JPH08248442A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH08248442A JPH08248442A JP5229795A JP5229795A JPH08248442A JP H08248442 A JPH08248442 A JP H08248442A JP 5229795 A JP5229795 A JP 5229795A JP 5229795 A JP5229795 A JP 5229795A JP H08248442 A JPH08248442 A JP H08248442A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔのうちの少な
くとも一種の第１の金属を主体としＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ａｌを代表とする易窒化金属の第２の金属を添加してな
る導電層２０ａ、２０ｂ表面を、第２の金属の窒化物層
２１ａ、２１ｂで被覆してなる配線層を使用した液晶表
示装置。 【効果】 アドレス線やＴＦＴのゲート電極線の低抵抗
化が図られ、さらに製造工程における薬品処理に対する
高耐性および基板との良密着性が得られ、配線層の断線
が抑えられる。
くとも一種の第１の金属を主体としＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ａｌを代表とする易窒化金属の第２の金属を添加してな
る導電層２０ａ、２０ｂ表面を、第２の金属の窒化物層
２１ａ、２１ｂで被覆してなる配線層を使用した液晶表
示装置。 【効果】 アドレス線やＴＦＴのゲート電極線の低抵抗
化が図られ、さらに製造工程における薬品処理に対する
高耐性および基板との良密着性が得られ、配線層の断線
が抑えられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置、とくに基
板上に配置される配線層や電極層に関する。
板上に配置される配線層や電極層に関する。
【０００２】
【従来の技術】非結晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を用い
た薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子とし
て設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、安価
な非結晶質のガラス基板を用いて低温成膜ができるａ−
Ｓｉ膜を用いてＴＦＴアレイを構成することにより、大
面積、高精細、高画質かつ安価なパネルディスプレイ
（フラット型テレビジョン）を実現できる。
た薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子とし
て設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、安価
な非結晶質のガラス基板を用いて低温成膜ができるａ−
Ｓｉ膜を用いてＴＦＴアレイを構成することにより、大
面積、高精細、高画質かつ安価なパネルディスプレイ
（フラット型テレビジョン）を実現できる。
【０００３】ところで、この種のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を高精細化、大面積化し、かつ画素の開
口率を上げるためには、ＴＦＴのソース、ドレインに接
続するデータ線やＴＦＴのゲートに接続するアドレス線
等の電極配線を薄く、細く、かつ長くすることが必要不
可欠である。
型液晶表示装置を高精細化、大面積化し、かつ画素の開
口率を上げるためには、ＴＦＴのソース、ドレインに接
続するデータ線やＴＦＴのゲートに接続するアドレス線
等の電極配線を薄く、細く、かつ長くすることが必要不
可欠である。
【０００４】しかもパルス信号の波形歪みをなくすため
には、配線抵抗を十分に低くしなければならないため、
配線用材料の抵抗率が小さくなければならない。しかも
例えばゲート線をガラス基板上に形成し、この上に絶縁
膜やａ−Ｓｉ膜を重ねてＴＦＴを構成する逆スタガー形
のＴＦＴ構造を採用する場合、アドレス線やＴＦＴのゲ
ートになるゲート電極線は、その後のプロセスに用いら
れるエッチングなどの薬品処理に耐えられる材料である
ことも要求される。
には、配線抵抗を十分に低くしなければならないため、
配線用材料の抵抗率が小さくなければならない。しかも
例えばゲート線をガラス基板上に形成し、この上に絶縁
膜やａ−Ｓｉ膜を重ねてＴＦＴを構成する逆スタガー形
のＴＦＴ構造を採用する場合、アドレス線やＴＦＴのゲ
ートになるゲート電極線は、その後のプロセスに用いら
れるエッチングなどの薬品処理に耐えられる材料である
ことも要求される。
【０００５】従来このような要素を満たすアドレス線や
ゲート電極配線材料として、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒなどの各
種金属膜、およびそれらの元素を含む合金膜が用いられ
ているが、さらに大面積化，高精細化を図るためにはよ
り低抵抗で加工性がよく、しかも各種薬品処理工程で耐
性が優れた材料が望まれている。
ゲート電極配線材料として、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒなどの各
種金属膜、およびそれらの元素を含む合金膜が用いられ
ているが、さらに大面積化，高精細化を図るためにはよ
り低抵抗で加工性がよく、しかも各種薬品処理工程で耐
性が優れた材料が望まれている。
【０００６】配線の抵抗率は１２インチ以下の６４０×
４８０画素のグラフィックアレイに対しては２０５μΩ
ｃｍ以下、１５インチ以下の１０２８×７６８画素のグ
ラフィックアレイに対しては１５μΩｃｍ以下、２０イ
ンチ以下の１２８０×１０２８画素の大型グラフィック
アレイに対しては１０μΩｃｍ以下が必要である。そこ
で、より低抵抗な配線材料として、例えばＡｌ，Ｃｕな
どの金属が考えられるが、例えばＡｌ，Ｃｕでアドレス
線や蓄積容量線を形成した場合、後工程におけるＩＴ
