JPH08248451A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
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- JPH08248451A JPH08248451A JP7074729A JP7472995A JPH08248451A JP H08248451 A JPH08248451 A JP H08248451A JP 7074729 A JP7074729 A JP 7074729A JP 7472995 A JP7472995 A JP 7472995A JP H08248451 A JPH08248451 A JP H08248451A
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- electrochromic
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エレクトロクロミック素子の低温環境での着
色特性（着色速度、着消色のコントラスト比）を改善す
る。 【構成】 一対の透明導電層の間に還元発色性エレクト
ロクロミック層と透明イオン導電層を有するエレクトロ
クロミック機能層と、ＩＴＯからなる透明発熱体層を含
む反射防止層が、透明ガラス基板を挟んで形成された構
成を有することを特徴とする。
色特性（着色速度、着消色のコントラスト比）を改善す
る。 【構成】 一対の透明導電層の間に還元発色性エレクト
ロクロミック層と透明イオン導電層を有するエレクトロ
クロミック機能層と、ＩＴＯからなる透明発熱体層を含
む反射防止層が、透明ガラス基板を挟んで形成された構
成を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示素子や透過率可変
フィルターとして応用されるエレクトロクロミック素子
に関する。
フィルターとして応用されるエレクトロクロミック素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加することにより着消色するエ
レクトロクロミック（以下、「ＥＣ」と記す）素子は、
液晶素子等と比較して、消色時の透過率が高い、偏光の
影響を受けない、メモリー性があるといった特徴がある
ため、表示素子や透過率可変フィルター等への応用につ
いて研究されている。
レクトロクロミック（以下、「ＥＣ」と記す）素子は、
液晶素子等と比較して、消色時の透過率が高い、偏光の
影響を受けない、メモリー性があるといった特徴がある
ため、表示素子や透過率可変フィルター等への応用につ
いて研究されている。
【０００３】その一つとして、還元発色性エレクトロク
ロミック層にＷＯ3 を用いたＥＣ素子が、特公昭５２−
４６０９８号において提案されている。
ロミック層にＷＯ3 を用いたＥＣ素子が、特公昭５２−
４６０９８号において提案されている。
【０００４】このＷＯ3 が着色するには、水が電場中で
分解したＨ+ カチオンが必要で、着色時には、 ＷＯ3 （無着色）＋ｎｅ- ＋ｎＨ+ →Ｈn ＷＯ3 （着色） ｎＨ2 Ｏ→ｎＨ+ ＋ｎＯＨ- という反応が推定されている。
分解したＨ+ カチオンが必要で、着色時には、 ＷＯ3 （無着色）＋ｎｅ- ＋ｎＨ+ →Ｈn ＷＯ3 （着色） ｎＨ2 Ｏ→ｎＨ+ ＋ｎＯＨ- という反応が推定されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た様にＷＯ3 の着色には水が必要不可欠であるため、Ｅ
Ｃ素子を例えばスキー場の様な氷点下で使用した場合、
着色しなかったり、着色速度が遅くなるという問題点が
あった。
た様にＷＯ3 の着色には水が必要不可欠であるため、Ｅ
Ｃ素子を例えばスキー場の様な氷点下で使用した場合、
着色しなかったり、着色速度が遅くなるという問題点が
あった。
【０００６】また、ＥＣ素子の低温環境での着色速度の
改善としては、特開昭６１−５９３１７号公報で提案さ
れているが、これは着色と発熱を同一の導電膜で行って
いるため、回路が複雑になったり、発熱だけのために電
圧を高くできないという問題点があった。
改善としては、特開昭６１−５９３１７号公報で提案さ
れているが、これは着色と発熱を同一の導電膜で行って
いるため、回路が複雑になったり、発熱だけのために電
圧を高くできないという問題点があった。
【０００７】従って、本発明の目的は、ＥＣ素子の低温
環境での着色特性（着色速度、着消色のコントラスト
比）を簡単な構造で改善することにある。
環境での着色特性（着色速度、着消色のコントラスト
比）を簡単な構造で改善することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するための本発明の構成は以下の通りである。
するための本発明の構成は以下の通りである。
【０００９】即ち、本発明の第一は、一対の電極層の間
に少なくとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明
イオン導電層を有するエレクトロクロミック機能層と、
発熱体層が、基板を挟んで形成された構成を有すること
