JPH08255685A - カラーエレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
カラーエレクトロルミネセンス素子及びその製造方法Info
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- JPH08255685A JPH08255685A JP7345108A JP34510895A JPH08255685A JP H08255685 A JPH08255685 A JP H08255685A JP 7345108 A JP7345108 A JP 7345108A JP 34510895 A JP34510895 A JP 34510895A JP H08255685 A JPH08255685 A JP H08255685A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/74—Projection arrangements for image reproduction, e.g. using eidophor
- H04N5/7416—Projection arrangements for image reproduction, e.g. using eidophor involving the use of a spatial light modulator, e.g. a light valve, controlled by a video signal
- H04N5/7441—Projection arrangements for image reproduction, e.g. using eidophor involving the use of a spatial light modulator, e.g. a light valve, controlled by a video signal the modulator being an array of liquid crystal cells
- H04N2005/745—Control circuits therefor
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より発光効率を高めたカラーEL素子とその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のカラーEL素子は、基板と、前
記基板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形
成される第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成される
複数個の中間絶縁層が一定な間隔に挿入された蛍光層
と、前記蛍光層上に形成される第2絶縁層と、そして、
前記第2絶縁層上に形成される第2電極とを含めて構成
されることを特徴とする。
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のカラーEL素子は、基板と、前
記基板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形
成される第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成される
複数個の中間絶縁層が一定な間隔に挿入された蛍光層
と、前記蛍光層上に形成される第2絶縁層と、そして、
前記第2絶縁層上に形成される第2電極とを含めて構成
されることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はエレクトロルミネセ
ンス(Electroluminescence :以下、“EL”という)
素子に係り、特に青色EL表示素子の蛍光層に層間絶縁
膜を多層に形成して輝度を高めたカラーEL素子及びそ
の製造方法に関する。
ンス(Electroluminescence :以下、“EL”という)
素子に係り、特に青色EL表示素子の蛍光層に層間絶縁
膜を多層に形成して輝度を高めたカラーEL素子及びそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般にEL表示素子は、発光させる光の
カラーに応じて蛍光層の物質構造が異なる。即ち、蛍光
層の主物質としては、ZnS系列、SrS系列などを使
用し、これら主物質に得ようとする色の光に応じて元素
を添加する。赤色の光を望む場合はSnを添加し、緑色
の光を望む場合はTbを添加し、黄色の光を望む場合は
Mnを添加し、青色の光を望む場合はCeを添加する。
この際、赤色及び緑色や黄色を望む場合は、主物質とし
てZnS系列を用い、青色を望む場合はZnS系列を用
いずに、主物質としてSrS系列を使用する。
カラーに応じて蛍光層の物質構造が異なる。即ち、蛍光
層の主物質としては、ZnS系列、SrS系列などを使
用し、これら主物質に得ようとする色の光に応じて元素
を添加する。赤色の光を望む場合はSnを添加し、緑色
の光を望む場合はTbを添加し、黄色の光を望む場合は
Mnを添加し、青色の光を望む場合はCeを添加する。
この際、赤色及び緑色や黄色を望む場合は、主物質とし
てZnS系列を用い、青色を望む場合はZnS系列を用
いずに、主物質としてSrS系列を使用する。
【0003】しかしながら、最近の技術傾向を調べる
と、ZnS系列を用いた赤色及び緑色などのEL表示素
子は明るい光を発光しているが、青色のEL表示素子は
輝度が相当に弱い。このような青色EL表示素子を、添
付した図面を参照して説明すれば、次の通りである。図
1は従来の技術によるSrS:Ce EL表示素子の構
造断面図であり、図2は従来の技術によるSrS:Ce
EL表示素子のリーディングエッジとトレーリングエ
ッジを示したグラフである。
と、ZnS系列を用いた赤色及び緑色などのEL表示素
子は明るい光を発光しているが、青色のEL表示素子は
輝度が相当に弱い。このような青色EL表示素子を、添
付した図面を参照して説明すれば、次の通りである。図
1は従来の技術によるSrS:Ce EL表示素子の構
造断面図であり、図2は従来の技術によるSrS:Ce
EL表示素子のリーディングエッジとトレーリングエ
ッジを示したグラフである。
【0004】従来のSrS:Ce EL素子の製造方法
は、ガラス基板1上に透明導電膜であるITO(Indium
Tin Oxide)を積層した後、フォトリソグラフィ工程法
でパタニングしてITO層2を形成し、前記ITO層2
上にTa2O5を約2000Åの厚さに蒸着して第1絶縁
層3を形成する。引き続き、前記第1絶縁層3上に所望
の色を発光する元素を添加した発光層である蛍光層4を
約6000Åの厚さに蒸着させ、前記蛍光層4上に第2
絶縁層5を約2000Å程度の厚さに蒸着させる。ここ
で、所望の色が青色なので、主物質SrSに元素Ceを
添加したSrS:Ceを発光素子として用いる。その
後、前記第2絶縁層5上にアルミニウムを蒸着した後、
フォトリソグラフィ法を用いて所望の形態にエッチング
を施して上部電極6を形成し、湿気や酸化などによる素
子の機能低下を防止するためにシリコンオイルとホワイ
トグラスを用いてシーリングを行うことにより青色EL
素子を完成する。
は、ガラス基板1上に透明導電膜であるITO(Indium
Tin Oxide)を積層した後、フォトリソグラフィ工程法
でパタニングしてITO層2を形成し、前記ITO層2
上にTa2O5を約2000Åの厚さに蒸着して第1絶縁
層3を形成する。引き続き、前記第1絶縁層3上に所望
の色を発光する元素を添加した発光層である蛍光層4を
約6000Åの厚さに蒸着させ、前記蛍光層4上に第2
絶縁層5を約2000Å程度の厚さに蒸着させる。ここ
で、所望の色が青色なので、主物質SrSに元素Ceを
添加したSrS:Ceを発光素子として用いる。その
後、前記第2絶縁層5上にアルミニウムを蒸着した後、
フォトリソグラフィ法を用いて所望の形態にエッチング
を施して上部電極6を形成し、湿気や酸化などによる素
子の機能低下を防止するためにシリコンオイルとホワイ
トグラスを用いてシーリングを行うことにより青色EL
素子を完成する。
【0005】かかる製造過程により完成された二重絶縁
層構造を有する従来の青色EL素子は、両端電極に約2
00ボルト程度の交流電圧を印加すると、前記蛍光層4
と第1絶縁層3及び第2絶縁層5間に高電圧が発生して
前記蛍光層4と絶縁層3,5間の界面に存在する電子を
加速化させるようになる。
層構造を有する従来の青色EL素子は、両端電極に約2
00ボルト程度の交流電圧を印加すると、前記蛍光層4
と第1絶縁層3及び第2絶縁層5間に高電圧が発生して
前記蛍光層4と絶縁層3,5間の界面に存在する電子を
加速化させるようになる。
【0006】前記の過程でエネルギーを得た電子は、蛍
光層4をSrS:Ceで形成したので、蛍光層4内にあ
る発光元素Ceと衝突し、その結果、電子が有するエネ
ルギーを発光元素Ceに伝達して発光元素Ceの外郭電
子を励起させるようになる。したがって、前記励起され
た電子は高いエネルギー準位に遷移してから再び基底状
態への遷移が行われて励起状態と基底状態とのエネルギ
ー差に相当するエネルギーを光エネルギーとして放出す
るようになる。この際、前記蛍光層4をSrS:Ceで
形成するので青色の光を発光するようになる。
光層4をSrS:Ceで形成したので、蛍光層4内にあ
る発光元素Ceと衝突し、その結果、電子が有するエネ
ルギーを発光元素Ceに伝達して発光元素Ceの外郭電
子を励起させるようになる。したがって、前記励起され
た電子は高いエネルギー準位に遷移してから再び基底状
態への遷移が行われて励起状態と基底状態とのエネルギ
ー差に相当するエネルギーを光エネルギーとして放出す
るようになる。この際、前記蛍光層4をSrS:Ceで
形成するので青色の光を発光するようになる。
【0007】このように青色の光を発光するSrS:C
e EL素子の特性を説明すれば、次の通りである。青
色は通常470〜480nmの波長を有するが、任意の
波長の光を分析してみると、従来のSrS:Ce EL
素子は、図2のようなリーディングエッジとトレーリン
グエッジ特性を有する。
e EL素子の特性を説明すれば、次の通りである。青
色は通常470〜480nmの波長を有するが、任意の
波長の光を分析してみると、従来のSrS:Ce EL
素子は、図2のようなリーディングエッジとトレーリン
グエッジ特性を有する。
【0008】図2のAは電圧を、Bは消費電流を、Cは
光の放出量を示す。一般的にSrS:Ceを蛍光層とし
て用いる場合は、光の発光時、リーディングエッジとト
レーリングエッジが発生して、トレーリングエッジの効
率がリーディングエッジの約5倍に達するようになる。
一旦、EL素子に電界が加えられると、蛍光層にフィー
ルドクランピングが発生し、リーディングエッジの高電
界領域で発光元素Ceのイオン化が行われ、界面で捕獲
された電子により蛍光層の内部は極性を持つようにな
る。
光の放出量を示す。一般的にSrS:Ceを蛍光層とし
て用いる場合は、光の発光時、リーディングエッジとト
レーリングエッジが発生して、トレーリングエッジの効
率がリーディングエッジの約5倍に達するようになる。
一旦、EL素子に電界が加えられると、蛍光層にフィー
ルドクランピングが発生し、リーディングエッジの高電
界領域で発光元素Ceのイオン化が行われ、界面で捕獲
された電子により蛍光層の内部は極性を持つようにな
る。
【0009】その後、トレーリングエッジでスイッチン
グオフされると、前記蛍光層では有効電界が低くなり、
結局は電界の逆転が発生するようになる。この際、低い
界面状態に捕獲されていた電子が再び蛍光層の内部に再
放出されて拡散により移動してイオン化され、クーロン
引力により互いに引っ張る発光元素と再結合しながら光
を発光するようになる。この光がトレーリングエッジと
して現れる。
グオフされると、前記蛍光層では有効電界が低くなり、
結局は電界の逆転が発生するようになる。この際、低い
界面状態に捕獲されていた電子が再び蛍光層の内部に再
放出されて拡散により移動してイオン化され、クーロン
引力により互いに引っ張る発光元素と再結合しながら光
を発光するようになる。この光がトレーリングエッジと
して現れる。
【0010】ところが、従来のSrS:Ce EL素子
の場合には、蛍光層と絶縁膜の界面が両側にしかないの
で、トレーリングエッジの大きさがリーディングエッジ
の大きさに比して非常に微弱であるということが判る。
したがって、前述したように、トレーリングエッジがリ
ーディングエッジに比して微弱なので、従来のSrS:
Ceを蛍光層として用いるEL素子はZnS系列を蛍光
層として用いる青色や緑色のEL素子に比して光の輝度
が相対的に弱いので、実際の製品への適用において多く
の問題があり、かつ、製品の効率もよくない短所があ
る。
の場合には、蛍光層と絶縁膜の界面が両側にしかないの
で、トレーリングエッジの大きさがリーディングエッジ
の大きさに比して非常に微弱であるということが判る。
したがって、前述したように、トレーリングエッジがリ
ーディングエッジに比して微弱なので、従来のSrS:
Ceを蛍光層として用いるEL素子はZnS系列を蛍光
層として用いる青色や緑色のEL素子に比して光の輝度
が相対的に弱いので、実際の製品への適用において多く
の問題があり、かつ、製品の効率もよくない短所があ
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は
前記のような問題点を鑑みて創案されたものであり、蛍
光層と絶縁層の界面を拡張して青色EL素子の輝度と効
率を向上させることを課題とするものである。
前記のような問題点を鑑みて創案されたものであり、蛍
光層と絶縁層の界面を拡張して青色EL素子の輝度と効
率を向上させることを課題とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するために本発明のカラーEL素子は、基板と、前記基
板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形成さ
れる第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成される複数
個の中間絶縁層が一定な間隔に挿入された蛍光層と、前
記蛍光層上に形成される第2絶縁層と、そして、前記第
2絶縁層上に形成される第2電極とを有することを特徴
とするものである。
するために本発明のカラーEL素子は、基板と、前記基
板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形成さ
れる第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成される複数
個の中間絶縁層が一定な間隔に挿入された蛍光層と、前
記蛍光層上に形成される第2絶縁層と、そして、前記第
2絶縁層上に形成される第2電極とを有することを特徴
とするものである。
【0013】また、前記のような目的を達成するための
本発明のカラーEL素子の製造方法は、基板を用意する
段階と、前記基板上に第1電極を形成する段階と、前記
第1電極上に第1絶縁層を形成する段階と、前記第1絶
縁層上に蛍光層及び中間絶縁層を繰り返して形成させ、
最上層を蛍光層とする段階と、その蛍光層上に第2絶縁
層を形成する段階と、前記第2絶縁層上に第2電極を形
成する段階とを有することを特徴とする。
本発明のカラーEL素子の製造方法は、基板を用意する
段階と、前記基板上に第1電極を形成する段階と、前記
第1電極上に第1絶縁層を形成する段階と、前記第1絶
縁層上に蛍光層及び中間絶縁層を繰り返して形成させ、
最上層を蛍光層とする段階と、その蛍光層上に第2絶縁
層を形成する段階と、前記第2絶縁層上に第2電極を形
成する段階とを有することを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本実
施形態のカラーEL素子を詳細に説明する。図3aは本
発明の一実施例のEL素子構造の断面図である。図3b
は図3aのI部分の詳細構成の断面図である。
施形態のカラーEL素子を詳細に説明する。図3aは本
発明の一実施例のEL素子構造の断面図である。図3b
は図3aのI部分の詳細構成の断面図である。
【0015】本実施形態のカラーEL素子は基板10上
に透明導電膜であるITO12が形成されており、その
上に第1絶縁層14と蛍光層16が順に積層されてい
る。次に、前記蛍光層16上には中間絶縁層18が形成
されており、前記中間絶縁層18上には蛍光層16、第
2絶縁層20及び上部電極22が順に積層された構造よ
りなっている。即ち、蛍光層16の内部に他の絶縁層の
中間絶縁層18が挿入された構造を有している。図3a
では2層の蛍光層の間に1層の中間絶縁層が配置された
形状であるが、実際には、bに示すように、この蛍光層
16及び中間絶縁層18は多層に積層されている。ここ
で、前記中間絶縁層18は極めて薄い厚さで、その材料
としては、Ta2O5 ,TiO2 ,SiO2 ,Y2O3 ,
SiONのうちいずれか一つが選ばれる。
に透明導電膜であるITO12が形成されており、その
上に第1絶縁層14と蛍光層16が順に積層されてい
る。次に、前記蛍光層16上には中間絶縁層18が形成
されており、前記中間絶縁層18上には蛍光層16、第
2絶縁層20及び上部電極22が順に積層された構造よ
りなっている。即ち、蛍光層16の内部に他の絶縁層の
中間絶縁層18が挿入された構造を有している。図3a
では2層の蛍光層の間に1層の中間絶縁層が配置された
形状であるが、実際には、bに示すように、この蛍光層
16及び中間絶縁層18は多層に積層されている。ここ
で、前記中間絶縁層18は極めて薄い厚さで、その材料
としては、Ta2O5 ,TiO2 ,SiO2 ,Y2O3 ,
SiONのうちいずれか一つが選ばれる。
【0016】上記構造の本実施形態カラーEL素子の製
造方法は次の通りである。ガラス基板10上に透明導電
膜であるITO層12を形成し、前記ITO層12上に
第1絶縁層14を形成する。そして、前記第1絶縁層1
4上にSrS:Ce等の蛍光層16と中間絶縁層18を
繰り返し積層する。そして蛍光層16を最上層に形成せ
しめる。このように、蛍光層16と中間絶縁層18が繰
り返し積層された前記蛍光層16上に第2絶縁層20及
び上部電極22を順に形成して完成する。
造方法は次の通りである。ガラス基板10上に透明導電
膜であるITO層12を形成し、前記ITO層12上に
第1絶縁層14を形成する。そして、前記第1絶縁層1
4上にSrS:Ce等の蛍光層16と中間絶縁層18を
繰り返し積層する。そして蛍光層16を最上層に形成せ
しめる。このように、蛍光層16と中間絶縁層18が繰
り返し積層された前記蛍光層16上に第2絶縁層20及
び上部電極22を順に形成して完成する。
【0017】このような本発明のカラーEL素子の動作
及び効果を説明すれば、次の通りである。本発明のカラ
ーEL素子は図3bのように蛍光層16の内部に中間絶
縁層18を挿入し、これら中間絶縁層18を多層に積層
するので、界面が多数個形成されてトレーリングエッジ
の大きさを拡大させることができる。
及び効果を説明すれば、次の通りである。本発明のカラ
ーEL素子は図3bのように蛍光層16の内部に中間絶
縁層18を挿入し、これら中間絶縁層18を多層に積層
するので、界面が多数個形成されてトレーリングエッジ
の大きさを拡大させることができる。
【0018】即ち、界面で捕獲された電子は、その距離
を考慮すれば、インターフェース付近の限られた発光中
心にのみ到達する。しかしながら、多層に形成された本
発明の構造を有する場合には、リーディングエッジの間
に電子を捕獲する低い界面状態を形成する役割を果たす
界面層をさらに多く確保することができるので、リーデ
ィングエッジ以後、低い界面状態に捕獲された前記電子
が蛍光層の内部の電界がゼロになる間に再放出とイオン
化された発光元素Ceとの再結合を確実にし、従来より
多量の光を放出しうるようになる。結果的にトレーリン
グエッジは大きくなって素子の全体的な輝度も向上され
る。即ち、従来のEL素子よりも明るい光の輝度を得る
ことができる。
を考慮すれば、インターフェース付近の限られた発光中
心にのみ到達する。しかしながら、多層に形成された本
発明の構造を有する場合には、リーディングエッジの間
に電子を捕獲する低い界面状態を形成する役割を果たす
界面層をさらに多く確保することができるので、リーデ
ィングエッジ以後、低い界面状態に捕獲された前記電子
が蛍光層の内部の電界がゼロになる間に再放出とイオン
化された発光元素Ceとの再結合を確実にし、従来より
多量の光を放出しうるようになる。結果的にトレーリン
グエッジは大きくなって素子の全体的な輝度も向上され
る。即ち、従来のEL素子よりも明るい光の輝度を得る
ことができる。
【0019】図4には前記のような効果を有するリーデ
ィングエッジとトレーリングエッジの関係が示されてい
る。前記の図面にこのような効果をさらに確実にするた
めに、電圧、電流及び放出量を互いに分離して示した
が、前記図面のDは従来の電流値と光の放出量を、E及
びFは本実施形態による電流値と光の放出量を示したも
のであり、Eは内部に中間絶縁層が挿入された蛍光層が
5層よりなる場合を、Fは内部に中間絶縁層が挿入され
た蛍光層が9層よりなる場合を示したものである。
ィングエッジとトレーリングエッジの関係が示されてい
る。前記の図面にこのような効果をさらに確実にするた
めに、電圧、電流及び放出量を互いに分離して示した
が、前記図面のDは従来の電流値と光の放出量を、E及
びFは本実施形態による電流値と光の放出量を示したも
のであり、Eは内部に中間絶縁層が挿入された蛍光層が
5層よりなる場合を、Fは内部に中間絶縁層が挿入され
た蛍光層が9層よりなる場合を示したものである。
【0020】前記図面から判るように、従来の場合より
は本発明の積層構造を有する場合、また、前記5層に積
層された場合よりは9層に積層された場合が光の放出量
がさらに多いことが判る。即ち、EL素子の蛍光層を多
層として形成するほど光の放出量が次第に増えるので、
前記素子の輝度も向上される。
は本発明の積層構造を有する場合、また、前記5層に積
層された場合よりは9層に積層された場合が光の放出量
がさらに多いことが判る。即ち、EL素子の蛍光層を多
層として形成するほど光の放出量が次第に増えるので、
前記素子の輝度も向上される。
【0021】
【発明の効果】以上前述した本発明によれば、蛍光層の
内部に中間絶縁層を挿入し、これら層を多層に積層する
と、多数の界面が形成され、前記界面はリーディングエ
ッジの間に電子を捕獲する低い界面状態をさらに多く形
成するので、ここに捕獲された電子が再放出されてイオ
ン化された発光中心と再結合した後に光を放出すると、
トレーリングエッジが大きくなり、結果的に放出した全
体光量が増えて既存のEL素子の発光輝度よりさらに高
い輝度の放出が可能である。
内部に中間絶縁層を挿入し、これら層を多層に積層する
と、多数の界面が形成され、前記界面はリーディングエ
ッジの間に電子を捕獲する低い界面状態をさらに多く形
成するので、ここに捕獲された電子が再放出されてイオ
ン化された発光中心と再結合した後に光を放出すると、
トレーリングエッジが大きくなり、結果的に放出した全
体光量が増えて既存のEL素子の発光輝度よりさらに高
い輝度の放出が可能である。
【図1】 従来の技術によるSrS:Ce EL表示
素子を示した断面図である。
素子を示した断面図である。
【図2】 従来の技術によるEL素子のリーディング
エッジとトレーリングエッジを示したグラフである。
エッジとトレーリングエッジを示したグラフである。
【図3】 Aは本発明によるEL素子を示した断面図
であり、Bは図3AのI部分を示した要部断面図であ
る。
であり、Bは図3AのI部分を示した要部断面図であ
る。
【図4】 本発明によるEL素子のリーディングエッジ
とトレーリングエッジを示したグラフである。
とトレーリングエッジを示したグラフである。
10...ガラス基板 12...透明導電膜 14...第1絶縁層 16...蛍光層 18...層間絶縁膜 20...第2絶縁層 22...上部電極
Claims (2)
- 【請求項1】 基板と、 前記基板上に形成される第1電極と、 前記第1電極上に形成される第1絶縁層と、 前記第1絶縁層上に形成される複数個の中間絶縁層を一
定の間隔で挿入した蛍光層と、 前記蛍光層上に形成される第2絶縁層と、 前記第2絶縁層上に形成される第2電極とを有すること
を特徴とするカラーエレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項2】 基板を用意する段階と、 前記基板上に第1電極を形成する段階と、 前記第1電極上に第1絶縁層を形成する段階と、 前記第1絶縁層上に蛍光層及び中間絶縁層を繰り返して
形成し、最上層を蛍光層とする段階と、 前記蛍光層上に第2絶縁層を形成する段階と、 前記第2絶縁層上に第2電極を形成する段階とを有する
ことを特徴とするカラーエレクトロルミネセンス素子の
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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