Ｏ，Ａｌ，ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ用エッチング溶液に対す
る耐性がないために断線が発生する等の問題がある。こ
のため図４に示すように基板１上のＡｌ配線膜２の表面
を耐酸性の良いＴａ，Ｃｒ層３で被覆した配線が使用さ
れているが、このような配線を用いると金属膜の形成工
程およびパターニング、エッチングの工程がそれぞれ１
回ずつ増えコストの増大という問題を発生する。また，
Ａｌの表面を陽極酸化して保護した配線も使用されてい
るが、Ａｌを陽極酸化するために配線をショートする必
要があるなど配線パターンの自由度が制限されまた陽極
酸化の際に配線のコンタクト部の酸化を防ぐためにレジ
スト等のマスクが必要であることからマスク工程が増加
してコストが増大するという問題があった。
４８０画素のグラフィックアレイに対しては２０５μΩ
ｃｍ以下、１５インチ以下の１０２８×７６８画素のグ
ラフィックアレイに対しては１５μΩｃｍ以下、２０イ
ンチ以下の１２８０×１０２８画素の大型グラフィック
アレイに対しては１０μΩｃｍ以下が必要である。そこ
で、より低抵抗な配線材料として、例えばＡｌ，Ｃｕな
どの金属が考えられるが、例えばＡｌ，Ｃｕでアドレス
線や蓄積容量線を形成した場合、後工程におけるＩＴ
Ｏ，Ａｌ，ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ用エッチング溶液に対す
る耐性がないために断線が発生する等の問題がある。こ
のため図４に示すように基板１上のＡｌ配線膜２の表面
を耐酸性の良いＴａ，Ｃｒ層３で被覆した配線が使用さ
れているが、このような配線を用いると金属膜の形成工
程およびパターニング、エッチングの工程がそれぞれ１
回ずつ増えコストの増大という問題を発生する。また，
Ａｌの表面を陽極酸化して保護した配線も使用されてい
るが、Ａｌを陽極酸化するために配線をショートする必
要があるなど配線パターンの自由度が制限されまた陽極
酸化の際に配線のコンタクト部の酸化を防ぐためにレジ
スト等のマスクが必要であることからマスク工程が増加
してコストが増大するという問題があった。
【０００７】また、データ線などのソース，ドレイン電
極配線を基板面に設けるスタガー型のＴＦＴ構造の場合
には、ソース，ドレイン電極材料に同様な特性が要求さ
れることになり、さらに同じ様な問題がＴＦＴ駆動でな
い液晶表示素子の場合にも存在する。
極配線を基板面に設けるスタガー型のＴＦＴ構造の場合
には、ソース，ドレイン電極材料に同様な特性が要求さ
れることになり、さらに同じ様な問題がＴＦＴ駆動でな
い液晶表示素子の場合にも存在する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記問配線の低抵抗化
として上記Ａｌ，Ｃｕの他、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの低抵抗
配線材料が考えられるが、Ａｌ，Ｃｕは非常に耐酸性，
耐アルカリ性が弱く、ＳｉＯ等の酸化膜で被覆しても後
工程の各種薬品処理によって絶縁膜のピンホール等を通
して薬品による配線材料の腐食によって断線を引き起こ
してしまう。又、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ，Ｐｔは基板への被
膜の付着性が弱く剥離しやすい。又、Ａｕ，ＰｔはＳｉ
Ｏ，ＳｉＮ等の絶縁膜をその上に形成した場合、密着性
が悪いために絶縁膜が剥がれやすいと言う問題が発生す
る。
として上記Ａｌ，Ｃｕの他、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの低抵抗
配線材料が考えられるが、Ａｌ，Ｃｕは非常に耐酸性，
耐アルカリ性が弱く、ＳｉＯ等の酸化膜で被覆しても後
工程の各種薬品処理によって絶縁膜のピンホール等を通
して薬品による配線材料の腐食によって断線を引き起こ
してしまう。又、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ，Ｐｔは基板への被
膜の付着性が弱く剥離しやすい。又、Ａｕ，ＰｔはＳｉ
Ｏ，ＳｉＮ等の絶縁膜をその上に形成した場合、密着性
が悪いために絶縁膜が剥がれやすいと言う問題が発生す
る。
【０００９】本発明はこのような事情に対処して、低抵
抗かつ後工程での各種薬品処理に対する耐性を持つ配線
材料、および構成が容易で基板への被着性がよく、信頼
性の高い配線層や電極層をもつ液晶表示装置の提供を目
的とする。
抗かつ後工程での各種薬品処理に対する耐性を持つ配線
材料、および構成が容易で基板への被着性がよく、信頼
性の高い配線層や電極層をもつ液晶表示装置の提供を目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板
と、これら基板間に挟持される液晶層と、前記基板の前
記液晶層側の表面に形成される電極および前記電極に電
気的に接続され前記基板の表面に配設される配線層とを
具備する液晶表示装置において、少なくとも前記配線層
がＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれた少なくと
も一種の第１の金属を主体にし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂから選ばれた少なくとも一種の第２
の金属を添加してなる金属層と、この金属層の表面を被
覆する、前記第２の金属の窒化物層とを有することを特
徴とする液晶表示装置を得るものである。
と、これら基板間に挟持される液晶層と、前記基板の前
記液晶層側の表面に形成される電極および前記電極に電
気的に接続され前記基板の表面に配設される配線層とを
具備する液晶表示装置において、少なくとも前記配線層
がＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれた少なくと
も一種の第１の金属を主体にし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂから選ばれた少なくとも一種の第２
の金属を添加してなる金属層と、この金属層の表面を被
覆する、前記第２の金属の窒化物層とを有することを特