を特徴とするエレクトロクロミック素子にある。
に少なくとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明
イオン導電層を有するエレクトロクロミック機能層と、
発熱体層が、基板を挟んで形成された構成を有すること
を特徴とするエレクトロクロミック素子にある。
【００１０】本発明の第二は、一対の電極層の間に少な
くとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明イオン
導電層を有するエレクトロクロミック機能層が形成され
た基板Ａと、発熱体層が形成された基板Ｂを、前記エレ
クトロクロミック機能層と前記発熱体層を内側にして、
若しくは前記エレクトロクロミック機能層を内側に前記
発熱体層を外側にして対向配置した構成を有することを
特徴とするエレクトロクロミック素子にある。
くとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明イオン
導電層を有するエレクトロクロミック機能層が形成され
た基板Ａと、発熱体層が形成された基板Ｂを、前記エレ
クトロクロミック機能層と前記発熱体層を内側にして、
若しくは前記エレクトロクロミック機能層を内側に前記
発熱体層を外側にして対向配置した構成を有することを
特徴とするエレクトロクロミック素子にある。
【００１１】本発明の第三は、一対の透明電極層の間に
少なくとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明イ
オン導電層を有するエレクトロクロミック機能層と、透
明発熱体層が、透明基板を挟んで形成された構成を有す
ることを特徴とするエレクトロクロミック素子にある。
少なくとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明イ
オン導電層を有するエレクトロクロミック機能層と、透
明発熱体層が、透明基板を挟んで形成された構成を有す
ることを特徴とするエレクトロクロミック素子にある。
【００１２】本発明の第四は、一対の透明電極層の間に
少なくとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明イ
オン導電層を有するエレクトロクロミック機能層が形成
された透明基板Ａと、透明発熱体層が形成された透明基
板Ｂを、前記エレクトロクロミック機能層と前記透明発
熱体層を内側にして、若しくは前記エレクトロクロミッ
ク機能層を内側に前記透明発熱体層を外側にして対向配
置した構成を有することを特徴とするエレクトロクロミ
ック素子にある。
少なくとも還元発色性エレクトロクロミック層と透明イ
オン導電層を有するエレクトロクロミック機能層が形成
された透明基板Ａと、透明発熱体層が形成された透明基
板Ｂを、前記エレクトロクロミック機能層と前記透明発
熱体層を内側にして、若しくは前記エレクトロクロミッ
ク機能層を内側に前記透明発熱体層を外側にして対向配
置した構成を有することを特徴とするエレクトロクロミ
ック素子にある。
【００１３】本発明のエレクトロクロミック素子は、発
熱体層に電圧を印加することでこれを発熱させることに
より、氷点下の環境で使用する場合においても良好な着
色特性を示すものである。
熱体層に電圧を印加することでこれを発熱させることに
より、氷点下の環境で使用する場合においても良好な着
色特性を示すものである。
【００１４】前記本発明の第三及び第四は、特に透過型
のエレクトロクロミック素子に係るものであり、本発明
第三では前記透明発熱体層の上に更に反射防止層が形成
されていることが望ましく、本発明第四では前記透明基
板Ａの外側の面と、前記透明基板Ｂの外側の面に、反射
防止層が形成されていることが望ましい。これにより、
透過型エレクトロクロミック素子の光学特性を向上する
ことができる。
のエレクトロクロミック素子に係るものであり、本発明
第三では前記透明発熱体層の上に更に反射防止層が形成
されていることが望ましく、本発明第四では前記透明基
板Ａの外側の面と、前記透明基板Ｂの外側の面に、反射
防止層が形成されていることが望ましい。これにより、
透過型エレクトロクロミック素子の光学特性を向上する
ことができる。
【００１５】本発明の第三及び第四に係る透明電極層と
しては、例えばＩＴＯ（ＳｎＯ2 含有Ｉｎ2 Ｏ3 ），Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 等を用いることができるが、光学特
性や抵抗値の面でＩＴＯ（重量比 Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ
2 ≒９５／５）が望ましい。
しては、例えばＩＴＯ（ＳｎＯ2 含有Ｉｎ2 Ｏ3 ），Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 等を用いることができるが、光学特
性や抵抗値の面でＩＴＯ（重量比 Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ
2 ≒９５／５）が望ましい。
【００１６】還元発色性エレクトロクロミック層として
は、例えばＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 等
を用いることができるが、着色速度の面でＷＯ3 が望ま
しい。
は、例えばＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 等
を用いることができるが、着色速度の面でＷＯ3 が望ま
しい。
【００１７】透明発熱体層としては、例えばＩＴＯを用
いることができ、そのシート抵抗値は１０Ω／□以上で
あることが望ましい。透明発熱体層のシート抵抗値が１
０Ω／□よりも小さいと、十分発熱しなかったり、消費
電力が大きくなるといった問題が生じ易い。
いることができ、そのシート抵抗値は１０Ω／□以上で
あることが望ましい。透明発熱体層のシート抵抗値が１
０Ω／□よりも小さいと、十分発熱しなかったり、消費
電力が大きくなるといった問題が生じ易い。
【００１８】上記各層の成膜法としては、公知の成膜法
を用いることができ、例えば真空蒸着、スパッタ、イオ
ンプレーティング、ＣＶＤ等が用いられる。また、各層
の膜厚は１ｎｍから５０００ｎｍが望ましく、要求され
る光学特性、繰り返し耐久性等により適宜設計される。
を用いることができ、例えば真空蒸着、スパッタ、イオ
ンプレーティング、ＣＶＤ等が用いられる。また、各層
の膜厚は１ｎｍから５０００ｎｍが望ましく、要求され
る光学特性、繰り返し耐久性等により適宜設計される。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００２０】［実施例１］図１は本実施例のエレクトロ
クロミック素子を構成する一方の基板の模式的構成図で
あり、以下にその製造プロセスを説明する。
クロミック素子を構成する一方の基板の模式的構成図で
あり、以下にその製造プロセスを説明する。
【００２１】先ず、透明ガラス基板上に透明発熱体層及
び反射防止層を形成した。具体的には、中心波長５４０
ｎｍの光に対する透明ガラス基板の屈折率：１．７０、
各層の屈折率を基板側からＩＴＯ透明発熱体層：１．
９、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、Ａｌ2 Ｏ
3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、ＭｇＦ2 ：１．３８で
各々の光学的膜厚を９０ｎｍ，２０ｎｍ，１５９ｎｍ，
２３ｎｍ，６６ｎｍ，１３５ｎｍとして真空蒸着で成膜
した。
び反射防止層を形成した。具体的には、中心波長５４０
ｎｍの光に対する透明ガラス基板の屈折率：１．７０、
各層の屈折率を基板側からＩＴＯ透明発熱体層：１．
９、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、Ａｌ2 Ｏ
3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、ＭｇＦ2 ：１．３８で
各々の光学的膜厚を９０ｎｍ，２０ｎｍ，１５９ｎｍ，
２３ｎｍ，６６ｎｍ，１３５ｎｍとして真空蒸着で成膜
した。
【００２２】次に、透明ガラス基板の上記透明発熱体層
及び反射防止層を形成した面とは反対側の面上に、第１
層の透明電極層（透明導電層）として、基板温度＝３０
０℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法
によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成した。
及び反射防止層を形成した面とは反対側の面上に、第１
層の透明電極層（透明導電層）として、基板温度＝３０
０℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法
によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成した。
【００２３】次に、第２層の酸化発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
【００２４】次に、第３層の混合層として、基板温度＝
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
【００２５】次に、第４層の透明イオン導電層として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
【００２６】次に、第５層の還元発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
【００２７】次に、第６層の透明電極層（透明導電層）
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
【００２８】上記の様にして得られた図１の基板のエレ
クトロクロミック機能層側と、別途反射防止層を片面に
形成した透明ガラス基板の無垢側の面を内側にして樹脂
封止し、エレクトロクロミック素子を構成した。
クトロクロミック機能層側と、別途反射防止層を片面に
形成した透明ガラス基板の無垢側の面を内側にして樹脂
封止し、エレクトロクロミック素子を構成した。
【００２９】このエレクトロクロミック素子の透明発熱
