JPH08257359A - ペルフルオロカーボン含有ガスの流れを処理する方法 - Google Patents
ペルフルオロカーボン含有ガスの流れを処理する方法Info
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/68—Halogens or halogen compounds
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ペルフルオロカーボンで汚染されたガス流れ
を清浄にする方法を提供する。 【解決手段】 ペルフルオロカーボン含有ガスの流れ
を、固体水素化合物、好ましくは水素化カルシウムと接
触させることによって、前記ガス流れからペルフルオロ
カーボンを除去する。
を清浄にする方法を提供する。 【解決手段】 ペルフルオロカーボン含有ガスの流れ
を、固体水素化合物、好ましくは水素化カルシウムと接
触させることによって、前記ガス流れからペルフルオロ
カーボンを除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペルフルオロカー
ボンおよびその他の化学物質で汚染されたガス流れを、
高温において水素化合物と接触させることによって処理
する方法に関する。
ボンおよびその他の化学物質で汚染されたガス流れを、
高温において水素化合物と接触させることによって処理
する方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】プラズマ化学蒸着（Ｐ
ＥＣＶＤ）を用いる半導体加工技術においては、プロセ
スガスが、１つまたは２つ以上の蒸着段階においてシリ
コンウェファー上の蒸着材料の中で用いられる。蒸着段
階においてはプロセスチャンバー自体の内部に材料が蒸
着するので、プロセスチャンバーは蒸着段階の最後に清
浄にしなければならない。プロセスチャンバーの内部を
清浄にするためには、ペルフルオロカーボン、例えば、
四フッ化炭素（ＣＦ4）またはヘキサフロオロエタン
（Ｃ2Ｆ6）と酸素をプロセスチャンバーの中に一緒に導
入し、チャンバーの壁上に蒸着している材料と反応させ
る。そのようなペルフルオロカーボンがチャンバー内に
導入されるとき、それらは高周波（ＲＦ）プラズマグロ
ー放電かまたは高温にさらされる可能性があり、その結
果、それらは一般に部分的に分解し、チャンバーの汚染
物質と反応し、ガス状の副生物が形成される。
ＥＣＶＤ）を用いる半導体加工技術においては、プロセ
スガスが、１つまたは２つ以上の蒸着段階においてシリ
コンウェファー上の蒸着材料の中で用いられる。蒸着段
階においてはプロセスチャンバー自体の内部に材料が蒸
着するので、プロセスチャンバーは蒸着段階の最後に清
浄にしなければならない。プロセスチャンバーの内部を
清浄にするためには、ペルフルオロカーボン、例えば、
四フッ化炭素（ＣＦ4）またはヘキサフロオロエタン
（Ｃ2Ｆ6）と酸素をプロセスチャンバーの中に一緒に導
入し、チャンバーの壁上に蒸着している材料と反応させ
る。そのようなペルフルオロカーボンがチャンバー内に
導入されるとき、それらは高周波（ＲＦ）プラズマグロ
ー放電かまたは高温にさらされる可能性があり、その結
果、それらは一般に部分的に分解し、チャンバーの汚染
物質と反応し、ガス状の副生物が形成される。
【０００３】従って、プロセスチャンバーから流出する
ガス流れは、しばしば、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6、Ｎ
Ｆ3、ＳiＦ4、ＨＦ、ＣＨＦ3、ＣＯ2、ＣＯ、ＣＯＦ2、
およびＷＦ6 等の異なったガスを含む。
ガス流れは、しばしば、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6、Ｎ
Ｆ3、ＳiＦ4、ＨＦ、ＣＨＦ3、ＣＯ2、ＣＯ、ＣＯＦ2、
およびＷＦ6 等の異なったガスを含む。
【０００４】プラズマエッチング（ＰＥ）として知られ
る別の加工技術においては、シリコンウェファーの表面
から材料を除去するために、上記ガスのうちの１種また
は２種以上を用いることができる。
る別の加工技術においては、シリコンウェファーの表面
から材料を除去するために、上記ガスのうちの１種また
は２種以上を用いることができる。
【０００５】ＰＥＣＶＤ法とＰＥ法の両者において、こ
のようなガスを過剰な量で用いる傾向があり、その結
果、プロセスチャンバーからの排出ガス流れはＣＦ4、
Ｃ2Ｆ6、ＣＯＦ2、ＣlＦ3、ＳiＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3、お
よびＨＦのガスの１種または２種以上を含んでいること
が多い。
のようなガスを過剰な量で用いる傾向があり、その結
果、プロセスチャンバーからの排出ガス流れはＣＦ4、