徴とする液晶表示装置を得るものである。
【００１１】
【作用】本発明の配線材料は、低抵抗率の配線材料であ
る、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇ等に耐酸性が良くＮ
と反応しやすいＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ等を添加し表面
に耐食性が良く付着力の強いＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮを
形成することにより低抵抗で耐食性，付着力の良い配線
材料が実現できる。
る、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇ等に耐酸性が良くＮ
と反応しやすいＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ等を添加し表面
に耐食性が良く付着力の強いＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮを
形成することにより低抵抗で耐食性，付着力の良い配線
材料が実現できる。
【００１２】本発明によれば、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ
およびこれら金属を主とした合金表面に高耐薬品層を形
成させることにより、低抵抗であり、かつ耐薬品処理特
性においても優れた配線材料を提供できる。これらの金
属配線をアドレスラインとして用いることにより、欠陥
の少ない大面積，高精細，高画質の液晶ディスプレイ
（液晶表示装置）が実現できる。
およびこれら金属を主とした合金表面に高耐薬品層を形
成させることにより、低抵抗であり、かつ耐薬品処理特
性においても優れた配線材料を提供できる。これらの金
属配線をアドレスラインとして用いることにより、欠陥
の少ない大面積，高精細，高画質の液晶ディスプレイ
（液晶表示装置）が実現できる。
【００１３】本発明の配線材料は、低抵抗性かつ後工程
の耐各種薬品処理特性を満足する配線構造として低抵抗
率の配線材料である、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇの
第１の金属に、耐酸性が良く窒素と反応しやすいＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ等の易窒化金属を添加しＮＨ3 ，メチ
ルヒドラジン等の窒化性ガス中で熱処理とすることによ
りＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇと第２の金属の合金か
らなる導電層の表面にＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ，ＡｌＮ
等を形成する。ＴｉＮ等の窒化物は耐酸性が強く、基板
との付着力も強いためエッチャントにより腐食され断線
を発生することがなく、内部は低抵抗のＣｕ，Ａｌであ
るため全体として低抵抗で耐食性の良い配線材料が実現
できる。また内部のＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇ等に
も耐食性及び耐熱性の良いＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆを添加して
いるため、もし表面の窒化物が破れても内部のエッチン
グを防止することができる。
の耐各種薬品処理特性を満足する配線構造として低抵抗
率の配線材料である、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇの
第１の金属に、耐酸性が良く窒素と反応しやすいＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ等の易窒化金属を添加しＮＨ3 ，メチ
ルヒドラジン等の窒化性ガス中で熱処理とすることによ
りＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇと第２の金属の合金か
らなる導電層の表面にＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ，ＡｌＮ
等を形成する。ＴｉＮ等の窒化物は耐酸性が強く、基板
との付着力も強いためエッチャントにより腐食され断線
を発生することがなく、内部は低抵抗のＣｕ，Ａｌであ
るため全体として低抵抗で耐食性の良い配線材料が実現
できる。また内部のＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｇ等に
も耐食性及び耐熱性の良いＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆを添加して
いるため、もし表面の窒化物が破れても内部のエッチン
グを防止することができる。
【００１４】さらに、本発明に係る配線材料について詳
述する。ガラス基板上にそれぞれＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＡｌにＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆを１〜１０ａｔ％（原子
％）添加した合金膜をそれぞれスパッタ装置により成膜
した。それぞれの膜は、製膜後、またはアニール後にお
いて電気抵抗率はそれぞれ抵抗率が１０μΩｃｍ以下と
従来から用いられているＭｏ−Ｔａの約４５μΩｃｍ等
に対して、低抵抗配線材料として十分に低い値を得た。
述する。ガラス基板上にそれぞれＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＡｌにＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆを１〜１０ａｔ％（原子
％）添加した合金膜をそれぞれスパッタ装置により成膜
した。それぞれの膜は、製膜後、またはアニール後にお
いて電気抵抗率はそれぞれ抵抗率が１０μΩｃｍ以下と
従来から用いられているＭｏ−Ｔａの約４５μΩｃｍ等
に対して、低抵抗配線材料として十分に低い値を得た。
