JPH08263158A - 定電流源 - Google Patents
定電流源Info
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- JPH08263158A JPH08263158A JP8051914A JP5191496A JPH08263158A JP H08263158 A JPH08263158 A JP H08263158A JP 8051914 A JP8051914 A JP 8051914A JP 5191496 A JP5191496 A JP 5191496A JP H08263158 A JPH08263158 A JP H08263158A
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- transistor
- voltage
- mirror
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作パラメータ及び製造処理条件における変
動に対して実質的に一定な電流を供給する電流源を提供
する。 【解決手段】 本発明の電流源(2)は、補償用バイア
ス電圧を発生するバイアス回路(20)とカレントミラ
ー(15)とを有している。バイアス回路は、電源電圧
に基づいて分圧した電圧を発生する分圧器(10)を使
用している。分圧された電圧は第一カレントミラー(1
5)における飽和状態にバイアスされている変調用トラ
ンジスタ(28)のゲートへ印加され、第一カレントミ
ラーがリニアな負荷装置(34)へ印加される電流を制
御する。負荷装置を横断しての電圧がバイアス電圧を決
定し、それは第二カレントミラー(40)の基準枝にお
けるトランジスタ(52)のゲートへ印加される。バイ
アス電圧は第二カレントミラーの基準枝における電流を
制御し、出力枝(56)が基準枝における電流をミラー
動作して安定な出力電流を発生する。
動に対して実質的に一定な電流を供給する電流源を提供
する。 【解決手段】 本発明の電流源(2)は、補償用バイア
ス電圧を発生するバイアス回路(20)とカレントミラ
ー(15)とを有している。バイアス回路は、電源電圧
に基づいて分圧した電圧を発生する分圧器(10)を使
用している。分圧された電圧は第一カレントミラー(1
5)における飽和状態にバイアスされている変調用トラ
ンジスタ(28)のゲートへ印加され、第一カレントミ
ラーがリニアな負荷装置(34)へ印加される電流を制
御する。負荷装置を横断しての電圧がバイアス電圧を決
定し、それは第二カレントミラー(40)の基準枝にお
けるトランジスタ(52)のゲートへ印加される。バイ
アス電圧は第二カレントミラーの基準枝における電流を
制御し、出力枝(56)が基準枝における電流をミラー
動作して安定な出力電流を発生する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路の技術分
野に関するものであって、更に詳細には、集積回路にお
いて有用な電流源回路に関するものである。
野に関するものであって、更に詳細には、集積回路にお
いて有用な電流源回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近のデジタル集積回路、特に公知の相
補的金属−酸化物−半導体(CMOS)技術に従って製
造される集積回路においては、集積回路内部の多くの機
能回路は安定な電流を導通させる電流源に依存してい
る。このような機能回路の例としては、電圧調整器、差
動増幅器、センスアンプ、カレントミラー、オペアン
プ、レベルシフト回路、基準電圧回路等がある。このよ
うな電流源は、通常、電界効果トランジスタによって実
現され、基準電圧が電界効果トランジスタのゲートへ印
加される。
補的金属−酸化物−半導体(CMOS)技術に従って製
造される集積回路においては、集積回路内部の多くの機
能回路は安定な電流を導通させる電流源に依存してい
る。このような機能回路の例としては、電圧調整器、差
動増幅器、センスアンプ、カレントミラー、オペアン
プ、レベルシフト回路、基準電圧回路等がある。このよ
うな電流源は、通常、電界効果トランジスタによって実
現され、基準電圧が電界効果トランジスタのゲートへ印
加される。
【0003】当該技術において公知の如く、このような
電流源を使用する集積回路は、電流源によって供給され
る電流が動作条件及び処理条件における変動に対して安
定である場合には、最適に動作をする。然しながら、当
該技術分野において公知の如く、MOSトランジスタの
駆動特性は、このような動作変動及び処理変動に関して
著しく変化する場合がある。従来のMOSトランジスタ
電流源は、通常、低い動作温度(例えば、0℃)、高い
Vcc電源電圧(例えば、公称5V電源に対して5.3
V)、及び駆動を最大とさせる処理条件(例えば、公称
チャンネル長より短い寸法)においてより多くの電流を
供給し、逆に、これらの電流源は、高い動作温度(例え
ば、100℃)、低いVcc電源電圧(例えば、公称5V
電源に対し4.7V)、及び駆動電流を最小とさせる処
理条件(例えば、公称チャンネル長より長い寸法)にお
いてより少ない電流を供給する。このような従来の電流
源に対しての最大電流駆動と最小電流駆動との間の比は
2.5乃至6.0の程度であることが観察されている。
これらの電流源に依存する回路の動作は、これらの動作
条件及び処理条件に対して著しく変化する傾向となり、
回路設計者がより大きな動作余裕を持って設計すること
を必要とし、従って集積回路の最大性能を低下させる。
電流源を使用する集積回路は、電流源によって供給され
る電流が動作条件及び処理条件における変動に対して安
定である場合には、最適に動作をする。然しながら、当
該技術分野において公知の如く、MOSトランジスタの
駆動特性は、このような動作変動及び処理変動に関して
著しく変化する場合がある。従来のMOSトランジスタ
電流源は、通常、低い動作温度(例えば、0℃)、高い
Vcc電源電圧(例えば、公称5V電源に対して5.3
V)、及び駆動を最大とさせる処理条件(例えば、公称
チャンネル長より短い寸法)においてより多くの電流を
供給し、逆に、これらの電流源は、高い動作温度(例え
ば、100℃)、低いVcc電源電圧(例えば、公称5V
電源に対し4.7V)、及び駆動電流を最小とさせる処
理条件(例えば、公称チャンネル長より長い寸法)にお
いてより少ない電流を供給する。このような従来の電流
源に対しての最大電流駆動と最小電流駆動との間の比は
2.5乃至6.0の程度であることが観察されている。
これらの電流源に依存する回路の動作は、これらの動作
条件及び処理条件に対して著しく変化する傾向となり、
回路設計者がより大きな動作余裕を持って設計すること
を必要とし、従って集積回路の最大性能を低下させる。
【0004】電流源によって供給される電流における変
動は、特に、供給すべき電流が比較的大きなものである
場合には問題がある。例えば、従来の集積回路に対する
出力ドライバ回路は、最大で20mAの電流を電流源に
よって供給することを必要とする場合がある。このよう
な適用場面においては、2倍を超えるこの電流の変動を
許容することは不可能である。
動は、特に、供給すべき電流が比較的大きなものである
場合には問題がある。例えば、従来の集積回路に対する
出力ドライバ回路は、最大で20mAの電流を電流源に
よって供給することを必要とする場合がある。このよう
な適用場面においては、2倍を超えるこの電流の変動を
許容することは不可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、動作パラメータ及び製造処理条件における
変動に対して実質的に一定な電流を供給する電流源を提
供することである。本発明の別の目的とするところは、
実質的に大きな電流が必要とされる出力ドライバ回路に
おいて使用することの可能な電流源を提供することであ
る。
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、動作パラメータ及び製造処理条件における
変動に対して実質的に一定な電流を供給する電流源を提
供することである。本発明の別の目的とするところは、
実質的に大きな電流が必要とされる出力ドライバ回路に
おいて使用することの可能な電流源を提供することであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、電流源として
集積回路において実現することの可能なものであって、
それは、処理パラメータ及び電源電圧における変動を追
従するバイアス回路からのバイアス電圧によって制御さ
れるカレントミラー出力段を有している。そのバイアス
回路は、バイアス回路内のカレントミラーの入力枝内の
電流を設定する抵抗分圧器に基づいており、この入力枝
において、飽和状態に維持される変調用トランジスタが
バイアス回路カレントミラーの出力枝におけるリニア負
荷装置を介しての電流を支配し、カレントミラー出力段
へ印加されるバイアス電圧を発生する。カレントミラー
出力段は、Pチャンネルトランジスタを有する基準枝を
具備しており、該トランジスタのゲートはバイアス回路
からのバイアス電圧を受取り、そのゲートをドレインへ
接続したNチャンネルトランジスタと直列している。こ
の基準枝におけるPチャンネルトランジスタとNチャン
ネルトランジスタとの相対的な寸法は、Pチャンネルト
ランジスタを飽和状態に維持するように選択されてい
る。カレントミラー出力段の出力枝は、そのゲートを基
準枝におけるNチャンネルトランジスタのゲート及びド
レインへ接続したNチャンネルトランジスタである。従
って、カレントミラーの出力枝内に供給される電流は、
電源電圧、温度、製造処理条件における変動に対して極
めて安定している。
集積回路において実現することの可能なものであって、
それは、処理パラメータ及び電源電圧における変動を追
従するバイアス回路からのバイアス電圧によって制御さ
れるカレントミラー出力段を有している。そのバイアス
回路は、バイアス回路内のカレントミラーの入力枝内の
電流を設定する抵抗分圧器に基づいており、この入力枝
において、飽和状態に維持される変調用トランジスタが
バイアス回路カレントミラーの出力枝におけるリニア負
荷装置を介しての電流を支配し、カレントミラー出力段
へ印加されるバイアス電圧を発生する。カレントミラー
出力段は、Pチャンネルトランジスタを有する基準枝を
具備しており、該トランジスタのゲートはバイアス回路
からのバイアス電圧を受取り、そのゲートをドレインへ
接続したNチャンネルトランジスタと直列している。こ
の基準枝におけるPチャンネルトランジスタとNチャン
ネルトランジスタとの相対的な寸法は、Pチャンネルト
ランジスタを飽和状態に維持するように選択されてい
る。カレントミラー出力段の出力枝は、そのゲートを基
準枝におけるNチャンネルトランジスタのゲート及びド
レインへ接続したNチャンネルトランジスタである。従
って、カレントミラーの出力枝内に供給される電流は、
電源電圧、温度、製造処理条件における変動に対して極
めて安定している。
【0007】
【発明の実施の形態】図1を参照して、本発明の好適実
施例に基づいて構成された電流源2の構成について説明
する。本発明のこの実施例に基づく電流源2は、ライン
BIAS上にバイアス電圧を発生するためのバイアス回
路20を有している。図1に示した如く、バイアス回路
20は抵抗分圧器10を有しており、それはVcc電源の
電圧の所望の一部である電圧を発生する。この分圧され
た電圧はカレントミラー15へ印加される。後に更に詳
細に説明するように、カレントミラー15は負荷へ印加
される電流を発生し、従ってカレントミラー15の出力
はラインBIAS上のバイアス電圧である。ラインBI
AS上の電圧はカレントミラー40へ印加され、カレン
トミラー40は端子OUTにおいて固定した出力電流i
OUT を吸込み、電流源として動作する。
施例に基づいて構成された電流源2の構成について説明
する。本発明のこの実施例に基づく電流源2は、ライン
BIAS上にバイアス電圧を発生するためのバイアス回
路20を有している。図1に示した如く、バイアス回路
20は抵抗分圧器10を有しており、それはVcc電源の
電圧の所望の一部である電圧を発生する。この分圧され
た電圧はカレントミラー15へ印加される。後に更に詳
細に説明するように、カレントミラー15は負荷へ印加
される電流を発生し、従ってカレントミラー15の出力
はラインBIAS上のバイアス電圧である。ラインBI
AS上の電圧はカレントミラー40へ印加され、カレン
トミラー40は端子OUTにおいて固定した出力電流i
OUT を吸込み、電流源として動作する。
【0008】次に、図2を参照して、本発明の好適実施
例に基づく電流源2におけるバイアス回路20及びカレ
ントミラー40の構成及び動作について詳細に説明す
る。一般的に、バイアス回路20はカレントミラーバイ
アス回路であって、その場合に、カレントミラー15の
基準枝は分圧器10によって制御される。以下の説明か
ら明らかなように、バイアス回路20は、電源電圧Vcc
の値における変動及びある製造処理パラメータにおける
変動に関して一貫した対応で変化するバイアス電圧をラ
インBIAS上に供給する。
例に基づく電流源2におけるバイアス回路20及びカレ
