JPH08247990A - 小型酸素電極およびその製造方法 - Google Patents
小型酸素電極およびその製造方法Info
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- JPH08247990A JPH08247990A JP7048512A JP4851295A JPH08247990A JP H08247990 A JPH08247990 A JP H08247990A JP 7048512 A JP7048512 A JP 7048512A JP 4851295 A JP4851295 A JP 4851295A JP H08247990 A JPH08247990 A JP H08247990A
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- electrode
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- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の限界を超えて、更に小型化した小型酸
素電極を提供する。 【構成】 絶縁性基板21,31 上に、それぞれ活性部分22
A,23A と外部接続用端子部分22C,23C とこれらを接続す
るリード線部分22B,23B とから成る1組の電極パターン
22,23 を備え、各活性部分22A,23A は相互に電解質含有
体24で接続されており、電解質含有体24は酸素透過性膜
28で被覆されている小型酸素電極において、少なくとも
1個の電極パターン22のリード線部分22B が絶縁層29を
介して他の少なくとも1個の電極パターン23の活性部分
23A の下を通っている。
素電極を提供する。 【構成】 絶縁性基板21,31 上に、それぞれ活性部分22
A,23A と外部接続用端子部分22C,23C とこれらを接続す
るリード線部分22B,23B とから成る1組の電極パターン
22,23 を備え、各活性部分22A,23A は相互に電解質含有
体24で接続されており、電解質含有体24は酸素透過性膜
28で被覆されている小型酸素電極において、少なくとも
1個の電極パターン22のリード線部分22B が絶縁層29を
介して他の少なくとも1個の電極パターン23の活性部分
23A の下を通っている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、低価格で大量生産に適
した小型酸素電極の構造の改良に関する。小型酸素電極
は、いろいろな分野において酸素濃度の測定に用いられ
る。例えば、水質保全の見地から水中の生化学的酸素要
求量(BOD)の測定が行われているが、このBODの
測定器として小型酸素電極が用られる。また、醗酵工業
においては、効率良く醗酵を進めるために醗酵槽中の溶
存酸素濃度の調整が必要であり、この測定器として小型
酸素電極が用いられる。更にまた、小型酸素電極は酵素
を固定してバイオセンサとし、糖やアルコールなどの濃
度測定にも用いられる。例えば、グルコースはグルコー
スオキシダーゼという酵素を触媒として溶存酸素と反応
し酸化されてグルコノラクトンになるが、これにより酸
素電極セルの中に拡散してくる溶存酸素が減ることを利
用して、溶存酸素の消費量からグルコース濃度を測定す
ることができる。
した小型酸素電極の構造の改良に関する。小型酸素電極
は、いろいろな分野において酸素濃度の測定に用いられ
る。例えば、水質保全の見地から水中の生化学的酸素要
求量(BOD)の測定が行われているが、このBODの
測定器として小型酸素電極が用られる。また、醗酵工業
においては、効率良く醗酵を進めるために醗酵槽中の溶
存酸素濃度の調整が必要であり、この測定器として小型
酸素電極が用いられる。更にまた、小型酸素電極は酵素
を固定してバイオセンサとし、糖やアルコールなどの濃
度測定にも用いられる。例えば、グルコースはグルコー
スオキシダーゼという酵素を触媒として溶存酸素と反応
し酸化されてグルコノラクトンになるが、これにより酸
素電極セルの中に拡散してくる溶存酸素が減ることを利
用して、溶存酸素の消費量からグルコース濃度を測定す
ることができる。
【0002】このように小型酸素電極は、環境計測、醗
酵工業、臨床医療などの各種の分野で用いられている。
特に、医療分野において糖尿病患者用グルコースセンサ
などの用途においては、小型であると共に使い捨て可能
な低価格であるため非常に利用価値が高い。
酵工業、臨床医療などの各種の分野で用いられている。
特に、医療分野において糖尿病患者用グルコースセンサ
などの用途においては、小型であると共に使い捨て可能
な低価格であるため非常に利用価値が高い。
【0003】
【従来の技術】酸素電極としては、旧来からガラス製あ
るいは塩ビ製のクラーク型のものがあったが、小型化が
できず大量生産にも適さなかった。そこで本発明者ら
は、リソグラフィー技術および異方性エッチング技術を
利用した新しいタイプの小型酸素電極を開発した(特開
昭63−238548:特公平6−1254)。この小
型酸素電極は、シリコン基板上に異方性エッチングによ
り窪みを形成し、この窪みの底に絶縁膜を介して2本の
電極を形成した後、穴の内部に電解質含有体を収容し、
最後に穴の上面をガス透過性膜で覆ったものである。本
発明者らは更に、スクリーン印刷により必要箇所にのみ
電解質含有体とガス透過性膜を形成する技術も開発した
(特開平5−87766)。この小型酸素電極は小型で
特性のばらつきが少ない上、一括して大量生産できるた
め低価格である。
るいは塩ビ製のクラーク型のものがあったが、小型化が
できず大量生産にも適さなかった。そこで本発明者ら
は、リソグラフィー技術および異方性エッチング技術を
利用した新しいタイプの小型酸素電極を開発した(特開
昭63−238548:特公平6−1254)。この小
型酸素電極は、シリコン基板上に異方性エッチングによ
り窪みを形成し、この窪みの底に絶縁膜を介して2本の
電極を形成した後、穴の内部に電解質含有体を収容し、
最後に穴の上面をガス透過性膜で覆ったものである。本
発明者らは更に、スクリーン印刷により必要箇所にのみ
電解質含有体とガス透過性膜を形成する技術も開発した
(特開平5−87766)。この小型酸素電極は小型で
特性のばらつきが少ない上、一括して大量生産できるた
め低価格である。
【0004】図1(1)および(2)に、上記従来の小
型酸素電極の(1)平面図およびA−A断面図を示す。
この小型酸素電極1は、全面にSiO2 絶縁膜を形成し
た長方形のシリコン基板11上に、それぞれ活性部分1
2A,13Aと外部接続用端子部分12C,13Cとこ
れらを接続するリード線部分12B,13Bとから成る
1対のカソードパターン12およびアノードパターン1
3が共に銀の膜として形成されており、各活性部分12
A,13Aは相互に電解質含有体14で接続されてい
る。カソードパターン12の活性部分12Aが実質的な
カソードとして作用し、アノードパターン13の活性部
分13Aが実質的なアノードとして作用する。
型酸素電極の(1)平面図およびA−A断面図を示す。
この小型酸素電極1は、全面にSiO2 絶縁膜を形成し
た長方形のシリコン基板11上に、それぞれ活性部分1
2A,13Aと外部接続用端子部分12C,13Cとこ
れらを接続するリード線部分12B,13Bとから成る
1対のカソードパターン12およびアノードパターン1
3が共に銀の膜として形成されており、各活性部分12
A,13Aは相互に電解質含有体14で接続されてい
る。カソードパターン12の活性部分12Aが実質的な
カソードとして作用し、アノードパターン13の活性部
分13Aが実質的なアノードとして作用する。
【0005】カソード12Aと電解質含有体14との重
なり領域では、両者間に介在するフォトレジスト等の疎
水性膜(図示せず)に設けた開口15を通して両者が接
触しており、開口部15により酸素感応部(測定部)1
2Sが画定されている。アノード13Aと電解質含有体
14との重なり領域では、両者間に介在するポリイミド
等の水分不透過性膜16に設けた開口17を通して両者
が接触している。
なり領域では、両者間に介在するフォトレジスト等の疎
水性膜(図示せず)に設けた開口15を通して両者が接
触しており、開口部15により酸素感応部(測定部)1
2Sが画定されている。アノード13Aと電解質含有体
14との重なり領域では、両者間に介在するポリイミド
等の水分不透過性膜16に設けた開口17を通して両者
