JPH0826317B2 - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
- Publication number
- JPH0826317B2 JPH0826317B2 JP63081540A JP8154088A JPH0826317B2 JP H0826317 B2 JPH0826317 B2 JP H0826317B2 JP 63081540 A JP63081540 A JP 63081540A JP 8154088 A JP8154088 A JP 8154088A JP H0826317 B2 JPH0826317 B2 JP H0826317B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- phase
- ferroelectric liquid
- crystal panel
- smc
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高速，高コントラストな強誘電性液晶パネル
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術 液晶表示装置は薄型化・軽量化・低電圧駆動可能等の
長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現
在使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ
〜数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用
分野は限られている。一方強誘電性液晶はマイクロ秒単
位の応答速度及びメモリ効果の為に、高速表示素子，メ
モリ形ディスプレイ，液晶シャッター等の分野に適用が
可能である。現在配向方法としてはラビング法，斜方蒸
着法，磁界印加法，電界印加法，シェアリング法等が考
案されており、量産性，実用性の面に於いてはラビング
法が最も優れているが、ラビング配向法では一軸性が強
すぎるために単安定になったり、あるいはツイスト安定
になり、良好なユニフォーム形の双安定な特性を得る事
は困難である。また強誘電性液晶においてISO相からSmC
*相までの相系列は ISO→SmA→SmC* （IAC系） ISO→N*→SmC* （INC系） ISO→N*→SmA→SmC* （INAC系） ISO→SmC* （IC系） などが考えられる。
長所により腕時計や電卓等に利用されている。しかし現
在使用されているネマティック液晶は応答速度が数ミリ
〜数十ミリ秒と遅い為に高速応答が不可能であり、利用
分野は限られている。一方強誘電性液晶はマイクロ秒単
位の応答速度及びメモリ効果の為に、高速表示素子，メ
モリ形ディスプレイ，液晶シャッター等の分野に適用が
可能である。現在配向方法としてはラビング法，斜方蒸
着法，磁界印加法，電界印加法，シェアリング法等が考
案されており、量産性，実用性の面に於いてはラビング
法が最も優れているが、ラビング配向法では一軸性が強
すぎるために単安定になったり、あるいはツイスト安定
になり、良好なユニフォーム形の双安定な特性を得る事
は困難である。また強誘電性液晶においてISO相からSmC
*相までの相系列は ISO→SmA→SmC* （IAC系） ISO→N*→SmC* （INC系） ISO→N*→SmA→SmC* （INAC系） ISO→SmC* （IC系） などが考えられる。
強誘電性液晶の配向はSmC*相よりも高温側の相系列に
大きく依存する。従来はSmC*相で均一な配向を行う為に
はN*相が必要であり、N*相のピッチが長い程、薄いセル
に於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、SmA相になっ
た場合に相がきちんと整列し、SmC*相においても良好な
配向が得られると考えられていた。
大きく依存する。従来はSmC*相で均一な配向を行う為に
はN*相が必要であり、N*相のピッチが長い程、薄いセル
に於ては強誘電性液晶のらせんがほどけ、SmA相になっ
た場合に相がきちんと整列し、SmC*相においても良好な
配向が得られると考えられていた。
発明が解決しようとする課題 上記の様なN*相を示す強誘電性液晶はSiO斜方蒸着な
どにより配向された強誘電性液晶セルにおいては良好な
配向及び双安定性を示すが、ラビングにより配向させる
と界面での配向規制力が強いために、SmA相では層がき
ちんと整列するが、SmA相からSmC*相に転移した場合に
分子が層法線から傾くために層をゆがめてしまい多くの
ディスクリネーションが生じたり、単安定やツイスト安
定になってしまう。またSmA相のない強誘電性液晶（INC
系）（IC系）を用いると層方向が規制されないために配
向がみだれ、IAC系液晶を用いてもINC系やIC系程ではな
いが、層方向は揃いにくくなる。
どにより配向された強誘電性液晶セルにおいては良好な
配向及び双安定性を示すが、ラビングにより配向させる
と界面での配向規制力が強いために、SmA相では層がき
ちんと整列するが、SmA相からSmC*相に転移した場合に
分子が層法線から傾くために層をゆがめてしまい多くの
ディスクリネーションが生じたり、単安定やツイスト安
定になってしまう。またSmA相のない強誘電性液晶（INC
系）（IC系）を用いると層方向が規制されないために配
向がみだれ、IAC系液晶を用いてもINC系やIC系程ではな
いが、層方向は揃いにくくなる。
課題を解決するための手段 自発力極が20nC/cm2以上100nC/cm2以下であり、相転
移系列において等方相とカイカルネマティック相とスメ
クティックＡ相の３重点を有する強誘電性液晶をラビン
グ法により配向させる。
移系列において等方相とカイカルネマティック相とスメ
クティックＡ相の３重点を有する強誘電性液晶をラビン
グ法により配向させる。
作用 この強誘電性液晶を用いるとラビング配向法において
も高速，高コントラストであり、ユニフォーム形で双安
定性な強誘電性液晶セル作製が可能となる。
も高速，高コントラストであり、ユニフォーム形で双安
定性な強誘電性液晶セル作製が可能となる。
実施例 以下本発明の一実施例の強誘電性液晶パネルについ
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図に示すように透明ガラス基板1,2上に透明電極
としてITO膜3,4を形成し、その上に配向膜としてポリイ
ミド樹脂をスピンナーにより塗布し5,6両方の基板の配
向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向膜面同士
