JPH08245573A - ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法 - Google Patents
ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 ハロゲン化β−ラクタム化合物を安全かつ簡
便な操作により、しかも高収率かつ高純度で製造し得る
方法を提供する。 【構成】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラク
タム化合物の水酸基をハロゲン原子または脱離基と置換
する一般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化
合物の製造法。 〔式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基、R2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ
基、低級アシル基、置換基として水酸基もしくは保護さ
れた水酸基を有する低級アルキル基、R3は水素原子又
はカルボン酸保護基、R4は置換基を有することのある
アリール基、Xはハロゲン原子、nは0〜2を示す。〕 〔式中R1、R2、R3、R4、X及びnは上記に同じ。Y
はハロゲン原子または脱離基を示す。〕
便な操作により、しかも高収率かつ高純度で製造し得る
方法を提供する。 【構成】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラク
タム化合物の水酸基をハロゲン原子または脱離基と置換
する一般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化
合物の製造法。 〔式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基、R2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ
基、低級アシル基、置換基として水酸基もしくは保護さ
れた水酸基を有する低級アルキル基、R3は水素原子又
はカルボン酸保護基、R4は置換基を有することのある
アリール基、Xはハロゲン原子、nは0〜2を示す。〕 〔式中R1、R2、R3、R4、X及びnは上記に同じ。Y
はハロゲン原子または脱離基を示す。〕
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、3位に炭素原子を結合
していないセファロスポリン骨格を有する抗菌剤(特開
昭58−135859号公報)の中間体として有用なハ
ロゲン化β−ラクタム化合物の製造法に関する。
していないセファロスポリン骨格を有する抗菌剤(特開
昭58−135859号公報)の中間体として有用なハ
ロゲン化β−ラクタム化合物の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、本発明の一般式(2)で表される
ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法としては、一般
式(3)で表されるアレニルβ−ラクタム化合物にハロ
ゲン分子を作用させる方法が知られているが(Can.
J.Chem.,1978,56,1335)、この方法で
はハロゲン分子の種類により、α,β−, β,γ−の位置
異性体の混合物となりとても実用に供せられる方法では
ない。また、この方法では中間体に不安定なアレン化合
物を経由するため工業スケールでは多くの問題を抱えて
いる。
ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法としては、一般
式(3)で表されるアレニルβ−ラクタム化合物にハロ
ゲン分子を作用させる方法が知られているが(Can.
J.Chem.,1978,56,1335)、この方法で
はハロゲン分子の種類により、α,β−, β,γ−の位置
異性体の混合物となりとても実用に供せられる方法では
ない。また、この方法では中間体に不安定なアレン化合
物を経由するため工業スケールでは多くの問題を抱えて
いる。
【0003】
【化3】 〔式中R1及びR3は前記と同じ。R5は低級アルキル基
を示す。〕
を示す。〕
【0004】また、図に示すように、ケト型β−ラクタ
ム化合物を一旦エノール化し、エノールエーテルやビニ
ルハライド体とした後、N−ブロモコハク酸イミド(N
BS)やN−クロロコハク酸イミド(NCS)をラジカ
ル発生剤の存在下、ハロゲン化反応を行なう方法が報告
されている(特開昭58−135859号公報)。この
方法では、危険な反応試薬を使用しなければならないた
め、工業的により現実的な方法が望まれていた。
ム化合物を一旦エノール化し、エノールエーテルやビニ
ルハライド体とした後、N−ブロモコハク酸イミド(N
BS)やN−クロロコハク酸イミド(NCS)をラジカ
ル発生剤の存在下、ハロゲン化反応を行なう方法が報告
されている(特開昭58−135859号公報)。この
方法では、危険な反応試薬を使用しなければならないた
め、工業的により現実的な方法が望まれていた。
【0005】
【化4】 (式中、R6はフタルイミド、アリールオキシアルカン
アミドまたはアルカノイル、R7はチオシアナト、アル
カノイル、アリールチオ、ベンゾチアゾールチオまたは
アルコキシ、シクロアルキルなどで置換されていてもよ
いアルコキシカルボニル、R8はハロゲン、アリールな
どで置換されていてもよいアルキル、Xはクロロ等、Y
はハロゲン原子を示す。)
アミドまたはアルカノイル、R7はチオシアナト、アル
カノイル、アリールチオ、ベンゾチアゾールチオまたは
アルコキシ、シクロアルキルなどで置換されていてもよ
いアルコキシカルボニル、R8はハロゲン、アリールな
どで置換されていてもよいアルキル、Xはクロロ等、Y
はハロゲン原子を示す。)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、工業
的に容易に得られる一般式(1)で表されるハロゲン化
β−ラクタム化合物を出発原料とし、より温和なハロゲ
ン化及び脱離基導入反応を構築、開発することにより、
一般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物
を安全かつ簡便な操作により、しかも高収率かつ高純度
で製造し得る方法を提供することにある。
的に容易に得られる一般式(1)で表されるハロゲン化
β−ラクタム化合物を出発原料とし、より温和なハロゲ
ン化及び脱離基導入反応を構築、開発することにより、
一般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物
を安全かつ簡便な操作により、しかも高収率かつ高純度
で製造し得る方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(1)
で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物の水酸基をハ
ロゲン原子または脱離基と置換することを特徴とする一
般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物の
製造法に係る。
で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物の水酸基をハ
ロゲン原子または脱離基と置換することを特徴とする一
般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物の
製造法に係る。
【0008】
【化5】
【0009】〔式中R1は水素原子、アミノ基又は保護
されたアミノ基を示す。R2は水素原子、ハロゲン原
子、低級アルコキシ基、低級アシル基、又は置換基とし
て水酸基もしくは保護された水酸基を有する低級アルキ
ル基を示す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示
す。R4は置換基を有することのあるアリール基を示
す。Xはハロゲン原子を示す。nは0〜2を示す。〕
されたアミノ基を示す。R2は水素原子、ハロゲン原
子、低級アルコキシ基、低級アシル基、又は置換基とし
て水酸基もしくは保護された水酸基を有する低級アルキ
ル基を示す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示
す。R4は置換基を有することのあるアリール基を示
す。Xはハロゲン原子を示す。nは0〜2を示す。〕
【0010】
【化6】 〔式中R1、R2、R3、R4、X及びnは上記に同じ。Y
はハロゲン原子または脱離基を示す。〕
はハロゲン原子または脱離基を示す。〕
【0011】本明細書において示される各基は、より具
体的にはそれぞれ次の通りである。R1で示される保護
されたアミノ基としては、プロテクティブグループイン
オーガニックシンセシス(Protective Groups in Or
ganic Synthesis, Theodora W.Greene著、198
1年、以下単に「文献」という)の第7章(第218〜
287頁)に記載されている各種の基の他、フェノキシ
アセトアミド、p−メチルフェノキシアセトアミド、p
−メトキシフェノキシアセトアミド、p−クロロフェノ
キシアセトアミド、p−ブロモフェノキシアセトアミ
ド、フェニルアセトアミド、p−メチルフェニルアセト
アミド、p−メトキシフェニルアセトアミド、p−クロ
ロフェニルアセトアミド、p−ブロモフェニルアセトア
ミド、フェニルモノクロロアセトアミド、フェニルジク
ロロアセトアミド、フェニルヒドロキシアセトアミド、
チエニルアセトアミド、フェニルアセトキシアセトアミ
ド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベンズアミド、
p−メチルベンズアミド、p−メトキシベンズアミド、
p−クロロベンズアミド、p−ブロモベンズアミド、フ
ェニルグリシルアミドやアミノ基の保護されたフェニル
グリシルアミド、p−ヒドロキシフェニルグリシルアミ
ドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が保護されたp
−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等のアミド類、フ
タルイミド、ニトロフタルイミド等のイミド類を例示で
きる。フェニルグリシルアミド及びp−ヒドロキシフェ
ニルグリシルアミドのアミノ基の保護基としては、上記
文献の第7章(第218〜287頁)に記載されている
各種基を例示できる。また、p−ヒドロキシフェニルグ
リシルアミドの水酸基の保護基としては、上記文献の第
2章(第10〜72頁)に記載されている各種基を例示
できる。
体的にはそれぞれ次の通りである。R1で示される保護
されたアミノ基としては、プロテクティブグループイン
オーガニックシンセシス(Protective Groups in Or
ganic Synthesis, Theodora W.Greene著、198
1年、以下単に「文献」という)の第7章(第218〜
287頁)に記載されている各種の基の他、フェノキシ
アセトアミド、p−メチルフェノキシアセトアミド、p
−メトキシフェノキシアセトアミド、p−クロロフェノ
キシアセトアミド、p−ブロモフェノキシアセトアミ
ド、フェニルアセトアミド、p−メチルフェニルアセト
アミド、p−メトキシフェニルアセトアミド、p−クロ
ロフェニルアセトアミド、p−ブロモフェニルアセトア
ミド、フェニルモノクロロアセトアミド、フェニルジク
ロロアセトアミド、フェニルヒドロキシアセトアミド、
チエニルアセトアミド、フェニルアセトキシアセトアミ
ド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベンズアミド、
p−メチルベンズアミド、p−メトキシベンズアミド、
p−クロロベンズアミド、p−ブロモベンズアミド、フ
ェニルグリシルアミドやアミノ基の保護されたフェニル
グリシルアミド、p−ヒドロキシフェニルグリシルアミ
ドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が保護されたp
−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等のアミド類、フ
タルイミド、ニトロフタルイミド等のイミド類を例示で
きる。フェニルグリシルアミド及びp−ヒドロキシフェ
ニルグリシルアミドのアミノ基の保護基としては、上記
文献の第7章(第218〜287頁)に記載されている
各種基を例示できる。また、p−ヒドロキシフェニルグ
リシルアミドの水酸基の保護基としては、上記文献の第
2章(第10〜72頁)に記載されている各種基を例示
できる。
【0012】R2で示されるハロゲン原子とは例えば、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの原子を挙げることが
できる。R2で示される低級アルコキシ基としては、例
えば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロ
ポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキ
シ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4の
アルコキシ基を例示できる。R2で示される低級アシル
基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状のC
1〜C4のアシル基を例示できる。
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの原子を挙げることが
できる。R2で示される低級アルコキシ基としては、例
えば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロ
ポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキ
シ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4の
アルコキシ基を例示できる。R2で示される低級アシル
基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状のC
1〜C4のアシル基を例示できる。
【0013】R2で示される水酸基又は保護された水酸
基を置換基として有する低級アルキル基の保護された水
酸基、およびR2で示される保護された水酸基の保護基
としては、上記文献の第2章(第10〜72頁)に記載
されている基を例示できる。R2で示される上記置換低
級アルキル基は、水酸基又は上記で示される保護された
水酸基の中から選ばれる同一又は異なる種類の置換基
で、同一又は異なる炭素上に1つ以上置換されていても
よい。低級アルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブ
チル、sec−ブチル、tert−ブチルなどの直鎖または分
枝状のC1〜C4のアルキル基を挙げることができる。
基を置換基として有する低級アルキル基の保護された水
酸基、およびR2で示される保護された水酸基の保護基
としては、上記文献の第2章(第10〜72頁)に記載
されている基を例示できる。R2で示される上記置換低