が接触している。
【0006】電解質含有体14は酸素透過性膜18(図
1(2))で被覆されている。酸素透過性膜18は、端
子(パッド)12C,13Cを含む基板領域以外の基板
領域(図1(1)で端子12C,13Cより上方の領
域)を全て覆っている。図1に示した小型酸素電極は、
アノードに対して負の一定電圧をカソードに印加して使
用する。この状態にして感応部を緩衝液中に浸漬してお
くと、溶存酸素はガス透過性膜を透過して作用極(カソ
ード)に到達しそこで還元される。この還元反応により
発生する電流値を測定し、これを指標として溶存酸素濃
度を知ることができる。
1(2))で被覆されている。酸素透過性膜18は、端
子(パッド)12C,13Cを含む基板領域以外の基板
領域(図1(1)で端子12C,13Cより上方の領
域)を全て覆っている。図1に示した小型酸素電極は、
アノードに対して負の一定電圧をカソードに印加して使
用する。この状態にして感応部を緩衝液中に浸漬してお
くと、溶存酸素はガス透過性膜を透過して作用極(カソ
ード)に到達しそこで還元される。この還元反応により
発生する電流値を測定し、これを指標として溶存酸素濃
度を知ることができる。
【0007】このタイプの小型酸素電極として更に、本
発明者らは、実際の工場生産により適し且つより高性能
化するために、異方性エッチング技術に更に陽極接合技
術を組み合わせたものも開発した(特開平4−1254
62)。上記の小型酸素電極の製造はいずれも、シリコ
ン基板やガラス基板を材料としてリソグラフィー技術を
用いるため、設備等最良の条件が整い、年間数千万チッ
プ程度の需要があったとしても、試験紙程度の1個10
0円以下の低価格にすることはできない。そこで本発明
者らは、更に低価格化するために、プラスチック基板を
用い、電解液を紙に滲み込ませ、ガス透過性膜を感応部
に接着した小型酸素電極も開発した(特開平6−345
96)。
発明者らは、実際の工場生産により適し且つより高性能
化するために、異方性エッチング技術に更に陽極接合技
術を組み合わせたものも開発した(特開平4−1254
62)。上記の小型酸素電極の製造はいずれも、シリコ
ン基板やガラス基板を材料としてリソグラフィー技術を
用いるため、設備等最良の条件が整い、年間数千万チッ
プ程度の需要があったとしても、試験紙程度の1個10
0円以下の低価格にすることはできない。そこで本発明
者らは、更に低価格化するために、プラスチック基板を
用い、電解液を紙に滲み込ませ、ガス透過性膜を感応部
に接着した小型酸素電極も開発した(特開平6−345
96)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の小型酸素電
極は、旧来のクラーク型酸素電極に比べれば極めて小型
である。しかし近年、例えば医療分野で患者の血管内に
酸素電極を挿入して、血液中の諸成分を直接測定したい
という要望がでてきた。このような用途には、小型酸素
電極の寸法を例えば幅1mm以下にまで小さくする必要
があるが、図1に示した従来の小型酸素電極では幅2m
m程度までが限界であった。
極は、旧来のクラーク型酸素電極に比べれば極めて小型
である。しかし近年、例えば医療分野で患者の血管内に
酸素電極を挿入して、血液中の諸成分を直接測定したい
という要望がでてきた。このような用途には、小型酸素
電極の寸法を例えば幅1mm以下にまで小さくする必要
があるが、図1に示した従来の小型酸素電極では幅2m
m程度までが限界であった。
【0009】本発明は、従来の小型化の限界を超えて、
更に小型化した小型酸素電極を提供することを目的とす
る。
更に小型化した小型酸素電極を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の小型酸素電極は、絶縁性基板上に、それ
ぞれ活性部分と外部接続用端子部分とこれらを接続する
リード線部分とから成る1組の電極パターンを備え、各
活性部分は相互に電解質含有体で接続されており、電解
質含有体は酸素透過性膜で被覆されている小型酸素電極
において、少なくとも1個の電極パターンのリード線部
分が絶縁層を介して他の少なくとも1個の電極パターン
の活性部分の下を通っていることを特徴とする。
めに、本発明の小型酸素電極は、絶縁性基板上に、それ
ぞれ活性部分と外部接続用端子部分とこれらを接続する
リード線部分とから成る1組の電極パターンを備え、各
活性部分は相互に電解質含有体で接続されており、電解
質含有体は酸素透過性膜で被覆されている小型酸素電極
において、少なくとも1個の電極パターンのリード線部
分が絶縁層を介して他の少なくとも1個の電極パターン
の活性部分の下を通っていることを特徴とする。
【0011】
【作用】従来の小型酸素電極は、図1に示したように、
カソードおよびアノード12A,13A、これらのリー
ド線部分12B,13B、およびパッド12C,13C
が同一平面上に並列的に配置されていた。多くの場合こ
の構造で問題は生じない。しかし、更に小型化をしよう
とすると、リード線が占めるスペースも無視できない。
半導体ICとは異なり、小型酸素電極の場合には、リー
ド線と他の電極パターンと間隔を例えば1μm程度のよ
うに狭くすることはできない。
カソードおよびアノード12A,13A、これらのリー
ド線部分12B,13B、およびパッド12C,13C
が同一平面上に並列的に配置されていた。多くの場合こ
の構造で問題は生じない。しかし、更に小型化をしよう
とすると、リード線が占めるスペースも無視できない。
半導体ICとは異なり、小型酸素電極の場合には、リー
ド線と他の電極パターンと間隔を例えば1μm程度のよ
うに狭くすることはできない。
【0012】これは、小型酸素電極は、内部に水分を導
入して使用するため、電解液と接触しているカソードや
アノードの領域とリード線部分とを十分に離しておかな
いと、例えばガス透過性膜の剥離により、リード線部分
にまで電解液が浸透して反応が起きてしまうからであ
る。したがって、小型酸素電極の信頼性を確保するため
には、リード線も含めてパターン同士は100〜200
μm以上離さなければならない。そのため、従来の小型
酸素電極では幅1mm以下のような小型化ができなかっ
た。
入して使用するため、電解液と接触しているカソードや
アノードの領域とリード線部分とを十分に離しておかな
いと、例えばガス透過性膜の剥離により、リード線部分
にまで電解液が浸透して反応が起きてしまうからであ
る。したがって、小型酸素電極の信頼性を確保するため
には、リード線も含めてパターン同士は100〜200
μm以上離さなければならない。そのため、従来の小型
酸素電極では幅1mm以下のような小型化ができなかっ
た。
【0013】本発明の小型酸素電極においては、少なく
とも1個の電極パターンのリード線部分が絶縁層を介し
て他の少なくとも1個の電極パターンの活性部分の下を
通っている。このように立体配置としたことにより、従
来の平面配置に比べて、同一の基板面積内により多くの
パターンを共存させることができるので、小型酸素電極
の幅を従来よりも更に小さくすることができる。その
際、立体的に積層されるパターン同士は間に介在する絶
縁層により絶縁が確保され、仮にガス透過性膜に剥離が
生じても、リード線部分にまで電解液が浸透することは
ない。
とも1個の電極パターンのリード線部分が絶縁層を介し
て他の少なくとも1個の電極パターンの活性部分の下を
通っている。このように立体配置としたことにより、従
来の平面配置に比べて、同一の基板面積内により多くの
パターンを共存させることができるので、小型酸素電極
の幅を従来よりも更に小さくすることができる。その
際、立体的に積層されるパターン同士は間に介在する絶
縁層により絶縁が確保され、仮にガス透過性膜に剥離が
生じても、リード線部分にまで電解液が浸透することは
ない。
【0014】以下に、実施例により本発明を更に詳細に
説明する。
説明する。
【0015】
〔実施例1〕図2(1)および(2)に、本発明の小型
酸素電極の(1)平面図およびA−A断面図を示す。本
発明の小型酸素電極2は、カソードパターン22のリー
ド線部分22Bが絶縁層29を介してアノードパターン
23の活性部分(実質的なアノード)23Aの下を通っ
ている。このようにカソード用リード線部分22Bをア
ノード23Aと立体的に配置したことにより、図1の従
来例における平面配置に比べて、小型酸素電極の幅を減
少させることができる。
酸素電極の(1)平面図およびA−A断面図を示す。本
発明の小型酸素電極2は、カソードパターン22のリー
ド線部分22Bが絶縁層29を介してアノードパターン
23の活性部分(実質的なアノード)23Aの下を通っ
ている。このようにカソード用リード線部分22Bをア
ノード23Aと立体的に配置したことにより、図1の従
来例における平面配置に比べて、小型酸素電極の幅を減
少させることができる。
【0016】本発明の小型酸素電極2は、ガラス基板2
1上に、それぞれ活性部分22A,23Aと、外部接続
用端子部分22C,23Cと、これらを接続するリード
線部分22B,23Bとから成る1対のカソードパター
ン22およびアノードパターン23が、いずれも下層ク
ロム膜と上層金膜とから成る2層構造として形成されて
いる。各活性部分22A,23Aには、上記2層構造の
金膜上に更に銀膜が形成されており、この銀膜と直接接
触した電解質含有体24で活性部分22A,23Aが相
互に接続されている。カソードパターン22の活性部分
22Aが実質的なカソードを構成し、アノードパターン
23の活性部分23Aが実質的なアノードを構成する。
1上に、それぞれ活性部分22A,23Aと、外部接続
用端子部分22C,23Cと、これらを接続するリード
線部分22B,23Bとから成る1対のカソードパター
ン22およびアノードパターン23が、いずれも下層ク
ロム膜と上層金膜とから成る2層構造として形成されて
いる。各活性部分22A,23Aには、上記2層構造の
金膜上に更に銀膜が形成されており、この銀膜と直接接
触した電解質含有体24で活性部分22A,23Aが相
互に接続されている。カソードパターン22の活性部分
22Aが実質的なカソードを構成し、アノードパターン
23の活性部分23Aが実質的なアノードを構成する。
【0017】カソード22Aと電解質含有体24とが重
なった領域では、両者間に介在するフォトレジスト等の
疎水性膜(図示せず)に設けた開口25を通して両者が
接触しており、開口部25により酸素感応部(測定部)
22Sが画定されている。アノード23Aと電解質含有
体24とが重なった領域では、両者間に介在するポリイ
ミド等の水分不透過性膜26に設けた開口27を通して
両者が接触している。このポリイミド等の水分不透過性
膜26は、アノードパターン23のリード線部分23B
をも覆っている。
なった領域では、両者間に介在するフォトレジスト等の
疎水性膜(図示せず)に設けた開口25を通して両者が
接触しており、開口部25により酸素感応部(測定部)
22Sが画定されている。アノード23Aと電解質含有
体24とが重なった領域では、両者間に介在するポリイ
ミド等の水分不透過性膜26に設けた開口27を通して
両者が接触している。このポリイミド等の水分不透過性
膜26は、アノードパターン23のリード線部分23B
をも覆っている。
【0018】電解質含有体24は、最終的に基板全面に
形成した酸素透過性膜28(図2(2))で被覆されて
いる。酸素透過性膜28は、端子(パッド)22C,2
3Cを含む基板領域以外の基板領域(図2(1)で端子
22C,23Cより上方の領域)を全て覆っている。図
3〜図11を参照して、図2の本発明の小型酸素電極を
作製する手順を説明する。なお、説明を簡潔にするため
に、本実施例では1個の小型酸素電極チップについて説
明するが、実際には一枚の基板上に多数個の小型酸素電
極を同時に形成する。
形成した酸素透過性膜28(図2(2))で被覆されて
いる。酸素透過性膜28は、端子(パッド)22C,2
3Cを含む基板領域以外の基板領域(図2(1)で端子
22C,23Cより上方の領域)を全て覆っている。図
3〜図11を参照して、図2の本発明の小型酸素電極を
作製する手順を説明する。なお、説明を簡潔にするため
に、本実施例では1個の小型酸素電極チップについて説
明するが、実際には一枚の基板上に多数個の小型酸素電
極を同時に形成する。
【0019】工程1:電極パターンおよび絶縁膜の形成 下記の手順によりカソードパターン22、アノードパタ
ーン23、および絶縁膜29を形成した。
ーン23、および絶縁膜29を形成した。
【0020】1-1:カソードパターン22の形成(図3) [1] 厚さ500μmのガラス基板21を用意し、これ
を過酸化水素とアンモニアの混合溶液および濃硝酸で洗
浄した。 [2] 上記洗浄後のガラス基板21の一方の面に、真空
蒸着によりクロム膜221(厚さ400Å)および金膜
222(厚さ1500Å)を順に形成した。
を過酸化水素とアンモニアの混合溶液および濃硝酸で洗
浄した。 [2] 上記洗浄後のガラス基板21の一方の面に、真空
蒸着によりクロム膜221(厚さ400Å)および金膜
222(厚さ1500Å)を順に形成した。
【0021】[3] ポジ型フォトレジスト(東京応化
製,OFPR-5000)を上記基板面にスピンコートし、80℃
で30分間プリベークした後、これを露光・現像するこ
とにより、エッチング用フォトレジストパターンを形成
した。
製,OFPR-5000)を上記基板面にスピンコートし、80℃
で30分間プリベークした後、これを露光・現像するこ
とにより、エッチング用フォトレジストパターンを形成
した。
【0022】[4] 金膜222およびクロム膜221
を、下記組成のエッチング液により順次エッチングした
後、アセトンでフォトレジストパターンを除去すること
により、活性部分(カソード)22A、リード線部分2
2Bおよび外部接続用端子部分(パッド)22Cから成
るカソードパターン22を形成した。 金用エッチング液: 1g I2+ 4g KI+ 4ml水 クロム用エッチング液: 0.5g NaOH+ 1g K3Fe(CN)6 +
4ml水
を、下記組成のエッチング液により順次エッチングした
後、アセトンでフォトレジストパターンを除去すること
により、活性部分(カソード)22A、リード線部分2
2Bおよび外部接続用端子部分(パッド)22Cから成
るカソードパターン22を形成した。 金用エッチング液: 1g I2+ 4g KI+ 4ml水 クロム用エッチング液: 0.5g NaOH+ 1g K3Fe(CN)6 +
4ml水
【0023】[5] 基板を、加熱した過酸化水素とアン
モニアの混合溶液および純水で洗浄後、乾燥した。
モニアの混合溶液および純水で洗浄後、乾燥した。
【0024】1-2:リード線部分を覆う絶縁膜の形成(図
4) [6] 上記[4] でカソードパターン22を形成した基板
面に、感光性ポリイミド原液(東レ製,フォトニース
UR-3140)を塗布し(スピンコート条件:2300rp
m,30秒)、80℃で90分間プリベークした。 [7] リード線部分22Bの上記ポリイミド塗膜にのみ
紫外線を照射した。
4) [6] 上記[4] でカソードパターン22を形成した基板
面に、感光性ポリイミド原液(東レ製,フォトニース
UR-3140)を塗布し(スピンコート条件:2300rp
m,30秒)、80℃で90分間プリベークした。 [7] リード線部分22Bの上記ポリイミド塗膜にのみ
紫外線を照射した。
【0025】[8] 現像液(東レ製,DV-605)中でポリ
イミド塗膜の現像を行った後、イソプロピルアルコール
中で3回に分けてリンスを行った。 [9] 150℃で30分、200℃で30分、300℃
で1時間のベーキングを順次行ってポリイミドを硬化さ
せた。これにより、カソードパターン22のリード線部
分22Bを覆うポリイミド絶縁膜29が形成された。
イミド塗膜の現像を行った後、イソプロピルアルコール
中で3回に分けてリンスを行った。 [9] 150℃で30分、200℃で30分、300℃
で1時間のベーキングを順次行ってポリイミドを硬化さ
せた。これにより、カソードパターン22のリード線部
分22Bを覆うポリイミド絶縁膜29が形成された。
【0026】1-3:アノードパターンの形成(図5) [10] 同じ基板面に、真空蒸着によりクロム膜231
(厚さ400Å)および金膜232(厚さ1000Å)
を順に形成した。 [11] 同じ基板面に、ポジ型フォトレジスト(東京応化
製,OFPR-5000)をスピンコートし、80℃で30分間プ
リベークした後、これを露光・現像することにより、エ
ッチング用フォトレジストパターンを形成した。
(厚さ400Å)および金膜232(厚さ1000Å)
を順に形成した。 [11] 同じ基板面に、ポジ型フォトレジスト(東京応化
製,OFPR-5000)をスピンコートし、80℃で30分間プ
リベークした後、これを露光・現像することにより、エ
ッチング用フォトレジストパターンを形成した。
【0027】[12] 金膜232およびクロム膜231
を、前記[4] で用いたのと同じ組成のエッチング液によ
り順次エッチングした後、アセトンでフォトレジストパ