を貼り合せる。パネルの厚さはシール樹脂７に混入した
スペーサーにより2umとしている。このパネルに強誘電
性液晶８を封入した。この強誘電性液晶の相系列を第２
図の様に変化させ、A,B,C状態それぞれでのコントラス
トを〈表１〉に示す。
としてITO膜3,4を形成し、その上に配向膜としてポリイ
ミド樹脂をスピンナーにより塗布し5,6両方の基板の配
向膜上にラビング処理を施し、この基板の配向膜面同士
を貼り合せる。パネルの厚さはシール樹脂７に混入した
スペーサーにより2umとしている。このパネルに強誘電
性液晶８を封入した。この強誘電性液晶の相系列を第２
図の様に変化させ、A,B,C状態それぞれでのコントラス
トを〈表１〉に示す。
この結果より明らかなようにＡ状態（IAC系）ではISO
相からSmA相に転移する際に分子長軸の配向と層の形成
が同時に起るために層方向が揃いにくくなる。またＣ状
態（INAC系）ではSmA相での配向は良好であるが、SmA相
での規制力が強すぎるためにSmA相からSmC*相に転移す
る際に層がゆがんでしまう。これに対してＢ状態ではＡ
状態よりはSmA相での配向が良く、またＣ状態ほど規制
力が強くないので、SmA相からSmC*相への転移において
も層が曲る事なく、良好な配向を示し、高コントラスト
で双安定な特性が得られた。
相からSmA相に転移する際に分子長軸の配向と層の形成
が同時に起るために層方向が揃いにくくなる。またＣ状
態（INAC系）ではSmA相での配向は良好であるが、SmA相
での規制力が強すぎるためにSmA相からSmC*相に転移す
る際に層がゆがんでしまう。これに対してＢ状態ではＡ
状態よりはSmA相での配向が良く、またＣ状態ほど規制
力が強くないので、SmA相からSmC*相への転移において
も層が曲る事なく、良好な配向を示し、高コントラスト
で双安定な特性が得られた。
また自発分極が20nC/cm2より小さいとツイスト安定に
なるためにコントラストが悪くなり、100nC/cm2より大
きくなると単安定となった〈表２〉 なお上記の発明において基板は少なくとも一方が透明
であれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり
説明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜によ
り表面処理を施さなくても可能である。
なるためにコントラストが悪くなり、100nC/cm2より大
きくなると単安定となった〈表２〉 なお上記の発明において基板は少なくとも一方が透明
であれば良く、また配向膜としてポリイミドを例にとり
説明したが、それ以外の材料でも良く、また配向膜によ
り表面処理を施さなくても可能である。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明によれば自発
分極が20nC/cm2以上100nC/cm2以下であり、相転移系列
において等方相とカイラルネマティック相とカイラルス
メクティック相の３重点を有する強誘電性液晶を用いる
ことにより、従来のラビングでは単安定・ツイスト安定
な配向しか得られなかったのに対して、高速，高コント
ラストなユニフォーム形の双安定な強誘電性液晶パネル
を得ることが出来る。
分極が20nC/cm2以上100nC/cm2以下であり、相転移系列
において等方相とカイラルネマティック相とカイラルス
メクティック相の３重点を有する強誘電性液晶を用いる
ことにより、従来のラビングでは単安定・ツイスト安定
な配向しか得られなかったのに対して、高速，高コント
ラストなユニフォーム形の双安定な強誘電性液晶パネル
を得ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例による強誘電性液晶パネルの
構成図、第２図は強誘電性液晶の相系列を示すグラフで
ある。 １……上ガラス基板、２……下ガラス基板、3,4……ITO
電極、5,6……配向膜、７……シール樹脂、８……強誘
電性液晶。
構成図、第２図は強誘電性液晶の相系列を示すグラフで
ある。 １……上ガラス基板、２……下ガラス基板、3,4……ITO
電極、5,6……配向膜、７……シール樹脂、８……強誘
電性液晶。
Claims (3)
- 【請求項１】相転移系列において等方相とカイラルネマ
ティック相とスメクティックＡ相の３重点を有する強誘
電性液晶を用いることを特徴とする強誘電性液晶パネ
ル。 - 【請求項２】強誘電性パネルの配向方法をラビングによ
り行うことを特徴とする請求項（１）記載の強誘電性液
晶パネル。 - 【請求項３】強誘電性液晶の自発分極が20nC/cm2以上10
0nC/cm2以下であることを特徴とする請求項（１）記載
の強誘電性液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081540A JPH0826317B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081540A JPH0826317B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253716A JPH01253716A (ja) | 1989-10-11 |
| JPH0826317B2 true JPH0826317B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=13749130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63081540A Expired - Fee Related JPH0826317B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0826317B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327273A (en) * | 1989-06-29 | 1994-07-05 | Hoffmann-La Roche Inc. | Bistable ferroelectric liquid crystal display cell |
| JP2002090744A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63081540A patent/JPH0826317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01253716A (ja) | 1989-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |