JPH08262243A - 光等化器 - Google Patents
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- JPH08262243A JPH08262243A JP8041276A JP4127696A JPH08262243A JP H08262243 A JPH08262243 A JP H08262243A JP 8041276 A JP8041276 A JP 8041276A JP 4127696 A JP4127696 A JP 4127696A JP H08262243 A JPH08262243 A JP H08262243A
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2507—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、長距離通信ネットワークで
光等化を行う、低コストで広帯域の受動的光等化装置を
提供することである。 【解決手段】 光信号を複数の個別のチャネルに多重化
解除する光デマルチプレクサ、およびデマルチプレクサ
の端子を光マルチプレクサに接続する複数の光コネクタ
とを有する、モノリシック集積光等化装置。さまざまな
長さの金属片が、光コネクタ上に付着され、光信号が、
光マルチプレクサの出力端子におけるチャネルにわたり
等化されるようになっている。
光等化を行う、低コストで広帯域の受動的光等化装置を
提供することである。 【解決手段】 光信号を複数の個別のチャネルに多重化
解除する光デマルチプレクサ、およびデマルチプレクサ
の端子を光マルチプレクサに接続する複数の光コネクタ
とを有する、モノリシック集積光等化装置。さまざまな
長さの金属片が、光コネクタ上に付着され、光信号が、
光マルチプレクサの出力端子におけるチャネルにわたり
等化されるようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の波長におけ
る光信号を伝送する光ファイバのためのゲイン等化に関
する。
る光信号を伝送する光ファイバのためのゲイン等化に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＷＤＭＡ／ＷＤＭを使用する大都市圏ネ
ットワークもしくは広域ネットワーク（ＭＡＮ／ＷＡ
Ｎ）は、異なる地点から発信される光信号が、異なる減
衰を生じる遠近差の問題を潜在的に秘めている。さら
に、このようなネットワークで使用されるファイバおよ
び光増幅器はまた、非フラット伝送スペクトルを有して
おり、このため、たとえ同一の物理パスを通じて送られ
ても、異なる波長は異なるゲインおよび減衰を生じるこ
とになる。増幅器の不均一なゲインは、そのスペクトル
にわたって分布する異なる信号に異なるゲイン係数をも
たらす。多くの光増幅器が互いにカスケード接続されて
いるため、この問題は、より深刻になる。この効果はシ
ステム・マージンを低下させ、検出器のダイナミック・
レンジを越えてしまう可能性もある。したがって、ゲイ
ン等化が必要とされる。
ットワークもしくは広域ネットワーク（ＭＡＮ／ＷＡ
Ｎ）は、異なる地点から発信される光信号が、異なる減
衰を生じる遠近差の問題を潜在的に秘めている。さら
に、このようなネットワークで使用されるファイバおよ
び光増幅器はまた、非フラット伝送スペクトルを有して
おり、このため、たとえ同一の物理パスを通じて送られ
ても、異なる波長は異なるゲインおよび減衰を生じるこ
とになる。増幅器の不均一なゲインは、そのスペクトル
にわたって分布する異なる信号に異なるゲイン係数をも
たらす。多くの光増幅器が互いにカスケード接続されて
いるため、この問題は、より深刻になる。この効果はシ
ステム・マージンを低下させ、検出器のダイナミック・
レンジを越えてしまう可能性もある。したがって、ゲイ
ン等化が必要とされる。
【０００３】ゲイン等化に関する既存の研究のほとんど
は、光増幅器の非フラット・ゲイン・スペクトルを等化
することに向けられてきた。Ｅｒ3＋ファイバ増幅器に
組み込まれたファイバ回析格子を使用するゲイン等化
が、［１］において提案された。ＷＤＭＡシステム内の
異なるチャネル間の光信号電力を動的に等化（ポンピン
グ電力により）するために、オフセット・ゲイン・ピー
クを有する二段増幅器が［２］において提案された。し
かしながら、この方式の等化帯域は、約２．５ｎｍとき
わめて限定されたものである。ゲイン等化を光フィルタ
の伝送スペクトルの制御によって行うこともできる。こ
の原理を使用して、７ｎｍにわたる等化２９チャネルＷ
ＤＭシステムが、マッハ・ツェンダー（Ｍａｃｈ−Ｚｅ
ｈｎｄｅｒ）干渉フィルタを使用して実証された
［３］。十分な帯域幅を有さないことに加えて、マッハ
・ツェンダー・フィルタは、適切な減衰に制御すること
がきわめて困難である。音響光学同調可能フィルタ（Ａ
ＯＴＦ）も、きわめて広い伝送ウィンドウのゲイン・ス
ペクトルを等化するために使用された［４］。各ＲＦ信
号が異なる大きさで伝送する複数のＲＦ周波数を挿入す
ることにより、任意の伝送特性を確立できる。しかしな
がら、この解決法は、ＡＯＴＦの周波数によって制限さ
れる。
は、光増幅器の非フラット・ゲイン・スペクトルを等化
することに向けられてきた。Ｅｒ3＋ファイバ増幅器に
組み込まれたファイバ回析格子を使用するゲイン等化
が、［１］において提案された。ＷＤＭＡシステム内の
異なるチャネル間の光信号電力を動的に等化（ポンピン
グ電力により）するために、オフセット・ゲイン・ピー
クを有する二段増幅器が［２］において提案された。し
かしながら、この方式の等化帯域は、約２．５ｎｍとき
わめて限定されたものである。ゲイン等化を光フィルタ
の伝送スペクトルの制御によって行うこともできる。こ
の原理を使用して、７ｎｍにわたる等化２９チャネルＷ
ＤＭシステムが、マッハ・ツェンダー（Ｍａｃｈ−Ｚｅ
ｈｎｄｅｒ）干渉フィルタを使用して実証された
［３］。十分な帯域幅を有さないことに加えて、マッハ
・ツェンダー・フィルタは、適切な減衰に制御すること
がきわめて困難である。音響光学同調可能フィルタ（Ａ
ＯＴＦ）も、きわめて広い伝送ウィンドウのゲイン・ス
ペクトルを等化するために使用された［４］。各ＲＦ信
号が異なる大きさで伝送する複数のＲＦ周波数を挿入す
ることにより、任意の伝送特性を確立できる。しかしな
がら、この解決法は、ＡＯＴＦの周波数によって制限さ
れる。
【０００４】したがって、広域および長距離にわたる光
通信ネットワークをもたらすために、低コストで広帯域
な受動的光装置が求められている。
通信ネットワークをもたらすために、低コストで広帯域
な受動的光装置が求められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、長距
離通信ネットワークで光等化を行う、低コストで広帯域
の受動的光等化装置を提供することである。
離通信ネットワークで光等化を行う、低コストで広帯域
の受動的光等化装置を提供することである。
【０００６】本発明の目的は、光ＭＡＮ／ＷＡＮ（大都
市圏ネットワーク／広域ネットワーク）または光長距離
通信システムにおいて存在する不等通信スペクトルに起
因する遠近差の問題を克服することにある。
市圏ネットワーク／広域ネットワーク）または光長距離
通信システムにおいて存在する不等通信スペクトルに起
因する遠近差の問題を克服することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、３０ｎｍから５０ｎ
ｍの範囲の帯域における等化をもたらすことである。
ｍの範囲の帯域における等化をもたらすことである。
【０００８】本発明の他の目的は、等化器の出力におけ
る等化電力を最大化することである。
る等化電力を最大化することである。
【０００９】本発明の他の目的は、等化器の物理的サイ
ズを最小化することである。
ズを最小化することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、等化をもたら
すために導波路上に付着させた金属層を備えるプレーナ
回析格子を使用する等化方法を提案する。したがって、
本発明は、多数の波長を有する光信号を等化するための
光等化器である。本発明は、光信号を、各チャネルが波
長の１つを中心としている個別の複数のチャネルに多重
化解除する光波長デマルチプレクサを含んでいる。本発
明はまた、光マルチプレクサ、およびマルチプレクサの
端子をデマルチプレクサの端子に接続する複数の光コネ
クタも含んでいる。この場合、所定長の複数の金属片が
光コネクタ上に付着されているので、光信号が光マルチ
プレクサの出力チャネルにおいて光チャネルにわたり等
化される。
すために導波路上に付着させた金属層を備えるプレーナ
回析格子を使用する等化方法を提案する。したがって、
本発明は、多数の波長を有する光信号を等化するための
光等化器である。本発明は、光信号を、各チャネルが波
長の１つを中心としている個別の複数のチャネルに多重
化解除する光波長デマルチプレクサを含んでいる。本発
明はまた、光マルチプレクサ、およびマルチプレクサの
端子をデマルチプレクサの端子に接続する複数の光コネ
クタも含んでいる。この場合、所定長の複数の金属片が
光コネクタ上に付着されているので、光信号が光マルチ
プレクサの出力チャネルにおいて光チャネルにわたり等
化される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明において、図１に示すよう
な、ＳｉＯ2／Ｓｉプレーナ導波路回析格子デマルチプ
レクサに基づく、完全モノリシック受光集積回路を提案
する。
な、ＳｉＯ2／Ｓｉプレーナ導波路回析格子デマルチプ
レクサに基づく、完全モノリシック受光集積回路を提案
する。
【００１２】このプレーナ回析格子（１０１および１０
２）は、デマルチプレクサ（１０１）およびマルチプレ
クサ（１０２）としての機能を果たすことができる。プ
レーナ回析格子（エッチング回析格子またはフェーズ・
アレイのいずれか）が、本発明に好ましい構造ではある
が、マッハ・ツェンダー干渉計のように、受信波長を空
間的に異なる位置に分解することのできる他の方法もあ
ろう。デマルチプレクサ１０１を使用して、異なる波長
の光信号が回析格子によって回析され、特定の波長用に
設計された出力導波路に集束される。マルチプレクサ
（１０２）において、この逆のプロセスが行われる。意
図した波長のセットは導波路の出力に配置することがで
き、これらの波長を回析格子により単一の出力に組み合
わせることができる。本発明は、背面が向かい合ったデ
マルチプレクサとマルチプレクサから成るモノリシック
構造である。受信波長は、異なるパスにより分離され、
単一の出力として互いに結合される。光パスを作成する
プロセスは、たとえば、参照により本明細書の一部とす
る［５］に示されている。様々な信号を等化するため
に、金属層（１０４）は、光信号を減衰する必要のある
導波路（１０３）の直交電界（ＴＥ）（ＴＥおよび直交
磁界（ＴＭ）モードは金属層によって減衰される）のパ
スに沿ってリトグラフィによって付着される。金属層の
付着はＶＬＳＩプロセスにおいて典型的なものであり、
その技法は、たとえば、参照により本明細書の一部とす
る［６］において教示されている。個々の波長チャネル
のシステム・シュミレーションによって計算される減衰
の必要量は、金属層の長さ（Ｌi）によって決まる。
２）は、デマルチプレクサ（１０１）およびマルチプレ
クサ（１０２）としての機能を果たすことができる。プ
レーナ回析格子（エッチング回析格子またはフェーズ・
アレイのいずれか）が、本発明に好ましい構造ではある
が、マッハ・ツェンダー干渉計のように、受信波長を空
間的に異なる位置に分解することのできる他の方法もあ
ろう。デマルチプレクサ１０１を使用して、異なる波長
の光信号が回析格子によって回析され、特定の波長用に
設計された出力導波路に集束される。マルチプレクサ
（１０２）において、この逆のプロセスが行われる。意
図した波長のセットは導波路の出力に配置することがで
き、これらの波長を回析格子により単一の出力に組み合
わせることができる。本発明は、背面が向かい合ったデ
マルチプレクサとマルチプレクサから成るモノリシック
構造である。受信波長は、異なるパスにより分離され、
単一の出力として互いに結合される。光パスを作成する
プロセスは、たとえば、参照により本明細書の一部とす
る［５］に示されている。様々な信号を等化するため
に、金属層（１０４）は、光信号を減衰する必要のある
導波路（１０３）の直交電界（ＴＥ）（ＴＥおよび直交
磁界（ＴＭ）モードは金属層によって減衰される）のパ
スに沿ってリトグラフィによって付着される。金属層の
付着はＶＬＳＩプロセスにおいて典型的なものであり、
その技法は、たとえば、参照により本明細書の一部とす
る［６］において教示されている。個々の波長チャネル
のシステム・シュミレーションによって計算される減衰
の必要量は、金属層の長さ（Ｌi）によって決まる。
【００１３】上記の回路を作成するために、他の基板を
使用することもできる。たとえば、ＩｎＰ、ポリマまた
はＬｉＮｂＯ3ベースのプレーナ導波路回析格子も使用
できる。
使用することもできる。たとえば、ＩｎＰ、ポリマまた
はＬｉＮｂＯ3ベースのプレーナ導波路回析格子も使用
できる。
【００１４】導波路の減衰は、導波路の寸法および材質
によって決まる。金属被覆された導波路の減衰は、αm
であり、一方金属被覆されていない導波路の減衰は、α
である。
によって決まる。金属被覆された導波路の減衰は、αm
であり、一方金属被覆されていない導波路の減衰は、α
である。
【００１５】導波路の幅、高さ、および屈折率の関数と
しての減衰係数αmおよびαの計算は、当技術分野にお
いて周知であり、たとえば、参照により本明細書の一部
とする［７］に示されている。
しての減衰係数αmおよびαの計算は、当技術分野にお
いて周知であり、たとえば、参照により本明細書の一部
とする［７］に示されている。
【００１６】したがって、光マルチプレクサとデマルチ
プレクサとの間の合計長ｌの導波路の枝路の全損失Ｌ
は、次の等式で表される。 Ｌ＝αmｘ＋α（ｌ−ｘ） ここでｘは、導波路の金属被覆部分の長さである。
プレクサとの間の合計長ｌの導波路の枝路の全損失Ｌ
は、次の等式で表される。 Ｌ＝αmｘ＋α（ｌ−ｘ） ここでｘは、導波路の金属被覆部分の長さである。
【００１７】ｉth波長チャネルの信号強度がＰiであ
り、かつＰ≦ｍｉｎ｛Ｐi｜ｉ＝１．．Ｎ｝と仮定す
る。したがって、出力電力を等化するために必要なｉth
チャネルの追加損失は、△Ｐi＝Ｐi−Ｐとなる。このよ
うなシステムを設計することは、Ｐ（Ｐ≦ｍｉｎ｛Ｐi
｜ｉ＝１．．Ｎ｝）を最大化して、ｘiがｉthチャネル
の導波路（光コネクタ）上に付着された金属層の長さで
ある以下のＮ次連立方程式を解くことに等しい。 Ｐi−Ｐ＝αmｘi＋α（ｌ−ｘi） ＝（αm−α）ｘi＋αｌ ｉ＝１．．Ｎ
り、かつＰ≦ｍｉｎ｛Ｐi｜ｉ＝１．．Ｎ｝と仮定す
る。したがって、出力電力を等化するために必要なｉth
チャネルの追加損失は、△Ｐi＝Ｐi−Ｐとなる。このよ
うなシステムを設計することは、Ｐ（Ｐ≦ｍｉｎ｛Ｐi
｜ｉ＝１．．Ｎ｝）を最大化して、ｘiがｉthチャネル
の導波路（光コネクタ）上に付着された金属層の長さで
ある以下のＮ次連立方程式を解くことに等しい。 Ｐi−Ｐ＝αmｘi＋α（ｌ−ｘi） ＝（αm−α）ｘi＋αｌ ｉ＝１．．Ｎ
【００１８】Ｐ≦ｍｉｎ｛Ｐi｜ｉ＝１．．Ｎ｝の制約
の理由は、光デマルチプレクサからの各波長における光
信号が、非ゼロ距離を経なければならず、非ゼロ光損失
を被ることになるためである。上記の等式の解法手順
は、次の通りである。 ・ＰIが、｛Ｐi｜ｉ＝１．．Ｎ｝における最小出力電力
となるように指標Ｉを求め、 ・ｘI＝０とすると、ＰI−Ｐ＝αｌとなり、 ・これをｉ≠Ｉの任意の他の等式に代入し、ｉにおける
ｘを求める。代入後、
