JPH08264468A - 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法 - Google Patents
炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法Info
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- JPH08264468A JPH08264468A JP6217085A JP21708594A JPH08264468A JP H08264468 A JPH08264468 A JP H08264468A JP 6217085 A JP6217085 A JP 6217085A JP 21708594 A JP21708594 A JP 21708594A JP H08264468 A JPH08264468 A JP H08264468A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温でＳｉＣに不純物元素をドーピングする
方法を提供することである。 【構成】 ｐ型またはｎ型の不純物元素を含む反応ガス
２の雰囲気中にｎ型またはｐ型のＳｉＣ基板１を配置
し、室温でＳｉＣ基板１の表面にエキシマレーザ光３を
パルス状に照射する。これにより、反応ガス２中の不純
物元素がＳｉＣ基板１にドープされ、ＳｉＣ基板１の表
面から所定の深さにｐ型またはｎ型の不純物ドープ層４
が形成される。
方法を提供することである。 【構成】 ｐ型またはｎ型の不純物元素を含む反応ガス
２の雰囲気中にｎ型またはｐ型のＳｉＣ基板１を配置
し、室温でＳｉＣ基板１の表面にエキシマレーザ光３を
パルス状に照射する。これにより、反応ガス２中の不純
物元素がＳｉＣ基板１にドープされ、ＳｉＣ基板１の表
面から所定の深さにｐ型またはｎ型の不純物ドープ層４
が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化ケイ素への不純物
ドーピング方法および電極形成方法に関する。
ドーピング方法および電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ（炭化ケイ素）はｐ型およびｎ型
の価電子制御が容易であり、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡ
ｓ（ガリウムひ素）にない数々の優れた物性を有するの
で、種々の環境で使用可能な半導体デバイスの材料とし
て注目されている。
の価電子制御が容易であり、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡ
ｓ（ガリウムひ素）にない数々の優れた物性を有するの
で、種々の環境で使用可能な半導体デバイスの材料とし
て注目されている。
【０００３】ＳｉＣは、ＳｉやＧａＡｓに比べて大きな
バンドギャップを有するので、高い温度までｐ型または
ｎ型を維持することができる。したがって、ＳｉＣを用
いると、高温動作デバイスが実現される。また、電子の
飽和ドリフト速度が大きいので、高周波動作が可能とな
り、かつ大電流を流すことができる。したがって、高周
波デバイスおよび大電力デバイスが実現可能である。さ
らに、高い絶縁破壊電界を有するので、高耐圧デバイス
が実現可能である。
バンドギャップを有するので、高い温度までｐ型または
ｎ型を維持することができる。したがって、ＳｉＣを用
いると、高温動作デバイスが実現される。また、電子の
飽和ドリフト速度が大きいので、高周波動作が可能とな
り、かつ大電流を流すことができる。したがって、高周
波デバイスおよび大電力デバイスが実現可能である。さ
らに、高い絶縁破壊電界を有するので、高耐圧デバイス
が実現可能である。
【０００４】また、ＳｉＣは耐熱性および耐放射線性に
富んでいるので、原子炉、宇宙、海洋、大深度地下など
の過酷な環境で使用できる耐環境デバイスの材料として
期待されている。さらに、ＳｉＣは不純物のドーピング
によりｐ型およびｎ型を容易に作製できるので、青色あ
るいは紫色の光を発光する可視短波長発光デバイスや、
紫外線のような短波長光を検知するセンサの材料として
最も有望視されている。
富んでいるので、原子炉、宇宙、海洋、大深度地下など
の過酷な環境で使用できる耐環境デバイスの材料として
期待されている。さらに、ＳｉＣは不純物のドーピング
によりｐ型およびｎ型を容易に作製できるので、青色あ
るいは紫色の光を発光する可視短波長発光デバイスや、
紫外線のような短波長光を検知するセンサの材料として
最も有望視されている。
【０００５】一般に、半導体にｐ型またはｎ型の不純物
元素をドーピングするためには、熱拡散プロセスが用い
られている。しかしながら、ＳｉＣ中の不純物元素の拡
散係数は小さいため、ＳｉＣ中に不純物元素をドーピン
グするためには１８００℃以上の高温が必要となる。こ
のような高温下では、拡散マスクを使用できない等の問
題がある。そのため、熱拡散プロセスを用いてＳｉＣに
ｐ型またはｎ型の不純物元素をドーピングすることは困
難である。
元素をドーピングするためには、熱拡散プロセスが用い
られている。しかしながら、ＳｉＣ中の不純物元素の拡
散係数は小さいため、ＳｉＣ中に不純物元素をドーピン
グするためには１８００℃以上の高温が必要となる。こ
のような高温下では、拡散マスクを使用できない等の問
題がある。そのため、熱拡散プロセスを用いてＳｉＣに
ｐ型またはｎ型の不純物元素をドーピングすることは困
難である。
【０００６】そこで、ＳｉＣにｐ型またはｎ型の不純物
元素をドーピングするために、イオン注入・アニール法
が研究されてきた。イオン注入・アニール法では、室温
でＳｉＣに不純物元素をイオン注入した後、１６００℃
以上の高熱処理を施すことにより、ＳｉＣ中に不純物元
素をドーピングする。
元素をドーピングするために、イオン注入・アニール法