ターンを除去することにより、活性部分(アノード)2
3A、リード線部分23Bおよび外部接続用端子部分
(パッド)23Cから成るアノードパターン23を形成
した。
を、前記[4] で用いたのと同じ組成のエッチング液によ
り順次エッチングした後、アセトンでフォトレジストパ
ターンを除去することにより、活性部分(アノード)2
3A、リード線部分23Bおよび外部接続用端子部分
(パッド)23Cから成るアノードパターン23を形成
した。
【0028】工程2:活性部分(カソードおよびアノー
ド)の画定(図6) [13] 同じ基板面の全体に、ポジ型フォトレジスト(東
京応化製,OFPR-800)を塗布し、80℃で30分間プリ
ベークした後、露光し、30℃のトルエン中に5分間浸
漬し、80℃で10分間ポストベークした後、現像を施
した。これにより、電極パターンの活性部分すなわちカ
ソード22Aとアノード23Aのみを残して、それ以外
の基板領域を覆うフォトレジストパターンが形成され
た。
ド)の画定(図6) [13] 同じ基板面の全体に、ポジ型フォトレジスト(東
京応化製,OFPR-800)を塗布し、80℃で30分間プリ
ベークした後、露光し、30℃のトルエン中に5分間浸
漬し、80℃で10分間ポストベークした後、現像を施
した。これにより、電極パターンの活性部分すなわちカ
ソード22Aとアノード23Aのみを残して、それ以外
の基板領域を覆うフォトレジストパターンが形成され
た。
【0029】[14] 同じ基板面の全体に、真空蒸着によ
り銀膜を形成し、その後アセトンでレジストを除去した
後、活性部分22A,23A以外の銀膜をリフトオフに
より除去した。これにより、最表層が銀膜233(図6
(3))で形成された活性部分すなわちカソード22A
とアノード23A(図6(1))が画定された。
り銀膜を形成し、その後アセトンでレジストを除去した
後、活性部分22A,23A以外の銀膜をリフトオフに
より除去した。これにより、最表層が銀膜233(図6
(3))で形成された活性部分すなわちカソード22A
とアノード23A(図6(1))が画定された。
【0030】工程3:水分不透過性膜の形成(図7) [15] 同じ基板表面の全体に、感光性ポリイミド原液
(東レ製,フォトニースUR-3140)を塗布し(スピンコー
ト条件:2300rpm,30秒)、80℃で90分間
プリベークした。前記[7] と同様に、アノードパターン
23のリード線部分23Bと、開口27を形成する箇所
以外の活性部分(アノード)23Aの上記ポリイミド塗
膜にのみ紫外線を照射した。前記[8] と同様に、現像液
(東レ製,DV-605)中でポリイミド塗膜の現像を行った
後、イソプロピルアルコール中で3回に分けてリンスを
行った。
(東レ製,フォトニースUR-3140)を塗布し(スピンコー
ト条件:2300rpm,30秒)、80℃で90分間
プリベークした。前記[7] と同様に、アノードパターン
23のリード線部分23Bと、開口27を形成する箇所
以外の活性部分(アノード)23Aの上記ポリイミド塗
膜にのみ紫外線を照射した。前記[8] と同様に、現像液
(東レ製,DV-605)中でポリイミド塗膜の現像を行った
後、イソプロピルアルコール中で3回に分けてリンスを
行った。
【0031】[16] 150℃で30分、200℃で30
分、300℃で1時間のベーキングを順次行ってポリイ
ミドを硬化させた。これにより、リード線23Bと、開
口27以外の大部分のアノード23Aとを被覆する電解
液不透過性もしくは水分不透過性のポリイミド膜26が
形成された。
分、300℃で1時間のベーキングを順次行ってポリイ
ミドを硬化させた。これにより、リード線23Bと、開
口27以外の大部分のアノード23Aとを被覆する電解
液不透過性もしくは水分不透過性のポリイミド膜26が
形成された。
【0032】工程4:電解質含有体の形成(図8) [17] カソード22A、アノード23A、および両者間
を電気的に接続する液絡部分24Xに、電解質含有体2
4をスクリーン印刷した。電解質含有体24は、粉末化
した塩化カリウム、トリスヒドロキシメチルアミノメタ
ン、グリシンをポリビニルピロリドンのアルコール溶液
中に分散させて作成したもので、スクリーン印刷した後
に、溶媒を蒸発させた。
を電気的に接続する液絡部分24Xに、電解質含有体2
4をスクリーン印刷した。電解質含有体24は、粉末化
した塩化カリウム、トリスヒドロキシメチルアミノメタ
ン、グリシンをポリビニルピロリドンのアルコール溶液
中に分散させて作成したもので、スクリーン印刷した後
に、溶媒を蒸発させた。
【0033】工程5:酸素透過性膜の形成(図9〜図1
1) 下記手順[18]〜[20]により所要部分に酸素透過性膜28
を被覆した。 [18] パッド領域(パッド22C,23Cを含む基板領
域)に、熱硬化性剥離塗料(藤倉化成製、XB−80
1)を厚さ100μmにスクリーン印刷した後、80℃
で20分間加熱して硬化させ、剥離用マスク30を形成
した(図9)。
1) 下記手順[18]〜[20]により所要部分に酸素透過性膜28
を被覆した。 [18] パッド領域(パッド22C,23Cを含む基板領
域)に、熱硬化性剥離塗料(藤倉化成製、XB−80
1)を厚さ100μmにスクリーン印刷した後、80℃
で20分間加熱して硬化させ、剥離用マスク30を形成
した(図9)。
【0034】[19] 次に、ガス透過性膜を構成するシリ
コーン樹脂28(トーレ・ダウコーニング・シリコーン
製、SE9176)をスピンコートにより塗布し、加湿
した恒温槽内で80℃で60分間加熱して硬化させた。
加湿は、恒温槽内に水の入ったシャーレもしくはビーカ
ーを設置することにより行った(図10)。
コーン樹脂28(トーレ・ダウコーニング・シリコーン
製、SE9176)をスピンコートにより塗布し、加湿
した恒温槽内で80℃で60分間加熱して硬化させた。
加湿は、恒温槽内に水の入ったシャーレもしくはビーカ
ーを設置することにより行った(図10)。
【0035】[20] パッド領域に形成した上記のマスク
30をピンセットで剥離することにより、その部分のシ
リコーン樹脂28も一緒に除去し、パッド領域(パッド
22C,23C)を露出した(図11)。これにより、
パッド領域以外をガス透過性膜28で覆われた本発明の
小型酸素電極が得られた。本実施例でパッド22Cと2
3Cを基板幅方向に並べて配置したのは、基板長手方向
に並べるよりも、外部接続用のリード線を出し易いから
である。
30をピンセットで剥離することにより、その部分のシ
リコーン樹脂28も一緒に除去し、パッド領域(パッド
22C,23C)を露出した(図11)。これにより、
パッド領域以外をガス透過性膜28で覆われた本発明の
小型酸素電極が得られた。本実施例でパッド22Cと2
3Cを基板幅方向に並べて配置したのは、基板長手方向
に並べるよりも、外部接続用のリード線を出し易いから
である。
【0036】このようにしてガラス基板21上に形成さ
れた多数の小型酸素電極2を個々に切り離し、小型酸素
電極チップを得る。図2に示した本発明の小型酸素電極
は、カソードパターン22の活性部分22A内にある酸
素感応部22S(図2(1))上の酸素透過性膜28の
厚さを、それ以外の部位よりも薄くして、応答性を高め
ることができる。このような小型酸素電極は以下の手順
で作製することができる。
れた多数の小型酸素電極2を個々に切り離し、小型酸素
電極チップを得る。図2に示した本発明の小型酸素電極
は、カソードパターン22の活性部分22A内にある酸
素感応部22S(図2(1))上の酸素透過性膜28の
厚さを、それ以外の部位よりも薄くして、応答性を高め
ることができる。このような小型酸素電極は以下の手順
で作製することができる。
【0037】上記工程1から上記工程5の手順[19]まで
を行う。次に、上記手順[18]と同様にして、カソードパ
ターン22の活性部分22A内にある酸素感応部22S
(図2(1))上のシリコーン樹脂膜28(図12
(1)、(2))上に、第2の剥離用マスク30Aを形
成する。次に、上記手順[19]と同様にして、第2剥離用
マスク30Aおよびシリコーン樹脂膜(第1シリコーン
樹脂膜)28の露出部分を含む基板全面に第2のシリコ
ーン樹脂膜28Aを形成する(図13)。
を行う。次に、上記手順[18]と同様にして、カソードパ
ターン22の活性部分22A内にある酸素感応部22S
(図2(1))上のシリコーン樹脂膜28(図12
(1)、(2))上に、第2の剥離用マスク30Aを形
成する。次に、上記手順[19]と同様にして、第2剥離用