の理由は、光デマルチプレクサからの各波長における光
信号が、非ゼロ距離を経なければならず、非ゼロ光損失
を被ることになるためである。上記の等式の解法手順
は、次の通りである。 ・ＰIが、｛Ｐi｜ｉ＝１．．Ｎ｝における最小出力電力
となるように指標Ｉを求め、 ・ｘI＝０とすると、ＰI−Ｐ＝αｌとなり、 ・これをｉ≠Ｉの任意の他の等式に代入し、ｉにおける
ｘを求める。代入後、
【数２】 ・ｘJが｛ｘj｜ｊ＝１．．Ｎ｝の中で最大となるＪを求
め、 ・ｌ＝ｘJとし、 ・Ｐ＝ＰI−αｌを計算する。
め、 ・ｌ＝ｘJとし、 ・Ｐ＝ＰI−αｌを計算する。
【００１９】数値例として、以下の導波路特性を仮定す
る。金属被膜のない導波路の損失αは、０．１ｄＢ／ｃ
ｍであり、金属被膜の導波路の損失αmは、１ｄＢ／ｃ
ｍである。さらに、それぞれの波長がλ1、λ2、λ3お
よびλ4に対する光デマルチプレクサの出力において、
光出力が−１６ｄＢｍ、−１７ｄＢｍ、−１５ｄＢｍ、
および−１８ｄＢｍの４つの波長の等化器を仮定する。
上記で概略を述べた手順を使用すると、次の等式が導か
れる。 ０．９ｘ1＋０．１ｌ＝−１６−Ｐ、 ０．９ｘ2＋０．１ｌ＝−１７−Ｐ、 ０．９ｘ3＋０．１ｌ＝−１５−Ｐ、 ０．９ｘ4＋０．１ｌ＝−１８−Ｐ、
る。金属被膜のない導波路の損失αは、０．１ｄＢ／ｃ
ｍであり、金属被膜の導波路の損失αmは、１ｄＢ／ｃ
ｍである。さらに、それぞれの波長がλ1、λ2、λ3お
よびλ4に対する光デマルチプレクサの出力において、
光出力が−１６ｄＢｍ、−１７ｄＢｍ、−１５ｄＢｍ、
および−１８ｄＢｍの４つの波長の等化器を仮定する。
上記で概略を述べた手順を使用すると、次の等式が導か
れる。 ０．９ｘ1＋０．１ｌ＝−１６−Ｐ、 ０．９ｘ2＋０．１ｌ＝−１７−Ｐ、 ０．９ｘ3＋０．１ｌ＝−１５−Ｐ、 ０．９ｘ4＋０．１ｌ＝−１８−Ｐ、
【００２０】ｘ4をゼロにすると、−１８−Ｐ＝０．１
ｌが得られる。これを上記の任意の等式（ｘ4を含むも
のを除き）に代入して、最適な解が求められる。 ｘ1＝２．２２ｃｍ ｘ2＝１．１１ｃｍ ｘ3＝３．３３ｃｍ ｘ4＝０ｃｍ 各波長の等化出力電力は、−１８．３３ｄＢに等しく、
導波路の合計長は、３．３３ｃｍである。
ｌが得られる。これを上記の任意の等式（ｘ4を含むも
のを除き）に代入して、最適な解が求められる。 ｘ1＝２．２２ｃｍ ｘ2＝１．１１ｃｍ ｘ3＝３．３３ｃｍ ｘ4＝０ｃｍ 各波長の等化出力電力は、−１８．３３ｄＢに等しく、
導波路の合計長は、３．３３ｃｍである。
【００２１】ＸI＝０かつｌ＝ＸJを選ぶことにより、同
時に等化器を最小物理寸法としながらも、等化器の出力
における最大光出力を可能にすることができる。
時に等化器を最小物理寸法としながらも、等化器の出力
における最大光出力を可能にすることができる。
【００２２】ＸI＝０ ＸJｌとすることが最適な解であ
るが、δＰiの上記の等式の他の解も可能である。
るが、δＰiの上記の等式の他の解も可能である。
【００２３】図１は、ゲイン等化のための提案された装
置を示している。
置を示している。
【００２４】[1］M. Tachibana, I. Larning, P.R. Mor
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ifier (EDFA) with Broad spectral Bandwidth, Topica
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E. Baran, Use of Acousto-optic Tunable Filters as
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rk, 1988. [7］D. Lee, Electromagnetic Principles of Integrat
ed Optics, John Wileyand Sons, Inc., New York, 198
6.
