JPH08264105A - 強誘電体電子放出冷陰極 - Google Patents
強誘電体電子放出冷陰極Info
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- JPH08264105A JPH08264105A JP9442195A JP9442195A JPH08264105A JP H08264105 A JPH08264105 A JP H08264105A JP 9442195 A JP9442195 A JP 9442195A JP 9442195 A JP9442195 A JP 9442195A JP H08264105 A JPH08264105 A JP H08264105A
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- JP
- Japan
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- electron emission
- ferroelectric
- electrode
- cold cathode
- upper electrode
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/306—Ferroelectric cathodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子の放出量を増加させ、しかも放出を安定さ
せた強誘電体電子放出冷陰極。 【構成】強誘電体と、その強誘電体の電子放出面側に形
成された上部電極と、その強誘電体の電子放出面側と反
対の面に形成された下部電極とからなる強誘電体電子放
出冷陰極において、前記上部電極および強誘電体の電子
放出面を覆い、且つ厚さが上部電極よりも薄い電子放出
および供給電極を強誘電体に形成することを特徴とする
強誘電体電子放出冷陰極。
せた強誘電体電子放出冷陰極。 【構成】強誘電体と、その強誘電体の電子放出面側に形
成された上部電極と、その強誘電体の電子放出面側と反
対の面に形成された下部電極とからなる強誘電体電子放
出冷陰極において、前記上部電極および強誘電体の電子
放出面を覆い、且つ厚さが上部電極よりも薄い電子放出
および供給電極を強誘電体に形成することを特徴とする
強誘電体電子放出冷陰極。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子源として利用する
強誘電体電子放出冷陰極に関するものである。
強誘電体電子放出冷陰極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は強誘電体を利用した強誘電体電子
放出冷陰極であり、Ｈ．Ｇｕｎｄｅｌ等によって報告さ
れたものである（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｐ９７５ ６９（２）（１９９
１））。Ａは第一の電極、Ｂは強誘電体、Ｃは第二の電
極である。また、図２は特開平５−３２５７７７で記載
された強誘電体電子放出冷陰極であり、Ａは第一の電
極、Ｂは強誘電体、Ｃは第二の電極、Ｄは絶縁膜、Ｅは
第三の電極である。図１および図２のように構成された
従来の強誘電体電子放出冷陰極において、第一の電極と
第二の電極の間に交番電界を印加すると、その電界の変
化に伴い強誘電体内部の分極が変化（分極反転）を起こ
し、その際に第二の電極近傍に存在する電子をク−ロン
力により弾き飛ばし、電子の放出を行うものである。
放出冷陰極であり、Ｈ．Ｇｕｎｄｅｌ等によって報告さ
れたものである（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｐ９７５ ６９（２）（１９９
１））。Ａは第一の電極、Ｂは強誘電体、Ｃは第二の電
極である。また、図２は特開平５−３２５７７７で記載
された強誘電体電子放出冷陰極であり、Ａは第一の電
極、Ｂは強誘電体、Ｃは第二の電極、Ｄは絶縁膜、Ｅは
第三の電極である。図１および図２のように構成された
従来の強誘電体電子放出冷陰極において、第一の電極と
第二の電極の間に交番電界を印加すると、その電界の変
化に伴い強誘電体内部の分極が変化（分極反転）を起こ
し、その際に第二の電極近傍に存在する電子をク−ロン
力により弾き飛ばし、電子の放出を行うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、第二の電極近傍に存在する電子しか放出
に利用されない、言い換えれば電子の放出面積が限定さ
れてしまうため、電子の放出量は少なく、実用的な電子
放出源としては使用できないという問題があった。ま
た、電子放出量を増加させるためには、第二の電極を多
数或いは微細に加工し、電子の放出面積を広げなければ
ならないが、その作製工程は極めて困難であるという問
題があった。
うな構成では、第二の電極近傍に存在する電子しか放出
に利用されない、言い換えれば電子の放出面積が限定さ
れてしまうため、電子の放出量は少なく、実用的な電子
放出源としては使用できないという問題があった。ま
た、電子放出量を増加させるためには、第二の電極を多
数或いは微細に加工し、電子の放出面積を広げなければ
ならないが、その作製工程は極めて困難であるという問
題があった。
【０００４】本発明は、このような実情を鑑みなされた
もので、実用的な強誘電体電子放出冷陰極を提供するこ
とを目的とする。
もので、実用的な強誘電体電子放出冷陰極を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】上記問題点は、強誘電
体とその強誘電体の電子放出面側に形成された上部電極
と、その強誘電体の電子放出面側と反対の面に形成され
た下部電極とからなる強誘電体電子放出冷陰極におい
て、前記上部電極および強誘電体の電子放出面を覆い、
且つ厚さが上部電極よりも薄い電子放出および供給電極
を強誘電体に形成することを特徴とする強誘電体電子放
出冷陰極によって解決される。
体とその強誘電体の電子放出面側に形成された上部電極
と、その強誘電体の電子放出面側と反対の面に形成され
た下部電極とからなる強誘電体電子放出冷陰極におい
て、前記上部電極および強誘電体の電子放出面を覆い、
且つ厚さが上部電極よりも薄い電子放出および供給電極
を強誘電体に形成することを特徴とする強誘電体電子放
出冷陰極によって解決される。
【０００６】本発明における強誘電体はＰＺＴ〔Ｐｂ
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 〕、ＰＬＺＴ〔（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 〕、ＢａＴｉＯ3 等の多結晶のセラミッ
ク強誘電体、ＬｉＮｂＯ3 やＬｉＴａＯ3 等の単結晶の
セラミック強誘電体、或いはＰＶＤＦ等の高分子強誘電
体等が挙げられる。強誘電体の厚みは５０ｎｍ〜２００
０μｍ、好ましくは１００ｎｍ〜２００μｍがよい。５
０ｎｍ未満では強誘電体に形成している上部電極或いは
電子放出および供給電極と下部電極が短絡してしまう問
題が生じる。また、２０００μｍを越えると動作電界が
非常に大きな値になり実用上問題が生じる。
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 〕、ＰＬＺＴ〔（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 〕、ＢａＴｉＯ3 等の多結晶のセラミッ
ク強誘電体、ＬｉＮｂＯ3 やＬｉＴａＯ3 等の単結晶の
セラミック強誘電体、或いはＰＶＤＦ等の高分子強誘電
体等が挙げられる。強誘電体の厚みは５０ｎｍ〜２００
０μｍ、好ましくは１００ｎｍ〜２００μｍがよい。５
０ｎｍ未満では強誘電体に形成している上部電極或いは
電子放出および供給電極と下部電極が短絡してしまう問
題が生じる。また、２０００μｍを越えると動作電界が
非常に大きな値になり実用上問題が生じる。
【０００７】本発明における電子放出および供給電極の
厚みは上部電極の厚さより薄くなければならないが、一
般には５０００Å以下であり、好ましくは１０００Å以
下、更に好ましくは４００Å以下がよい。但し、使用す
る電極材によりその適正な値の範囲は変動する。例えば
Ｐｔを使用した場合、好ましくは５０〜１０００Å、更
に好ましくは２００〜４００Åがよい。５０００Åを越
える厚みではその厚さのため電子の放出が妨げられてし
まう。
厚みは上部電極の厚さより薄くなければならないが、一
般には５０００Å以下であり、好ましくは１０００Å以
下、更に好ましくは４００Å以下がよい。但し、使用す
る電極材によりその適正な値の範囲は変動する。例えば
Ｐｔを使用した場合、好ましくは５０〜１０００Å、更
に好ましくは２００〜４００Åがよい。５０００Åを越
える厚みではその厚さのため電子の放出が妨げられてし
まう。
【０００８】本発明における電子放出および供給電極の
面積は、上部電極および強誘電体の電子放出面全面を覆
った時に最大になり、このときに電子の放出量も最大と
なるが、電子の放出量を制御するため、必要に応じて上
部電極および強誘電体の電子放出面を覆う面積を制御し
てもよい。電極の設置方法は一般に用いられる方法のい
ずれでもよく、スパッタリング法や蒸着法等が挙げられ
る。
面積は、上部電極および強誘電体の電子放出面全面を覆
った時に最大になり、このときに電子の放出量も最大と
なるが、電子の放出量を制御するため、必要に応じて上
部電極および強誘電体の電子放出面を覆う面積を制御し
てもよい。電極の設置方法は一般に用いられる方法のい
ずれでもよく、スパッタリング法や蒸着法等が挙げられ
る。
【０００９】本発明における電子放出および供給電極の
材質としては、一般に電極材として用いられるものであ
ればいずれのものでもよく、Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，
Ｗ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｓ等の金属、或いは前記金属の合金
等が挙げられる。また、電極の設置方法は一般に用いら
れる方法のいずれでもよく、スパッタリング法や蒸着法
等が挙げられる。
材質としては、一般に電極材として用いられるものであ
ればいずれのものでもよく、Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，
Ｗ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｓ等の金属、或いは前記金属の合金