マスク30Aおよびシリコーン樹脂膜(第1シリコーン
樹脂膜)28の露出部分を含む基板全面に第2のシリコ
ーン樹脂膜28Aを形成する(図13)。
【0038】最後に、上記手順[20]と同様の操作によ
り、パッド領域の剥離用マスク30を剥離させることに
より、その上のシリコーン樹脂膜28および28Aを一
緒に剥離させてパッド領域(22C、23C)を露出さ
せる。また、第2剥離用マスク30Aを剥離させること
により、酸素感応部22S上では第2シリコーン樹脂膜
28Aを除去して第1シリコーン樹脂膜28を残す。こ
れにより酸素感応部22S上は、シリコーン樹脂膜の厚
さが第1シリコーン樹脂膜28のみであるので、それ以
外の部位のシリコーン樹脂膜の厚さ(第1シリコーン樹
脂膜28と第2シリコーン樹脂膜28Aの合計)よりも
薄くなる(図14)。
り、パッド領域の剥離用マスク30を剥離させることに
より、その上のシリコーン樹脂膜28および28Aを一
緒に剥離させてパッド領域(22C、23C)を露出さ
せる。また、第2剥離用マスク30Aを剥離させること
により、酸素感応部22S上では第2シリコーン樹脂膜
28Aを除去して第1シリコーン樹脂膜28を残す。こ
れにより酸素感応部22S上は、シリコーン樹脂膜の厚
さが第1シリコーン樹脂膜28のみであるので、それ以
外の部位のシリコーン樹脂膜の厚さ(第1シリコーン樹
脂膜28と第2シリコーン樹脂膜28Aの合計)よりも
薄くなる(図14)。
【0039】一般に、電解質として塩化カリウム等を用
いる場合に、アノードを銀/塩化銀あるいは銀/臭化銀
のように銀と不溶性のハロゲン塩の電極として構成す
る。銀アノードが電解質と反応してこのような電極を構
成するためには、電解質中にハロゲンイオンを含有して
いることが必要である。そのためには、電解質含有体中
にハロゲンイオン供給源を含有していることが必要であ
る。また、電解質含有体に電解質のpHを固定する緩衝
剤を含むことが望ましい。
いる場合に、アノードを銀/塩化銀あるいは銀/臭化銀
のように銀と不溶性のハロゲン塩の電極として構成す
る。銀アノードが電解質と反応してこのような電極を構
成するためには、電解質中にハロゲンイオンを含有して
いることが必要である。そのためには、電解質含有体中
にハロゲンイオン供給源を含有していることが必要であ
る。また、電解質含有体に電解質のpHを固定する緩衝
剤を含むことが望ましい。
【0040】アノード23Aの大部分をポリイミド等の
電解液不透過性膜26で覆って、アノード23Aは膜2
6の開口27の範囲内でのみ電解質含有体24に接触す
るようにしてある。その理由は以下のとおりである。す
なわち、小型酸素電極の寿命を長くするには、アノード
面積は大きい方が有利である。しかし、アノード面積が
大きいと、アノード最表面が当初のAgから徐々にAg
Clに変化して行くのに必要な安定化時間が長くなる。
アノードの大部分を電解液不透過性膜で覆い、開口内で
のみ電解質含有体と接触することにより、長寿命化する
ことと、実質的な安定化を短時間で完了させることが両
立できる。
電解液不透過性膜26で覆って、アノード23Aは膜2
6の開口27の範囲内でのみ電解質含有体24に接触す
るようにしてある。その理由は以下のとおりである。す
なわち、小型酸素電極の寿命を長くするには、アノード
面積は大きい方が有利である。しかし、アノード面積が
大きいと、アノード最表面が当初のAgから徐々にAg
Clに変化して行くのに必要な安定化時間が長くなる。
アノードの大部分を電解液不透過性膜で覆い、開口内で
のみ電解質含有体と接触することにより、長寿命化する
ことと、実質的な安定化を短時間で完了させることが両
立できる。
【0041】なお、実施例1ではカソード22Aのリー
ド線22Bをアノード23Aの下に配置する態様を説明
したが、図15(1)に示したように、小型酸素電極4
1においてアノード43Aのリード線43Bをカソード
42Aの下に配置することも場合によっては有利であ
る。また、実施例1ではカソード22Aおよびアノード
23Aの2極構成の小型酸素電極について説明したが、
必要に応じて3極あるいはそれ以上の多極構成の小型酸
素電極についても、本発明を適宜適用することができ
る。例えば、図15(2)または(3)に示したよう
に、作用極52A、参照極53A、および対極54Aの
3極構成の小型酸素電極51の場合には、比較的大きな
面積を占める対極54Aの下に作用極52Aのリード線
52B、または作用極52Aと参照極53Aのリード線
52B,53Bを配置すると有利である。
ド線22Bをアノード23Aの下に配置する態様を説明
したが、図15(1)に示したように、小型酸素電極4
1においてアノード43Aのリード線43Bをカソード
42Aの下に配置することも場合によっては有利であ
る。また、実施例1ではカソード22Aおよびアノード
23Aの2極構成の小型酸素電極について説明したが、
必要に応じて3極あるいはそれ以上の多極構成の小型酸
素電極についても、本発明を適宜適用することができ
る。例えば、図15(2)または(3)に示したよう
に、作用極52A、参照極53A、および対極54Aの
3極構成の小型酸素電極51の場合には、比較的大きな
面積を占める対極54Aの下に作用極52Aのリード線
52B、または作用極52Aと参照極53Aのリード線
52B,53Bを配置すると有利である。
【0042】なお図15には示していないが、下に配置
するリード線(43B、52B、53B)はそれぞれ絶
縁膜で被覆されていて、上にある各電極パターンと絶縁
されている。
するリード線(43B、52B、53B)はそれぞれ絶
縁膜で被覆されていて、上にある各電極パターンと絶縁
されている。
【0043】〔実施例2〕本発明の望ましい実施態様の
一つとして、図2(3)に示したように、小型酸素電極
3は、基板31に設けた溝32内にカソードパターン2
2のリード線部分22Bとその上の絶縁層29とを積層
して収容し、それにより溝32を埋めて平坦化し、その
上にアノードパターン23の活性部分23Aを設けてあ
る。
一つとして、図2(3)に示したように、小型酸素電極
3は、基板31に設けた溝32内にカソードパターン2
2のリード線部分22Bとその上の絶縁層29とを積層
して収容し、それにより溝32を埋めて平坦化し、その
上にアノードパターン23の活性部分23Aを設けてあ
る。
【0044】このように平坦化した上に他のパターンを
形成することにより、ステップカバレージを問題にする
必要がなくなる。図2(3)に示した溝32を有する構
造を下記の手順により作製した。
形成することにより、ステップカバレージを問題にする
必要がなくなる。図2(3)に示した溝32を有する構
造を下記の手順により作製した。
【0045】工程01:基板の準備 この態様に用いる基板としては、実施例1で用いたガラ
ス基板よりも、半導体プロセスで溝を形成し易いシリコ
ン基板の方が適している。
ス基板よりも、半導体プロセスで溝を形成し易いシリコ
ン基板の方が適している。
【0046】[1] 厚さ400μmの(100)面シリ
コン基板を用意し、過酸化水素とアンモニアの混合溶液
および濃硝酸で洗浄する。 [2] 洗浄したシリコン基板を1000℃で200分間
ウェット熱酸化して両面に厚さ1.0μmのSiO2 絶
縁膜を形成する。
コン基板を用意し、過酸化水素とアンモニアの混合溶液
および濃硝酸で洗浄する。 [2] 洗浄したシリコン基板を1000℃で200分間
ウェット熱酸化して両面に厚さ1.0μmのSiO2 絶
縁膜を形成する。
【0047】工程02:溝形成箇所のSiO2 酸化膜の
除去 [3] 酸化膜を形成したシリコン基板の片面にネガ型フ
ォトレジスト(東京応化製,OMR-83)を塗布し、80℃
で30分間ベーキングする。次いで、フォトレジストを
露光、現像、リンスした。これにより、カソードリード
線22B形成予定箇所のフォトレジストが除去された。
除去 [3] 酸化膜を形成したシリコン基板の片面にネガ型フ
ォトレジスト(東京応化製,OMR-83)を塗布し、80℃
で30分間ベーキングする。次いで、フォトレジストを
露光、現像、リンスした。これにより、カソードリード
線22B形成予定箇所のフォトレジストが除去された。
【0048】[4] 上記と反対側の基板面全体に、同じ
ネガ型フォトレジストを塗布した後、150℃で30分
間ベーキングした。 [5] 基板を1容量部の50%フッ酸と6容量部の40
%フッ化アンモニウムとの混合溶液中に浸漬することに
より、上記[3] で露出した箇所のSiO2 酸化膜を除去
した。これにより、カソードリード線22B形成予定箇
