｇ、、溶媒としてジメトキシエタン２．０ｍｌ
およびジエチルアミン０．１ｍｌを用い、反応時間を８
時間としたこと以外は実施例１５と同様にして水素化反
応および分析を行った。結果を表３に示す。
【００６５】実施例１７
【００６６】
【化４】
【００６７】基質としてＮ−ヘキシルアセトアミド７
１．７ｍｇ（０．５０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサ
デカカルボニルヘキサロジウム２．６ｍｇ、レニウムカ
ルボニル４．９ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．
０ｍｌを用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素
化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
１．７ｍｇ（０．５０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサ
デカカルボニルヘキサロジウム２．６ｍｇ、レニウムカ
ルボニル４．９ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．
０ｍｌを用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素
化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
【００６８】実施例１８
【００６９】
【化５】
【００７０】基質としてＮ，Ｎ−ジエチルプロパンアミ
ド６５．１ｍｇ（０．５０４ｍｍｏｌ）、触媒としてヘ
キサデカカルボニルヘキサロジウム２．７ｍｇ、レニウ
ムカルボニル４．９ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン
１．０ｍｌを用いたこと以外は実施例１５と同様にして
水素化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
ド６５．１ｍｇ（０．５０４ｍｍｏｌ）、触媒としてヘ
キサデカカルボニルヘキサロジウム２．７ｍｇ、レニウ
ムカルボニル４．９ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン
１．０ｍｌを用いたこと以外は実施例１５と同様にして
水素化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
【００７１】実施例１９
【００７２】
【化６】
【００７３】基質としてＮ，Ｎ−ジエチル−２，２−ジ
メチルプロパンアミド７９．３ｍｇ（０．５０５ｍｍｏ
ｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニルヘキサロジウム
２．８ｍｇ、レニウムカルボニル４．７ｍｇ、溶媒とし
てジメトキシエタン１．０ｍｌを用いたこと以外は実施
例１５と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表３に示す。
メチルプロパンアミド７９．３ｍｇ（０．５０５ｍｍｏ
ｌ）、触媒としてヘキサデカカルボニルヘキサロジウム
２．８ｍｇ、レニウムカルボニル４．７ｍｇ、溶媒とし
てジメトキシエタン１．０ｍｌを用いたこと以外は実施
例１５と同様にして水素化反応および分析を行った。結
果を表３に示す。
【００７４】実施例２０
【００７５】
【化７】
【００７６】基質としてアセトアニリド１３４．９ｍｇ
（０．９９８ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボ
ニルヘキサロジウム５．４ｍｇ、レニウムカルボニル
９．７ｍｇを用いたこと以外は実施例１５と同様にして
水素化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
（０．９９８ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカルボ
ニルヘキサロジウム５．４ｍｇ、レニウムカルボニル
９．７ｍｇを用いたこと以外は実施例１５と同様にして
水素化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
【００７７】実施例２１
【００７８】
【化８】
【００７９】基質としてＮ−アセチルモルホリン１３
０．１ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデ
カカルボニルヘキサロジウム１．８ｍｇ、レニウムカル
ボニル３．３ｍｇを用いたこと以外は実施例１５と同様
にして水素化反応および分析を行った。結果を表３に示
す。
０．１ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデ
カカルボニルヘキサロジウム１．８ｍｇ、レニウムカル
ボニル３．３ｍｇを用いたこと以外は実施例１５と同様
にして水素化反応および分析を行った。結果を表３に示
す。
【００８０】実施例２２
【００８１】
【化９】
【００８２】基質としてＮ−ベンジルアセトアミド７
５．２ｍｇ（０．５０４ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサ
デカカルボニルヘキサロジウム２．７ｍｇ、レニウムカ
ルボニル４．７ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．
０ｍｌを用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素
化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
５．２ｍｇ（０．５０４ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサ
デカカルボニルヘキサロジウム２．７ｍｇ、レニウムカ
ルボニル４．７ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．
０ｍｌを用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素
化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
【００８３】実施例２３
【００８４】
【化１０】
【００８５】基質としてδ−バレロラクタム５０．６ｍ
ｇ（０．５１０ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカル
ボニルヘキサロジウム０．９ｍｇ、レニウムカルボニル
１．４ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．０ｍｌを
用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素化反応お
よび分析を行った。結果を表３に示す。
ｇ（０．５１０ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカル
ボニルヘキサロジウム０．９ｍｇ、レニウムカルボニル
１．４ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．０ｍｌを
用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素化反応お
よび分析を行った。結果を表３に示す。
【００８６】実施例２４
【００８７】
【化１１】
【００８８】基質としてε−カプロラクタム５６．５ｍ
ｇ（０．４９９ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカル
ボニルヘキサロジウム１．０ｍｇ、レニウムカルボニル
１．７ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．０ｍｌを
用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素化反応お
よび分析を行った。結果を表３に示す。
ｇ（０．４９９ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカル
ボニルヘキサロジウム１．０ｍｇ、レニウムカルボニル
１．７ｍｇ、溶媒としてジメトキシエタン１．０ｍｌを
用いたこと以外は実施例１５と同様にして水素化反応お
よび分析を行った。結果を表３に示す。
【００８９】実施例２５
【００９０】
【化１２】
【００９１】基質としてＮ−メチル−ε−カプロラクタ
ム１２７．０ｍｇ（０．９９９ｍｍｏｌ）、触媒として
ヘキサデカカルボニルヘキサロジウム１．８ｍｇ、レニ
ウムカルボニル３．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１
５と同様にして水素化反応および分析を行った。結果を