級アルキル基は、水酸基又は上記で示される保護された
水酸基の中から選ばれる同一又は異なる種類の置換基
で、同一又は異なる炭素上に1つ以上置換されていても
よい。低級アルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブ
チル、sec−ブチル、tert−ブチルなどの直鎖または分
枝状のC1〜C4のアルキル基を挙げることができる。
【0014】R3で示されるカルボン酸の保護基として
は、上記文献の第5章(第152〜192頁)に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、p−メトキ
シベンジル基、p−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例示で
きる。
は、上記文献の第5章(第152〜192頁)に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、p−メトキ
シベンジル基、p−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例示で
きる。
【0015】R4で示される置換基を有することのある
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、含窒素
ヘテロ環基等を例示できる。含窒素ヘテロ環基の種類と
しては、ベンゾチアゾール基、トリアゾール基、チアゾ
ール基、テトラゾール基等を例示できる。これらのアリ
ール基に置換してもよい置換基の種類としては、例えば
ハロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基
(例えばメトキシ基、エトキシ基等)、C1〜C4の直鎖
もしくは分枝鎖状アルキルチオ基(例えばメチルチオ
基、エチルチオ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖
状アルキルスルホニルオキシ基(例えばメタンスルホニ
ルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
等)、置換基を有してもよい芳香族スルホニルオキシ基
(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状ア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基等)、アミノ基、
置換基としてC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基を1個又は2個有するアミノ基(例えばメチルアミノ
基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基等)、水酸基、R'COO−(R'はフェニル基、ト
リル基又はC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基)で表されるアシルオキシ基(例えばフェニルカルボ
ニルオキシ基、アセチルオキシ基等)、R'CO−(R'
は前記に同じ)で表されるアシル基(例えばフェニルカ
ルボニル基、アセチル基等)、ニトロ基、シアノ基、フ
ェニル基等を例示できる。これらの置換基はArで示さ
れるアリールがフェニル基である場合は1〜5個、特に
1,2又は3個、Arで示されるアリール基がナフチル
である場合は1〜7個、特に1〜3個、同一又は異なる
種類で置換されていてもよい。
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、含窒素
ヘテロ環基等を例示できる。含窒素ヘテロ環基の種類と
しては、ベンゾチアゾール基、トリアゾール基、チアゾ
ール基、テトラゾール基等を例示できる。これらのアリ
ール基に置換してもよい置換基の種類としては、例えば
ハロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基
(例えばメトキシ基、エトキシ基等)、C1〜C4の直鎖
もしくは分枝鎖状アルキルチオ基(例えばメチルチオ
基、エチルチオ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖
状アルキルスルホニルオキシ基(例えばメタンスルホニ
ルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
等)、置換基を有してもよい芳香族スルホニルオキシ基
(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状ア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基等)、アミノ基、
置換基としてC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基を1個又は2個有するアミノ基(例えばメチルアミノ
基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基等)、水酸基、R'COO−(R'はフェニル基、ト
リル基又はC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基)で表されるアシルオキシ基(例えばフェニルカルボ
ニルオキシ基、アセチルオキシ基等)、R'CO−(R'
は前記に同じ)で表されるアシル基(例えばフェニルカ
ルボニル基、アセチル基等)、ニトロ基、シアノ基、フ
ェニル基等を例示できる。これらの置換基はArで示さ
れるアリールがフェニル基である場合は1〜5個、特に
1,2又は3個、Arで示されるアリール基がナフチル
である場合は1〜7個、特に1〜3個、同一又は異なる
種類で置換されていてもよい。
【0016】X, Yで示されるハロゲン原子としてはフ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Yで示される
脱離基としては置換基を有してもよい低級アルキルスル
ホニルオキシ基(例えばメタンスルホニルオキシ基、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタ
ンスルホニルオキシ基等)、芳香族スルホニルオキシ基
(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等)、ハロゲン化スルホニルオキシ基(例
えばフルオロメタンスルホニルオキシ基等)、低級アル
キルホスホニルオキシ基(例えばトリメチルオキシ基、
トリエチルオキシ基、トリブチルホスホニルオキシ基
等)、芳香族ホスホニルオキシ基(例えばトリフェニル
ホスホニルオキシ基、トリトリルホスホニルオキシ基
等)等を例示できる。
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Yで示される
脱離基としては置換基を有してもよい低級アルキルスル
ホニルオキシ基(例えばメタンスルホニルオキシ基、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタ
ンスルホニルオキシ基等)、芳香族スルホニルオキシ基
(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等)、ハロゲン化スルホニルオキシ基(例
えばフルオロメタンスルホニルオキシ基等)、低級アル
キルホスホニルオキシ基(例えばトリメチルオキシ基、
トリエチルオキシ基、トリブチルホスホニルオキシ基
等)、芳香族ホスホニルオキシ基(例えばトリフェニル
ホスホニルオキシ基、トリトリルホスホニルオキシ基
等)等を例示できる。
【0017】本発明の出発原料である一般式(1)で表
されるアレニルβ−ラクタム化合物は、例えば下記に示
