JPH08271220A - 移動装置及びこれに用いる基準スケールの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大きなストローク範囲にわたって高精度の直
進指示を可能とした移動装置、及びこの移動装置に用い
られる直進性指示用基準スケールの製造方法を提供す
る。 【構成】 支持台１にＸ軸方向に駆動される第１第１移
動台２を取付け、この上にＹ軸方向の微小変位を与える
ための圧電アクチュエータ６を介して第２移動台５を取
付ける。支持台１には、仮想基準線１２に対して描画誤
差が対称的に含まれる一対の反射パターン１３ａ，１３
ｂを形成した基準スケール１０を設ける。移動台６に取
り付けたアーム２１ａ，２１ｂの先端には基準スケール
１０のパターンを読み取るための干渉縞投光器２２と、
光検出器２３ａ，２３ｂを設け、検出器２３ａ，２３ｂ
の差出力により圧電アクチュエータ６を帰還制御する干
渉測長回路３１及びｙ−ｙａｗ回路３２を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電子ビーム描画装置
や縮小投影露光装置、リニアスケール等に適用される直
進性に優れた移動装置に係り、特に移動台の移動方向の
真直度の偏差を検出補償して移動の直進性を保証し、あ
るいは二次元移動の場合の移動台の移動方向に垂直な補
正を与える直進性指示用基準スケールをもつ移動装置及
びその基準スケールの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、０．１μm 〜０．０１μm の
精度で移動台の平行直進を可能とする移動装置として、
図７に示す光描画装置が知られている。支持台６０１上
に第１の移動台６０２がクロスローラガイド６０３によ
り取り付けられて、ボールネジ６０４によってＸ軸方向
に移動可能とされている。第１の移動台６０２上に更
に、Ｙ軸方向に微小変位を与えるための圧電アクチュエ
ータ６０５を介して第２の移動台６０６が取り付けられ
ている。第２の移動台６０６には、先端に光描画ヘッド
６０７を有する描画アーム６０８が固定されており、こ
の光描画ヘッド６０７により支持台６０１上に載置され
た基板６０９に描画を行う。

【０００３】第２の移動台６０６のＸ軸方向への精密直
進を可能とするために、直進性を測定する目的で、光学
的な直進指示機構が設けられている。直進指示の基準に
なるのが、第２の移動台６０６に固定された基準反射鏡
６１０である。この基準反射鏡６１０と共に２つのレー
ザ干渉計を構成するため、Ｈｅ−Ｎｅレーザ６１１、そ
の出力レーザ光ビームを２光束に分けるビームスプリッ
タ６１２とプリズムミラー６１３、基準反射鏡６１０か
らの反射光を分離するビームスプリッタ６１４，６１５
等の光学系が配置されている。二つのビームスプリッタ
６１４，６１５の間は、ヨー測定スパンだけ隔てられて
いる。

【０００４】基準反射鏡６１０からの２系統の反射光は
光検出器６１６，６１７で検出され、その検出出力は干
渉測長回路６１８に入る。干渉測長回路６１８では、ビ
ームスプリッタ６１４と基準反射鏡６１０の間の設計距
離からの誤差、同様にビームスプリッタ６１５と基準反
射鏡６１０の間の設計距離からの誤差が測定される。こ
れらの誤差は、ｙ−ｙａｗ補正回路６１９で増幅され
て、圧電アクチュエータ６０５にフィードバックされ
る。これにより、基準反射鏡６１０とビームスプリッタ
６１４，６１５の間の距離が常に一定値を保つように制
御され、第２の移動台６０６の移動の直進性が基準反射
鏡６１０の平面度の精度内で保証される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし図７に示す従来
装置では、第１に、移動台のストロークは、基準反射鏡
６１０のＸ方向長さからｙａｗ測定のためのスパンを引
いた長さに制限され、基準反射鏡６１０の平面度を確保
しながら十分なストロークを実現することは難しいとい
う問題がある。第２に、光学的な直進指示器を構成する
レーザ干渉計の価格が移動台に比べて極めて高価である
という難点がある。なかでもＨｅ−Ｎｅレーザ６１１が
高価である。

