JPH08271921A - 液晶装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶装置及びその製造方法Info
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- JPH08271921A JPH08271921A JP7670895A JP7670895A JPH08271921A JP H08271921 A JPH08271921 A JP H08271921A JP 7670895 A JP7670895 A JP 7670895A JP 7670895 A JP7670895 A JP 7670895A JP H08271921 A JPH08271921 A JP H08271921A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属補助電極による透明電極上の段差の影響を
なくし、平坦な電極を得られるようにした準安定的記憶
効果を有する液晶表示体を用いた表示装置の製造方法。 【構成】ガラス基板（７）上の所定のパターンを形成し
た透明電極（６）上に金属皮膜を成膜した後、該金属皮
膜をエッチングレジスト（２０１）によって所定の金属
補助電極（５）のパターンにエッチングし、次いで金属
補助電極とほぼ同じ厚さの透明膜（２０２）を形成した
後、上記エッチングレジスト（２０１）を剥離し平坦化
を行う。
なくし、平坦な電極を得られるようにした準安定的記憶
効果を有する液晶表示体を用いた表示装置の製造方法。 【構成】ガラス基板（７）上の所定のパターンを形成し
た透明電極（６）上に金属皮膜を成膜した後、該金属皮
膜をエッチングレジスト（２０１）によって所定の金属
補助電極（５）のパターンにエッチングし、次いで金属
補助電極とほぼ同じ厚さの透明膜（２０２）を形成した
後、上記エッチングレジスト（２０１）を剥離し平坦化
を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶を用いた表示装置
に関するものであり、特に双安定性スイッチングを利用
して単純マトリクス駆動される液晶装置に関する。
に関するものであり、特に双安定性スイッチングを利用
して単純マトリクス駆動される液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＯＡ機器の表示装置等として実用
化されている液晶装置は、ツイストネマティック（Ｔ
Ｎ）型液晶もしくはスーパーツイストネマティック（Ｓ
ＴＮ）型液晶を用いている。例えば、M.Schadt and W.H
elfrich: Appl. Phys. Lett.18(1971)127, あるいは T.
J.Scheffer and J.Nehring: Appl. Phys.Lett.45(1984)
1021.に示されているこれらの表示方式はメモリー効果
を持たないため、電圧平均化法による単純マトリクス駆
動法または各画素にトランジスタ等のアクティブ素子を
設けたアクティブマトリクス駆動法によって駆動され
る。
化されている液晶装置は、ツイストネマティック（Ｔ
Ｎ）型液晶もしくはスーパーツイストネマティック（Ｓ
ＴＮ）型液晶を用いている。例えば、M.Schadt and W.H
elfrich: Appl. Phys. Lett.18(1971)127, あるいは T.
J.Scheffer and J.Nehring: Appl. Phys.Lett.45(1984)
1021.に示されているこれらの表示方式はメモリー効果
を持たないため、電圧平均化法による単純マトリクス駆
動法または各画素にトランジスタ等のアクティブ素子を
設けたアクティブマトリクス駆動法によって駆動され
る。
【０００３】この他に、まだ実用化はされていないが、
様々な方式が研究されている。例えば、特公平1-51818
及び USP 4,239,345、特公平3-26368、特開昭59-58420
には双安定性スイッチングを用いる方式が開示されてい
る。
様々な方式が研究されている。例えば、特公平1-51818
及び USP 4,239,345、特公平3-26368、特開昭59-58420
には双安定性スイッチングを用いる方式が開示されてい
る。
【０００４】双安定性あるいは複数の安定状態を有する
動作モードに関しては、それらの状態間を適当な電圧波
形で選択的にスイッチング出来る場合において走査線数
の多い高精細表示に適する訳であるが、それぞれに特有
