JPH08250472A - 基板ホルダ - Google Patents
基板ホルダInfo
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- JPH08250472A JPH08250472A JP5089595A JP5089595A JPH08250472A JP H08250472 A JPH08250472 A JP H08250472A JP 5089595 A JP5089595 A JP 5089595A JP 5089595 A JP5089595 A JP 5089595A JP H08250472 A JPH08250472 A JP H08250472A
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- substrate holder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板が大型化しても基板・基板保持台間のギ
ャップを一定の範囲内に抑え、基板のガス冷却効果が低
下するのを防止すること。 【構成】 基板保持台２８の基板装着部３４の表面形状
を、その長手方向に沿った中心線を凸部として湾曲した
形状とし、ガス通路３６に５０Ｔｏｒｒ以下のガスを導
入した時に、基板２６と基板装着部３４とのギャップ５
０が０〜５００μｍに確保されるようにした。
ャップを一定の範囲内に抑え、基板のガス冷却効果が低
下するのを防止すること。 【構成】 基板保持台２８の基板装着部３４の表面形状
を、その長手方向に沿った中心線を凸部として湾曲した
形状とし、ガス通路３６に５０Ｔｏｒｒ以下のガスを導
入した時に、基板２６と基板装着部３４とのギャップ５
０が０〜５００μｍに確保されるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板ホルダに係り、特
に、イオンビ−ムミリング装置によりミリング加工され
る大型基板、例えば液晶基板を保持するに好適な基板ホ
ルダおよびこの基板ホルダに保持された基板をミリング
加工するイオンビ−ムミリング装置に関する。
に、イオンビ−ムミリング装置によりミリング加工され
る大型基板、例えば液晶基板を保持するに好適な基板ホ
ルダおよびこの基板ホルダに保持された基板をミリング
加工するイオンビ−ムミリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶基板などの大型基板をイオンビ−ム
ミリング装置を用いてミリング加工するに際しては、基
板をガスにより冷却するガス冷却方式が採用されてい
る。この場合基板を基板保持台にに保持させるととも
に、基板保持台に冷却水通路とガス通路を形成し、基板
と基板保持台との間に０〜５００μｍのギャップを形成
し、このギャップ内にガス圧が数Ｔｏｒｒ〜５０Ｔｏｒ
ｒのＨｅガスまたはプロセスガス等を流し、ミリング加
工に伴って高温と成った基板と基板保持台間で熱交換を
行なって、基板を冷却することを行なわれている。
ミリング装置を用いてミリング加工するに際しては、基
板をガスにより冷却するガス冷却方式が採用されてい
る。この場合基板を基板保持台にに保持させるととも
に、基板保持台に冷却水通路とガス通路を形成し、基板
と基板保持台との間に０〜５００μｍのギャップを形成
し、このギャップ内にガス圧が数Ｔｏｒｒ〜５０Ｔｏｒ
ｒのＨｅガスまたはプロセスガス等を流し、ミリング加
工に伴って高温と成った基板と基板保持台間で熱交換を
行なって、基板を冷却することを行なわれている。
【０００３】一方、ミリング加工を行なうときに、基板
に残留応力が発生するのを防止するために、例えば、特
開平３−８７３６６号公報に記載されているように、基
板を凸状にすることが行なわれている。また特開昭５５
−１５３３３３号公報に記載されているように、半導体
基板の製造行程でパタ−ンを転写するする時に、基板マ
スクの密着性を良くするために、基板を凸状にするとと
もに、基板に凹部を設けて基板とマクスとの剥がれを良
くするような手法が用いられている。
に残留応力が発生するのを防止するために、例えば、特
開平３−８７３６６号公報に記載されているように、基
板を凸状にすることが行なわれている。また特開昭５５
−１５３３３３号公報に記載されているように、半導体
基板の製造行程でパタ−ンを転写するする時に、基板マ
スクの密着性を良くするために、基板を凸状にするとと
もに、基板に凹部を設けて基板とマクスとの剥がれを良
くするような手法が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術で
は、基板保持台の基板取付け面が平坦になっているた
め、基板保持台に保持された基板にガスを噴射した時
に、基板の中央部付近の膨らみ量が増大し、基板と基板
保持台間の熱交換の効率が大きく低下するという問題点
がある。特に、液晶用ガラス基板のように基板が大型化
すると、基板と基板保持台間のギャップ内のガス圧で基