す方法で製造することができる。すなわち、一般式
(4)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物より文
献記載の方法(鳥居 滋ら、ケミストリーレター、19
90年,1867頁)、もしくは不活性溶媒中オゾンと
作用させることにより製造することが出来る。
されるアレニルβ−ラクタム化合物は、例えば下記に示
す方法で製造することができる。すなわち、一般式
(4)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物より文
献記載の方法(鳥居 滋ら、ケミストリーレター、19
90年,1867頁)、もしくは不活性溶媒中オゾンと
作用させることにより製造することが出来る。
【0018】
【化7】 〔式中R1、R2、R3、R4及びXは前記に同じ。〕
【0019】得られる一般式(1)で表されるハロゲン
化β−ラクタム化合物は通常の精製方法によって単離で
きるがそのまま次の反応に用いることもできる。こうし
て得られる一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラク
タム化合物の水酸基に、ハロゲン化試剤または脱離基生
成試剤を作用させることにより、一般式(2)で表され
るハロゲン化β−ラクタム化合物に変換することができ
る。また、本反応では一旦脱離基生成試剤を作用させた
後、ハロゲン化試剤を作用させることにより、より温和
な条件下でハロゲン化β−ラクタム化合物を製造するこ
とも可能である。
化β−ラクタム化合物は通常の精製方法によって単離で
きるがそのまま次の反応に用いることもできる。こうし
て得られる一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラク
タム化合物の水酸基に、ハロゲン化試剤または脱離基生
成試剤を作用させることにより、一般式(2)で表され
るハロゲン化β−ラクタム化合物に変換することができ
る。また、本反応では一旦脱離基生成試剤を作用させた
後、ハロゲン化試剤を作用させることにより、より温和
な条件下でハロゲン化β−ラクタム化合物を製造するこ
とも可能である。
【0020】ハロゲン化試剤としては、オキシ塩化燐、
五塩化燐等の燐(V)塩化物、三塩化燐、三臭化燐等の
燐(III)塩化物及び臭化物、置換基を有してもよいト
リアリールホスフィン二塩素錯体、トリアリールホスフ
ィン二臭素錯体等のトリアリールホスフィンハロゲン錯
体、置換基を有してもよいトリアリールホスフィンまた
はトリアルキルホスフィンとハロゲン分子の混合物、塩
化チオニル、臭化チオニル等のハロゲン化チオニル、塩
化スルホニル、臭化スルホニル等のハロゲン化スルホニ
ル等が例示できるが通常の水酸基のハロゲン化試剤であ
れば特に制限なく利用できる。これらハロゲン化試剤の
使用量は、一般式(1)の化合物に対して通常1〜50
倍モル量程度、好ましくは1〜10倍モル量程度とする
のが良い。またこれらのハロゲン化試剤と共に例えば重
炭酸ナトリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基、トリエ
チルアミン、エチルジイソプロピルアミン、N,N-ジメ
チルアニリン等の有機塩基、アンバーライトXE-58
3等の塩基性樹脂を併用することも可能である。また、
一旦脱離基生成試剤を作用させた後のハロゲン化試剤と
しては、上記ハロゲン化試剤を使用することも可能であ
るが、それ以外に塩化リチウム、臭化リチウム等のハロ
ゲン化アルカリ金属塩、塩化カルシウム、臭化カルシウ
ム等のハロゲン化アルカリ土類金属塩、塩化アルミニウ
ム、臭化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウム塩等
が例示出来る。これらのハロゲン塩は一般式(2)の化
合物に対して通常1〜50倍モル量程度、好ましくは1
〜10倍モル量程度とするのが良い。またこれらのハロ
ゲン塩は、単独もしくは二種以上の組み合わせにより使
用することが可能である。
五塩化燐等の燐(V)塩化物、三塩化燐、三臭化燐等の
燐(III)塩化物及び臭化物、置換基を有してもよいト
リアリールホスフィン二塩素錯体、トリアリールホスフ
ィン二臭素錯体等のトリアリールホスフィンハロゲン錯
体、置換基を有してもよいトリアリールホスフィンまた
はトリアルキルホスフィンとハロゲン分子の混合物、塩
化チオニル、臭化チオニル等のハロゲン化チオニル、塩
化スルホニル、臭化スルホニル等のハロゲン化スルホニ
ル等が例示できるが通常の水酸基のハロゲン化試剤であ
れば特に制限なく利用できる。これらハロゲン化試剤の
使用量は、一般式(1)の化合物に対して通常1〜50
倍モル量程度、好ましくは1〜10倍モル量程度とする
のが良い。またこれらのハロゲン化試剤と共に例えば重
炭酸ナトリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基、トリエ
チルアミン、エチルジイソプロピルアミン、N,N-ジメ
チルアニリン等の有機塩基、アンバーライトXE-58
3等の塩基性樹脂を併用することも可能である。また、
一旦脱離基生成試剤を作用させた後のハロゲン化試剤と
しては、上記ハロゲン化試剤を使用することも可能であ
るが、それ以外に塩化リチウム、臭化リチウム等のハロ
ゲン化アルカリ金属塩、塩化カルシウム、臭化カルシウ
ム等のハロゲン化アルカリ土類金属塩、塩化アルミニウ
ム、臭化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウム塩等
が例示出来る。これらのハロゲン塩は一般式(2)の化
合物に対して通常1〜50倍モル量程度、好ましくは1
〜10倍モル量程度とするのが良い。またこれらのハロ
ゲン塩は、単独もしくは二種以上の組み合わせにより使
用することが可能である。
【0021】脱離基生成試剤としては、塩化メタンスル
ホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル等の置換基
を有してもよい低級アルキルスルホン酸塩化物、塩化ベ
ンゼンスルホニル、塩化トルエンスルホニル等の置換基
を有してもよい芳香族スルホン酸塩化物、メタンスルホ
ン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等の
置換基を有してもよい低級アルキルスルホン酸無水物、
ベンゼンスルホン酸無水物、トルエンスルホン酸無水物
等の置換基を有してもよい芳香族スルホン酸無水物、塩
化ジエチルホスホニル等の置換基を有してもよい低級ア
ルキル燐酸塩化物、塩化ジフェニルホスホニル等の置換
基を有してもよい芳香族燐酸塩化物等を例示できる。こ
れら脱離基生成試剤の使用量は、一般式(1)の化合物
に対して通常1〜50倍モル量程度、好ましくは1〜1
0倍モル量程度とするのが良い。またこれらの脱離基生
成試剤と共に例えば重炭酸ナトリウム、炭酸ナトリウム
等の無機塩基、トリエチルアミン、エチルジイソプロピ
ルアミン、N,N−ジメチルアニリン等の有機塩基、ア
ンバーライトXE−583等の塩基性樹脂を併用するこ
とも可能である。これらの低級アルキルスルホン酸塩化
物、低級アルキルスルホン酸無水物、低級アルキル燐酸
塩化物に置換していてもよい置換基の種類としては、例
えばハロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基
(例えばメトキシ基、エトキシ基等)、C1〜C4の直鎖
もしくは分枝鎖状アルキルチオ基(例えばメチルチオ
基、エチルチオ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖
状アルキルスルホニルオキシ基(例えばメタンスルホニ
ルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基(例
えばメチル基、エチル基等)、アミノ基、置換基として
C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基を1個又は
2個有するアミノ基(例えばメチルアミノ基、ジメチル
アミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等)、
R'COO−(R'はフェニル基、トリル基又はC1〜C4
の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基)で表されるアシル
オキシ基(例えばフェニルカルボニルオキシ基、アセチ
ルオキシ基等)、R'CO−(R'は前記に同じ)で表さ
れるアシル基(例えばフェニルカルボニル基、アセチル
基等)、ニトロ基、シアノ基、フェニル基等を例示でき
る。これらの置換基はR2で示される低級アルキルスル
ホン酸塩化物、低級アルキルスルホン酸無水物、低級ア
ルキル燐酸塩化物に1〜5個、特に1〜3個、同一又は
異なる種類で置換されていてもよい。芳香族スルホン酸
塩化物、芳香族スルホン酸無水物、芳香族燐酸塩化物に
置換してもよい置換基の種類としては、上記低級アルキ
ルスルホン酸塩化物、低級アルキルスルホン酸無水物、
低級アルキル燐酸塩化物に置換していてもよい置換基と
して例示したと同じ置換基が例示できる。これらの置換
基は芳香族基がフェニル基である場合は1〜5個、特に
1、2又は3個、芳香族基がナフチルである場合は1〜
7個、特に1〜3個、同一又は異なる種類で置換されて
いてもよい。
ホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル等の置換基
を有してもよい低級アルキルスルホン酸塩化物、塩化ベ
ンゼンスルホニル、塩化トルエンスルホニル等の置換基
を有してもよい芳香族スルホン酸塩化物、メタンスルホ
ン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等の
置換基を有してもよい低級アルキルスルホン酸無水物、
ベンゼンスルホン酸無水物、トルエンスルホン酸無水物
等の置換基を有してもよい芳香族スルホン酸無水物、塩
化ジエチルホスホニル等の置換基を有してもよい低級ア
ルキル燐酸塩化物、塩化ジフェニルホスホニル等の置換
基を有してもよい芳香族燐酸塩化物等を例示できる。こ
れら脱離基生成試剤の使用量は、一般式(1)の化合物
に対して通常1〜50倍モル量程度、好ましくは1〜1
0倍モル量程度とするのが良い。またこれらの脱離基生
成試剤と共に例えば重炭酸ナトリウム、炭酸ナトリウム
等の無機塩基、トリエチルアミン、エチルジイソプロピ
ルアミン、N,N−ジメチルアニリン等の有機塩基、ア
ンバーライトXE−583等の塩基性樹脂を併用するこ
とも可能である。これらの低級アルキルスルホン酸塩化
物、低級アルキルスルホン酸無水物、低級アルキル燐酸
塩化物に置換していてもよい置換基の種類としては、例
えばハロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基
(例えばメトキシ基、エトキシ基等)、C1〜C4の直鎖
もしくは分枝鎖状アルキルチオ基(例えばメチルチオ
基、エチルチオ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖
状アルキルスルホニルオキシ基(例えばメタンスルホニ
ルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基(例
えばメチル基、エチル基等)、アミノ基、置換基として
C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基を1個又は
2個有するアミノ基(例えばメチルアミノ基、ジメチル
アミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等)、
R'COO−(R'はフェニル基、トリル基又はC1〜C4
の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基)で表されるアシル
オキシ基(例えばフェニルカルボニルオキシ基、アセチ
ルオキシ基等)、R'CO−(R'は前記に同じ)で表さ
れるアシル基(例えばフェニルカルボニル基、アセチル
基等)、ニトロ基、シアノ基、フェニル基等を例示でき
る。これらの置換基はR2で示される低級アルキルスル
ホン酸塩化物、低級アルキルスルホン酸無水物、低級ア
ルキル燐酸塩化物に1〜5個、特に1〜3個、同一又は
異なる種類で置換されていてもよい。芳香族スルホン酸
塩化物、芳香族スルホン酸無水物、芳香族燐酸塩化物に
置換してもよい置換基の種類としては、上記低級アルキ
ルスルホン酸塩化物、低級アルキルスルホン酸無水物、
低級アルキル燐酸塩化物に置換していてもよい置換基と
して例示したと同じ置換基が例示できる。これらの置換
基は芳香族基がフェニル基である場合は1〜5個、特に
1、2又は3個、芳香族基がナフチルである場合は1〜
7個、特に1〜3個、同一又は異なる種類で置換されて
いてもよい。
【0022】本反応で用いられる溶媒としては、例えば
蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、
プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カル
ボン酸の低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケト
ン類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エ
チルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロソルブ、
ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジオキソラン等の環状エーテル類、ア
セトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イ
ソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソ
ール等の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素類、ジク
ロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロ
ロエタン、ジブロモエタン、プロピレンジクロライド、
四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水
素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメ
チルスルホキシド等を挙げることができる。これらは単
独で又は2種以上混合して使用される。これらの溶媒
は、一般式(1)の化合物1kg当たり、通常10〜20
0リットル程度、好ましくは20〜100リットル程度
使用されるのがよい。上記反応の反応温度は、通常−8
0℃〜80℃、好ましくは−70℃〜50℃の範囲で行
なわれる。また必要により密封容器中、または不活性ガ
ス例えば窒素ガス中で行なうこともできる。得られる一
般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物は
通常の精製操作により単離することもできる。
蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、
プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カル