所のシリコン基板表面が露出した。
ネガ型フォトレジストを塗布した後、150℃で30分
間ベーキングした。 [5] 基板を1容量部の50%フッ酸と6容量部の40
%フッ化アンモニウムとの混合溶液中に浸漬することに
より、上記[3] で露出した箇所のSiO2 酸化膜を除去
した。これにより、カソードリード線22B形成予定箇
所のシリコン基板表面が露出した。
【0049】[6] 基板を2容量部の硫酸と1容量部の
過酸化水素との混合溶液中に浸漬して、ネガ型フォトレ
ジストを剥離した。
過酸化水素との混合溶液中に浸漬して、ネガ型フォトレ
ジストを剥離した。
【0050】工程03:溝の形成 [7] 基板を80℃の35%水酸化カリウム溶液中に1
時間浸漬することにより、上記[5] で露出された箇所の
基板シリコンを異方性エッチングした。これにより、カ
ソードリード線22B形成予定箇所に上記溝32が形成
された。 [8] 基板を過酸化水素とアンモニアの混合溶液および
濃硝酸で洗浄した。
時間浸漬することにより、上記[5] で露出された箇所の
基板シリコンを異方性エッチングした。これにより、カ
ソードリード線22B形成予定箇所に上記溝32が形成
された。 [8] 基板を過酸化水素とアンモニアの混合溶液および
濃硝酸で洗浄した。
【0051】[9] 基板を1000℃で200分間ウェ
ット酸化し、両面に厚さ1.0μmのSiO2 絶縁膜
(図16(1B)および(2B)に参照符号31Aで示
したものと同様)を形成した。 このようにして溝32を形成した後、実施例1の[2] 以
降と同様の手順で小型酸素電極を作製した。
ット酸化し、両面に厚さ1.0μmのSiO2 絶縁膜
(図16(1B)および(2B)に参照符号31Aで示
したものと同様)を形成した。 このようにして溝32を形成した後、実施例1の[2] 以
降と同様の手順で小型酸素電極を作製した。
【0052】〔実施例3〕本発明の望ましい別の態様で
は、図2に示す構造において、カソードリード線22B
が下を通っていない箇所のアノード23Aに窪みを設
け、アノード23A上に(電解液不透過膜を介して)保
持される電解質含有体24の量を増加させることができ
る。この場合にも、実施例2と同様にシリコン基板を用
い、実施例2と同様にして溝を形成する。
は、図2に示す構造において、カソードリード線22B
が下を通っていない箇所のアノード23Aに窪みを設
け、アノード23A上に(電解液不透過膜を介して)保
持される電解質含有体24の量を増加させることができ
る。この場合にも、実施例2と同様にシリコン基板を用
い、実施例2と同様にして溝を形成する。
【0053】図16(1A)に斜線で示したように、カ
ソードリード線22Bが下を通っていない箇所33で
は、シリコン基板31内に形成された窪み(あるいは
溝)33の内壁に沿ってアノード23Aが形成されてい
るため、アノード23A自体に対応した窪み(あるいは
溝)34が形成される(図16(1B))。更に別の望
ましい態様によれば、図2の構造において、図16(2
A),(2B)に示したように電解質含有体24がカソ
ード22Aとアノード23Aとを結ぶ液絡(電解質含有
体のみから成る部分)24Xの下部を、シリコン基板3
1に設けた溝35内に受容することもできる。液絡24
Xの幅が狭かったり、電解質含有体24の組成が高濃度
で液絡24Xの厚さが薄かったりした場合は、液絡24
Xのコンダクタンスが低下し、小型酸素電極の安定性に
影響を及ぼすことがある。溝35を設けることにより、
液絡24Xでのコンダクタンスを確保できる。
ソードリード線22Bが下を通っていない箇所33で
は、シリコン基板31内に形成された窪み(あるいは
溝)33の内壁に沿ってアノード23Aが形成されてい
るため、アノード23A自体に対応した窪み(あるいは
溝)34が形成される(図16(1B))。更に別の望
ましい態様によれば、図2の構造において、図16(2
A),(2B)に示したように電解質含有体24がカソ
ード22Aとアノード23Aとを結ぶ液絡(電解質含有
体のみから成る部分)24Xの下部を、シリコン基板3
1に設けた溝35内に受容することもできる。液絡24
Xの幅が狭かったり、電解質含有体24の組成が高濃度
で液絡24Xの厚さが薄かったりした場合は、液絡24
Xのコンダクタンスが低下し、小型酸素電極の安定性に
影響を及ぼすことがある。溝35を設けることにより、
液絡24Xでのコンダクタンスを確保できる。
【0054】シリコン基板31の窪み(溝)33や35
は、実施例2で説明した溝32と同様な手順により形成
できる。なお、図16(1B)と(2B)に31Aで示
した層は、シリコン基板31に溝33または35を形成
した後に、実施例2の工程03、手順[9] と同様にウェ
ット酸化により形成したSiO2 絶縁膜である。以上の
実施例1〜3で作製した小型酸素電極は、常温の水中に
一晩以上浸漬するか、オートクレーブにて温度120
℃、差圧1.2気圧で15分間処理することにより、電
解質中に水蒸気の形で水分が供給され、酸素電極として
機能し得る状態になる。
は、実施例2で説明した溝32と同様な手順により形成
できる。なお、図16(1B)と(2B)に31Aで示
した層は、シリコン基板31に溝33または35を形成
した後に、実施例2の工程03、手順[9] と同様にウェ
ット酸化により形成したSiO2 絶縁膜である。以上の
実施例1〜3で作製した小型酸素電極は、常温の水中に
一晩以上浸漬するか、オートクレーブにて温度120
℃、差圧1.2気圧で15分間処理することにより、電
解質中に水蒸気の形で水分が供給され、酸素電極として
機能し得る状態になる。
【0055】〔実施例4〕図17に示す小型バイオセン
サを作製した。このバイオセンサは、実施例1〜3のい
ずれかで作製した小型酸素電極の感応部22S(22
A)に、酵素(グルコースオキシダーゼ)を固定したグ
ルコース固定膜61を設けたものである。これは、牛血
清アルブミン5wt%、グルタルアルデヒド5wt%を含む
溶液20mlに、グルコースオキシダーゼ1mgを溶か
した溶液中に、小型酸素電極の感応部22S(22A)
を浸漬させた後、乾燥することにより行った。
サを作製した。このバイオセンサは、実施例1〜3のい
ずれかで作製した小型酸素電極の感応部22S(22
A)に、酵素(グルコースオキシダーゼ)を固定したグ
ルコース固定膜61を設けたものである。これは、牛血
清アルブミン5wt%、グルタルアルデヒド5wt%を含む
溶液20mlに、グルコースオキシダーゼ1mgを溶か
した溶液中に、小型酸素電極の感応部22S(22A)
を浸漬させた後、乾燥することにより行った。
【0056】〔実施例5〕図18に示す集積型バイオセ
ンサを作製した。このバイオセンサは、実施例1〜3と
同様にして、1チップに小型酸素電極を2個並列配置し
たものを作製し、実施例4と同様の手順により、一方の
小型酸素電極の感応部にはグルコースオキダーゼ固定膜
61を、他方の小型酸素電極の感応部にはグルタミン酸
オキシダーゼ固定膜62を設けることにより作製した。
ンサを作製した。このバイオセンサは、実施例1〜3と
同様にして、1チップに小型酸素電極を2個並列配置し
たものを作製し、実施例4と同様の手順により、一方の
小型酸素電極の感応部にはグルコースオキダーゼ固定膜
61を、他方の小型酸素電極の感応部にはグルタミン酸
オキシダーゼ固定膜62を設けることにより作製した。
【0057】なお図19に示すように、小型酸素電極が
基板の両面に形成されているものを実施例1〜3と同様
の手順により作製し、上記同様の集積型バイオセンサを
作製することもできる。また図20に示すように、実施
例1〜3により作製した小型酸素電極を基板背面同士で
接着して上記と同様の集積型バイオセンサを作製するこ
とができる。
基板の両面に形成されているものを実施例1〜3と同様
の手順により作製し、上記同様の集積型バイオセンサを
作製することもできる。また図20に示すように、実施
例1〜3により作製した小型酸素電極を基板背面同士で
接着して上記と同様の集積型バイオセンサを作製するこ
とができる。
【0058】実施例4または5で作製したバイオセンサ
は、酵素を固定してあるため、活性化にあたりオートク
レーブ処理を施すことはできない。その代わりに、酵素
を固定したチップを常温水中に12時間以上浸漬するこ
とにより、電解質含有体中に水分を供給して活性化す
る。なお、実施例1〜5の小型酸素電極およびバイオセ
ンサは、感応部となるのはカソード近傍の一部のみであ
る。したがって、図21に示したように、小型酸素電極
