JPH08253555A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH08253555A JPH08253555A JP638296A JP638296A JPH08253555A JP H08253555 A JPH08253555 A JP H08253555A JP 638296 A JP638296 A JP 638296A JP 638296 A JP638296 A JP 638296A JP H08253555 A JPH08253555 A JP H08253555A
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- epoxy resin
- composition
- weight
- filler
- resin composition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半田耐熱性、難燃性、高温信頼性に優れ、かつ
成形性のバランスがとれた半導体封止用樹脂組成物を得
ること。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および
充填剤（Ｃ）を必須成分としてなる樹脂組成物であっ
て、前記エポキシ樹脂（Ａ）が４，４´−ジヒドロキシ
ビフェニルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフ
ェニル骨格に結合している水素原子のうち平均０．８〜
３．２個が炭化水素基によって置換されているエポキシ
樹脂（Ａ´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８
７〜９８重量％含有し、ブロム化合物が組成物全体の
０．３重量％以下であり、アンチモン化合物が組成物全
体の０．３重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。
成形性のバランスがとれた半導体封止用樹脂組成物を得
ること。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および
充填剤（Ｃ）を必須成分としてなる樹脂組成物であっ
て、前記エポキシ樹脂（Ａ）が４，４´−ジヒドロキシ
ビフェニルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフ
ェニル骨格に結合している水素原子のうち平均０．８〜
３．２個が炭化水素基によって置換されているエポキシ
樹脂（Ａ´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８
７〜９８重量％含有し、ブロム化合物が組成物全体の
０．３重量％以下であり、アンチモン化合物が組成物全
体の０．３重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半田耐熱性、難燃性、
高温信頼性に優れ、かつ成形性のバランスがとれた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
高温信頼性に優れ、かつ成形性のバランスがとれた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特
性、接着性などに優れており、さらに配合処方により種
々の特性が付与できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材
料など工業材料として利用されている。
性、接着性などに優れており、さらに配合処方により種
々の特性が付与できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材
料など工業材料として利用されている。
【０００３】たとえば、半導体装置などの電子回路部品
の封止方法として従来より金属やセラミックスによるハ
ーメチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されている。し
かし、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキ
シ樹脂による樹脂封止が中心になっている。
の封止方法として従来より金属やセラミックスによるハ
ーメチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されている。し
かし、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキ
シ樹脂による樹脂封止が中心になっている。
【０００４】近年、プリント基板への部品実装において
も高密度化、自動化が進められており、従来のリードピ
ンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基
板表面に部品を半田付けする“表面実装方式”が盛んに
なってきた。それに伴いパッケ−ジも従来のＤＩＰ（デ
ュアル・インライン・パッケ−ジ）から高密度実装、表
面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック
・パッケ−ジ）に移行しつつある。
も高密度化、自動化が進められており、従来のリードピ
ンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基
板表面に部品を半田付けする“表面実装方式”が盛んに
なってきた。それに伴いパッケ−ジも従来のＤＩＰ（デ
ュアル・インライン・パッケ−ジ）から高密度実装、表
面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック
・パッケ−ジ）に移行しつつある。
【０００５】表面実装方式への移行に伴い、従来あまり
問題にならなかった半田付け工程が大きな問題になって
きた。従来のピン挿入実装方式では、半田付け工程はリ
ード部が部分的に加熱されるだけであったが、表面実装
方式ではパッケージ全体が加熱される。表面実装方式に
おける半田付け方法としては半田浴浸漬、不活性ガスの
飽和蒸気による加熱（ベーパーフェイズ法）や赤外線リ
フロー法などが用いられるが、いずれの方法でもパッケ
ージ全体が２１０〜２７０℃の高温に加熱されることに
なる。そのため、従来の封止樹脂で封止したパッケージ
は、半田付け時に樹脂部分にクラックが発生したり、チ
ップと樹脂の間に剥離が生じたりして、信頼性が低下し
て製品として使用できないという問題がおきる。
問題にならなかった半田付け工程が大きな問題になって
きた。従来のピン挿入実装方式では、半田付け工程はリ
ード部が部分的に加熱されるだけであったが、表面実装
方式ではパッケージ全体が加熱される。表面実装方式に
おける半田付け方法としては半田浴浸漬、不活性ガスの
飽和蒸気による加熱（ベーパーフェイズ法）や赤外線リ
フロー法などが用いられるが、いずれの方法でもパッケ
ージ全体が２１０〜２７０℃の高温に加熱されることに
なる。そのため、従来の封止樹脂で封止したパッケージ
は、半田付け時に樹脂部分にクラックが発生したり、チ
ップと樹脂の間に剥離が生じたりして、信頼性が低下し
て製品として使用できないという問題がおきる。
【０００６】半田付け工程におけるクラックの発生は、
後硬化してから実装工程の間までに吸湿した水分が半田
付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨張することに起因す
るといわれており、その対策として後硬化したパッケー
ジを完全に乾燥し密封した容器に収納して出荷する方法
が用いられている。
後硬化してから実装工程の間までに吸湿した水分が半田