【０００６】例えば、最近の液晶表示装置用製造装置で
は、１ｍ以上のストロークで直進誤差０．１μm 以下と
いう精度が要求され、従来技術ではこれに応えることは
難しい。この様な液晶表示装置用製造装置の直線指示器
を、リニアスケール程度の大きさと価格で、あるいはリ
ニアスケールに組み込まれた状態で用いられるように実
現することが望まれる。

【０００７】この発明は、上記の点の鑑みなされたもの
で、大きなストローク範囲にわたって高精度の直進指示
を可能とした移動装置、及びこの移動装置に用いられる
直進性指示用基準スケールの製造方法を提供することを
目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る移動装置
は、支持台と、この支持台に取り付けられて支持台の面
内の第１軸方向に直進駆動される第１移動台と、この第
１移動台に前記支持台面の第１軸と直交する第２軸方向
に微小変位を与えるためのアクチュエータを介して取り
付けられた第２移動台と、前記支持台上に第１軸方向の
所定範囲にわたって前記第１移動台の第１軸方向の移動
の直進性を指示するための基準となる光反射パターンが
形成された基準スケールと、前記第２移動台にそれぞれ
取り付けられた、前記基準スケールの光反射パターン読
み取り用の光ビームを照射する光照射手段及び前記基準
スケールからの反射光を検出する光検出手段と、この光
検出手段の出力を処理して前記第１移動台の直進誤差を
補償するように前記アクチュエータを駆動する帰還制御
手段とを有することを特徴としている。

【０００９】この発明において好ましくは、前記基準ス
ケールは、前記第１軸と平行な仮想基準線に対して対称
に、且つ対称的な描画誤差を含んで描画形成された、第
２軸方向に所定周期をもって反射部が繰り返し配列され
た一対の光反射パターンを有し、前記光照射手段は、前
記基準スケールに対して前記一対の光反射パターンをカ
バーする範囲に前記光反射パターンの周期と等しい周期
の干渉縞を作り出す干渉縞投光器により構成され、前記
光検出手段は、前記一対の光反射パターンからの反射光
をそれぞれ検出する一対の光検出器により構成され、前
記帰還制御手段は、前記一対の光検出器の出力の差をと
る差動回路と、この差動回路の出力が一定になるように
前記アクチュエータを駆動する駆動回路とから構成され
ていることを特徴としている。

【００１０】この発明はまた、上述の移動装置に用いら
れる直進性指示用基準スケールの製造方法であって、第
１の透明基板に第１軸方向に長く第１軸と直交する第２
軸方向に所定周期をもって配列された複数ストライプか
らなる第１の遮光パターンを形成し、前記第１の遮光パ
ターンが形成された第１の透明基板をマスクとして密着
又は近接転写により第２の透明基板に前記第１の遮光パ
ターンの反転パターンとなる第２の遮光パターンを形成
し、前記第１の透明基板と第２の透明基板をそれらの遮
光パターン面が同一平面にあるように並べてマスクとし
てそれらの遮光パターンを基準スケール基板に密着又は
近接転写することにより、基準スケール基板上に第１軸
と平行な仮想基準線に対して対称に、且つ対称的な描画
誤差をもつ一対の光反射パターンを形成することを特徴
としている。

【００１１】

【作用】この発明によると、支持台上に第１移動台の第
１軸方向の移動の直進性を指示するための基準となる光
反射パターンが形成された基準スケールを用い、第２移
動台に設けられた光照射手段と光検出手段により基準ス
ケールの光反射パターンを読み取って、フィードバック
制御により第１移動台の直進誤差を補償する。これによ
り、基準スケールで決まるストローク範囲で高精度の直
進性指示が可能になる。

【００１２】特にこの発明において、基準スケールが、
第１軸と平行な仮想基準線に対して対称な描画誤差をも
って描画形成された、第２軸方向に所定周期をもって反
射部が繰り返し配列された一対の光反射パターンを有す
るものとすれば、光照射手段としてこの基準スケールに
対してその一対の光反射パターンをカバーする範囲に光
反射パターンの周期と等しい周期の干渉縞を作り出す干
渉縞投光器を用い、光検出手段として前記一対の反射パ
ターンからの反射光をそれぞれ検出する一対の光検出器
を用いて、これら一対の光検出器の出力の差が一定にな
るように移動台の帰還制御を行うことによって、基準ス
ケールの描画誤差の影響を受けることなく、長尺範囲に
わたる直進性を保証することができる。

【００１３】上述のような仮想基準線に対して対称な描
画誤差をもつ一対の光反射パターンは、支持台上でその
支持台面の第１軸方向に移動する移動台に取り付けられ
た光描画手段を用いて、第１の透明基板に第１軸方向に
長く第１軸と直交する第２軸方向に所定周期をもって配
列された複数ストライプからなる第１の遮光パターンを
形成し、前記第１の遮光パターンが形成された第１の透
明基板をマスクとして密着又は近接転写により第２の透
明基板に第１の遮光パターンの反転パターンである第２
の遮光パターンを形成し、前記第１の透明基板と第２の
透明基板をそれらの遮光パターンが同一平面にあるよう
に並べてマスクとしてそれらのパターンを基準スケール
基板に密着又は近接転写することにより得られる。

【００１４】この様な方法で、通常の精度の描画装置を
用いて、あるいは大面積の製図装置等を用いて得られる
パターンから出発して、仮想基準線に対して対称な描画
誤差をもつ一対の光反射パターンを得ることができ、こ
のような光反射パターンをもつ基準スケールを用いるこ
とにより、描画誤差の移動台直進制御への影響を相殺す
ることが可能になる。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。図１（ａ）（ｂ）はこの発明の一実施例に係
る移動装置の構成を示す平面図と正面図である。固定の
支持台１上にはクロスローラガイド３により第１移動台
２が取り付けられている。第１移動台２は、ボールネジ
３によって、支持台１上の面内の第１軸方向（Ｘ軸方
向）に駆動される。この第１移動台２のＸ軸方向の直進
性の誤差及びヨー（ｙａｗ）は、機械工作精度により決
まり、１０μm 程度である。

【００１６】第１移動台２の上には、その直進誤差を補
償するための第２移動台である精密移動台５が、４隅に
圧電アクチュエータ６を介して取り付けられている。即
ち、精密移動台５は、圧電アクチュエータ６の駆動によ
り、支持台１の面内のＸ軸と直交する第２軸方向（Ｙ軸
方向）に微小変位を与えて、Ｙ軸方向の変位補正とヨー
（ｙａｗ）成分補正ができるようになっている。

【００１７】支持台１の移動台２，５に隣接する領域に
は、Ｘ軸方向に長い直進性指示用基準スケール１０が取
り付けられている。基準スケール１０は、スケール基板
１１に、一点鎖線で示すＸ軸と平行な仮想基準線１２を
有し、この仮想基準線１２に対して鏡像対称をなして一
対の光反射パターン１３ａ，１３ｂを形成したものであ
る。光反射パターン１３ａ，１３ｂはそれぞれ、Ｘ軸方
向に長く、Ｙ軸方向には一定周期ｐをもってストライプ
状の光反射部と吸収部（又は透過部）が交互に配列され
たものとする。この基準スケール１０の具体的な製造方
法は後述するが、これら一対の光反射パターン１３ａ，
１３ｂは仮想基準線１２に対して対称的に配置されるだ
けでなく、仮想基準線１２に対して対称的な描画誤差を
含んで形成される。