【００１５】これらの合金膜を燐酸系Ａｌエッチング液
と希ＨＦ，ＩＴＯエッチャント（ＨＣｌ，ＨＮＯ3 ，Ｈ
2 Ｏの混合液）に浸してエッチングさせた。Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ等の耐酸性金属が１ａｔ％以上添加されておれ
ば耐酸性に問題が無いことがわかった。抵抗率はＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆの添加量とともに増大し、１０％以下であれ
ば抵抗率の増大は３倍以下であり大型高精細ＴＦＴスイ
ッチング型液晶表示装置のアドレス線として使用できる
が、好ましくは５ａｔ％を使用した方が抵抗率が低い。
と希ＨＦ，ＩＴＯエッチャント（ＨＣｌ，ＨＮＯ3 ，Ｈ
2 Ｏの混合液）に浸してエッチングさせた。Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ等の耐酸性金属が１ａｔ％以上添加されておれ
ば耐酸性に問題が無いことがわかった。抵抗率はＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆの添加量とともに増大し、１０％以下であれ
ば抵抗率の増大は３倍以下であり大型高精細ＴＦＴスイ
ッチング型液晶表示装置のアドレス線として使用できる
が、好ましくは５ａｔ％を使用した方が抵抗率が低い。
【００１６】このように、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆを１ａｔ％
以上残すことによりＩＴＯエッチャントに対する耐酸性
が十分強くなり、断線の欠陥がほぼ零になった。
以上残すことによりＩＴＯエッチャントに対する耐酸性
が十分強くなり、断線の欠陥がほぼ零になった。
【００１７】また、液晶表示装置ではガラス等の耐熱性
の弱い基板を用いるために窒化処理温度は４５０℃以下
でなければならない。このためには、Ｎ2 ガスを用いる
と反応温度が８００℃程度であり高過ぎる。これに対
し、ＮＨ3 ，メチルヒドラジン等を用いることにより熱
処理温度を４５０℃以下に低くできた。Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆは窒化物の生成エンタルピー△ＨｆがＴｉＮが−８
０．８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、ＺｒＮが−８７．２、ＨｆＮ
が−８９．３と小さいため低温化が可能である。
の弱い基板を用いるために窒化処理温度は４５０℃以下
でなければならない。このためには、Ｎ2 ガスを用いる
と反応温度が８００℃程度であり高過ぎる。これに対
し、ＮＨ3 ，メチルヒドラジン等を用いることにより熱
処理温度を４５０℃以下に低くできた。Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆは窒化物の生成エンタルピー△ＨｆがＴｉＮが−８
０．８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、ＺｒＮが−８７．２、ＨｆＮ
が−８９．３と小さいため低温化が可能である。
【００１８】ＡｌＮの生成エンタルピーは−７４．８ｋ
ｃａｌ／ｍｏｌと少し大きいが、実用上は使用できる。
また、ＮＨ3 ，メチルヒドラジンをプラズマ中で分解す
ることにより３００℃以下に窒化温度を低温化できた。
ｃａｌ／ｍｏｌと少し大きいが、実用上は使用できる。
また、ＮＨ3 ，メチルヒドラジンをプラズマ中で分解す
ることにより３００℃以下に窒化温度を低温化できた。
【００１９】またＣｕ、ＡｇやＡｌ等の低融点で低抵抗
な金属との合金化により、ＴｉＮ、ＺｒＮやＡｌＮの形
成温度を低温化できた。Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのそれぞれの
添加量は１〜１０ａｔ％が窒化温度，抵抗率より良好で
あった。
な金属との合金化により、ＴｉＮ、ＺｒＮやＡｌＮの形
成温度を低温化できた。Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのそれぞれの
添加量は１〜１０ａｔ％が窒化温度，抵抗率より良好で
あった。
【００２０】熱処理条件は金属の組み合わせにより適宜
選択すれば良く、２５０〜４５０℃の間で選択すれば良
い。これにより内部のＺｒ，Ｔｉ，Ｈｆの量を制御でき
１〜５％の間で制御すれば低抵抗で耐食性，付着力の良
い配線が実現できた。グラフィックアレイ（ＶＧＡ）用
のためには１〜１０ａｔ％以下が好ましく、これより大
きなＶＧＡのためには１〜５ａｔ％、１０８０×１０２
８画素のスーパーエクステンドグラフィックアレイ（Ｓ
ＸＧＡ）用としては０．５〜３ａｔ％が抵抗率の点から
好ましい。
選択すれば良く、２５０〜４５０℃の間で選択すれば良
い。これにより内部のＺｒ，Ｔｉ，Ｈｆの量を制御でき
１〜５％の間で制御すれば低抵抗で耐食性，付着力の良
い配線が実現できた。グラフィックアレイ（ＶＧＡ）用
のためには１〜１０ａｔ％以下が好ましく、これより大
きなＶＧＡのためには１〜５ａｔ％、１０８０×１０２
８画素のスーパーエクステンドグラフィックアレイ（Ｓ
ＸＧＡ）用としては０．５〜３ａｔ％が抵抗率の点から
好ましい。
【００２１】窒化ガスとしてはメチルヒドラジン（ＣＨ
3 ＮＨＮＨ2 ）に限らず、ヒドラジン（ＮＨ2 Ｎ
Ｈ2 ），エチルアニリン（Ｃ2 Ｈ5 ＮＨＣ2 Ｈ5 ），Ｎ
Ｈ3 等の他のガスを用いても良い。またＮＨ3 またはメ
チルヒドラジンガスをプラズマ中で分解して熱処理する
ことによりＺｒＮ形成温度を２５０〜３００℃まで低温
化できた。このように気相から窒化することにより、基
板界面にも窒化膜が形成されるため基板界面部の耐酸性
も向上し、また付着力も向上した。このためプラズマや
イオン注入により表面のみ窒化した場合よりも更に耐酸
性が良く、歩留まりが向上した。
3 ＮＨＮＨ2 ）に限らず、ヒドラジン（ＮＨ2 Ｎ
Ｈ2 ），エチルアニリン（Ｃ2 Ｈ5 ＮＨＣ2 Ｈ5 ），Ｎ
Ｈ3 等の他のガスを用いても良い。またＮＨ3 またはメ
チルヒドラジンガスをプラズマ中で分解して熱処理する