付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨張することに起因す
るといわれており、その対策として後硬化したパッケー
ジを完全に乾燥し密封した容器に収納して出荷する方法
が用いられている。
【０００７】一方、半導体などの電子部品は安全性確保
のためＵＬ規格により難燃性の付与が義務づけられてい
る。このため封止用樹脂には通常、ブロム化合物および
三酸化アンチモンなどの難燃剤が添加されている。
のためＵＬ規格により難燃性の付与が義務づけられてい
る。このため封止用樹脂には通常、ブロム化合物および
三酸化アンチモンなどの難燃剤が添加されている。
【０００８】しかし、難燃性を付与する目的で添加され
てきたブロム化合物およびアンチモン化合物などの難燃
剤は、１５０〜２００℃の高温環境下で半導体が使用さ
れた場合の信頼性、すなわち高温信頼性を低下する原因
になる。
てきたブロム化合物およびアンチモン化合物などの難燃
剤は、１５０〜２００℃の高温環境下で半導体が使用さ
れた場合の信頼性、すなわち高温信頼性を低下する原因
になる。
【０００９】封止樹脂の改良も種々検討されている。た
とえば、半田耐熱性を改良する目的で、マトリックス樹
脂にノボラック型エポキシ樹脂とフェノ−ルアラルキル
樹脂を配合する方法（特開昭５３−２９９号公報、特開
昭５９−６７６６０号公報）、マトリックス樹脂にビフ
ェニル型エポキシ樹脂とフェノ−ルアラルキル樹脂を用
い充填剤を８０〜８５重量％配合する方法（特開平３−
２０７７１４号公報、特開平４−４８７５９号公報、特
開平４−５５４２３号公報）などが提案されている。
とえば、半田耐熱性を改良する目的で、マトリックス樹
脂にノボラック型エポキシ樹脂とフェノ−ルアラルキル
樹脂を配合する方法（特開昭５３−２９９号公報、特開
昭５９−６７６６０号公報）、マトリックス樹脂にビフ
ェニル型エポキシ樹脂とフェノ−ルアラルキル樹脂を用
い充填剤を８０〜８５重量％配合する方法（特開平３−
２０７７１４号公報、特開平４−４８７５９号公報、特
開平４−５５４２３号公報）などが提案されている。
【００１０】また、封止樹脂の耐湿性や耐熱性を改良す
るため、ハイドロタルサイト系化合物（特開昭６１−１
９６２５号公報）、四酸化アンチモンの添加（特開昭５
７−３２５０６号公報、特開平２−１７５７４７号公
報）が提案されている。
るため、ハイドロタルサイト系化合物（特開昭６１−１
９６２５号公報）、四酸化アンチモンの添加（特開昭５
７−３２５０６号公報、特開平２−１７５７４７号公
報）が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかるに乾燥パッケー
ジを容器に封入する方法は、製造工程および製品の取扱
い作業が繁雑になるうえ、製品価格が高価になる欠点が
ある。
ジを容器に封入する方法は、製造工程および製品の取扱
い作業が繁雑になるうえ、製品価格が高価になる欠点が
ある。
【００１２】また、種々の方法で改良された樹脂も、そ
れぞれ効果を挙げてきているが、まだ十分ではない。マ
トリックス樹脂にノボラック型エポキシ樹脂とフェノ−
ルアラルキル樹脂を配合する方法（特開昭５３−２９９
号公報、特開昭５９−６７６６０号公報）、マトリック
ス樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂とフェノ−ルアラル
キル樹脂を用い破砕系充填剤を６０〜８５重量％配合す
る方法（特開平３−２０７７１４号公報、特開平４−４
８７５９号公報、特開平４−５５４２３号公報）は、マ
トリックス樹脂の溶融粘度が高く充填性に問題があるば
かりか、半田付け工程における樹脂部分のクラック防止
においても十分なレベルではなかった。
れぞれ効果を挙げてきているが、まだ十分ではない。マ
トリックス樹脂にノボラック型エポキシ樹脂とフェノ−
ルアラルキル樹脂を配合する方法（特開昭５３−２９９
号公報、特開昭５９−６７６６０号公報）、マトリック
ス樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂とフェノ−ルアラル
キル樹脂を用い破砕系充填剤を６０〜８５重量％配合す
る方法（特開平３−２０７７１４号公報、特開平４−４
８７５９号公報、特開平４−５５４２３号公報）は、マ
トリックス樹脂の溶融粘度が高く充填性に問題があるば
かりか、半田付け工程における樹脂部分のクラック防止
においても十分なレベルではなかった。
【００１３】また、マトリックス樹脂に３，３´，５，
５´−テトラメチル−４，４´−ジヒドロキシビフェニ
ルグリシジルエーテルと４，４´−ジヒドロキシビフェ
ニルグリシジルエーテルの混合物をもちいた方法（特開
平５−６３１１４号公報、特開平５−２０６３２９号公
報、特開平５−２０６３３１号公報）が提案されている
が充填剤の充填量が８３重量％までと低いために十分な
半田耐熱性が達成されていなかった。
５´−テトラメチル−４，４´−ジヒドロキシビフェニ
ルグリシジルエーテルと４，４´−ジヒドロキシビフェ
ニルグリシジルエーテルの混合物をもちいた方法（特開
平５−６３１１４号公報、特開平５−２０６３２９号公
報、特開平５−２０６３３１号公報）が提案されている
が充填剤の充填量が８３重量％までと低いために十分な
半田耐熱性が達成されていなかった。
【００１４】高温信頼性は１５０〜２００℃の高温環境
下での半導体の機能を保証するもので、発熱量の大きい
半導体や自動車のエンジンまわりで使用する半導体など
では必須の性能であり、難燃性を付与するために添加し
ているブロム化合物およびアンチモン化合物などの難燃
剤の分解が主原因で低下することが分かっている。
下での半導体の機能を保証するもので、発熱量の大きい
半導体や自動車のエンジンまわりで使用する半導体など
では必須の性能であり、難燃性を付与するために添加し
ているブロム化合物およびアンチモン化合物などの難燃
剤の分解が主原因で低下することが分かっている。
【００１５】このため、難燃性および高温信頼性ともに
優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は得られなかっ
た。
優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は得られなかっ
た。
【００１６】一方、封止樹脂の耐湿性を改良するため
に、ハイドロ化合物を添加する方法（特開昭６１−１９
６２５号公報）は、高温信頼性の向上に有効であるが、
十分ではなく、さらに向上することが望まれていた。
に、ハイドロ化合物を添加する方法（特開昭６１−１９
６２５号公報）は、高温信頼性の向上に有効であるが、
十分ではなく、さらに向上することが望まれていた。
【００１７】また、封止樹脂の耐湿性や耐熱性を改良す
るために、四酸化アンチモンを添加する方法（特公昭５
７−３２５０６号公報、特開平２−１７５７４７号公
報）は、高温信頼性の向上効果が不十分であった。
るために、四酸化アンチモンを添加する方法（特公昭５
７−３２５０６号公報、特開平２−１７５７４７号公
報）は、高温信頼性の向上効果が不十分であった。
【００１８】本発明の目的は、難燃性および高温信頼性
ともに優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
ることにある。
ともに優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
ることにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、マトリッ
クス樹脂に３，３´，５，５´−テトラメチル−４，４
´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテルと４，
４´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテルの混
合物を用いるなどの方法により、ビフェニル骨格に適度
な炭化水素基を導入したエポキシ樹脂を用い、充填剤を
８７〜９８重量％添加することに加えて、ブロム化合物
やアンチモン化合物の添加量を低減することによって、
上記の課題を解決しうる半導体封止用エポキシ樹脂組成
物が得られることを見出だし、本発明に達した。
クス樹脂に３，３´，５，５´−テトラメチル−４，４
´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテルと４，
４´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテルの混
合物を用いるなどの方法により、ビフェニル骨格に適度
な炭化水素基を導入したエポキシ樹脂を用い、充填剤を
８７〜９８重量％添加することに加えて、ブロム化合物
やアンチモン化合物の添加量を低減することによって、
上記の課題を解決しうる半導体封止用エポキシ樹脂組成
物が得られることを見出だし、本発明に達した。
【００２０】すなわち、本発明は「エポキシ樹脂
（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および充填剤（Ｃ）を必須成分と
してなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）
が４，４´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテ
ルの化学構造を有し、ビフェニル骨格に結合している水
素原子のうち平均０．８〜３．２個が炭化水素基によっ
て置換されているエポキシ樹脂（Ａ´）を含有し、充填
剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８重量％含有し、ブロ
ム化合物が組成物全体の０．３重量％以下であり、アン
チモン化合物が組成物全体の０．３重量％以下である半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。」、「エポキシ樹脂
（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および充填剤（Ｃ）を必須成分と
してなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）
が下記式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（ａ）と下記式
（II）で表されるエポキシ樹脂（ｂ）の重量比（ａ）／
（ｂ）＝８０／２０〜２０／８０の混合物のエポキシ樹
脂（Ａ´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８７
〜９８重量％含有し、ブロム化合物が組成物全体の０．
３重量％以下であり、アンチモン化合物が組成物全体の
０．３重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および充填剤（Ｃ）を必須成分と
してなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）
が４，４´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテ
ルの化学構造を有し、ビフェニル骨格に結合している水
素原子のうち平均０．８〜３．２個が炭化水素基によっ
て置換されているエポキシ樹脂（Ａ´）を含有し、充填
剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８重量％含有し、ブロ
ム化合物が組成物全体の０．３重量％以下であり、アン
チモン化合物が組成物全体の０．３重量％以下である半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。」、「エポキシ樹脂
（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および充填剤（Ｃ）を必須成分と
してなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）
が下記式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（ａ）と下記式
（II）で表されるエポキシ樹脂（ｂ）の重量比（ａ）／
（ｂ）＝８０／２０〜２０／８０の混合物のエポキシ樹
脂（Ａ´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８７
〜９８重量％含有し、ブロム化合物が組成物全体の０．
３重量％以下であり、アンチモン化合物が組成物全体の
０．３重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
【化３】 」「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および充填剤
（Ｃ）を必須成分としてなる樹脂組成物であって、前記
エポキシ樹脂（Ａ）が４，４´−ジヒドロキシビフェニ
ルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフェニル骨
格に結合している水素原子のうち平均０．８〜３．２個
が炭化水素基によって置換されているエポキシ樹脂（Ａ
´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８
重量％含有し、臭素原子が組成物全体の０．２重量％以
下であり、アンチモン原子が組成物全体の０．２５重量
％以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」およ
び「エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）で表されるエポ
キシ樹脂（ａ）と下記式（II）で表されるエポキシ樹脂
（ｂ）の重量比（ａ）／（ｂ）＝８０／２０〜２０／８
０の混合物であるエポキシ樹脂（Ａ´）を含有し、充填
剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８重量％含有し、臭素
原子が組成物全体の０．２重量％以下であり、アンチモ
ン原子が組成物全体の０．２５重量％以下である半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ｃ）を必須成分としてなる樹脂組成物であって、前記
エポキシ樹脂（Ａ）が４，４´−ジヒドロキシビフェニ
ルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフェニル骨
格に結合している水素原子のうち平均０．８〜３．２個
が炭化水素基によって置換されているエポキシ樹脂（Ａ
´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８
重量％含有し、臭素原子が組成物全体の０．２重量％以
下であり、アンチモン原子が組成物全体の０．２５重量
％以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」およ
び「エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）で表されるエポ
キシ樹脂（ａ）と下記式（II）で表されるエポキシ樹脂
（ｂ）の重量比（ａ）／（ｂ）＝８０／２０〜２０／８
０の混合物であるエポキシ樹脂（Ａ´）を含有し、充填
剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８重量％含有し、臭素
原子が組成物全体の０．２重量％以下であり、アンチモ
ン原子が組成物全体の０．２５重量％以下である半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。
【化４】 」からなる。これらの発明は、ビフェニル型エポキシ樹
脂に置換されたメチル基の量ならびに、組成物中に含有
する臭素原子およびアンチモン原子の量を特定している
点で共通の技術思想をもつものである。
脂に置換されたメチル基の量ならびに、組成物中に含有
する臭素原子およびアンチモン原子の量を特定している
点で共通の技術思想をもつものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。
本発明において「重量」とは「質量」を意味する。
本発明において「重量」とは「質量」を意味する。
【００２２】本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）は、
４，４´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテル
のビフェニル骨格の水素原子８個のうち、平均０．８〜
３．２個、好ましくは１．２〜３．２個が炭化水素基、
望ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、さらに望まし
くはメチル基で置換しているエポキシ樹脂（Ａ´）を含
有する。この場合、単一化合物であっても、置換基の数
が異なる複数の種類のものの混合物でも構わないが、後
者のほうが課題を解決するために好ましく使用される。
さらに無置換の４，４´−ジヒドロキシビフェニルグリ
シジルエーテルを必須成分とする混合物であることが好
ましい。
４，４´−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテル
のビフェニル骨格の水素原子８個のうち、平均０．８〜
３．２個、好ましくは１．２〜３．２個が炭化水素基、
望ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、さらに望まし
くはメチル基で置換しているエポキシ樹脂（Ａ´）を含
有する。この場合、単一化合物であっても、置換基の数
が異なる複数の種類のものの混合物でも構わないが、後
者のほうが課題を解決するために好ましく使用される。
さらに無置換の４，４´−ジヒドロキシビフェニルグリ
シジルエーテルを必須成分とする混合物であることが好
ましい。
【００２３】または、本発明ではエポキシ樹脂（Ａ）と
して、下記式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（ａ）と上
記式（II）で表されるエポキシ樹脂（ｂ）を重量比
（ａ）／（ｂ）が２０／８０〜８０／２０で含有するエ
ポキシ樹脂（Ａ´）を含有する。（ａ）〜（ｂ）の比率
としては、さらに３０／７０〜８０／２０、特に４０／
６０から８０／２０の範囲が好ましい。
して、下記式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（ａ）と上
記式（II）で表されるエポキシ樹脂（ｂ）を重量比
（ａ）／（ｂ）が２０／８０〜８０／２０で含有するエ
ポキシ樹脂（Ａ´）を含有する。（ａ）〜（ｂ）の比率
としては、さらに３０／７０〜８０／２０、特に４０／
６０から８０／２０の範囲が好ましい。
【００２４】
【化５】
【００２５】エポキシ樹脂（Ａ´）において、ビフェニ
ル骨格に置換されている炭化水素基の量が多いと成形性
（成形サイクル、硬化性、充填性）が悪化し、少ないと
成形性（流動性、充填性）が悪化する傾向がある。
ル骨格に置換されている炭化水素基の量が多いと成形性
（成形サイクル、硬化性、充填性）が悪化し、少ないと
成形性（流動性、充填性）が悪化する傾向がある。
【００２６】本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は上記
のエポキシ樹脂（Ａ´）の他のエポキシ樹脂をも併用し
て含有することができる。
のエポキシ樹脂（Ａ´）の他のエポキシ樹脂をも併用し
て含有することができる。
【００２７】併用できる他のエポキシ樹脂としては、た
とえば、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノ
−ルノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＡやレ
ゾルシンなどから合成される各種ノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、線状脂肪族エ
ポキシ樹脂、脂還式エポキシ樹脂、複素還式エポキシ樹
脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などがあげられる。
とえば、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノ
−ルノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＡやレ
ゾルシンなどから合成される各種ノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、線状脂肪族エ
ポキシ樹脂、脂還式エポキシ樹脂、複素還式エポキシ樹
脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などがあげられる。
【００２８】エポキシ樹脂（Ａ）中に含有されるエポキ
シ樹脂（Ａ´）の量は、流動性の点から、エポキシ樹脂
（Ａ）中に通常７０重量％以上、好ましくは９０重量％
以上含有せしめる。
シ樹脂（Ａ´）の量は、流動性の点から、エポキシ樹脂
（Ａ）中に通常７０重量％以上、好ましくは９０重量％
以上含有せしめる。
【００２９】本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ
樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであれば特に限定
されず、それらの具体例としては、たとえばフェノ−ル
ノボラック樹脂、クレゾ−ルノボラック樹脂、下記一般
式（III)で表されるフェノ−ル化合物、
樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであれば特に限定
されず、それらの具体例としては、たとえばフェノ−ル
ノボラック樹脂、クレゾ−ルノボラック樹脂、下記一般
式（III)で表されるフェノ−ル化合物、
【化６】 （ただし、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０以上
の整数を示す。） ビスフェノ−ルＡやレゾルシンから合成される各種ノボ
ラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、ジ
ヒドロキシビフェニルなどの多種多価フェノ−ル化合
物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット
酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジア
ミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンな
どの芳香族アミンなどがあげられる。半導体封止用とし
ては、耐熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノ−
ル系硬化剤が好ましく用いられ、用途によっては２種類
以上の硬化剤を併用してもよい。
の整数を示す。） ビスフェノ−ルＡやレゾルシンから合成される各種ノボ
ラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、ジ
ヒドロキシビフェニルなどの多種多価フェノ−ル化合
物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット
酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジア
ミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンな
どの芳香族アミンなどがあげられる。半導体封止用とし
ては、耐熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノ−
ル系硬化剤が好ましく用いられ、用途によっては２種類
以上の硬化剤を併用してもよい。
【００３０】本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は
通常０．５〜７重量％、好ましくは０．５〜５重量％で
ある。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の
配合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点から（Ａ）
に対する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜１．５、特に
０．８〜１．２の範囲にあることが好ましい。
通常０．５〜７重量％、好ましくは０．５〜５重量％で
ある。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の
配合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点から（Ａ）
に対する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜１．５、特に
０．８〜１．２の範囲にあることが好ましい。
【００３１】また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）
と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化促進剤を
用いてもよい。硬化促進剤は硬化反応を促進するものな
らば特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾー
ル、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−
メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシル
イミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルア
ミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジ
メチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェ
ノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラ
メトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラ
キス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物お
よびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、
トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェ
ニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が挙げら
れる。なかでも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物
が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好ましく用
いられる。これらの硬化促進剤は、用途によっては二種
以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂
（Ａ）１００重量部に対して０．０１〜１０重量部の範
囲が好ましい。
と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化促進剤を
用いてもよい。硬化促進剤は硬化反応を促進するものな
らば特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾー
ル、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−
メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシル
イミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルア
ミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジ
メチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェ
ノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラ
メトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラ
キス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物お
よびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、
トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェ
ニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が挙げら
れる。なかでも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物
が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好ましく用
いられる。これらの硬化促進剤は、用途によっては二種
以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂
（Ａ）１００重量部に対して０．０１〜１０重量部の範
囲が好ましい。
【００３２】本発明における充填剤（Ｃ）としては、溶
融シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ
酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベス
ト、ガラス繊維などが挙げられるが、なかでも溶融シリ
カは線膨張係数を低下させる効果が大きく、低応力化に
有効なため好ましく用いられる。
融シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ
酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベス
ト、ガラス繊維などが挙げられるが、なかでも溶融シリ
カは線膨張係数を低下させる効果が大きく、低応力化に
有効なため好ましく用いられる。
【００３３】ここでいう溶融シリカは真比重２．３以下
の非晶性シリカを意味する。その製造は必ずしも溶融状
態を経る必要はなく、任意の製造法を用いることができ
る。たとえば、結晶性シリカを溶融する方法、各種原料
から合成する方法などが挙げられる。
の非晶性シリカを意味する。その製造は必ずしも溶融状
態を経る必要はなく、任意の製造法を用いることができ
る。たとえば、結晶性シリカを溶融する方法、各種原料
から合成する方法などが挙げられる。
【００３４】溶融シリカの形状および粒径は特に限定さ
れないが、平均粒径５μｍ以上３０μｍ以下の球状溶融
シリカ９９〜５０重量％と平均粒径１μｍ以下の球状溶
融シリカ１〜５０重量％からなる溶融シリカ（ｃ）を充
填剤（Ｃ）中に４０重量％以上、好ましくは６０重量％
以上、さらに好ましくは９０重量％以上含有することが
流動性の点から好ましい。
れないが、平均粒径５μｍ以上３０μｍ以下の球状溶融
シリカ９９〜５０重量％と平均粒径１μｍ以下の球状溶
融シリカ１〜５０重量％からなる溶融シリカ（ｃ）を充
填剤（Ｃ）中に４０重量％以上、好ましくは６０重量％
以上、さらに好ましくは９０重量％以上含有することが
流動性の点から好ましい。
【００３５】ここでいう平均粒径は、累積重量５０％に
なる粒径（メジアン径）を意味する。 本発明におい
て、充填剤（Ｃ）の割合は成形性および低応力性の点か
ら全体の８７〜９８重量％、好ましくは８９〜９８重量
％である。
なる粒径（メジアン径）を意味する。 本発明におい
て、充填剤（Ｃ）の割合は成形性および低応力性の点か
ら全体の８７〜９８重量％、好ましくは８９〜９８重量
％である。
【００３６】本発明において、充填剤をシランカップリ
ング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング
剤であらかじめ表面処理することが、信頼性の点で好ま
しい。カップリング剤としてエポキシシラン、アミノシ
ラン、メルカプトシランなどのシランカップリング剤が
好ましく用いられる。
ング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング
剤であらかじめ表面処理することが、信頼性の点で好ま
しい。カップリング剤としてエポキシシラン、アミノシ
ラン、メルカプトシランなどのシランカップリング剤が
好ましく用いられる。
【００３７】本発明の組成物では、必須成分ではない
が、ブロム化合物が配合できる。通常半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物に難燃剤として添加されるもので、特に
限定されず、公知のものであってよい。
が、ブロム化合物が配合できる。通常半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物に難燃剤として添加されるもので、特に
限定されず、公知のものであってよい。
【００３８】存在するブロム化合物の好ましい具体例と
しては、ブロム化ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ブ
ロム化フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂などのブロ
ム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカ−ボネ−ト樹脂、ブ
ロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキ
サイド樹脂、テトラブロモビスフェノ−ルＡ、デカブロ
モジフェニルエ−テルなどがあげられ、なかでも、ブロ
ム化ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノ
−ルノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ
樹脂が、成形性の点から特に好まい。
しては、ブロム化ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ブ
ロム化フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂などのブロ
ム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカ−ボネ−ト樹脂、ブ
ロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキ
サイド樹脂、テトラブロモビスフェノ−ルＡ、デカブロ
モジフェニルエ−テルなどがあげられ、なかでも、ブロ
ム化ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノ
−ルノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ
樹脂が、成形性の点から特に好まい。
【００３９】本発明組成物中に存在するブロム化合物の
量は、０．３重量％以下が難燃性および高温信頼性の点
で好ましい。特に好ましくは０．１重量以下％、さらに
好ましくは０．０５重量％以下である。ブロム原子に換
算すると、ブロム原子が全体の０．２重量％以下、特に
好ましくは０．０７重量％以下である。
量は、０．３重量％以下が難燃性および高温信頼性の点
で好ましい。特に好ましくは０．１重量以下％、さらに
好ましくは０．０５重量％以下である。ブロム原子に換
算すると、ブロム原子が全体の０．２重量％以下、特に
好ましくは０．０７重量％以下である。
【００４０】本発明では必須成分ではないが、アンチモ
ン化合物を配合することができる。通常半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもので、
特に限定されず、公知のものであってよい。 アンチモ
ン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモ
ン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられ
る。
ン化合物を配合することができる。通常半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもので、
特に限定されず、公知のものであってよい。 アンチモ
ン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモ
ン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられ
る。
【００４１】本発明組成物中に存在するアンチモン化合
物の量は、全体の０．３重量％以下が難燃性および高温
信頼性の点で好ましい。特に好ましくは０．１重量％以
下、さらに好ましくは０．０５重量％以下である。また
アンチモン原子に換算するとアンチモン原子が全体の
０．２５重量％以下、特に好ましくは０．７５重量％以
下、さらに好ましくは０．０３７５重量％以下である。
物の量は、全体の０．３重量％以下が難燃性および高温
信頼性の点で好ましい。特に好ましくは０．１重量％以
下、さらに好ましくは０．０５重量％以下である。また
アンチモン原子に換算するとアンチモン原子が全体の
０．２５重量％以下、特に好ましくは０．７５重量％以
下、さらに好ましくは０．０３７５重量％以下である。
【００４２】酸素指数は難燃性の点から４０％以上であ
ることが望ましい。
ることが望ましい。
【００４３】ここで酸素指数はＪＩＳ Ｋ７２０１に従
って、燃焼限界点における各ガス体積濃度を求めた値か
ら次式に従って算出したものをいう。 酸素指数（％）＝［酸素］／（［酸素］＋［窒素］）×１００
って、燃焼限界点における各ガス体積濃度を求めた値か
ら次式に従って算出したものをいう。 酸素指数（％）＝［酸素］／（［酸素］＋［窒素］）×１００
【００４４】本発明のエポキシ樹脂組成物には、カーボ
ンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタルサイト
などのイオン捕捉剤、シリコ−ンゴム、オレフィン系共
重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴム、
変性シリコ−ンオイルなどのエラストマ−、ポリエチレ
ンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属
塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラ
フィンワックスなどの離型剤および有機過酸化物などの
架橋剤を任意に添加することができる。
ンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタルサイト
などのイオン捕捉剤、シリコ−ンゴム、オレフィン系共
重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴム、
変性シリコ−ンオイルなどのエラストマ−、ポリエチレ
ンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属
塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラ
フィンワックスなどの離型剤および有機過酸化物などの
架橋剤を任意に添加することができる。
【００４５】本発明のエポキシ樹脂組成物は溶融混練す
ることが好ましく、たとえばバンバリーミキサー、ニー
ダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニー
ダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することに
より製造される。
ることが好ましく、たとえばバンバリーミキサー、ニー
ダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニー
ダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することに
より製造される。
【００４６】本発明の半導体装置は本発明のエポキシ樹
脂組成物で封止することによって得られる。
脂組成物で封止することによって得られる。
【００４７】また、エポキシ樹脂組成物を用いての半導
体素子の封止は特に限定されるものではなく、従来より
採用されている成形法、例えばトランスファ成形、イン
ジェクション成形、注型法などを採用して行なうことが
できる。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は１
５０〜１８０℃、ポストキュアーは１５０〜１８０℃で
２〜１６時間行なうことが好ましい。
体素子の封止は特に限定されるものではなく、従来より
採用されている成形法、例えばトランスファ成形、イン
ジェクション成形、注型法などを採用して行なうことが
できる。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は１
５０〜１８０℃、ポストキュアーは１５０〜１８０℃で
２〜１６時間行なうことが好ましい。
【００４８】ここで、本発明の半導体装置としては、Ｄ
ＩＰ型、フラットバック型、ＰＬＣＣ型、ＳＯ型等、さ
らにプリント配線板あるいはヒートシンクに半導体素子
が直接固着されたもの、ハイブリッドのＩＣのフルモー
ドタイプの半導体装置などが挙げられる。なお、プリン
ト基板の材質としては、特に制限はなく、例示すると金
属酸化物、ガラス系の無機絶縁物、フェノール、エポキ
シ、ポリイミド、ポリエステルなどの紙基材、ガラス布
基材，ガラスマット基材、ポリサルフォン、テフロン、
ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルムなどの有機
絶縁物、金属ベース基板、メタルコア基板、ホーロー引
き鉄板などの金属系基板があげられる。また、ヒートシ
ンク材料としては、銅系、鉄系の金属材料があげられ
る。
ＩＰ型、フラットバック型、ＰＬＣＣ型、ＳＯ型等、さ
らにプリント配線板あるいはヒートシンクに半導体素子
が直接固着されたもの、ハイブリッドのＩＣのフルモー
ドタイプの半導体装置などが挙げられる。なお、プリン
ト基板の材質としては、特に制限はなく、例示すると金
属酸化物、ガラス系の無機絶縁物、フェノール、エポキ
シ、ポリイミド、ポリエステルなどの紙基材、ガラス布
基材，ガラスマット基材、ポリサルフォン、テフロン、
ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルムなどの有機
絶縁物、金属ベース基板、メタルコア基板、ホーロー引
き鉄板などの金属系基板があげられる。また、ヒートシ
ンク材料としては、銅系、鉄系の金属材料があげられ
る。
【００４９】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００５０】実施例１〜１４、比較例１〜１６ 表１に示した成分を、表２及び表３に示した組成比でミ
キサーによりドライブレンドした。これを、ロール表面
温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練
後、冷却・粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
製造した。この組成物を用い、低圧トランスファー成形
法により１７５℃で所定時間かけて成形し、１８０℃×
５時間の条件でポストキュアして成型物とした。
キサーによりドライブレンドした。これを、ロール表面
温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練
後、冷却・粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
製造した。この組成物を用い、低圧トランスファー成形
法により１７５℃で所定時間かけて成形し、１８０℃×
５時間の条件でポストキュアして成型物とした。
【００５１】この組成物または成型物を用い、ゲル化時
間、スパイラルフロー、熱時硬度、成形サイクル、半田
耐熱性、高温信頼性、酸素指数およびパッケージ充填性
を以下の方法により測定した。結果を表２に示す。
間、スパイラルフロー、熱時硬度、成形サイクル、半田
耐熱性、高温信頼性、酸素指数およびパッケージ充填性
を以下の方法により測定した。結果を表２に示す。
【００５２】ゲル化時間：１７５℃の熱板上で硬化時間
を測定した。
を測定した。
【００５３】スパイラルフロー：１７５℃、トランスフ
ァ圧力７０ｋｇ／ｃｍ２の条件で、ＥＭＭＩ型評価用金
型を用いて測定した。
ァ圧力７０ｋｇ／ｃｍ２の条件で、ＥＭＭＩ型評価用金
型を用いて測定した。
【００５４】熱時硬度：金型温度１７５℃、キュアー時
間１８０秒、トランスファ圧力７０ｋｇ／ｃｍ2 の条件
で、１６０ＰｉｎＱＦＰを成形し、パッケージ表面の熱
時硬度をショアーＤ硬度計を用いて測定した。
間１８０秒、トランスファ圧力７０ｋｇ／ｃｍ2 の条件
で、１６０ＰｉｎＱＦＰを成形し、パッケージ表面の熱
時硬度をショアーＤ硬度計を用いて測定した。
【００５５】成形サイクル：１７５℃、トランスファ圧
力７０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、１６０ＰｉｎＱＦＰの成
形可能なキュアー時間（ショアーＤの値が７０以上に到
達する時間）を測定した。
力７０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、１６０ＰｉｎＱＦＰの成
形可能なキュアー時間（ショアーＤの値が７０以上に到
達する時間）を測定した。
【００５６】半田耐熱性：表面にＡｌ蒸着した模擬半導
体素子を搭載したチップサイズ１２×１２ｍｍの１６０
ｐｉｎＱＦＰ ２０個を成形し、８５℃／８５％ＲＨで
５０時間加湿後、最高温度２４５℃のＩＲリフロー炉で
加熱処理し、外部クラックの発生数を調べ不良とした。
体素子を搭載したチップサイズ１２×１２ｍｍの１６０
ｐｉｎＱＦＰ ２０個を成形し、８５℃／８５％ＲＨで
５０時間加湿後、最高温度２４５℃のＩＲリフロー炉で
加熱処理し、外部クラックの発生数を調べ不良とした。
【００５７】高温信頼性：模擬素子を搭載した１６ｐｉ
ｎＤＩＰを用い、２００℃で高温信頼性を評価し、累積
故障率６３％になる時間を求め高温特性寿命とした。
ｎＤＩＰを用い、２００℃で高温信頼性を評価し、累積
故障率６３％になる時間を求め高温特性寿命とした。
【００５８】酸素指数：６．５×３．２×１２０ｍｍの
試験片を成形、ポストキュアーし、ＪＩＳ Ｋ７２０１
に従って、燃焼限界点における各ガス体積濃度を求め、
次式にしたがって算出した。 酸素指数（％）＝［酸素］／（［酸素］＋［窒素］）×１００
試験片を成形、ポストキュアーし、ＪＩＳ Ｋ７２０１
に従って、燃焼限界点における各ガス体積濃度を求め、
次式にしたがって算出した。 酸素指数（％）＝［酸素］／（［酸素］＋［窒素］）×１００
【００５９】パッケージ充填性：半田耐熱試験に用いる
１６０ｐｉｎＱＦＰを、成形後に目視および顕微鏡を用
いて観察し、未充填、ピンホ−ルの有無を調べた。
１６０ｐｉｎＱＦＰを、成形後に目視および顕微鏡を用
いて観察し、未充填、ピンホ−ルの有無を調べた。
【００６０】
【表１】 注）使用した三酸化アンチモンは８３．５重量％のアン
チモン原子を含有する。
チモン原子を含有する。
【００６１】
【表２】
【００６２】
【表３】
【００６３】表２に示したように実施例では、特定の化
学構造を持ったエポキシ樹脂を特定比率で併用すること
で、充填剤を高充填してもパッケージの充填性は良好で
あった。更に驚くことに半田耐熱性が飛躍的に向上し、
難燃剤の添加量を減少させることに成功した。
学構造を持ったエポキシ樹脂を特定比率で併用すること
で、充填剤を高充填してもパッケージの充填性は良好で
あった。更に驚くことに半田耐熱性が飛躍的に向上し、
難燃剤の添加量を減少させることに成功した。
【００６４】それに対し比較例１〜４、６、８、１０は
ビフェニル型エポキシ樹脂の骨格へのアルキル基の置換
の割合が特定範囲からはずれたためにパッケージ充填性
に劣る。比較例５、１１、１２は全エポキシ樹脂中に特
定構造を持ったエポキシ樹脂が含まれず、成形性（流動
性）が劣り、パッケージ充填性が悪い。充填材の含有量
が増加すると成形が不可能になる。更に半田耐熱性にも
劣る。比較例９、１２〜１５では高温信頼性に劣る。
ビフェニル型エポキシ樹脂の骨格へのアルキル基の置換
の割合が特定範囲からはずれたためにパッケージ充填性
に劣る。比較例５、１１、１２は全エポキシ樹脂中に特
定構造を持ったエポキシ樹脂が含まれず、成形性（流動
性）が劣り、パッケージ充填性が悪い。充填材の含有量
が増加すると成形が不可能になる。更に半田耐熱性にも
劣る。比較例９、１２〜１５では高温信頼性に劣る。
【００６５】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物及びその半導体装置は、エポキシ樹脂に特定の化学構
造を持ったものを使用することにより半田耐熱性、難燃
性、高温信頼性に優れ、かつ成形性のバランスがとれて
いる。
物及びその半導体装置は、エポキシ樹脂に特定の化学構
造を持ったものを使用することにより半田耐熱性、難燃
性、高温信頼性に優れ、かつ成形性のバランスがとれて
いる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (7)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）およ
び充填剤（Ｃ）を必須成分としてなる樹脂組成物であっ
て、前記エポキシ樹脂（Ａ）が４，４´−ジヒドロキシ
ビフェニルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフ
ェニル骨格に結合している水素原子のうち平均０．８〜
３．２個が炭化水素基によって置換されているエポキシ
樹脂（Ａ´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８
７〜９８重量％含有し、ブロム化合物が組成物全体の
０．３重量％以下であり、アンチモン化合物が組成物全
体の０．３重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項２】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）およ
び充填剤（Ｃ）を必須成分としてなる樹脂組成物であっ
て、前記エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）で表される
エポキシ樹脂（ａ）と下記式（II）で表されるエポキシ
樹脂（ｂ）の重量比（ａ）／（ｂ）＝８０／２０〜２０
／８０の混合物のエポキシ樹脂（Ａ´）を含有し、充填
剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８重量％含有し、ブロ
ム化合物が組成物全体の０．３重量％以下であり、アン
チモン化合物が組成物全体の０．３重量％以下である半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 - 【請求項３】 酸素指数が４０％以上である請求項２記
載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 充填剤（Ｃ）を組成物全体の８９〜９８
重量％を含有し、ブロム化合物が組成物全体の０．０５
重量％以下であり、アンチモン化合物が組成物全体の
０．０５重量％以下である請求項２または３に記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）およ
び充填剤（Ｃ）を必須成分としてなる樹脂組成物であっ
て、前記エポキシ樹脂（Ａ）が４，４´−ジヒドロキシ
ビフェニルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフ
ェニル骨格に結合している水素原子のうち平均０．８〜
３．２個が炭化水素基によって置換されているエポキシ
樹脂（Ａ´）を含有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８
７〜９８重量％含有し、臭素原子が組成物全体の０．２
重量％以下であり、アンチモン原子が組成物全体の０．
２５重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項６】 エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）で表
されるエポキシ樹脂（ａ）と下記式（II）で表されるエ
ポキシ樹脂（ｂ）の重量比（ａ）／（ｂ）＝８０／２０
〜２０／８０の混合物であるエポキシ樹脂（Ａ´）を含
有し、充填剤（Ｃ）を組成物全体の８７〜９８重量％含
有し、臭素原子が組成物全体の０．２重量％以下であ
り、アンチモン原子が組成物全体の０．２５重量％以下
である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化２】 - 【請求項７】 請求項１〜６いずれかに記載のエポキシ
樹脂組成物で封止してなる半導体装置。
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