JPH08269727A - 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法 - Google Patents
無電解パラジウムめっき液及びめっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 パラジウム化合物と、次亜リン酸及びその
塩、亜リン酸及びその塩並びに水素化ホウ素化物及びア
ミンボラン類から選ばれる還元剤と、アンモニア及びア
ミン類から選ばれる錯化剤とを含有する無電解パラジウ
ムめっき液に、チオ硫酸塩、ポリチオン酸塩、亜二チオ
ン酸塩、亜硫酸塩及び二チオン酸塩から選ばれる無機硫
黄化合物を添加してなることを特徴とする無電解パラジ
ウムめっき液。 【効果】 本発明の無電解パラジウムめっき液は、浴の
安定性が高く、このため高温でめっき作業を支障なく行
うことができ、また析出速度が大きいと共に、皮膜物性
に優れ、クラック発生がなく、半田濡れ性、ボンディン
グ性に優れためっき皮膜を与えるものである。
塩、亜リン酸及びその塩並びに水素化ホウ素化物及びア
ミンボラン類から選ばれる還元剤と、アンモニア及びア
ミン類から選ばれる錯化剤とを含有する無電解パラジウ
ムめっき液に、チオ硫酸塩、ポリチオン酸塩、亜二チオ
ン酸塩、亜硫酸塩及び二チオン酸塩から選ばれる無機硫
黄化合物を添加してなることを特徴とする無電解パラジ
ウムめっき液。 【効果】 本発明の無電解パラジウムめっき液は、浴の
安定性が高く、このため高温でめっき作業を支障なく行
うことができ、また析出速度が大きいと共に、皮膜物性
に優れ、クラック発生がなく、半田濡れ性、ボンディン
グ性に優れためっき皮膜を与えるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品等へのボンデ
ィング用めっきなどとして好適に用いられる無電解パラ
ジウムめっき液及びめっき方法に関する。
ィング用めっきなどとして好適に用いられる無電解パラ
ジウムめっき液及びめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
電子機器の接合技術としては、無電解ニッケルめっき／
無電解金めっきプロセスが主流であるが、最近において
は電子部品等をコストダウンさせることが要望され、こ
のためコストの高い無電解金めっきに代えて無電解パラ
ジウムめっきが注目されるようになってきた。
電子機器の接合技術としては、無電解ニッケルめっき／
無電解金めっきプロセスが主流であるが、最近において
は電子部品等をコストダウンさせることが要望され、こ
のためコストの高い無電解金めっきに代えて無電解パラ
ジウムめっきが注目されるようになってきた。
【０００３】このため、種々の無電解パラジウムめっき
液が提案されている（特開昭６２−１２４２８０号、特
開平１−２６８８７７号、特開平５−２１４５５１号公
報）。
液が提案されている（特開昭６２−１２４２８０号、特
開平１−２６８８７７号、特開平５−２１４５５１号公
報）。
【０００４】しかし、従来の無電解パラジウムめっき皮
膜はクラックが発生し易く、このため半田濡れ性及びボ
ンディング性が金めっき皮膜に比べて劣るという問題が
あった。また、従来の無電解パラジウムめっき液は浴の
安定性に劣り、更に析出速度も遅いという問題もあっ
た。
膜はクラックが発生し易く、このため半田濡れ性及びボ
ンディング性が金めっき皮膜に比べて劣るという問題が
あった。また、従来の無電解パラジウムめっき液は浴の
安定性に劣り、更に析出速度も遅いという問題もあっ
た。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
浴安定性に優れ、析出速度も大きい上、クラックの発生
し難いめっき皮膜を与える無電解パラジウムめっき液及
びめっき方法を提供することを目的とする。
浴安定性に優れ、析出速度も大きい上、クラックの発生
し難いめっき皮膜を与える無電解パラジウムめっき液及
びめっき方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、パラジウ
ム化合物と、次亜リン酸及びその塩、亜リン酸及びその
塩並びに水素化ホウ素化物及びアミンボラン類から選ば
れる還元剤と、アンモニア及びアミン類から選ばれる錯
化剤とを含有する無電解パラジウムめっき液に、チオ硫
酸塩、ポリチオン酸塩、亜二チオン酸塩、亜硫酸塩及び
二チオン酸塩から選ばれる無機硫黄化合物を添加するこ
とにより、無電解パラジウムめっき液の安定性が顕著に
向上する上、析出速度も向上し、また得られた無電解パ
ラジウムめっき皮膜にクラックが生じ難く、このため半
田濡れ性、ボンディング性に優れためっき皮膜を形成し
得ることを見い出し、本発明をなすに至ったものであ
る。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、パラジウ