ことによりＺｒＮ形成温度を２５０〜３００℃まで低温
化できた。このように気相から窒化することにより、基
板界面にも窒化膜が形成されるため基板界面部の耐酸性
も向上し、また付着力も向上した。このためプラズマや
イオン注入により表面のみ窒化した場合よりも更に耐酸
性が良く、歩留まりが向上した。
【００２２】以上において、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの量を５
〜１０ａｔ％に増加すれば表面を窒化しなくても耐酸
性，付着力は十分良いため使用可能であるが、抵抗率が
高くなるため表面を窒化し内部のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆの量
を減らして抵抗率を下げた方が大型高精細には好適であ
る。
〜１０ａｔ％に増加すれば表面を窒化しなくても耐酸
性，付着力は十分良いため使用可能であるが、抵抗率が
高くなるため表面を窒化し内部のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆの量
を減らして抵抗率を下げた方が大型高精細には好適であ
る。
【００２３】窒化させる金属としては窒化物の生成エン
タルピー△Ｈｆが小さい方が良く、−６０ｋｃａｌ／ｍ
ｏｌ以下の物が良く、Ａｌ（−７４．８）、Ｔｉ（−８
０．８）、Ｚｒ（−８７．２）、Ｈｆ（−８９．３）や
Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｓｃ、Ｔｈ（−９３．５）があり、上
述のＴｉ，Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ以外にＴａ，Ｓｉ，Ｂを用
いることができる。
タルピー△Ｈｆが小さい方が良く、−６０ｋｃａｌ／ｍ
ｏｌ以下の物が良く、Ａｌ（−７４．８）、Ｔｉ（−８
０．８）、Ｚｒ（−８７．２）、Ｈｆ（−８９．３）や
Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｓｃ、Ｔｈ（−９３．５）があり、上
述のＴｉ，Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ以外にＴａ，Ｓｉ，Ｂを用
いることができる。
【００２４】窒化はゲート絶縁膜堆積前に形成し、成膜
装置の基板加熱時に行うことにより工程の増加無しに実
行でき、コストは増加しない。
装置の基板加熱時に行うことにより工程の増加無しに実
行でき、コストは増加しない。
【００２５】本発明において、配線層の主体となる第１
の金属にＡｌを用いた場合、易窒化金属である第２の金
属にＡｌを選ぶと、結果として第１と第２の金属が同じ
Ａｌになる。しかしながら、Ａｌ配線をＡｌＮで覆う構
成によって所期の低抵抗率を維持しつつ、耐薬品性、被
着性の良好な配線層やこれと同時に形成する電極層を得
ることができる。
の金属にＡｌを用いた場合、易窒化金属である第２の金
属にＡｌを選ぶと、結果として第１と第２の金属が同じ
Ａｌになる。しかしながら、Ａｌ配線をＡｌＮで覆う構
成によって所期の低抵抗率を維持しつつ、耐薬品性、被
着性の良好な配線層やこれと同時に形成する電極層を得
ることができる。
【００２６】第１の金属が耐酸性の低いＣｕ，Ａｌの場
合、第２の金属群としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆの窒化性の強
い易窒化金属とＡｕ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ａｇ，Ｓｍ等
の希土類などの耐酸性が強く易窒化金属よりも窒化性の
小さい耐酸性金属をともに添加し、窒化処理時にＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ等の窒化性の強い易窒化金属を表面で完全に
反応させ、内部には耐酸性の強い耐酸性金属を残し、プ
ロセスマージンを大きくすることもできる。合金の抵抗
率は添加金属の量により変化するため易窒化金属のみを
添加する場合、易窒化金属の窒化の度合により内部に残
る添加金属の量が変化し抵抗率がバラ付くことがあるの
を防止し、製造マージンを大きくすることができる。
合、第２の金属群としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆの窒化性の強
い易窒化金属とＡｕ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ａｇ，Ｓｍ等
の希土類などの耐酸性が強く易窒化金属よりも窒化性の
小さい耐酸性金属をともに添加し、窒化処理時にＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ等の窒化性の強い易窒化金属を表面で完全に
反応させ、内部には耐酸性の強い耐酸性金属を残し、プ
ロセスマージンを大きくすることもできる。合金の抵抗
率は添加金属の量により変化するため易窒化金属のみを
添加する場合、易窒化金属の窒化の度合により内部に残
る添加金属の量が変化し抵抗率がバラ付くことがあるの
を防止し、製造マージンを大きくすることができる。
【００２７】さらに、易窒化金属と耐酸性金属の選択法
としてはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｃ，Ｓｉのような窒化性
の強い金属の中より２種類選択し、例えばＺｒのように
同群のうち窒化性の一番大きな金属を窒化し、Ｔｉのよ
うに少し窒化性の弱い金属を耐酸性向上用の金属として
選択することもできる。
としてはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｃ，Ｓｉのような窒化性
の強い金属の中より２種類選択し、例えばＺｒのように
同群のうち窒化性の一番大きな金属を窒化し、Ｔｉのよ
うに少し窒化性の弱い金属を耐酸性向上用の金属として
選択することもできる。
【００２８】本発明における配線材料は逆スタガー形の
ＴＦＴに限るものではなく、エッチングスットパー／逆
スタガー形、バックチャネル／逆スタガー形、スタガー
形ＴＦＴにおいても差し支えない。又、ゲート線に限ら
ず信号線等に用いても良い。また、ＴＦＴの半導体膜は