Ｃ2Ｆ6、ＣＯＦ2、ＣlＦ3、ＳiＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3、お
よびＨＦのガスの１種または２種以上を含んでいること
が多い。
【０００６】通常、プロセスチャンバーにおいては、異
なるプロセスガスの混合物を用いて連続式で作業を行
う。ペルフルオロカーボンのガスがチャンバーに導入さ
れるプロセス混合物の中に含まれていないとき、それら
をチャンバー内でその場で形成することができて、従っ
て、それらはチャンバーからの排出ガス流れの中に存在
している。ペルフルオロカーボンは、チャンバー内に存
在するフッ素含有ガスと炭素含有化合物の反応によって
形成される。
なるプロセスガスの混合物を用いて連続式で作業を行
う。ペルフルオロカーボンのガスがチャンバーに導入さ
れるプロセス混合物の中に含まれていないとき、それら
をチャンバー内でその場で形成することができて、従っ
て、それらはチャンバーからの排出ガス流れの中に存在
している。ペルフルオロカーボンは、チャンバー内に存
在するフッ素含有ガスと炭素含有化合物の反応によって
形成される。
【０００７】ＰＥＣＶＤ法とＰＥ法における排出ガス流
れを洗浄するための方法と装置は、我々が先に提出した
ＷＯ ８９/１１９０５およびＷＯ ９１/０８０４１の明
細書の中に記載されていて、これらの内容をここに引用
して含めるが、これらの方法においては、その最も単純
な形態において、第一段階でのシリコンと第二段階での
酸化カルシウム（またはこの逆）を両者とも高温におい
て用いる。
れを洗浄するための方法と装置は、我々が先に提出した
ＷＯ ８９/１１９０５およびＷＯ ９１/０８０４１の明
細書の中に記載されていて、これらの内容をここに引用
して含めるが、これらの方法においては、その最も単純
な形態において、第一段階でのシリコンと第二段階での
酸化カルシウム（またはこの逆）を両者とも高温におい
て用いる。
【０００８】しかし、我々の先の明細書においては、三
フッ化窒素（ＮＦ3）を洗い落とすには一定の困難を伴
う可能性が指摘されていて、そこで、特に窒素のガス流
れからＮＦ3 を洗浄するのに、シリコンの第一段階に幾
分かの銅を補助的に添加することが提案された。
フッ化窒素（ＮＦ3）を洗い落とすには一定の困難を伴
う可能性が指摘されていて、そこで、特に窒素のガス流
れからＮＦ3 を洗浄するのに、シリコンの第一段階に幾
分かの銅を補助的に添加することが提案された。
【０００９】我々の先の明細書ＷＯ ８９/１１９０５お
よびＷＯ ９１/０８０４１に記載されている方法は、Ｐ
ＥＣＶＤ処理とＰＥ処理からの排出流れを洗浄するのに
おおむね効果的であるにもかかわらず、特定の状況にお
いては、半導体の加工工程の間にチャンバー内で反応し
なかったかあるいはチャンバー内で形成されたペルフル
オロカーボンを洗浄するのに困難を伴う可能性があるこ
とがわかった。
よびＷＯ ９１/０８０４１に記載されている方法は、Ｐ
ＥＣＶＤ処理とＰＥ処理からの排出流れを洗浄するのに
おおむね効果的であるにもかかわらず、特定の状況にお
いては、半導体の加工工程の間にチャンバー内で反応し
なかったかあるいはチャンバー内で形成されたペルフル
オロカーボンを洗浄するのに困難を伴う可能性があるこ
とがわかった。
【００１０】例えば、ＰＥＣＶＤ法においては、シラン
（ＳiＨ4）と六フッ化タングステン（ＷＦ6）が生じて
プロセスチャンバーに流入し、また未反応ガスの全て
が、我々の先の明細書ＷＯ ８９/１１９０５およびＷＯ
９１/０８０４１に記載されている装置に流入する。シ
リコンウェファー上への蒸着が完了し、そして被覆され
たウェファーがチャンバーから取り出された後、次いで
清浄化工程が実施されるが、この工程においては、ペル
フルオロカーボンのガスと酸素の混合物が生じてチャン
バーに流入し、これがプラズマ放電によって刺激され、
これらの清浄用ガスが反応して、主としてクロロフルオ
ロカーボン、酸素、ＷＦ6、およびＳiＦ4を含む排出流
れが形成される。ＰＥＣＶＤプロセス中にジボラン（Ｂ
2Ｈ6）またはホスフィン（ＰＨ3）ガスが存在する場合
は、やはり清浄化処理からの排出ガス中に存在するフッ
素含有化合物（ＢＦ3 およびＰＦ5）が加わる。
（ＳiＨ4）と六フッ化タングステン（ＷＦ6）が生じて
プロセスチャンバーに流入し、また未反応ガスの全て
が、我々の先の明細書ＷＯ ８９/１１９０５およびＷＯ
９１/０８０４１に記載されている装置に流入する。シ
リコンウェファー上への蒸着が完了し、そして被覆され
たウェファーがチャンバーから取り出された後、次いで
清浄化工程が実施されるが、この工程においては、ペル
フルオロカーボンのガスと酸素の混合物が生じてチャン
バーに流入し、これがプラズマ放電によって刺激され、
これらの清浄用ガスが反応して、主としてクロロフルオ
ロカーボン、酸素、ＷＦ6、およびＳiＦ4を含む排出流
れが形成される。ＰＥＣＶＤプロセス中にジボラン（Ｂ