【００１８】基準スケール１０の光反射パターン１３
ａ，１３ｂを光学的に読み取る装置として、精密移動台
５の上には、Ｘ軸方向に所定距離隔てて二つの読み取り
アーム２１ａ，２１ｂが取り付けられている。具体的に
この実施例では、二つのアーム２１ａ，２１ｂの間隔は
ヨー測定スパンとしている。読み取りアーム２１ａ，２
１ｂの先端部には、基準スケール１０に対して、読み取
り光ビームを照射する光照射手段、及び基準スケール１
０により変調された反射光ビームを検出する光検出手段
が設けられている。

【００１９】読み取りアーム２１ａ，２１ｂに設けられ
る光照射手段は、具体的には、基準スケール１０に対し
てＹ軸方向に光反射パターン１３ａ，１３ｂの周期と同
じ周期ｐで正弦波状に光量変化する干渉縞を投光する干
渉縞投光器２２により構成される。また光検出手段は、
一対の光反射パターン１３ａ，１３ｂと、これらに投光
される干渉縞との重なりにより得られる反射光量をそれ
ぞれ検出する一対の光検出器２３ａ，２３ｂにより構成
される。

【００２０】移動台５、従って読み取りアーム２１ａ，
２１ｂがＹ軸方向に変位すると、一対の光検出器２３
ａ，２３ｂの出力は、変位量ｐの周期の正弦波状出力と
なる。また、基準スケール１０の一対の光反射パターン
ｌ３ａ，１３ｂが、幅ｐ／２の反射部と吸収部とからな
り、且つそれらの間がｐの整数倍の間隔である場合に
は、一対の光検出器２３ａ，２３ｂの出力は互いに位相
反転したものとなる。従って一対の検出器２３ａ，２３
ｂの出力の差をとることにより、Ｙ軸方向の変位を知る
ことができる。例えば、ピッチｐを光反射パターン１３
ａ，１３ｂの最大真直度誤差の２倍にとれば、Ｙ軸方向
の変位読み取り精度は、ｐ／２００以上とすることがで
きる。

【００２１】二つの読み取りアーム２１ａ，２１ｂにつ
いて、同様の干渉縞投光器と一対の光検出器からなる読
み取り装置が構成され、これらの読み取り装置の各光検
出器対の出力は、一種の差動回路である干渉測長回路３
１に入力され、検出された差出力は、圧電アクチュエー
タ６を制御駆動するｙ−ｙａｗ回路３２に入力される。
ｙ−ｙａｗ回路３２では、移動台５のＹ軸方向の変位、
即ちＸ軸方向の直進性からの誤差、及びｙａｗ成分がフ
ィードバック制御により補償される。即ちアーム２１
ａ，２１ｂのいずれか一方の光検出器対の出力によりＹ
方向変位が検出され、２対の光検出器の出力を演算処理
してｙａｗ成分が検出される。

【００２２】図２（ａ）（ｂ）は、以上の読み取り装置
の光学系の具体的構成を示している。干渉縞投光器２２
から検出器２３ａ，２３ｂまでの全体の光学系は遮光容
器２００に収められている。干渉縞投光器２２の光源は
半導体レーザ２０１であり、その出力レーザ光はコリメ
ータレンズ２０２により平行光線となり、４５°反射鏡
２０３で反射されて、回折格子２０４に入射される。回
折格子２０４によって入射光は零次及び±１次回折光に
分けられ、回折光成分毎には一旦投影レンズ２０５で集
光されて、零次成分のみ零次回折光トラップ２０６によ
り除かれる。

【００２３】そして、±１次回折光が投影レンズ２０７
により集光されて、それぞれ孔開きプリズム反射鏡２０
８の孔を通過して、基準スケール１０上に干渉縞が投光
される。このとき干渉縞のピッチは、基準スケール１０
の光反射パターン１３ａ，１３ｂのピッチｐと一致する
ように設定される。干渉縞の一部は光反射パターン１３
ａ，１３ｂにより破線で示すように反射され、更にプリ
ズム２０８で反射されて、検出レンズ２０９ａ，２０９
ｂによりそれぞれ光検出器２３ａ，２３ｂに集光され
る。