板中央部が真空容器内側に膨らむ量が増大する。なお、
特開昭６０−１０２７４２号公報に記載されているよう
に、基板保持台を凸状にすることも考えられるが、基板
と基板保持台とのギャップを一定の値に保てなければ熱
交換の効率が低下することになる。
は、基板保持台の基板取付け面が平坦になっているた
め、基板保持台に保持された基板にガスを噴射した時
に、基板の中央部付近の膨らみ量が増大し、基板と基板
保持台間の熱交換の効率が大きく低下するという問題点
がある。特に、液晶用ガラス基板のように基板が大型化
すると、基板と基板保持台間のギャップ内のガス圧で基
板中央部が真空容器内側に膨らむ量が増大する。なお、
特開昭６０−１０２７４２号公報に記載されているよう
に、基板保持台を凸状にすることも考えられるが、基板
と基板保持台とのギャップを一定の値に保てなければ熱
交換の効率が低下することになる。
【０００５】本発明の目的は、基板と基板保持台とのギ
ャップを一定の範囲内に抑えて基板のガス冷却効果が低
下するのを防止することができる基板ホルダおよびイオ
ンビ−ムミリング装置を提供することにある。
ャップを一定の範囲内に抑えて基板のガス冷却効果が低
下するのを防止することができる基板ホルダおよびイオ
ンビ−ムミリング装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、基板が装着持可能に形成された基板装着
部を有する基板保持台と、基板保持台の基板装着部に装
着された基板を基板保持台側に押圧する基板押さえとを
備え、前記基板装着部の内部には基板装着部の表面と基
板との間隙を折り返し点とするガス通路が形成され、前
記基板装着部は、その表面が長手方向に沿った中心線を
凸部として湾曲している基板ホルダを構成したものであ
る。
に、本発明は、基板が装着持可能に形成された基板装着
部を有する基板保持台と、基板保持台の基板装着部に装
着された基板を基板保持台側に押圧する基板押さえとを
備え、前記基板装着部の内部には基板装着部の表面と基
板との間隙を折り返し点とするガス通路が形成され、前
記基板装着部は、その表面が長手方向に沿った中心線を
凸部として湾曲している基板ホルダを構成したものであ
る。
【０００７】前記基板ホルダを構成するに際しては、基
板装着部としては、その表面が長手方向に沿った中心線
を凸部として湾曲し、かつ湾曲した表面に基板を保持す
るための突起が複数個膨出形成されているものとするこ
とができる。さらに、この場合、基板装着部に膨出形成
された複数の突起は、基板装着部表面の中心部から端部
にわたって分散して配置され、各突起はその長さが同一
に設定されていることとする。
板装着部としては、その表面が長手方向に沿った中心線
を凸部として湾曲し、かつ湾曲した表面に基板を保持す
るための突起が複数個膨出形成されているものとするこ
とができる。さらに、この場合、基板装着部に膨出形成
された複数の突起は、基板装着部表面の中心部から端部
にわたって分散して配置され、各突起はその長さが同一
に設定されていることとする。
【０００８】また、前記各基板ホルダを構成するに際し
ては、以下の要素を加えることが望ましい。
ては、以下の要素を加えることが望ましい。
【０００９】（１）基板装着部の湾曲面は、基板と基板
保持台との間隙にガス通路を介して指定の圧力のガスを
供給したときに、基板と基板保持台との間隙が０〜５０
０μｍとなる形状に設定されている。
保持台との間隙にガス通路を介して指定の圧力のガスを
供給したときに、基板と基板保持台との間隙が０〜５０
０μｍとなる形状に設定されている。
【００１０】（２）基板装着部には、基板端部と基板端
部に接触する基板装着部との間からガスが排出するのを
阻止するシール部材が装着されている。
部に接触する基板装着部との間からガスが排出するのを
阻止するシール部材が装着されている。
【００１１】（３）基板保持台には基板保持台を冷却す
るための冷却水通路が形成されている。
るための冷却水通路が形成されている。
【００１２】また、本発明は、前記基板ホルダの内いづ
れかの基板ホルダと、真空状態に維持された空間部に基
板ホルダを収納する真空容器と、真空容器内に収納され
た基板ホルダの基板に向けてイオンビ−ムを照射するイ
オン源とを備えたイオンビ−ムミリング装置を構成した
ものである。
れかの基板ホルダと、真空状態に維持された空間部に基
板ホルダを収納する真空容器と、真空容器内に収納され
た基板ホルダの基板に向けてイオンビ−ムを照射するイ
オン源とを備えたイオンビ−ムミリング装置を構成した
ものである。
【００１３】
【作用】前記した手段によれば、基板保持台は、基板が
装着される基板装着部の表面が長手方向に沿った中心線
を凸部として湾曲しているため、基板が大型化しても、
基板と基板保持台とのギャップ内のガス圧によって、基
板中央部が真空容器側に膨らむ量が増加しても、基板と
基板保持台とのギャップが拡がるのを防止することがで
き、基板と基板保持台間の熱交換の効率の低下を抑制す
ることができる。さらに、基板装着部に基板を保持する