ントミラー40の構成及び動作について詳細に説明す
る。一般的に、バイアス回路20はカレントミラーバイ
アス回路であって、その場合に、カレントミラー15の
基準枝は分圧器10によって制御される。以下の説明か
ら明らかなように、バイアス回路20は、電源電圧Vcc
の値における変動及びある製造処理パラメータにおける
変動に関して一貫した対応で変化するバイアス電圧をラ
インBIAS上に供給する。
【0009】この実施例においては、バイアス回路20
はラインBIAS上の電圧をカレントミラー40におけ
るPチャンネルトランジスタ52のゲートへ供給する。
この実施例においては、Pチャンネルトランジスタ52
のゲート対ソース電圧がVcc電源の電圧における変動に
対して実質的に一定状態を維持し、従ってそれを介して
の電流が一定状態を維持することが所望されている。換
言すると、ラインBIAS上の電圧がVccにおける変動
に追従することが所望されている。このように、カレン
トミラー40によって端子OUTにおいて発生された電
流iOUT はこのような変動に対して実質的に一定状態を
維持する。
はラインBIAS上の電圧をカレントミラー40におけ
るPチャンネルトランジスタ52のゲートへ供給する。
この実施例においては、Pチャンネルトランジスタ52
のゲート対ソース電圧がVcc電源の電圧における変動に
対して実質的に一定状態を維持し、従ってそれを介して
の電流が一定状態を維持することが所望されている。換
言すると、ラインBIAS上の電圧がVccにおける変動
に追従することが所望されている。このように、カレン
トミラー40によって端子OUTにおいて発生された電
流iOUT はこのような変動に対して実質的に一定状態を
維持する。
【0010】本発明のこの実施例においては、バイアス
回路20はVcc電源と接地との間に直列接続されている
抵抗21,23を具備する抵抗分圧器10を有してい
る。抵抗21と23との間のノードにおける抵抗分圧器
10の出力は、カレントミラー15におけるNチャンネ
ルトランジスタ28のゲートへ供給される。抵抗21及
び23は、好適には、通常の態様でポリシリコン抵抗と
して実現される。図2に示した如く、付加的な抵抗2
5,27を分圧器の各枝内に設けることが可能であり、
ヒューズ24,26をそれと並列接続して設けることが
可能である。このように、バイアス回路20を実現する
集積回路はヒューズプログラマブルであって、所望によ
り、トランジスタ28のゲートへ印加される電圧を調節
することを可能としている。勿論、分圧器の電圧出力の
調節範囲を広いものとさせるために、複数個の付加的な
抵抗25,27及びそれに付随するヒューズを分圧器内
に設けることが可能であることは勿論である。
回路20はVcc電源と接地との間に直列接続されている
抵抗21,23を具備する抵抗分圧器10を有してい
る。抵抗21と23との間のノードにおける抵抗分圧器
10の出力は、カレントミラー15におけるNチャンネ
ルトランジスタ28のゲートへ供給される。抵抗21及
び23は、好適には、通常の態様でポリシリコン抵抗と
して実現される。図2に示した如く、付加的な抵抗2
5,27を分圧器の各枝内に設けることが可能であり、
ヒューズ24,26をそれと並列接続して設けることが
可能である。このように、バイアス回路20を実現する
集積回路はヒューズプログラマブルであって、所望によ
り、トランジスタ28のゲートへ印加される電圧を調節
することを可能としている。勿論、分圧器の電圧出力の
調節範囲を広いものとさせるために、複数個の付加的な
抵抗25,27及びそれに付随するヒューズを分圧器内
に設けることが可能であることは勿論である。
【0011】上述した如く、トランジスタ28のゲート
は抵抗21,23から構成される分圧器の出力を受取
る。トランジスタ28のソースは接地へバイアスされて
おり、且つトランジスタ28のドレインはPチャンネル
トランジスタ30のドレイン及びゲートへ接続されてお
り、Pチャンネルトランジスタ30のソースはVccへ接
続されている。トランジスタ28と30との結合は、カ
レントミラーの基準枝を構成しており、それを介して導
通される電流は、抵抗21,23から構成される抵抗分
圧器10の電圧出力によって実質的に制御される。従っ
て、トランジスタ28のゲートへ印加される電圧、従っ
てカレントミラーの基準枝におけるトランジスタ28,
30によって導通される電流は、Vcc電源の電圧におけ
る変動に関して変化し、Vcc電源の電圧のほぼ同一の割
合を維持する。
は抵抗21,23から構成される分圧器の出力を受取
る。トランジスタ28のソースは接地へバイアスされて
おり、且つトランジスタ28のドレインはPチャンネル
トランジスタ30のドレイン及びゲートへ接続されてお
り、Pチャンネルトランジスタ30のソースはVccへ接
続されている。トランジスタ28と30との結合は、カ
レントミラーの基準枝を構成しており、それを介して導
通される電流は、抵抗21,23から構成される抵抗分
圧器10の電圧出力によって実質的に制御される。従っ
て、トランジスタ28のゲートへ印加される電圧、従っ
てカレントミラーの基準枝におけるトランジスタ28,
30によって導通される電流は、Vcc電源の電圧におけ
る変動に関して変化し、Vcc電源の電圧のほぼ同一の割
合を維持する。
【0012】バイアス回路20におけるカレントミラー
15の出力枝は、Pチャンネルミラートランジスタ32
及びリニアな負荷装置34を有している。Pチャンネル
トランジスタ32のソースはVccへ接続しており且つそ
のゲートはカレントミラー態様でトランジスタ30のゲ
ート及びドレインへ接続している。トランジスタ32の
ドレインはラインBIASにおいてリニアな負荷装置3
4へ接続している。負荷装置34は、そのソースが接地
されており且つそのゲートがVccであるNチャンネルト
ランジスタ34として実現することが可能であり、その
場合には、トランジスタ32,34の共通ドレインノー
ドがラインBIAS上のバイアス電圧出力を駆動する。
一方、リニアな負荷装置34は精密抵抗又は2端子ダイ
オードとして実現することが可能である。
15の出力枝は、Pチャンネルミラートランジスタ32
及びリニアな負荷装置34を有している。Pチャンネル
トランジスタ32のソースはVccへ接続しており且つそ
のゲートはカレントミラー態様でトランジスタ30のゲ
ート及びドレインへ接続している。トランジスタ32の
ドレインはラインBIASにおいてリニアな負荷装置3
4へ接続している。負荷装置34は、そのソースが接地
されており且つそのゲートがVccであるNチャンネルト
ランジスタ34として実現することが可能であり、その