ａ−Ｓｉ膜に限ったものではなく、ポリシリコン膜であ
っても何等差し支えない。
ＴＦＴに限るものではなく、エッチングスットパー／逆
スタガー形、バックチャネル／逆スタガー形、スタガー
形ＴＦＴにおいても差し支えない。又、ゲート線に限ら
ず信号線等に用いても良い。また、ＴＦＴの半導体膜は
ａ−Ｓｉ膜に限ったものではなく、ポリシリコン膜であ
っても何等差し支えない。
【００２９】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
【００３０】（実施例１）図１乃至図３は本実施例をＴ
ＦＴスイッチングを用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置に適用して示すものである。図１に示すよう
に、液晶表示装置１０は、一方の面にＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）膜の透明共通電極１３を形成したガラスの
観察側基板１１と、一方の面にＩＴＯ膜の透明画素電極
１４を形成した対向基板１２とを、各電極側の面を対面
させて配置する。
ＦＴスイッチングを用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置に適用して示すものである。図１に示すよう
に、液晶表示装置１０は、一方の面にＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）膜の透明共通電極１３を形成したガラスの
観察側基板１１と、一方の面にＩＴＯ膜の透明画素電極
１４を形成した対向基板１２とを、各電極側の面を対面
させて配置する。
【００３１】両基板１１、１２は基板間隙剤を介して数
μｍの間隙をおいて配置されて周縁を封着され、この間
隙に液晶層１５が充填されて基板により挟持される。
μｍの間隙をおいて配置されて周縁を封着され、この間
隙に液晶層１５が充填されて基板により挟持される。
【００３２】画素電極１４のある対向基板１２はマトリ
クス基板と称され、図３に示す回路と平面的に等価な２
次面配列で画素電極１４、ＴＦＴスイッチング素子１６
およびアドレス線（ゲート線）１７、データ線１８、蓄
積容量線１９が配置される。
クス基板と称され、図３に示す回路と平面的に等価な２
次面配列で画素電極１４、ＴＦＴスイッチング素子１６
およびアドレス線（ゲート線）１７、データ線１８、蓄
積容量線１９が配置される。
【００３３】すなわち、画面表示の行方向に延長された
ｎ本のアドレス線１７と列方向に延長されたｍ本のデー
タ線１８とがマトリクス状に配置され、さらに各アドレ
ス線に平行に蓄積容量線１９が配置される。
ｎ本のアドレス線１７と列方向に延長されたｍ本のデー
タ線１８とがマトリクス状に配置され、さらに各アドレ
ス線に平行に蓄積容量線１９が配置される。
【００３４】アドレス線とデータ線が囲む領域単位にＴ
ＦＴスイッチング素子１６と画素電極１４が形成され、
ＴＦＴ１６はアドレス線１７とデータ線１８に領域単位
の交差部で電気的に接続される。すなわち、ＴＦＴのド
レイン電極がデータ線１８に、ソース電極が画素電極１
４に、ゲート電極がアドレス線１７に接続される。、な
お、図において、符号１５ａは領域単位の液晶層部分す
なわち領域単位で画素電極１４と共通電極１３に挟まれ
た液晶層部分であり、各１画素を形成する。
ＦＴスイッチング素子１６と画素電極１４が形成され、
ＴＦＴ１６はアドレス線１７とデータ線１８に領域単位
の交差部で電気的に接続される。すなわち、ＴＦＴのド
レイン電極がデータ線１８に、ソース電極が画素電極１
４に、ゲート電極がアドレス線１７に接続される。、な
お、図において、符号１５ａは領域単位の液晶層部分す
なわち領域単位で画素電極１４と共通電極１３に挟まれ
た液晶層部分であり、各１画素を形成する。
【００３５】図２はガラス基板１２上のＴＦＴスイッチ
ング素子１６、アドレス線から一体的に延長されたゲー
ト電極線１７ａ、蓄積容量線１９の配置断面を拡大して
示すもので、ゲート電極線１７ａはＣｕとＺｒの合金か
らなる導電層２０ａとこれを被覆するＺｒＮ窒化層２１
ａからなる。ＺｒＮ層２１ａは導電層２０ａと基板１２
間にも介在する。
ング素子１６、アドレス線から一体的に延長されたゲー
ト電極線１７ａ、蓄積容量線１９の配置断面を拡大して
示すもので、ゲート電極線１７ａはＣｕとＺｒの合金か
らなる導電層２０ａとこれを被覆するＺｒＮ窒化層２１
ａからなる。ＺｒＮ層２１ａは導電層２０ａと基板１２
間にも介在する。
【００３６】同様に蓄積容量線１９は、ＣｕとＺｒの合
金からなる導電層２０ｂとこれを被覆するＺｒＮ絶縁層
２１ｂからなる。図２に図示しないがアドレス線１７も
同時にパターン形成する。
金からなる導電層２０ｂとこれを被覆するＺｒＮ絶縁層
２１ｂからなる。図２に図示しないがアドレス線１７も
同時にパターン形成する。
【００３７】これら電極層１７ａ、配線層１７、１９を
形成した基板上に、絶縁膜２２が堆積され、その上面の
ＴＦＴ領域に（ａ−Ｓｉ）層１６ａが形成され、さら
に、ドレイン電極層１６ｂおよびソース電極層１６ｃが
形成される。一方、蓄積容量線１９上の画素領域にＩＴ
Ｏからなる画素電極１４が形成され、ソース電極層１６
ｃと電気的に接続される。ドレイン電極層１６ｂは図２
では示しないが、データ線に電気的に接続される。
形成した基板上に、絶縁膜２２が堆積され、その上面の
ＴＦＴ領域に（ａ−Ｓｉ）層１６ａが形成され、さら
に、ドレイン電極層１６ｂおよびソース電極層１６ｃが
形成される。一方、蓄積容量線１９上の画素領域にＩＴ
Ｏからなる画素電極１４が形成され、ソース電極層１６
ｃと電気的に接続される。ドレイン電極層１６ｂは図２
では示しないが、データ線に電気的に接続される。
【００３８】この構成のアドレス線１７、ゲート電極線
１７ａおよび蓄積容量線１９の製法をさらに説明する。
１７ａおよび蓄積容量線１９の製法をさらに説明する。
【００３９】まず、ガラス基板１２上にＣｕとＺｒを同
時にスパッタし，Ｚｒ１０ａｔ％（原子％）のＣｕＺｒ
合金膜を３０００Ａ（オングストローム）堆積させ、燐
酸系溶液によりエッチングを行って、線幅２０μｍのア