が研究されてきた。イオン注入・アニール法では、室温
でＳｉＣに不純物元素をイオン注入した後、１６００℃
以上の高熱処理を施すことにより、ＳｉＣ中に不純物元
素をドーピングする。
【０００７】一方、ＳｉＣは広いバンドギャップおよび
化学的安定性を有するので、オーミックコンタクトを形
成するためには、比較的高温の熱処理が必要である。Ｓ
ｉＣにオーミック電極を形成する場合には、ＳｉＣ上に
Ｎｉ（ニッケル）等の電極材料を堆積させ、１０００℃
以上の高熱処理を施すことによりシリサイドを形成す
る。
化学的安定性を有するので、オーミックコンタクトを形
成するためには、比較的高温の熱処理が必要である。Ｓ
ｉＣにオーミック電極を形成する場合には、ＳｉＣ上に
Ｎｉ（ニッケル）等の電極材料を堆積させ、１０００℃
以上の高熱処理を施すことによりシリサイドを形成す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、イオン
注入・アニール法を用いてＳｉＣにｐ型またはｎ型の不
純物元素をドーピングする場合には、室温でＳｉＣに不
純物元素をイオン注入した後、１６００℃以上の高熱処
理を施す必要がある。また、イオン注入により層内に多
くの欠陥が生じるという欠点もある。
注入・アニール法を用いてＳｉＣにｐ型またはｎ型の不
純物元素をドーピングする場合には、室温でＳｉＣに不
純物元素をイオン注入した後、１６００℃以上の高熱処
理を施す必要がある。また、イオン注入により層内に多
くの欠陥が生じるという欠点もある。
【０００９】一方、従来の方法でＳｉＣにオーミック電
極を形成する場合には、上記のように、ＳｉＣ上に電極
材料を堆積させた後、１０００℃以上の高熱処理を施す
必要がある。
極を形成する場合には、上記のように、ＳｉＣ上に電極
材料を堆積させた後、１０００℃以上の高熱処理を施す
必要がある。
【００１０】従来より、低温でＳｉＣに不純物元素をド
ーピングする方法および低温でＳｉＣに電極を形成する
方法を開発することが望まれてきた。それゆえに、本発
明の目的は、低温でＳｉＣに不純物元素をドーピングす
る方法および低温でＳｉＣに電極を形成する方法を提供
することである。
ーピングする方法および低温でＳｉＣに電極を形成する
方法を開発することが望まれてきた。それゆえに、本発
明の目的は、低温でＳｉＣに不純物元素をドーピングす
る方法および低温でＳｉＣに電極を形成する方法を提供
することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る炭化ケ
イ素への不純物ドーピング方法は、不純物元素を含むガ
ス雰囲気中に炭化ケイ素を配置し、炭化ケイ素にレーザ
光を照射することにより炭化ケイ素に不純物元素をドー
ピングするものである。
イ素への不純物ドーピング方法は、不純物元素を含むガ
ス雰囲気中に炭化ケイ素を配置し、炭化ケイ素にレーザ
光を照射することにより炭化ケイ素に不純物元素をドー
ピングするものである。
【００１２】特に、レーザ光としてエキシマレーザ光を
用いることが高出力および波長の点から好ましい。ま
た、レーザ光をパルス状に照射することが好ましい。炭
化ケイ素は、単結晶炭化ケイ素、非晶質炭化ケイ素、多
結晶炭化ケイ素または微結晶炭化ケイ素であってもよ
い。レーザ光の照射回数またはエネルギー密度を制御す
ることにより不純物ドーピング深さを制御することがで
きる。
用いることが高出力および波長の点から好ましい。ま
た、レーザ光をパルス状に照射することが好ましい。炭
化ケイ素は、単結晶炭化ケイ素、非晶質炭化ケイ素、多
結晶炭化ケイ素または微結晶炭化ケイ素であってもよ
い。レーザ光の照射回数またはエネルギー密度を制御す
ることにより不純物ドーピング深さを制御することがで
きる。
【００１３】第２の発明に係る炭化ケイ素への不純物ド
ーピング方法は、炭化ケイ素上に不純物元素を含む不純
物元素層を形成し、不純物元素層にレーザ光を照射する
ことにより炭化ケイ素に不純物元素をドーピングするも
のである。
ーピング方法は、炭化ケイ素上に不純物元素を含む不純
物元素層を形成し、不純物元素層にレーザ光を照射する
ことにより炭化ケイ素に不純物元素をドーピングするも
のである。
【００１４】特に、レーザ光としてエキシマレーザ光を
用いることが高出力および波長の点から好ましい。ま
た、レーザ光をパルス状に照射することが好ましい。炭
化ケイ素は、単結晶炭化ケイ素、非晶質炭化ケイ素、多
結晶炭化ケイ素または微結晶炭化ケイ素であってもよ
い。レーザ光の照射回数またはエネルギー密度を制御す
ることにより不純物ドーピング深さを制御することがで
きる。
用いることが高出力および波長の点から好ましい。ま
た、レーザ光をパルス状に照射することが好ましい。炭
化ケイ素は、単結晶炭化ケイ素、非晶質炭化ケイ素、多
結晶炭化ケイ素または微結晶炭化ケイ素であってもよ
い。レーザ光の照射回数またはエネルギー密度を制御す
ることにより不純物ドーピング深さを制御することがで
きる。
【００１５】第３の発明に係る炭化ケイ素への電極形成
方法は、炭化ケイ素上に電極材料層を形成し、電極材料
層にレーザ光を照射することにより炭化ケイ素上に金属
またはシリサイドのオーミック電極またはショットキー
電極を形成するものである。
方法は、炭化ケイ素上に電極材料層を形成し、電極材料
層にレーザ光を照射することにより炭化ケイ素上に金属
またはシリサイドのオーミック電極またはショットキー
電極を形成するものである。
【００１６】特に、レーザ光としてエキシマレーザ光を
用いることが高出力および波長の点から好ましい。ま
た、レーザ光をパルス状に照射することが好ましい。炭
化ケイ素は、単結晶炭化ケイ素、非晶質炭化ケイ素、多
結晶炭化ケイ素または微結晶炭化ケイ素であってもよ
い。
用いることが高出力および波長の点から好ましい。ま
た、レーザ光をパルス状に照射することが好ましい。炭
化ケイ素は、単結晶炭化ケイ素、非晶質炭化ケイ素、多