70の感応部周辺71以外の部分は、水分の蒸発を抑制
するためにシリコーンチューブ等のチューブ72の中に
収納することが望ましい。
は、酵素を固定してあるため、活性化にあたりオートク
レーブ処理を施すことはできない。その代わりに、酵素
を固定したチップを常温水中に12時間以上浸漬するこ
とにより、電解質含有体中に水分を供給して活性化す
る。なお、実施例1〜5の小型酸素電極およびバイオセ
ンサは、感応部となるのはカソード近傍の一部のみであ
る。したがって、図21に示したように、小型酸素電極
70の感応部周辺71以外の部分は、水分の蒸発を抑制
するためにシリコーンチューブ等のチューブ72の中に
収納することが望ましい。
【0059】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の小型酸素
電極は、少なくとも1個の電極パターンのリード線部分
が絶縁層を介して他の少なくとも1個の電極パターンの
活性部分の下を通っている立体配置としたことにより、
従来の平面配置に比べて、同一の基板面積内により多く
のパターンを共存させることができるので、小型酸素電
極の幅を従来よりも更に小さくすることができる。その
際、立体的に積層されるパターン同士は間に介在する絶
縁層により絶縁が確保され、仮にガス透過性膜に剥離が
生じても、リード線部分にまで電解液が浸透することは
ない。
電極は、少なくとも1個の電極パターンのリード線部分
が絶縁層を介して他の少なくとも1個の電極パターンの
活性部分の下を通っている立体配置としたことにより、
従来の平面配置に比べて、同一の基板面積内により多く
のパターンを共存させることができるので、小型酸素電
極の幅を従来よりも更に小さくすることができる。その
際、立体的に積層されるパターン同士は間に介在する絶
縁層により絶縁が確保され、仮にガス透過性膜に剥離が
生じても、リード線部分にまで電解液が浸透することは
ない。
【図1】図1は、従来の小型酸素電極の(1)平面図お
よび(2)中央部横断面図である。
よび(2)中央部横断面図である。
【図2】図2は本発明の小型酸素電極の(1)平面図お
よび(2)中央部横断面図および(3)他の態様におけ
る中央部横断面図である。
よび(2)中央部横断面図および(3)他の態様におけ
る中央部横断面図である。
【図3】図3は、図2(1)(2)に示した本発明の小
型酸素電極を作製する最初の手順を示す(1)平面図、
(2)中央部横断面図および(3)部分拡大横断面図で
ある。
型酸素電極を作製する最初の手順を示す(1)平面図、
(2)中央部横断面図および(3)部分拡大横断面図で
ある。
【図4】図4は、図3の次の手順を示す(1)平面図お
よび(2)中央部横断面図である。
よび(2)中央部横断面図である。
【図5】図5は、図4の次の手順を示す(1)平面図、
(2)中央部横断面図および(3)部分拡大横断面図で
ある。
(2)中央部横断面図および(3)部分拡大横断面図で
ある。
【図6】図6は、図5の次の手順を示す(1)平面図、
(2)中央部横断面図および(3)部分拡大横断面図で
ある。
(2)中央部横断面図および(3)部分拡大横断面図で
ある。
【図7】図7は、図6の次の手順を示す(1)平面図お
よび(2)中央部横断面図である。
よび(2)中央部横断面図である。
【図8】図8は、図7の次の手順を示す(1)平面図お
よび(2)中央部横断面図である。
よび(2)中央部横断面図である。
【図9】図9は、図8の次の手順を示す(1)平面図、
(2)感応部付近縦断面図および(3)パッド領域横断
面図である。
(2)感応部付近縦断面図および(3)パッド領域横断
面図である。
【図10】図10は、図9の次の手順を示す(1)平面
図、(2)感応部付近縦断面図、(3)中央部横断面図
および(4)パッド領域横断面図である。
図、(2)感応部付近縦断面図、(3)中央部横断面図
および(4)パッド領域横断面図である。
【図11】図11は、図10の次の手順を示す(1)平
面図、(2)中央部横断面図および(3)パッド領域横
断面図である。
面図、(2)中央部横断面図および(3)パッド領域横
断面図である。
【図12】図12は、感応部付近の酸素透過性膜上に第
2の剥離用マスクを形成した状態を示す(1)平面図、
(2)感応部付近縦断面図および(3)パッド領域横断
面図である。
2の剥離用マスクを形成した状態を示す(1)平面図、
(2)感応部付近縦断面図および(3)パッド領域横断
面図である。
【図13】図13は、第2の剥離用マスク形成後に全面
に第2の酸素透過性膜を形成した状態を示す(1)平面
図、(2)感応部付近縦断面図および(3)パッド領域
横断面図である。
に第2の酸素透過性膜を形成した状態を示す(1)平面
図、(2)感応部付近縦断面図および(3)パッド領域
横断面図である。
【図14】図14は、第1および第2の剥離用マスクを
剥離して、感応部での酸素透過性膜を薄く形成した本発
明の小型酸素電極を示す(1)平面図、(2)感応部付
近縦断面図および(3)パッド領域横断面図である。
剥離して、感応部での酸素透過性膜を薄く形成した本発
明の小型酸素電極を示す(1)平面図、(2)感応部付
近縦断面図および(3)パッド領域横断面図である。
【図15】図15は、本発明の小型酸素電極の(1)他
の2極構成、(2)3極構成および(3)他の3極構成
を示す平面図である。
の2極構成、(2)3極構成および(3)他の3極構成
を示す平面図である。
【図16】図16は、本発明により電解質含有体を受容
する溝(窪み)を設けた態様を示す(1A)(2A)平
面図および(1B)(2B)横断面図である。
する溝(窪み)を設けた態様を示す(1A)(2A)平
面図および(1B)(2B)横断面図である。
【図17】図17は、本発明の小型バイオセンサを示す
横断面図である。
横断面図である。
【図18】図18は、本発明の集積型バイオセンサを示
す横断面図である。
す横断面図である。
【図19】図19は、本発明の他の態様の集積型バイオ
センサを示す横断面図である。
センサを示す横断面図である。
【図20】図20は、本発明の更に別の態様の集積型バ
イオセンサを示す横断面図である。
イオセンサを示す横断面図である。
【図21】図21は、感応部付近以外をチューブ内に収
納した本発明の小型酸素電極またはバイオセンサを示す
斜視図である。
納した本発明の小型酸素電極またはバイオセンサを示す
斜視図である。
【符号の説明】 1…従来の小型酸素電極 2…本発明の小型酸素電極 21…ガラス基板 22…カソードパターン 22A…カソードパターン22の活性部分(カソード) 22B…カソードパターン22のリード線部分 22C…カソードパターン22の外部接続端子(パッ
ド)部分 22S…酸素感応部(測定部) 221…クロム膜(カソード形成用) 222…金膜(カソード形成用) 23…アノードパターン 23A…アノードパターン23の活性部分(アノード) 23B…アノードパターン23のリード線部分 23C…アノードパターン23の外部接続端子(パッ
ド)部分 231…クロム膜(アノード形成用) 232…金膜(アノード形成用) 29…絶縁層 24…電解質含有体 25…開口 26…ポリイミド等の水分不透過性膜 27…開口 28…酸素透過性膜 28A…第2の酸素透過性膜 30…剥離用マスク 30A…第2の剥離用マスク 31…シリコン基板 31A…シリコン酸化膜(SiO2 膜) 32,33,34,35…溝(または窪み)
ド)部分 22S…酸素感応部(測定部) 221…クロム膜(カソード形成用) 222…金膜(カソード形成用) 23…アノードパターン 23A…アノードパターン23の活性部分(アノード) 23B…アノードパターン23のリード線部分 23C…アノードパターン23の外部接続端子(パッ
ド)部分 231…クロム膜(アノード形成用) 232…金膜(アノード形成用) 29…絶縁層 24…電解質含有体 25…開口 26…ポリイミド等の水分不透過性膜 27…開口 28…酸素透過性膜 28A…第2の酸素透過性膜 30…剥離用マスク 30A…第2の剥離用マスク 31…シリコン基板 31A…シリコン酸化膜(SiO2 膜) 32,33,34,35…溝(または窪み)
Claims (27)
- 【請求項1】 絶縁性基板上に、それぞれ活性部分と外
部接続用端子部分とこれらを接続するリード線部分とか
ら成る1組の電極パターンを備え、各活性部分は相互に
電解質含有体で接続されており、電解質含有体は酸素透
過性膜で被覆されている小型酸素電極において、 少なくとも1個の電極パターンのリード線部分が絶縁層