ドレス線１７、線幅１２μｍのゲート電極線１７ａおよ
び線幅３５μｍの蓄積容量線１９のＣｕＺｒ合金層パタ
ーンを形成した。
時にスパッタし，Ｚｒ１０ａｔ％（原子％）のＣｕＺｒ
合金膜を３０００Ａ（オングストローム）堆積させ、燐
酸系溶液によりエッチングを行って、線幅２０μｍのア
ドレス線１７、線幅１２μｍのゲート電極線１７ａおよ
び線幅３５μｍの蓄積容量線１９のＣｕＺｒ合金層パタ
ーンを形成した。
【００４０】次に、メチルヒドラジン雰囲気中で４００
℃で熱処理し、パターン中のＺｒを窒化し表面にＺｒＮ
の窒化層２１ａ、２１ｂを形成した。すなわち、この熱
処理によりＣｕＺｒ合金層のＺｒが表面に拡散して窒化
してＺｒＮの窒化層２１ａ、２１ｂになり内部のＣｕＺ
ｒ導電層２０ａ、２０ｂ中のＺｒの密度は減少し２ａｔ
％になった。窒化層２１ａ、２１ｂは導電層と基板１２
間にも形成された。導電層表面の窒化層の膜厚は１００
０Ａであった。
℃で熱処理し、パターン中のＺｒを窒化し表面にＺｒＮ
の窒化層２１ａ、２１ｂを形成した。すなわち、この熱
処理によりＣｕＺｒ合金層のＺｒが表面に拡散して窒化
してＺｒＮの窒化層２１ａ、２１ｂになり内部のＣｕＺ
ｒ導電層２０ａ、２０ｂ中のＺｒの密度は減少し２ａｔ
％になった。窒化層２１ａ、２１ｂは導電層と基板１２
間にも形成された。導電層表面の窒化層の膜厚は１００
０Ａであった。
【００４１】次にプラズマＣＶＤ法により絶縁膜２２と
して３０００ＡのＳｉＯｘ２２ａ、５００ＡのＳｉＮｘ
２２ｂを積層し、さらにアンドープ（ａ−Ｓｉ）１６ａ
を１０００Ａ、ストッパーＳｉＮｘ１６ｄを２０００Ａ
堆積した。ストッパーＳｉＮｘをエッチングした後、ｎ
＋の（ａ−Ｓｉ）１６ｅを５００Ａ堆積した。Ｍｏを５
００Ａ堆積した後にパターニングしてａ−Ｓｉの島を形
成した。ＩＴＯ画素電極１４を形成した後にコンタクト
ホールを開口した。この後、ドレイン電極層１６ｂおよ
びソース電極層１６ｃとなるＭｏ層を５００Ａ，Ａｌ層
を０．５μｍ堆積した後、Ａｌエッチング液により、同
ドレイン電極１６ｂ及びソース電極１６ｃを形成した。
このアルミＡｌ層０．５μｍの形成時に、同時にデータ
線パターンを形成しておき、データ線１８をＡｌで形成
する。
して３０００ＡのＳｉＯｘ２２ａ、５００ＡのＳｉＮｘ
２２ｂを積層し、さらにアンドープ（ａ−Ｓｉ）１６ａ
を１０００Ａ、ストッパーＳｉＮｘ１６ｄを２０００Ａ
堆積した。ストッパーＳｉＮｘをエッチングした後、ｎ
＋の（ａ−Ｓｉ）１６ｅを５００Ａ堆積した。Ｍｏを５
００Ａ堆積した後にパターニングしてａ−Ｓｉの島を形
成した。ＩＴＯ画素電極１４を形成した後にコンタクト
ホールを開口した。この後、ドレイン電極層１６ｂおよ
びソース電極層１６ｃとなるＭｏ層を５００Ａ，Ａｌ層
を０．５μｍ堆積した後、Ａｌエッチング液により、同
ドレイン電極１６ｂ及びソース電極１６ｃを形成した。
このアルミＡｌ層０．５μｍの形成時に、同時にデータ
線パターンを形成しておき、データ線１８をＡｌで形成
する。
【００４２】次にｎ＋（ａ−Ｓｉ）１６ｅをＣＤＥによ
りエッチングし、次いでＳｉＮｘの保護膜を形成し、コ
ンタクト部に開口を設けてＴＦＴアレイを完成した。
りエッチングし、次いでＳｉＮｘの保護膜を形成し、コ
ンタクト部に開口を設けてＴＦＴアレイを完成した。
【００４３】このように構成された液晶駆動用マトリク
ス基板１２では、アドレス線として従来用いられている
Ｍｏ−Ｔａ合金等の抵抗率約３０〜４５μΩｃｍに比
べ、１０μΩｃｍ未満と１／３〜１／４以上も小さい値
が得られ、従来よりもアドレス線の幅を小さくできるた
め開口率の拡大がはかれ、また従来より大面積，高精
細，高画質の液晶ディスプレイに対応して配線長の増大
にも対応できる。また、表面の窒化によりＩＴＯ，Ａ
ｌ，ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘエッチング溶液に対する耐性も
向上しているために、Ａｌ，Ｃｕやこれらの合金をゲー
ト線に用いた場合に比べ、断線による欠陥が飛躍的に減
少した。
ス基板１２では、アドレス線として従来用いられている
Ｍｏ−Ｔａ合金等の抵抗率約３０〜４５μΩｃｍに比
べ、１０μΩｃｍ未満と１／３〜１／４以上も小さい値
が得られ、従来よりもアドレス線の幅を小さくできるた
め開口率の拡大がはかれ、また従来より大面積，高精
細，高画質の液晶ディスプレイに対応して配線長の増大
にも対応できる。また、表面の窒化によりＩＴＯ，Ａ
ｌ，ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘエッチング溶液に対する耐性も
向上しているために、Ａｌ，Ｃｕやこれらの合金をゲー
ト線に用いた場合に比べ、断線による欠陥が飛躍的に減
少した。
【００４４】（実施例２）実施例１と同様にＡｕに１０
ａｔ％Ｚｒを添加した。ＡｕはＣｕに比べて耐酸性が良
いため内部にＺｒを残す必要がないため、４３０℃で時
間を長くして十分にＺｒを窒化した。内部のＺｒ量は
０．５しょうＲ融点が低いためＣｕよりａｔ％以下であ
った。これにより抵抗率は３μΩｃｍ以下と十分に低く
できた。
ａｔ％Ｚｒを添加した。ＡｕはＣｕに比べて耐酸性が良
いため内部にＺｒを残す必要がないため、４３０℃で時
間を長くして十分にＺｒを窒化した。内部のＺｒ量は
０．５しょうＲ融点が低いためＣｕよりａｔ％以下であ
った。これにより抵抗率は３μΩｃｍ以下と十分に低く
できた。
【００４５】（実施例３）実施例１と同様にＡｌに１０
ａｔ％Ｚｒを添加した。ＡｌはＣｕに比べて融点が低い
ためＣｕより低い３００〜３５０℃で窒化できた。内部
のＺｒ量は２ａｔ％であった。これにより抵抗率は１０
μΩｃｍ以下であった。
ａｔ％Ｚｒを添加した。ＡｌはＣｕに比べて融点が低い
ためＣｕより低い３００〜３５０℃で窒化できた。内部
のＺｒ量は２ａｔ％であった。これにより抵抗率は１０
μΩｃｍ以下であった。
【００４６】（実施例４）実施例１と同様にＣｕに１０
ａｔ％Ｚｒ、３ａｔ％Ｔｉを添加した。４００℃で窒化
したところ、Ｚｒは窒化しやすいためほぼ全部が表面で
窒化し、内部には２．５ａｔ％のＴｉが残り、実施例１
に比べ内部のＴｉ量をよく制御できた。抵抗率は１０μ
Ωｃｍ以下と低くできた。
ａｔ％Ｚｒ、３ａｔ％Ｔｉを添加した。４００℃で窒化