結晶炭化ケイ素または微結晶炭化ケイ素であってもよ
い。
【００１７】
【作用】第１の発明に係る炭化ケイ素への不純物ドーピ
ング方法によれば、不純物元素を含むガス雰囲気中の炭
化ケイ素にレーザ光を照射することにより光反応が起こ
り、室温下においてガス雰囲気中の不純物元素が炭化ケ
イ素にドープされる。特に、エキシマレーザ光を用いる
ことにより高出力の光エネルギーを容易に取り出すこと
ができる。また、レーザ光をパルス状に照射することに
より光反応を効果的に起こすことができる。
ング方法によれば、不純物元素を含むガス雰囲気中の炭
化ケイ素にレーザ光を照射することにより光反応が起こ
り、室温下においてガス雰囲気中の不純物元素が炭化ケ
イ素にドープされる。特に、エキシマレーザ光を用いる
ことにより高出力の光エネルギーを容易に取り出すこと
ができる。また、レーザ光をパルス状に照射することに
より光反応を効果的に起こすことができる。
【００１８】第２の発明に係る炭化ケイ素への不純物ド
ーピング方法によれば、炭化ケイ素上の不純物元素層に
レーザ光を照射することにより光反応が起こり、室温下
において不純物元素層の不純物元素が炭化ケイ素にドー
プされる。特に、エキシマレーザ光を用いることにより
高出力の光エネルギーを容易に取り出すことができる。
また、レーザ光をパルス状に照射することにより光反応
を効果的に起こすことができる。
ーピング方法によれば、炭化ケイ素上の不純物元素層に
レーザ光を照射することにより光反応が起こり、室温下
において不純物元素層の不純物元素が炭化ケイ素にドー
プされる。特に、エキシマレーザ光を用いることにより
高出力の光エネルギーを容易に取り出すことができる。
また、レーザ光をパルス状に照射することにより光反応
を効果的に起こすことができる。
【００１９】第３の発明に係る炭化ケイ素への電極形成
方法によれば、炭化ケイ素上の電極材料層にレーザ光を
照射することにより光反応が起こり、室温下において電
極材料層の電極材料が炭化ケイ素の表面層にシンターし
（電極材料が合金を作らずに炭化ケイ素中に入り）、あ
るいは電極材料が炭化ケイ素のケイ素と反応してシリサ
イドが形成される。特に、エキシマレーザ光を用いるこ
とにより高出力の光エネルギーを容易に取り出すことが
できる。また、レーザ光をパルス状に照射することによ
り光反応を効果的に起こすことができる。
方法によれば、炭化ケイ素上の電極材料層にレーザ光を
照射することにより光反応が起こり、室温下において電
極材料層の電極材料が炭化ケイ素の表面層にシンターし
（電極材料が合金を作らずに炭化ケイ素中に入り）、あ
るいは電極材料が炭化ケイ素のケイ素と反応してシリサ
イドが形成される。特に、エキシマレーザ光を用いるこ
とにより高出力の光エネルギーを容易に取り出すことが
できる。また、レーザ光をパルス状に照射することによ
り光反応を効果的に起こすことができる。
【００２０】
（１） 第１の実施例 図１は本発明の第１の実施例による不純物ドーピング方
法を示す図である。図１の（ａ）に示すように、ｐ型ま
たはｎ型の不純物元素を含む反応ガス２の雰囲気中にｎ
型またはｐ型のＳｉＣ基板１を配置し、室温でＳｉＣ基
板１の表面にエキシマレーザ光３をパルス状に照射す
る。
法を示す図である。図１の（ａ）に示すように、ｐ型ま
たはｎ型の不純物元素を含む反応ガス２の雰囲気中にｎ
型またはｐ型のＳｉＣ基板１を配置し、室温でＳｉＣ基
板１の表面にエキシマレーザ光３をパルス状に照射す
る。
【００２１】その結果、図１の（ｂ）に示すように、反
応ガス２中の不純物元素がＳｉＣ基板１にドープされ、
ＳｉＣ基板１の表面から所定の深さまで不純物ドープ層
４が形成される。
応ガス２中の不純物元素がＳｉＣ基板１にドープされ、
ＳｉＣ基板１の表面から所定の深さまで不純物ドープ層
４が形成される。
【００２２】ＳｉＣ基板１としては、６Ｈ−ＳｉＣ、３
Ｃ−ＳｉＣ等の各種ポリタイプの単結晶ＳｉＣ基板を用
いることができる。なお、表面に非晶質ＳｉＣ層、多結
晶ＳｉＣ層または微結晶ＳｉＣ層が形成された基板を用
いてもよい。
Ｃ−ＳｉＣ等の各種ポリタイプの単結晶ＳｉＣ基板を用
いることができる。なお、表面に非晶質ＳｉＣ層、多結
晶ＳｉＣ層または微結晶ＳｉＣ層が形成された基板を用
いてもよい。
【００２３】ｐ型不純物としてＡｌ（アルミニウム）を
ドーピングする場合には、反応ガス２として（ＣＨ3 ）
3 Ａｌ（トリメチルアルミニウム）を用い、ｐ型不純物
としてＢ（ボロン）をドーピングする場合には、反応ガ
ス２としてＢ2 Ｈ6 （ジボラン）を用いる。また、ｎ型
不純物としてＮ（窒素）をドーピングする場合には、反
応ガス２としてＮ2 を用い、ｎ型不純物としてＰ（リ
ン）をドーピングする場合には、反応ガス２としてＰＨ
3 （フォスフィン）を用いる。
ドーピングする場合には、反応ガス２として（ＣＨ3 ）
3 Ａｌ（トリメチルアルミニウム）を用い、ｐ型不純物
としてＢ（ボロン）をドーピングする場合には、反応ガ
ス２としてＢ2 Ｈ6 （ジボラン）を用いる。また、ｎ型
不純物としてＮ（窒素）をドーピングする場合には、反
応ガス２としてＮ2 を用い、ｎ型不純物としてＰ（リ
ン）をドーピングする場合には、反応ガス２としてＰＨ
3 （フォスフィン）を用いる。
【００２４】図２は本実施例で試料の作製に用いた実験
装置の概略図である。反応室１０の所定箇所に石英ガラ
ス窓１１が設けられ、反応室１０内の石英ガラス窓１１
の後方にＳｉＣ基板１が基板ホルダ（図示せず）を用い
て設置される。反応室１０内にはガス導入口１２を通じ
て反応ガス２が導入される。反応室１０内の反応ガス２
はターボ分子ポンプ１３により所定の圧力に保たれる。
エキシマレーザ１４から出射されたエキシマレーザ光３
はレンズ１５により石英ガラス窓１１を通して反応室１
０内のＳｉＣ基板１の表面に集光される。
装置の概略図である。反応室１０の所定箇所に石英ガラ
ス窓１１が設けられ、反応室１０内の石英ガラス窓１１
