JPH08271802A - 顕微鏡プローブチップの製造方法 - Google Patents
顕微鏡プローブチップの製造方法Info
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- JPH08271802A JPH08271802A JP7321719A JP32171995A JPH08271802A JP H08271802 A JPH08271802 A JP H08271802A JP 7321719 A JP7321719 A JP 7321719A JP 32171995 A JP32171995 A JP 32171995A JP H08271802 A JPH08271802 A JP H08271802A
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- G—PHYSICS
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- G02B21/00—Microscopes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 顕微鏡のプローブチップの製造は、時間がか
かり、高品質なチップを一貫して提供する程に精密では
ない。 【解決手段】 顕微鏡のプローブチップの製造方法は、
第一の材料を基板（１２）上に蒸着させる工程、例え
ば、化学的気相成長法を用いて、珪素酸化物を珪素基板
上に蒸着させる工程を備える。第一の材料は型取られ突
出部を構成する。この型取り中、第一の材料はエッチン
グされる。次いで、第二の材料、例えば、珪素酸化物が
電子サイクロトロン共鳴工程を用いて、突出部上に蒸着
されて傾斜面を形成し、プローブチップ（２０、２２）
を形成する。本発明の別の観点では、２つの異なる分解
能の原子間力顕微鏡のプローブチップを形成する。次い
で、複数のカンチレバーが互いに結合され、異なる分解
能を有する２つのプローブチップを備えた原子間力顕微
鏡になる。
かり、高品質なチップを一貫して提供する程に精密では
ない。 【解決手段】 顕微鏡のプローブチップの製造方法は、
第一の材料を基板（１２）上に蒸着させる工程、例え
ば、化学的気相成長法を用いて、珪素酸化物を珪素基板
上に蒸着させる工程を備える。第一の材料は型取られ突
出部を構成する。この型取り中、第一の材料はエッチン
グされる。次いで、第二の材料、例えば、珪素酸化物が
電子サイクロトロン共鳴工程を用いて、突出部上に蒸着
されて傾斜面を形成し、プローブチップ（２０、２２）
を形成する。本発明の別の観点では、２つの異なる分解
能の原子間力顕微鏡のプローブチップを形成する。次い
で、複数のカンチレバーが互いに結合され、異なる分解
能を有する２つのプローブチップを備えた原子間力顕微
鏡になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、顕微
鏡プローブチップの製造方法に関する。特に、本発明
は、第一の材料で作られた突出部上に第二の材料を蒸着
させることによるプローブチップの製造に関する。
鏡プローブチップの製造方法に関する。特に、本発明
は、第一の材料で作られた突出部上に第二の材料を蒸着
させることによるプローブチップの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）は、プローブ
を用いることによって作動して、表面を物理的に走査す
る。プローブは、カンチレバーアームと、試料に接触し
て表面特性を測定するチップとを備える。チップ形状
は、走査分解能を決定する。一般に、幅が狭く精密に製
造されたプローブチップは、幅が広く粗く製造されたプ
ローブチップに比べて、より大きな分解能を有する。原
子間力顕微鏡の利用法の中には、ウェーハが製作寸法公
差内にあることを保証するために、薄膜半導体ウェーハ
のような表面を走査することがある。原子間力顕微鏡
は、種々の試験環境にいっそう広く用いられるようにな
ってきたので、精密プローブチップを大量生産するため
の技術が、ますます重要になってきている。代表的な原
子間力顕微鏡プローブチップは、半導体製造工業で周知
の薄膜積層技術を用いて製造される。例えば、材料層が
蒸着され、従来の写真平板技術を用いてマスキングさ
れ、エッチングされてチップを形成する。別の例では、
材料層が、先細形のチップを作るために、開口を通して
蒸着される。このタイプの方法は、ゼブリック（Ｚｄｅ
ｂｌｉｃｋ）の米国特許第４，９０６，８４０号に開示
されている。
を用いることによって作動して、表面を物理的に走査す
る。プローブは、カンチレバーアームと、試料に接触し
て表面特性を測定するチップとを備える。チップ形状
は、走査分解能を決定する。一般に、幅が狭く精密に製
造されたプローブチップは、幅が広く粗く製造されたプ
ローブチップに比べて、より大きな分解能を有する。原
子間力顕微鏡の利用法の中には、ウェーハが製作寸法公
差内にあることを保証するために、薄膜半導体ウェーハ
のような表面を走査することがある。原子間力顕微鏡