場合には、トランジスタ32,34の共通ドレインノー
ドがラインBIAS上のバイアス電圧出力を駆動する。
一方、リニアな負荷装置34は精密抵抗又は2端子ダイ
オードとして実現することが可能である。
【0013】いずれの場合においても、リニアな負荷装
置34は例えばチャンネル長等の処理パラメータにおけ
る変動を補償する上で重要である。トランジスタ30,
32のチャンネル長における変動は、トランジスタ32
によって導通される電流における変動を発生し、従っ
て、負荷装置34のリニア特性のために、ラインBIA
S上に電圧における対応する変動を発生する。従って、
バイアス回路20は、集積回路内のトランジスタによっ
て電流の導通に影響を与える処理パラメータにおける変
動を追従する出力電圧をラインBIAS上に供給する。
置34は例えばチャンネル長等の処理パラメータにおけ
る変動を補償する上で重要である。トランジスタ30,
32のチャンネル長における変動は、トランジスタ32
によって導通される電流における変動を発生し、従っ
て、負荷装置34のリニア特性のために、ラインBIA
S上に電圧における対応する変動を発生する。従って、
バイアス回路20は、集積回路内のトランジスタによっ
て電流の導通に影響を与える処理パラメータにおける変
動を追従する出力電圧をラインBIAS上に供給する。
【0014】上述したように、トランジスタ32によっ
て導通される電流は、トランジスタ30を介して導通さ
れる電流と一致するか又はその特定した倍数であるよう
に制御される。トランジスタ28,30を介して導通さ
れる電流はVcc電源の分圧した電圧にしたがって制御さ
れるので、トランジスタ32によって導通される電流
(従って、ラインBIAS上の電圧)はVcc電源によっ
て制御される。ラインBIAS上の電圧は、リニアな負
荷34を横断しての電圧降下における変調によって、後
に更に詳細に説明するように、Vcc電源電圧における変
調に追従する。
て導通される電流は、トランジスタ30を介して導通さ
れる電流と一致するか又はその特定した倍数であるよう
に制御される。トランジスタ28,30を介して導通さ
れる電流はVcc電源の分圧した電圧にしたがって制御さ
れるので、トランジスタ32によって導通される電流
(従って、ラインBIAS上の電圧)はVcc電源によっ
て制御される。ラインBIAS上の電圧は、リニアな負
荷34を横断しての電圧降下における変調によって、後
に更に詳細に説明するように、Vcc電源電圧における変
調に追従する。
【0015】バイアス回路20におけるトランジスタ間
のある寸法関係が、適切な補償を確保する上で非常に重
要なものであると考えられる。最初に、トランジスタ2
8は、好適には、使用された製造プロセスに対する最小
チャンネル長及びチャンネル幅ではなくそれに近いもの
である。処理上の最小値に近いチャンネル長を有するト
ランジスタ28によって、トランジスタ28により導通
される電流は集積回路における最高性能のトランジスタ
に対するチャンネル長における変動と共に変動し、より
長いチャンネル長を使用することによって、このような
変動に対するトランジスタ28の感度が減少される。然
しながら、トランジスタ28のチャンネル長はホットエ
レクトロン効果及び短チャンネル効果を回避するために
最小値よりも僅かに大きいものとすべきである。トラン
ジスタ28も、好適には、特に、バイアス回路20はト
ランジスタ28,30(及びミラー枝トランジスタ32
及びリニアな負荷34)を介して常にDC電流を導通さ
せるということを考慮すると、それを介して導通される
電流を最小とするために、最小値ではないが比較的小さ
なチャンネル幅を有するものである。最近の製造プロセ
スに基づくトランジスタ28の寸法の一例は、チャンネ
ル長が0.8μmであって且つチャンネル幅が4.0μ
mであり、一方、処理上の最小値は夫々0.6μm及び
1.0μmである。
のある寸法関係が、適切な補償を確保する上で非常に重
要なものであると考えられる。最初に、トランジスタ2
8は、好適には、使用された製造プロセスに対する最小
チャンネル長及びチャンネル幅ではなくそれに近いもの
である。処理上の最小値に近いチャンネル長を有するト
ランジスタ28によって、トランジスタ28により導通
される電流は集積回路における最高性能のトランジスタ
に対するチャンネル長における変動と共に変動し、より
長いチャンネル長を使用することによって、このような
変動に対するトランジスタ28の感度が減少される。然
しながら、トランジスタ28のチャンネル長はホットエ
レクトロン効果及び短チャンネル効果を回避するために
最小値よりも僅かに大きいものとすべきである。トラン
ジスタ28も、好適には、特に、バイアス回路20はト
ランジスタ28,30(及びミラー枝トランジスタ32
及びリニアな負荷34)を介して常にDC電流を導通さ
せるということを考慮すると、それを介して導通される
電流を最小とするために、最小値ではないが比較的小さ
なチャンネル幅を有するものである。最近の製造プロセ
スに基づくトランジスタ28の寸法の一例は、チャンネ
ル長が0.8μmであって且つチャンネル幅が4.0μ
mであり、一方、処理上の最小値は夫々0.6μm及び
1.0μmである。
【0016】バイアストランジスタ28及びリニアな負
荷装置34(トランジスタとして構成される場合)を夫
々適切にバイアスさせるために、Pチャンネルトランジ
スタ30,32も適切に寸法構成されねばならない。ラ
インBIAS上のバイアス電圧を適切に補償するため
に、トランジスタ28は、好適には、飽和領域(二乗法
則)へバイアスし、一方トランジスタ34はリニア(又
はトライオード)領域にバイアスされる。このことは、
トランジスタ34が実効的にリニアな抵抗負荷装置とし
て作用し、一方トランジスタ28が飽和状態に溜まるこ
とを可能とする。図2におけるバイアス回路20の構成
から明らかなように、このようなバイアス動作はトラン
ジスタ28及び30の相対的な寸法及びトランジスタ3
2及び34の相対的な寸法に依存する。
荷装置34(トランジスタとして構成される場合)を夫
々適切にバイアスさせるために、Pチャンネルトランジ
スタ30,32も適切に寸法構成されねばならない。ラ
インBIAS上のバイアス電圧を適切に補償するため
に、トランジスタ28は、好適には、飽和領域(二乗法
則)へバイアスし、一方トランジスタ34はリニア(又
はトライオード)領域にバイアスされる。このことは、
トランジスタ34が実効的にリニアな抵抗負荷装置とし
て作用し、一方トランジスタ28が飽和状態に溜まるこ
とを可能とする。図2におけるバイアス回路20の構成
から明らかなように、このようなバイアス動作はトラン
ジスタ28及び30の相対的な寸法及びトランジスタ3