を介して他の少なくとも1個の電極パターンの活性部分
の下を通っていることを特徴とする小型酸素電極。 - 【請求項2】 前記基板に設けた溝内に前記少なくとも
1個の電極パターンのリード線部分と前記絶縁層とを積
層して収容し、それにより上記溝を埋めて平坦化し、そ
の上に前記他の少なくとも1個の電極パターンの活性部
分を設けたことを特徴とする請求項1に記載の小型酸素
電極。 - 【請求項3】 前記1組の電極パターンが、それぞれカ
ソードとアノードに対応する一対の電極パターンから成
り、一方の電極パターンのリード線部分が絶縁層を介し
て他方の電極パターンの活性部分の下を通っていること
を特徴とする請求項1または2に記載の小型酸素電極。 - 【請求項4】 前記基板に設けた溝内に前記一方の電極
パターンのリード線部分と前記絶縁層とを積層して収容
し、それにより上記溝を埋めて平坦化し、その上に前記
他の少なくとも1個の電極パターンの活性部分を設けた
ことを特徴とする請求項3に記載の小型酸素電極。 - 【請求項5】 前記1組の電極パターンが、それぞれ作
用極と参照極と対極とに対応する3個の電極パターンか
ら成ることを特徴とする請求項1または2に記載の小型
酸素電極。 - 【請求項6】 前記絶縁性基板がシリコン基板またはガ
ラス基板から成ることを特徴とする請求項1から5まで
のいずれか1項に記載の小型酸素電極。 - 【請求項7】 前記絶縁層がポリイミドから成ることを
特徴とする請求項1から6までのいずれか1項に記載の
小型酸素電極。 - 【請求項8】 前記リード線部分が下を通っていない箇
所の前記活性部分に窪みを設けたことを特徴とする請求
項1から7までのいずれか1項に記載の小型酸素電極。 - 【請求項9】 前記活性部分を相互に接続する前記電解
質含有体のみから成る液絡の下部が、前記基板に設けた
溝内に受容されていることを特徴とする請求項1から8
までのいずれか1項に記載の小型酸素電極。 - 【請求項10】 前記カソードおよび前記アノードを構
成する前記活性部分がそれぞれ銀の層で覆われており、
前記電解質含有体がハロゲンイオン源を含有することを
特徴とする請求項3または4に記載の小型酸素電極。 - 【請求項11】 前記作用極および前記参照極を構成す
る前記活性部分がそれぞれ銀の層で覆われており、且つ
該参照極を覆う銀は表面が塩化銀に変えられており、更
に前記対極に対応する電極パターンの少なくとも前記活
性部分が金の層で覆われており、前記電解質含有体がハ
ロゲンイオン源を含有することを特徴とする請求項5に
記載の小型酸素電極。 - 【請求項12】 前記アノードを構成する活性部分が、
密着性の良い電解液不透過性膜で覆われており、この皮
膜に開いた1個の小さな開口を介して電解質含有体と接
触していることを特徴とする請求項3または4に記載の
小型酸素電極。 - 【請求項13】 前記密着性の良い電解液不透過性膜が
ポリイミドから成ることを特徴とする請求項12に記載
の小型酸素電極。 - 【請求項14】 各電極パターンの活性部分の開口と端
子部分とを残して、他の全ての前記基板表面が密着性の
良い水分不透過性膜で覆われており、この水分不透過性
膜上に前記電解質含有体および前記酸素透過性膜が形成
されていることを特徴とする請求項1から5までのいず
れか1項に記載の小型酸素電極。 - 【請求項15】 前記密着性の良い水分不透過性膜がポ
リイミドから成ることを特徴とする請求項14に記載の
小型酸素電極。 - 【請求項16】 前記電解質含有体が水分を含まず、酸
素の還元反応に必要な水分は使用前に前記酸素透過性膜
を通して水蒸気の形で該電解質含有体中に供給されるこ
とを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記
載の小型酸素電極。 - 【請求項17】 前記電解質含有体が、ポリビニルピロ
リドン担体中に電解質成分および緩衝成分を粉末状にし
て分散させて成ることを特徴とする請求項16に記載の
小型酸素電極。 - 【請求項18】 前記酸素透過性膜がシリコーンゴムか
ら成ることを特徴とする請求項1から5までのいずれか
1項に記載の小型酸素電極。 - 【請求項19】 前記活性部分内にある酸素感応部上
は、前記酸素透過性膜の厚さがそれ以外の部位よりも薄
いことを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項
に記載の小型酸素電極。 - 【請求項20】 請求項19記載の小型酸素電極を製造
する方法であって、 絶縁性基板上に、前記活性部分を含む前記電極パター
ン、前記絶縁層パターン、および前記電解質含有体パタ
ーンを形成する工程、 上記電極パターンの端子部分を覆う第1の剥離性樹脂パ
ターンを形成する工程、 上記各パターンの上から基板表面全体を覆う第1の酸素
透過性膜を形成する工程、 上記電極パターンの活性部分内にある酸素感応部上の上
記第1酸素透過性膜上に第2の剥離性樹脂パターンを形
成する工程、 上記第2剥離性樹脂パターンおよび上記第1酸素透過性
膜の露出部分を含む基板全面に第2の酸素透過性膜を形
成する工程、 上記第1の剥離性樹脂パターンを剥離させることによ
り、上記電極パターンの端子部分を露出する工程、およ
び上記第2の剥離性樹脂パターンを剥離させることによ
り、前記酸素感応部上では上記第2酸素透過性膜を除去
して上記第1酸素透過性膜を残し、これにより上記酸素
感応部上の酸素透過性膜の厚さをそれ以外の部位よりも
薄くする工程、を含むことを特徴とする小型酸素電極の
製造方法。 - 【請求項21】 細長い前記基板の一端に、前記電極パ
ターンの端子部分を基板幅方向に並べて配置したことを
特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記載の
小型酸素電極。 - 【請求項22】 感応部以外の部分を着脱可能な水分蒸
発防止用容器内に収納したことを特徴とする請求項1か
ら5までのいずれか1項に記載の小型酸素電極。 - 【請求項23】 請求項1から5に記載の小型酸素電極
の酸素感応部に、酵素、微生物等の生体関連物質を固定
したことを特徴とする小型バイオセンサ。 - 【請求項24】 請求項23に記載の小型バイオセンサ
複数個の酸素感応部に異なる生体関連物質を担持させて
同一基板の同一面上に配置したことを特徴とする集積型
バイオセンサ。 - 【請求項25】 請求項23に記載の小型バイオセンサ
複数個の酸素感応部に異なる生体関連物質を担持させて
同一基板の両面上に配置したことを特徴とする集積型バ
イオセンサ。 - 【請求項26】 請求項23に記載の小型バイオセンサ
複数個の酸素感応部に異なる生体関連物質を担持させて
片面上に配置した基板2枚を背面同士接着した集積型バ
イオセンサ。 - 【請求項27】 感応部以外の部分を着脱可能な水分蒸
発防止用容器内に収納したことを特徴とする請求項23
から26までのいずれか1項に記載の小型バイオセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048512A JPH08247990A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 小型酸素電極およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048512A JPH08247990A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 小型酸素電極およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08247990A true JPH08247990A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12805431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7048512A Pending JPH08247990A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 小型酸素電極およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08247990A (ja) |
-
1995
- 1995-03-08 JP JP7048512A patent/JPH08247990A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030107 |