は、種々の試験環境にいっそう広く用いられるようにな
ってきたので、精密プローブチップを大量生産するため
の技術が、ますます重要になってきている。代表的な原
子間力顕微鏡プローブチップは、半導体製造工業で周知
の薄膜積層技術を用いて製造される。例えば、材料層が
蒸着され、従来の写真平板技術を用いてマスキングさ
れ、エッチングされてチップを形成する。別の例では、
材料層が、先細形のチップを作るために、開口を通して
蒸着される。このタイプの方法は、ゼブリック（Ｚｄｅ
ｂｌｉｃｋ）の米国特許第４，９０６，８４０号に開示
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの技術は、時間
がかかり、高品質な原子間力顕微鏡チップを一貫して提
供する程に精密ではない。
がかかり、高品質な原子間力顕微鏡チップを一貫して提
供する程に精密ではない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、主として原子
間力顕微鏡（ＡＦＭ）用顕微鏡プローブチップの製造方
法を提供する。原子間力顕微鏡プローブチップの製造方
法は、第一の材料を基板上に蒸着させる工程、例えば、
化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を用いて珪素酸化物を珪
素基板上に蒸着させる工程を備える。第一の材料が型取
られ、少なくとも１つの構成物突出部を構成する。この
型取り中、第一の材料は、エッチングされる。次いで、
第二の材料、例えば、珪素酸化物が、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）工程を用いて、突出部上に蒸着され、
これにより傾斜面を形成して、原子間力顕微鏡プローブ
チップを形成する。本発明の別の観点では、２つの異な
る大きさに作られた原子間力顕微鏡プローブチップを形
成する。次いで、複数のカンチレバーが互いに結合され
て、異なる分解能を有する２つのプローブチップを備え
た原子間力顕微鏡になる。本発明の方法の利点は、改良
された原子間力顕微鏡プローブチップを産出し、信頼性
を得て、精密に傾斜したチップを形成することである。
本発明の他の特徴と利点は、好ましい実施の形態を、添
付図面について詳細に述べている以下の説明によって明
白となるであろう。
間力顕微鏡（ＡＦＭ）用顕微鏡プローブチップの製造方
法を提供する。原子間力顕微鏡プローブチップの製造方
法は、第一の材料を基板上に蒸着させる工程、例えば、
化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を用いて珪素酸化物を珪
素基板上に蒸着させる工程を備える。第一の材料が型取
られ、少なくとも１つの構成物突出部を構成する。この
型取り中、第一の材料は、エッチングされる。次いで、
第二の材料、例えば、珪素酸化物が、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）工程を用いて、突出部上に蒸着され、
これにより傾斜面を形成して、原子間力顕微鏡プローブ
チップを形成する。本発明の別の観点では、２つの異な
る大きさに作られた原子間力顕微鏡プローブチップを形
成する。次いで、複数のカンチレバーが互いに結合され
て、異なる分解能を有する２つのプローブチップを備え
た原子間力顕微鏡になる。本発明の方法の利点は、改良
された原子間力顕微鏡プローブチップを産出し、信頼性
を得て、精密に傾斜したチップを形成することである。
本発明の他の特徴と利点は、好ましい実施の形態を、添
付図面について詳細に述べている以下の説明によって明
白となるであろう。
【０００５】本発明の更なる目的と特徴は、図面につい
てなされる以下の詳細な説明と本発明の特許請求の範囲
の請求項に記載した内容によって、明白となるであろ
う。
てなされる以下の詳細な説明と本発明の特許請求の範囲
の請求項に記載した内容によって、明白となるであろ
う。
【０００６】
【発明の実施の形態】好ましい実施の形態は、原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ）プローブチップの製造に対して差し向
けられ、これを図１乃至図３に関して説明する。ウェー
ハ１０を図１に、製造の中間段階の状態で示す。この段
階では、基板１２は、金属層のような第一の材料層でお
おわれ、該金属層は、型取られエッチングされて構成物
突出部１４及び１６を残している。変形例としては、第
一の材料層を、ポリ珪素層又は珪素酸化物層としてもよ
い。第一の材料層の蒸着は、当該技術において周知のど
のような技術、例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ
法）、プラズマＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）、スパッタリ
ング又は電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によって達