の問題点を持っている。
動作モードに関しては、それらの状態間を適当な電圧波
形で選択的にスイッチング出来る場合において走査線数
の多い高精細表示に適する訳であるが、それぞれに特有
の問題点を持っている。
【０００５】例えば、特公平1-51818 及びUSP 4,239,34
5 に開示されている技術は双安定性を持っているため、
アクティブ素子を用いなくても、いったん書き込んだ情
報を長時間保持することができる。ところが、２つの安
定な状態間のスイッチングは、基本的には印加電圧の急
激な遮断と約１秒間にわたる緩慢な降下によって行われ
るため、単純マトリクス駆動には適さず、書き込み速度
も非常に遅い。事実、特公平1-51818 にはスイッチング
原理が記載されているのみであり、単純マトリクス駆動
する方法は開示されていない。
5 に開示されている技術は双安定性を持っているため、
アクティブ素子を用いなくても、いったん書き込んだ情
報を長時間保持することができる。ところが、２つの安
定な状態間のスイッチングは、基本的には印加電圧の急
激な遮断と約１秒間にわたる緩慢な降下によって行われ
るため、単純マトリクス駆動には適さず、書き込み速度
も非常に遅い。事実、特公平1-51818 にはスイッチング
原理が記載されているのみであり、単純マトリクス駆動
する方法は開示されていない。
【０００６】単純マトリクス駆動により２つの安定な状
態間のスイッチングを実現する技術は、例えば特開平6-
230751に開示されている。特開平6-230751に開示されて
いる技術は、電圧を印加する前の初期状態においてφr
のツイスト角を成すカイラルネマティック液晶を備えた
液晶装置に、フレデリクス転移を生じさせるための、初
期状態及びツイスト角が各々略（φr＋１８０°）と略
（φr−１８０°）である２つの準安定状態における閾
値以上の電圧を付与するリセットパルスと、リセットパ
ルス印加後の液晶を前記２つの準安定状態のいずれか一
方に移行させるための、前記２つの準安定状態のいずれ
かを生ずる臨界値を基準として選択付与される選択パル
スとを印加するものである。
態間のスイッチングを実現する技術は、例えば特開平6-
230751に開示されている。特開平6-230751に開示されて
いる技術は、電圧を印加する前の初期状態においてφr
のツイスト角を成すカイラルネマティック液晶を備えた
液晶装置に、フレデリクス転移を生じさせるための、初
期状態及びツイスト角が各々略（φr＋１８０°）と略
（φr−１８０°）である２つの準安定状態における閾
値以上の電圧を付与するリセットパルスと、リセットパ
ルス印加後の液晶を前記２つの準安定状態のいずれか一
方に移行させるための、前記２つの準安定状態のいずれ
かを生ずる臨界値を基準として選択付与される選択パル
スとを印加するものである。
【０００７】上記及び本発明に適用される様な双安定性
あるいは複数の安定状態を有する動作モードにおいて
は、上記２つの準安定状態間のスイッチングは基本的に
パルス応答であるため駆動波形に強く依存する。そのた
め、大画面及び高精細表示を行うには駆動波形を維持さ
せるため電極の低抵抗化が要求され、ＩＴＯ（Indium T
inOxide）電極上に金属補助電極を形成する方法がとら
れていた。
あるいは複数の安定状態を有する動作モードにおいて
は、上記２つの準安定状態間のスイッチングは基本的に
パルス応答であるため駆動波形に強く依存する。そのた
め、大画面及び高精細表示を行うには駆動波形を維持さ
せるため電極の低抵抗化が要求され、ＩＴＯ（Indium T
inOxide）電極上に金属補助電極を形成する方法がとら
れていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すように金属
補助電極（５）をＩＴＯ電極（６）上に形成すると、Ｉ
ＴＯ電極（６）と金属補助電極（５）との間に金属補助
電極の厚さ１００〜２００ｎｍ程度の段差が生じる。こ
れらの金属補助電極を施した基板を用いて液晶パネルを
形成すると、画素を構成する部分にＩＴＯ電極−ＩＴＯ
電極間（ｄ１）、ＩＴＯ電極−金属補助電極間（ｄ
２）、金属補助電極−金属補助電極間（ｄ３）の３種類
のセルギャップができる。そのため、ギャップ材は金属
補助電極が互いに対向する部分でセル厚を維持すること
になり、画素内にはセル厚維持に寄与しない浮遊してい
る状態のギャップ材が存在し、この浮遊ギャップ材を核
としたドメインが発生して表示品位を低下させるという
問題が生じている。
補助電極（５）をＩＴＯ電極（６）上に形成すると、Ｉ
ＴＯ電極（６）と金属補助電極（５）との間に金属補助
電極の厚さ１００〜２００ｎｍ程度の段差が生じる。こ
れらの金属補助電極を施した基板を用いて液晶パネルを
形成すると、画素を構成する部分にＩＴＯ電極−ＩＴＯ
電極間（ｄ１）、ＩＴＯ電極−金属補助電極間（ｄ
２）、金属補助電極−金属補助電極間（ｄ３）の３種類
のセルギャップができる。そのため、ギャップ材は金属
補助電極が互いに対向する部分でセル厚を維持すること
になり、画素内にはセル厚維持に寄与しない浮遊してい
る状態のギャップ材が存在し、この浮遊ギャップ材を核
としたドメインが発生して表示品位を低下させるという
問題が生じている。
【０００９】また、セル厚を維持する金属補助電極が互
いに対向する部分の面積が小さくなると、セル厚制御が
困難になるとという問題点が生じている。
いに対向する部分の面積が小さくなると、セル厚制御が
困難になるとという問題点が生じている。
【００１０】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、その目的とするところは、単純マトリクス方式に
よって実現できる高品位な表示を可能とする高精細液晶
装置を提供するところにある。
あり、その目的とするところは、単純マトリクス方式に
よって実現できる高品位な表示を可能とする高精細液晶
装置を提供するところにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶装置は上記
課題を解決するために、 （１）透明電極と該透明電極上の金属補助電極よりなる
走査電極群と信号電極群がマトリクス状に配置されてそ
の対向部に画素を形成する基板間に記憶効果を有する液
晶を挟持して構成された液晶パネルであり、電極に駆動
電圧信号を印加する手段、液晶の呈する記憶状態を選択
するために駆動電圧信号を制御する手段、該液晶パネル
に偏光を入射する手段と同パネルを透過した光を選択さ
れた記憶状態に応じて識別するよう配置された偏光子か
ら成る液晶装置において、上記透明電極と上記金属補助
電極との段差を平坦化処理することを特徴とする。
課題を解決するために、 （１）透明電極と該透明電極上の金属補助電極よりなる
走査電極群と信号電極群がマトリクス状に配置されてそ
の対向部に画素を形成する基板間に記憶効果を有する液
晶を挟持して構成された液晶パネルであり、電極に駆動
電圧信号を印加する手段、液晶の呈する記憶状態を選択
するために駆動電圧信号を制御する手段、該液晶パネル
に偏光を入射する手段と同パネルを透過した光を選択さ
れた記憶状態に応じて識別するよう配置された偏光子か
ら成る液晶装置において、上記透明電極と上記金属補助
電極との段差を平坦化処理することを特徴とする。
【００１２】（２）前記液晶装置の製造方法において、
所定のパターンを形成した前記透明電極上に金属皮膜を
成膜した後、該金属皮膜をエッチングレジストによって
所定の金属補助電極のパターンにエッチングし、次いで
基板上に該金属補助電極とほぼ同じ厚さの透明膜を形成
した後、上記エッチングレジストを剥離することを特徴
とする。
所定のパターンを形成した前記透明電極上に金属皮膜を
成膜した後、該金属皮膜をエッチングレジストによって
所定の金属補助電極のパターンにエッチングし、次いで
基板上に該金属補助電極とほぼ同じ厚さの透明膜を形成
した後、上記エッチングレジストを剥離することを特徴
とする。
【００１３】（３）前記（２）において、前記金属補助
電極とほぼ同じ厚さの透明膜が、絶縁膜であることを特
徴とする。
電極とほぼ同じ厚さの透明膜が、絶縁膜であることを特
徴とする。
【００１４】（４）前記（２）において、前記金属補助
電極とほぼ同じ厚さの透明膜が、導電膜であることを特
徴とする。
電極とほぼ同じ厚さの透明膜が、導電膜であることを特
徴とする。
【００１５】（５）前記記憶効果を有する液晶が、電圧
を印加する前の初期状態においてφrのツイスト角を成
し、パルス電圧群を印加した後の緩和状態としてツイス
ト角が各々略（φr＋１８０°）と略（φr−１８０°）
である２つの準安定状態を有する性質の液晶である事を
特徴とする。
を印加する前の初期状態においてφrのツイスト角を成
し、パルス電圧群を印加した後の緩和状態としてツイス
ト角が各々略（φr＋１８０°）と略（φr−１８０°）
である２つの準安定状態を有する性質の液晶である事を
特徴とする。
【００１６】
【実施例】以下、具体的な実施例により本発明の詳細を
説明する。
説明する。
【００１７】図１に本発明の液晶装置における液晶パネ
ル部分の概略断面図を示す。ガラス基板（７）上にスト
ライプ形状のＩＴＯ透明電極（６）、金属補助電極
（５）、レベリング層（４）、絶縁層（３）、配向膜
（２）を積層して表面にラビング処理を施して対向配置
した。基板間に液晶（１）を封入すると配向処理の効果
によりダイレクターベクトル（９）が配向膜界面で一定
のプレティルト角（θ1、θ2）をもって配列する。液晶
中に光学活性物質を添加する事によって内部の液晶分子
は基板面法線方向に軸を有する螺旋構造をとる。
ル部分の概略断面図を示す。ガラス基板（７）上にスト
ライプ形状のＩＴＯ透明電極（６）、金属補助電極
（５）、レベリング層（４）、絶縁層（３）、配向膜
（２）を積層して表面にラビング処理を施して対向配置
した。基板間に液晶（１）を封入すると配向処理の効果
によりダイレクターベクトル（９）が配向膜界面で一定
のプレティルト角（θ1、θ2）をもって配列する。液晶
中に光学活性物質を添加する事によって内部の液晶分子
は基板面法線方向に軸を有する螺旋構造をとる。
【００１８】本実施例では室温でネマティック相を呈す
る液晶組成物（Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製：ＺＬＩ−３３２
９、Δｎ＝０．１５４）に光学活性添加剤（Ｅ．Ｍｅｒ
ｃｋ社製：Ｓ８１１）を加えてヘリカルピッチｐ＝３．
５μｍに調整した。基板界面にポリイミド配向膜を設
け、上下基板で反平行方向（１８０度）のラビング処理
を施してギャップｄ＝１．８μｍとしたものを用いた。
上記液晶組成物を封入すると界面プレティルト角は上下
基板近傍で逆符号をもって約５°となり、ｐ／４＜ｄ＜
３ｐ／４であるため、液晶分子の配向は基板法線方向に
螺旋軸を持つ１８０°ツイスト状態となる。本構成の素
子は印加される駆動電圧波形に応じて略０°ツイスト
（ユニフォーム）状態と略３６０°ツイスト状態の２つ
の準安定状態を生ずる。本実施例に用いたΔｎ＝０．１
５４μｍ、ｄ＝１．８μｍなる条件においては、ユニフ
ォーム状態は単純な複屈折効果により、分子軸に略４５
゜の角度に偏光した入射光の主偏光軸を略９０゜回転し
て出力する。他方の３６０゜ツイスト状態は概ね光学的
に等方性と見なせる状態であるため、入射した偏光の主
偏光軸を保持したまま透過させる。
る液晶組成物（Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製：ＺＬＩ−３３２
９、Δｎ＝０．１５４）に光学活性添加剤（Ｅ．Ｍｅｒ
ｃｋ社製：Ｓ８１１）を加えてヘリカルピッチｐ＝３．
５μｍに調整した。基板界面にポリイミド配向膜を設
け、上下基板で反平行方向（１８０度）のラビング処理
を施してギャップｄ＝１．８μｍとしたものを用いた。
上記液晶組成物を封入すると界面プレティルト角は上下
基板近傍で逆符号をもって約５°となり、ｐ／４＜ｄ＜
３ｐ／４であるため、液晶分子の配向は基板法線方向に
螺旋軸を持つ１８０°ツイスト状態となる。本構成の素
子は印加される駆動電圧波形に応じて略０°ツイスト
（ユニフォーム）状態と略３６０°ツイスト状態の２つ
の準安定状態を生ずる。本実施例に用いたΔｎ＝０．１
５４μｍ、ｄ＝１．８μｍなる条件においては、ユニフ
ォーム状態は単純な複屈折効果により、分子軸に略４５
゜の角度に偏光した入射光の主偏光軸を略９０゜回転し
て出力する。他方の３６０゜ツイスト状態は概ね光学的
に等方性と見なせる状態であるため、入射した偏光の主
偏光軸を保持したまま透過させる。
【００１９】（実施例１）図２に本発明実施例１の概略
断面図を示す。ガラス基板（７）上の所定の電極パター
ンを施したＩＴＯ電極（６）上に金属を約２００ｎｍ成
膜した後、フォトレジストを塗布した。次いで金属補助
電極のパターン形状に露光、現像しエッチングレジスト
（２０１）とした。次いで、成膜した金属用のエッチン
グ液中で金属をエッチングし、金属補助電極（５）を形
成して図２（ａ）の状態にした。更に基板（７）上に透
明膜として金属補助電極（５）とほぼ同じ厚さのＳｉＯ
2膜（２０２）を形成（図２（ｂ））した後、エッチン
グレジスト（２０１）を剥離した。この時エッチングレ
ジスト（２０１）上のＳｉＯ2膜（２０２）はエッチン
グレジストといっしょにに剥離され、結果として図２
（ｃ）の様にＩＴＯ電極（６）と金属補助電極（５）と
の段差を平坦化した電極基板が作成できた。
断面図を示す。ガラス基板（７）上の所定の電極パター
ンを施したＩＴＯ電極（６）上に金属を約２００ｎｍ成
膜した後、フォトレジストを塗布した。次いで金属補助
電極のパターン形状に露光、現像しエッチングレジスト
（２０１）とした。次いで、成膜した金属用のエッチン
グ液中で金属をエッチングし、金属補助電極（５）を形
成して図２（ａ）の状態にした。更に基板（７）上に透
明膜として金属補助電極（５）とほぼ同じ厚さのＳｉＯ
2膜（２０２）を形成（図２（ｂ））した後、エッチン
グレジスト（２０１）を剥離した。この時エッチングレ
ジスト（２０１）上のＳｉＯ2膜（２０２）はエッチン
グレジストといっしょにに剥離され、結果として図２
（ｃ）の様にＩＴＯ電極（６）と金属補助電極（５）と
の段差を平坦化した電極基板が作成できた。
【００２０】前述の様に作成した基板を用いて上述の液
晶パネルを作成したところ、平坦化ＳｉＯ2膜（２０
２）を形成していない場合に見られた画素内の浮遊ギャ
ップ材を核としたドメインの発生が押えられ表示品位の
向上した液晶装置を提供できた。また、画素内が平坦化
されたためセル厚を維持する面積が大きくなりセル厚制
御を容易にすることができた。更に、平坦化ＳｉＯ2膜
（２０２）が絶縁膜であることにより液晶に印加する駆
動波形の鈍化を約１５％小さくする効果を得る事ができ
た。
晶パネルを作成したところ、平坦化ＳｉＯ2膜（２０
２）を形成していない場合に見られた画素内の浮遊ギャ
ップ材を核としたドメインの発生が押えられ表示品位の
向上した液晶装置を提供できた。また、画素内が平坦化
されたためセル厚を維持する面積が大きくなりセル厚制
御を容易にすることができた。更に、平坦化ＳｉＯ2膜
（２０２）が絶縁膜であることにより液晶に印加する駆
動波形の鈍化を約１５％小さくする効果を得る事ができ
た。
【００２１】（実施例２）図３は本発明実施例２の概略
断面図で、実施例１においてＳｉＯ2膜のかわりに透明
導電膜のＩＴＯ膜（３０１）を形成した。実施例１と同
様に、ＩＴＯ電極と金属補助電極との段差を平坦化する
ことができ、表示品位の向上した液晶装置を容易に提供
することができた。更に平坦化ＩＴＯ膜が導電膜である
ことにより液晶に印加する電圧の実効値を約１０％大き
くする効果を得ることができた。
断面図で、実施例１においてＳｉＯ2膜のかわりに透明
導電膜のＩＴＯ膜（３０１）を形成した。実施例１と同
様に、ＩＴＯ電極と金属補助電極との段差を平坦化する
ことができ、表示品位の向上した液晶装置を容易に提供
することができた。更に平坦化ＩＴＯ膜が導電膜である
ことにより液晶に印加する電圧の実効値を約１０％大き
くする効果を得ることができた。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、ガラ
ス基板上の透明電極と金属補助電極との段差をＳｉＯ2
等の絶縁膜又はＩＴＯ等の導電膜によりなくし、平坦な
金属補助電極付き透明電極を供給でき、従来見られた画
素内のドメインによる表示品位の低下を防ぐことがで
き、より優れたディスプレイを容易に提供することがで
きた。本発明の液晶装置は、単純マトリクス駆動によっ
て走査線数の多い高精細ディスプレイへの対応が可能で
ある。直視型の液晶装置のみならず、各種ライトバル
ブ、空間光変調器等にも応用できる。
ス基板上の透明電極と金属補助電極との段差をＳｉＯ2
等の絶縁膜又はＩＴＯ等の導電膜によりなくし、平坦な
金属補助電極付き透明電極を供給でき、従来見られた画
素内のドメインによる表示品位の低下を防ぐことがで
き、より優れたディスプレイを容易に提供することがで
きた。本発明の液晶装置は、単純マトリクス駆動によっ
て走査線数の多い高精細ディスプレイへの対応が可能で
ある。直視型の液晶装置のみならず、各種ライトバル
ブ、空間光変調器等にも応用できる。
【００２３】
【図１】本発明実施例の液晶装置の構造を表わす断面
図。
図。
【図２】本発明実施例１に用いた液晶装置の製造方法を
表わす断面図。
表わす断面図。
【図３】本発明実施例２に用いた液晶装置の製造方法を
表わす断面図。
表わす断面図。
【図４】透明電極上に金属補助電極を施した液晶装置の
一般的な断面図。
一般的な断面図。
１ 液晶分子 ２ 配向膜 ３ 絶縁層 ４ レベリング層 ５ 金属補助電極 ６ 透明電極 ７ ガラス基板 ８ 偏光板 ９ ダイレクターベクトル θ1，θ2 界面における液晶分子のプ
レティルト角 ２０１ エッチングレジスト ２０２ ＳｉＯ2膜 ３０１ ＩＴＯ膜 ｄ１ ＩＴＯ電極−ＩＴＯ電極間
セル厚 ｄ２ ＩＴＯ電極−金属補助電極
間セル厚 ｄ３ 金属補助電極−金属補助電
極間セル厚
レティルト角 ２０１ エッチングレジスト ２０２ ＳｉＯ2膜 ３０１ ＩＴＯ膜 ｄ１ ＩＴＯ電極−ＩＴＯ電極間
セル厚 ｄ２ ＩＴＯ電極−金属補助電極
間セル厚 ｄ３ 金属補助電極−金属補助電
極間セル厚
Claims (5)
- 【請求項１】透明電極と該透明電極上の金属補助電極よ
りなる走査電極群と信号電極群がマトリクス状に配置さ
れてその対向部に画素を形成する基板間に記憶効果を有
する液晶を挟持して構成された液晶パネルであり、電極
に駆動電圧信号を印加する手段、液晶の呈する記憶状態
を選択するために駆動電圧信号を制御する手段、該液晶
パネルに偏光を入射する手段と同パネルを透過した光を
選択された記憶状態に応じて識別するよう配置された偏
光子から成る液晶装置において、上記透明電極と上記金
属補助電極との段差を透明膜により平坦化処理すること
を特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】前記液晶装置の製造方法において、所定の
パターンを形成した前記透明電極上に金属皮膜を成膜し
た後、該金属皮膜をエッチングレジストによって所定の
金属補助電極のパターンにエッチングし、次いで基板上
に該金属補助電極とほぼ同じ厚さの透明膜を形成した
後、上記エッチングレジストを剥離することを特徴とす
る液晶装置の製造方法。 - 【請求項３】前記金属補助電極とほぼ同じ厚さの透明膜
が、絶縁膜であることを特徴とする請求項１記載の液晶
装置及び請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】前記金属補助電極とほぼ同じ厚さの透明膜
が、導電膜であることを特徴とする請求項１記載の液晶
装置及び請求項２記載の製造方法。 - 【請求項５】前記記憶効果を有する液晶が、電圧を印加
する前の初期状態においてφrのツイスト角を成し、パ
ルス電圧群を印加した後の緩和状態としてツイスト角が
各々略（φr＋１８０°）と略（φr−１８０°）である
２つの準安定状態を有する性質の液晶である事を特徴と
する請求項１、２、３、４記載の液晶装置及びその製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7670895A JPH08271921A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 液晶装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7670895A JPH08271921A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 液晶装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08271921A true JPH08271921A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13613039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7670895A Pending JPH08271921A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 液晶装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08271921A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2017119706A1 (ko) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 주식회사 엘지화학 | 회로기판의 제조방법 |
| US10606175B2 (en) | 2016-01-04 | 2020-03-31 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing circuit board |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7670895A patent/JPH08271921A/ja active Pending
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