等が挙げられる。また、電極の設置方法は一般に用いら
れる方法のいずれでもよく、スパッタリング法や蒸着法
等が挙げられる。
【００１０】本発明における上部電極は、接地されてお
り、効率よく接地させるためにはその厚さは２００Å以
上であり、好ましくは４００Å〜５０００Å、更に好ま
しくは１０００Å〜３０００Åがよい。但し、使用する
電極材によりその適正値の範囲は変動する。
り、効率よく接地させるためにはその厚さは２００Å以
上であり、好ましくは４００Å〜５０００Å、更に好ま
しくは１０００Å〜３０００Åがよい。但し、使用する
電極材によりその適正値の範囲は変動する。
【００１１】本発明における上部電極の形状は電子の放
出に影響が生じない限り、線状、島状、螺旋状、格子
状、ストライプ状等どのような形状を用いてもよい。
出に影響が生じない限り、線状、島状、螺旋状、格子
状、ストライプ状等どのような形状を用いてもよい。
【００１２】本発明における上部電極の材質としては、
一般に電極材として用いられるものであればいずれのも
のでもよく、Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｃｓ等の金属、或いは前記金属の合金等が挙げられ
る。また、電極の設置方法は一般に用いられる方法のい
ずれでもよく、スパッタリング法や蒸着法等が挙げられ
る。
一般に電極材として用いられるものであればいずれのも
のでもよく、Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｃｓ等の金属、或いは前記金属の合金等が挙げられ
る。また、電極の設置方法は一般に用いられる方法のい
ずれでもよく、スパッタリング法や蒸着法等が挙げられ
る。
【００１３】本発明における上部電極の面積は、上部電
極を覆って形成される電子放出および供給電極の効果を
妨げない面積にする必要があり、その面積は強誘電体の
面積の０．０５〜９５％、好ましくは０．５〜５０％、
更に好ましくは５〜１０％がよい。上部電極の面積が強
誘電体の面積の０．０５％より小さいと接地が困難にな
り、また、９５％を越えると充分な電子の放出が行えな
くなる。
極を覆って形成される電子放出および供給電極の効果を
妨げない面積にする必要があり、その面積は強誘電体の
面積の０．０５〜９５％、好ましくは０．５〜５０％、
更に好ましくは５〜１０％がよい。上部電極の面積が強
誘電体の面積の０．０５％より小さいと接地が困難にな
り、また、９５％を越えると充分な電子の放出が行えな
くなる。
【００１４】本発明で印加する動作電界は、正と負の両
電界、或いは正または負のどちらか一方の電界のいずれ
でもよく、また、いずれの場合もその絶対値において０
〜１００ｋｖ／ｃｍ、好ましくは２０〜４０ｋｖ／ｃｍ
がよい。１００ｋｖ／ｃｍを越える電界ではその高電界
のため電極或いは強誘電体が破壊されてしまうという問
題が生じる。
電界、或いは正または負のどちらか一方の電界のいずれ
でもよく、また、いずれの場合もその絶対値において０
〜１００ｋｖ／ｃｍ、好ましくは２０〜４０ｋｖ／ｃｍ
がよい。１００ｋｖ／ｃｍを越える電界ではその高電界
のため電極或いは強誘電体が破壊されてしまうという問
題が生じる。
【００１５】本発明における動作電界のパルス時間は、
０．０１μ秒〜１０００μ秒、好ましくは５μ秒〜２０
０μ秒がよい。０．０１μ秒未満ではパルス時間が短い
ため、充分な電子の放出量が得られない。また、１００
０μ秒を越えた時間を印加しても１０００μ秒以下の時
間で放出する電子の放出量以上は得られない。
０．０１μ秒〜１０００μ秒、好ましくは５μ秒〜２０
０μ秒がよい。０．０１μ秒未満ではパルス時間が短い
ため、充分な電子の放出量が得られない。また、１００
０μ秒を越えた時間を印加しても１０００μ秒以下の時
間で放出する電子の放出量以上は得られない。
【００１６】本発明における下部電極の材質は、一般に
電極材として用いられるものであればいずれのものでも
よく、Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｓ
等の金属、或いは前記金属の合金等が挙げられる。電極
の設置方法は一般に用いられる方法のいずれでもよく、
スパッタリング法や蒸着法等が挙げられる。
電極材として用いられるものであればいずれのものでも
よく、Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｓ
等の金属、或いは前記金属の合金等が挙げられる。電極
の設置方法は一般に用いられる方法のいずれでもよく、
スパッタリング法や蒸着法等が挙げられる。
【００１７】
【作用】本発明の作用は、強誘電体の電子放出面側に形
成してある上部電極および強誘電体の電子放出面を覆
い、且つその厚さが上部電極よりも薄い電子放出および
供給電極を強誘電体に形成することにより、従来強誘電
体の一部しか利用されていなかった放出面積を拡大する
と共に、放出用電子の放出面全体への供給を容易にする
ことができ、大量且つ安定した電子の放出を行う点にあ
る。
成してある上部電極および強誘電体の電子放出面を覆
い、且つその厚さが上部電極よりも薄い電子放出および
供給電極を強誘電体に形成することにより、従来強誘電
体の一部しか利用されていなかった放出面積を拡大する