体層に直流５Ｖの電圧で０．５Ａの電流を供給し、エレ
クトロクロミック機能層の両透明導電層間に±２Ｖの電
圧を印加して、波長４００〜７００ｎｍでの平均透過率
のコントラスト比が１０以上になる着色速度を４０℃〜
−２０℃の環境で測定したところ、いずれの環境でも２
０ｍｓｅｃ以下であった。
体層に直流５Ｖの電圧で０．５Ａの電流を供給し、エレ
クトロクロミック機能層の両透明導電層間に±２Ｖの電
圧を印加して、波長４００〜７００ｎｍでの平均透過率
のコントラスト比が１０以上になる着色速度を４０℃〜
−２０℃の環境で測定したところ、いずれの環境でも２
０ｍｓｅｃ以下であった。
【００３０】［実施例２］透明ガラス基板Ａ上に最初
に、反射防止層を形成した。
に、反射防止層を形成した。
【００３１】次に、反射防止層を形成した面とは反対側
の面上に、第１層の透明電極層（透明導電層）として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成
した。
の面上に、第１層の透明電極層（透明導電層）として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成
した。
【００３２】次に、第２層の酸化発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
【００３３】次に、第３層の混合層として、基板温度＝
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
【００３４】次に、第４層の透明イオン導電層として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
【００３５】次に、第５層の還元発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
【００３６】次に、第６層の透明電極層（透明導電層）
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
【００３７】上記の様にして得られた基板Ａのエレクト
ロクロミック機能層側と、別途片面に反射防止層，反対
面にＩＴＯの透明発熱体層を形成した透明基板Ｂの透明
発熱体層側を内側にして樹脂封止し、エレクトロクロミ
ック素子を構成した。
ロクロミック機能層側と、別途片面に反射防止層，反対
面にＩＴＯの透明発熱体層を形成した透明基板Ｂの透明
発熱体層側を内側にして樹脂封止し、エレクトロクロミ
ック素子を構成した。
【００３８】このエレクトロクロミック素子の透明基板
Ｂ側のＩＴＯ発熱体層には直流５Ｖの電圧で０．５Ａの
電流を供給し、基板Ａ側のエレクトロクロミック機能層
の両透明導電層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４０
０〜７００ｎｍでの平均透過率のコントラスト比が１０
以上になる着色速度を４０℃〜−２０℃の環境で測定し
たところ、いずれの環境でも２０ｍｓｅｃ以下であっ
た。
Ｂ側のＩＴＯ発熱体層には直流５Ｖの電圧で０．５Ａの
電流を供給し、基板Ａ側のエレクトロクロミック機能層
の両透明導電層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４０
０〜７００ｎｍでの平均透過率のコントラスト比が１０
以上になる着色速度を４０℃〜−２０℃の環境で測定し
たところ、いずれの環境でも２０ｍｓｅｃ以下であっ
た。
【００３９】［実施例３］透明ガラス基板Ａ上に最初
に、反射防止層を形成した。
に、反射防止層を形成した。
【００４０】次に、反射防止層を形成した面とは反対側
の面上に、第１層の透明電極層（透明導電層）として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成
した。
の面上に、第１層の透明電極層（透明導電層）として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成
した。
【００４１】次に、第２層の酸化発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
【００４２】次に、第３層の混合層として、基板温度＝
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
【００４３】次に、第４層の透明イオン導電層として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
【００４４】次に、第５層の還元発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
【００４５】次に、第６層の透明電極層（透明導電層）
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
【００４６】また、透明ガラス基板Ｂ上に、発熱層を含
む反射防止層を形成した。具体的には、中心波長５４０
ｎｍの光に対する透明ガラス基板の屈折率：１．７０、
各層の屈折率を基板側からＩＴＯ透明発熱体層：１．
９、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、Ａｌ2 Ｏ