の後方にＳｉＣ基板１が基板ホルダ（図示せず）を用い
て設置される。反応室１０内にはガス導入口１２を通じ
て反応ガス２が導入される。反応室１０内の反応ガス２
はターボ分子ポンプ１３により所定の圧力に保たれる。
エキシマレーザ１４から出射されたエキシマレーザ光３
はレンズ１５により石英ガラス窓１１を通して反応室１
０内のＳｉＣ基板１の表面に集光される。
【００２５】表１に本実施例における試料の作製条件を
示す。
示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１に示すように、ＳｉＣ基板１としてｎ
型の６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（Ｎドープ：１×１０18ｃ
ｍ-3，（０００１）基底面）を用い、反応ガス２として
Ｈ2 および（ＣＨ3 ）3 Ａｌの混合ガスを用いた。Ｈ2
と（ＣＨ3 ）3 Ａｌの体積比は９９．８：０．２とし、
反応室１０内の圧力を１００Ｔｏｒｒに保った。エキシ
マレーザ１４として波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザを用い、エキシマレーザ光３をＳｉＣ基板１の約２
×４ｍｍ2 の領域に集光した。ＳｉＣ基板１上でのレー
ザ照射のエネルギー密度は１．５Ｊ／ｃｍ2 であった。
エキシマレーザ光３の照射は、１Ｈｚで１０００発（シ
ョット）行った。各パルスの照射時間は２０ｎｓとし、
パルス半値幅を１０ｎｓとした。エキシマレーザ光３の
照射中、ＳｉＣ基板１は室温に保った。
型の６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（Ｎドープ：１×１０18ｃ
ｍ-3，（０００１）基底面）を用い、反応ガス２として
Ｈ2 および（ＣＨ3 ）3 Ａｌの混合ガスを用いた。Ｈ2
と（ＣＨ3 ）3 Ａｌの体積比は９９．８：０．２とし、
反応室１０内の圧力を１００Ｔｏｒｒに保った。エキシ
マレーザ１４として波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザを用い、エキシマレーザ光３をＳｉＣ基板１の約２
×４ｍｍ2 の領域に集光した。ＳｉＣ基板１上でのレー
ザ照射のエネルギー密度は１．５Ｊ／ｃｍ2 であった。
エキシマレーザ光３の照射は、１Ｈｚで１０００発（シ
ョット）行った。各パルスの照射時間は２０ｎｓとし、
パルス半値幅を１０ｎｓとした。エキシマレーザ光３の
照射中、ＳｉＣ基板１は室温に保った。
【００２８】このようにしてＡｌがドープされたＳｉＣ
基板１を用いてＳｉＣダイオード試料を作製した。図３
の（ａ）はＡｌがドープされたＳｉＣ基板１の平面図で
あり、図３の（ｂ）はＳｉＣダイオード試料の構造を模
式的に示す断面図である。
基板１を用いてＳｉＣダイオード試料を作製した。図３
の（ａ）はＡｌがドープされたＳｉＣ基板１の平面図で
あり、図３の（ｂ）はＳｉＣダイオード試料の構造を模
式的に示す断面図である。
【００２９】図３の（ａ）に示すように、ＳｉＣ基板１
のＡｌドープ領域４ａを、破線で示すように、１×１．
５ｍｍ2 の寸法および０．３ｍｍの厚さを有する平面ダ
イオードにカットした。そして、図３の（ｂ）に示すよ
うに、ＳｉＣ基板１の裏面に電気スポット溶接プロセス
を用いて細いニッケル線２１を溶接することによりｎ型
コンタクト部２２を形成し、Ａｌがドープされた不純物
ドープ層４の表面に銀塗料を塗布して細いニッケル線２
３を接続することによりｐ型コンタクト部２４を形成し
た。
のＡｌドープ領域４ａを、破線で示すように、１×１．
５ｍｍ2 の寸法および０．３ｍｍの厚さを有する平面ダ
イオードにカットした。そして、図３の（ｂ）に示すよ
うに、ＳｉＣ基板１の裏面に電気スポット溶接プロセス
を用いて細いニッケル線２１を溶接することによりｎ型
コンタクト部２２を形成し、Ａｌがドープされた不純物
ドープ層４の表面に銀塗料を塗布して細いニッケル線２
３を接続することによりｐ型コンタクト部２４を形成し
た。
【００３０】このようにして作製されたＳｉＣダイオー
ド試料の電流−電圧特性を測定した。図４は図３のＳｉ
Ｃダイオード試料の室温での電流−電圧特性を示す図で
ある。
ド試料の電流−電圧特性を測定した。図４は図３のＳｉ
Ｃダイオード試料の室温での電流−電圧特性を示す図で
ある。
【００３１】図４の電流−電圧特性は、比較的低い漏れ
電流を有するダイオードの整流特性を示している。漏れ
電流は、５Ｖの逆バイアスで５μＡであり、１０Ｖの逆
バイアスで１０μＡであった。この結果は、室温でＳｉ
Ｃ基板１にドープされたＡｌ原子が熱処理なしに電気的
に活性化されていることを明白に示している。この整流
特性は１０００℃で５分のアニーリングを行っても変化
しなかった。
電流を有するダイオードの整流特性を示している。漏れ
電流は、５Ｖの逆バイアスで５μＡであり、１０Ｖの逆
バイアスで１０μＡであった。この結果は、室温でＳｉ
Ｃ基板１にドープされたＡｌ原子が熱処理なしに電気的
に活性化されていることを明白に示している。この整流
特性は１０００℃で５分のアニーリングを行っても変化
しなかった。
【００３２】図５は本実施例においてＡｌドープされた
ＳｉＣ基板１の深さ方向の分布の測定結果を示す図であ
る。この深さ方向の分布はＳＩＭＳ（二次イオン質量分
析）により測定し、Ａｌの濃度は標準試料により更正し
たものである。
ＳｉＣ基板１の深さ方向の分布の測定結果を示す図であ
る。この深さ方向の分布はＳＩＭＳ（二次イオン質量分
析）により測定し、Ａｌの濃度は標準試料により更正し
たものである。
【００３３】図５から、Ａｌ原子は表面から約０．０５
μｍの深さまでドープされ、１×１０22ｃｍ-3の最大濃
度で矩形形状の分布となっていることがわかる。１×１
０22ｃｍ-3の濃度はＳＩＭＳの検出限界であるので、実
際には、１×１０22ｃｍ-3以上の濃度のＡｌ原子がドー