2及び34の相対的な寸法に依存する。
【0017】トランジスタ28を飽和状態に維持しなが
らトランジスタ28のゲートにおける電圧が可及的にV
ccに近いものであるように、トランジスタ30が実際上
可及的に大きなものであることが望ましい。何故なら
ば、Vccにおける変動は抵抗21,23の分圧器によっ
て定義される比でトランジスタ28のゲートへ印加さ
れ、従って、この比が可及的に1に近いものであって、
尚且つトランジスタ28を飽和状態に維持するものであ
ることが望ましい。トランジスタ30に対する大きなW
/L比は、そのドレイン対ソース電圧が比較的小さなも
のとなることを可能とし従ってトランジスタ28のドレ
イン電圧をより高いものへプルし、そのことはトランジ
スタ28のゲートにおける電圧を一層高いものとし、尚
且つトランジスタ28を飽和状態に維持することを可能
とする。従って、バイアス回路20の追従能力はトラン
ジスタ30が極めて大きなものであることによって改善
される。
らトランジスタ28のゲートにおける電圧が可及的にV
ccに近いものであるように、トランジスタ30が実際上
可及的に大きなものであることが望ましい。何故なら
ば、Vccにおける変動は抵抗21,23の分圧器によっ
て定義される比でトランジスタ28のゲートへ印加さ
れ、従って、この比が可及的に1に近いものであって、
尚且つトランジスタ28を飽和状態に維持するものであ
ることが望ましい。トランジスタ30に対する大きなW
/L比は、そのドレイン対ソース電圧が比較的小さなも
のとなることを可能とし従ってトランジスタ28のドレ
イン電圧をより高いものへプルし、そのことはトランジ
スタ28のゲートにおける電圧を一層高いものとし、尚
且つトランジスタ28を飽和状態に維持することを可能
とする。従って、バイアス回路20の追従能力はトラン
ジスタ30が極めて大きなものであることによって改善
される。
【0018】上述した実施例においては、Vcc電源電圧
は公称的5.0Vであり、以下の表は各々のチャンネル
長が0.8μmである場合に対する、図2の構成におけ
るトランジスタ28,30,32,34の好適なチャン
ネル幅(μm)を示している。
は公称的5.0Vであり、以下の表は各々のチャンネル
長が0.8μmである場合に対する、図2の構成におけ
るトランジスタ28,30,32,34の好適なチャン
ネル幅(μm)を示している。
【0019】 トランジスタ チャンネル幅(μm) 28 4.0 30 32.0 32 76.0 34 4.0 このバイアス回路20の実施例は比較的広い範囲のVcc
電源電圧にわたってラインBIAS上の電圧の良好な追
従動作を維持する上で効果的であることが判明した(シ
ミュレーションを介して)。図3は0.8μm製造プロ
セスにおける最大及び最小トランジスタチャンネル長に
対してシミュレートしたVccの関数としてのラインBA
IS上の電圧のプロットであって、本発明に基づくバイ
アス回路20の動作を示している。図3における曲線4
4,46は、夫々、0℃及び100℃接合温度において
の低電流処理コーナー(即ち最大チャンネル長)に対応
しており、図3における曲線47,49は、夫々、0℃
及び100℃接合温度においての高電流処理コーナー
(即ち最小チャンネル長)に対応している。図3から明
らかな如く、ラインBIAS上の電圧によって増加する
Vccのトラッキング即ち追従は、温度及び処理パラメー
タにおける広い範囲にわたっても極めて正確である。後
に更に詳細に説明するように、この追従効果はカレント
ミラー40の出力からの出力電流iOUT を実質的に一定
のものとさせる。
電源電圧にわたってラインBIAS上の電圧の良好な追
従動作を維持する上で効果的であることが判明した(シ
ミュレーションを介して)。図3は0.8μm製造プロ
セスにおける最大及び最小トランジスタチャンネル長に
対してシミュレートしたVccの関数としてのラインBA
IS上の電圧のプロットであって、本発明に基づくバイ
アス回路20の動作を示している。図3における曲線4
4,46は、夫々、0℃及び100℃接合温度において
の低電流処理コーナー(即ち最大チャンネル長)に対応
しており、図3における曲線47,49は、夫々、0℃
及び100℃接合温度においての高電流処理コーナー
(即ち最小チャンネル長)に対応している。図3から明
らかな如く、ラインBIAS上の電圧によって増加する
Vccのトラッキング即ち追従は、温度及び処理パラメー
タにおける広い範囲にわたっても極めて正確である。後
に更に詳細に説明するように、この追従効果はカレント
ミラー40の出力からの出力電流iOUT を実質的に一定
のものとさせる。
【0020】図2を再度参照して、カレントミラー出力
回路40の構成について詳細に説明する。この実施例に
おけるカレントミラー40はPチャンネルトランジスタ
52によって構成されており、そのソースはVccへバイ
アスしており且つそのゲートは上述したバイアス回路2
0の出力からのバイアス電圧BIASによってバイアス
される。Nチャンネルトランジスタ54がダイオード形
態で接続されており、そのゲート及びドレインはトラン
ジスタ64のドレインへ接続している。トランジスタ5
2及び54の寸法は、バイアス電圧BIASの所望のレ
ベルに対してPチャンネルトランジスタ52が飽和状態
に維持されることを確保すべく選択されている。例え
ば、約2Vのバイアス電圧BIASの場合、W/L比が
約15であるトランジスタ52及び54は、トランジス
タ52を飽和状態に維持し、尚Vccは公称的には5Vで
ある。
回路40の構成について詳細に説明する。この実施例に
おけるカレントミラー40はPチャンネルトランジスタ
52によって構成されており、そのソースはVccへバイ
アスしており且つそのゲートは上述したバイアス回路2
0の出力からのバイアス電圧BIASによってバイアス
される。Nチャンネルトランジスタ54がダイオード形
態で接続されており、そのゲート及びドレインはトラン
ジスタ64のドレインへ接続している。トランジスタ5
2及び54の寸法は、バイアス電圧BIASの所望のレ
ベルに対してPチャンネルトランジスタ52が飽和状態
に維持されることを確保すべく選択されている。例え
ば、約2Vのバイアス電圧BIASの場合、W/L比が
約15であるトランジスタ52及び54は、トランジス
タ52を飽和状態に維持し、尚Vccは公称的には5Vで
ある。
【0021】トランジスタ52,54のドレインにおけ
る共通ノードは、基準電圧ISVRを提供し、それはカ
レントミラー40の出力枝を構成するNチャンネルトラ
ンジスタ56のゲートへ印加される。Nチャンネルトラ
ンジスタ56のソースは接地へバイアスされており且つ