ための突起を複数個膨出形成すると、基板がこれら突起
に装着された時に、基板と基板保持台とのギャップを一
定にすることができ、基板全体を均一に冷却することが
できる。
装着される基板装着部の表面が長手方向に沿った中心線
を凸部として湾曲しているため、基板が大型化しても、
基板と基板保持台とのギャップ内のガス圧によって、基
板中央部が真空容器側に膨らむ量が増加しても、基板と
基板保持台とのギャップが拡がるのを防止することがで
き、基板と基板保持台間の熱交換の効率の低下を抑制す
ることができる。さらに、基板装着部に基板を保持する
ための突起を複数個膨出形成すると、基板がこれら突起
に装着された時に、基板と基板保持台とのギャップを一
定にすることができ、基板全体を均一に冷却することが
できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例を示す基板ホルダ
の縦断面図を示し、図２はイオンビ−ムミリング装置の
全体構成を示す。図２において、イオンビ−ムミリング
装置は、搬送用ロボット１０、真空排気装置１２、試料
準備室１４、ゲ−ト弁１６、真空容器（チャンバ）１
８、イオン源２０、真空排気装置２２等を備えて構成さ
れている。搬送用ロボット１０にはア−ム２４が連結さ
れており、ア−ム２４は試料準備室１４内に収納されて
いる。試料準備室１４は真空排気装置１２によって真空
状態に保たれており、ア−ム２４には基板２６が保持さ
れている。基板２６はア−ム２４に保持された状態で、
ゲ−ト弁１６を介して真空容器１８内に挿入される。真
空容器１８内は真空排気装置２２によって真空状態に保
たれている。そして基板２６は真空容器１８内の基板保
持台２８に装着されたとき、基板抑え３０によって保持
されるようになっている。イオン源２０からはプラズマ
が発生するようになっていおり、イオン源２０からプラ
ズマが発生すると引出電極３２からイオンビームが引き
出される。このイオンビームが基板２６に照射されると
イオンビームに従って基板２６にミリング加工が施され
る。このミリング加工時に、基板２６上のパタ−ンが損
傷したり、レジストが焼きつく等の不具合を防止するた
めに、基板ホルダが以下のように構成されている。
の縦断面図を示し、図２はイオンビ−ムミリング装置の
全体構成を示す。図２において、イオンビ−ムミリング
装置は、搬送用ロボット１０、真空排気装置１２、試料
準備室１４、ゲ−ト弁１６、真空容器（チャンバ）１
８、イオン源２０、真空排気装置２２等を備えて構成さ
れている。搬送用ロボット１０にはア−ム２４が連結さ
れており、ア−ム２４は試料準備室１４内に収納されて
いる。試料準備室１４は真空排気装置１２によって真空
状態に保たれており、ア−ム２４には基板２６が保持さ
れている。基板２６はア−ム２４に保持された状態で、
ゲ−ト弁１６を介して真空容器１８内に挿入される。真
空容器１８内は真空排気装置２２によって真空状態に保
たれている。そして基板２６は真空容器１８内の基板保
持台２８に装着されたとき、基板抑え３０によって保持
されるようになっている。イオン源２０からはプラズマ
が発生するようになっていおり、イオン源２０からプラ
ズマが発生すると引出電極３２からイオンビームが引き
出される。このイオンビームが基板２６に照射されると
イオンビームに従って基板２６にミリング加工が施され
る。このミリング加工時に、基板２６上のパタ−ンが損
傷したり、レジストが焼きつく等の不具合を防止するた
めに、基板ホルダが以下のように構成されている。
【００１６】基板ホルダは、図１に示すように、基板保
持台２８、基板抑え３０を備えて構成されている。基板
保持台２８は、４００×５００ｍｍの大きさに形成され
た基板２６を装着可能な基板装着部３４が形成されてい
る。この基板装着部３４は長手方向に沿った中心線を凸
部として湾曲した形状に成っている。すなわち基板装着
部３４の表面はほぼ円弧形状に形成されている。そして
基板装着部３４のほぼ中央部には一対のガス通路３６、
３８が形成されており、ガス導入口４０からＨｅガスま
たはプロセスガスが導入され、ガス排出口４２から排出
されるようになっている。さらに基板保持台２８の内部
には冷却水通路４４が形成されており、冷却水導入口４
６から導入された冷却水が冷却水通路４４、冷却水排出
口４８を介して排出され、基板保持台２８を冷却するよ
うになっている。
持台２８、基板抑え３０を備えて構成されている。基板
保持台２８は、４００×５００ｍｍの大きさに形成され
た基板２６を装着可能な基板装着部３４が形成されてい
る。この基板装着部３４は長手方向に沿った中心線を凸
部として湾曲した形状に成っている。すなわち基板装着
部３４の表面はほぼ円弧形状に形成されている。そして
基板装着部３４のほぼ中央部には一対のガス通路３６、
３８が形成されており、ガス導入口４０からＨｅガスま
たはプロセスガスが導入され、ガス排出口４２から排出
されるようになっている。さらに基板保持台２８の内部
には冷却水通路４４が形成されており、冷却水導入口４