【００２４】一対の光検出器２３ａ，２３ｂで検出され
る光量は、読み取り装置の回折方向への移動に対してピ
ッチｐの周期で正弦波的に変化し、且つ正弦波の位相は
反射パターンの描画誤差の量と反射パターンに対する読
み取り装置の変位の和に応じて変化する。その詳細は後
述する。

【００２５】次に、図３及び図４を参照して基準スケー
ル１０の製造方法を説明する。図３は、基準スケール製
造用の描画装置である。支持台３０１にクロスローラガ
イド３０２により移動台３０３が取り付けられ、この移
動台３０３はボールネジ３０４によりＸ軸方向に駆動さ
れるようになっている。移動台３０３上に描画アーム３
０５が取り付けられ、描画アーム３０５の先端部に光描
画ヘッド３０６が取り付けられている。光描画ヘッド３
０６は例えば、図２で説明したと同様の干渉縞投光器と
する。

【００２６】この様な描画装置を用いて先ず、支持台３
０１に載置した第１の透明基板４０１に、Ｘ軸方向に長
く、Ｘ軸と直交するＹ軸方向に周期ｐをもって配列され
た複数ストライプからなる第１の遮光パターン４０２を
形成する。具体的には、第１の透明基板４０１には予め
クロム膜が形成され、クロム膜上にレジストが塗布され
ており、これに光描画ヘッド３０６によってＹ軸方向に
周期ｐをもつ干渉縞パターンをＸ軸方向に光描画ヘッド
３０６を移動させながら投光して、現像する。これによ
り図４（ａ）に示すように第１の透明基板４０１に第１
の遮光パターン４０２が形成される。

【００２７】次に、やはりクロム膜が形成されレジスト
が塗布された第２の透明基板４０３に対して、図４
（ｂ）に示すように、第１の透明基板４０１を上下反転
してマスクとして密着又は近接させて配置し、露光して
現像する。これにより、第２の透明基板４０３上には、
第１の遮光パターン４０２の反転パターンとなる第２の
遮光パターン４０４が形成される。

【００２８】こうして得られた２枚の透明基板４０１，
４０３を、図４（ｃ）に示すように、それらの遮光パタ
ーン４０２，４０４が同一平面にあるように配置してマ
スクとして、クロム膜及びレジストが形成されたスケー
ル基板１１に密着又は近接させて露光を行い、現像す
る。この様なパターン転写の繰り返しにより、スケール
基板１１上には、仮想的基準線１２に対して最初のパタ
ーン描画の誤差分が鏡像対称の関係で含まれる一対の光
反射パターン１３ａ，１３ｂを形成することができる。

【００２９】次に図５を参照して、図１に示した移動装
置でのパターン読み取り装置によるＹ軸方向変位の検出
と、描画誤差キャンセルの動作を具体的に説明する。図
５は、基準スケール１０の対をなす光反射パターン１３
ａ，１３ｂを拡大して示している。斜線部が反射部Ａ、
それらの間が吸収部Ｂであり、図では仮想基準線１２の
両側に４本ずつの反射部Ａを例示しているが、実際には
約１００本ずつ配列される。また図では、反射パターン
１３ａ，１３ｂが、Ｘ軸方向位置ｘ１，ｘ２，ｘ３と上
方に行くにつれて開きが大きくなるような描画誤差があ
る場合を示している。

【００３０】ｘ１，ｘ３につき破線で示し、ｘ２につき
実線で示した矩形５０１の列は、干渉縞投光器２２によ
にり明るく照明される照明部である。また位置ｘ２につ
いて、実線で囲んだ領域５０２ａ，５０２ｂは、一対の
光検出器２３ａ，２３ｂによる検出領域を示している。

【００３１】位置ｘ２においては、光反射パターン１３
ａ，１３ｂの間隔は、設計値通り反射部Ａと吸収部Ｂの
周期ｐの整数倍（図では５×ｐ）に設定されており、い
ずれにおいても照射部５０１の光の半分が反射されて逆
位相で検出される。照射光パターンがＹ軸に沿って右に
ずれると、一方の光検出器１３ａでは出力が減少し、他
方の光検出器１３ｂでは出力が増大するという関係にあ
る。従って、位置ｘ２での光検出器１３ａ，１３ｂの出
力のＹ方向変位に対する変化は、図６に示すようにな
り、その差出力は投光器照射部５０１のＹ軸方向変位量
を与えることになる。

【００３２】位置ｘ１では、光反射パターン１３ａ，１
３ｂが、描画誤差により位置ｘ２より仮想的基準線１２
に近づいて、間隔が５ｐ−Δとなっている。この位置ｘ
２では光検出器１３ａ，１３ｂの出力は、図６に示すよ
うにそれぞれ左側、右側にずれて出力値もｘ２より小さ
くなる。しかし、光反射パターン１３ａ，１３ｂの描画
誤差は仮想基準線１２に対して対称的であるため、それ
らの差出力は、傾きが位置ｘ２に比べて小さくなるもの
の、零点位置は変わらず、描画誤差がキャンセルされた
変位が得られる。位置ｘ３では、光反射パターン１３
ａ，１３ｂが位置ｘ２に比べて仮想的基準線１２から離
れて、間隔が５ｐ＋Δとなっている。この場合も同様
に、光検出器１３ａ，１３ｂの差出力をとることによ
り、図６に示すように、描画誤差が補償された変位出力
が得られる。

【００３３】以上により図１の移動装置によれば、移動
台をＸ軸方向に移動させたとき、基準スケール１０の光
反射パターンの描画誤差の影響を受けることなく、２点
でＹ軸方向変位を検出し、Ｙ軸方向変位とｙａｗ成分を
補償することができる。この実施例によると、機械工作
精度から直進性の誤差及びヨーが１０μm 程度とし、基
準スケール１０上の光反射パターンが１０μm 程度の精
度で形成されたとしても、光学的パターン読み取りは光
反射パターンのピッチｐの１／２００の精度で可能であ
り、且つ光反射パターンの描画誤差は自動的に相殺され
るから、０．１〜０．０１μm の精度で直進性を確保す
ることができる。

【００３４】また、従来の基準反射鏡とＨｅ−Ｎｅレー
ザ等を用いたレーザ干渉計とにより構成されるもので
は、基準反射鏡の大きさによりストロークが制限され、
大きなストロークを実現しようとすると基準反射鏡の平
面度を確保することは困難であり、装置も極めて高価に
なるのに対して、この実施例では大きなストロークにわ
たって高精度の直進性を保つ移動装置を安価に実現する
事ができる。

【００３５】具体的にこの実施例による直進性指示装置
は、電子ビーム描画装置や露光装置、あるいはリニアス
ケールに組み込んで、ステージやスケールの移動の直進
性制御を行う場合に有効である。更には、二次元移動を
行う各種ステッパ等にも適用する事ができる。

【００３６】

【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、直
進性を指示するための基準となる光反射パターンを描画
誤差が相殺されるように形成した基準スケールを用い
て、大きなストローク範囲にわたって高精度の直進指示
を可能とした移動装置、及びこの移動装置に用いられる
直進性指示用基準スケールの製造方法を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例による移動装置の構成を
示す。