ム化合物と、次亜リン酸及びその塩、亜リン酸及びその
塩並びに水素化ホウ素化物及びアミンボラン類から選ば
れる還元剤と、アンモニア及びアミン類から選ばれる錯
化剤とを含有する無電解パラジウムめっき液に、チオ硫
酸塩、ポリチオン酸塩、亜二チオン酸塩、亜硫酸塩及び
二チオン酸塩から選ばれる無機硫黄化合物を添加するこ
とにより、無電解パラジウムめっき液の安定性が顕著に
向上する上、析出速度も向上し、また得られた無電解パ
ラジウムめっき皮膜にクラックが生じ難く、このため半
田濡れ性、ボンディング性に優れためっき皮膜を形成し
得ることを見い出し、本発明をなすに至ったものであ
る。
【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の無電解パラジウムめっき液は、パラジウム
化合物と、次亜リン酸及びその塩、亜リン酸及びその塩
並びに水素化ホウ素化物及びアミンボラン類から選ばれ
る還元剤と、アンモニア及びアミン類から選ばれる錯化
剤とを含有する無電解パラジウムめっき液に対し、無機
硫黄化合物を添加してなるものである。
と、本発明の無電解パラジウムめっき液は、パラジウム
化合物と、次亜リン酸及びその塩、亜リン酸及びその塩
並びに水素化ホウ素化物及びアミンボラン類から選ばれ
る還元剤と、アンモニア及びアミン類から選ばれる錯化
剤とを含有する無電解パラジウムめっき液に対し、無機
硫黄化合物を添加してなるものである。
【０００８】ここで、パラジウム化合物としては、水溶
性のものであればいずれのものでもよく、例えば塩化パ
ラジウム、硫酸パラジウム、酢酸パラジウムなどを用い
ることができる。その使用量は、０．００１〜０．５ｍ
ｏｌ／ｌ、特に０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｌとすること
が好ましい。少なすぎるとめっき速度が低下し、多すぎ
ると皮膜物性が低下するおそれがある。
性のものであればいずれのものでもよく、例えば塩化パ
ラジウム、硫酸パラジウム、酢酸パラジウムなどを用い
ることができる。その使用量は、０．００１〜０．５ｍ
ｏｌ／ｌ、特に０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｌとすること
が好ましい。少なすぎるとめっき速度が低下し、多すぎ
ると皮膜物性が低下するおそれがある。
【０００９】また、還元剤としては、上述したように、
次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩、
亜リン酸、亜リン酸ナトリウム等の亜リン酸塩、水素化
ホウ素ナトリウム等の水素化ホウ素化物、ジメチルアミ
ンボラン、ジエチルアミンボラン等のアミンボラン類の
いずれかを使用する。その使用量は０．００１〜５ｍｏ
ｌ／ｌ、特に０．２〜２ｍｏｌ／ｌとすることが好まし
い。少なすぎると析出速度が低下し、多すぎると浴が不
安定化するおそれがある。
次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩、
亜リン酸、亜リン酸ナトリウム等の亜リン酸塩、水素化
ホウ素ナトリウム等の水素化ホウ素化物、ジメチルアミ
ンボラン、ジエチルアミンボラン等のアミンボラン類の
いずれかを使用する。その使用量は０．００１〜５ｍｏ
ｌ／ｌ、特に０．２〜２ｍｏｌ／ｌとすることが好まし
い。少なすぎると析出速度が低下し、多すぎると浴が不
安定化するおそれがある。
【００１０】更に、錯化剤としてアンモニアやアミン類
を使用する。アミン類としては、メチルアミン、ジメチ
ルアミン、トリメチルアミン、ベンジルアミン、メチレ
ンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、ＥＤＴＡ、ＥＤＴＡナトリ
ウム、Ｎ−ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸及びその
塩、グリシン、Ｎ−メチルグリシン、ビタントイン酸、
イミダゾリン、２−メチル−２−イミダゾリンなどが挙
げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用して
使用することができる。これらの中では、特にジメチル
アミン、エチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチレンジ
アミン三酢酸が好ましい。その使用量は０．００１〜１
０ｍｏｌ／ｌ、特に０．１〜２ｍｏｌ／ｌとすることが
好ましい。少なすぎると浴の安定性が低下し、多すぎる
とめっき速度が低下する。
を使用する。アミン類としては、メチルアミン、ジメチ
ルアミン、トリメチルアミン、ベンジルアミン、メチレ
ンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、ＥＤＴＡ、ＥＤＴＡナトリ
ウム、Ｎ−ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸及びその
塩、グリシン、Ｎ−メチルグリシン、ビタントイン酸、
イミダゾリン、２−メチル−２−イミダゾリンなどが挙
げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用して
使用することができる。これらの中では、特にジメチル
アミン、エチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチレンジ
アミン三酢酸が好ましい。その使用量は０．００１〜１
０ｍｏｌ／ｌ、特に０．１〜２ｍｏｌ／ｌとすることが
好ましい。少なすぎると浴の安定性が低下し、多すぎる
とめっき速度が低下する。
【００１１】本発明の無電解パラジウムめっき液には、
上記成分に加えてチオ硫酸塩（２価の無機硫黄化合
物）、ポリチオン酸塩（例えばＯ3Ｓ−Ｓｎ−ＳＯ3にお
いて、ｎ＝１〜４の無機硫黄化合物）、亜二チオン酸塩
（３価の無機硫黄化合物）、亜硫酸塩（４価の無機硫黄
化合物）、二チオン酸塩（５価の無機硫黄化合物）から
選ばれる無機硫黄化合物の１種又は２種以上を添加する
もので、これによりめっき液の安定性、析出速度、めっ
き皮膜特性が顕著に向上するものである。なお、上記塩
としてはナトリウム塩等の水溶性塩が使用される。
上記成分に加えてチオ硫酸塩（２価の無機硫黄化合
物）、ポリチオン酸塩（例えばＯ3Ｓ−Ｓｎ−ＳＯ3にお
いて、ｎ＝１〜４の無機硫黄化合物）、亜二チオン酸塩
（３価の無機硫黄化合物）、亜硫酸塩（４価の無機硫黄
化合物）、二チオン酸塩（５価の無機硫黄化合物）から
選ばれる無機硫黄化合物の１種又は２種以上を添加する
もので、これによりめっき液の安定性、析出速度、めっ
き皮膜特性が顕著に向上するものである。なお、上記塩
としてはナトリウム塩等の水溶性塩が使用される。
【００１２】上記無機硫黄化合物の添加量は０．０１〜
１０ｍｍｏｌ（ミリモル）／ｌ、特に０．１〜５ｍｍｏ
ｌ／ｌであり、この量が少なすぎると、上述した効果が
十分に達成されず、また多すぎるとめっき速度が低下す
る傾向にある。
１０ｍｍｏｌ（ミリモル）／ｌ、特に０．１〜５ｍｍｏ
ｌ／ｌであり、この量が少なすぎると、上述した効果が
十分に達成されず、また多すぎるとめっき速度が低下す
る傾向にある。
【００１３】本発明のめっき液には、更にめっき皮膜の
均一性向上を目的として非イオン性、カチオン性、アニ
オン性、両性の各種界面活性剤を添加することができ
る。この場合、その添加量は０．０１〜１０ｇ／ｌとす
ることができる。
均一性向上を目的として非イオン性、カチオン性、アニ
オン性、両性の各種界面活性剤を添加することができ
る。この場合、その添加量は０．０１〜１０ｇ／ｌとす
ることができる。
【００１４】本発明のめっき液はｐＨ４〜１０、特に６
〜８であることが好ましく、ｐＨが低すぎると浴の安定
性が低下し、ｐＨが高すぎるとめっき皮膜にクラックが
生じやすくなる。
〜８であることが好ましく、ｐＨが低すぎると浴の安定
性が低下し、ｐＨが高すぎるとめっき皮膜にクラックが
生じやすくなる。
【００１５】上述した無電解パラジウムめっき液は電子
部品のボンディング用めっきなどとして好適に使用され
るが、これを用いてめっきを行う場合は、このめっき液
中に被めっき物を浸漬すればよい。被めっき液の材質と
しては、鉄、コバルト、ニッケル、銅、錫、銀、金、白
金、パラジウムなどやこれらの合金といった無電解パラ
ジウムめっき皮膜の還元析出に触媒性のある金属を挙げ
ることができる。また、触媒性のない金属であれば、い
わゆるガルバニックイニシエーションを行う（被めっき
物に対し還元析出が生じるまで電気を与える）か、又は
上記触媒活性のある金属のめっき皮膜を形成してからめ
っきを行えばよく、またガラス、セラミックス、プラス
チック等、或いは上記触媒活性のない金属などに対して
は常法に従ってパラジウム核などの金属触媒核を付着さ
せた後にめっきを行うことができる。
部品のボンディング用めっきなどとして好適に使用され
るが、これを用いてめっきを行う場合は、このめっき液
中に被めっき物を浸漬すればよい。被めっき液の材質と
しては、鉄、コバルト、ニッケル、銅、錫、銀、金、白
金、パラジウムなどやこれらの合金といった無電解パラ
ジウムめっき皮膜の還元析出に触媒性のある金属を挙げ
ることができる。また、触媒性のない金属であれば、い
わゆるガルバニックイニシエーションを行う（被めっき
物に対し還元析出が生じるまで電気を与える）か、又は
上記触媒活性のある金属のめっき皮膜を形成してからめ
っきを行えばよく、またガラス、セラミックス、プラス
チック等、或いは上記触媒活性のない金属などに対して
は常法に従ってパラジウム核などの金属触媒核を付着さ
せた後にめっきを行うことができる。
【００１６】なお、めっき温度は３０〜８０℃、特に５
０〜７０℃とすることが好ましい。また、必要によりめ
っき液を撹拌することができる。
０〜７０℃とすることが好ましい。また、必要によりめ
っき液を撹拌することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の無電解パラジウムめっき液は、
浴の安定性が高く、このため高温でめっき作業を支障な
く行うことができ、また析出速度が大きいと共に、皮膜
物性に優れ、クラック発生がなく、半田濡れ性、ボンデ
ィング性に優れためっき皮膜を与えるものである。
浴の安定性が高く、このため高温でめっき作業を支障な
く行うことができ、また析出速度が大きいと共に、皮膜
物性に優れ、クラック発生がなく、半田濡れ性、ボンデ
ィング性に優れためっき皮膜を与えるものである。
【００１８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００１９】〔比較例１〕 ＰｄＣｌ2 ５ ｇ／Ｌ エチレンジアミン ２５ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ソーダ ２０ ｇ／Ｌ ｐＨ ８ 浴温 ５０℃
【００２０】〔比較例２〕 ＰｄＣｌ2 ３ ｇ／Ｌ エチレンジアミン ２５ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ソーダ ２０ ｇ／Ｌ チオジグリコール酸 ２０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ８ 浴温 ５０℃
【００２１】〔比較例３〕 ＰｄＣｌ2 ３ ｇ／Ｌ エチレンジアミン ２５ ｇ／Ｌ チオジグリコール酸 ２０ｍｇ／Ｌ ジメチルアミンボラン １０ ｇ／Ｌ ｐＨ ８ 浴温 ５０℃
【００２２】〔実施例１〕 ＰｄＣｌ2 ３ ｇ／Ｌ エチレンジアミン ２５ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ソーダ ２０ ｇ／Ｌ チオ硫酸ソーダ ５０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ８ 浴温 ５０℃
【００２３】〔実施例２〕 ＰｄＣｌ2 ３ ｇ／Ｌ エチレンジアミン ２５ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ソーダ ２０ ｇ／Ｌ 二チオン酸ソーダ ４０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ８ 浴温 ７０℃
【００２４】〔実施例３〕 ＰｄＣｌ2 ３ ｇ／Ｌ エチレンジアミン ２５ ｇ／Ｌ ジメチルアミンボラン １０ ｇ／Ｌ 亜硫酸ソーダ ４０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ８ 浴温 ７０℃
【００２５】〔実施例４〕 ＰｄＣｌ2 ３ ｇ／Ｌ エチレンジアミン ２５ ｇ／Ｌ ジメチルアミンボラン １０ ｇ／Ｌ 亜二チオン酸ソーダ ５０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ８ 浴温 ７０℃
【００２６】上記成分を水に溶解し、各例のめっき液を
調製した後、その安定性を下記方法で調べた。９０℃加熱試験 ：９０℃高温槽でめっき液１００ｍｌを
ビーカー中に密閉保存。室温放置試験 ：室温状態でめっき液１リットルをポリエ
チレン容器中に密閉保存。次に、表面にニッケル−ホウ
素系無電解ニッケルめっきを施した（Ｎｉ４μｍ）鉄板
を上記各めっき液中に浸漬し、各例中に記載した浴温で
１時間めっきを行い、その析出速度を評価した。また、
同様の条件で無電解パラジウムめっき皮膜を０．５μｍ
施し、ＳＥＭ観察でクラックの有無を調べた。
調製した後、その安定性を下記方法で調べた。９０℃加熱試験 ：９０℃高温槽でめっき液１００ｍｌを
ビーカー中に密閉保存。室温放置試験 ：室温状態でめっき液１リットルをポリエ
チレン容器中に密閉保存。次に、表面にニッケル−ホウ
素系無電解ニッケルめっきを施した（Ｎｉ４μｍ）鉄板
を上記各めっき液中に浸漬し、各例中に記載した浴温で
１時間めっきを行い、その析出速度を評価した。また、
同様の条件で無電解パラジウムめっき皮膜を０．５μｍ
施し、ＳＥＭ観察でクラックの有無を調べた。
【００２７】更に、下記方法により、半田濡れ性、ボン
ディング性を評価した。 半田濡れ性 ：１０×５０ｍｍの４２アロイメニスコグラ
フ用試片に同上下地ニッケルめっきを施し、次いで無電
解パラジウムめっき皮膜を０．５μｍ施した後、メニス
コグラフで評価した。この場合、ニッケル／金プロセス
の半田濡れを基準に評価した。ボンディング性 ：評価用ピースにめっきし（めっき条件
は同上）、金線によるボンディングを行って強度を評価
した。この場合、ニッケル／金プロセスを基準に評価し
た。以上の結果を表１に示す。
ディング性を評価した。 半田濡れ性 ：１０×５０ｍｍの４２アロイメニスコグラ
フ用試片に同上下地ニッケルめっきを施し、次いで無電
解パラジウムめっき皮膜を０．５μｍ施した後、メニス
コグラフで評価した。この場合、ニッケル／金プロセス
の半田濡れを基準に評価した。ボンディング性 ：評価用ピースにめっきし（めっき条件
は同上）、金線によるボンディングを行って強度を評価
した。この場合、ニッケル／金プロセスを基準に評価し
た。以上の結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正本 宏和 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 パラジウム化合物と、次亜リン酸及びそ
の塩、亜リン酸及びその塩並びに水素化ホウ素化物及び
アミンボラン類から選ばれる還元剤と、アンモニア及び
アミン類から選ばれる錯化剤とを含有する無電解パラジ
ウムめっき液に、チオ硫酸塩、ポリチオン酸塩、亜二チ
オン酸塩、亜硫酸塩及び二チオン酸塩から選ばれる無機
硫黄化合物を添加してなることを特徴とする無電解パラ
ジウムめっき液。 - 【請求項２】 無機硫黄化合物の添加量が０．０１〜１
０ｍｍｏｌ／ｌである請求項１記載のめっき液。 - 【請求項３】 ｐＨが４〜１０である請求項１又は２記
載のめっき液。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
めっき液中に被めっき物を浸漬して該被めっき物上に無
電解パラジウムめっき皮膜を形成することを特徴とする
無電解パラジウムめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09777995A JP3204035B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09777995A JP3204035B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269727A true JPH08269727A (ja) | 1996-10-15 |
| JP3204035B2 JP3204035B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=14201325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09777995A Expired - Lifetime JP3204035B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3204035B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098681A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | National University Of Singapore | Wafer level electroless copper metallization and bumping process, and plating solutions for semiconductor wafer and microchip |
| JP2006339609A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| US7163915B2 (en) | 2000-03-01 | 2007-01-16 | Arkema Inc. | Aqueous solutions containing dithionic acid and/or metal dithionate for metal finishing |
| US7312533B2 (en) | 2000-03-31 | 2007-12-25 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with flexible contacting pads and method for producing the electronic component |
| WO2008105104A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | 無電解純パラジウムめっき液 |
| US7678183B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-03-16 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless palladium plating bath and electroless palladium plating method |
| WO2017023849A1 (en) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Uyemura International Corporation | Composition and method for electroless plating of palladium phosphorus on copper, and a coated component therefrom |
| CN111164236A (zh) * | 2017-10-06 | 2020-05-15 | 上村工业株式会社 | 化学镀钯液及化学镀钯膜 |
| CN113493907A (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-12 | 上村工业株式会社 | 钯镀液及镀覆方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101228293B (zh) | 2005-07-20 | 2010-12-08 | 日矿金属株式会社 | 化学镀钯液 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP09777995A patent/JP3204035B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7163915B2 (en) | 2000-03-01 | 2007-01-16 | Arkema Inc. | Aqueous solutions containing dithionic acid and/or metal dithionate for metal finishing |
| US7312533B2 (en) | 2000-03-31 | 2007-12-25 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with flexible contacting pads and method for producing the electronic component |
| WO2003098681A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | National University Of Singapore | Wafer level electroless copper metallization and bumping process, and plating solutions for semiconductor wafer and microchip |
| JP2006339609A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| US7678183B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-03-16 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless palladium plating bath and electroless palladium plating method |
| WO2008105104A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | 無電解純パラジウムめっき液 |
| US7981202B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-07-19 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | Electroless pure palladium plating solution |
| WO2017023849A1 (en) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Uyemura International Corporation | Composition and method for electroless plating of palladium phosphorus on copper, and a coated component therefrom |
| CN111164236A (zh) * | 2017-10-06 | 2020-05-15 | 上村工业株式会社 | 化学镀钯液及化学镀钯膜 |
| CN113493907A (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-12 | 上村工业株式会社 | 钯镀液及镀覆方法 |
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|---|---|
| JP3204035B2 (ja) | 2001-09-04 |
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