表３に示す。
ム１２７．０ｍｇ（０．９９９ｍｍｏｌ）、触媒として
ヘキサデカカルボニルヘキサロジウム１．８ｍｇ、レニ
ウムカルボニル３．２ｍｇを用いたこと以外は実施例１
５と同様にして水素化反応および分析を行った。結果を
表３に示す。
【００９２】実施例２６
【００９３】
【化１３】
【００９４】基質としてω−ヘプタラクタム１３２．０
ｍｇ（０．９９９ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカ
ルボニルヘキサロジウム５．３ｍｇ、レニウムカルボニ
ル９．５ｍｇを用いたこと以外は実施例１５と同様にし
て水素化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
ｍｇ（０．９９９ｍｍｏｌ）、触媒としてヘキサデカカ
ルボニルヘキサロジウム５．３ｍｇ、レニウムカルボニ
ル９．５ｍｇを用いたこと以外は実施例１５と同様にし
て水素化反応および分析を行った。結果を表３に示す。
【００９５】
【表３】
【００９６】
【発明の効果】本発明により、アミド類から温和な条件
下、高選択的かつ高収率でアミン類が製造できる。触媒
的水素化によるアミン合成はコスト面で試薬還元よりも
有利であり、工業的なアミン合成法として有用である。
下、高選択的かつ高収率でアミン類が製造できる。触媒
的水素化によるアミン合成はコスト面で試薬還元よりも
有利であり、工業的なアミン合成法として有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 23/89 7419−4Ｈ Ｃ０７Ｂ 43/04 31/02 Ｃ０７Ｃ 209/50 31/20 8517−4Ｈ 211/35 Ｃ０７Ｂ 43/04 Ｃ０７Ｄ 295/02 Ａ Ｃ０７Ｃ 209/50 Ｚ 211/35 Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｄ 295/02 Ｂ０１Ｊ 23/64 １０３Ｍ １０４Ｍ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ 23/84 ３１１Ｍ
Claims (6)
- 【請求項１】 周期律第VIII族の元素から選ばれる少な
くとも一種の元素と周期律VIb族の元素から選ばれる少
なくとも一種の元素からなる触媒の存在下にアミド類を
水素化還元することを特徴とするアミン類の製造方法。 - 【請求項２】 周期律第VIII族の元素がロジウム、ルテ
ニウム、パラジウムである請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 周期律第VIb族の元素がモリブデン、タ
ングステンである請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項４】 鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、
ロジウム、オスミウム、イリジウム及び白金から選ばれ
る少なくとも一種の周期律第VIII族の元素と周期律VIIb
族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素からなる触
媒の存在下にアミド類を水素化還元することを特徴とす
るアミン類の製造方法。 - 【請求項５】 周期律第VIII族の元素がロジウム及びル
テニウムから選ばれるものである請求項４に記載の製造
方法。 - 【請求項６】 周期律第VIIb族の元素がレニウムである
請求項４に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7051272A JPH08245524A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | アミン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7051272A JPH08245524A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | アミン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08245524A true JPH08245524A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=12882319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7051272A Pending JPH08245524A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | アミン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08245524A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007102568A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Kao Corporation | 含窒素化合物の製造方法 |
| JP2007269788A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Kao Corp | 含窒素化合物の製造方法 |
| JP2012143719A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Ube Industries Ltd | アミド基還元用触媒および該触媒を用いたアミノメチル化合物の製造方法 |
| JP2016536359A (ja) * | 2013-11-05 | 2016-11-24 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーＥｖｏｎｉｋ Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ | カルボン酸アミド、カルボン酸ジアミド、ジペプチド、トリペプチド、若しくはポリペプチド、又はペプチドアミドからアミンを製造するための接触水素化 |
| WO2020175309A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 国立大学法人大阪大学 | アミド化合物の水素化に用いる水素添加反応用触媒およびこれを用いたアミン化合物の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP7051272A patent/JPH08245524A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007102568A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Kao Corporation | 含窒素化合物の製造方法 |
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| US7754923B2 (en) | 2006-03-08 | 2010-07-13 | Kao Corporation | Method for producing nitrogen-containing compound |
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| WO2020175309A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 国立大学法人大阪大学 | アミド化合物の水素化に用いる水素添加反応用触媒およびこれを用いたアミン化合物の製造方法 |
| JPWO2020175309A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2021-12-23 | 国立大学法人大阪大学 | アミド化合物の水素化に用いる水素添加反応用触媒およびこれを用いたアミン化合物の製造方法 |
| US12187691B2 (en) | 2019-02-26 | 2025-01-07 | Osaka University | Hydrogenation catalyst used in amide compound hydrogenation and method for producing amine compound using same |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050810 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051003 |
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