そのドレインは端子OUTへ接続している。従って、ト
ランジスタ56によって導通される電流、即ち出力電流
iOUT は、カレントミラー40の基準枝におけるトラン
ジスタ54によって導通される電流に対してミラー動作
される電流である。
る共通ノードは、基準電圧ISVRを提供し、それはカ
レントミラー40の出力枝を構成するNチャンネルトラ
ンジスタ56のゲートへ印加される。Nチャンネルトラ
ンジスタ56のソースは接地へバイアスされており且つ
そのドレインは端子OUTへ接続している。従って、ト
ランジスタ56によって導通される電流、即ち出力電流
iOUT は、カレントミラー40の基準枝におけるトラン
ジスタ54によって導通される電流に対してミラー動作
される電流である。
【0022】トランジスタ54,56の相対的な寸法
は、トランジスタ56によって供給される電流がトラン
ジスタ52,54によって導通される電流の所望の倍数
であるように選択されている。例えば、その比が1:1
である場合には、トランジスタ54,56の幅/長さ比
は互いに等しく、一方、トランジスタ56によって供給
されるべき電流がトランジスタ52,54によって導通
されるべき電流の倍数である場合には、トランジスタ5
6のW/L比はトランジスタ54のW/L比の所望の倍
数である。
は、トランジスタ56によって供給される電流がトラン
ジスタ52,54によって導通される電流の所望の倍数
であるように選択されている。例えば、その比が1:1
である場合には、トランジスタ54,56の幅/長さ比
は互いに等しく、一方、トランジスタ56によって供給
されるべき電流がトランジスタ52,54によって導通
されるべき電流の倍数である場合には、トランジスタ5
6のW/L比はトランジスタ54のW/L比の所望の倍
数である。
【0023】動作について説明すると、本発明の実施例
に基づく電流源2は、ラインBIAS上のバイス電圧の
発生においてバイアス回路20により電源電圧及び処理
パラメータにおける変動の追従の結果として比較的一定
の出力電流iOUT を供給する。何故ならば、ラインBI
AS上の電圧においてシフトを発生させる条件は、カレ
ントミラー40におけるトランジスタの駆動特性に同様
の影響を与えるからである。特に、ラインBIAS上の
電圧をシフトさせる処理条件における変動(例えば、図
3における直線46及び49の間のシフト)及び電源電
圧Vccにおける変動の両方がカレントミラー40におけ
るトランジスタ52の駆動特性に影響を与え、その正味
の効果は、トランジスタ52によって導通される電流が
これらの変動に対して実質的に一定なものとなることで
ある。例えば、図3の直線47,49となる処理条件
は、与えられた1組のバイアス条件に対して、トランジ
スタ52をしてより多くの電流を導通させる。然しなが
ら、これらの条件下でラインBIAS上にバイアス回路
20によって発生される増加された電圧は、トランジス
タ52へ印加されるゲート対ソース電圧を減少させるこ
とによって、Pチャンネルトランジスタ52の付加的な
電流駆動を補償する。同様に、電源電圧Vccが増加する
と、ラインBIAS上の電圧も増加し、従ってPチャン
ネルトランジスタ52におけるゲート対ソース電圧は電
源電圧における変動に対して実質的に一定状態を維持す
る。トランジスタ52を介しての電流が一定状態に維持
されるので、ミラー動作される出力電流iOUT はこれら
の変動に対して実質的に一定状態を維持する傾向とな
る。
に基づく電流源2は、ラインBIAS上のバイス電圧の
発生においてバイアス回路20により電源電圧及び処理
パラメータにおける変動の追従の結果として比較的一定
の出力電流iOUT を供給する。何故ならば、ラインBI
AS上の電圧においてシフトを発生させる条件は、カレ
ントミラー40におけるトランジスタの駆動特性に同様
の影響を与えるからである。特に、ラインBIAS上の
電圧をシフトさせる処理条件における変動(例えば、図
3における直線46及び49の間のシフト)及び電源電
圧Vccにおける変動の両方がカレントミラー40におけ
るトランジスタ52の駆動特性に影響を与え、その正味
の効果は、トランジスタ52によって導通される電流が
これらの変動に対して実質的に一定なものとなることで
ある。例えば、図3の直線47,49となる処理条件
は、与えられた1組のバイアス条件に対して、トランジ
スタ52をしてより多くの電流を導通させる。然しなが
ら、これらの条件下でラインBIAS上にバイアス回路
20によって発生される増加された電圧は、トランジス
タ52へ印加されるゲート対ソース電圧を減少させるこ
とによって、Pチャンネルトランジスタ52の付加的な
電流駆動を補償する。同様に、電源電圧Vccが増加する
と、ラインBIAS上の電圧も増加し、従ってPチャン
ネルトランジスタ52におけるゲート対ソース電圧は電
源電圧における変動に対して実質的に一定状態を維持す
る。トランジスタ52を介しての電流が一定状態に維持
されるので、ミラー動作される出力電流iOUT はこれら
の変動に対して実質的に一定状態を維持する傾向とな
る。
【0024】ある回路適用場面では電界効果電流源によ
って比較的大きな電流を制御することが必要とされる場
合がある。特に、これらの適用場面においては、且つ温
度に関して処理パラメータ及び電源電圧における大きな
変動の可能性が考えられる場合には、出力電流iOUT が
可及的に安定なものであることが望ましい。本発明のこ
の実施例に基づく図1及び2の電流源の構成はこのよう
な安定性を与えるものである。上述した実施例において
は、シミュレーション結果が、バイアス回路20がそれ
に対して印加されるラインBIAS上の電圧を設定する
場合にカレントミラー40におけるトランジスタ56に
よって導通される最大電流と最小電流との比が約1.1
7であることを表わしており、それは、0℃乃至100
℃の温度範囲にわたる変動、約50%の駆動電流変動と
なる処理パラメータ(即ち、トランジスタチャンネル
長、ゲート酸化膜厚さ、及びその他の公知の駆動状態を
変化させるパラメータ)における変動、及び4.7V乃
至5.3Vの範囲のVcc電源電圧における変動に対して
とられたものである。この特定の実施例においては、カ
レントミラー40におけるトランジスタ56によって駆
動されることを必要とする最小電流は20mAであり、
トランジスタ56によって供給される最大電流は約2
3.4mAである。
って比較的大きな電流を制御することが必要とされる場
合がある。特に、これらの適用場面においては、且つ温
度に関して処理パラメータ及び電源電圧における大きな
変動の可能性が考えられる場合には、出力電流iOUT が