ボン酸の低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケト
ン類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エ
チルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロソルブ、
ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジオキソラン等の環状エーテル類、ア
セトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イ
ソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソ
ール等の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素類、ジク
ロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロ
ロエタン、ジブロモエタン、プロピレンジクロライド、
四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水
素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメ
チルスルホキシド等を挙げることができる。これらは単
独で又は2種以上混合して使用される。これらの溶媒
は、一般式(1)の化合物1kg当たり、通常10〜20
0リットル程度、好ましくは20〜100リットル程度
使用されるのがよい。上記反応の反応温度は、通常−8
0℃〜80℃、好ましくは−70℃〜50℃の範囲で行
なわれる。また必要により密封容器中、または不活性ガ
ス例えば窒素ガス中で行なうこともできる。得られる一
般式(2)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物は
通常の精製操作により単離することもできる。
【0023】本反応では反応中もしくは精製段階でα位
置換基の幾何異性体の構造が変化してシスートランス異
性化を起こすことがあるが、このような場合もこの発明
の範囲内に含めることとする。
置換基の幾何異性体の構造が変化してシスートランス異
性化を起こすことがあるが、このような場合もこの発明
の範囲内に含めることとする。
【0024】
【実施例】以下に実施例を示して本発明を詳しく説明す
る。尚、PhはC6H5−を示す。 実施例1 化合物(1a)(R1=PhCH2CONH, R2=H, R
3=CH2C6H4OCH 3−p,R4=Ph,X=Cl)10
0mgを10mlナス型フラスコに秤り取り、N,N−ジメ
チルホルムアミド 11mlに溶解する。このものにオキ
シ塩化燐 18mlのN,N−ジメチルホルムアミド 1ml
溶液を加え室温下1時間撹拌する。反応液を水中にそそ
ぎ、酢酸エチルにより抽出を行ない、水洗2回、飽和食
塩水洗1回を行なった後、無水硫酸ナトリウム上乾燥を
行なった。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去した
後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製分離すると化合物2a(Y=Cl)(95mg,92
%)が得られた。1H NMR(CDCl3)δ: 3.64
(d, J=16.8Hz,1H),3.71(d,J=1
6.8Hz,1H),3.81(s,3H),4.27
(d,J=12.2Hz,1H),4.70(d,J=1
2.2Hz,1H),4.73(dd,J=5.6,6.4
Hz,1H),5.09(d,J=11.8Hz,1
H),5.20(d,J=11.8Hz,1H),5.8
7(d,J=5.6Hz,1H),5.97(d,J=
6.4Hz,1H),6.87〜7.74(m,14
H).
る。尚、PhはC6H5−を示す。 実施例1 化合物(1a)(R1=PhCH2CONH, R2=H, R
3=CH2C6H4OCH 3−p,R4=Ph,X=Cl)10
0mgを10mlナス型フラスコに秤り取り、N,N−ジメ
チルホルムアミド 11mlに溶解する。このものにオキ
シ塩化燐 18mlのN,N−ジメチルホルムアミド 1ml
溶液を加え室温下1時間撹拌する。反応液を水中にそそ
ぎ、酢酸エチルにより抽出を行ない、水洗2回、飽和食
塩水洗1回を行なった後、無水硫酸ナトリウム上乾燥を
行なった。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去した
後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製分離すると化合物2a(Y=Cl)(95mg,92
%)が得られた。1H NMR(CDCl3)δ: 3.64
(d, J=16.8Hz,1H),3.71(d,J=1
6.8Hz,1H),3.81(s,3H),4.27
(d,J=12.2Hz,1H),4.70(d,J=1
2.2Hz,1H),4.73(dd,J=5.6,6.4
Hz,1H),5.09(d,J=11.8Hz,1
H),5.20(d,J=11.8Hz,1H),5.8
7(d,J=5.6Hz,1H),5.97(d,J=
6.4Hz,1H),6.87〜7.74(m,14
H).
【0025】実施例2〜7 以下にハロゲン化剤を変えた以外は実施例1と同様に行
なった。 実施例 ハロゲン化剤 収率(%) 2 (COCl)2 90 3 SOCl2 86 4 PCl3 89 5 PCl5 83 6 S2Cl2 78 7 ビルスマイヤー試薬 91
なった。 実施例 ハロゲン化剤 収率(%) 2 (COCl)2 90 3 SOCl2 86 4 PCl3 89 5 PCl5 83 6 S2Cl2 78 7 ビルスマイヤー試薬 91
【0026】実施例8〜15 以下にビルスマイヤー試薬を用い溶媒を変えた以外は実
施例1と同様に行なった。 実施例 溶媒 収率(%) 8 CH2Cl2 85 9 CH2ClCH2Cl 80 10 CHCl3 81 11 THF 78 12 ジオキサン 82 13 ジオキソラン 85 14 DME 76 15 NMP 89
施例1と同様に行なった。 実施例 溶媒 収率(%) 8 CH2Cl2 85 9 CH2ClCH2Cl 80 10 CHCl3 81 11 THF 78 12 ジオキサン 82 13 ジオキソラン 85 14 DME 76 15 NMP 89
【0027】実施例16 化合物(1a)(R1=PhCH2CONH,R2=H,R3
=CH2C6H4OCH3−p,R4=Ph,X=Cl)20
0mg、塩化トシル 73mg及び炭酸ナトリウム81mgを
10mlナス型フラスコに秤り取り、N,N−ジメチルホ
ルムアミド 2mlを加え3℃にて2時間撹拌する。反応
液を水中にそそぎ、酢酸エチルにより抽出を行ない、水
洗2回、飽和食塩水洗1回を行なった後、無水硫酸ナト
リウム上で乾燥を行なった。得られた抽出液は減圧下に
て溶媒を留去した後、残査をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製分離すると化合物2b(Y=OS
O2C6H4−CH3−p)(236mg,95%)が得られ
た。1H NMR(CDCl3)δ:2.38(s,3
H),3.62(s,2H),3.90(s,3H),
4.51(d,J=13.8Hz,1H),4.82
(d,J=13.8Hz,1H),5.27(s,2
H),5.47(dd,J=4.7,9.2Hz,1
H),5.91(d,J=4.7Hz,1H),6.28
(d,J=9.2Hz,1H),6.96〜7.91
(m,18H).
=CH2C6H4OCH3−p,R4=Ph,X=Cl)20
0mg、塩化トシル 73mg及び炭酸ナトリウム81mgを
10mlナス型フラスコに秤り取り、N,N−ジメチルホ
ルムアミド 2mlを加え3℃にて2時間撹拌する。反応
液を水中にそそぎ、酢酸エチルにより抽出を行ない、水
洗2回、飽和食塩水洗1回を行なった後、無水硫酸ナト
リウム上で乾燥を行なった。得られた抽出液は減圧下に
て溶媒を留去した後、残査をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製分離すると化合物2b(Y=OS
O2C6H4−CH3−p)(236mg,95%)が得られ
た。1H NMR(CDCl3)δ:2.38(s,3
H),3.62(s,2H),3.90(s,3H),
4.51(d,J=13.8Hz,1H),4.82
(d,J=13.8Hz,1H),5.27(s,2
H),5.47(dd,J=4.7,9.2Hz,1
H),5.91(d,J=4.7Hz,1H),6.28
(d,J=9.2Hz,1H),6.96〜7.91
(m,18H).
【0028】実施例17〜21 以下に溶媒を変えた以外は実施例16と同様に行なっ
た。 実施例 溶媒 収率(%) 17 NMP 93 18 THF 86 19 ジオキサン 85 20 ジオキソラン 85 21 CH2Cl2 72
た。 実施例 溶媒 収率(%) 17 NMP 93 18 THF 86 19 ジオキサン 85 20 ジオキソラン 85 21 CH2Cl2 72
【0029】実施例22 化合物(1a)(R1=PhCH2CONH,R2=H,R3
=CH2C6H4OCH3−p,R4=Ph,X=Cl)20
0mgを10mlナス型フラスコに秤り取り、塩化メチレン
2mlを加え−78℃に冷却する。このものにトリフル
オロメタンスルホン酸無水物 64ml及びトリエチルア
ミン 106mlを加えこの温度で20分攪拌する。反応
液を1N塩酸中にそそぎ、塩化メチレンにより抽出を行
ない、水洗2回、飽和食塩水洗1回を行なった後、無水
硫酸ナトリウム上で乾燥を行なった。得られた抽出液は
減圧下にて溶媒を留去した後、残査をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製分離すると化合物2c
(Y=OSO2CF3)(223mg,92%)が得られ
た。1H NMR(CDCl3)δ:3.62(d,J=1
9.2Hz,1H),3.69(d,J=19.2Hz,1
H),3.79(s,3H),4.31(d,J=14.
4Hz,1H),4.74(d,J=14.4Hz,1
H),4.83(dd,J=5.4,6.9Hz,1H),
5.15(d,J=11.7Hz,1H),5.23(d,
J=11.7Hz,1H),5.95(d,J=6.9H
z,1H),6.00(d,J=5.4Hz,1H),6.
88〜7.78(m,14H).
=CH2C6H4OCH3−p,R4=Ph,X=Cl)20
0mgを10mlナス型フラスコに秤り取り、塩化メチレン
2mlを加え−78℃に冷却する。このものにトリフル
オロメタンスルホン酸無水物 64ml及びトリエチルア
ミン 106mlを加えこの温度で20分攪拌する。反応
液を1N塩酸中にそそぎ、塩化メチレンにより抽出を行
ない、水洗2回、飽和食塩水洗1回を行なった後、無水
硫酸ナトリウム上で乾燥を行なった。得られた抽出液は
減圧下にて溶媒を留去した後、残査をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製分離すると化合物2c
(Y=OSO2CF3)(223mg,92%)が得られ
た。1H NMR(CDCl3)δ:3.62(d,J=1
9.2Hz,1H),3.69(d,J=19.2Hz,1
H),3.79(s,3H),4.31(d,J=14.
4Hz,1H),4.74(d,J=14.4Hz,1
H),4.83(dd,J=5.4,6.9Hz,1H),
5.15(d,J=11.7Hz,1H),5.23(d,
J=11.7Hz,1H),5.95(d,J=6.9H
z,1H),6.00(d,J=5.4Hz,1H),6.
88〜7.78(m,14H).
【0030】実施例23 実施例22で得られた化合物(2c)(R1=PhCH2
CONH,R2=H,R3=CH2C6H4OCH3−p,R
4=Ph,X=Cl,Y=OSO2CF3)5g,塩化アルミ
ニウム2.5g及び塩化リチウム2.8gを200mlナス型
フラスコに秤り取り、N−メチルピロリドン125mlを
加え室温下4時間20分攪拌する。反応液を水中にそそ
ぎ、酢酸エチルにより抽出を行ない、水洗2回、飽和食
塩水洗1回を行なった後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥
を行なった。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去し
た後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製分離すると化合物 2a(Y=Cl)(3.87g,
91%)が得られた。得られた化合物の1H NMRは
実施例1と完全に一致した。
CONH,R2=H,R3=CH2C6H4OCH3−p,R
4=Ph,X=Cl,Y=OSO2CF3)5g,塩化アルミ
ニウム2.5g及び塩化リチウム2.8gを200mlナス型
フラスコに秤り取り、N−メチルピロリドン125mlを
加え室温下4時間20分攪拌する。反応液を水中にそそ
ぎ、酢酸エチルにより抽出を行ない、水洗2回、飽和食
塩水洗1回を行なった後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥
を行なった。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去し
た後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製分離すると化合物 2a(Y=Cl)(3.87g,
91%)が得られた。得られた化合物の1H NMRは
実施例1と完全に一致した。
【0031】応用例1 本発明の化合物(2a)100mgを秤り取りNMP 2m
lに溶解する。このものに塩化アルミニウム300mg及
び亜鉛100mgを加え室温下2時間撹拌する。反応液は
1規定塩酸中に注ぎ、酢酸エチルにて抽出を行う。抽出
液は減圧下濃縮を行った後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製を行うと、3−クロロセフェム
(4)が得られる。この3−クロロセフェム(4)は文
献記載の方法により、経口剤として広く利用されている
セファクロールに変換できる。すなわち、化合物(4)
を五塩化リン及びピリジンを用いて7位脱保護を行い
(特開昭61−3356号)、化合物(5)に変換した
後、7位アミド側鎖の導入を行う。この後、4位エステ
ル部位の脱保護を行うとセファクロールを得ることがで
きる(特開昭61−39313号)。以下に反応式を記
載する。
lに溶解する。このものに塩化アルミニウム300mg及
び亜鉛100mgを加え室温下2時間撹拌する。反応液は
1規定塩酸中に注ぎ、酢酸エチルにて抽出を行う。抽出
液は減圧下濃縮を行った後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製を行うと、3−クロロセフェム
(4)が得られる。この3−クロロセフェム(4)は文
献記載の方法により、経口剤として広く利用されている
セファクロールに変換できる。すなわち、化合物(4)
を五塩化リン及びピリジンを用いて7位脱保護を行い
(特開昭61−3356号)、化合物(5)に変換した
後、7位アミド側鎖の導入を行う。この後、4位エステ
ル部位の脱保護を行うとセファクロールを得ることがで
きる(特開昭61−39313号)。以下に反応式を記
載する。
【0032】
【化8】
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、工業的に容易に得られ
る一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合
物を出発原料とし、より温和なハロゲン化及び脱離基導
入反応を構築、開発することにより、一般式(2)で表
されるハロゲン化β−ラクタム化合物を安全かつ簡便な
操作により、しかも高収率かつ高純度で製造することが
できる。
る一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラクタム化合
物を出発原料とし、より温和なハロゲン化及び脱離基導
入反応を構築、開発することにより、一般式(2)で表
されるハロゲン化β−ラクタム化合物を安全かつ簡便な
操作により、しかも高収率かつ高純度で製造することが
できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物の水酸基をハロゲン原子または脱離基と
置換することを特徴とする一般式(2)で表されるハロ
ゲン化β−ラクタム化合物の製造法。 【化1】 〔式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。R2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコ
キシ基、低級アシル基、又は置換基として水酸基もしく
は保護された水酸基を有する低級アルキル基を示す。R
3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。R4は置換基
を有することのあるアリール基を示す。Xはハロゲン原
子を示す。nは0〜2を示す。〕 【化2】 〔式中R1、R2、R3、R4、X及びnは上記に同じ。Y
はハロゲン原子または脱離基を示す。〕
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07948595A JP3775818B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法 |
| PCT/JP1996/000549 WO1996028422A1 (en) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF β-LACTAM COMPOUNDS |
| EP02004762A EP1225176B1 (en) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | Process for preparing exo-methylenepenam compounds |
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| DE69629321T DE69629321T2 (de) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | Verfahren zur Herstellung von Exo-Methylenpenam-Derivaten |
| EP96905014A EP0759428A4 (en) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | PROCESS FOR PRODUCING BETA-LACTAM COMPOUNDS |
| US08/732,443 US5905147A (en) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | Process for preparing β-lactam compound |
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| US09/457,719 US6197185B1 (en) | 1995-03-10 | 1999-12-10 | Process for preparing beta lactam compound |
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|---|---|---|---|
| JP07948595A JP3775818B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法 |
Publications (2)
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|---|---|
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| JP3775818B2 JP3775818B2 (ja) | 2006-05-17 |
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ID=13691207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07948595A Expired - Fee Related JP3775818B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法 |
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| JP (1) | JP3775818B2 (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| WO1997033891A1 (fr) * | 1996-03-13 | 1997-09-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | PROCESSUS DE PREPARATION DE COMPOSES DE β-LACTAME |
| KR100485364B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2005-04-27 | 종근당바이오 주식회사 | 세팔로스포린 유도체의 새로운 할로겐화 방법 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS60149590A (ja) | 1983-10-14 | 1985-08-07 | Shionogi & Co Ltd | セフエム化合物の製法 |
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| JP3224261B2 (ja) | 1991-03-11 | 2001-10-29 | 大塚化学株式会社 | 2−エキソメチレンペナム誘導体の製造法 |
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| JP3541252B2 (ja) | 1993-08-26 | 2004-07-07 | 大塚化学ホールディングス株式会社 | 臭素化β−ラクタム化合物の製造法 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP07948595A patent/JP3775818B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-10 US US09/457,719 patent/US6197185B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997033891A1 (fr) * | 1996-03-13 | 1997-09-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | PROCESSUS DE PREPARATION DE COMPOSES DE β-LACTAME |
| US5986091A (en) * | 1996-03-13 | 1999-11-16 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for preparation of β-lactam compounds |
| KR100485364B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2005-04-27 | 종근당바이오 주식회사 | 세팔로스포린 유도체의 새로운 할로겐화 방법 |
Also Published As
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|---|---|
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| JP3775818B2 (ja) | 2006-05-17 |
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