3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、ＭｇＦ2 ：１．３８で
各々の光学的膜厚を９０ｎｍ，２０ｎｍ，１５９ｎｍ，
２３ｎｍ，６６ｎｍ，１３５ｎｍとして真空蒸着で成膜
した。
む反射防止層を形成した。具体的には、中心波長５４０
ｎｍの光に対する透明ガラス基板の屈折率：１．７０、
各層の屈折率を基板側からＩＴＯ透明発熱体層：１．
９、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、Ａｌ2 Ｏ
3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、ＭｇＦ2 ：１．３８で
各々の光学的膜厚を９０ｎｍ，２０ｎｍ，１５９ｎｍ，
２３ｎｍ，６６ｎｍ，１３５ｎｍとして真空蒸着で成膜
した。
【００４７】上記の様にして得られた基板Ａのエレクト
ロクロミック機能層側と、基板Ｂの無垢面を内側にして
樹脂封止し、エレクトロクロミック素子を構成した。
ロクロミック機能層側と、基板Ｂの無垢面を内側にして
樹脂封止し、エレクトロクロミック素子を構成した。
【００４８】このエレクトロクロミック素子の基板Ｂ側
のＩＴＯ発熱体層には直流５Ｖの電圧で０．５Ａの電流
を供給し、基板Ａ側のエレクトロクロミック機能層の両
透明導電層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４００〜
７００ｎｍでの平均透過率のコントラスト比が１０以上
になる着色速度を４０℃〜−２０℃の環境で測定したと
ころ、いずれの環境でも２０ｍｓｅｃ以下であった。
のＩＴＯ発熱体層には直流５Ｖの電圧で０．５Ａの電流
を供給し、基板Ａ側のエレクトロクロミック機能層の両
透明導電層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４００〜
７００ｎｍでの平均透過率のコントラスト比が１０以上
になる着色速度を４０℃〜−２０℃の環境で測定したと
ころ、いずれの環境でも２０ｍｓｅｃ以下であった。
【００４９】［実施例４］先ず、透明ガラス基板上に透
明発熱体層及び反射防止層を形成した。具体的には、中
心波長５４０ｎｍの光に対する透明ガラス基板の屈折
率：１．７０、各層の屈折率を基板側からＩＴＯ透明発
熱体層：１．９、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．
１、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、ＭｇＦ
2 ：１．３８で各々の光学的膜厚を９０ｎｍ，２０ｎ
ｍ，１５９ｎｍ，２３ｎｍ，６６ｎｍ，１３５ｎｍとし
て真空蒸着で成膜した。
明発熱体層及び反射防止層を形成した。具体的には、中
心波長５４０ｎｍの光に対する透明ガラス基板の屈折
率：１．７０、各層の屈折率を基板側からＩＴＯ透明発
熱体層：１．９、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．
１、Ａｌ2 Ｏ3 ：１．６、ＺｒＯ2 ：２．１、ＭｇＦ
2 ：１．３８で各々の光学的膜厚を９０ｎｍ，２０ｎ
ｍ，１５９ｎｍ，２３ｎｍ，６６ｎｍ，１３５ｎｍとし
て真空蒸着で成膜した。
【００５０】次に、透明ガラス基板の上記透明発熱体層
及び反射防止層を形成した面とは反対側の面上に、第１
層の透明電極層（透明導電層）として、基板温度＝３０
０℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法
によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成した。
及び反射防止層を形成した面とは反対側の面上に、第１
層の透明電極層（透明導電層）として、基板温度＝３０
０℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法
によりＩＴＯを１５０ｎｍの膜厚で形成した。
【００５１】次に、第２層の酸化発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝室温、Ｏ2 分圧＝１Ｐａの
条件で、金属Ｉｒをターゲットとした高周波スパッタ法
によりＩｒ酸化物を５ｎｍの膜厚で形成した。
【００５２】次に、第３層の混合層として、基板温度＝
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件で、金属Ｉｒターゲッ
トと金属Ｓｎターゲットを用いた２元高周波スパッタ法
により、Ｉｒ（水）酸化物とＳｎＯ2 の混合層を２５ｎ
ｍの膜厚で形成した。
【００５３】次に、第４層の透明イオン導電層として、
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件
で、真空蒸着法によりＴａ2 Ｏ5 を３００ｎｍの膜厚で
形成した。
【００５４】次に、第５層の還元発色性エレクトロクロ
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
ミック層として、基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×