可及的に安定なものであることが望ましい。本発明のこ
の実施例に基づく図1及び2の電流源の構成はこのよう
な安定性を与えるものである。上述した実施例において
は、シミュレーション結果が、バイアス回路20がそれ
に対して印加されるラインBIAS上の電圧を設定する
場合にカレントミラー40におけるトランジスタ56に
よって導通される最大電流と最小電流との比が約1.1
7であることを表わしており、それは、0℃乃至100
℃の温度範囲にわたる変動、約50%の駆動電流変動と
なる処理パラメータ(即ち、トランジスタチャンネル
長、ゲート酸化膜厚さ、及びその他の公知の駆動状態を
変化させるパラメータ)における変動、及び4.7V乃
至5.3Vの範囲のVcc電源電圧における変動に対して
とられたものである。この特定の実施例においては、カ
レントミラー40におけるトランジスタ56によって駆
動されることを必要とする最小電流は20mAであり、
トランジスタ56によって供給される最大電流は約2
3.4mAである。
【0025】本発明のこの実施例の電流源はその他の回
路設計においても有用なものであると考えられる。例え
ば、電圧調整器、差動増幅器、センスアンプ、カレント
ミラー、オペアンプ、レベルシフト回路及び基準電圧回
路等の全ての回路が電流源トランジスタ(即ち、トラン
ジスタ56)を使用して構成することが可能である。上
述した態様で電流源トランジスタを制御することによ
り、トランジスタ56によって供給される電流を比較的
安定したものとすることを確保することが可能であり、
そのことはこれらの適用場面においても有益的なもので
あると考えられる。
路設計においても有用なものであると考えられる。例え
ば、電圧調整器、差動増幅器、センスアンプ、カレント
ミラー、オペアンプ、レベルシフト回路及び基準電圧回
路等の全ての回路が電流源トランジスタ(即ち、トラン
ジスタ56)を使用して構成することが可能である。上
述した態様で電流源トランジスタを制御することによ
り、トランジスタ56によって供給される電流を比較的
安定したものとすることを確保することが可能であり、
そのことはこれらの適用場面においても有益的なもので
あると考えられる。
【0026】尚、本発明の技術的範囲を逸脱することな
しにバイアス回路20を変更乃至は修正することが可能
であることは勿論である。そのような1つの変更例をバ
イアス回路20′として図4に示してある。回路20′
における構成要素で回路20における構成要素と類似し
たものには同様の参照番号を付してある。
しにバイアス回路20を変更乃至は修正することが可能
であることは勿論である。そのような1つの変更例をバ
イアス回路20′として図4に示してある。回路20′
における構成要素で回路20における構成要素と類似し
たものには同様の参照番号を付してある。
【0027】バイアス回路20′は上述したバイアス回
路20と同様に構成されている。然しながら、この変形
実施例においては、リニアな付加トランジスタ34のゲ
ートにおける電圧は分圧器38によって設定され、その
ゲート電圧はVcc電源電圧の特定した割合であるように
設定される。トランジスタ34は実質的にリニアな負荷
として動作するが、実際には、電圧制御型抵抗であっ
て、そのオン抵抗はゲート対ソース電圧の関数である。
図4に示した如く、Vccの一部のみをトランジスタ34
のゲートへ印加させることによって、Vccが正への遷移
を行なう場合に、トランジスタ34の抵抗値の不所望な
減少を減少させることが可能である。
路20と同様に構成されている。然しながら、この変形
実施例においては、リニアな付加トランジスタ34のゲ
ートにおける電圧は分圧器38によって設定され、その
ゲート電圧はVcc電源電圧の特定した割合であるように
設定される。トランジスタ34は実質的にリニアな負荷
として動作するが、実際には、電圧制御型抵抗であっ
て、そのオン抵抗はゲート対ソース電圧の関数である。
図4に示した如く、Vccの一部のみをトランジスタ34
のゲートへ印加させることによって、Vccが正への遷移
を行なう場合に、トランジスタ34の抵抗値の不所望な
減少を減少させることが可能である。
【0028】又、バイアス電圧BIASの発生を選択的
にイネーブルすると共にディスエーブルさせるための回
路を設けることが可能であり、このような選択性を与え
ることによって特定の適用場面においての有用性を高め
ることが可能である。
にイネーブルすると共にディスエーブルさせるための回
路を設けることが可能であり、このような選択性を与え
ることによって特定の適用場面においての有用性を高め
ることが可能である。
【0029】従って、本発明は、広い範囲の温度、電源
電圧及び製造プロセスパラメータに対して安定した出力
電圧を供給することの可能な電流源の重要なる利点を提
供している。本発明の上述した実施例によれば、この安
定な出力電流は、出力カレントミラーのトランジスタに
おける変動を補償するような態様で処理条件及び電源電
圧における変動を追従するバイアス電圧を発生すること
によって得られる。本発明の電流源は、特に、電流源の
最大電流が過剰となる危険性なしに、例えば出力ドライ
バ回路等の比較的大きな電流が必要とされる適用場面に
おいて有益的なものである。
電圧及び製造プロセスパラメータに対して安定した出力
電圧を供給することの可能な電流源の重要なる利点を提
供している。本発明の上述した実施例によれば、この安
定な出力電流は、出力カレントミラーのトランジスタに
おける変動を補償するような態様で処理条件及び電源電
圧における変動を追従するバイアス電圧を発生すること
によって得られる。本発明の電流源は、特に、電流源の
最大電流が過剰となる危険性なしに、例えば出力ドライ
バ回路等の比較的大きな電流が必要とされる適用場面に
おいて有益的なものである。
【0030】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図1】 本発明の好適実施例に基づいて構成された電
流源を示したブロック図。
流源を示したブロック図。
【図2】 本発明の好適実施例に基づいて構成した電流
源を示した概略回路図。
源を示した概略回路図。
【図3】 図2に示したバイアス回路によって発生され
る種々の処理条件及び温度に対するVcc電源電圧に対し
てのバイアス電圧BIASを示したグラフ図。
る種々の処理条件及び温度に対するVcc電源電圧に対し
てのバイアス電圧BIASを示したグラフ図。
【図4】 本発明の別の実施例に基づいて構成した電流
源を示した概略回路図。
源を示した概略回路図。
2 電流源 10 抵抗分圧器 15,40 カレントミラー 20 バイアス回路
Claims (16)