プされているものと推測される。
μｍの深さまでドープされ、１×１０22ｃｍ-3の最大濃
度で矩形形状の分布となっていることがわかる。１×１
０22ｃｍ-3の濃度はＳＩＭＳの検出限界であるので、実
際には、１×１０22ｃｍ-3以上の濃度のＡｌ原子がドー
プされているものと推測される。
【００３４】本実施例の不純物ドーピング方法において
は、反応ガス２の圧力、エキシマレーザ光３のパルス
数、エキシマレーザ光３の照射エネルギー密度またはエ
キシマレーザ光３の波長を変化させることにより、Ｓｉ
Ｃ基板１中の不純物元素のドープ量を制御することがで
きる。
は、反応ガス２の圧力、エキシマレーザ光３のパルス
数、エキシマレーザ光３の照射エネルギー密度またはエ
キシマレーザ光３の波長を変化させることにより、Ｓｉ
Ｃ基板１中の不純物元素のドープ量を制御することがで
きる。
【００３５】以上のように、上記実施例のドーピング方
法によれば、室温でＳｉＣ基板１にｐ−ｎ接合を形成す
ることができ、ｐ−ｎ接合の電流−電圧特性は低い漏れ
電流で整流特性を示す。また、ＳｉＣ基板１の表面に高
濃度のＡｌがドープされるので、オーミックコンタクト
を容易にとることができる。したがって、上記実施例の
ドーピング方法を用いることにより種々のＳｉＣデバイ
スを室温で容易に作製することが可能になる。
法によれば、室温でＳｉＣ基板１にｐ−ｎ接合を形成す
ることができ、ｐ−ｎ接合の電流−電圧特性は低い漏れ
電流で整流特性を示す。また、ＳｉＣ基板１の表面に高
濃度のＡｌがドープされるので、オーミックコンタクト
を容易にとることができる。したがって、上記実施例の
ドーピング方法を用いることにより種々のＳｉＣデバイ
スを室温で容易に作製することが可能になる。
【００３６】（２） 第２の実施例 図６は本発明の第２の実施例による不純物ドーピング方
法を示す図である。図６の（ａ）に示すように、ｎ型ま
たはｐ型のＳｉＣ基板１上にｐ型またはｎ型の不純物元
素を含む不純物元素層５を堆積させた後、室温でＳｉＣ
基板１上の不純物元素層５の表面にエキシマレーザ光３
をパルス状に照射する。
法を示す図である。図６の（ａ）に示すように、ｎ型ま
たはｐ型のＳｉＣ基板１上にｐ型またはｎ型の不純物元
素を含む不純物元素層５を堆積させた後、室温でＳｉＣ
基板１上の不純物元素層５の表面にエキシマレーザ光３
をパルス状に照射する。
【００３７】その結果、図６の（ｂ）に示すように、不
純物元素層５内の不純物元素がＳｉＣ基板１にドープさ
れ、不純物元素層５下のＳｉＣ基板１に不純物ドープ層
６が形成される。
純物元素層５内の不純物元素がＳｉＣ基板１にドープさ
れ、不純物元素層５下のＳｉＣ基板１に不純物ドープ層
６が形成される。
【００３８】ＳｉＣ基板１としては、第１の実施例と同
様に、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ等の各種ポリタイプ
の単結晶ＳｉＣ基板を用いることができる。また、表面
に非晶質ＳｉＣ層、多結晶ＳｉＣ層または微結晶ＳｉＣ
層が形成された基板を用いてもよい。
様に、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ等の各種ポリタイプ
の単結晶ＳｉＣ基板を用いることができる。また、表面
に非晶質ＳｉＣ層、多結晶ＳｉＣ層または微結晶ＳｉＣ
層が形成された基板を用いてもよい。
【００３９】例えば、ｐ型不純物としてＡｌをドーピン
グする場合には、不純物元素層５としてＡｌをＳｉＣ基
板１上に蒸着する。また、ｐ型不純物としてＢをドーピ
ングする場合には、不純物元素層５としてＢ2 Ｏ3 をＳ
ｉＣ基板１上に蒸着する。
グする場合には、不純物元素層５としてＡｌをＳｉＣ基
板１上に蒸着する。また、ｐ型不純物としてＢをドーピ
ングする場合には、不純物元素層５としてＢ2 Ｏ3 をＳ
ｉＣ基板１上に蒸着する。
【００４０】本実施例では、第１の実施例と同様に、図
２の実験装置を用いて試料を作製した。表２に本実施例
における試料の作製条件を示す。
２の実験装置を用いて試料を作製した。表２に本実施例
における試料の作製条件を示す。
【００４１】
【表２】
【００４２】表２に示すように、ＳｉＣ基板１としてｎ
型の６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（Ｎドープ：１×１０18ｃ
ｍ-3，（０００１）基底面）を用い、反応室１０内のＳ
ｉＣ基板１の表面に蒸着により膜厚２０００ÅのＡｌか
らなる不純物元素層５を形成した。蒸着時の反応室１０
内の真空度は１．５×１０-6Ｔｏｒｒであった。第１の
実施例と同様に、エキシマレーザ１４として波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用い、反応室１０内のＳ
ｉＣ基板１上の不純物元素層５の表面にエネルギー密度
１Ｊ／ｃｍ2 でエキシマレーザ光３を照射した。エキシ
マレーザ光３の照射は４発（ショット）行った。各パル
スの照射時間は２０ｎｓとし、パルス半値幅を１０ｎｓ
とした。エキシマレーザ光３の照射中、ＳｉＣ基板１は
室温に保ち、反応室１０内の真空度は５×１０-7Ｔｏｒ
ｒに保った。その後、ＳｉＣ基板１を王水で１分および
ＨＦ（フッ化水素）の１０％溶液で１分洗浄して表面の
不純物元素層５を除去した。
型の６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（Ｎドープ：１×１０18ｃ
ｍ-3，（０００１）基底面）を用い、反応室１０内のＳ
ｉＣ基板１の表面に蒸着により膜厚２０００ÅのＡｌか
らなる不純物元素層５を形成した。蒸着時の反応室１０
内の真空度は１．５×１０-6Ｔｏｒｒであった。第１の
実施例と同様に、エキシマレーザ１４として波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用い、反応室１０内のＳ
ｉＣ基板１上の不純物元素層５の表面にエネルギー密度