したところ、Ｚｒは窒化しやすいためほぼ全部が表面で
窒化し、内部には２．５ａｔ％のＴｉが残り、実施例１
に比べ内部のＴｉ量をよく制御できた。抵抗率は１０μ
Ωｃｍ以下と低くできた。
【００４７】（実施例５）実施例１と同様にＣｕに１０
ａｔ％Ｈｆ、３ａｔ％Ｔａを添加した。４００℃で窒化
したところ、ＨｆはＺｒよりも窒化しやすく、ＴａはＴ
ｉよりも窒化しにくいためＨｆはほぼ全部が表面で窒化
し、内部には３ａｔ％のＴａが残り、実施例４に比べて
内部のＴａ量をさらに良く制御できた。抵抗率は１０μ
Ωｃｍ以下と低くできた。
ａｔ％Ｈｆ、３ａｔ％Ｔａを添加した。４００℃で窒化
したところ、ＨｆはＺｒよりも窒化しやすく、ＴａはＴ
ｉよりも窒化しにくいためＨｆはほぼ全部が表面で窒化
し、内部には３ａｔ％のＴａが残り、実施例４に比べて
内部のＴａ量をさらに良く制御できた。抵抗率は１０μ
Ωｃｍ以下と低くできた。
【００４８】（実施例６）実施例１と同様にＡｕに１ａ
ｔ％Ｔｉを添加した。４３０℃で十分に窒化し、Ｔｉを
ほぼ全部表面で窒化し内部には初期の添加量とほとんど
変わらない１ａｔ％のＴｉが残り、実施例５に比べて内
部のＴｉ量をさらに良く制御できた。抵抗率は３μΩｃ
ｍ以下と低くできた。
ｔ％Ｔｉを添加した。４３０℃で十分に窒化し、Ｔｉを
ほぼ全部表面で窒化し内部には初期の添加量とほとんど
変わらない１ａｔ％のＴｉが残り、実施例５に比べて内
部のＴｉ量をさらに良く制御できた。抵抗率は３μΩｃ
ｍ以下と低くできた。
【００４９】（実施例７）実施例１と同様にＡｌ０メチ
ルヒドラジンで３００〜３５０℃で窒化した。Ａｌを用
いたため窒化温度を十分に低温化できた。表面は窒化し
内部はＡｌであった。Ａｌを用いたため抵抗率は３μΩ
ｃｍ以下とほぼＡｌと等しい値まで十分に低くできた。
ルヒドラジンで３００〜３５０℃で窒化した。Ａｌを用
いたため窒化温度を十分に低温化できた。表面は窒化し
内部はＡｌであった。Ａｌを用いたため抵抗率は３μΩ
ｃｍ以下とほぼＡｌと等しい値まで十分に低くできた。
【００５０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係わる配線
材料は、低抵抗性を具備しかつ、後工程における高耐薬
品特性をも具備し、しかも低温処理が必要なガラス基板
への被着性がよい。したがって、各種電子部品の信号用
配線に利用した場合良好な機能発揮に大きく寄与する。
また、液晶装置の信号配線や実装する駆動用半導体素子
の電極の形成として用いた場合は、低抵抗なアドレスラ
イン等を実現できる。さらに、この配線層は液晶表示装
置製造工程でのパターニングやエッチングを増やさずに
熱処理のみで得られ、しかもその後の熱処理構成やエッ
チング工程を経ても低抵抗配線層として優れた特性を発
揮する。
材料は、低抵抗性を具備しかつ、後工程における高耐薬
品特性をも具備し、しかも低温処理が必要なガラス基板
への被着性がよい。したがって、各種電子部品の信号用
配線に利用した場合良好な機能発揮に大きく寄与する。
また、液晶装置の信号配線や実装する駆動用半導体素子
の電極の形成として用いた場合は、低抵抗なアドレスラ
イン等を実現できる。さらに、この配線層は液晶表示装
置製造工程でのパターニングやエッチングを増やさずに
熱処理のみで得られ、しかもその後の熱処理構成やエッ
チング工程を経ても低抵抗配線層として優れた特性を発
揮する。
【図１】本発明の実施例の液晶表示素子の概略断面図。
【図２】本発明の実施例の要部を拡大して示す断面図。
【図３】本発明の実施例のアクティブマトリクス型液晶
表示素子の等価回路図。
表示素子の等価回路図。
【図４】従来例のアクティブマトリクス型基板の要素構
成を示す断面図。
成を示す断面図。
１１…観察側基板 １２…対向基板 １３…透明共通電極 １４…透明画素電極 １５…液晶層 １６…ＴＦＴスイッチング素子 １７…アドレス線 １７ａ…ゲート電極線 １８…データ線 １９…蓄積容量線 ２０ａ、２０ｂ…導電層 ２１ａ、２０ｂ…窒化層
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の基板と、これら基板間に挟持され
る液晶層と、前記基板の前記液晶層側の表面に形成され
る電極および前記電極に電気的に接続され前記基板の表
面に配設される配線層とを具備する液晶表示装置におい
て、少なくとも前記配線層がＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｔから選ばれた少なくとも一種の第１の金属を主体に
し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂから選ば
れた少なくとも一種の第２の金属を添加してなる導電層
と、この導電層の表面を被覆する、前記第２の金属の窒
化物層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229795A JPH08248442A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229795A JPH08248442A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248442A true JPH08248442A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12910870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5229795A Pending JPH08248442A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248442A (ja) |
Cited By (14)
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-
1995
- 1995-03-13 JP JP5229795A patent/JPH08248442A/ja active Pending
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