- 【請求項1】 電流源において、 電源電圧と基準電圧との間に結合されており分圧された
電圧を発生する抵抗分圧器、 基準枝と出力枝とを具備する第一カレントミラーであっ
て、前記基準枝によって導通される第一基準電流が前記
分圧された電圧によって制御され且つ前記出力枝が前記
第一基準電流に対応する第一ミラー電流を導通させるミ
ラートランジスタと、前記第一ミラー電流を導通させ且
つ前記第一ミラー電流に応答してバイアス電圧を発生す
る負荷とを具備する第一カレントミラー、 前記バイアス電圧によって制御される第二ミラー電流を
導通させる基準枝を具備すると共に前記第二基準電流を
ミラー動作する出力電流を発生する出力枝を具備する第
二カレントミラー、を有することを特徴とする電流源。 - 【請求項2】 請求項1において、前記第一カレントミ
ラーの基準枝が、 ミラーノードへ接続されているドレインを具備し、前記
電源電圧へ接続しているソースを具備し、且つそのドレ
インへ接続したゲートを具備する第一基準トランジス
タ、 前記ミラーノードと基準電圧との間に接続されている導
通経路を具備しており且つ前記分圧した電圧を受取る制
御端子を具備している変調用トランジスタ、を有するこ
とを特徴とする電流源。 - 【請求項3】 請求項2において、前記ミラートランジ
スタが前記電源電圧と前記バイアス出力ノードとの間に
接続されているソース/ドレイン経路を具備すると共
に、前記ミラーノードへ接続している制御端子を具備す
ることを特徴とする電流源。 - 【請求項4】 請求項3において、前記負荷が、前記バ
イアス出力と基準電圧との間に接続している導通経路を
具備すると共にリニア領域にバイアスさせる電圧を受取
るための制御端子を具備する負荷トランジスタを有する
ことを特徴とする電流源。 - 【請求項5】 請求項4において、前記第二カレントミ
ラーの基準枝が、 ソース/ドレイン経路を具備すると共に前記バイアス電
圧を受取るためのゲートを具備する第二基準トランジス
タ、 前記電源電圧と基準電圧との間において前記第二基準ト
ランジスタのソース/ドレイン経路と直列接続している
ソース/ドレイン経路を具備すると共にそのドレインが
接続されているゲートを具備する第三基準トランジス
タ、を有しており、前記第二カレントミラーの出力枝
が、ソース/ドレイン経路を具備しており、前記第三基
準トランジスタのゲートへ接続しているゲートを具備し
ており、且つ前記第三基準トランジスタのソースと同一
の電圧へバイアスされているソースを具備している出力
トランジスタを有することを特徴とする電流源。 - 【請求項6】 請求項4において、前記第一基準トラン
ジスタ及び前記ミラートランジスタがPチャンネル電界
効果トランジスタであり、且つ前記変調用トランジスタ
及び負荷トランジスタがNチャンネル電界効果トランジ
スタであることを特徴とする電流源。 - 【請求項7】 請求項6において、前記第一基準トラン
ジスタの寸法が、前記変調用トランジスタが飽和領域に
バイアスされるように選択されていることを特徴とする
電流源。 - 【請求項8】 請求項7において、前記ミラートランジ
スタの寸法が、前記負荷トランジスタがリニア領域にバ
イアスされるように選択されていることを特徴と電流
源。 - 【請求項9】 請求項4において、前記負荷トランジス
タの制御端子において受取られる電圧が前記電源電圧の
一部であることを特徴とする電流源。 - 【請求項10】 請求項1において、前記負荷が抵抗で
あることを特徴とする電流源。 - 【請求項11】 請求項1において、前記負荷がダイオ
ードであることを特徴とする電流源。 - 【請求項12】 請求項1において、前記第二カレント
ミラーの基準枝が、ソース/ドレイン経路を具備すると
共に前記バイアス電圧を受取るゲートを具備する第二基
準トランジスタ、 前記電源電圧と基準電圧との間において前記第二基準ト
ランジスタのソース/ドレイン経路と直列接続している
ソース/ドレイン経路を具備すると共にそのドレインを
接続したゲートを具備する第三基準トランジスタ、を有
しており、前記第二カレントミラーの出力枝が、ソース
/ドレイン経路を具備しており、前記第三基準トランジ
スタのゲートへ接続したゲートを具備しており、且つ前
記第三基準トランジスタのソースと同一の電圧へバイア
スされたソースを具備している出力トランジスタを有す
ることを特徴とする、電流源。 - 【請求項13】 安定な電流を発生する方法において、 電源電圧を分圧器へ印加して分圧した電圧を発生し、 前記分圧した電圧を飽和領域にバイアスされている変調
用トランジスタの制御端子へ印加して第一カレントミラ
ーの基準枝における第一基準電流を制御し、 前記第一基準電流をミラー動作させて前記第一カレント
ミラーの出力枝内に第一ミラー電流を発生させ、 前記カレントミラーの出力枝内の負荷へ前記ミラー電流
を印加してバイアス電圧を発生し、 前記バイアス電圧を第二カレントミラーの基準枝におけ
るトランジスタの制御端子へ印加して第二基準電流を制
御し、 前記第二基準電流をミラー動作させて第二ミラー電流を
発生させる、上記各ステップを有することを特徴とする
方法。 - 【請求項14】 請求項13において、前記変調用トラ
ンジスタが、前記第一カレントミラーの基準枝における
導通経路を具備すると共に前記分圧器へ結合されている
制御端子を具備する電界効果トランジスタであって、前
記変調用トランジスタを飽和領域へバイアスさせること
を特徴とする方法。 - 【請求項15】 請求項14において、前記第一カレン
トミラーの出力枝がミラートランジスタを有しており、
且つ前記負荷が負荷トランジスタを有しており、前記ミ
ラートランジスタ及び負荷トランジスタの各々が互いに
直列接続した導通経路を具備しており、前記ミラートラ
ンジスタが前記第一カレントミラーの基準枝へ結合して
いる制御端子を具備しており、従って前記ミラートラン
ジスタによって導通される電流が前記変調用トランジス
タによって導通される電流をミラー動作し、前記負荷ト
ランジスタをリニア領域にバイアスさせることを特徴と
する方法。 - 【請求項16】 請求項13において、前記第二カレン
トミラーの基準枝が直列接続されたソース/ドレイン経
路を具備する第一及び第二基準トランジスタを有してお
り、前記第二基準トランジスタのドレイン及びゲートが
共通接続されており、前記第一基準トランジスタを飽和
領域にバイアスさせることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39907995A | 1995-03-08 | 1995-03-08 | |
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