と共に、放出用電子の放出面全体への供給を容易にする
ことができ、大量且つ安定した電子の放出を行う点にあ
る。
【００１８】
【実施例】図１に本発明における強誘電体電子放出冷陰
極の構成図を示す。１は電子放出および供給電極であ
り、上部電極および強誘電体全面にスパッタリング法や
蒸着法により形成されている。２は上部電極であり、強
誘電体にスパッタリング法や蒸着法等により形成されて
おり、接地されている。３は強誘電体である。４は下部
電極であり、強誘電体全面にスパッタリング法や蒸着法
等により形成されている。
極の構成図を示す。１は電子放出および供給電極であ
り、上部電極および強誘電体全面にスパッタリング法や
蒸着法により形成されている。２は上部電極であり、強
誘電体にスパッタリング法や蒸着法等により形成されて
おり、接地されている。３は強誘電体である。４は下部
電極であり、強誘電体全面にスパッタリング法や蒸着法
等により形成されている。
【００１９】本実施例では、強誘電体として厚さ６０μ
ｍのＰＺＴセラミックスを用いた。電極は全てＰｔを使
用し、スパッタリング法にて設置した。下部電極は強誘
電体全面に厚さ２０００Åで設置した。上部電極はスト
ライプ状に設置した。動作電界はパルスジェネレ−タ−
により正と負一対の電界を印加したが、勿論正または負
のどちらか一方の電界の印加でもよい。表１に電子放出
測定の結果を示す。尚、放出電荷量は、放出電子が測定
用電極に接続された負荷抵抗を通る際の電位差から求め
た放出電流値の時間積分により算出した。また、放出の
安定性は動作電界に追随した放出が認められたときを安
定、やや不連続に放出が認められたときをやや不安定、
放出が不連続のときを不安定とした。
ｍのＰＺＴセラミックスを用いた。電極は全てＰｔを使
用し、スパッタリング法にて設置した。下部電極は強誘
電体全面に厚さ２０００Åで設置した。上部電極はスト
ライプ状に設置した。動作電界はパルスジェネレ−タ−
により正と負一対の電界を印加したが、勿論正または負
のどちらか一方の電界の印加でもよい。表１に電子放出
測定の結果を示す。尚、放出電荷量は、放出電子が測定
用電極に接続された負荷抵抗を通る際の電位差から求め
た放出電流値の時間積分により算出した。また、放出の
安定性は動作電界に追随した放出が認められたときを安
定、やや不連続に放出が認められたときをやや不安定、
放出が不連続のときを不安定とした。
【表１】 本実施例のように上部電極および強誘電体の電子放出面
を覆い、且つ厚さが上部電極よりも薄い電子放出および
供給電極を強誘電体に形成することにより、大量且つ安
定した電子の放出が可能な強誘電体電子放出冷陰極を得
ることができた。
を覆い、且つ厚さが上部電極よりも薄い電子放出および
供給電極を強誘電体に形成することにより、大量且つ安
定した電子の放出が可能な強誘電体電子放出冷陰極を得
ることができた。
【００２０】
【発明の効果】本発明では、上部電極および強誘電体の
電子放出面を覆い、且つ厚さが上部電極よりも薄い電子
放出および供給電極を強誘電体に形成することにより、
大量且つ安定した電子の放出が可能な強誘電体電子放出
冷陰極を得ることができる。
電子放出面を覆い、且つ厚さが上部電極よりも薄い電子
放出および供給電極を強誘電体に形成することにより、
大量且つ安定した電子の放出が可能な強誘電体電子放出
冷陰極を得ることができる。
【図１】本発明の実施例における強誘電体電子放出冷陰
極の構成図。
極の構成図。
【図２】従来の強誘電体電子放出冷陰極の構成図（Jour
nal of Applied Physics p97569(2) (1991)) 。
nal of Applied Physics p97569(2) (1991)) 。
【図３】従来の強誘電体電子放出冷陰極の構成図（特開
平5-325777）。
平5-325777）。
１ 電子放出および供給電極 ２ 上部電極 ３ 強誘電体 ４ 下部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 強誘電体と、その強誘電体の電子放出面
側に形成された上部電極と、その強誘電体の電子放出面
側と反対の面に形成された下部電極とからなる強誘電体
電子放出冷陰極において、前記上部電極および強誘電体
の電子放出面を覆い、且つ厚さが上部電極よりも薄い電
子放出および供給電極を強誘電体に形成することを特徴
とする強誘電体電子放出冷陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9442195A JPH08264105A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 強誘電体電子放出冷陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9442195A JPH08264105A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 強誘電体電子放出冷陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264105A true