６から導入された冷却水が冷却水通路４４、冷却水排出
口４８を介して排出され、基板保持台２８を冷却するよ
うになっている。
【００１７】また基板保持台２８の端部には、基板抑え
３０が着脱自在に装着されるようになっている。すなわ
ち基板抑え３０は、基板保持台２８の基板装着部３４に
装着された基板２６の端部を基板保持台２８側に押圧し
て基板２６を基板保持台２８に保持させるようになって
いる。
３０が着脱自在に装着されるようになっている。すなわ
ち基板抑え３０は、基板保持台２８の基板装着部３４に
装着された基板２６の端部を基板保持台２８側に押圧し
て基板２６を基板保持台２８に保持させるようになって
いる。
【００１８】上記構成において、基板保持台２８に装着
された基板２６を基板抑え３０で押圧して基板２６を保
持した時に、数Ｔｏｒｒ〜５０ＴｏｒｒのＨｅガスまた
はプロセスガスをガス通路３６に導入すると、基板２６
と基板装着部３６との間にギャップ５０が形成される。
この場合、基板２６が基板装着部３４の表面形状に沿っ
て湾曲しているので、ギャップ５０は０〜５００μｍに
確保することができ、高効率な熱交換が行なえる。
された基板２６を基板抑え３０で押圧して基板２６を保
持した時に、数Ｔｏｒｒ〜５０ＴｏｒｒのＨｅガスまた
はプロセスガスをガス通路３６に導入すると、基板２６
と基板装着部３６との間にギャップ５０が形成される。
この場合、基板２６が基板装着部３４の表面形状に沿っ
て湾曲しているので、ギャップ５０は０〜５００μｍに
確保することができ、高効率な熱交換が行なえる。
【００１９】ここで、ガス通路３６に導入されるガスの
圧力と基板・基板装着部間の熱通過率との関係を測定し
たところ、図３に示すような特性が得られた。
圧力と基板・基板装着部間の熱通過率との関係を測定し
たところ、図３に示すような特性が得られた。
【００２０】図３から、ギャップ５０を１０μｍ、１３
０μｍとし、ガスとしてＣＣＩ４、Ｎ2、Ｈｅを用い、
各ガスの圧力を高くすると、ガス種やギャップによって
熱通過率Ｑが変化することがわかる。そして冷却ガスの
圧力としては、冷却ガスの圧力と熱通過率Ｑとの関係が
比例している圧力領域で用いることが望ましく、ガス圧
としては、数Ｔｏｒｒ〜５０Ｔｏｒｒとすることが望ま
しい。
０μｍとし、ガスとしてＣＣＩ４、Ｎ2、Ｈｅを用い、
各ガスの圧力を高くすると、ガス種やギャップによって
熱通過率Ｑが変化することがわかる。そして冷却ガスの
圧力としては、冷却ガスの圧力と熱通過率Ｑとの関係が
比例している圧力領域で用いることが望ましく、ガス圧
としては、数Ｔｏｒｒ〜５０Ｔｏｒｒとすることが望ま
しい。
【００２１】一方、基板２６と基板装着部３４とのギャ
ップｄと熱通過率Ｑとの関係を測定したところ、図４に
示すような測定結果が得られた。図４から、ガス種がＨ
ｅなら、Ａ点以下のギャップが望ましい。このＡ点の距
離はガス種、ガス圧から求められる平均自由行程に相当
する。さらに図４から、装置の構造、寸法精度を考慮す
ると、ギャップｄとしては０〜５００μｍが望ましい。
ップｄと熱通過率Ｑとの関係を測定したところ、図４に
示すような測定結果が得られた。図４から、ガス種がＨ
ｅなら、Ａ点以下のギャップが望ましい。このＡ点の距
離はガス種、ガス圧から求められる平均自由行程に相当
する。さらに図４から、装置の構造、寸法精度を考慮す
ると、ギャップｄとしては０〜５００μｍが望ましい。
【００２２】次に、基板ホルダの他の実施例を図５に示
す。
す。
【００２３】本実施例は、基板保持台２８の基板装着部
３４にシ−ル部材としてＯリング５０を装着したもので
あり、他の構成は図１のものと同様であるので、同一の
ものには同一符号を付してそれらの説明は省略する。
３４にシ−ル部材としてＯリング５０を装着したもので
あり、他の構成は図１のものと同様であるので、同一の
ものには同一符号を付してそれらの説明は省略する。
【００２４】本実施例においては、基板２６の端部がＯ
リング５２を介して基板保持台２８に装着されるため、
ギャップ５０内のガスが真空容器１８内に排出されるの
を防止することができる。
リング５２を介して基板保持台２８に装着されるため、
ギャップ５０内のガスが真空容器１８内に排出されるの
を防止することができる。
【００２５】次に、基板ホルダの第３実施例を図６に従
って説明する。
って説明する。
【００２６】本実施例は、基板保持台２８の基板装着部
３４に、突起５４を基板装着部３４の全面に渡って膨出
形成するとともに、基板装着部３４の端部にＯリング５
２を装着するようにしたものであり、他の構成は図１の
ものと同様であるので、同一のものには同一符号を付し
てそれらの説明は省略する。
３４に、突起５４を基板装着部３４の全面に渡って膨出
形成するとともに、基板装着部３４の端部にＯリング５
２を装着するようにしたものであり、他の構成は図１の
ものと同様であるので、同一のものには同一符号を付し
てそれらの説明は省略する。
【００２７】各突起５４は、基板保持台２８からの高さ
