JPH08257399A - チタニア系触媒の製造方法 - Google Patents

チタニア系触媒の製造方法

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JPH08257399A
JPH08257399A JP7067893A JP6789395A JPH08257399A JP H08257399 A JPH08257399 A JP H08257399A JP 7067893 A JP7067893 A JP 7067893A JP 6789395 A JP6789395 A JP 6789395A JP H08257399 A JPH08257399 A JP H08257399A
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智子 春日
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 貴金属助触媒を担持させなくても、光触媒活
性を増大させることができるチタニア系触媒の製造方法
を提供すること。 【構成】 (1−x)TiO2 ・xSiO2 (x=0〜
0.5)のモル比となるように、チタンアルコキシド及
びシリコンアルコキシドを混合した加水分解ゾルをゲル
化後、熱処理温度350〜1200℃で焼成してチタン
系触媒を製造する方法。焼成後のチタニア系触媒を、ア
ルカリ処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チタニア系触媒に関
し、さらに、詳しくは、光触媒活性に優れたチタニア系
触媒を容易に製造できる方法に関する。
【0002】
【従来の技術】チタニアは、触媒活性に優れた材料とし
て広く知られ、さまざまな光触媒反応が検討されてい
る。
【0003】光触媒反応は、(1) 触媒表面に反応分子が
近接する、(2) 触媒の内部で光照射によって励起された
電子・ホールが触媒表面にある反応分子を還元あるいは
酸化させることによって、化学反応を促進させると考え
られる。
【0004】触媒活性を向上させるための手段として
は、触媒の比表面積の増大(触媒活性点の増大)につな
がる、触媒粉末の微細化、ないしは、多結晶であっても
結晶粒径(単一結晶の)の小径化が、即ち、結晶微細化
が有効な一手段として期待できる。そして、結晶微細化
の方法として、ゾルゲル法、気相法等が公知である。
【0005】さらに、1992年1月発行の「科学と工
業 第66巻」に投稿された研究論文「白金およびルテ
ニウムを担持したTiO2 −SiO2 触媒の調製と光触
媒活性」に、ゾルゲル法でチタニア系触媒粉末を調製す
る際に、シリカ(SiO2 )をドープ(添加)すると結
晶粒径が小さくなることが報告されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、当該チタニア
系触媒においては、助触媒として白金とルテニウムを担
持させて光触媒活性を増大させることを前提とし、Ti
2 /SiO2 は、触媒活性をほとんど期待しない担体
としての役割を担っていると推定される。
【0007】そして、これらの担持操作は、貴金属を塩
化物水溶液の形にして行うため、面倒であり、かつ、コ
スト高となり易い。
【0008】また、TiO2 /SiO2 だけでは、高い
触媒活性が得難いことが、本発明者らが試験検討した結
果、分かった。
【0009】本発明は、上記にかんがみて、特別に貴金
属助触媒等を担持させなくても、tiO2 又は、TiO
2 /SiO2 だけで、触媒活性を増大させることができ
るチタニア系触媒の製造方法を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたものであり、下記構成により、上
記課題を解決するものである。
【0011】(1−x)TiO2 ・xSiO2 (x=0
〜0.5)のモル比となるように、チタンアルコキシド
及びシリコンアルコキシドを混合した加水分解ゾルをゲ
ル化後、該ゲル化物を350〜1200℃で焼成してチ
タニア系触媒を製造する方法であって、前記焼成後のチ
タニア系触媒を、酸またはアルカリで表面処理すること
を特徴とする。
【0012】
【手段の詳細な説明】以下、本発明のチタニア系触媒の
製造方法を、図1〜3に基づいて説明をする。
【0013】(1) 本発明のチタニア系触媒を製造する方
法は、所定比でチタンアルコキシド及びシリコンアルコ
キシドを混合した加水分解ゾル(コロイド溶液)をゲル
化後、該ゲル化物を焼成(結晶化)して製造すること
を、前提的構成とする。
【0014】ここで、チタニアとシリカのモル比は、示
性式(1−x)TiO2 ・xSiO 2 でx=0〜0.
5、望ましくは、x=0.02〜0.25の範囲とす
る。
【0015】チタニアのみでもよいが、少量のシリカを
ドープ(添加)することにより、前述の如く、結晶粒径
が小さくなり望ましい。そしてその範囲は、x=0.0
2〜0.25とする。xが0.02未満では、シリカの
添加効果(結晶微細化:比表面積の増大化)を得難く、
シリカ添加量が過多となると、結晶の微細化が余り促進
されない上に、相対的にチタニアの比率が低下して、却
って、触媒活性が低下する。(シリカ添加量と比表面積
の関係を示すグラフ図である図1参照。) また、焼成条件は、シリカの比率により異なるが、通
常、350〜1200℃×0.3〜2h、望ましくは、
450〜600℃×0.5〜1.5hであることが望ま
しい。温度が相対的に低い方が、結晶微細化(比表面積
の増大化)が図れて望ましい。しかし、低過ぎると、焼
成が困難となるとともに焼成時間が相対的に長くなり、
生産性が低下する。
【0016】本発明で使用するチタニア系触媒(チタニ
ア−シリカ複合微粒子結晶)は、例えば、特開平5−5
8649号公報に記載の方法によって調製する。
【0017】単にシリカ微粒子とチタニア微粒子を混合
したものではなく、所定比率となる様にシリコンアルコ
キシドとチタンアルコキシドの加水分解ゾル溶液をゲル
化後、焼成、さらには必要により粉砕を行って調製す
る。
【0018】該加水分解ゾル溶液を調製する場合、チタ
ンアルコキシド及びシリコンアルコキシドを混合した
後、同時に加水分解する方法、あるいは一方を一部加水
分解した(以下、予備加水分解という)後、他方を添加
し、さらに加水分解する(以下、最終加水分解という)
方法などがある。後者の方法は、用いるシリコンアルコ
キシドとチタンアルコキシドの加水分解速度が大きく異
なり、加水分解時に沈殿を生じやすい場合に特に用いら
れる。
【0019】上記チタンアルコキシドとしては、一般式
Ti(OR)4 (但し、Rはアルキル基またはアルコキ
シアルキル基)で表示される化合物、または上記一般式
中の1つあるいは2つのアルコキシド基(OR)がカル
ボキシル基あるいはβ−ジカルボニル基で置換された化
合物あるいはそれらの混合物が好ましい。具体的に上記
チタンアルコキシドを例示すると、Ti(O-isoC3H7)4、Ti
(O-nC4H9)4、Ti(O-CH2CH(C2H5)C4H9)4、Ti(O-C17H35)4、Ti
(O-isoC3H7)2[CO(CH3)CHCOCH3]2、Ti(O-nC4H9)2[OC2H4N
(C2H4OH)2]2、Ti(OH)2[OCH(CH3)COOH]2、Ti(OCH2CH(C2H5)
CH(OH)C3H7)4、Ti(O-nC4H9)2(OCOC17H35)等の化合物であ
る。
【0020】上記シリコンアルコキシドとしては種々あ
るが、工業的に入手しやすいものとして例えば、一般式
Si(OR14 (但し、R1 はアルキル基またはアル
コキシアルキル基)で表示される化合物、または上記一
般式中の1つあるいは2つのアルコキシド基(OR1
がカルボキシル基あるいはβ−ジカルボニル基で置換さ
れた化合物、または、それらを部分的に加水分解して得
られる低縮合物あるいはそれらの混合物が特に限定され
ずに使用される。上記アルキル基としては、メチル基、
エチル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基を、及び、アルコキシアルキル基としては、メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エト
キシエチル基、メトキシプロピル基等を好適に挙げるこ
とができる。これらのシリコンアルコキシドは市販品を
そのまま、または蒸留精製して用いればよい。
【0021】加水分解は、水の他に、必要ならばアルコ
ールなどの溶媒、酸あるいは塩基触媒の存在下で、攪拌
しながら行われる。このとき水浴中あるいは湯浴中で加
水分解を行うのが望ましい。触媒とアルコールなどの溶
媒は、必ずしも必要ではないが、触媒は加水分解、重縮
合の速度を速める効果、アルコールなどの溶媒は沈殿物
の発生を抑制し、より均一なゾル溶液を調製するという
効果がある。
【0022】触媒は、酸あるいは塩基性化合物をそのま
まか、あるいは水またはアルコールなどの溶媒に溶解さ
せた状態のもの(以下、それぞれ酸性触媒、塩基性触媒
という)を用いる。そのときの濃度については特に限定
しないが、濃度が濃い場合は加水分解、重縮合速度が速
くなる傾向がある。但し、濃度の濃い塩基性触媒を用い
ると、ゾル溶液中で沈殿物が生成する場合があるため、
塩基性触媒の濃度は1N(水溶液での濃度換算)以下が
望ましい。
【0023】酸性触媒あるいは塩基性触媒の種類は特に
限定されないが、濃度の濃い触媒を用いる必要がある場
合には、焼結後に触媒結晶粒中にほとんど残留しないよ
うな元素から構成される触媒がよい。具体的には、酸性
触媒としては、塩酸などのハロゲン化水素、硝酸、硫
酸、亜硫酸、硫化水素、過塩素酸、過酸化水素、炭酸、
蟻酸や酢酸などのカルボン酸、構造式RCOOHのRを
他元素または置換基によって置換した置換カルボン酸、
ベンゼンスルホン酸などのスルホン酸など、塩基性触媒
としては、アンモニア水などのアンモニア性塩基、エチ