１０-2Ｐａの条件で、真空蒸着法によりＷＯ3 を１００
０ｎｍの膜厚で形成した。
【００５５】次に、第６層の透明電極層（透明導電層）
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
として、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐ
ａ、高周波パワー＝１５０Ｗの条件で、高周波イオンプ
レーティング法によりＩＴＯを３００ｎｍの膜厚で形成
して、６層構造のエレクトロクロミック機能層を形成し
た。
【００５６】上記の様にして得られた図１の基板のエレ
クトロクロミック機能層を樹脂封止して、エレクトロク
ロミック素子を構成した。
クトロクロミック機能層を樹脂封止して、エレクトロク
ロミック素子を構成した。
【００５７】このエレクトロクロミック素子の反射防止
層側のＩＴＯ発熱体層に直流５Ｖの電圧で０．５Ａの電
流を供給し、エレクトロクロミック機能層の両透明導電
層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４００〜７００ｎ
ｍでの平均透過率のコントラスト比が１０以上になる着
色速度を４０℃〜−２０℃の環境で測定したところ、い
ずれの環境でも２０ｍｓｅｃ以下であった。
層側のＩＴＯ発熱体層に直流５Ｖの電圧で０．５Ａの電
流を供給し、エレクトロクロミック機能層の両透明導電
層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４００〜７００ｎ
ｍでの平均透過率のコントラスト比が１０以上になる着
色速度を４０℃〜−２０℃の環境で測定したところ、い
ずれの環境でも２０ｍｓｅｃ以下であった。
【００５８】［比較例１］エレクトロクロミック素子を
構成する両透明ガラス基板上に透明発熱体層及び反射防
止層を成膜しなかったこと以外は、実施例１と同様にし
てエレクトロクロミック素子を構成し、４０℃〜−２０
℃の環境で着色速度を測定したところ、１０℃以下で２
０ｍｓｅｃ以上となり、０℃以下では均一に着色しなく
なった。
構成する両透明ガラス基板上に透明発熱体層及び反射防
止層を成膜しなかったこと以外は、実施例１と同様にし
てエレクトロクロミック素子を構成し、４０℃〜−２０
℃の環境で着色速度を測定したところ、１０℃以下で２
０ｍｓｅｃ以上となり、０℃以下では均一に着色しなく
なった。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＷＯ3 等のような還元発色性エレクトロクロミック層を
用いたエレクトロクロミック素子に、発熱体層を付加す
ることにより、低温における着色特性の著しい改善が可
能となった。
ＷＯ3 等のような還元発色性エレクトロクロミック層を
用いたエレクトロクロミック素子に、発熱体層を付加す
ることにより、低温における着色特性の著しい改善が可
能となった。
【００６０】また、透過型エレクトロクロミック素子に
おいては、透明発熱体層、更には反射防止層を付加する
ことにより、光学特性の低下を招くことなく低温におけ
る着色特性の著しい改善が可能となった。
おいては、透明発熱体層、更には反射防止層を付加する
ことにより、光学特性の低下を招くことなく低温におけ
る着色特性の著しい改善が可能となった。
【図１】実施例１のエレクトロクロミック素子を構成す
る一方の基板の模試的構成図である。
る一方の基板の模試的構成図である。
Claims (7)
- 【請求項１】 一対の電極層の間に少なくとも還元発色
性エレクトロクロミック層と透明イオン導電層を有する
エレクトロクロミック機能層と、発熱体層が、基板を挟
んで形成された構成を有することを特徴とするエレクト
ロクロミック素子。 - 【請求項２】 一対の電極層の間に少なくとも還元発色
性エレクトロクロミック層と透明イオン導電層を有する
エレクトロクロミック機能層が形成された基板Ａと、発
熱体層が形成された基板Ｂを、前記エレクトロクロミッ
ク機能層と前記発熱体層を内側にして、若しくは前記エ
レクトロクロミック機能層を内側に前記発熱体層を外側
にして対向配置した構成を有することを特徴とするエレ
クトロクロミック素子。 - 【請求項３】 一対の透明電極層の間に少なくとも還元
発色性エレクトロクロミック層と透明イオン導電層を有
するエレクトロクロミック機能層と、透明発熱体層が、
透明基板を挟んで形成された構成を有することを特徴と
するエレクトロクロミック素子。 - 【請求項４】 前記透明発熱体層の上に、更に反射防止
層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の
エレクトロクロミック素子。 - 【請求項５】 一対の透明電極層の間に少なくとも還元
発色性エレクトロクロミック層と透明イオン導電層を有
するエレクトロクロミック機能層が形成された透明基板
Ａと、透明発熱体層が形成された透明基板Ｂを、前記エ
レクトロクロミック機能層と前記透明発熱体層を内側に
して、若しくは前記エレクトロクロミック機能層を内側
に前記透明発熱体層を外側にして対向配置した構成を有