JPH08264105A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=14109783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9442195A Pending JPH08264105A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 強誘電体電子放出冷陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264105A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19651552A1 (de) * | 1996-12-11 | 1998-06-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe |
| EP1329928A3 (en) * | 2001-12-20 | 2006-02-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting element and field emission display using the same |
| US7071628B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Electronic pulse generation device |
| US7088049B2 (en) | 2000-12-22 | 2006-08-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting device and field emission display using the same |
| US7129642B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitting method of electron emitter |
| US7187114B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| US7288881B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter and light emission element |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP9442195A patent/JPH08264105A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19651552A1 (de) * | 1996-12-11 | 1998-06-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe |
| US6157145A (en) * | 1996-12-11 | 2000-12-05 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluenlampen Mbh | Method of operating a discharge lamp with a cold cathode structure having ferroelectric between |
| US7088049B2 (en) | 2000-12-22 | 2006-08-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting device and field emission display using the same |
| EP1265263A4 (en) * | 2000-12-22 | 2006-11-08 | Ngk Insulators Ltd | ELECTRONIC TRANSMITTING ELEMENT AND USE IN A FIELD EMISSION DISPLAY |
| EP1329928A3 (en) * | 2001-12-20 | 2006-02-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting element and field emission display using the same |
| US7071628B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Electronic pulse generation device |
| US7129642B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitting method of electron emitter |
| US7187114B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| US7288881B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter and light emission element |
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