ルアミンやアニリンなどのアミン類などがあげられる。
【0024】(2) 本発明は、上記方法で得たチタニア系
触媒をアルカリまたは酸で表面処理することを特徴的構
成要件とする。
【0025】ここでアルカリとしては水酸化ナトリウム
・カリウムの水溶液(通常、1〜17N)等を、酸とし
てはフッ酸(通常、0.1〜10N)等を好適に使用可
能である。この表面処理により、チタニア系触媒粉末の
表面に残存しているアモルファスシリカ(触媒活性に悪
影響を与えると考えられる)が除去されると推定され
る。このとき、各表面処理後は、水洗しておく。そし
て、アルカリで表面処理した場合、水洗後、希塩酸等の
無機酸で中和処理しておくことが望ましい。
【0026】上記アルカリ・中和処理方法は、通常、浸
漬・噴霧等の方法で行う。
【0027】(3) 上記のようにして調製した焼成物は、
そのまま、触媒(光活性)として使用してもよいが、通
常、粉砕して使用する。粉砕方法としては、通常、ボー
ル・ロッドミル、マイクロナイザー等の微粉砕機・超微
粉砕機を使用して行う。
【0028】
【発明の作用・効果】本発明のチタニア系触媒の製造方
法は、上記のような構成により、下記のような作用・効
果を奏する。
【0029】(1) シリカをドープまたはドープレスのチ
タニア系焼成体をアルカリ又は酸で表面処理することに
より、後述の実施例で支持される如く、光触媒特性が増
大する。これは、チタニア系焼成体に残存しているチタ
ニア・シリカアモルファスが除去されるためであると推
定される。
【0030】(2) シリカを所定量以上ドープした場合、
さらには、焼成温度を可及的に低くすることにより、や
はり、光触媒特性が増大する。単一結晶の粒径が小さく
なって(相対的に比表面積が増大する)、触媒活性面が
増大するためと推定される。
【0031】以上の如く、本発明のチタニア系触媒の製
造方法は、貴金属助触媒を担持させずに、光触媒活性を
容易に増大させることが可能となる。
【0032】
【試験例】以下、本発明の効果を確認するために行った
試験例について説明をする。
【0033】(1) シリカ添加量と比表面積との関係 組成が、(1−x)TiO2 ・xSiO2 (x=0、
0.05、0.1)となるように、市販のイソブトキシ
シラン及びテトラエトキシシランを、エタノール及び水
で溶解させたゾル溶液に、希塩酸を加水分解触媒として
加えて、加水分解後、放置してゲル化させた。(図4工
程図参照)各ゲル化物を、500・600・700℃の
温度で、それぞれ、2時間づつ熱処理を行って焼成し、
該焼成体を、めのう乳鉢で粉砕して微粉末状(粒径<3
20メッシュ)のチタニア系触媒を調製した各チタニア
系触媒について、比表面積をBET法に基づいて測定し
た。その結果を、図1に示すが、シリカの添加量の増大
に従って、比表面積が増大することが分かる。また、焼
成温度(結晶化温度)が高くなるに従って、比表面積が
小さくなることが分かる。
【0034】(2) 焼成温度と触媒活性との関係 上記でシリカ添加量が0.05モル%で、結晶化温度が
500・600・700℃で得た各触媒について、触媒
活性を光コルベ法により測定した。その結果を、図2に
示すが、結晶化温度が低い方が(比表面積が大きい方
が)高いことが分かる。
【0035】(3) アルカリ処理と触媒活性との関係 シリカ添加量0.1または0.2モル%とし、焼成温度
600℃て調製したもののアルカリ表面処理品・非処理
品について、それぞれ光コルベ法により触媒活性を測定
した。その結果を、図3に示すが、アルカリ表面処理し
たものは、非処理品に比して格段に触媒活性が高いこと
が分かる。
【0036】なお、表面処理は、NaOHaq(17
N)でアルカリ浸漬(室温5時間)後、水洗し、HCl
aq(0.1N)で酸洗浄して完了した。
【図面の簡単な説明】
【図1】シリカ添加量と比表面積との関係を示すグラフ
【図2】焼成温度と触媒活性との関係を示すグラフ図
【図3】アルカリ処理の有無と触媒活性との関係を示す
グラフ図
【図4】上記試験例におけるゾル・ゲル法の工程図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (1−x)TiO2 ・xSiO2 (x=
    0〜0.5)のモル比となるように、チタンアルコキシ
    ド及びシリコンアルコキシドを混合した加水分解ゾルを
    ゲル化後、熱処理温度350〜1200℃で焼成してチ
    タニア系触媒を製造する方法であって、 前記焼成後のチタニア系触媒を、アルカリまたは酸で表
    面処理することを特徴とするチタニア系触媒の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 請求項1において、x=0.02〜0.
    25であることを特徴とするチタニア系触媒の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 請求項1または2において、前記熱処理
    温度が450〜600℃であることを特徴とするチタニ
    ア系触媒の製造方法。
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