2Ｈ6）またはホスフィン（ＰＨ3）ガスが存在する場合
は、やはり清浄化処理からの排出ガス中に存在するフッ
素含有化合物（ＢＦ3 およびＰＦ5）が加わる。
【００１１】別の例においては、ＣＨＦ3 ガスがプロセ
スチャンバーに添加され、チャンバー内で反応すると
き、ＣＨＦ3 は部分的に分解してウェファー上で酸化ケ
イ素と反応する。この反応によってＳiＦ4 が生成する
が、少量のテトラフルオロメタン（ＣＦ4）またはヘキ
サフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）も形成される。
スチャンバーに添加され、チャンバー内で反応すると
き、ＣＨＦ3 は部分的に分解してウェファー上で酸化ケ
イ素と反応する。この反応によってＳiＦ4 が生成する
が、少量のテトラフルオロメタン（ＣＦ4）またはヘキ
サフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）も形成される。
【００１２】本発明は、このようなペルフルオロカーボ
ン化合物を完全に満足できるやり方で洗浄するための改
善された方法に関する。
ン化合物を完全に満足できるやり方で洗浄するための改
善された方法に関する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ペルフ
ルオロカーボン含有ガスの流れを処理し、それによって
ガス流れからペルフルオロカーボンを除去する方法であ
って、このガス流れを固体水素化合物と接触させる工程
を含む方法が提供される。
ルオロカーボン含有ガスの流れを処理し、それによって
ガス流れからペルフルオロカーボンを除去する方法であ
って、このガス流れを固体水素化合物と接触させる工程
を含む方法が提供される。
【００１４】好ましい固体水素化合物は水素化カルシウ
ムである。別の化合物はホウ水素化ナトリウム（ＮaＢ
Ｈ4）、水素化マグネシウム（ＭgＨ2）および水素化リ
チウムアルミニウム（ＬiＡlＨ4）である。
ムである。別の化合物はホウ水素化ナトリウム（ＮaＢ
Ｈ4）、水素化マグネシウム（ＭgＨ2）および水素化リ
チウムアルミニウム（ＬiＡlＨ4）である。
【００１５】未知の化学反応によってペルフルオロカー
ボンが水素化合物と反応して固体のフッ化物が生成す
る、と考えられる。例えば、水素化カルシウムの場合の
フッ化カルシウムである。本発明の方法は、我々の先の
明細書ＷＯ ８９/１１９０５およびＷＯ ９１/０８０４
１に記載されているタイプの方法を用いるガス反応器に
組み込むことができ、あるいはこれに連結して用いるこ
とができる。
ボンが水素化合物と反応して固体のフッ化物が生成す
る、と考えられる。例えば、水素化カルシウムの場合の
フッ化カルシウムである。本発明の方法は、我々の先の
明細書ＷＯ ８９/１１９０５およびＷＯ ９１/０８０４
１に記載されているタイプの方法を用いるガス反応器に
組み込むことができ、あるいはこれに連結して用いるこ
とができる。
【００１６】上記のタイプのガス反応器に連結して用い
る場合、本発明の方法をその反応に直接組み込むことが
でき、そして下記のいずれかの方法に改変することがで
きる。
る場合、本発明の方法をその反応に直接組み込むことが
でき、そして下記のいずれかの方法に改変することがで
きる。
【００１７】i）反応器は、酸化カルシウム、例えば粒
状石灰（ＣaＯ）からなる第一の床と、水素化合物、好
ましくは水素化カルシウム（ＣaＨ2）とケイ素の混合物
（好ましくは金属が結合していない形の）からなる第二
の床と、酸化カルシウム（ＣaＯ）、例えば粒状石灰を
含む第三の床、を有する。
状石灰（ＣaＯ）からなる第一の床と、水素化合物、好
ましくは水素化カルシウム（ＣaＨ2）とケイ素の混合物
（好ましくは金属が結合していない形の）からなる第二
の床と、酸化カルシウム（ＣaＯ）、例えば粒状石灰を
含む第三の床、を有する。
【００１８】ii）反応器は、ケイ素、好ましくは粒状の
ケイ素からなり、あるいはさらに、三フッ化窒素（ＮＦ
3）が流れから洗浄される場合はケイ素の粒子を銅で部
分的に被覆処理した第一の床と、水素化合物、好ましく
は水素化カルシウムとケイ素の混合物を含む第二の床
と、酸化カルシウム、好ましくは粒状石灰を含む第三の
床、を有する。
ケイ素からなり、あるいはさらに、三フッ化窒素（ＮＦ
3）が流れから洗浄される場合はケイ素の粒子を銅で部
分的に被覆処理した第一の床と、水素化合物、好ましく
は水素化カルシウムとケイ素の混合物を含む第二の床
と、酸化カルシウム、好ましくは粒状石灰を含む第三の
床、を有する。
【００１９】iii）反応器は、水素化合物、好ましくは
水素化カルシウムとケイ素（好ましくは粒状で、あるい
はさらに、上記 ii）のように銅で部分的に被覆した）
の混合物からなる第一の床と、酸化カルシウム、好まし
くは粒状石灰を含む第二の床、を有する。
水素化カルシウムとケイ素（好ましくは粒状で、あるい
はさらに、上記 ii）のように銅で部分的に被覆した）
の混合物からなる第一の床と、酸化カルシウム、好まし
くは粒状石灰を含む第二の床、を有する。
【００２０】iv）反応器は、ケイ素、好ましくは粒状の
ケイ素からなり、あるいはさらに、上記 ii）およびii
i）のように銅で部分的に被覆したケイ素からなる第一
の床と、酸化カルシウム、好ましくは粒状石灰からなる
第二の床と、水素化合物、好ましくは水素化カルシウ
ム、さらに好ましくはケイ素と酸化カルシウム（好まし
くは粒状石灰）の一方または両者との混合物からなる第
三の床、を有する。
ケイ素からなり、あるいはさらに、上記 ii）およびii
i）のように銅で部分的に被覆したケイ素からなる第一
の床と、酸化カルシウム、好ましくは粒状石灰からなる
第二の床と、水素化合物、好ましくは水素化カルシウ
ム、さらに好ましくはケイ素と酸化カルシウム（好まし
くは粒状石灰）の一方または両者との混合物からなる第
三の床、を有する。
【００２１】全ての床は好ましくは単一の容器に充填さ
れ、処理されるガス流れが最初に第一の床に入り、次い
で第二の床に入り、そしてもし存在する場合は続いて第
三の床に入る。必要な反応温度を維持するために容器を
炉内に置くか、あるいは電気加熱要素の中に装入するこ
とができる。
れ、処理されるガス流れが最初に第一の床に入り、次い
で第二の床に入り、そしてもし存在する場合は続いて第
三の床に入る。必要な反応温度を維持するために容器を
炉内に置くか、あるいは電気加熱要素の中に装入するこ
とができる。
【００２２】本発明は水素化合物からなる自立式の床の
使用を包含するが、好ましくは本発明の全ての適用にお
いて、水素化合物はケイ素の粒子または粒状石灰と混合
される。また、水素化カルシウムとペルフルオロカーボ
ンの間の反応からフッ化水素が生成するかもしれないの
で、本発明においては粒状石灰の形での酸化カルシウム
からなる床を下流において用いるのが最も好ましい。本
発明の全ての適用において、汚染されたガス流れの中に
存在する酸性ガスを処理するために、粒状石灰からなる
床を上流に用いることができる。また本発明の全ての適
用において、石灰が凝集するのを防止するために、石灰
を、金属と化合したあるいは非化合のケイ素の粒子と混
合することができる。
使用を包含するが、好ましくは本発明の全ての適用にお
いて、水素化合物はケイ素の粒子または粒状石灰と混合
される。また、水素化カルシウムとペルフルオロカーボ
ンの間の反応からフッ化水素が生成するかもしれないの
で、本発明においては粒状石灰の形での酸化カルシウム
からなる床を下流において用いるのが最も好ましい。本
発明の全ての適用において、汚染されたガス流れの中に
存在する酸性ガスを処理するために、粒状石灰からなる
床を上流に用いることができる。また本発明の全ての適
用において、石灰が凝集するのを防止するために、石灰
を、金属と化合したあるいは非化合のケイ素の粒子と混
合することができる。
【００２３】ケイ素を含有する全ての床において、ケイ
素はおよそ少なくとも約９５％の純度を有する。また、
ケイ素と水素化カルシウムの混合物は、ケイ素の重量で
約２５％と約７５％の間の範囲にあるのが好ましい。酸
化カルシウムと水素化カルシウムの混合物は、酸化カル
シウムの重量で約２５％と約７５％の間の範囲にあるの
が好ましい。床の中で用いられる水素化カルシウムの量
は、当然、床に要求される性能に基づく。この点に関し
て、本発明者は、水素化カルシウムは、水素化カルシウ
ム１グラム当たり約２０.０から４０.０ｃｍ3の間の範
囲のヘキサフルオロエタンまたは四フッ化炭素を除去す
る能力があることを見いだした。
素はおよそ少なくとも約９５％の純度を有する。また、
ケイ素と水素化カルシウムの混合物は、ケイ素の重量で
約２５％と約７５％の間の範囲にあるのが好ましい。酸
化カルシウムと水素化カルシウムの混合物は、酸化カル
シウムの重量で約２５％と約７５％の間の範囲にあるの
が好ましい。床の中で用いられる水素化カルシウムの量
は、当然、床に要求される性能に基づく。この点に関し
て、本発明者は、水素化カルシウムは、水素化カルシウ
ム１グラム当たり約２０.０から４０.０ｃｍ3の間の範
囲のヘキサフルオロエタンまたは四フッ化炭素を除去す
る能力があることを見いだした。
【００２４】ペルフルオロカーボンを水素化カルシウム
と接触させる反応温度は、約４５０から約９００℃の間
の範囲である。本発明による全ての床が、この温度範囲
内の温度に維持される。本発明による特に好ましい温度
範囲は約５００から約６００℃の間の範囲である。この
後者の範囲においてはその低い方の範囲が好ましい。約
６００℃以下の運転温度が特に好ましい。プラズマ化学
蒸着処理においては、装置を清浄にする目的でペルフル
オロカーボンが間欠的に用いられる。それ以外の時に
は、そのような処理からの排ガスは事実上減少する。温
