JPH08255837A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08255837A JPH08255837A JP5886895A JP5886895A JPH08255837A JP H08255837 A JPH08255837 A JP H08255837A JP 5886895 A JP5886895 A JP 5886895A JP 5886895 A JP5886895 A JP 5886895A JP H08255837 A JPH08255837 A JP H08255837A
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アンチヒューズ形成用バイアホールと通常の
上下層配線接続用バイアホールを同時に形成することが
できる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成した
後、フォトレジスト１２で通常の上下層配線接続用バイ
アホール８を覆い、アンチヒューズ形成用バイアホール
５内に露出した第１メタル配線３を、希釈された硝酸水
溶液で酸化することによって水酸化アルミニウム膜１３
を形成し、水酸化アルミニウム膜１３を加熱することに
よって酸化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜１
４を形成する。
上下層配線接続用バイアホールを同時に形成することが
できる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成した
後、フォトレジスト１２で通常の上下層配線接続用バイ
アホール８を覆い、アンチヒューズ形成用バイアホール
５内に露出した第１メタル配線３を、希釈された硝酸水
溶液で酸化することによって水酸化アルミニウム膜１３
を形成し、水酸化アルミニウム膜１３を加熱することに
よって酸化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜１
４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、絶縁薄膜をメタル配
線で挟んだアンチヒューズをプログラム素子として用い
るゲートアレイなどの半導体装置の製造方法に関するも
のである。
線で挟んだアンチヒューズをプログラム素子として用い
るゲートアレイなどの半導体装置の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ユーザーが設計現場でプログラム
してそのまま使えるゲートアレイＦＰＧＡ(Field Progr
ammable Gate Array) を高速化するため、絶縁薄膜をメ
タル配線で挟んだアンチヒューズをプログラム素子とし
て用いるＦＰＧＡが広く用いられている。
してそのまま使えるゲートアレイＦＰＧＡ(Field Progr
ammable Gate Array) を高速化するため、絶縁薄膜をメ
タル配線で挟んだアンチヒューズをプログラム素子とし
て用いるＦＰＧＡが広く用いられている。
【０００３】以下、従来の半導体装置について説明す
る。図２１は従来の半導体装置の断面図、図２２は従来
の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図２
１および図２２において、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３は第１メタル配線、７および９はそれぞれ
第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メタル配線３
の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と第２メタル
配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタル配線３と
第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成用バイアホ
ール、６はアモルファスシリコンよりなるアンチヒュー
ズ膜、８は第１メタル配線３と第２メタル配線９の間の
通常の上下層配線接続用バイアホール、１０はアンチヒ
ューズ膜６の加工に用いるフォトレジストマスク、１１
は通常の上下層配線接続用バイアホール８の加工に用い
るフォトレジストマスクである。
る。図２１は従来の半導体装置の断面図、図２２は従来
の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図２
１および図２２において、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３は第１メタル配線、７および９はそれぞれ
第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メタル配線３
の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と第２メタル
配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタル配線３と
第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成用バイアホ
ール、６はアモルファスシリコンよりなるアンチヒュー
ズ膜、８は第１メタル配線３と第２メタル配線９の間の
通常の上下層配線接続用バイアホール、１０はアンチヒ
ューズ膜６の加工に用いるフォトレジストマスク、１１
は通常の上下層配線接続用バイアホール８の加工に用い
るフォトレジストマスクである。
【０００４】図２１に基づいて、従来の半導体装置のプ
ログラム方法を説明する。書き込みを行う前には、アン
チヒューズ膜６によって第１メタル配線３は第２メタル
配線７と絶縁されている。第１メタル配線３と第２メタ
ル配線７の間に書き込み電圧約１０Ｖを印加することに
よって、アンチヒューズ膜６は導通し、抵抗の平均値は
約８０Ωとなる。以上のようにして、ユーザーが半導体
装置を設計現場でプログラムしてそのまま使うことがで
きる。
ログラム方法を説明する。書き込みを行う前には、アン
チヒューズ膜６によって第１メタル配線３は第２メタル
配線７と絶縁されている。第１メタル配線３と第２メタ
ル配線７の間に書き込み電圧約１０Ｖを印加することに
よって、アンチヒューズ膜６は導通し、抵抗の平均値は
約８０Ωとなる。以上のようにして、ユーザーが半導体
装置を設計現場でプログラムしてそのまま使うことがで
きる。
【０００５】さらに、従来の半導体装置の製造方法につ
いて、図２２に従って説明する。まず、図２２（ａ）の
ように、半導体基板１の上に層間絶縁膜２を形成し、さ
らに層間絶縁膜２の上に第１メタル配線３を形成した
後、膜厚７００ｎｍの層間絶縁膜４を堆積する。さら
に、アンチヒューズ形成用バイアホール５を形成する。
つぎに、図２２（ｂ）のように、膜厚２００ｎｍのアモ
ルファスシリコンよりなるアンチヒューズ膜６を基板温
度４００℃のプラズマＣＶＤ法を用いて堆積した後、フ
ォトレジストマスク１０を用いてアンチヒューズ膜６を
パターニングする。その後、図２２（ｃ）のように、フ
ォトレジストマスク１１を用いてアンチヒューズ膜６を
カバーしつつ層間絶縁膜４を異方性エッチングして、図
２２（ｄ）のように、通常の上下層配線接続用バイアホ
ール８を形成し、さらに、第２メタル配線７と第２メタ
ル配線９を形成する。
いて、図２２に従って説明する。まず、図２２（ａ）の
ように、半導体基板１の上に層間絶縁膜２を形成し、さ
らに層間絶縁膜２の上に第１メタル配線３を形成した
後、膜厚７００ｎｍの層間絶縁膜４を堆積する。さら
に、アンチヒューズ形成用バイアホール５を形成する。
つぎに、図２２（ｂ）のように、膜厚２００ｎｍのアモ
ルファスシリコンよりなるアンチヒューズ膜６を基板温
度４００℃のプラズマＣＶＤ法を用いて堆積した後、フ
ォトレジストマスク１０を用いてアンチヒューズ膜６を
パターニングする。その後、図２２（ｃ）のように、フ
ォトレジストマスク１１を用いてアンチヒューズ膜６を
カバーしつつ層間絶縁膜４を異方性エッチングして、図
２２（ｄ）のように、通常の上下層配線接続用バイアホ
ール８を形成し、さらに、第２メタル配線７と第２メタ
ル配線９を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置の製造方法では、アンチヒューズ形成用
バイアホール５を形成した後、アンチヒューズ膜６を基
板温度４００℃のプラズマＣＶＤ法を用いて堆積するの
で、アンチヒューズ形成用バイアホール５と同時に通常
の上下層配線接続用バイアホール８を形成しておき、ア
ンチヒューズ膜６の堆積時に通常の上下層配線接続用バ
イアホール８をフォトレジストマスクで隠蔽しておくこ
とは、フォトレジストマスクが変質を起こすことから不
可能であり、アンチヒューズ膜６の形成後に通常の上下
層配線接続用バイアホール８を形成せざるを得ず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できないため、コスト
が高いという問題がある。
来の半導体装置の製造方法では、アンチヒューズ形成用
バイアホール５を形成した後、アンチヒューズ膜６を基
板温度４００℃のプラズマＣＶＤ法を用いて堆積するの
で、アンチヒューズ形成用バイアホール５と同時に通常
の上下層配線接続用バイアホール８を形成しておき、ア
ンチヒューズ膜６の堆積時に通常の上下層配線接続用バ
イアホール８をフォトレジストマスクで隠蔽しておくこ
とは、フォトレジストマスクが変質を起こすことから不
可能であり、アンチヒューズ膜６の形成後に通常の上下
層配線接続用バイアホール８を形成せざるを得ず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できないため、コスト
が高いという問題がある。
【０００７】この発明は上記従来のコスト面での問題を
解決するもので、アンチヒューズ形成用バイアホールと
通常の上下層配線接続用バイアホールとを同時に形成す
ることができ、製造コストを下げることができる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
解決するもので、アンチヒューズ形成用バイアホールと
通常の上下層配線接続用バイアホールとを同時に形成す
ることができ、製造コストを下げることができる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、アンチヒューズ形成用バイアホールお
よび通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
した後、フォトレジストマスクで通常の上下層配線接続
用バイアホールを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールを選択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイア
ホール内に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線
に、フォトレジストマスクの変質を誘起しない温度で絶
縁膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを特徴と
する。
置の製造方法は、アンチヒューズ形成用バイアホールお
よび通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
した後、フォトレジストマスクで通常の上下層配線接続
用バイアホールを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールを選択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイア
ホール内に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線
に、フォトレジストマスクの変質を誘起しない温度で絶
縁膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを特徴と
する。
【０００９】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線を、希釈された硝
酸水溶液で酸化することによって水酸化アルミニウム膜
を形成し、この水酸化アルミニウム膜を加熱することに
よって酸化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を
形成することを特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線を、希釈された硝
酸水溶液で酸化することによって水酸化アルミニウム膜
を形成し、この水酸化アルミニウム膜を加熱することに
よって酸化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を
形成することを特徴とする。
【００１０】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注入機
を用いて酸素イオン注入を行うことによって、酸化アル
ミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注入機
を用いて酸素イオン注入を行うことによって、酸化アル
ミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
【００１１】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプラズ
マ装置を用いて酸素イオン注入を行うことによって、酸
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことを特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプラズ
マ装置を用いて酸素イオン注入を行うことによって、酸
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことを特徴とする。
【００１２】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注入機
を用いて弗素イオン注入を行うことによって、弗化アル
ミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注入機
を用いて弗素イオン注入を行うことによって、弗化アル
ミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
【００１３】請求項６記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプラズ
マ装置を用いて弗素イオン注入を行うことによって、弗
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことを特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプラズ
マ装置を用いて弗素イオン注入を行うことによって、弗
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことを特徴とする。
【００１４】請求項７記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注入機
を用いて窒素イオン注入を行うことによって、窒化アル
ミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注入機
を用いて窒素イオン注入を行うことによって、窒化アル
ミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
【００１５】請求項８記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプラズ
マ装置を用いて窒素イオン注入を行うことによって、窒
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことを特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプラズ
マ装置を用いて窒素イオン注入を行うことによって、窒
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことを特徴とする。
【００１６】請求項９記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
た下層配線上に、スパッタ法によって堆積したアモルフ
ァスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するこ
とを特徴とする。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的に露
出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露出し
た下層配線上に、スパッタ法によって堆積したアモルフ
ァスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するこ
とを特徴とする。
【００１７】請求項１０記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、スパッタ法によって堆積した酸化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、スパッタ法によって堆積した酸化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
【００１８】請求項１１記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、スパッタ法によって堆積した窒化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、スパッタ法によって堆積した窒化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
【００１９】請求項１２記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
堆積したアモルファスシリコン膜よりなるアンチヒュー
ズ膜を形成することを特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
堆積したアモルファスシリコン膜よりなるアンチヒュー
ズ膜を形成することを特徴とする。
【００２０】請求項１３記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形
成することを特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形
成することを特徴とする。
【００２１】請求項１４記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
堆積した窒化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形
成することを特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
堆積した窒化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形
成することを特徴とする。
【００２２】請求項１５記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、液相酸化シリコン膜堆積法によっ
て選択的に堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチヒュ
ーズ膜を形成することを特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、液相酸化シリコン膜堆積法によっ
て選択的に堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチヒュ
ーズ膜を形成することを特徴とする。
【００２３】請求項１６記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＦＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ
法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチヒュ
ーズ膜を形成することを特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＦＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ
法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチヒュ
ーズ膜を形成することを特徴とする。
【００２４】請求項１７記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＳＯＧ法によって塗布した酸化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを特
徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、ＳＯＧ法によって塗布した酸化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを特
徴とする。
【００２５】請求項１８記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積したアモ
ルファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成す
ることを特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積したアモ
ルファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成す
ることを特徴とする。
【００２６】請求項１９記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
【００２７】請求項２０記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積した窒化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積した窒化
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することを
特徴とする。
【００２８】請求項２１記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化
アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するこ
とを特徴とする。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出した下層配線上に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化
アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するこ
とを特徴とする。
【００２９】
【作用】請求項１記載の半導体装置の製造方法によれ
ば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレジ
ストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変質
させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに絶
縁膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することが可能と
なり、その結果アンチヒューズ形成用バイアホールと通
常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。
ば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレジ
ストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変質
させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに絶
縁膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することが可能と
なり、その結果アンチヒューズ形成用バイアホールと通
常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。
【００３０】請求項２記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
後で酸化アルミニウム膜に変質させる水酸化アルミニウ
ム膜を形成することが可能となり、アンチヒューズ形成
用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成できるため、製造コストを低減することが
できる。特に、希釈された硝酸水溶液を用いたウェット
処理によって形成した水酸化アルミニウム膜をアンチヒ
ューズ膜として用いるため、アンチヒューズ膜の形成の
ために特殊な処理装置を要しない。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
後で酸化アルミニウム膜に変質させる水酸化アルミニウ
ム膜を形成することが可能となり、アンチヒューズ形成
用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成できるため、製造コストを低減することが
できる。特に、希釈された硝酸水溶液を用いたウェット
処理によって形成した水酸化アルミニウム膜をアンチヒ
ューズ膜として用いるため、アンチヒューズ膜の形成の
ために特殊な処理装置を要しない。
【００３１】請求項３記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
酸化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能であ
る。また、アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜
を用いているため、書き込みを行わない場合には高い絶
縁耐圧が得られる。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
酸化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能であ
る。また、アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜
を用いているため、書き込みを行わない場合には高い絶
縁耐圧が得られる。
【００３２】請求項４記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
酸化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、高いイオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置
を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、スループッ
トの高いアンチヒューズ膜の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜を用いてい
るため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧が得
られる。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
酸化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、高いイオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置
を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、スループッ
トの高いアンチヒューズ膜の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜を用いてい
るため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧が得
られる。
【００３３】請求項５記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
弗化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能であ
る。また、アンチヒューズ膜として弗化アルミニウム膜
を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現
できる。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
弗化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能であ
る。また、アンチヒューズ膜として弗化アルミニウム膜
を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現
できる。
【００３４】請求項６記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
弗化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、高いイオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置
を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、スループッ
トの高いアンチヒューズ膜の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜として弗化アルミニウム膜を用いてい
るため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現できる。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
弗化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、高いイオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置
を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、スループッ
トの高いアンチヒューズ膜の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜として弗化アルミニウム膜を用いてい
るため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現できる。
【００３５】請求項７記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
窒化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能であ
る。また、アンチヒューズ膜として窒化アルミニウム膜
を用いているため、書き込み後には１００Ω以下の低抵
抗が得られる。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
窒化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能であ
る。また、アンチヒューズ膜として窒化アルミニウム膜
を用いているため、書き込み後には１００Ω以下の低抵
抗が得られる。
【００３６】請求項８記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
窒化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、高いイオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置
を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、スループッ
トの高いアンチヒューズ膜の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜として窒化アルミニウム膜を用いてい
るため、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られ
る。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
窒化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成す
ることが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホー
ルと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
できるため、製造コストを低減することができる。特
に、高いイオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置
を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、スループッ
トの高いアンチヒューズ膜の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜として窒化アルミニウム膜を用いてい
るため、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られ
る。
【００３７】請求項９記載の半導体装置の製造方法によ
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
アモルファスシリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形
成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイア
ホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ膜としてアモルファスシリコ
ン膜を用いているため、書き込み後には１００Ω以下の
低抵抗が得られる。
れば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォトレ
ジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを変
質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホールに
アモルファスシリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形
成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイア
ホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成する
ため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ膜としてアモルファスシリコ
ン膜を用いているため、書き込み後には１００Ω以下の
低抵抗が得られる。
【００３８】請求項１０記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、
下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用いてい
るため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い
絶縁耐圧が得られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、
下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用いてい
るため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い
絶縁耐圧が得られる。
【００３９】請求項１１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に窒化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、
下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ膜として窒化シリコン膜を用いてい
るため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現できる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に窒化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、
下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ膜として窒化シリコン膜を用いてい
るため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現できる。
【００４０】請求項１２記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
にアモルファスシリコン膜からなるアンチヒューズ膜を
形成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒュ
ーズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒューズの形
成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択
することができる。また、バイアホール内でのアモルフ
ァスシリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜としてアモルファスシリコン膜を用いているた
め、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
にアモルファスシリコン膜からなるアンチヒューズ膜を
形成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒュ
ーズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒューズの形
成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択
することができる。また、バイアホール内でのアモルフ
ァスシリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜としてアモルファスシリコン膜を用いているた
め、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
【００４１】請求項１３記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形
成するため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用
いない。よって、下層配線材料を自由に選択することが
できる。また、バイアホール内での酸化シリコン膜のカ
バレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化
シリコン膜を用いているため、書き込みを行わない場合
には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形
成するため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用
いない。よって、下層配線材料を自由に選択することが
できる。また、バイアホール内での酸化シリコン膜のカ
バレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化
シリコン膜を用いているため、書き込みを行わない場合
には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
【００４２】請求項１４記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に窒化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形
成するため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用
いない。よって、下層配線材料を自由に選択することが
できる。また、バイアホール内での窒化シリコン膜のカ
バレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜として窒化
シリコン膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み
電圧が実現できる。請求項１５記載の半導体装置の製造
方法によれば、通常の上下層配線接続用バイアホールを
フォトレジストマスクで覆った状態でフォトレジストマ
スクを変質させることなくアンチヒューズ形成用バイア
ホールに酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形
成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイア
ホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、液相酸化シリコン膜堆積法によって選択的に堆積
した酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成す
るため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、バイアホール内での酸化シリコン膜のカバレ
ージも良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリ
コン膜を用いているため、書き込みを行わない場合には
１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に窒化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形
成するため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用
いない。よって、下層配線材料を自由に選択することが
できる。また、バイアホール内での窒化シリコン膜のカ
バレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜として窒化
シリコン膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み
電圧が実現できる。請求項１５記載の半導体装置の製造
方法によれば、通常の上下層配線接続用バイアホールを
フォトレジストマスクで覆った状態でフォトレジストマ
スクを変質させることなくアンチヒューズ形成用バイア
ホールに酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形
成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイア
ホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、液相酸化シリコン膜堆積法によって選択的に堆積
した酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成す
るため、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、バイアホール内での酸化シリコン膜のカバレ
ージも良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリ
コン膜を用いているため、書き込みを行わない場合には
１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
【００４３】請求項１６記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＦＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積した酸
化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。
よって、下層配線材料を自由に選択することができる。
また、バイアホール内での酸化シリコン膜のカバレージ
も良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン
膜を用いているため、書き込みを行わない場合には１０
Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＦＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積した酸
化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。
よって、下層配線材料を自由に選択することができる。
また、バイアホール内での酸化シリコン膜のカバレージ
も良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン
膜を用いているため、書き込みを行わない場合には１０
Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
【００４４】請求項１７記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＳＯＧ法によって塗布した酸化シリコン膜よりなるアン
チヒューズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒュー
ズの形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由
に選択することができる。また、バイアホール内での酸
化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒュ
ーズ膜として酸化シリコン膜を用いているため、書き込
みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得ら
れる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
ＳＯＧ法によって塗布した酸化シリコン膜よりなるアン
チヒューズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒュー
ズの形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由
に選択することができる。また、バイアホール内での酸
化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒュ
ーズ膜として酸化シリコン膜を用いているため、書き込
みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得ら
れる。
【００４５】請求項１８記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
にアモルファスシリコン膜からなるアンチヒューズ膜を
形成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、光ＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するため、下
層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、バイアホール内でのアモルファスシリコン膜のカバ
レージも良い。さらに、アンチヒューズ膜としてアモル
ファスシリコン膜を用いているため、書き込み後には１
００Ω以下の低抵抗が得られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
にアモルファスシリコン膜からなるアンチヒューズ膜を
形成することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、光ＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成するため、下
層配線をアンチヒューズの形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、バイアホール内でのアモルファスシリコン膜のカバ
レージも良い。さらに、アンチヒューズ膜としてアモル
ファスシリコン膜を用いているため、書き込み後には１
００Ω以下の低抵抗が得られる。
【００４６】請求項１９記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
光ＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒュ
ーズの形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自
由に選択することができる。また、バイアホール内での
酸化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜として酸化シリコン膜を用いているため、書き
込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得
られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
光ＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒュ
ーズの形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自
由に選択することができる。また、バイアホール内での
酸化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜として酸化シリコン膜を用いているため、書き
込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得
られる。
【００４７】請求項２０記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に窒化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
光ＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒュ
ーズの形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自
由に選択することができる。また、バイアホール内での
窒化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜として窒化シリコン膜を用いているため、８Ｖ
以下の低い書き込み電圧が実現できる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に窒化シリコン膜からなるアンチヒューズ膜を形成する
ことが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホール
と通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成で
きるため、製造コストを低減することができる。特に、
光ＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成するため、下層配線をアンチヒュ
ーズの形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自
由に選択することができる。また、バイアホール内での
窒化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜として窒化シリコン膜を用いているため、８Ｖ
以下の低い書き込み電圧が実現できる。
【００４８】請求項２１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成
することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化アルミニウム膜よ
りなるアンチヒューズ膜を形成するため、下層配線をア
ンチヒューズの形成反応に用いない。よって、下層配線
材料を自由に選択することができる。また、バイアホー
ル内での酸化アルミニウム膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧
が得られる。
よれば、通常の上下層配線接続用バイアホールをフォト
レジストマスクで覆った状態でフォトレジストマスクを
変質させることなくアンチヒューズ形成用バイアホール
に酸化アルミニウム膜からなるアンチヒューズ膜を形成
することが可能となり、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化アルミニウム膜よ
りなるアンチヒューズ膜を形成するため、下層配線をア
ンチヒューズの形成反応に用いない。よって、下層配線
材料を自由に選択することができる。また、バイアホー
ル内での酸化アルミニウム膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧
が得られる。
【００４９】
〔第１の実施例：請求項１，２に対応〕この発明の半導
体装置の製造方法の第１の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１はこの発明の実施例における半
導体装置の製造方法を示す工程断面図であり、１はｐ型
シリコンよりなる半導体基板、３はアルミニウム合金よ
りなる第１メタル配線、７および９はそれぞれ第２メタ
ル配線、２は半導体基板１と第１メタル配線３の間の層
間絶縁膜、４は第１メタル配線３と第２メタル配線７，
９の間の層間絶縁膜、５は第１メタル配線３と第２メタ
ル配線７の間のアンチヒューズ形成用バイアホール、８
は第１メタル配線３と第２メタル配線９の間の通常の上
下層配線接続用バイアホール、１２は通常の上下層配線
接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用
バイアホール５のみを選択的に露出するためのフォトレ
ジストマスク、１３は水酸化アルミニウム膜、１４は酸
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
体装置の製造方法の第１の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１はこの発明の実施例における半
導体装置の製造方法を示す工程断面図であり、１はｐ型
シリコンよりなる半導体基板、３はアルミニウム合金よ
りなる第１メタル配線、７および９はそれぞれ第２メタ
ル配線、２は半導体基板１と第１メタル配線３の間の層
間絶縁膜、４は第１メタル配線３と第２メタル配線７，
９の間の層間絶縁膜、５は第１メタル配線３と第２メタ
ル配線７の間のアンチヒューズ形成用バイアホール、８
は第１メタル配線３と第２メタル配線９の間の通常の上
下層配線接続用バイアホール、１２は通常の上下層配線
接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用
バイアホール５のみを選択的に露出するためのフォトレ
ジストマスク、１３は水酸化アルミニウム膜、１４は酸
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
【００５０】まず、図１（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図１（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、希釈された硝酸水溶
液でアルミニウム合金よりなる第１メタル配線３を酸化
することによって水酸化アルミニウム膜１３を形成す
る。このときの処理温度は室温（約２０℃）である。そ
の後、図１（ｃ）のように、フォトレジストマスク１２
を除去して、４００℃の水素雰囲気中で２０分間水酸化
アルミニウム膜１３を加熱することによって酸化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜１４を得る。最後に、
図１（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配
線９を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図１（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、希釈された硝酸水溶
液でアルミニウム合金よりなる第１メタル配線３を酸化
することによって水酸化アルミニウム膜１３を形成す
る。このときの処理温度は室温（約２０℃）である。そ
の後、図１（ｃ）のように、フォトレジストマスク１２
を除去して、４００℃の水素雰囲気中で２０分間水酸化
アルミニウム膜１３を加熱することによって酸化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜１４を得る。最後に、
図１（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配
線９を形成する。
【００５１】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３を、希釈された硝酸水溶液で酸化することによって水
酸化アルミニウム膜１３を形成することと、水酸化アル
ミニウム膜１３を加熱することによって酸化アルミニウ
ム膜よりなるアンチヒューズ膜１４を形成することによ
って、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線
接続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コ
ストを低減することができる。特に、希釈された硝酸水
溶液を用いたウェット処理によって形成した水酸化アル
ミニウム膜１３をアンチヒューズ膜１４として用いるた
め、アンチヒューズ膜１４の形成のために特殊な処理装
置を要しない。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３を、希釈された硝酸水溶液で酸化することによって水
酸化アルミニウム膜１３を形成することと、水酸化アル
ミニウム膜１３を加熱することによって酸化アルミニウ
ム膜よりなるアンチヒューズ膜１４を形成することによ
って、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線
接続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コ
ストを低減することができる。特に、希釈された硝酸水
溶液を用いたウェット処理によって形成した水酸化アル
ミニウム膜１３をアンチヒューズ膜１４として用いるた
め、アンチヒューズ膜１４の形成のために特殊な処理装
置を要しない。
【００５２】〔第２の実施例：請求項１，３に対応〕つ
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第２の実施例
について、図２を参照しながら説明する。図２はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、１５は酸素イオン
注入層、１６は酸化アルミニウムよりなるアンチヒュー
ズ膜である。
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第２の実施例
について、図２を参照しながら説明する。図２はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、１５は酸素イオン
注入層、１６は酸化アルミニウムよりなるアンチヒュー
ズ膜である。
【００５３】まず、図２（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図２（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、イオン注入機を用い
て酸素イオン注入を行い、酸素イオン注入層１５を得
る。注入条件は加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量２
×１０17ｃｍ3 である。このときの基板温度ないし処理
温度は室温（約２０℃）である。その後、図２（ｃ）の
ように、フォトレジストマスク１２を除去して、４００
℃の水素雰囲気中で２０分間、半導体基板１を加熱する
ことによって酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ
膜１６を得る。最後に、図２（ｄ）のように、第２メタ
ル配線７と第２メタル配線９を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図２（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、イオン注入機を用い
て酸素イオン注入を行い、酸素イオン注入層１５を得
る。注入条件は加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量２
×１０17ｃｍ3 である。このときの基板温度ないし処理
温度は室温（約２０℃）である。その後、図２（ｃ）の
ように、フォトレジストマスク１２を除去して、４００
℃の水素雰囲気中で２０分間、半導体基板１を加熱する
ことによって酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ
膜１６を得る。最後に、図２（ｄ）のように、第２メタ
ル配線７と第２メタル配線９を形成する。
【００５４】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、イオン注入機を用いて酸素イオン注入を行うこと
によって、酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜
１６を形成することによって、フォトレジストマスク１
２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５と通常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜１６を形
成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可
能である。また、アンチヒューズ膜１６として酸化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込みを行わない場合
には高い絶縁耐圧が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、イオン注入機を用いて酸素イオン注入を行うこと
によって、酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜
１６を形成することによって、フォトレジストマスク１
２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５と通常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜１６を形
成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可
能である。また、アンチヒューズ膜１６として酸化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込みを行わない場合
には高い絶縁耐圧が得られる。
【００５５】〔第３の実施例：請求項１，４に対応〕つ
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第３の実施例
について、図３を参照しながら説明する。図３はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、１７はＥＣＲプラ
ズマ装置を用いて形成した酸素イオン注入層、１６は酸
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第３の実施例
について、図３を参照しながら説明する。図３はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、１７はＥＣＲプラ
ズマ装置を用いて形成した酸素イオン注入層、１６は酸
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
【００５６】まず、図３（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図３（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズマ装置
を用いて酸素イオン注入を行い、酸素イオン注入層１７
を得る。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波
周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚおよび２００Ｗ、
ＲＦ波周波数およびパワーが１３．５６ＭＨｚおよび５
０Ｗ、Ｏ 2 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は−１０℃
である。基板温度が十分に低いため、フォトレジストマ
スク１２は酸素プラズマとの反応により除去されない。
その後、図３（ｃ）のように、フォトレジストマスク１
２を除去して、４００℃の水素雰囲気中で２０分間、半
導体基板１を加熱することによって酸化アルミニウムよ
りなるアンチヒューズ膜１６を得る。最後に、図３
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図３（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズマ装置
を用いて酸素イオン注入を行い、酸素イオン注入層１７
を得る。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波
周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚおよび２００Ｗ、
ＲＦ波周波数およびパワーが１３．５６ＭＨｚおよび５
０Ｗ、Ｏ 2 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は−１０℃
である。基板温度が十分に低いため、フォトレジストマ
スク１２は酸素プラズマとの反応により除去されない。
その後、図３（ｃ）のように、フォトレジストマスク１
２を除去して、４００℃の水素雰囲気中で２０分間、半
導体基板１を加熱することによって酸化アルミニウムよ
りなるアンチヒューズ膜１６を得る。最後に、図３
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
【００５７】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマを用いて酸素イオン注入を行い、
酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜１６を形成
することによって、フォトレジストマスク１２が変質を
起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、高い
イオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置を用いて
アンチヒューズ膜１６を形成するため、スループットの
高いアンチヒューズ膜１６の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜１６として酸化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧
が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマを用いて酸素イオン注入を行い、
酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜１６を形成
することによって、フォトレジストマスク１２が変質を
起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、高い
イオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置を用いて
アンチヒューズ膜１６を形成するため、スループットの
高いアンチヒューズ膜１６の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜１６として酸化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧
が得られる。
【００５８】〔第４の実施例：請求項１，５に対応〕つ
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第４の実施例
について、図４を参照しながら説明する。図４はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、１８は弗素イオン
注入層、１９は弗化アルミニウムよりなるアンチヒュー
ズ膜である。
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第４の実施例
について、図４を参照しながら説明する。図４はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、１８は弗素イオン
注入層、１９は弗化アルミニウムよりなるアンチヒュー
ズ膜である。
【００５９】まず、図４（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図４（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、イオン注入機を用い
て弗素イオン注入を行い、弗素イオン注入層１８を得
る。注入条件は加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量２
×１０17ｃｍ3 である。このときの基板温度ないし処理
温度は室温（約２０℃）である。その後、図４（ｃ）の
ように、フォトレジストマスク１２を除去することによ
って弗化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜１９を
得る。最後に、図４（ｄ）のように、第２メタル配線７
と第２メタル配線９を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図４（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、イオン注入機を用い
て弗素イオン注入を行い、弗素イオン注入層１８を得
る。注入条件は加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量２
×１０17ｃｍ3 である。このときの基板温度ないし処理
温度は室温（約２０℃）である。その後、図４（ｃ）の
ように、フォトレジストマスク１２を除去することによ
って弗化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜１９を
得る。最後に、図４（ｄ）のように、第２メタル配線７
と第２メタル配線９を形成する。
【００６０】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、イオン注入機を用いて弗素イオン注入を行うこと
によって、弗化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜
１９を形成することによって、フォトレジストマスク１
２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５と通常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜１９を形
成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可
能である。また、アンチヒューズ膜１９として弗化アル
ミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み
電圧が実現できる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、イオン注入機を用いて弗素イオン注入を行うこと
によって、弗化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜
１９を形成することによって、フォトレジストマスク１
２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５と通常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜１９を形
成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可
能である。また、アンチヒューズ膜１９として弗化アル
ミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み
電圧が実現できる。
【００６１】〔第５の実施例：請求項１，６に対応〕つ
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第５の実施例
について、図５を参照しながら説明する。図５はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２０はＥＣＲプラ
ズマ装置を用いて形成した弗素イオン注入層、１９は弗
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第５の実施例
について、図５を参照しながら説明する。図５はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２０はＥＣＲプラ
ズマ装置を用いて形成した弗素イオン注入層、１９は弗
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
【００６２】まず、図５（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図５（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズマ装置
を用いて弗素イオン注入を行い、弗素イオン注入層２０
を得る。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波
周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚおよび２００Ｗ、
ＲＦ波周波数およびパワーが１３．５６ＭＨｚおよび５
０Ｗ、ＣＦ4 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は−１０
℃である。基板温度が十分に低いため、フォトレジスト
マスク１２は弗素プラズマとの反応により除去されな
い。その後、図５（ｃ）のように、フォトレジストマス
ク１２を除去することによって弗化アルミニウムよりな
るアンチヒューズ膜１９を得る。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図５（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズマ装置
を用いて弗素イオン注入を行い、弗素イオン注入層２０
を得る。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波
周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚおよび２００Ｗ、
ＲＦ波周波数およびパワーが１３．５６ＭＨｚおよび５
０Ｗ、ＣＦ4 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は−１０
℃である。基板温度が十分に低いため、フォトレジスト
マスク１２は弗素プラズマとの反応により除去されな
い。その後、図５（ｃ）のように、フォトレジストマス
ク１２を除去することによって弗化アルミニウムよりな
るアンチヒューズ膜１９を得る。
【００６３】最後に、図５（ｄ）のように、第２メタル
配線７と第２メタル配線９を形成する。この実施例によ
れば、アンチヒューズ形成用バイアホール５および通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成した
後、フォトレジストマスク１２で通常の上下層配線接続
用バイアホール８を覆い、アンチヒューズ形成用バイア
ホール５のみを選択的に露出させ、アンチヒューズ形成
用バイアホール５内に露出したアルミニウム合金よりな
る下層配線の第１メタル配線３に、ＥＣＲプラズマを用
いて弗素イオン注入を行い、弗化アルミニウムよりなる
アンチヒューズ膜１９を形成することによって、フォト
レジストマスク１２が変質を起こさず、アンチヒューズ
形成用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成できるため、製造コストを低減す
ることができる。特に、高いイオン電流密度の得られる
ＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜１９を形
成するため、スループットの高いアンチヒューズ膜１９
の形成が可能である。また、アンチヒューズ膜１９とし
て弗化アルミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低
い書き込み電圧が実現できる。
配線７と第２メタル配線９を形成する。この実施例によ
れば、アンチヒューズ形成用バイアホール５および通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成した
後、フォトレジストマスク１２で通常の上下層配線接続
用バイアホール８を覆い、アンチヒューズ形成用バイア
ホール５のみを選択的に露出させ、アンチヒューズ形成
用バイアホール５内に露出したアルミニウム合金よりな
る下層配線の第１メタル配線３に、ＥＣＲプラズマを用
いて弗素イオン注入を行い、弗化アルミニウムよりなる
アンチヒューズ膜１９を形成することによって、フォト
レジストマスク１２が変質を起こさず、アンチヒューズ
形成用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成できるため、製造コストを低減す
ることができる。特に、高いイオン電流密度の得られる
ＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜１９を形
成するため、スループットの高いアンチヒューズ膜１９
の形成が可能である。また、アンチヒューズ膜１９とし
て弗化アルミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低
い書き込み電圧が実現できる。
【００６４】〔第６の実施例：請求項１，７に対応〕つ
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第６の実施例
について、図６を参照しながら説明する。図６はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２１は窒素イオン
注入層、２２は窒化アルミニウムよりなるアンチヒュー
ズ膜である。
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第６の実施例
について、図６を参照しながら説明する。図６はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２１は窒素イオン
注入層、２２は窒化アルミニウムよりなるアンチヒュー
ズ膜である。
【００６５】まず、図６（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図６（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、イオン注入機を用い
て窒素イオン注入を行い、窒素イオン注入層２１を得
る。注入条件は加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量２
×１０17ｃｍ3 である。その後、図６（ｃ）のように、
フォトレジストマスク１２を除去することによって窒化
アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜２２を得る。最
後に、図６（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メ
タル配線９を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図６（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、イオン注入機を用い
て窒素イオン注入を行い、窒素イオン注入層２１を得
る。注入条件は加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量２
×１０17ｃｍ3 である。その後、図６（ｃ）のように、
フォトレジストマスク１２を除去することによって窒化
アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜２２を得る。最
後に、図６（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メ
タル配線９を形成する。
【００６６】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、イオン注入機を用いて窒素イオン注入を行うこと
によって、窒化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜
２２を形成することによって、フォトレジストマスク１
２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５と通常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜２２を形
成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可
能である。また、アンチヒューズ膜２２として窒化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込み後には１００Ω
以下の低抵抗が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、イオン注入機を用いて窒素イオン注入を行うこと
によって、窒化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜
２２を形成することによって、フォトレジストマスク１
２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５と通常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に
形成できるため、製造コストを低減することができる。
特に、イオン注入機を用いてアンチヒューズ膜２２を形
成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可
能である。また、アンチヒューズ膜２２として窒化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込み後には１００Ω
以下の低抵抗が得られる。
【００６７】〔第７の実施例：請求項１，８に対応〕つ
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第７の実施例
について、図７を参照しながら説明する。図７はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２３はＥＣＲプラ
ズマ装置を用いて形成した窒素イオン注入層、２２は窒
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第７の実施例
について、図７を参照しながら説明する。図７はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２３はＥＣＲプラ
ズマ装置を用いて形成した窒素イオン注入層、２２は窒
化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
【００６８】まず、図７（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図７（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズマ装置
を用いて窒素イオン注入を行い、窒素イオン注入層２３
を得る。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波
周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚおよび２００Ｗ、
ＲＦ波周波数およびパワーが１３．５６ＭＨｚおよび５
０Ｗ、Ｎ 2 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は−１０℃
である。その後、図７（ｃ）のように、フォトレジスト
マスク１２を除去することによって窒化アルミニウムよ
りなるアンチヒューズ膜２２を得る。最後に、図７
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図７（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズマ装置
を用いて窒素イオン注入を行い、窒素イオン注入層２３
を得る。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波
周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚおよび２００Ｗ、
ＲＦ波周波数およびパワーが１３．５６ＭＨｚおよび５
０Ｗ、Ｎ 2 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は−１０℃
である。その後、図７（ｃ）のように、フォトレジスト
マスク１２を除去することによって窒化アルミニウムよ
りなるアンチヒューズ膜２２を得る。最後に、図７
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
【００６９】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマを用いて窒素イオン注入を行い、
窒化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜２２を形成
することによって、フォトレジストマスク１２が変質を
起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、高い
イオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置を用いて
アンチヒューズ膜２２を形成するため、スループットの
高いアンチヒューズ膜２２の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜２２として窒化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得
られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマを用いて窒素イオン注入を行い、
窒化アルミニウムよりなるアンチヒューズ膜２２を形成
することによって、フォトレジストマスク１２が変質を
起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、高い
イオン電流密度の得られるＥＣＲプラズマ装置を用いて
アンチヒューズ膜２２を形成するため、スループットの
高いアンチヒューズ膜２２の形成が可能である。また、
アンチヒューズ膜２２として窒化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得
られる。
【００７０】〔第８の実施例：請求項１，９に対応〕つ
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第８の実施例
について、図８を参照しながら説明する。図８はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２４は常温スパッ
タ法によって堆積したアモルファスシリコン膜、２５は
アモルファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜であ
る。
ぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第８の実施例
について、図８を参照しながら説明する。図８はこの発
明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断
面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３
はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および
９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１
メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３
と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メ
タル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形
成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル
配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１
２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽して
アンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露
出するためのフォトレジストマスク、２４は常温スパッ
タ法によって堆積したアモルファスシリコン膜、２５は
アモルファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜であ
る。
【００７１】まず、図８（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図８（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、常温スパッタ装置を
用いてアモルファスシリコン膜２３を堆積する。放電条
件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ波周波数およびパワー
が１３．５６ＭＨｚおよび２００Ｗ、Ａｒガス流量５０
ＳＣＣＭ、基板温度は２０℃である。その後、図８
（ｃ）のように、フォトレジストマスク１２を除去する
ことによって不要なアモルファスシリコン膜がリフトオ
フされ、アモルファスシリコン膜よりなるアンチヒュー
ズ膜２５を得る。最後に、図８（ｄ）のように、第２メ
タル配線７と第２メタル配線９を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図８（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、常温スパッタ装置を
用いてアモルファスシリコン膜２３を堆積する。放電条
件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ波周波数およびパワー
が１３．５６ＭＨｚおよび２００Ｗ、Ａｒガス流量５０
ＳＣＣＭ、基板温度は２０℃である。その後、図８
（ｃ）のように、フォトレジストマスク１２を除去する
ことによって不要なアモルファスシリコン膜がリフトオ
フされ、アモルファスシリコン膜よりなるアンチヒュー
ズ膜２５を得る。最後に、図８（ｄ）のように、第２メ
タル配線７と第２メタル配線９を形成する。
【００７２】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、常温スパッタ法によって堆積したアモルファスシ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜２５を形成すること
によって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下
層配線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、
製造コストを低減することができる。特に、常温スパッ
タ法を用いてアンチヒューズ膜２５を形成するため、下
層配線である第１メタル配線３をアンチヒューズ膜２５
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ膜２５と
してアモルファスシリコン膜を用いているため、書き込
み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、常温スパッタ法によって堆積したアモルファスシ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜２５を形成すること
によって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下
層配線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、
製造コストを低減することができる。特に、常温スパッ
タ法を用いてアンチヒューズ膜２５を形成するため、下
層配線である第１メタル配線３をアンチヒューズ膜２５
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ膜２５と
してアモルファスシリコン膜を用いているため、書き込
み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
【００７３】〔第９の実施例：請求項１，１０に対応〕
つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第９の実施
例について、図９を参照しながら説明する。図９はこの
発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程
断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、
３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７およ
び９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第
１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線
３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１
メタル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ
形成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタ
ル配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、
１２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽し
てアンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に
露出するためのフォトレジストマスク、２６は常温スパ
ッタ法によって堆積した酸化シリコン膜、２７は酸化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜である。
つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第９の実施
例について、図９を参照しながら説明する。図９はこの
発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程
断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、
３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７およ
び９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第
１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線
３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１
メタル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ
形成用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタ
ル配線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、
１２は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽し
てアンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に
露出するためのフォトレジストマスク、２６は常温スパ
ッタ法によって堆積した酸化シリコン膜、２７は酸化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜である。
【００７４】まず、図９（ａ）のように、半導体基板１
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図９（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、常温スパッタ装置を
用いて酸化シリコン膜２６を堆積する。放電条件は圧力
が１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ波周波数およびパワーが１３．
５６ＭＨｚおよび２００Ｗ、Ａｒガス流量５０ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は２０℃である。その後、図９（ｃ）のよ
うに、フォトレジストマスク１２を除去することによっ
て不要な酸化シリコン膜がリフトオフされ、酸化シリコ
ンよりなるアンチヒューズ膜２７を得る。最後に、図９
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の上
に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの層
間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成する。つぎに、図９（ｂ）のように、フ
ォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配線接続
用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイ
アホール５のみを選択的に露出し、常温スパッタ装置を
用いて酸化シリコン膜２６を堆積する。放電条件は圧力
が１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ波周波数およびパワーが１３．
５６ＭＨｚおよび２００Ｗ、Ａｒガス流量５０ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は２０℃である。その後、図９（ｃ）のよ
うに、フォトレジストマスク１２を除去することによっ
て不要な酸化シリコン膜がリフトオフされ、酸化シリコ
ンよりなるアンチヒューズ膜２７を得る。最後に、図９
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
【００７５】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、常温スパッタ法によって堆積した酸化シリコン膜
よりなるアンチヒューズ膜２７を形成することによっ
て、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コス
トを低減することができる。特に、常温スパッタ法を用
いてアンチヒューズ膜２７を形成するため、下層配線で
ある第１メタル配線３をアンチヒューズ膜２７の形成反
応に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択する
ことができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜２７として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、常温スパッタ法によって堆積した酸化シリコン膜
よりなるアンチヒューズ膜２７を形成することによっ
て、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コス
トを低減することができる。特に、常温スパッタ法を用
いてアンチヒューズ膜２７を形成するため、下層配線で
ある第１メタル配線３をアンチヒューズ膜２７の形成反
応に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択する
ことができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホー
ル５内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜２７として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
【００７６】〔第１０の実施例：請求項１，１１に対
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１０
の実施例について、図１０を参照しながら説明する。図
１０はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、２
８は常温スパッタ法によって堆積した窒化シリコン膜、
２９は窒化シリコンよりなるアンチヒューズ膜である。
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１０
の実施例について、図１０を参照しながら説明する。図
１０はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、２
８は常温スパッタ法によって堆積した窒化シリコン膜、
２９は窒化シリコンよりなるアンチヒューズ膜である。
【００７７】まず、図１０（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１０（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、常温反応性ス
パッタ装置を用いて窒化シリコン膜２８を堆積する。放
電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ波周波数およびパ
ワーが１３．５６ＭＨｚおよび２００Ｗ、Ｎ2 ガス流量
５０ＳＣＣＭ、ターゲットはＳｉ、基板温度は２０℃で
ある。その後、図１０（ｃ）のように、フォトレジスト
マスク１２を除去することによって不要な窒化シリコン
膜がリフトオフされ、窒化シリコンよりなるアンチヒュ
ーズ膜２９を得る。最後に、図１０（ｄ）のように、第
２メタル配線７と第２メタル配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１０（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、常温反応性ス
パッタ装置を用いて窒化シリコン膜２８を堆積する。放
電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ波周波数およびパ
ワーが１３．５６ＭＨｚおよび２００Ｗ、Ｎ2 ガス流量
５０ＳＣＣＭ、ターゲットはＳｉ、基板温度は２０℃で
ある。その後、図１０（ｃ）のように、フォトレジスト
マスク１２を除去することによって不要な窒化シリコン
膜がリフトオフされ、窒化シリコンよりなるアンチヒュ
ーズ膜２９を得る。最後に、図１０（ｄ）のように、第
２メタル配線７と第２メタル配線９を形成する。
【００７８】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、常温反応性スパッタ法によって堆積した窒化シリ
コン膜よりなるアンチヒューズ膜２９を形成することに
よって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、
アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配
線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造
コストを低減することができる。特に、常温反応性スパ
ッタ法を用いてアンチヒューズ膜２９を形成するため、
下層配線である第１メタル配線３をアンチヒューズ膜２
９の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由
に選択することができる。また、アンチヒューズ膜２９
として窒化シリコン膜を用いているため、８Ｖ以下の低
い書き込み電圧が実現できる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、常温反応性スパッタ法によって堆積した窒化シリ
コン膜よりなるアンチヒューズ膜２９を形成することに
よって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、
アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配
線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造
コストを低減することができる。特に、常温反応性スパ
ッタ法を用いてアンチヒューズ膜２９を形成するため、
下層配線である第１メタル配線３をアンチヒューズ膜２
９の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由
に選択することができる。また、アンチヒューズ膜２９
として窒化シリコン膜を用いているため、８Ｖ以下の低
い書き込み電圧が実現できる。
【００７９】〔第１１の実施例：請求項１，１２に対
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１１
の実施例について、図１１を参照しながら説明する。図
１１はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、３
０はＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積したアモルフ
ァスシリコン膜、３１はアモルファスシリコン膜よりな
るアンチヒューズ膜である。まず、図１１（ａ）のよう
に、半導体基板１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに
層間絶縁膜２の上に第１メタル配線３を形成した後、膜
厚７００ｎｍの層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成する。つぎに、図１１
（ｂ）のように、フォトレジストマスク１２を用いて通
常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチ
ヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出し、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコ
ン膜３０を堆積する。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒ
ｒ、マイクロ波周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚお
よび６００Ｗ、ＲＦ波周波数およびパワーが４００ｋＨ
ｚおよび１００Ｗ、ＳｉＨ 4 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基
板温度は−１０℃である。その後、図１１（ｃ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を除去することによって
不要なアモルファスシリコン膜がリフトオフされ、アモ
ルファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜３１を得
る。最後に、図１１（ｄ）のように、第２メタル配線７
と第２メタル配線９を形成する。
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１１
の実施例について、図１１を参照しながら説明する。図
１１はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、３
０はＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積したアモルフ
ァスシリコン膜、３１はアモルファスシリコン膜よりな
るアンチヒューズ膜である。まず、図１１（ａ）のよう
に、半導体基板１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに
層間絶縁膜２の上に第１メタル配線３を形成した後、膜
厚７００ｎｍの層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成する。つぎに、図１１
（ｂ）のように、フォトレジストマスク１２を用いて通
常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチ
ヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出し、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコ
ン膜３０を堆積する。放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒ
ｒ、マイクロ波周波数およびパワーが２．４５ＧＨｚお
よび６００Ｗ、ＲＦ波周波数およびパワーが４００ｋＨ
ｚおよび１００Ｗ、ＳｉＨ 4 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基
板温度は−１０℃である。その後、図１１（ｃ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を除去することによって
不要なアモルファスシリコン膜がリフトオフされ、アモ
ルファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜３１を得
る。最後に、図１１（ｄ）のように、第２メタル配線７
と第２メタル配線９を形成する。
【００８０】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積したアモル
ファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜３１を形成
することによって、フォトレジストマスク１２が変質を
起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜３１を形
成するため、下層配線である第１メタル配線３をアンチ
ヒューズ膜３１の形成反応に用いない。よって、下層配
線材料を自由に選択することができる。また、アンチヒ
ューズ形成用バイアホール５内でのアモルファスシリコ
ン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜３
１としてアモルファスシリコン膜を用いているため、書
き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積したアモル
ファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜３１を形成
することによって、フォトレジストマスク１２が変質を
起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常
の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜３１を形
成するため、下層配線である第１メタル配線３をアンチ
ヒューズ膜３１の形成反応に用いない。よって、下層配
線材料を自由に選択することができる。また、アンチヒ
ューズ形成用バイアホール５内でのアモルファスシリコ
ン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜３
１としてアモルファスシリコン膜を用いているため、書
き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
【００８１】〔第１２の実施例：請求項１，１３に対
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１２
の実施例について、図１２を参照しながら説明する。図
１２はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、３
２はＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した酸化シリ
コン膜、３３は酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜
である。
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１２
の実施例について、図１２を参照しながら説明する。図
１２はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、３
２はＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した酸化シリ
コン膜、３３は酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜
である。
【００８２】まず、図１２（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１２（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置を用いて酸化シリコン膜３２を堆積する。
放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波周波数お
よびパワーが２．４５ＧＨｚおよび６００Ｗ、ＲＦ波周
波数およびパワーが４００ｋＨｚおよび１００Ｗ、Ｓｉ
Ｈ4 ガス流量１０ＳＣＣＭ、Ｏ2 ガス流量１００ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は−１０℃である。その後、図１２（ｃ）
のように、フォトレジストマスク１２を除去することに
よって不要な酸化シリコン膜がリフトオフされ、酸化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜３３を得る。最後に、
図１２（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル
配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１２（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置を用いて酸化シリコン膜３２を堆積する。
放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波周波数お
よびパワーが２．４５ＧＨｚおよび６００Ｗ、ＲＦ波周
波数およびパワーが４００ｋＨｚおよび１００Ｗ、Ｓｉ
Ｈ4 ガス流量１０ＳＣＣＭ、Ｏ2 ガス流量１００ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は−１０℃である。その後、図１２（ｃ）
のように、フォトレジストマスク１２を除去することに
よって不要な酸化シリコン膜がリフトオフされ、酸化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜３３を得る。最後に、
図１２（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル
配線９を形成する。
【００８３】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した酸化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜３３を形成すること
によって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下
層配線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、
製造コストを低減することができる。特に、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜３３を形成する
ため、下層配線である第１メタル配線３をアンチヒュー
ズ膜３３の形成反応に用いない。よって、下層配線材料
を自由に選択することができる。また、アンチヒューズ
形成用バイアホール５内での酸化シリコン膜のカバレー
ジも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の基板バイアスとし
て、イオンの追従が可能な周波数４００ｋＨｚのＲＦ波
を用いているため、熱酸化膜に近い膜質を得ることがで
きる。さらに、アンチヒューズ膜３３として酸化シリコ
ン膜を用いているため、書き込みを行わない場合には１
０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した酸化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜３３を形成すること
によって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下
層配線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、
製造コストを低減することができる。特に、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜３３を形成する
ため、下層配線である第１メタル配線３をアンチヒュー
ズ膜３３の形成反応に用いない。よって、下層配線材料
を自由に選択することができる。また、アンチヒューズ
形成用バイアホール５内での酸化シリコン膜のカバレー
ジも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の基板バイアスとし
て、イオンの追従が可能な周波数４００ｋＨｚのＲＦ波
を用いているため、熱酸化膜に近い膜質を得ることがで
きる。さらに、アンチヒューズ膜３３として酸化シリコ
ン膜を用いているため、書き込みを行わない場合には１
０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
【００８４】（参考文献；"High Quality High Rate Si
O2 and SiN Room Temperature Formation by Utilizing
high Excited Ions", T. Fukuda, K. Sato, M. Ohue,
K.Shima, and N.Momma, Extended Abstracts of IEDM 9
2, pp285-288. ） 〔第１３の実施例：請求項１，１４に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１３の実施例につい
て、図１３を参照しながら説明する。図１３はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、３４はＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜、３５は窒
化シリコンよりなるアンチヒューズ膜である。
O2 and SiN Room Temperature Formation by Utilizing
high Excited Ions", T. Fukuda, K. Sato, M. Ohue,
K.Shima, and N.Momma, Extended Abstracts of IEDM 9
2, pp285-288. ） 〔第１３の実施例：請求項１，１４に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１３の実施例につい
て、図１３を参照しながら説明する。図１３はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、３４はＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜、３５は窒
化シリコンよりなるアンチヒューズ膜である。
【００８５】まず、図１３（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１３（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置を用いて窒化シリコン膜３４を堆積する。
放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波周波数お
よびパワーが２．４５ＧＨｚおよび６００Ｗ、ＲＦ波周
波数およびパワーが４００ｋＨｚおよび１００Ｗ、Ｓｉ
Ｈ4 ガス流量１０ＳＣＣＭ、Ｎ2 ガス流量１００ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は−１０℃である。その後、図１３（ｃ）
のように、フォトレジストマスク１２を除去することに
よって不要な窒化シリコン膜がリフトオフされ、窒化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜３５を得る。最後に、
図１３（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル
配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１３（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置を用いて窒化シリコン膜３４を堆積する。
放電条件は圧力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波周波数お
よびパワーが２．４５ＧＨｚおよび６００Ｗ、ＲＦ波周
波数およびパワーが４００ｋＨｚおよび１００Ｗ、Ｓｉ
Ｈ4 ガス流量１０ＳＣＣＭ、Ｎ2 ガス流量１００ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は−１０℃である。その後、図１３（ｃ）
のように、フォトレジストマスク１２を除去することに
よって不要な窒化シリコン膜がリフトオフされ、窒化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜３５を得る。最後に、
図１３（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル
配線９を形成する。
【００８６】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した窒化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜３５を形成すること
によって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下
層配線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、
製造コストを低減することができる。特に、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜３５を形成する
ため、下層配線である第１メタル配線３をアンチヒュー
ズ膜３５の形成反応に用いない。よって、下層配線材料
を自由に選択することができる。また、アンチヒューズ
形成用バイアホール５内での窒化シリコン膜のカバレー
ジも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の基板バイアスとし
て、イオンの追従が可能な周波数４００ｋＨｚのＲＦ波
を用いているため、抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍと非常
に高い窒化シリコン膜を実現することができる。さら
に、アンチヒューズ膜３５として窒化シリコン膜を用い
ているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現でき
る。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した窒化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜３５を形成すること
によって、フォトレジストマスク１２が変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下
層配線接続用バイアホール８を同時に形成できるため、
製造コストを低減することができる。特に、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜３５を形成する
ため、下層配線である第１メタル配線３をアンチヒュー
ズ膜３５の形成反応に用いない。よって、下層配線材料
を自由に選択することができる。また、アンチヒューズ
形成用バイアホール５内での窒化シリコン膜のカバレー
ジも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の基板バイアスとし
て、イオンの追従が可能な周波数４００ｋＨｚのＲＦ波
を用いているため、抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍと非常
に高い窒化シリコン膜を実現することができる。さら
に、アンチヒューズ膜３５として窒化シリコン膜を用い
ているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現でき
る。
【００８７】（参考文献；"High Quality High Rate Si
O2 and SiN Room Temperature Formation by Utilizing
high Excited Ions", T. Fukuda, K. Sato, M. Ohue,
K.Shima, and N.Momma, Extended Abstracts of IEDM 9
2, pp285-288. ） 〔第１４の実施例：請求項１，１５に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１４の実施例につい
て、図１４を参照しながら説明する。図１４はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、３６は液相酸化シリ
コン膜堆積法によって堆積した酸化シリコン膜、３７は
酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜である。
O2 and SiN Room Temperature Formation by Utilizing
high Excited Ions", T. Fukuda, K. Sato, M. Ohue,
K.Shima, and N.Momma, Extended Abstracts of IEDM 9
2, pp285-288. ） 〔第１４の実施例：請求項１，１５に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１４の実施例につい
て、図１４を参照しながら説明する。図１４はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、３６は液相酸化シリ
コン膜堆積法によって堆積した酸化シリコン膜、３７は
酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜である。
【００８８】まず、図１４（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１４（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、液相酸化シリ
コン膜堆積法を用いて酸化シリコン膜３６を堆積する。
過飽和状態の（Ｈ 2 ＳｉＦ6 ＋ＳｉＯ2 ）水溶液にＨ3
ＢＯ3 を連続的に添加すると、露出したアンチヒューズ
形成用バイアホール５上のみに選択的に酸化シリコン膜
３６が成長する。その後、図１４（ｃ）のように、フォ
トレジストマスク１２を除去することによって、酸化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜３７を得る。最後に、
図１４（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル
配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１４（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、液相酸化シリ
コン膜堆積法を用いて酸化シリコン膜３６を堆積する。
過飽和状態の（Ｈ 2 ＳｉＦ6 ＋ＳｉＯ2 ）水溶液にＨ3
ＢＯ3 を連続的に添加すると、露出したアンチヒューズ
形成用バイアホール５上のみに選択的に酸化シリコン膜
３６が成長する。その後、図１４（ｃ）のように、フォ
トレジストマスク１２を除去することによって、酸化シ
リコンよりなるアンチヒューズ膜３７を得る。最後に、
図１４（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル
配線９を形成する。
【００８９】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、液相酸化シリコン膜堆積法によって酸化シリコン
膜よりなるアンチヒューズ膜３７を形成することによっ
て、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コス
トを低減することができる。特に、液相酸化シリコン膜
堆積法を用いてアンチヒューズ膜３７を形成するため、
下層配線である第１メタル配線３をアンチヒューズ膜３
７の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由
に選択することができる。また、アンチヒューズ形成用
バイアホール５内に選択的に酸化シリコン膜を形成でき
る。さらに、アンチヒューズ膜３７として酸化シリコン
膜を用いているため、書き込みを行わない場合には１０
Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、液相酸化シリコン膜堆積法によって酸化シリコン
膜よりなるアンチヒューズ膜３７を形成することによっ
て、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コス
トを低減することができる。特に、液相酸化シリコン膜
堆積法を用いてアンチヒューズ膜３７を形成するため、
下層配線である第１メタル配線３をアンチヒューズ膜３
７の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由
に選択することができる。また、アンチヒューズ形成用
バイアホール５内に選択的に酸化シリコン膜を形成でき
る。さらに、アンチヒューズ膜３７として酸化シリコン
膜を用いているため、書き込みを行わない場合には１０
Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
【００９０】（参考文献；"A High Performance Asymme
tric LDD MOSFET Using SelectiveOxide Deposition Te
chnique", T. Horiuchi, T. Homma, Y. Murao and K. O
kumura, 1992 Symposium on VLSI Technology Digest o
f Technical Papers, pp88-89. ） 〔第１５の実施例：請求項１，１６に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１５の実施例につい
て、図１５を参照しながら説明する。図１５はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、３８はＦＴＥＳと水
蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン
膜、３９は酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜であ
る。
tric LDD MOSFET Using SelectiveOxide Deposition Te
chnique", T. Horiuchi, T. Homma, Y. Murao and K. O
kumura, 1992 Symposium on VLSI Technology Digest o
f Technical Papers, pp88-89. ） 〔第１５の実施例：請求項１，１６に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１５の実施例につい
て、図１５を参照しながら説明する。図１５はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、３８はＦＴＥＳと水
蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン
膜、３９は酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜であ
る。
【００９１】まず、図１５（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１５（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＦＴＥＳと水
蒸気を用いたＣＶＤ法によって酸化シリコン膜３８を堆
積する。堆積条件は圧力が５Ｔｏｒｒ、Ｎ2 でバブリン
グしたＦＴＥＳの流量が１００ＳＣＣＭ、Ｎ2 でバブリ
ングした水蒸気の流量が７５ＳＣＣＭ、バブリング温度
が５０℃、基板温度は２５℃である。その後、図１５
（ｃ）のように、フォトレジストマスク１２を除去する
ことによって不要な酸化シリコン膜がリフトオフされ、
酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜３９を得る。最
後に、図１５（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２
メタル配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１５（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＦＴＥＳと水
蒸気を用いたＣＶＤ法によって酸化シリコン膜３８を堆
積する。堆積条件は圧力が５Ｔｏｒｒ、Ｎ2 でバブリン
グしたＦＴＥＳの流量が１００ＳＣＣＭ、Ｎ2 でバブリ
ングした水蒸気の流量が７５ＳＣＣＭ、バブリング温度
が５０℃、基板温度は２５℃である。その後、図１５
（ｃ）のように、フォトレジストマスク１２を除去する
ことによって不要な酸化シリコン膜がリフトオフされ、
酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜３９を得る。最
後に、図１５（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２
メタル配線９を形成する。
【００９２】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＦＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積
した酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜３９を形
成することによって、フォトレジストマスク１２が変質
を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通
常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成でき
るため、製造コストを低減することができる。特に、Ｆ
ＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法を用いてアンチヒュー
ズ膜３９を形成するため、下層配線である第１メタル配
線３をアンチヒューズ膜３９の形成反応に用いない。よ
って、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ形成用バイアホール５内での酸化シ
リコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒューズ
膜３９として酸化シリコン膜を用いているため、書き込
みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得ら
れる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＦＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積
した酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜３９を形
成することによって、フォトレジストマスク１２が変質
を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホール５と通
常の上下層配線接続用バイアホール８を同時に形成でき
るため、製造コストを低減することができる。特に、Ｆ
ＴＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法を用いてアンチヒュー
ズ膜３９を形成するため、下層配線である第１メタル配
線３をアンチヒューズ膜３９の形成反応に用いない。よ
って、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ形成用バイアホール５内での酸化シ
リコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒューズ
膜３９として酸化シリコン膜を用いているため、書き込
みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得ら
れる。
【００９３】（参考文献；"A Room Temperature CVD Te
chnology for Interlayer in Deep-Submicron Multilev
el Interconnection", T. Homma and Y. Murao, Extend
ed Abstracts of IEDM 91, pp289-292. ） 〔第１６の実施例：請求項１，１７に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１６の実施例につい
て、図１６を参照しながら説明する。図１６はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４０はＳＯＧ（スピ
ン・オン・グラス）膜、４１は酸化シリコンよりなるア
ンチヒューズ膜である。
chnology for Interlayer in Deep-Submicron Multilev
el Interconnection", T. Homma and Y. Murao, Extend
ed Abstracts of IEDM 91, pp289-292. ） 〔第１６の実施例：請求項１，１７に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１６の実施例につい
て、図１６を参照しながら説明する。図１６はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４０はＳＯＧ（スピ
ン・オン・グラス）膜、４１は酸化シリコンよりなるア
ンチヒューズ膜である。
【００９４】まず、図１６（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１６（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＳＯＧ膜４０
を塗布する。図１６（ｃ）のように、フォトレジストマ
スク１２を除去することによって不要な酸化シリコン膜
をリフトオフした後、半導体基板１を熱処理することに
よって酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜４１を得
る。最後に、図１６（ｄ）のように、第２メタル配線７
と第２メタル配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１６（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、ＳＯＧ膜４０
を塗布する。図１６（ｃ）のように、フォトレジストマ
スク１２を除去することによって不要な酸化シリコン膜
をリフトオフした後、半導体基板１を熱処理することに
よって酸化シリコンよりなるアンチヒューズ膜４１を得
る。最後に、図１６（ｄ）のように、第２メタル配線７
と第２メタル配線９を形成する。
【００９５】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＳＯＧ法によって酸化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜４１を形成することによって、フォトレジス
トマスク１２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成できるため、製造コストを低減すること
ができる。特に、ＳＯＧ法を用いてアンチヒューズ膜４
１を形成するため、下層配線である第１メタル配線３を
アンチヒューズ膜４１の形成反応に用いない。よって、
下層配線材料を自由に選択することができる。また、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５内での酸化シリコン
膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜４１
として酸化シリコン膜を用いているため、書き込みを行
わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、ＳＯＧ法によって酸化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜４１を形成することによって、フォトレジス
トマスク１２が変質を起こさず、アンチヒューズ形成用
バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホール
８を同時に形成できるため、製造コストを低減すること
ができる。特に、ＳＯＧ法を用いてアンチヒューズ膜４
１を形成するため、下層配線である第１メタル配線３を
アンチヒューズ膜４１の形成反応に用いない。よって、
下層配線材料を自由に選択することができる。また、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５内での酸化シリコン
膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜４１
として酸化シリコン膜を用いているため、書き込みを行
わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
【００９６】〔第１７の実施例：請求項１，１８に対
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１７
の実施例について、図１７を参照しながら説明する。図
１７はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、４
２は光ＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシリコン
膜、４３はアモルファスシリコン膜よりなるアンチヒュ
ーズ膜である。
応〕つぎに、この発明の半導体装置の製造方法の第１７
の実施例について、図１７を参照しながら説明する。図
１７はこの発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す工程断面図であり、１はｐ型シリコンよりなる半
導体基板、３はアルミニウム合金よりなる第１メタル配
線、７および９はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体
基板１と第１メタル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１
メタル配線３と第２メタル配線７，９の間の層間絶縁
膜、５は第１メタル配線３と第２メタル配線７の間のア
ンチヒューズ形成用バイアホール、８は第１メタル配線
３と第２メタル配線９の間の通常の上下層配線接続用バ
イアホール、１２は通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を隠蔽してアンチヒューズ形成用バイアホール５の
みを選択的に露出するためのフォトレジストマスク、４
２は光ＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシリコン
膜、４３はアモルファスシリコン膜よりなるアンチヒュ
ーズ膜である。
【００９７】まず、図１７（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１７（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いてアモルファスシリコン膜４２を堆積する。励起
光源はＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ、平均出
力エネルギー約１Ｗ／ｃｍ2 ）、圧力が１Ｔｏｒｒ、Ｓ
ｉ2 Ｈ6 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は１００℃で
ある。その後、図１７（ｃ）のように、フォトレジスト
マスク１２を除去することによって不要なアモルファス
シリコン膜がリフトオフされ、アモルファスシリコン膜
よりなるアンチヒューズ膜４３を得る。最後に、図１７
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１７（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いてアモルファスシリコン膜４２を堆積する。励起
光源はＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ、平均出
力エネルギー約１Ｗ／ｃｍ2 ）、圧力が１Ｔｏｒｒ、Ｓ
ｉ2 Ｈ6 ガス流量５０ＳＣＣＭ、基板温度は１００℃で
ある。その後、図１７（ｃ）のように、フォトレジスト
マスク１２を除去することによって不要なアモルファス
シリコン膜がリフトオフされ、アモルファスシリコン膜
よりなるアンチヒューズ膜４３を得る。最後に、図１７
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
【００９８】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシリコ
ン膜よりなるアンチヒューズ膜４３を形成することによ
って、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線
接続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コ
ストを低減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用い
てアンチヒューズ膜４３を形成するため、下層配線であ
る第１メタル配線３をアンチヒューズ膜４３の形成反応
に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択するこ
とができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホール
５内でのアモルファスシリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜４３としてアモルファスシリ
コン膜を用いているため、書き込み後には１００Ω以下
の低抵抗が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシリコ
ン膜よりなるアンチヒューズ膜４３を形成することによ
って、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線
接続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コ
ストを低減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用い
てアンチヒューズ膜４３を形成するため、下層配線であ
る第１メタル配線３をアンチヒューズ膜４３の形成反応
に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択するこ
とができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホール
５内でのアモルファスシリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜４３としてアモルファスシリ
コン膜を用いているため、書き込み後には１００Ω以下
の低抵抗が得られる。
【００９９】（参考文献；"Groth of Hydrogenerated A
morphous Silicon Films bu ArF Excimer Laser Photod
issociation of Disilane", A. Yoshikawa and S. Yama
ga,Jpn. J. Appl. Phys., Vol.23, No.2, pp. L91-L93,
1984. ） 〔第１８の実施例：請求項１，１９に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１８の実施例につい
て、図１８を参照しながら説明する。図１８はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４４は光ＣＶＤ法に
よって堆積した酸化シリコン膜、４５は酸化シリコンよ
りなるアンチヒューズ膜である。
morphous Silicon Films bu ArF Excimer Laser Photod
issociation of Disilane", A. Yoshikawa and S. Yama
ga,Jpn. J. Appl. Phys., Vol.23, No.2, pp. L91-L93,
1984. ） 〔第１８の実施例：請求項１，１９に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１８の実施例につい
て、図１８を参照しながら説明する。図１８はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４４は光ＣＶＤ法に
よって堆積した酸化シリコン膜、４５は酸化シリコンよ
りなるアンチヒューズ膜である。
【０１００】まず、図１８（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１８（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いて酸化シリコン膜４４を堆積する。励起光源は低
圧水銀灯（波長２５４ｎｍまたは１８５ｎｍ）、圧力が
１Ｔｏｒｒ、Ｓｉ2 Ｈ6 ガス流量が５０ＳＣＣＭ、Ｏ2
ガス流量が１００ＳＣＣＭ、基板温度は１００℃であ
る。その後、図１８（ｃ）のように、フォトレジストマ
スク１２を除去することによって不要な酸化シリコン膜
がリフトオフされ、酸化シリコンよりなるアンチヒュー
ズ膜４５を得る。最後に、図１８（ｄ）のように、第２
メタル配線７と第２メタル配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１８（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いて酸化シリコン膜４４を堆積する。励起光源は低
圧水銀灯（波長２５４ｎｍまたは１８５ｎｍ）、圧力が
１Ｔｏｒｒ、Ｓｉ2 Ｈ6 ガス流量が５０ＳＣＣＭ、Ｏ2
ガス流量が１００ＳＣＣＭ、基板温度は１００℃であ
る。その後、図１８（ｃ）のように、フォトレジストマ
スク１２を除去することによって不要な酸化シリコン膜
がリフトオフされ、酸化シリコンよりなるアンチヒュー
ズ膜４５を得る。最後に、図１８（ｄ）のように、第２
メタル配線７と第２メタル配線９を形成する。
【０１０１】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜より
なるアンチヒューズ膜４５を形成することによって、フ
ォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アンチヒュ
ーズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バ
イアホール８を同時に形成できるため、製造コストを低
減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチ
ヒューズ膜４５を形成するため、下層配線である第１メ
タル配線３をアンチヒューズ膜４５を形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ形成用バイアホール５内での
酸化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜４５として酸化シリコン膜を用いているため、
書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧
が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜より
なるアンチヒューズ膜４５を形成することによって、フ
ォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アンチヒュ
ーズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バ
イアホール８を同時に形成できるため、製造コストを低
減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチ
ヒューズ膜４５を形成するため、下層配線である第１メ
タル配線３をアンチヒューズ膜４５を形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ形成用バイアホール５内での
酸化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜４５として酸化シリコン膜を用いているため、
書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧
が得られる。
【０１０２】（参考文献；"Direct Photochemical Depo
sition of SiO2 from the Si2H6+O2System", Y. Mishim
a, M. Hirose, Y. Osaka and Y. Ashida, J. Appl. Ph
ys.,Vol.55, No.4, pp.1234-1236, 1984.） 〔第１９の実施例：請求項１，２０に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１９の実施例につい
て、図１９を参照しながら説明する。図１９はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４６は光ＣＶＤ法に
よって堆積した窒化シリコン膜、４７は窒化シリコンよ
りなるアンチヒューズ膜である。
sition of SiO2 from the Si2H6+O2System", Y. Mishim
a, M. Hirose, Y. Osaka and Y. Ashida, J. Appl. Ph
ys.,Vol.55, No.4, pp.1234-1236, 1984.） 〔第１９の実施例：請求項１，２０に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第１９の実施例につい
て、図１９を参照しながら説明する。図１９はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４６は光ＣＶＤ法に
よって堆積した窒化シリコン膜、４７は窒化シリコンよ
りなるアンチヒューズ膜である。
【０１０３】まず、図１９（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１９（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いて窒化シリコン膜４６を堆積する。励起光源は低
圧水銀灯（波長２５４ｎｍまたは１８５ｎｍ）、圧力が
１Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ4 ガス流量が５０ＳＣＣＭ、Ｎ2 ガ
ス流量が１００ＳＣＣＭ、基板温度は１００℃である。
その後、図１９（ｃ）のように、フォトレジストマスク
１２を除去することによって不要な窒化シリコン膜がリ
フトオフされ、窒化シリコンよりなるアンチヒューズ膜
４７を得る。最後に、図１９（ｄ）のように、第２メタ
ル配線７と第２メタル配線９を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図１９（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いて窒化シリコン膜４６を堆積する。励起光源は低
圧水銀灯（波長２５４ｎｍまたは１８５ｎｍ）、圧力が
１Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ4 ガス流量が５０ＳＣＣＭ、Ｎ2 ガ
ス流量が１００ＳＣＣＭ、基板温度は１００℃である。
その後、図１９（ｃ）のように、フォトレジストマスク
１２を除去することによって不要な窒化シリコン膜がリ
フトオフされ、窒化シリコンよりなるアンチヒューズ膜
４７を得る。最後に、図１９（ｄ）のように、第２メタ
ル配線７と第２メタル配線９を形成する。
【０１０４】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜より
なるアンチヒューズ膜４７を形成することによって、フ
ォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アンチヒュ
ーズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バ
イアホール８を同時に形成できるため、製造コストを低
減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチ
ヒューズ膜４７を形成するため、下層配線である第１メ
タル配線３をアンチヒューズ膜４７の形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ形成用バイアホール５内での
窒化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜４７として窒化シリコン膜を用いているため、
８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現できる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜より
なるアンチヒューズ膜４７を形成することによって、フ
ォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アンチヒュ
ーズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バ
イアホール８を同時に形成できるため、製造コストを低
減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチ
ヒューズ膜４７を形成するため、下層配線である第１メ
タル配線３をアンチヒューズ膜４７の形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ形成用バイアホール５内での
窒化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アンチヒ
ューズ膜４７として窒化シリコン膜を用いているため、
８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現できる。
【０１０５】（参考文献；"Photo-Chemical Vapor Depo
sition of Silicon Nitride Film by Direct Photolysi
s", Y. Numasawa, K. Yamazaki and K. Hamano, Jpn.
J. Appl. Phys., Vol.22, No.12, pp.L792-L794, 198
3.） 〔第２０の実施例：請求項１，２１に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第２０の実施例につい
て、図２０を参照しながら説明する。図２０はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４８は光ＣＶＤ法に
よって堆積した酸化アルミニウム膜、４９は酸化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
sition of Silicon Nitride Film by Direct Photolysi
s", Y. Numasawa, K. Yamazaki and K. Hamano, Jpn.
J. Appl. Phys., Vol.22, No.12, pp.L792-L794, 198
3.） 〔第２０の実施例：請求項１，２１に対応〕つぎに、こ
の発明の半導体装置の製造方法の第２０の実施例につい
て、図２０を参照しながら説明する。図２０はこの発明
の実施例における半導体装置の製造方法を示す工程断面
図であり、１はｐ型シリコンよりなる半導体基板、３は
アルミニウム合金よりなる第１メタル配線、７および９
はそれぞれ第２メタル配線、２は半導体基板１と第１メ
タル配線３の間の層間絶縁膜、４は第１メタル配線３と
第２メタル配線７，９の間の層間絶縁膜、５は第１メタ
ル配線３と第２メタル配線７の間のアンチヒューズ形成
用バイアホール、８は第１メタル配線３と第２メタル配
線９の間の通常の上下層配線接続用バイアホール、１２
は通常の上下層配線接続用バイアホール８を隠蔽してア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
するためのフォトレジストマスク、４８は光ＣＶＤ法に
よって堆積した酸化アルミニウム膜、４９は酸化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜である。
【０１０６】まず、図２０（ａ）のように、半導体基板
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図２０（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いて酸化アルミニウム膜４８を堆積する。励起光源
はＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ、平均出力エ
ネルギー約１Ｗ／ｃｍ2 ）、Ａｌ（ＣＨ3）3 ガス流量
が５０ＳＣＣＭ、Ｎ2 Ｏガス流量が１００ＳＣＣＭ、基
板温度は１００℃である。その後、図２０（ｃ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を除去することによって
不要な窒化シリコン膜がリフトオフされ、窒化シリコン
よりなるアンチヒューズ膜４９を得る。最後に、図２０
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
１の上に層間絶縁膜２を形成し、さらに層間絶縁膜２の
上に第１メタル配線３を形成した後、膜厚７００ｎｍの
層間絶縁膜４を堆積する。さらに、アンチヒューズ形成
用バイアホール５と通常の上下層配線接続用バイアホー
ル８を同時に形成する。つぎに、図２０（ｂ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を用いて通常の上下層配
線接続用バイアホール８を隠蔽してアンチヒューズ形成
用バイアホール５のみを選択的に露出し、光ＣＶＤ装置
を用いて酸化アルミニウム膜４８を堆積する。励起光源
はＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ、平均出力エ
ネルギー約１Ｗ／ｃｍ2 ）、Ａｌ（ＣＨ3）3 ガス流量
が５０ＳＣＣＭ、Ｎ2 Ｏガス流量が１００ＳＣＣＭ、基
板温度は１００℃である。その後、図２０（ｃ）のよう
に、フォトレジストマスク１２を除去することによって
不要な窒化シリコン膜がリフトオフされ、窒化シリコン
よりなるアンチヒューズ膜４９を得る。最後に、図２０
（ｄ）のように、第２メタル配線７と第２メタル配線９
を形成する。
【０１０７】この実施例によれば、アンチヒューズ形成
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化アルミニウム膜
よりなるアンチヒューズ膜４９を形成することによっ
て、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コス
トを低減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用いて
アンチヒューズ膜４９を形成するため、下層配線である
第１メタル配線３をアンチヒューズ膜４９の形成反応に
用いない。よって、下層配線材料を自由に選択すること
ができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホール５
内での酸化アルミニウム膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜４９として酸化アルミニウム膜を
用いているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁
耐圧が得られる。
用バイアホール５および通常の上下層配線接続用バイア
ホール８を同時に形成した後、フォトレジストマスク１
２で通常の上下層配線接続用バイアホール８を覆い、ア
ンチヒューズ形成用バイアホール５のみを選択的に露出
させ、アンチヒューズ形成用バイアホール５内に露出し
たアルミニウム合金よりなる下層配線の第１メタル配線
３に、光ＣＶＤ法によって堆積した酸化アルミニウム膜
よりなるアンチヒューズ膜４９を形成することによっ
て、フォトレジストマスク１２が変質を起こさず、アン
チヒューズ形成用バイアホール５と通常の上下層配線接
続用バイアホール８を同時に形成できるため、製造コス
トを低減することができる。特に、光ＣＶＤ法を用いて
アンチヒューズ膜４９を形成するため、下層配線である
第１メタル配線３をアンチヒューズ膜４９の形成反応に
用いない。よって、下層配線材料を自由に選択すること
ができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホール５
内での酸化アルミニウム膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜４９として酸化アルミニウム膜を
用いているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁
耐圧が得られる。
【０１０８】（参考文献；"Photodeposition of Alumin
um Oxide and Alumium Thin Films", R. Solanki, W.
H. Ritchie and G. J. Collins, Appl. Phys.Lett., Vo
l.43,No.5, pp.454-456, 1983.） なお、上記各実施例では、フォトレジストマスク１２の
変質を起こさない温度で処理を行う必要があるが、その
処理温度はフォトレジストマスク１２の材質にもよる
が、概ね１５０℃以下である。
um Oxide and Alumium Thin Films", R. Solanki, W.
H. Ritchie and G. J. Collins, Appl. Phys.Lett., Vo
l.43,No.5, pp.454-456, 1983.） なお、上記各実施例では、フォトレジストマスク１２の
変質を起こさない温度で処理を行う必要があるが、その
処理温度はフォトレジストマスク１２の材質にもよる
が、概ね１５０℃以下である。
【０１０９】
【発明の効果】請求項１記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、フォ
トレジストマスクの変質を誘起しない温度で絶縁膜より
なるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォト
レジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成
用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成できるため、製造コストを低減することが
できる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、フォ
トレジストマスクの変質を誘起しない温度で絶縁膜より
なるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォト
レジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成
用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成できるため、製造コストを低減することが
できる。
【０１１０】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線を、希釈され
た硝酸水溶液で酸化することによって水酸化アルミニウ
ム膜を形成し、この水酸化アルミニウム膜を加熱して酸
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことによって、フォトレジストマスクが変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホールと通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成できるため、製造
コストを低減することができる。特に、希釈された硝酸
水溶液を用いたウェット処理によって形成した水酸化ア
ルミニウム膜を、加熱酸化して酸化アルミニウム膜とし
アンチヒューズ膜として用いるため、アンチヒューズ膜
の形成のために特殊な処理装置を要しない。請求項３記
載の半導体装置の製造方法は、アンチヒューズ形成用バ
イアホールおよび通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成した後、フォトレジストマスクで通常の上
下層配線接続用バイアホールを覆い、アンチヒューズ形
成用バイアホールのみを選択的に露出させ、アンチヒュ
ーズ形成用バイアホール内に露出したアルミニウム合金
よりなる下層配線に、イオン注入機を用いて酸素イオン
注入を行い、酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ
膜を形成することによって、フォトレジストマスクが変
質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホールと通
常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、イオ
ン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、精
度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能である。ま
た、アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧
が得られる。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線を、希釈され
た硝酸水溶液で酸化することによって水酸化アルミニウ
ム膜を形成し、この水酸化アルミニウム膜を加熱して酸
化アルミニウム膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する
ことによって、フォトレジストマスクが変質を起こさ
ず、アンチヒューズ形成用バイアホールと通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成できるため、製造
コストを低減することができる。特に、希釈された硝酸
水溶液を用いたウェット処理によって形成した水酸化ア
ルミニウム膜を、加熱酸化して酸化アルミニウム膜とし
アンチヒューズ膜として用いるため、アンチヒューズ膜
の形成のために特殊な処理装置を要しない。請求項３記
載の半導体装置の製造方法は、アンチヒューズ形成用バ
イアホールおよび通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成した後、フォトレジストマスクで通常の上
下層配線接続用バイアホールを覆い、アンチヒューズ形
成用バイアホールのみを選択的に露出させ、アンチヒュ
ーズ形成用バイアホール内に露出したアルミニウム合金
よりなる下層配線に、イオン注入機を用いて酸素イオン
注入を行い、酸化アルミニウムよりなるアンチヒューズ
膜を形成することによって、フォトレジストマスクが変
質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホールと通
常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成できる
ため、製造コストを低減することができる。特に、イオ
ン注入機を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、精
度の高いアンチヒューズ膜厚の制御が可能である。ま
た、アンチヒューズ膜として酸化アルミニウム膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には高い絶縁耐圧
が得られる。
【０１１１】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプ
ラズマ装置を用いて酸素イオン注入を行い、酸化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、高いイオン電流密度の得られ
るＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、スループットの高いアンチヒューズ膜の形成
が可能である。また、アンチヒューズ膜として酸化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込みを行わない場合
には高い絶縁耐圧が得られる。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプ
ラズマ装置を用いて酸素イオン注入を行い、酸化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、高いイオン電流密度の得られ
るＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、スループットの高いアンチヒューズ膜の形成
が可能である。また、アンチヒューズ膜として酸化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込みを行わない場合
には高い絶縁耐圧が得られる。
【０１１２】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注
入機を用いて弗素イオン注入を行い、弗化アルミニウム
よりなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フ
ォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ
形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホ
ールを同時に形成できるため、製造コストを低減するこ
とができる。特に、イオン注入機を用いてアンチヒュー
ズ膜を形成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の
制御が可能である。また、アンチヒューズ膜として弗化
アルミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き
込み電圧が実現できる。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注
入機を用いて弗素イオン注入を行い、弗化アルミニウム
よりなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フ
ォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ
形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホ
ールを同時に形成できるため、製造コストを低減するこ
とができる。特に、イオン注入機を用いてアンチヒュー
ズ膜を形成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の
制御が可能である。また、アンチヒューズ膜として弗化
アルミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き
込み電圧が実現できる。
【０１１３】請求項６記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプ
ラズマ装置を用いて弗素イオン注入を行い、弗化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、高いイオン電流密度の得られ
るＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、スループットの高いアンチヒューズ膜の形成
が可能である。また、アンチヒューズ膜として弗化アル
ミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み
電圧が実現できる。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプ
ラズマ装置を用いて弗素イオン注入を行い、弗化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、高いイオン電流密度の得られ
るＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、スループットの高いアンチヒューズ膜の形成
が可能である。また、アンチヒューズ膜として弗化アル
ミニウム膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み
電圧が実現できる。
【０１１４】請求項７記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注
入機を用いて窒素イオン注入を行い、窒化アルミニウム
よりなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フ
ォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ
形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホ
ールを同時に形成できるため、製造コストを低減するこ
とができる。特に、イオン注入機を用いてアンチヒュー
ズ膜を形成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の
制御が可能である。また、アンチヒューズ膜として窒化
アルミニウム膜を用いているため、書き込み後には１０
０Ω以下の低抵抗が得られる。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、イオン注
入機を用いて窒素イオン注入を行い、窒化アルミニウム
よりなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フ
ォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ
形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホ
ールを同時に形成できるため、製造コストを低減するこ
とができる。特に、イオン注入機を用いてアンチヒュー
ズ膜を形成するため、精度の高いアンチヒューズ膜厚の
制御が可能である。また、アンチヒューズ膜として窒化
アルミニウム膜を用いているため、書き込み後には１０
０Ω以下の低抵抗が得られる。
【０１１５】請求項８記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプ
ラズマ装置を用いて窒素イオン注入を行い、窒化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、高いイオン電流密度の得られ
るＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、スループットの高いアンチヒューズ膜の形成
が可能である。また、アンチヒューズ膜として窒化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込み後には１００Ω
以下の低抵抗が得られる。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣＲプ
ラズマ装置を用いて窒素イオン注入を行い、窒化アルミ
ニウムよりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、高いイオン電流密度の得られ
るＥＣＲプラズマ装置を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、スループットの高いアンチヒューズ膜の形成
が可能である。また、アンチヒューズ膜として窒化アル
ミニウム膜を用いているため、書き込み後には１００Ω
以下の低抵抗が得られる。
【０１１６】請求項９記載の半導体装置の製造方法は、
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、スパッタ
法によって堆積したアモルファスシリコン膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレジス
トマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、下層配線である第１メタル配線をアンチヒュ
ーズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を
自由に選択することができる。また、アンチヒューズ膜
としてアモルファスシリコン膜を用いているため、書き
込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上下層
配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォトレ
ジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホールを
覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選択的
に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内に露
出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、スパッタ
法によって堆積したアモルファスシリコン膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレジス
トマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、下層配線である第１メタル配線をアンチヒュ
ーズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を
自由に選択することができる。また、アンチヒューズ膜
としてアモルファスシリコン膜を用いているため、書き
込み後には１００Ω以下の低抵抗が得られる。
【０１１７】請求項１０記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、スパ
ッタ法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成することによって、フォトレジストマ
スクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ形成用バ
イアホール内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、スパ
ッタ法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成することによって、フォトレジストマ
スクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ形成用バ
イアホール内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
【０１１８】請求項１１記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、常温
反応性スパッタ法によって堆積した窒化シリコン膜より
なるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォト
レジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成
用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成できるため、製造コストを低減することが
できる。特に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を
形成するため、下層配線である第１メタル配線をアンチ
ヒューズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材
料を自由に選択することができる。また、アンチヒュー
ズ膜として窒化シリコン膜を用いているため、８Ｖ以下
の低い書き込み電圧が実現できる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、常温
反応性スパッタ法によって堆積した窒化シリコン膜より
なるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォト
レジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成
用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホール
を同時に形成できるため、製造コストを低減することが
できる。特に、スパッタ法を用いてアンチヒューズ膜を
形成するため、下層配線である第１メタル配線をアンチ
ヒューズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材
料を自由に選択することができる。また、アンチヒュー
ズ膜として窒化シリコン膜を用いているため、８Ｖ以下
の低い書き込み電圧が実現できる。
【０１１９】請求項１２記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシリ
コン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用
いてアンチヒューズ膜を形成するため、下層配線である
第１メタル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ形成用バイアホール内でのア
モルファスシリコン膜のカバレージも良い。さらに、ア
ンチヒューズ膜としてアモルファスシリコン膜を用いて
いるため、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得ら
れる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法によって堆積したアモルファスシリ
コン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することによっ
て、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒ
ューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バ
イアホールを同時に形成できるため、製造コストを低減
することができる。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用
いてアンチヒューズ膜を形成するため、下層配線である
第１メタル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いな
い。よって、下層配線材料を自由に選択することができ
る。また、アンチヒューズ形成用バイアホール内でのア
モルファスシリコン膜のカバレージも良い。さらに、ア
ンチヒューズ膜としてアモルファスシリコン膜を用いて
いるため、書き込み後には１００Ω以下の低抵抗が得ら
れる。
【０１２０】請求項１３記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜よ
りなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォ
トレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形
成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを同時に形成できるため、製造コストを低減すること
ができる。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアン
チヒューズ膜を形成するため、下層配線である第１メタ
ル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ形成用バイアホール内での酸化シリ
コン膜のカバレージも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の
基板バイアスとして、イオンの追従が可能な周波数４０
０ｋＨｚのＲＦ波を用いているため、熱酸化膜に近い膜
質を得ることができる。さらに、アンチヒューズ膜とし
て酸化シリコン膜を用いているため、書き込みを行わな
い場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜よ
りなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォ
トレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形
成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを同時に形成できるため、製造コストを低減すること
ができる。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアン
チヒューズ膜を形成するため、下層配線である第１メタ
ル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ形成用バイアホール内での酸化シリ
コン膜のカバレージも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の
基板バイアスとして、イオンの追従が可能な周波数４０
０ｋＨｚのＲＦ波を用いているため、熱酸化膜に近い膜
質を得ることができる。さらに、アンチヒューズ膜とし
て酸化シリコン膜を用いているため、書き込みを行わな
い場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧が得られる。
【０１２１】請求項１４記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜よ
りなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォ
トレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形
成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを同時に形成できるため、製造コストを低減すること
ができる。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアン
チヒューズ膜を形成するため、下層配線である第１メタ
ル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ形成用バイアホール内での窒化シリ
コン膜のカバレージも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の
基板バイアスとして、イオンの追従が可能な周波数４０
０ｋＨｚのＲＦ波を用いているため、抵抗率が１×１０
15Ω・ｃｍと非常に高い窒化シリコン膜を実現すること
ができる。さらに、アンチヒューズ膜として窒化シリコ
ン膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が
実現できる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜よ
りなるアンチヒューズ膜を形成することによって、フォ
トレジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形
成用バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを同時に形成できるため、製造コストを低減すること
ができる。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてアン
チヒューズ膜を形成するため、下層配線である第１メタ
ル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いない。よっ
て、下層配線材料を自由に選択することができる。ま
た、アンチヒューズ形成用バイアホール内での窒化シリ
コン膜のカバレージも良い。ＥＣＲプラズマＣＶＤ中の
基板バイアスとして、イオンの追従が可能な周波数４０
０ｋＨｚのＲＦ波を用いているため、抵抗率が１×１０
15Ω・ｃｍと非常に高い窒化シリコン膜を実現すること
ができる。さらに、アンチヒューズ膜として窒化シリコ
ン膜を用いているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が
実現できる。
【０１２２】請求項１５記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、液相
酸化シリコン膜堆積法によって酸化シリコン膜よりなる
アンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレジ
ストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バ
イアホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同
時に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、液相酸化シリコン膜堆積法を用いてアンチヒ
ューズ膜を形成するため、下層配線である第１メタル配
線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いない。よって、
下層配線材料を自由に選択することができる。また、バ
イアホール内に選択的に酸化シリコン膜を形成できる。
さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、液相
酸化シリコン膜堆積法によって酸化シリコン膜よりなる
アンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレジ
ストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バ
イアホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同
時に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、液相酸化シリコン膜堆積法を用いてアンチヒ
ューズ膜を形成するため、下層配線である第１メタル配
線をアンチヒューズ膜の形成反応に用いない。よって、
下層配線材料を自由に選択することができる。また、バ
イアホール内に選択的に酸化シリコン膜を形成できる。
さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
【０１２３】請求項１６記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＦＴ
ＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積した酸化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することによ
って、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチ
ヒューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用
バイアホールを同時に形成できるため、製造コストを低
減することができる。特に、ＦＴＥＳと水蒸気を用いた
ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、下
層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜の形成
反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択す
ることができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホ
ール内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用いてい
るため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い
絶縁耐圧が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＦＴ
ＥＳと水蒸気を用いたＣＶＤ法によって堆積した酸化シ
リコン膜よりなるアンチヒューズ膜を形成することによ
って、フォトレジストマスクが変質を起こさず、アンチ
ヒューズ形成用バイアホールと通常の上下層配線接続用
バイアホールを同時に形成できるため、製造コストを低
減することができる。特に、ＦＴＥＳと水蒸気を用いた
ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、下
層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜の形成
反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に選択す
ることができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホ
ール内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。さら
に、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用いてい
るため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い
絶縁耐圧が得られる。
【０１２４】請求項１７記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＳＯ
Ｇ法によって酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜
を形成することによって、フォトレジストマスクが変質
を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホールと通常
の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成できるた
め、製造コストを低減することができる。特に、ＳＯＧ
法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、下層配線
である第１メタル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に
用いない。よって、下層配線材料を自由に選択すること
ができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホール内
での酸化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アン
チヒューズ膜として酸化シリコン膜を用いているため、
書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧
が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、ＳＯ
Ｇ法によって酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜
を形成することによって、フォトレジストマスクが変質
を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホールと通常
の上下層配線接続用バイアホールを同時に形成できるた
め、製造コストを低減することができる。特に、ＳＯＧ
法を用いてアンチヒューズ膜を形成するため、下層配線
である第１メタル配線をアンチヒューズ膜の形成反応に
用いない。よって、下層配線材料を自由に選択すること
ができる。また、アンチヒューズ形成用バイアホール内
での酸化シリコン膜のカバレージも良い。さらに、アン
チヒューズ膜として酸化シリコン膜を用いているため、
書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の高い絶縁耐圧
が得られる。
【０１２５】請求項１８記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積したアモルファスシリコン膜よりな
るアンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレ
ジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用
バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを
同時に形成できるため、製造コストを低減することがで
きる。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形
成するため、下層配線である第１メタル配線をアンチヒ
ューズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材料
を自由に選択することができる。また、アンチヒューズ
形成用バイアホール内でのアモルファスシリコン膜のカ
バレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜としてアモ
ルファスシリコン膜を用いているため、書き込み後には
１００Ω以下の低抵抗が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積したアモルファスシリコン膜よりな
るアンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレ
ジストマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用
バイアホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを
同時に形成できるため、製造コストを低減することがで
きる。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形
成するため、下層配線である第１メタル配線をアンチヒ
ューズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材料
を自由に選択することができる。また、アンチヒューズ
形成用バイアホール内でのアモルファスシリコン膜のカ
バレージも良い。さらに、アンチヒューズ膜としてアモ
ルファスシリコン膜を用いているため、書き込み後には
１００Ω以下の低抵抗が得られる。
【０１２６】請求項１９記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成することによって、フォトレジストマ
スクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ形成用バ
イアホール内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積した酸化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成することによって、フォトレジストマ
スクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ形成用バ
イアホール内での酸化シリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜として酸化シリコン膜を用い
ているため、書き込みを行わない場合には１０Ｖ以上の
高い絶縁耐圧が得られる。
【０１２７】請求項２０記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成することによって、フォトレジストマ
スクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ形成用バ
イアホール内での窒化シリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜として窒化シリコン膜を用い
ているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現でき
る。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積した窒化シリコン膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成することによって、フォトレジストマ
スクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイアホ
ールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時に形
成できるため、製造コストを低減することができる。特
に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成するた
め、下層配線である第１メタル配線をアンチヒューズ膜
の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を自由に
選択することができる。また、アンチヒューズ形成用バ
イアホール内での窒化シリコン膜のカバレージも良い。
さらに、アンチヒューズ膜として窒化シリコン膜を用い
ているため、８Ｖ以下の低い書き込み電圧が実現でき
る。
【０１２８】請求項２１記載の半導体装置の製造方法
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積した酸化アルミニウム膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレジス
トマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、下層配線である第１メタル配線をアンチヒュ
ーズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を
自由に選択することができる。また、アンチヒューズ形
成用バイアホール内での酸化アルミニウム膜のカバレー
ジも良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化アルミ
ニウム膜を用いているため、書き込みを行わない場合に
は高い絶縁耐圧が得られる。
は、アンチヒューズ形成用バイアホールおよび通常の上
下層配線接続用バイアホールを同時に形成した後、フォ
トレジストマスクで通常の上下層配線接続用バイアホー
ルを覆い、アンチヒューズ形成用バイアホールのみを選
択的に露出させ、アンチヒューズ形成用バイアホール内
に露出したアルミニウム合金よりなる下層配線に、光Ｃ
ＶＤ法によって堆積した酸化アルミニウム膜よりなるア
ンチヒューズ膜を形成することによって、フォトレジス
トマスクが変質を起こさず、アンチヒューズ形成用バイ
アホールと通常の上下層配線接続用バイアホールを同時
に形成できるため、製造コストを低減することができ
る。特に、光ＣＶＤ法を用いてアンチヒューズ膜を形成
するため、下層配線である第１メタル配線をアンチヒュ
ーズ膜の形成反応に用いない。よって、下層配線材料を
自由に選択することができる。また、アンチヒューズ形
成用バイアホール内での酸化アルミニウム膜のカバレー
ジも良い。さらに、アンチヒューズ膜として酸化アルミ
ニウム膜を用いているため、書き込みを行わない場合に
は高い絶縁耐圧が得られる。
【図１】この発明の半導体装置の製造方法の第１の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図２】この発明の半導体装置の製造方法の第２の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図３】この発明の半導体装置の製造方法の第３の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図４】この発明の半導体装置の製造方法の第４の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図５】この発明の半導体装置の製造方法の第５の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図６】この発明の半導体装置の製造方法の第６の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図７】この発明の半導体装置の製造方法の第７の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図８】この発明の半導体装置の製造方法の第８の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図９】この発明の半導体装置の製造方法の第９の実施
例を示す工程断面図である。
例を示す工程断面図である。
【図１０】この発明の半導体装置の製造方法の第１０の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１１】この発明の半導体装置の製造方法の第１１の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１２】この発明の半導体装置の製造方法の第１２の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１３】この発明の半導体装置の製造方法の第１３の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１４】この発明の半導体装置の製造方法の第１４の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１５】この発明の半導体装置の製造方法の第１５の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１６】この発明の半導体装置の製造方法の第１６の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１７】この発明の半導体装置の製造方法の第１７の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１８】この発明の半導体装置の製造方法の第１８の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図１９】この発明の半導体装置の製造方法の第１９の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図２０】この発明の半導体装置の製造方法の第２０の
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
【図２１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２２】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 半導体基板 ２ 層間絶縁膜 ３ 第１メタル配線 ４ 層間絶縁膜 ５ アンチヒューズ形成用バイアホール ７ 第２メタル配線 ８ 上下層配線接続用バイアホール ９ 第２メタル配線 １２ フォトレジストマスク １３ 水酸化アルミニウム膜 １４ アンチヒューズ膜 １５ 酸素イオン注入層 １６ アンチヒューズ膜 １７ 酸素イオン注入層 １８ 弗素イオン注入層 １９ アンチヒューズ膜 ２０ 弗素イオン注入層 ２１ 窒素イオン注入層 ２２ アンチヒューズ膜 ２３ 窒素イオン注入層 ２４ アモルファスシリコン膜 ２５ アンチヒューズ膜 ２６ 酸化シリコン膜 ２７ アンチヒューズ膜 ２８ 窒化シリコン膜 ２９ アンチヒューズ膜 ３０ アモルファスシリコン膜 ３１ アンチヒューズ膜 ３２ 酸化シリコン膜 ３３ アンチヒューズ膜 ３４ 窒化シリコン膜 ３５ アンチヒューズ膜 ３６ 酸化シリコン膜 ３７ アンチヒューズ膜 ３８ 酸化シリコン膜 ３９ アンチヒューズ膜 ４０ ＳＯＧ膜 ４１ アンチヒューズ膜 ４２ アモルファスシリコン膜 ４３ アンチヒューズ膜 ４４ 酸化シリコン膜 ４５ アンチヒューズ膜 ４６ 窒化シリコン膜 ４７ アンチヒューズ膜 ４８ 酸化アルミニウム膜 ４９ アンチヒューズ膜
Claims (21)
- 【請求項１】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線に前記フォトレジストマスクの変質を誘
起しない温度で絶縁膜よりなるアンチヒューズ膜を形成
する工程と、前記フォトレジストマスクを除去する工程
と、上層配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線を希釈された硝酸水溶液で酸化すること
によって水酸化アルミニウム膜を形成する工程と、前記
フォトレジストマスクを除去する工程と、前記水酸化ア
ルミニウム膜を加熱することによって酸化アルミニウム
膜よりなるアンチヒューズ膜を形成する工程と、上層配
線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線にイオン注入機を用いて酸素イオン注入
を行うことによって酸化アルミニウム膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成する工程と、前記フォトレジストマス
クを除去する工程と、上層配線を形成する工程とを含む
半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線にＥＣＲプラズマ装置を用いて酸素イオ
ン注入を行うことによって酸化アルミニウム膜よりなる
アンチヒューズ膜を形成する工程と、前記フォトレジス
トマスクを除去する工程と、上層配線を形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線にイオン注入機を用いて弗素イオン注入
を行うことによって弗化アルミニウム膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成する工程と、前記フォトレジストマス
クを除去する工程と、上層配線を形成する工程とを含む
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線にＥＣＲプラズマ装置を用いて弗素イオ
ン注入を行うことによって弗化アルミニウム膜よりなる
アンチヒューズ膜を形成する工程と、前記フォトレジス
トマスクを除去する工程と、上層配線を形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線にイオン注入機を用いて窒素イオン注入
を行うことによって窒化アルミニウム膜よりなるアンチ
ヒューズ膜を形成する工程と、前記フォトレジストマス
クを除去する工程と、上層配線を形成する工程とを含む
半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線にＥＣＲプラズマ装置を用いて窒素イオ
ン注入を行うことによって窒化アルミニウム膜よりなる
アンチヒューズ膜を形成する工程と、前記フォトレジス
トマスクを除去する工程と、上層配線を形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 アルミニウム合金よりなる下層配線上に
堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホー
ルおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成す
る工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチヒ
ューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程と、
前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露呈し
た前記下層配線にスパッタ法によってアモルファスシリ
コン膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工程と、前
記フォトレジストマスクを除去する工程と、上層配線を
形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線にスパッタ法によって酸化シリコン
膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工程と、前記フ
ォトレジストマスクを除去する工程と、上層配線を形成
する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線にスパッタ法によって窒化シリコン
膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工程と、前記フ
ォトレジストマスクを除去する工程と、上層配線を形成
する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
アモルファスシリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を堆
積する工程と、前記フォトレジストマスクを除去する工
程と、上層配線を形成する工程とを含む半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１３】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工
程と、前記フォトレジストマスクを除去する工程と、上
層配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
窒化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工
程と、前記フォトレジストマスクを除去する工程と、上
層配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線に液相酸化シリコン膜堆積法によっ
て酸化シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を選択的に
堆積する工程と、前記フォトレジストマスクを除去する
工程と、上層配線を形成する工程とを含む半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１６】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線にフルオロ トリエトキシ シラン
（Fluorotriethoxysilane 、以下ＦＴＥＳと略す）と水
蒸気を用いたＣＶＤ法によって酸化シリコン膜よりなる
アンチヒューズ膜を堆積する工程と、前記フォトレジス
トマスクを除去する工程と、上層配線を形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線にＳＯＧ法によって酸化シリコン膜
よりなるアンチヒューズ膜を塗布する工程と、前記フォ
トレジストマスクを除去する工程と、上層配線を形成す
る工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１８】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線に光ＣＶＤ法によってアモルファス
シリコン膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工程
と、前記フォトレジストマスクを除去する工程と、上層
配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線に光ＣＶＤ法によって酸化シリコン
膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工程と、前記フ
ォトレジストマスクを除去する工程と、上層配線を形成
する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線に光ＣＶＤ法によって窒化シリコン
膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工程と、前記フ
ォトレジストマスクを除去する工程と、上層配線を形成
する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項２１】 アルミニウム合金よりなる下層配線上
に堆積した層間絶縁膜にアンチヒューズ形成用バイアホ
ールおよび上下層配線接続用バイアホールを同時に形成
する工程と、フォトレジストマスクを用いて前記アンチ
ヒューズ形成用バイアホールを選択的に露出する工程
と、前記アンチヒューズ形成用バイアホールの内部に露
呈した前記下層配線に光ＣＶＤ法によって酸化アルミニ
ウム膜よりなるアンチヒューズ膜を堆積する工程と、前
記フォトレジストマスクを除去する工程と、上層配線を
形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5886895A JPH08255837A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5886895A JPH08255837A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255837A true JPH08255837A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13096725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5886895A Pending JPH08255837A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255837A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574475B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-08-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메탈산화층을 이용한 앤티퓨즈 형성방법 |
| US7205588B2 (en) * | 2002-09-17 | 2007-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal fuse for semiconductor devices |
| US8754499B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip with power gating through silicon vias |
| US9040406B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-05-26 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip with power gating through silicon vias |
| JP2017050316A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| CN109300757A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-02-01 | 中国科学院空间应用工程与技术中心 | 微波ecr等离子体阴极环形束电子枪及3d打印方法 |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP5886895A patent/JPH08255837A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574475B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-08-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메탈산화층을 이용한 앤티퓨즈 형성방법 |
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| US9812843B2 (en) | 2015-08-31 | 2017-11-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for producing light-emitting device |
| CN109300757A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-02-01 | 中国科学院空间应用工程与技术中心 | 微波ecr等离子体阴极环形束电子枪及3d打印方法 |
| CN109300757B (zh) * | 2018-11-22 | 2023-07-18 | 中国科学院空间应用工程与技术中心 | 微波ecr等离子体阴极环形束电子枪及3d打印方法 |
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