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rk, 1988. [7］D. Lee, Electromagnetic Principles of Integrat
ed Optics, John Wileyand Sons, Inc., New York, 198
6.
【００２５】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００２６】（１）光ファイバ上の複数の波長を有する
光信号を等化する光等化器において、前記光信号を複数
の個別のチャネルに多重化解除し、前記各チャネルが対
応する前記波長の１つを中心としている、光波長デマル
チプレクサと、光マルチプレクサと、前記デマルチプレ
クサの出力端子を前記マルチプレクサの入力端子に接続
する複数の光コネクタと、対応する前記光コネクタの１
つにそれぞれ付着され、前記光信号が前記光マルチプレ
クサの出力端子における前記チャネルにわたり等化され
るように、それぞれが所定の長さである複数の金属片と
からなる、光等化器。 （２）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、シリコン基板上にモノリシックに
集積されていることを特徴とする、上記（１）に記載の
光等化器。 （３）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、インジウムリン基板上にモノリシ
ックに集積されていることを特徴とする、上記（１）に
記載の光等化器。 （４）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、ポリマ基板上にモノリシックに集
積されていることを特徴とする、上記（１）に記載の光
等化器。 （５）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、酸化ニオブ酸リチウム基板上にモ
ノリシックに集積されていることを特徴とする、上記
（１）に記載の光等化器。 （６）Ｎ個の波長λ1、．．λi、．．、λN．．を有す
る光信号を等化する光等化器において、Ｎチャネルに光
信号を多重分離し、前記各チャネルｉが対応する前記波
長λiの１つを中心としており、前記各チャネルｉが前
記波長デマルチプレクサの出力において光信号電力Ｐi
を有する光波長デマルチプレクサと、光マルチプレクサ
と、前記デマルチプレクサの出力端子を前記マルチプレ
クサの入力端子に接続する前記各チャネルの長さｌの光
コネクタと、前記各チャネルｉ上に付着された長さｘi
の金属片とからなり、前記各金属片の長さが、最小信号
パワーＰIを有するチャネルＩに対しｘIをゼロにし、前
記他の各チャネルｉに対し前記ｘiを
光信号を等化する光等化器において、前記光信号を複数
の個別のチャネルに多重化解除し、前記各チャネルが対
応する前記波長の１つを中心としている、光波長デマル
チプレクサと、光マルチプレクサと、前記デマルチプレ
クサの出力端子を前記マルチプレクサの入力端子に接続
する複数の光コネクタと、対応する前記光コネクタの１
つにそれぞれ付着され、前記光信号が前記光マルチプレ
クサの出力端子における前記チャネルにわたり等化され
るように、それぞれが所定の長さである複数の金属片と
からなる、光等化器。 （２）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、シリコン基板上にモノリシックに
集積されていることを特徴とする、上記（１）に記載の
光等化器。 （３）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、インジウムリン基板上にモノリシ
ックに集積されていることを特徴とする、上記（１）に
記載の光等化器。 （４）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、ポリマ基板上にモノリシックに集
積されていることを特徴とする、上記（１）に記載の光
等化器。 （５）前記マルチプレクサ、前記デマルチプレクサおよ
び前記光コネクタが、酸化ニオブ酸リチウム基板上にモ
ノリシックに集積されていることを特徴とする、上記
（１）に記載の光等化器。 （６）Ｎ個の波長λ1、．．λi、．．、λN．．を有す
る光信号を等化する光等化器において、Ｎチャネルに光
信号を多重分離し、前記各チャネルｉが対応する前記波
長λiの１つを中心としており、前記各チャネルｉが前
記波長デマルチプレクサの出力において光信号電力Ｐi
を有する光波長デマルチプレクサと、光マルチプレクサ
と、前記デマルチプレクサの出力端子を前記マルチプレ
クサの入力端子に接続する前記各チャネルの長さｌの光
コネクタと、前記各チャネルｉ上に付着された長さｘi
の金属片とからなり、前記各金属片の長さが、最小信号
パワーＰIを有するチャネルＩに対しｘIをゼロにし、前
記他の各チャネルｉに対し前記ｘiを
【数３】 と等しくするステップによって決まり、ここでαmが、
上に付着された前記金属片の、金属片を有する前記光コ
ネクタの部分の減衰係数であり、αが上に付着された金
属片を有さない前記光コネクタの部分の減衰係数であ
る、光等化器。 （７）ｌ＝ｍａｘ｛Ｘi｜ｉ＝１，．．，Ｎ｝であるこ
とを特徴とする、上記（６）に記載の装置。
上に付着された前記金属片の、金属片を有する前記光コ
ネクタの部分の減衰係数であり、αが上に付着された金
属片を有さない前記光コネクタの部分の減衰係数であ
る、光等化器。 （７）ｌ＝ｍａｘ｛Ｘi｜ｉ＝１，．．，Ｎ｝であるこ
とを特徴とする、上記（６）に記載の装置。
【図１】本発明による、受動ゲイン等化装置を示す概略
図である。
図である。
１０１ プレーナ回析格子（デマルチプレクサ） １０２ プレーナ回析格子（マルチプレクサ） １０３ 導波路 １０４ 金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/18 10/14 10/135 10/13 10/12 (72)発明者 フランクリン・エフ＝ケー・トン アメリカ合衆国06907 コネチカット州ス タンフォード パリー・ロード 108
Claims (7)
- 【請求項１】光ファイバ上の複数の波長を有する光信号
を等化する光等化器において、 前記光信号を複数の個別のチャネルに多重化解除し、前
記各チャネルが対応する前記波長の１つを中心としてい
る、光波長デマルチプレクサと、 光マルチプレクサと、 前記デマルチプレクサの出力端子を前記マルチプレクサ
の入力端子に接続する複数の光コネクタと、 対応する前記光コネクタの１つにそれぞれ付着され、前
記光信号が前記光マルチプレクサの出力端子における前
記チャネルにわたり等化されるように、それぞれが所定
の長さである複数の金属片とからなる、光等化器。 - 【請求項２】前記マルチプレクサ、前記デマルチプレク
サおよび前記光コネクタが、シリコン基板上にモノリシ
ックに集積されていることを特徴とする、請求項１に記
載の光等化器。 - 【請求項３】前記マルチプレクサ、前記デマルチプレク
サおよび前記光コネクタが、インジウムリン基板上にモ
ノリシックに集積されていることを特徴とする、請求項
１に記載の光等化器。 - 【請求項４】前記マルチプレクサ、前記デマルチプレク
サおよび前記光コネクタが、ポリマ基板上にモノリシッ
クに集積されていることを特徴とする、請求項１に記載
の光等化器。 - 【請求項５】前記マルチプレクサ、前記デマルチプレク
サおよび前記光コネクタが、酸化ニオブ酸リチウム基板
上にモノリシックに集積されていることを特徴とする、
請求項１に記載の光等化器。 - 【請求項６】Ｎ個の波長λ1、．．λi、．．、λN．．
を有する光信号を等化する光等化器において、 Ｎチャネルに光信号を多重分離し、前記各チャネルｉが
対応する前記波長λiの１つを中心としており、前記各
チャネルｉが前記波長デマルチプレクサの出力において
光信号電力Ｐiを有する光波長デマルチプレクサと、 光マルチプレクサと、 前記デマルチプレクサの出力端子を前記マルチプレクサ
の入力端子に接続する前記各チャネルの長さｌの光コネ
クタと、 前記各チャネルｉ上に付着された長さｘiの金属片とか
らなり、前記各金属片の長さが、最小信号パワーＰIを
有するチャネルＩに対しｘIをゼロにし、前記他の各チ
ャネルｉに対し前記ｘiを 【数１】 と等しくするステップによって決まり、ここでαmが、
上に付着された前記金属片の、金属片を有する前記光コ
ネクタの部分の減衰係数であり、αが上に付着された金
属片を有さない前記光コネクタの部分の減衰係数であ
る、 光等化器。 - 【請求項７】ｌ＝ｍａｘ｛Ｘi｜ｉ＝１，．．，Ｎ｝で
あることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US399276 | 1995-03-06 |
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| JPH08262243A true JPH08262243A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3111014B2 JP3111014B2 (ja) | 2000-11-20 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US5519796A (ja) |
| EP (1) | EP0731576B1 (ja) |
| JP (1) | JP3111014B2 (ja) |
| KR (1) | KR100188497B1 (ja) |
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