１Ｊ／ｃｍ2 でエキシマレーザ光３を照射した。エキシ
マレーザ光３の照射は４発（ショット）行った。各パル
スの照射時間は２０ｎｓとし、パルス半値幅を１０ｎｓ
とした。エキシマレーザ光３の照射中、ＳｉＣ基板１は
室温に保ち、反応室１０内の真空度は５×１０-7Ｔｏｒ
ｒに保った。その後、ＳｉＣ基板１を王水で１分および
ＨＦ（フッ化水素）の１０％溶液で１分洗浄して表面の
不純物元素層５を除去した。
【００４３】このようにしてＡｌがドープされたＳｉＣ
基板１の深さ方向のＡｌの分布をＳＩＭＳにより測定し
た。図７は深さ方向のＡｌの分布の測定結果を示す図で
ある。図７から、Ａｌ原子は表面に近いほど高濃度でド
ープされていることがわかる。
基板１の深さ方向のＡｌの分布をＳＩＭＳにより測定し
た。図７は深さ方向のＡｌの分布の測定結果を示す図で
ある。図７から、Ａｌ原子は表面に近いほど高濃度でド
ープされていることがわかる。
【００４４】本実施例の不純物ドーピング方法において
は、ＳｉＣ基板１上に堆積させる不純物元素層３の膜厚
と照射回数を変化させ、エネルギー密度を制御すること
により、ＳｉＣ基板１中の不純物元素のドープ量を制御
することができる。
は、ＳｉＣ基板１上に堆積させる不純物元素層３の膜厚
と照射回数を変化させ、エネルギー密度を制御すること
により、ＳｉＣ基板１中の不純物元素のドープ量を制御
することができる。
【００４５】以上のように、本実施例のドーピング方法
によれば、室温でＳｉＣ基板１にｐ−ｎ接合を形成する
ことができ、ＳｉＣ基板１の表面に近いほど高濃度のＡ
ｌがドープされるので、オーミックコンタクトを容易に
とることができる。したがって、上記実施例のドーピン
グ方法を用いることにより種々のＳｉＣデバイスを室温
で容易に作製することが可能になる。
によれば、室温でＳｉＣ基板１にｐ−ｎ接合を形成する
ことができ、ＳｉＣ基板１の表面に近いほど高濃度のＡ
ｌがドープされるので、オーミックコンタクトを容易に
とることができる。したがって、上記実施例のドーピン
グ方法を用いることにより種々のＳｉＣデバイスを室温
で容易に作製することが可能になる。
【００４６】（３） 第３の実施例 図８は本発明の第３の実施例による電極形成方法を示す
図である。図８の（ａ）に示すように、ｎ型またはｐ型
のＳｉＣ基板１上に電極材料層７を堆積させた後、室温
でＳｉＣ基板１上の電極材料層７の表面にエキシマレー
ザ光３をパルス状に照射する。その結果、図８の（ｂ）
に示すように、電極材料層７下のＳｉＣ基板１にシンタ
ー層またはシリサイド層８が形成される。このようにし
て形成されたシンターまたはシリサイド電極においては
オーミック特性が得られる。また、電極材料としてＡｕ
を用いることにより、ショットキー電極が得られる。
図である。図８の（ａ）に示すように、ｎ型またはｐ型
のＳｉＣ基板１上に電極材料層７を堆積させた後、室温
でＳｉＣ基板１上の電極材料層７の表面にエキシマレー
ザ光３をパルス状に照射する。その結果、図８の（ｂ）
に示すように、電極材料層７下のＳｉＣ基板１にシンタ
ー層またはシリサイド層８が形成される。このようにし
て形成されたシンターまたはシリサイド電極においては
オーミック特性が得られる。また、電極材料としてＡｕ
を用いることにより、ショットキー電極が得られる。
【００４７】ＳｉＣ基板１としては、第１および第２の
実施例と同様に、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ等の各種
ポリタイプの単結晶ＳｉＣ基板を用いることができる。
また、表面に非晶質ＳｉＣ層、多結晶ＳｉＣ層または微
結晶ＳｉＣ層が形成された基板を用いてもよい。
実施例と同様に、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ等の各種
ポリタイプの単結晶ＳｉＣ基板を用いることができる。
また、表面に非晶質ＳｉＣ層、多結晶ＳｉＣ層または微
結晶ＳｉＣ層が形成された基板を用いてもよい。
【００４８】例えば、ｎ型電極を形成する場合には、電
極材料層７としてＳｉＣ基板１上にＮｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔ
ａ等の金属の単一層、これらのいずれかと他の材料との
合金層（例えば、ＡｕＴａ）、あるいはこれらのいずれ
かと他の材料との積層膜を形成する。また、ｐ型電極を
形成する場合には、電極材料層７としてＳｉＣ基板１上
にＡｌ等の金属の単一層、Ａｌ等の金属と他の材料との
合金層（例えば、ＡｌＴｉ，ＡｌＳｉ）、あるいはＡｌ
等の金属と他の材料との積層膜を形成する。電極材料層
７の形成方法としては、電子ビーム蒸着法、金属ペース
トの塗布等を用いる。また、ガス中に放置することによ
りＳｉＣ基板１上に電極材料層７を形成することも可能
である。例えば、真空容器中にＳｉＣ基板１を設置し、
真空容器内を１０-7Ｔｏｒｒ台の真空状態にした後、真
空容器内を５００Ｔｏｒｒ程度の（ＣＨ3 ）3 Ａｌ雰囲
気に保持する。
極材料層７としてＳｉＣ基板１上にＮｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔ
ａ等の金属の単一層、これらのいずれかと他の材料との
合金層（例えば、ＡｕＴａ）、あるいはこれらのいずれ
かと他の材料との積層膜を形成する。また、ｐ型電極を
形成する場合には、電極材料層７としてＳｉＣ基板１上
にＡｌ等の金属の単一層、Ａｌ等の金属と他の材料との
合金層（例えば、ＡｌＴｉ，ＡｌＳｉ）、あるいはＡｌ
等の金属と他の材料との積層膜を形成する。電極材料層
７の形成方法としては、電子ビーム蒸着法、金属ペース
トの塗布等を用いる。また、ガス中に放置することによ
りＳｉＣ基板１上に電極材料層７を形成することも可能
である。例えば、真空容器中にＳｉＣ基板１を設置し、
真空容器内を１０-7Ｔｏｒｒ台の真空状態にした後、真