【図２】 同実施例の光学的読み取り装置の構成を示
す。

【図３】 同実施例の基準スケール製造用描画装置を示
す。

【図４】 同実施例の基準スケールの製造工程を示す。

【図５】 同実施例の反射パターン読み取り動作説明図
である。

【図６】 同実施例の反射パターン読み取り動作説明図
である。

【図７】 従来の移動装置の構成を示す。

【符号の説明】

１…支持台、２…第１移動台、５…精密移動台（第２移
動台）、６…圧電アクチュエータ、１０…直進性指示用
基準スケール、１１…基準スケール基板、１２…仮想基
準線、１３ａ，１３ｂ…光反射パターン、２１ａ，２１
ｂ…読み取りアーム、２２…干渉縞投光器、２３ａ，２
３ｂ…光検出器、３１…干渉測長回路、３２…ｙ−ｙａ
ｗ回路。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持台と、 この支持台に取り付けられて支持台の面内の第１軸方向
   に直進駆動される第１移動台と、 この第１移動台に前記支持台面の第１軸と直交する第２
   軸方向に微小変位を与えるためのアクチュエータを介し
   て取り付けられた第２移動台と、 前記支持台上に第１軸方向の所定範囲にわたって前記第
   １移動台の第１軸方向の移動の直進性を指示するための
   基準となる光反射パターンが形成された基準スケール
   と、 前記第２移動台にそれぞれ取り付けられた、前記基準ス
   ケールの光反射パターン読み取り用の光ビームを照射す
   る光照射手段及び前記基準スケールからの反射光を検出
   する光検出手段と、 この光検出手段の出力を処理して前記第１移動台の直進
   誤差を補償するように前記アクチュエータを駆動する帰
   還制御手段とを有することを特徴とする移動装置。
2. 【請求項２】 前記基準スケールは、前記第１軸と平行
   な仮想基準線に対して対称に、且つ対称的な描画誤差を
   含んで描画形成された、第２軸方向に所定周期をもって
   反射部が繰り返し配列された一対の光反射パターンを有
   し、 前記光照射手段は、前記基準スケールに対して前記一対
   の光反射パターンをカバーする範囲に前記光反射パター
   ンの周期と等しい周期の干渉縞を作り出す干渉縞投光器
   により構成され、 前記光検出手段は、前記一対の反射パターンからの反射
   光をそれぞれ検出する一対の光検出器により構成され、 前記帰還制御手段は、前記一対の光検出器の出力の差を
   とる差動回路と、この差動回路の出力が一定になるよう
   に前記アクチュエータを駆動する駆動回路とから構成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載の移動装置。
3. 【請求項３】 前記第２移動台は、前記第２方向の変位
   及びヨー成分補正を可能とする複数個の圧電アクチュエ
   ータにより支持され、 前記基準スケールは、前記第１軸と平行な仮想基準線に
   対して対称に、且つ対称的な描画誤差を含んで描画形成
   された、第２軸方向に所定周期をもって且つその周期の
   整数倍の間隔だけ離して反射部が繰り返し配列された一
   対の光反射パターンを有し、 前記光照射手段は、前記基準スケールに対して前記一対
   の光反射パターンをカバーする範囲に前記光反射パター
   ンの周期と等しい周期の干渉縞を作り出すための前記第
   １軸方向に所定距離離して配置された２個の干渉縞投光
   器により構成され、 前記光検出手段は、前記２個の干渉縞投光器により照射
   された前記一対の反射パターンからの反射光をそれぞれ
   検出して第２軸方向変位を得る２対の光検出器により構
   成され、 前記帰還制御手段は、前記２対の光検出器の出力の差を
   とる差動回路と、この差動回路の出力が一定になるよう
   に前記複数のアクチュエータを駆動して第２軸方向変位
   及びヨー成分補正を行う駆動回路とから構成されている
   ことを特徴とする請求項１記載の移動装置。
4. 【請求項４】 第１の透明基板に第１軸方向に長く第１
   軸と直交する第２軸方向に所定周期をもって配列された
   複数ストライプからなる第１の遮光パターンを形成し、 前記第１の遮光パターンが形成された第１の透明基板を
   マスクとして密着又は近接転写により第２の透明基板に
   前記第１の遮光パターンの反転パターンとなる第２の遮
   光パターンを形成し、 前記第１の透明基板と第２の透明基板をそれらの遮光パ
   ターン面が同一平面にあるように並べてマスクとしてそ
   れらの遮光パターンを基準スケール基板に密着又は近接
   転写することにより、基準スケール基板上に第１軸と平
   行な仮想基準線に対して対称に、且つ対称的な描画誤差
   をもつ一対の光反射パターンを形成することを特徴とす
   る直進性指示用基準スケールの製造方法。