成してもよい。そして、エッチング工程は、当該技術に
おいて周知のどのような技術、例えば、乾式エッチング
又は湿式エッチングを用いて行なってもよい。いったん
突出部１４、１６が形成されると、原子間力顕微鏡プロ
ーブチップを、突出部の各々の頂上にすぐに形成するこ
とができる。第二材料層を、電子サイクロトロン共鳴工
程を用いて突出部１４、１６の頂上に蒸着させる。電子
サイクロトロン共鳴は、当該技術において周知の精密な
蒸着特性を有する工程である。例えば、電子サイクロト
ロン共鳴工程についての詳細な説明の代わりに、チェビ
（Ｃｈｅｂｉ）等の米国特許第５，２７９，８６５号を
見ればよい。また、電子サイクロトロン共鳴蒸着工程
は、第二材料層を突出部の頂上で傾斜させるスパッタエ
ッチングの構成要素を含む。その結果、露出した基板１
２と同じ外形の平らな層１８と、精密に角度をなした面
を有する原子間力顕微鏡プローブチップ２０、２２にな
る。
顕微鏡（ＡＦＭ）プローブチップの製造に対して差し向
けられ、これを図１乃至図３に関して説明する。ウェー
ハ１０を図１に、製造の中間段階の状態で示す。この段
階では、基板１２は、金属層のような第一の材料層でお
おわれ、該金属層は、型取られエッチングされて構成物
突出部１４及び１６を残している。変形例としては、第
一の材料層を、ポリ珪素層又は珪素酸化物層としてもよ
い。第一の材料層の蒸着は、当該技術において周知のど
のような技術、例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ
法）、プラズマＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）、スパッタリ
ング又は電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によって達
成してもよい。そして、エッチング工程は、当該技術に
おいて周知のどのような技術、例えば、乾式エッチング
又は湿式エッチングを用いて行なってもよい。いったん
突出部１４、１６が形成されると、原子間力顕微鏡プロ
ーブチップを、突出部の各々の頂上にすぐに形成するこ
とができる。第二材料層を、電子サイクロトロン共鳴工
程を用いて突出部１４、１６の頂上に蒸着させる。電子
サイクロトロン共鳴は、当該技術において周知の精密な
蒸着特性を有する工程である。例えば、電子サイクロト
ロン共鳴工程についての詳細な説明の代わりに、チェビ
（Ｃｈｅｂｉ）等の米国特許第５，２７９，８６５号を
見ればよい。また、電子サイクロトロン共鳴蒸着工程
は、第二材料層を突出部の頂上で傾斜させるスパッタエ
ッチングの構成要素を含む。その結果、露出した基板１
２と同じ外形の平らな層１８と、精密に角度をなした面
を有する原子間力顕微鏡プローブチップ２０、２２にな
る。
【０００７】図２に示すように、プローブチップ外形
は、突出部形状に依存する。突出部１４が方形であるの
で、プローブチップ２０は角錐形であり、突出部１６が
円形であるので、プローブチップ２２は円錐形である。
プローブチップの切断図を図３に示す。図３は、本発明
の方法によって作られた原子間力顕微鏡プローブチップ
の概略寸法を図示する。例えば、底幅寸法３０は、ほぼ
０．５マイクロメートルから２マイクロメートルの間で
あり、高さ寸法３２は、ほぼ０．２５マイクロメートル
から１マイクロメートルの間である。実際問題として、
高さ寸法は、底幅寸法と、第二の材料が突出部を形成す
る時間の関数である。また、チップ幅寸法３４は、底幅
寸法と、第二の材料が突出部を形成する時間の関数であ
る。例えば、チップ幅寸法３４は、ほぼ０．０１マイク
ロメートルから０．５マイクロメートルの間である。傾
斜度は、典型的には、４５°（縦横比が１）であり、か
くして、突出部が広くなればなるほど、チップが、全傾
斜側面が会う頂きに達するために必要な蒸着時間は多く
なる。それ故に、幅の狭い（０．５マイクロメートル以
下の）突出部により、中位の蒸着時間で、鋭く構成され
た原子間力顕微鏡プローブチップを製造することができ
（寸法３４は小さくて、０．０１マイクロメートル以下
であり）、幅の広い（２マイクロメートル以下の）突出
部により、中位の蒸着時間で、円い原子間力顕微鏡プロ
ーブチップを製造することができる（寸法３４は大きく
て、０．５マイクロメートル以下である）。粗いチップ
から微細なチップに至る異なる分解能を有する種々の原
子間力顕微鏡チップが、異なる表面を走査するために必
要であるため、この特徴は有利である。これらのチップ
の各々は、特定の分解能と雑音指数とを有する。チップ
が微細になればなるほど、分解能は大きくなり、かつ、
雑音指数は小さくなる。
は、突出部形状に依存する。突出部１４が方形であるの
で、プローブチップ２０は角錐形であり、突出部１６が
円形であるので、プローブチップ２２は円錐形である。
プローブチップの切断図を図３に示す。図３は、本発明
の方法によって作られた原子間力顕微鏡プローブチップ
の概略寸法を図示する。例えば、底幅寸法３０は、ほぼ
０．５マイクロメートルから２マイクロメートルの間で
あり、高さ寸法３２は、ほぼ０．２５マイクロメートル
から１マイクロメートルの間である。実際問題として、
高さ寸法は、底幅寸法と、第二の材料が突出部を形成す
る時間の関数である。また、チップ幅寸法３４は、底幅
寸法と、第二の材料が突出部を形成する時間の関数であ
る。例えば、チップ幅寸法３４は、ほぼ０．０１マイク
ロメートルから０．５マイクロメートルの間である。傾
斜度は、典型的には、４５°（縦横比が１）であり、か
くして、突出部が広くなればなるほど、チップが、全傾
斜側面が会う頂きに達するために必要な蒸着時間は多く
なる。それ故に、幅の狭い（０．５マイクロメートル以
下の）突出部により、中位の蒸着時間で、鋭く構成され
た原子間力顕微鏡プローブチップを製造することができ
（寸法３４は小さくて、０．０１マイクロメートル以下
であり）、幅の広い（２マイクロメートル以下の）突出
部により、中位の蒸着時間で、円い原子間力顕微鏡プロ
ーブチップを製造することができる（寸法３４は大きく
て、０．５マイクロメートル以下である）。粗いチップ
から微細なチップに至る異なる分解能を有する種々の原
子間力顕微鏡チップが、異なる表面を走査するために必
要であるため、この特徴は有利である。これらのチップ
の各々は、特定の分解能と雑音指数とを有する。チップ
が微細になればなるほど、分解能は大きくなり、かつ、
雑音指数は小さくなる。
【０００８】電子サイクロトロン共鳴によって蒸着する
ことができる材料のタイプは、珪素、ＳｉＯx のような
酸化物、ＳｉＮのような窒化物、金属及び他の材料を含
む。さらに加えて、電子サイクロトロン共鳴は、珪素製
造技術と両立できる故に、プローブチップを形成するた
めに、ＣＶＤ技術を用いて蒸着することができる当該技
術において周知のどのような材料を用いてもよい。チッ
プを形成することに加えて、チップを、導電性のある材
料、例えば、金属のような別の材料でコーティングする
ことが望ましい。例えば、金属層を、電子サイクロトロ
ン共鳴を用いて蒸着させてプローブチップを形成するこ
とがよく、又は、金属層を、本発明によって蒸着した酸
化物層上にスパッタリング又はスパッタエッチングし
て、プローブチップを形成してもよい。さらに加えて、
チップは、複数の層を備えてもよく、所望なら、１以上
の伝導体金属層で作ってもよい。図４は、同一のウェー
ハ５０により同時に製造された複数の原子間力顕微鏡プ
ローブチップを示す。この形態は、典型的には、どのよ
うに原子間力顕微鏡プローブチップの製造が行われるか
を示し、この形態においては、同様に構成された複数の
チップが同一ウェーハにより作られる。チップ完成後、
付随するカンチレバー５２、５４、５６及び５８は、例
えば、のこぎり機械を用いて分離され、その後、原子間
力顕微鏡に用いられる。
ことができる材料のタイプは、珪素、ＳｉＯx のような
酸化物、ＳｉＮのような窒化物、金属及び他の材料を含
む。さらに加えて、電子サイクロトロン共鳴は、珪素製
造技術と両立できる故に、プローブチップを形成するた
めに、ＣＶＤ技術を用いて蒸着することができる当該技
術において周知のどのような材料を用いてもよい。チッ
プを形成することに加えて、チップを、導電性のある材
料、例えば、金属のような別の材料でコーティングする
ことが望ましい。例えば、金属層を、電子サイクロトロ
ン共鳴を用いて蒸着させてプローブチップを形成するこ
とがよく、又は、金属層を、本発明によって蒸着した酸
化物層上にスパッタリング又はスパッタエッチングし
て、プローブチップを形成してもよい。さらに加えて、
チップは、複数の層を備えてもよく、所望なら、１以上
の伝導体金属層で作ってもよい。図４は、同一のウェー
ハ５０により同時に製造された複数の原子間力顕微鏡プ
ローブチップを示す。この形態は、典型的には、どのよ
うに原子間力顕微鏡プローブチップの製造が行われるか
を示し、この形態においては、同様に構成された複数の
チップが同一ウェーハにより作られる。チップ完成後、
付随するカンチレバー５２、５４、５６及び５８は、例
えば、のこぎり機械を用いて分離され、その後、原子間
力顕微鏡に用いられる。
【０００９】図５は、２つの独立したカンチレバー７
２、７４が、共通の連結物７６に互いに連結されている
実施の形態を示す。この形態の目的は、それを用いて試
料表面を走査する複数のチップを有する原子間力顕微鏡
を提供することである。カンチレバーの各々は、それぞ
れプローブチップ７２ａ、７４ａを有し、カンチレバー
の各々は、原子間力顕微鏡に、チップの形態に依存する
ある感度、例えば、粗い分解能又は細かい分解能を与え
る。例えば、もし、チップ７２ａが、２マイクロメート
ルの幅と０．５マイクロメートルの高さであるとき、分
解能は粗い。もし、チップ７４ａが、０．５マイクロメ
ートルの幅で０．２５マイクロメートルの高さであると
き、分解能は細かい。２つのチップが、ここに示した方
法で互いに結合されたとき、原子間力顕微鏡は、粗い細
部形状と微細な細部形状の両方を識別する能力を有し、
試料表面の量を計る。すなわち、粗い分解能のチップに
より、全体的に表面の量を計ることができ、しかも、表
面の大きな段状部分を乗り越えられるが、一方、微細な
分解能のチップにより、大きな段状部分を生じている所
では不正確な表示度数を示すとしても、詳細に表面の量
を計ることができる。その結果、原子間力顕微鏡は、各
々が異なる分解能を有する複数のプローブチップを備え
ることによって、かなり多数の異なる試料表面の量を計
ることができる。この多チップ形態では、第一の材料を
型取って異なる大きさの突出部を構成し、次いで、同じ
持続時間でチップの材料を突出部に蒸着させることによ
って、チップを同一の基板により形成するのがよく、又
は、チップを別の基板で形成して、その後、互いに結合
してもよい。どの場合でも、カンチレバーは、独立した
作動を保証するために、剛体の支持物に取付けられなけ
ればならない。
２、７４が、共通の連結物７６に互いに連結されている
実施の形態を示す。この形態の目的は、それを用いて試
料表面を走査する複数のチップを有する原子間力顕微鏡
を提供することである。カンチレバーの各々は、それぞ
れプローブチップ７２ａ、７４ａを有し、カンチレバー
の各々は、原子間力顕微鏡に、チップの形態に依存する
ある感度、例えば、粗い分解能又は細かい分解能を与え
る。例えば、もし、チップ７２ａが、２マイクロメート
ルの幅と０．５マイクロメートルの高さであるとき、分
解能は粗い。もし、チップ７４ａが、０．５マイクロメ
ートルの幅で０．２５マイクロメートルの高さであると
き、分解能は細かい。２つのチップが、ここに示した方
法で互いに結合されたとき、原子間力顕微鏡は、粗い細
部形状と微細な細部形状の両方を識別する能力を有し、
試料表面の量を計る。すなわち、粗い分解能のチップに
より、全体的に表面の量を計ることができ、しかも、表
面の大きな段状部分を乗り越えられるが、一方、微細な
分解能のチップにより、大きな段状部分を生じている所
では不正確な表示度数を示すとしても、詳細に表面の量
を計ることができる。その結果、原子間力顕微鏡は、各
々が異なる分解能を有する複数のプローブチップを備え
ることによって、かなり多数の異なる試料表面の量を計
ることができる。この多チップ形態では、第一の材料を
型取って異なる大きさの突出部を構成し、次いで、同じ
持続時間でチップの材料を突出部に蒸着させることによ
って、チップを同一の基板により形成するのがよく、又
は、チップを別の基板で形成して、その後、互いに結合
してもよい。どの場合でも、カンチレバーは、独立した
作動を保証するために、剛体の支持物に取付けられなけ
ればならない。
【００１０】変形例として、カンチレバー７２、７４
は、同一分解能のチップを有してもよい。これは、同じ
大きさの突出部を同一基板により型取ることによって達
成してもよく、又は、チップを別基板により形成し、そ
の後、カンチレバーを互いに結合することによって達成
してもよい。この形態により、試料に対する走査可能範
囲は２倍になり、試料表面を走査するために要する時間
を減らすことができる。さらに加えて、例えば、３つ、
４つ以上のかなり多数のカンチレバーを、互いに結合し
てもよい。カンチレバーの設計に組み入れることができ
る更なる特徴は、半導体装置と集積回路とを含む。本発
明の方法は、普通の半導体製造技術と両立できるので、
本発明の方法は、カンチレバーに半導体装置を形成する
ことを含む、前述の工程に先立つ工程、前述の工程間に
介在する工程、又は、前述の工程に引続く工程を備えて
もよい。半導体装置を形成するために必要な工程は当該
技術において周知であり、この実施の形態は、このよう
な組合せが新規である限りは、本発明の方法と関連した
すべてのこのような組合せを含めることを意図する。使
用中の顕微鏡プローブチップの実施の形態を示すため
に、図６及び図７は、それぞれ原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）と走査形トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）とを示す。図６
を参照すると、原子間力顕微鏡と近距離光学センサの両
方を有する原子間力顕微鏡１００の線図を示す。超小型
のカンチレバーアーム１０２は、その自由端にチップ１
０４を有し、試料１１０の表面を走査するために用いら
れる。
は、同一分解能のチップを有してもよい。これは、同じ
大きさの突出部を同一基板により型取ることによって達
成してもよく、又は、チップを別基板により形成し、そ
の後、カンチレバーを互いに結合することによって達成
してもよい。この形態により、試料に対する走査可能範
囲は２倍になり、試料表面を走査するために要する時間
を減らすことができる。さらに加えて、例えば、３つ、
４つ以上のかなり多数のカンチレバーを、互いに結合し
てもよい。カンチレバーの設計に組み入れることができ
る更なる特徴は、半導体装置と集積回路とを含む。本発
明の方法は、普通の半導体製造技術と両立できるので、
本発明の方法は、カンチレバーに半導体装置を形成する
ことを含む、前述の工程に先立つ工程、前述の工程間に
介在する工程、又は、前述の工程に引続く工程を備えて
もよい。半導体装置を形成するために必要な工程は当該
技術において周知であり、この実施の形態は、このよう
な組合せが新規である限りは、本発明の方法と関連した
すべてのこのような組合せを含めることを意図する。使
用中の顕微鏡プローブチップの実施の形態を示すため
に、図６及び図７は、それぞれ原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）と走査形トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）とを示す。図６
を参照すると、原子間力顕微鏡と近距離光学センサの両
方を有する原子間力顕微鏡１００の線図を示す。超小型
のカンチレバーアーム１０２は、その自由端にチップ１
０４を有し、試料１１０の表面を走査するために用いら
れる。
【００１１】試料１１０は、走査載物台１１３に取付け
られる。試料表面は、プローブホルダ１１２を用いて走
査され、該プローブホルダ１１２はＸＹＺ走査器として
機能して、試料１１０を静止状態で維持しつつ、カンチ
レバー１０２を移動させる。変形例として、試料は、
「圧電走査管」タイプのＸＹＺ走査載物台に取付けら
れ、該ＸＹＺ走査載物台は、圧電アクチュエータを用い
て、試料１１０をＸ、Ｙ及びＺ方向に精確に移動させ
る。ＸＹＺ走査載物台１１３は、試料１１０を、試料表
面を走査するように移動させるけれども、カンチレバー
１０２は静止状態に維持される。当業者は、また、プロ
ーブ１０２を試料１１０に関して上下に動かすための別
個のＺ軸線方向平行移動装置を、３軸線走査載物台１１
３の代わりに利用してもよいことを理解するであろう。
試料ホルダ１１３又はプローブホルダ１１２、又は、そ
の両方を、プローブを試料表面に関して移動させるため
に用いるいずれの場合においても、走査はプログラムに
もとづいて動作する超小型コントローラ即ちコンピュー
タ１１４によって制御され、また、該コンピュータ１１
４は、測定データを解析し、測定情報を表示装置１１６
で表示する。
られる。試料表面は、プローブホルダ１１２を用いて走
査され、該プローブホルダ１１２はＸＹＺ走査器として
機能して、試料１１０を静止状態で維持しつつ、カンチ
レバー１０２を移動させる。変形例として、試料は、
「圧電走査管」タイプのＸＹＺ走査載物台に取付けら
れ、該ＸＹＺ走査載物台は、圧電アクチュエータを用い
て、試料１１０をＸ、Ｙ及びＺ方向に精確に移動させ
る。ＸＹＺ走査載物台１１３は、試料１１０を、試料表
面を走査するように移動させるけれども、カンチレバー
１０２は静止状態に維持される。当業者は、また、プロ
ーブ１０２を試料１１０に関して上下に動かすための別
個のＺ軸線方向平行移動装置を、３軸線走査載物台１１
３の代わりに利用してもよいことを理解するであろう。
試料ホルダ１１３又はプローブホルダ１１２、又は、そ
の両方を、プローブを試料表面に関して移動させるため
に用いるいずれの場合においても、走査はプログラムに
もとづいて動作する超小型コントローラ即ちコンピュー
タ１１４によって制御され、また、該コンピュータ１１
４は、測定データを解析し、測定情報を表示装置１１６
で表示する。
【００１２】試料表面の形状的特徴又は他の特徴は、カ
ンチレバー１０２の撓みを測定することによって得られ
る。普通、カンチレバーの撓みは、撓み測定回路１２２
に結合された、精確に位置調整された光学素子１２０を
用いて測定されるが、時には、他の技術が用いられる。
図７を参照すると、第一に、従来の走査形トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ）は、走査表面の電子的特性を監視するため
に用いられる。走査形トンネル顕微鏡組立体２００は、
伝導体チップ２０４を有するカンチレバー２０２を備え
る。例えば、チップは、その上に蒸着した金属を有する
酸化物で構成される。この実施の形態では、チップ２０
４は、カンチレバー２０２の頂部にあり、また、チップ
２０４は、トンネル電流が試料１１０から走査形トンネ
ル顕微鏡プローブに入る個所として用いられる。本発明
の別の実施の形態では、チップは、カンチレバー２０２
から離れて突出する、突出伝導体チップであってもよ
い。伝導体試料又は半導体試料のトンネル電流は、伝導
体チップ２０４を、０．１ナノメートルから１ナノメー
トルの間（１オングストロームから１０オングストロー
ムの間）の間隙で試料１１０上に配置することによって
誘導され、低電圧電界（典型的には、１ボルト以下）
を、伝導体チップ２０４と試料１１０との間に発生さ
せ、該試料１１０は、試料に対する電気的接続を容易に
するための金属板２２２に取付けられる。トンネル電流
が、チップ２０４と試料１１０との間の０．１ナノメー
トルから１ナノメートルの間（１オングストロームから
１０オングストロームの間）の間隙を通してチップから
引き出され、間隙１５０の大きさを示す。典型的には、
走査形トンネル顕微鏡には、２つの作動モードがある。
第一作動モードは、非常に平らな試料に対する定常高さ
モードであり、この定常高さモードでは、チップは一定
高さで走査され、トンネル電流が測定されて、試料の形
状的特徴を測定する。第二作動モードは、定電流モード
であり、この定電流モードでは、トンネル電流は、あら
かじめ選択された電流の水準が復帰するまで、カンチレ
バー高さを変えることによって、一定に維持される。
ンチレバー１０２の撓みを測定することによって得られ
る。普通、カンチレバーの撓みは、撓み測定回路１２２
に結合された、精確に位置調整された光学素子１２０を
用いて測定されるが、時には、他の技術が用いられる。
図７を参照すると、第一に、従来の走査形トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ）は、走査表面の電子的特性を監視するため
に用いられる。走査形トンネル顕微鏡組立体２００は、
伝導体チップ２０４を有するカンチレバー２０２を備え
る。例えば、チップは、その上に蒸着した金属を有する
酸化物で構成される。この実施の形態では、チップ２０
４は、カンチレバー２０２の頂部にあり、また、チップ
２０４は、トンネル電流が試料１１０から走査形トンネ
ル顕微鏡プローブに入る個所として用いられる。本発明
の別の実施の形態では、チップは、カンチレバー２０２
から離れて突出する、突出伝導体チップであってもよ
い。伝導体試料又は半導体試料のトンネル電流は、伝導
体チップ２０４を、０．１ナノメートルから１ナノメー
トルの間（１オングストロームから１０オングストロー
ムの間）の間隙で試料１１０上に配置することによって
誘導され、低電圧電界（典型的には、１ボルト以下）
を、伝導体チップ２０４と試料１１０との間に発生さ
せ、該試料１１０は、試料に対する電気的接続を容易に
するための金属板２２２に取付けられる。トンネル電流
が、チップ２０４と試料１１０との間の０．１ナノメー
トルから１ナノメートルの間（１オングストロームから
１０オングストロームの間）の間隙を通してチップから
引き出され、間隙１５０の大きさを示す。典型的には、
走査形トンネル顕微鏡には、２つの作動モードがある。
第一作動モードは、非常に平らな試料に対する定常高さ
モードであり、この定常高さモードでは、チップは一定
高さで走査され、トンネル電流が測定されて、試料の形
状的特徴を測定する。第二作動モードは、定電流モード
であり、この定電流モードでは、トンネル電流は、あら
かじめ選択された電流の水準が復帰するまで、カンチレ
バー高さを変えることによって、一定に維持される。
【００１３】トンネル電流測定回路２２０は、チップ２
０４と試料１１０の両方に結合され、チップ２０４に電
圧を誘導する電流の適用を制御し、結果として生じるト
ンネル電流の大きさを測定する。この測定データ、又
は、この測定データから生じた映像は、コントローラ１
１４による適当な処理の後で、表示装置１１６で表示さ
れる。ここに好ましい実施の形態と最良の形態とを開示
したので、開示された実施の形態に対して変形及び変更
が可能であり、それらは特許請求の範囲の請求項の記載
内容により定義される本発明の範囲内に存続する。
０４と試料１１０の両方に結合され、チップ２０４に電
圧を誘導する電流の適用を制御し、結果として生じるト
ンネル電流の大きさを測定する。この測定データ、又
は、この測定データから生じた映像は、コントローラ１
１４による適当な処理の後で、表示装置１１６で表示さ
れる。ここに好ましい実施の形態と最良の形態とを開示
したので、開示された実施の形態に対して変形及び変更
が可能であり、それらは特許請求の範囲の請求項の記載
内容により定義される本発明の範囲内に存続する。
【図１】図１は、基板と構成物突出部とを有する製作工
程中の原子間力顕微鏡プローブチップを示す。
程中の原子間力顕微鏡プローブチップを示す。
【図２】図２は、基板と、構成物突出部と、傾斜面にな
っている第三の材料層とを有する製作工程中の原子間力
顕微鏡プローブチップを示す。
っている第三の材料層とを有する製作工程中の原子間力
顕微鏡プローブチップを示す。
【図３】図３は、原子間力顕微鏡プローブチップの側面
図を示す。
図を示す。
【図４】図４は、同一の基板に製造された複数の原子間
力顕微鏡プローブチップを示す。
力顕微鏡プローブチップを示す。
【図５】図５は、互いに結合された独立したカンチレバ
ーの複数の原子間力顕微鏡プローブチップを示す。
ーの複数の原子間力顕微鏡プローブチップを示す。
【図６】図６は、本発明による方法によって作られたチ
ップを用いる原子間力顕微鏡を示す。
ップを用いる原子間力顕微鏡を示す。
【図７】図７は、本発明による方法によって作られたチ
ップを用いる走査形トンネル顕微鏡を示す。
ップを用いる走査形トンネル顕微鏡を示す。
１０ ウェーハ １２ 基板 １４、１６ 突出部 １８ 平らな層 ２０、２２ 原子間力顕微鏡プローブチップ ３０ 底幅寸法 ３２ 高さ寸法 ３４ チップ幅寸法 ５０ ウェーハ ５２、５４、５６、５８ カンチレバー ７２、７４ カンチレバー １００ 原子間力顕微鏡 １０２ カンチレバーアーム １０４ チップ １１０ 試料 １１２ プローブホルダ １１３ ＸＹＺ走査載物台 １１４ コンピュータ １１６ 表示装置 １２０ 光学素子 １２２ 撓み測定回路 １５０ 間隙 ２００ 走査形トンネル顕微鏡組立体 ２０２ カンチレバー ２０４ チップ ２２２ 金属板チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミリンド ジー ウェーリング アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95132 サン ホセ ノース キャピトル アベニュー 37−1265
Claims (5)
- 【請求項１】 第一の材料を基板上に蒸着させる工程
と、 前記第一の材料を型取り、第一の突出部を構成する工程
と、 第二の材料を、電子サイクロトロン共鳴工程を用いて、
前記第一の材料上に蒸着させ、傾斜面を有する第一の顕
微鏡プローブチップを形成する工程と、を有することを
特徴とする顕微鏡プローブチップの製造方法。 - 【請求項２】 更に、伝導性のある第三の材料を、前
記第二の材料上に蒸着させる工程を有する、請求項１に
記載の顕微鏡プローブチップの製造方法。 - 【請求項３】 更に、第三の材料を、第二の基板上に
蒸着させる工程と、前記第三の材料を型取り、第二の突
出部を構成する工程と、 第四の材料を、電子サイクロトロン共鳴工程を用いて、
前記第二の材料上に蒸着させて、傾斜面を有する第二の
顕微鏡プローブチップを形成する工程と、 前記第一の顕微鏡プローブチップを、第一のカンチレバ
ーに構成する工程と、 前記第二の顕微鏡プローブチップを、第二のカンチレバ
ーに構成する工程と、 前記第一のカンチレバーと、前記第二のカンチレバーと
を、互いに結合する工程とを有する、請求項１に記載の
顕微鏡プローブチップの製造方法。 - 【請求項４】 前記第一の材料は金属であり、前記第
二の材料は、電子サイクロトロン共鳴工程を用いて、前
記第一の突出部上に蒸着した第一の酸化物層である、請
求項１に記載の顕微鏡プローブチップの製造方法。 - 【請求項５】 更に、第二の金属層を、前記第一の酸
化物層上に蒸着させる工程を有する、請求項４に記載の
顕微鏡プローブチップの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/357842 | 1994-12-14 | ||
| US08/357,842 US5540958A (en) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | Method of making microscope probe tips |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08271802A true JPH08271802A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=23407257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7321719A Abandoned JPH08271802A (ja) | 1994-12-14 | 1995-12-11 | 顕微鏡プローブチップの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5540958A (ja) |
| JP (1) | JPH08271802A (ja) |
| KR (1) | KR100384359B1 (ja) |
Cited By (1)
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| JP2021517251A (ja) * | 2018-03-26 | 2021-07-15 | ブルカー ナノ インコーポレイテッドＢｒｕｋｅｒ Ｎａｎｏ，Ｉｎｃ． | 大きな半径のプローブ |
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| US5965218A (en) * | 1997-03-18 | 1999-10-12 | Vlsi Technology, Inc. | Process for manufacturing ultra-sharp atomic force microscope (AFM) and scanning tunneling microscope (STM) tips |
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- 1995-12-14 KR KR1019950049569A patent/KR100384359B1/ko not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| KR960024492A (ko) | 1996-07-20 |
| KR100384359B1 (ko) | 2003-09-06 |
| US5540958A (en) | 1996-07-30 |
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