空容器内を５００Ｔｏｒｒ程度の（ＣＨ3 ）3 Ａｌ雰囲
気に保持する。
【００４９】本実施例においても、図２の実験装置を用
いて試料を作製した。図９は本実施例において作製され
た試料の構造を模式的に示す断面図である。また、表３
に本実施例における試料の作製条件を示す。
いて試料を作製した。図９は本実施例において作製され
た試料の構造を模式的に示す断面図である。また、表３
に本実施例における試料の作製条件を示す。
【００５０】
【表３】
【００５１】表３に示すように、第１および第２の実施
例と同様に、ＳｉＣ基板１としてｎ型の６Ｈ−ＳｉＣ単
結晶（Ｎドープ：１×１０18ｃｍ-3，（０００１）基底
面）およびｐ型の６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（Ｐドープ：２×
１０18ｃｍ-3，（０００１）基底面）を用い、電子ビー
ム蒸着法により、図９の（ａ）に示すようにＳｉＣ基板
１上に２つの電極材料層７ａ，７ｂを形成した。
例と同様に、ＳｉＣ基板１としてｎ型の６Ｈ−ＳｉＣ単
結晶（Ｎドープ：１×１０18ｃｍ-3，（０００１）基底
面）およびｐ型の６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（Ｐドープ：２×
１０18ｃｍ-3，（０００１）基底面）を用い、電子ビー
ム蒸着法により、図９の（ａ）に示すようにＳｉＣ基板
１上に２つの電極材料層７ａ，７ｂを形成した。
【００５２】ｎ型電極を形成する場合には、ＳｉＣ基板
１としてｎ型のＳｉＣ単結晶基板を用い、電極材料層７
としてＮｉ、Ｔｉ、ＷおよびＡｕＴａを用いた。ｐ型電
極を形成する場合には、ＳｉＣ基板１としてｐ型のＳｉ
Ｃ単結晶基板を用い、電極材料層７ａ，７ｂとしてＡ
ｌ，ＡｌＴａ，ＡｌＳｉを用いた。電極材料層７ａ，７
ｂの膜厚は５００Å以下とした。
１としてｎ型のＳｉＣ単結晶基板を用い、電極材料層７
としてＮｉ、Ｔｉ、ＷおよびＡｕＴａを用いた。ｐ型電
極を形成する場合には、ＳｉＣ基板１としてｐ型のＳｉ
Ｃ単結晶基板を用い、電極材料層７ａ，７ｂとしてＡ
ｌ，ＡｌＴａ，ＡｌＳｉを用いた。電極材料層７ａ，７
ｂの膜厚は５００Å以下とした。
【００５３】第１および第２の実施例と同様に、エキシ
マレーザ１４として波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザを用い、反応室１０内のＳｉＣ基板１上の電極材料
層７ａ，７ｂにエネルギー密度２Ｊ／ｃｍ2 でエキシマ
レーザ光３を照射した。エキシマレーザ光３の照射は１
〜１０発（ショット）行った。各パルスの照射時間は２
０ｎｓとし、パルス半値幅を１０ｎｓとした。反応室１
０内は、約５００Ｔｏｒｒ以下のＡｒ（アルゴン）雰囲
気あるいは真空に保った。エキシマレーザ光３の照射
中、ＳｉＣ基板１は室温に保った。
マレーザ１４として波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザを用い、反応室１０内のＳｉＣ基板１上の電極材料
層７ａ，７ｂにエネルギー密度２Ｊ／ｃｍ2 でエキシマ
レーザ光３を照射した。エキシマレーザ光３の照射は１
〜１０発（ショット）行った。各パルスの照射時間は２
０ｎｓとし、パルス半値幅を１０ｎｓとした。反応室１
０内は、約５００Ｔｏｒｒ以下のＡｒ（アルゴン）雰囲
気あるいは真空に保った。エキシマレーザ光３の照射
中、ＳｉＣ基板１は室温に保った。
【００５４】このようにして作製された試料の電極材料
層７ａ，７ｂ間に、図９の（ｂ）に示すように電圧を印
加してテスターにより電流−電圧特性を測定した。その
結果、電極材料層７ａ，７ｂ下のＳｉＣ基板１にそれぞ
れ形成されたシリサイド層８ａ，８ｂによりオーミック
コンタクトが得られていることを確認した。
層７ａ，７ｂ間に、図９の（ｂ）に示すように電圧を印
加してテスターにより電流−電圧特性を測定した。その
結果、電極材料層７ａ，７ｂ下のＳｉＣ基板１にそれぞ
れ形成されたシリサイド層８ａ，８ｂによりオーミック
コンタクトが得られていることを確認した。
【００５５】以上のように、上記実施例の電極形成方法
によれば、室温でＳｉＣ基板１にシリサイド電極を形成
することができ、オーミックコンタクトを容易にとるこ
とができる。また、微小領域でも広い領域でも容易にオ
ーミック電極を形成することができる。したがって、上
記実施例の電極形成方法を用いることにより種々のＳｉ
Ｃデバイスを室温で容易に作製することが可能となる。
によれば、室温でＳｉＣ基板１にシリサイド電極を形成
することができ、オーミックコンタクトを容易にとるこ
とができる。また、微小領域でも広い領域でも容易にオ
ーミック電極を形成することができる。したがって、上
記実施例の電極形成方法を用いることにより種々のＳｉ
Ｃデバイスを室温で容易に作製することが可能となる。
【００５６】
【発明の効果】第１の発明によれば、低温で炭化ケイ素
に不純物元素をドーピングすることができる。したがっ
て、種々の環境で使用可能な半導体デバイスの製造が容
易になる。
に不純物元素をドーピングすることができる。したがっ
て、種々の環境で使用可能な半導体デバイスの製造が容
易になる。
【００５７】第２の発明によれば、低温で炭化ケイ素に
不純物をドーピングすることができる。したがって、種
々の環境で使用可能な半導体デバイスの製造が容易にな
る。第３の発明によれば、低温で炭化ケイ素に金属また
はシリサイドのオーミック電極またはショットキー電極
を形成することができる。したがって、種々の環境で使
用可能な半導体デバイスの製造が容易になる。
不純物をドーピングすることができる。したがって、種
々の環境で使用可能な半導体デバイスの製造が容易にな
る。第３の発明によれば、低温で炭化ケイ素に金属また
はシリサイドのオーミック電極またはショットキー電極
を形成することができる。したがって、種々の環境で使
用可能な半導体デバイスの製造が容易になる。
【図１】本発明の第１の実施例による不純物ドーピング
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図２】試料の作製に用いた実験装置の概略図である。
【図３】ＡｌがドープされたＳｉＣ基板の平面図、およ
びＳｉＣダイオード試料の構造を模式的に示す断面図で
ある。
びＳｉＣダイオード試料の構造を模式的に示す断面図で
ある。
【図４】図３のＳｉＣダイオード試料の室温での電流−
電圧特性を示す図である。
電圧特性を示す図である。
【図５】第１の実施例においてＡｌドープされたＳｉＣ
基板の深さ方向の分布の測定結果を示す図である。
基板の深さ方向の分布の測定結果を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施例による不純物ドーピング
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図７】第２の実施例においてＡｌドープされたＳｉＣ
基板の深さ方向のＡｌの分布の測定結果を示す図であ
る。
基板の深さ方向のＡｌの分布の測定結果を示す図であ
る。
【図８】本発明の第３の実施例による電極形成方法を示
す図である。
す図である。
【図９】第３の実施例において作製された試料の構造を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
１ ＳｉＣ基板 ２ 反応ガス ３ エキシマレーザ光 ４ 不純物ドープ層 ５ 不純物元素層 ６ 不純物ドープ層 ７，７ａ，７ｂ 電極材料層 ８，８ａ，８ｂ シリサイド層 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 正則 大阪府枚方市大字津田4547−15 株式会社 イオン工学研究所内 (72)発明者 中田 俊武 大阪府枚方市大字津田4547−15 株式会社 イオン工学研究所内 (72)発明者 中嶋 堅志郎 愛知県名古屋市名東区猪高町高針原10−22 (72)発明者 江龍 修 愛知県名古屋市昭和区狭間町27 狭間住宅 １−25
Claims (4)
- 【請求項１】 不純物元素を含むガス雰囲気中に炭化ケ
イ素を配置し、前記炭化ケイ素にレーザ光を照射するこ
とにより前記炭化ケイ素に前記不純物元素をドーピング
することを特徴とする炭化ケイ素への不純物ドーピング
方法。 - 【請求項２】 炭化ケイ素上に不純物元素を含む不純物
元素層を形成し、前記不純物元素層にレーザ光を照射す
ることにより前記炭化ケイ素に前記不純物元素をドーピ
ングすることを特徴とする炭化ケイ素への不純物ドーピ
ング方法。 - 【請求項３】 レーザ光の照射回数またはエネルギー密
度を制御することにより不純物ドーピング深さを制御す
ることを特徴とする請求項１または２記載の炭素ケイ素
への不純物ドーピング方法。 - 【請求項４】 炭化ケイ素上に電極材料層を形成し、前
記電極材料層にレーザ光を照射することにより前記炭化
ケイ素上に金属またはシリサイドのオーミック電極また
はショットキー電極を形成することを特徴とする炭化ケ
イ素への電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217085A JPH08264468A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217085A JPH08264468A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264468A true JPH08264468A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=16698600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217085A Pending JPH08264468A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264468A (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20040046644A (ko) * | 2002-11-28 | 2004-06-05 | 이형규 | 레이저 활성화를 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
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| JP2014116365A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置 |
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| CN106067415A (zh) * | 2015-04-24 | 2016-11-02 | 富士电机株式会社 | 碳化硅半导体装置的制造方法 |
| JP2017045962A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 国立大学法人九州大学 | 不純物導入装置、不純物導入方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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| CN108400311A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-14 | 济南大学 | 一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料及其原位制备方法 |
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