が同一の高さとなるように設定されており、各突起３４
が基板３４に分散して配置されている。このため基板２
６を突起５４を介して基板保持台２８に装着すると、基
板２６と基板保持台２８とのギャップ５０を均一にする
ことができ、基板２６全体を均一に冷却することができ
る。
が同一の高さとなるように設定されており、各突起３４
が基板３４に分散して配置されている。このため基板２
６を突起５４を介して基板保持台２８に装着すると、基
板２６と基板保持台２８とのギャップ５０を均一にする
ことができ、基板２６全体を均一に冷却することができ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板保持台の基板装着部を、その表面が長手方向に沿っ
た中心線を凸部として湾曲した形状となっているため、
基板を大型化しても、基板・基板保持台間のギャップを
一定の範囲に確保することができ、基板が大型化しても
基板のガス冷却効果が低下するのを防止することができ
る。また基板装着部に突起を膨出形成すると、基板全体
を均一に冷却することができる。また本発明による基板
ホルダを用いたイオンビ−ムミリング装置では、基板の
ガス冷却効果が低下するのを防止できるため、基板上の
パタ−ンの損傷や、レジスタの焼き付けを防止すること
ができる。
基板保持台の基板装着部を、その表面が長手方向に沿っ
た中心線を凸部として湾曲した形状となっているため、
基板を大型化しても、基板・基板保持台間のギャップを
一定の範囲に確保することができ、基板が大型化しても
基板のガス冷却効果が低下するのを防止することができ
る。また基板装着部に突起を膨出形成すると、基板全体
を均一に冷却することができる。また本発明による基板
ホルダを用いたイオンビ−ムミリング装置では、基板の
ガス冷却効果が低下するのを防止できるため、基板上の
パタ−ンの損傷や、レジスタの焼き付けを防止すること
ができる。
【図１】本発明に係る基板ホルダの第１実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２】イオンビ−ムミリング装置の全体構成図であ
る。
る。
【図３】気体圧力と熱通過率との関係を示す特性図であ
る。
る。
【図４】基板・基板保持台間のギャップと熱通過率との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図５】基板ホルダの第２実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
【図６】基板ホルダの第３実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
１８ 真空容器 ２４ イオン源 ２６ 基板 ２８ 基板保持台 ３０ 基板抑え ３６、３８ ガス通路 ４４ 冷却水通路 ５０ ギャップ ５２ Ｏリング ５４ 突起
Claims (7)
- 【請求項１】 基板が装着持可能に形成された基板装着
部を有する基板保持台と、基板保持台の基板装着部に装
着された基板を基板保持台側に押圧する基板押さえとを
備え、前記基板装着部の内部には基板装着部の表面と基
板との間隙を折り返し点とするガス通路が形成され、前
記基板装着部は、その表面が長手方向に沿った中心線を
凸部として湾曲している基板ホルダ。 - 【請求項２】 基板が装着持可能に形成された基板装着
部を有する基板保持台と、基板保持台の基板装着部に装
着された基板を基板保持台側へ押圧する基板押さえとを
備え、前記基板装着部の内部には基板装着部の表面と基
板との間隙を折り返し点とするガス通路が形成され、前
記基板装着部は、その表面が長手方向に沿った中心線を
凸部として湾曲し、且つ湾曲した表面に基板を保持する
ための突起が複数個膨出形成されている基板ホルダ。 - 【請求項３】 基板装着部に膨出形成された複数の突起
は、基板装着部表面の中心部から端部にわたって分散し
て配置され、各突起はその長さが同一に設定されている
請求項２記載の基板ホルダ。 - 【請求項４】 基板装着部の湾曲面は、基板と基板保持
台との間隙にガス通路を介して指定の圧力のガスを供給
したときに、基板と基板保持台との間隙が０〜５００μ
ｍとなる形状に設定されている請求項１、２または３記
載の基板ホルダ。 - 【請求項５】 基板装着部には、基板端部と基板端部に
接触する基板装着部との間からガスが排出するのを阻止
するシール部材が装着されている請求項１、２、３また
は４記載の基板ホルダ。 - 【請求項６】 基板保持台には基板保持台を冷却するた
めの冷却水通路が形成されている請求項１、２、３、４
または５記載の基板ホルダ。 - 【請求項７】 試料としての基板を保持する基板ホルダ
と、真空状態に維持された空間部に基板ホルダを収納す
る真空容器と、真空容器内に収納された基板ホルダの基
板に向けてイオンビームを照射するイオン源とを備えた
イオンビームミリング装置において、基板ホルダとして
請求項１、２、３、４、５または６記載のものを用いて
なることを特徴とするイオンビームミリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5089595A JP3237046B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP5089595A JP3237046B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 基板ホルダ |
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| JP3237046B2 JP3237046B2 (ja) | 2001-12-10 |
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ID=12871483
Family Applications (1)
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| JP5089595A Expired - Fee Related JP3237046B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 基板ホルダ |
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| JP (1) | JP3237046B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100337108B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2002-05-16 | 정기로 | 웨이퍼 냉각 장치 |
| JPWO2008053929A1 (ja) * | 2006-11-02 | 2010-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法及び基板保持装置 |
| JP2014517504A (ja) * | 2011-04-18 | 2014-07-17 | エコール ポリテクニック | 光学素子における熱制御用デバイス及び関連する熱制御方法 |
| WO2017030315A1 (ko) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | (주) 에스엔텍 | 증착 장치용 샘플 거치대 및 그 샘플 거치대를 갖는 증착 장치 |
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-
1995
- 1995-03-10 JP JP5089595A patent/JP3237046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100337108B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2002-05-16 | 정기로 | 웨이퍼 냉각 장치 |
| JPWO2008053929A1 (ja) * | 2006-11-02 | 2010-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法及び基板保持装置 |
| JP2014517504A (ja) * | 2011-04-18 | 2014-07-17 | エコール ポリテクニック | 光学素子における熱制御用デバイス及び関連する熱制御方法 |
| US9293891B2 (en) | 2011-04-18 | 2016-03-22 | Ecole Polytechnique | Device for managing heat in an optical element, and related heat-management method |
| WO2017030315A1 (ko) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | (주) 에스엔텍 | 증착 장치용 샘플 거치대 및 그 샘플 거치대를 갖는 증착 장치 |
| CN112764185A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-07 | 四川中科朗星光电科技有限公司 | 一种光学镜、镜筒及空冷结构 |
| CN112764185B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-08-08 | 四川中科朗星光电科技有限公司 | 一种光学镜、镜筒及空冷结构 |
| KR20220135189A (ko) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 실장 툴 및 실장 장치 |
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