度が６００℃以下に維持される場合は、水素化カルシウ
ムは安定して残る。また、他の汚染物は粒状の石灰によ
って最初に除去されるので、それらは水素化カルシウム
には何ら影響を及ぼさない。アンモニアだけが、石灰の
床から影響を受けずに逃げ，るかもしれない。しかしそ
れは水素化カルシウムには無害であるだけでなく、還元
雰囲気を与えることによって水素化カルシウムを保存す
るのに効果的であろう。
と接触させる反応温度は、約４５０から約９００℃の間
の範囲である。本発明による全ての床が、この温度範囲
内の温度に維持される。本発明による特に好ましい温度
範囲は約５００から約６００℃の間の範囲である。この
後者の範囲においてはその低い方の範囲が好ましい。約
６００℃以下の運転温度が特に好ましい。プラズマ化学
蒸着処理においては、装置を清浄にする目的でペルフル
オロカーボンが間欠的に用いられる。それ以外の時に
は、そのような処理からの排ガスは事実上減少する。温
度が６００℃以下に維持される場合は、水素化カルシウ
ムは安定して残る。また、他の汚染物は粒状の石灰によ
って最初に除去されるので、それらは水素化カルシウム
には何ら影響を及ぼさない。アンモニアだけが、石灰の
床から影響を受けずに逃げ，るかもしれない。しかしそ
れは水素化カルシウムには無害であるだけでなく、還元
雰囲気を与えることによって水素化カルシウムを保存す
るのに効果的であろう。
【００２５】別の水素化合物、すなわちホウ水素化ナト
リウム、水素化マグネシウムおよび水素化リチウムアル
ミニウムを用いる場合、反応温度は少なくとも約８０℃
であり、そしてホウ水素化ナトリウムの場合は約３００
℃以下、水素化マグネシウムの場合は約２５０℃以下、
水素化リチウムアルミニウムの場合は約１２０℃以下で
ある。
リウム、水素化マグネシウムおよび水素化リチウムアル
ミニウムを用いる場合、反応温度は少なくとも約８０℃
であり、そしてホウ水素化ナトリウムの場合は約３００
℃以下、水素化マグネシウムの場合は約２５０℃以下、
水素化リチウムアルミニウムの場合は約１２０℃以下で
ある。
【００２６】本発明に従う方法で用いられるガス反応器
の一例においては、約６０ｇの粒状の水素化カルシウム
（大きさが約１ｍｍの粒子）が、直径２.５４ｃｍのス
テンレス鋼の容器に充填された。この容器の中の水素化
カルシウムからすぐ下流において、同じ容器の中に５０
ｇの石灰が充填された。反応器が約５００℃に加熱さ
れ、窒素の流れを容器に１分間当たり約１.０リットル
の流量で流し始めた。床の中心部で測定した反応器温度
が４５４℃で安定したとき、約２容積％のヘキサフルオ
ロエタンの流れが窒素の流れに添加された。その後、反
応器の温度は約１５分間で６２５℃まで上昇し、次いで
約１時間後に約４５０℃までゆっくり低下した。
の一例においては、約６０ｇの粒状の水素化カルシウム
（大きさが約１ｍｍの粒子）が、直径２.５４ｃｍのス
テンレス鋼の容器に充填された。この容器の中の水素化
カルシウムからすぐ下流において、同じ容器の中に５０
ｇの石灰が充填された。反応器が約５００℃に加熱さ
れ、窒素の流れを容器に１分間当たり約１.０リットル
の流量で流し始めた。床の中心部で測定した反応器温度
が４５４℃で安定したとき、約２容積％のヘキサフルオ
ロエタンの流れが窒素の流れに添加された。その後、反
応器の温度は約１５分間で６２５℃まで上昇し、次いで
約１時間後に約４５０℃までゆっくり低下した。
【００２７】この時間を通して、反応器の出口には実質
的にヘキサフルオロエタンが含まれていなかった。比較
のために、反応器を、粒状の金属質カルシウム（大きさ
が約３〜５ｍｍの粒子）を直径２.５４ｃｍのステンレ
ス鋼の容器に充填したものを含むように組み立てた。お
よそ５０〜約８０ｇの材料が用いられた。反応器を窒素
を用いて１分間当たり約５００ｃｍ3 の流量でパージし
た後、２容積％のヘキサフルオロエタンを窒素中に含有
するガス流れが添加された。反応器を８００℃に加熱し
た。温度が約６８５℃に達したとき、約４０％〜約５０
％のヘキサフルオロエタンだけが転換された。従って、
ペルフルオロカーボンを処理するために金属質カルシウ
ムを使用することは、極めて希薄な流れを用いる場合に
のみ効果的であることがわかる。
的にヘキサフルオロエタンが含まれていなかった。比較
のために、反応器を、粒状の金属質カルシウム（大きさ
が約３〜５ｍｍの粒子）を直径２.５４ｃｍのステンレ
ス鋼の容器に充填したものを含むように組み立てた。お
よそ５０〜約８０ｇの材料が用いられた。反応器を窒素
を用いて１分間当たり約５００ｃｍ3 の流量でパージし
た後、２容積％のヘキサフルオロエタンを窒素中に含有
するガス流れが添加された。反応器を８００℃に加熱し
た。温度が約６８５℃に達したとき、約４０％〜約５０
％のヘキサフルオロエタンだけが転換された。従って、
ペルフルオロカーボンを処理するために金属質カルシウ
ムを使用することは、極めて希薄な流れを用いる場合に
のみ効果的であることがわかる。
【００２８】本発明の方法は、プロセスポンプに接続し
て用いられる一次真空ポンプの出口に付設したガス反応
器において有効に用いることができ、この反応器は大気
圧または大気圧に近い圧力において運転される。
て用いられる一次真空ポンプの出口に付設したガス反応
器において有効に用いることができ、この反応器は大気
圧または大気圧に近い圧力において運転される。
【００２９】あるいは、本発明の方法は、もっと低い大
気圧未満の圧力、すなわちプロセスチャンバーの圧力と
大気圧との間で有効に用いることができ、この場合、反
応器は、プロセスチャンバーとそれが連結しているプロ
セス真空ポンプの間のあらゆる好都合な位置に接続され
る、あるいはプロセス真空ポンプ（一次および二次）の
間のパイプラインに接続される。また反応器を、真空ポ
ンプのある段階の間で、同様の効果が達成される位置に
接続することもできる。
気圧未満の圧力、すなわちプロセスチャンバーの圧力と
大気圧との間で有効に用いることができ、この場合、反
応器は、プロセスチャンバーとそれが連結しているプロ
セス真空ポンプの間のあらゆる好都合な位置に接続され
る、あるいはプロセス真空ポンプ（一次および二次）の
間のパイプラインに接続される。また反応器を、真空ポ
ンプのある段階の間で、同様の効果が達成される位置に
接続することもできる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラマクリシュナン・ラマチャンドラン アメリカ合衆国ニュージャージー州07401, アレンデール，ヒルサイド・アベニュー 232 (72)発明者 ジェームズ・ロバート・スミス イギリス国ビーエス28・４ピーエイ，サマ ーセット，ブラックフォード，サウスコー ト・ハウス（番地なし)
Claims (16)
- 【請求項１】 ペルフルオロカーボン含有ガスの流れを
処理し、それによって前記ガス流れからペルフルオロカ
ーボンを除去する方法であって、前記ガス流れを固体水
素化合物と接触させる工程を含む方法。 - 【請求項２】 前記水素化合物は水素化カルシウム（Ｃ
aＨ2）である、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記水素化合物はホウ水素化ナトリウム
（ＮaＢＨ4）、水素化マグネシウム（ＭgＨ2）および水
素化リチウムアルミニウム（ＬiＡlＨ4）のうちの１種
または２種以上である、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 約４５０〜９００℃の温度において実施
される、請求項２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記温度は約５００〜７００℃である、
請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 前記温度は約６００℃以下である、請求
項５に記載の方法。 - 【請求項７】 ホウ水素化ナトリウムを用いて８０〜３
００℃の温度において実施される、請求項３に記載の方
法。 - 【請求項８】 水素化マグネシウムを用いて８０〜２５
０℃の温度において実施される、請求項３に記載の方
法。 - 【請求項９】 水素化リチウムアルミニウムを用いて８
０〜１２０℃の温度において実施される、請求項３に記
載の方法。 - 【請求項１０】 前記固体水素化合物はケイ素と混合さ
れる、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１１】 前記固体水素化合物は酸化カルシウム
と混合される、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１２】 前記固体水素化合物は水素化カルシウ
ムである、請求項１０または１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記ガス流れを、固体水素化合物を含
んでいる第一段階と接触させ、次いで酸化カルシウムを
含んでいる第二段階と接触させる、請求項１〜１２のい
ずれかに記載の方法。 - 【請求項１４】 前記ガス流れを、酸化カルシウムを含
んでいる第一段階と接触させ、次いで固体水素化合物を
含んでいる第二段階と接触させる、請求項１〜１２のい
ずれかに記載の方法。 - 【請求項１５】 前記ガス流れは、ペルフルオロカーボ
ンをテトラフルオロメタンおよびヘキサフルオロエタン
の一方または両者の形で含んでいる、請求項１〜１４の
いずれかに記載の方法。 - 【請求項１６】 大気圧未満の圧力において実施され
る、請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US395344 | 1982-07-09 | ||
| US08/395,344 US5468459A (en) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | Gas stream treatment method for removing per-fluorocarbons |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08257359A true JPH08257359A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=23562657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8041128A Pending JPH08257359A (ja) | 1995-02-28 | 1996-02-28 | ペルフルオロカーボン含有ガスの流れを処理する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5468459A (ja) |
| EP (1) | EP0729777A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08257359A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023007A (en) * | 1997-03-24 | 2000-02-08 | Showa Denko K.K. | Catalytic decomposition of perfluoro-compound |
| US6162957A (en) * | 1997-03-24 | 2000-12-19 | Showa Denko K.K. | Catalytic decomposition of perfluoro-compound |
| US12478948B2 (en) | 2019-04-03 | 2025-11-25 | Calgon Carbon Corporation | Perfluoroalkyl and polyfluoroalkyl sorbent materials and methods of use |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
| US20010001652A1 (en) * | 1997-01-14 | 2001-05-24 | Shuichi Kanno | Process for treating flourine compound-containing gas |
| US6277295B1 (en) * | 1999-04-23 | 2001-08-21 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Argricultural And Mechanical College | Etching alumina ceramics |
| GB9923951D0 (en) * | 1999-10-08 | 1999-12-08 | Boc Group Plc | Treatment of gas mixture |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054723A (ja) * | 1983-09-01 | 1985-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 不純物除去装置 |
| DE3517019C2 (de) * | 1985-05-11 | 1987-03-26 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur chemisch-thermischen Zersetzung von Halogenkohlenwasserstoffen |
| US4659552A (en) * | 1986-07-21 | 1987-04-21 | Hercules Incorporated | Scavengers for the removal of impurities from arsine and phosphine |
| GB8813270D0 (en) * | 1988-06-04 | 1988-07-06 | Plasma Products Ltd | Dry exhaust gas conditioning |
| US5026464A (en) * | 1988-08-31 | 1991-06-25 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method and apparatus for decomposing halogenated organic compound |
| EP0382986A1 (en) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method and apparatus for detoxicating halide of nitrogen or carbon |
| JPH02215467A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 | Japan Hai Chem Kk | 脱臭方法 |
| US5176897A (en) * | 1989-05-01 | 1993-01-05 | Allied-Signal Inc. | Catalytic destruction of organohalogen compounds |
| DE3925296A1 (de) * | 1989-07-31 | 1991-02-07 | Linde Ag | Verfahren zur gasreinigung |
| DE4000708A1 (de) * | 1990-01-12 | 1991-07-18 | Rennebeck Klaus | Anwendungsverfahren fuer hydrid, vorzugsweise gebunden in fester oder gasfoermiger form und vorrichtung |
| EP0528982B1 (en) * | 1990-05-14 | 1996-08-28 | The University of Akron | Process for the destruction of halogenated organics |
| US5245112A (en) * | 1990-09-13 | 1993-09-14 | Koji Hashimoto | Method for decomposition of chlorofluorocarbons |
| JPH04156919A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Ebara Res Co Ltd | ハロゲン系化合物を含有する排ガスの処理方法 |
| DE4109639C2 (de) * | 1991-03-23 | 1994-06-01 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur Zersetzung von polyhalogenierten Organoverbindungen |
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| US5252259A (en) * | 1991-04-22 | 1993-10-12 | Hercules Incorporated | Purification of sulfur hexafluoride |
| US5260036A (en) * | 1992-02-27 | 1993-11-09 | Process Technologies, Inc. | Method and apparatus for use in photochemically oxidizing gaseous halogenated organic compounds |
| US5345031A (en) * | 1992-04-16 | 1994-09-06 | The Trustees Of Princeton University | Reduction of aromatic halide content |
-
1995
- 1995-02-28 US US08/395,344 patent/US5468459A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-26 EP EP96301269A patent/EP0729777A1/en not_active Ceased
- 1996-02-28 JP JP8041128A patent/JPH08257359A/ja active Pending
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| US12478948B2 (en) | 2019-04-03 | 2025-11-25 | Calgon Carbon Corporation | Perfluoroalkyl and polyfluoroalkyl sorbent materials and methods of use |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5468459A (en) | 1995-11-21 |
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