することを特徴とするエレクトロクロミック素子。 - 【請求項６】 前記透明基板Ａの外側の面と、前記透明
基板Ｂの外側の面に、反射防止層が形成されていること
を特徴とする請求項５に記載のエレクトロクロミック素
子。 - 【請求項７】 前記透明電極層がＩＴＯ（ＳｎＯ2 含有
Ｉｎ2 Ｏ3 ）、前記還元発色性エレクトロクロミック層
がＷＯ3 、前記透明発熱体層がシート抵抗値１０Ω／□
以上のＩＴＯであることを特徴とする請求項３〜６のい
ずれかに記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074729A JPH08248451A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074729A JPH08248451A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248451A true JPH08248451A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13555612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7074729A Withdrawn JPH08248451A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248451A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2781062A1 (fr) * | 1998-07-09 | 2000-01-14 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
| CN110133932A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-16 | 江苏铁锚玻璃股份有限公司 | 兼具电致变色、电加热和电磁屏蔽的多功能器件 |
| WO2020257606A1 (en) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | Flex-N-Gate Advanced Productdevelopment, Llc | Segmented switchable mirror lamp assembly |
| CN113885266A (zh) * | 2020-07-01 | 2022-01-04 | 菲尔齐费尔公司 | 自加热电致变色装置及其制造方法 |
-
1995
- 1995-03-08 JP JP7074729A patent/JPH08248451A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2781062A1 (fr) * | 1998-07-09 | 2000-01-14 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
| WO2000003290A1 (fr) * | 1998-07-09 | 2000-01-20 | Saint-Gobain Vitrage | Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
| CN110133932A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-16 | 江苏铁锚玻璃股份有限公司 | 兼具电致变色、电加热和电磁屏蔽的多功能器件 |
| WO2020257606A1 (en) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | Flex-N-Gate Advanced Productdevelopment, Llc | Segmented switchable mirror lamp assembly |
| US11204148B2 (en) | 2019-06-21 | 2021-12-21 | Flex-N-Gate Advanced Product Development, Llc | Segmented switchable mirror lamp assembly |
| EP3987352A4 (en) * | 2019-06-21 | 2022-06-22 | Flex-N-Gate Advanced Productdevelopment, LLC | SEGMENTED SWITCHABLE MIRROR LAMP ARRANGEMENT |
| US11608959B2 (en) | 2019-06-21 | 2023-03-21 | Flex-N-Gate Advanced Product Development, Llc | Segmented switchable mirror lamp assembly |
| CN113885266A (zh) * | 2020-07-01 | 2022-01-04 | 菲尔齐费尔公司 | 自加热电致变色装置及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |