JPH08272078A - パターンの検査方法及び検査装置 - Google Patents
パターンの検査方法及び検査装置Info
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- JPH08272078A JPH08272078A JP7668595A JP7668595A JPH08272078A JP H08272078 A JPH08272078 A JP H08272078A JP 7668595 A JP7668595 A JP 7668595A JP 7668595 A JP7668595 A JP 7668595A JP H08272078 A JPH08272078 A JP H08272078A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトマスク上の欠陥、異物を検査する方法お
よび装置において、マスクパターンの周期性を利用し、
チップ内の繰り返しパターンの１周期あるいはそれ以上
を基準に、その周囲のパターンを同一周期ごと比較検査
する。 【構成】検査領域を繰り返しパターンからなる領域２０
１とする。２０１のパターンは図２（ｂ）のようになっ
ており、パターン２０５を１周期とする繰り返しパター
ンで構成されている。まず基準とする１周期のパターン
２０５をレンズを介して画像入力し、２値化し記憶させ
る。次に、検査を行う開始パターン２０６が前記レンズ
下にくるようにステージが移動し、このパターンを画像
入力し最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較
し、その差を観察する。 【効果】１チップレチクルの検査を単独で実施でき、同
チップ内のクロムパターンを基準にするため擬似欠陥を
大幅に減少でき、検査時間を短縮できる。
よび装置において、マスクパターンの周期性を利用し、
チップ内の繰り返しパターンの１周期あるいはそれ以上
を基準に、その周囲のパターンを同一周期ごと比較検査
する。 【構成】検査領域を繰り返しパターンからなる領域２０
１とする。２０１のパターンは図２（ｂ）のようになっ
ており、パターン２０５を１周期とする繰り返しパター
ンで構成されている。まず基準とする１周期のパターン
２０５をレンズを介して画像入力し、２値化し記憶させ
る。次に、検査を行う開始パターン２０６が前記レンズ
下にくるようにステージが移動し、このパターンを画像
入力し最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較
し、その差を観察する。 【効果】１チップレチクルの検査を単独で実施でき、同
チップ内のクロムパターンを基準にするため擬似欠陥を
大幅に減少でき、検査時間を短縮できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、検査技術、特に半導体
装置の製造におけるフォトマスクやウェハー上のパター
ン欠陥、異物の検査方法及び検査装置に関する。
装置の製造におけるフォトマスクやウェハー上のパター
ン欠陥、異物の検査方法及び検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造におけるフォトマスク
の異物検査について、株式会社工業調査会発行、電子材
料１９８２年別冊（Ｐ２１７〜２１８）に記載されてい
る。従来のマスク検査装置の概略を図４に示す。検査を
行なうフォトマスク４０１、４０２がステージ４０３上
におかれ、前記フォトマスク４０１、４０２に対して対
物レンズ４０４、４０５がそれぞれ設置されており、前
記対物レンズ４０４、４０５は一定の距離Ｌを有し、前
記フォトマスク４０１、４０２の各チップ内の同一ポイ
ントを観察できるようにセットされている。光源４０
６、４０７は、それぞれ前記対物レンズ４０４、４０５
と対応する位置にあり、前記フォトマスク４０１、４０
２の下面からそれぞれ照射し、前記光源４０６の照射光
を前記対物レンズ４０４で、前記光源４０７からの照射
光を前記対物レンズ４０５で受光する。この時、前記フ
ォトマスクのクロムパターン部分は暗視野に、ガラス部
分は明視野になる。ここで得られた情報はＣＣＤセンサ
ー４０８、４０９から画像入力回路に取り込まれる。前
記対物レンズ４０４で取り込んだ画像を基準にし、前記
対物レンズ４０５から取り込んだ画像と比較することで
お互いの画像の違いをみる。画像の比較方法を図５に述
べる。前記レンズ４０４から取り込んだ基準となるパタ
ーン（図５（ａ））と、前記レンズ４０５から取り込ん
だ比較するパターン（図５（ｂ））とのクロムパターン
５０１、５０２が同じであれば、欠陥あるいは異物は前
記フォトマスク４０１、４０２に無いと判断し、図５
（ｃ）に示す差画像のように違い５０３が観察されたと
きは、前記フォトマスク４０１、４０２上のどちらかに
欠陥あるいは異物が存在していると判断する。ここで、
前記対物レンズ４０４、４０５、前記光源４０６、４０
７により取り込まれた画像を重ね合わせて比較するた
め、検査を行うフォトマスクは２チップレチクルあるい
は同一の工程に使用するフォトマスク２枚を使用するこ
とに限られてしまう。
の異物検査について、株式会社工業調査会発行、電子材
料１９８２年別冊（Ｐ２１７〜２１８）に記載されてい
る。従来のマスク検査装置の概略を図４に示す。検査を
行なうフォトマスク４０１、４０２がステージ４０３上
におかれ、前記フォトマスク４０１、４０２に対して対
物レンズ４０４、４０５がそれぞれ設置されており、前
記対物レンズ４０４、４０５は一定の距離Ｌを有し、前
記フォトマスク４０１、４０２の各チップ内の同一ポイ
ントを観察できるようにセットされている。光源４０
６、４０７は、それぞれ前記対物レンズ４０４、４０５
と対応する位置にあり、前記フォトマスク４０１、４０
２の下面からそれぞれ照射し、前記光源４０６の照射光
を前記対物レンズ４０４で、前記光源４０７からの照射
光を前記対物レンズ４０５で受光する。この時、前記フ
ォトマスクのクロムパターン部分は暗視野に、ガラス部
分は明視野になる。ここで得られた情報はＣＣＤセンサ
ー４０８、４０９から画像入力回路に取り込まれる。前
記対物レンズ４０４で取り込んだ画像を基準にし、前記
対物レンズ４０５から取り込んだ画像と比較することで
お互いの画像の違いをみる。画像の比較方法を図５に述
べる。前記レンズ４０４から取り込んだ基準となるパタ
ーン（図５（ａ））と、前記レンズ４０５から取り込ん
だ比較するパターン（図５（ｂ））とのクロムパターン
５０１、５０２が同じであれば、欠陥あるいは異物は前
記フォトマスク４０１、４０２に無いと判断し、図５
（ｃ）に示す差画像のように違い５０３が観察されたと
きは、前記フォトマスク４０１、４０２上のどちらかに
欠陥あるいは異物が存在していると判断する。ここで、
前記対物レンズ４０４、４０５、前記光源４０６、４０
７により取り込まれた画像を重ね合わせて比較するた
め、検査を行うフォトマスクは２チップレチクルあるい
は同一の工程に使用するフォトマスク２枚を使用するこ
とに限られてしまう。
【０００３】また、他の方法としてはＣＡＤデータと実
際に形成されているパターンとを比較することにより、
異物などを検出するものである。
際に形成されているパターンとを比較することにより、
異物などを検出するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来技術では、チップ間のパターンを利用する前者の方
法の場合、転写領域内に単一のパターン領域しかないフ
ォトマスクなどには適用できず、いいかえれば２チップ
レチクルあるいはそれ以上のものでなければ適用できな
い。１チップレチクルを検査する場合は２枚用意しなけ
ればならず、コストや納期の面で不都合を生じてしま
う。また２枚のフォトマスクが全く同一の精度で作成さ
れる保障はなく、あるいは２つの対物レンズを通して比
較検査を行っているため、パターン間の相違、レンズ収
差などの要因により擬似欠陥を多数拾ってしまう結果に
なり、スループット、検出感度に悪影響を与える。
従来技術では、チップ間のパターンを利用する前者の方
法の場合、転写領域内に単一のパターン領域しかないフ
ォトマスクなどには適用できず、いいかえれば２チップ
レチクルあるいはそれ以上のものでなければ適用できな
い。１チップレチクルを検査する場合は２枚用意しなけ
ればならず、コストや納期の面で不都合を生じてしま
う。また２枚のフォトマスクが全く同一の精度で作成さ
れる保障はなく、あるいは２つの対物レンズを通して比
較検査を行っているため、パターン間の相違、レンズ収
差などの要因により擬似欠陥を多数拾ってしまう結果に
なり、スループット、検出感度に悪影響を与える。
【０００５】また設計データと実際のパターンを比較す
る後者の方式の場合、一般にデータが膨大であるため検
査装置が高価になり、さらに設計データの厳密な幾何学
パターンと、実際のパターンとでは輪郭、角部に差異を
生じるため擬似欠陥を多く生じてしまう。
る後者の方式の場合、一般にデータが膨大であるため検
査装置が高価になり、さらに設計データの厳密な幾何学
パターンと、実際のパターンとでは輪郭、角部に差異を
生じるため擬似欠陥を多く生じてしまう。
【０００６】このように従来技術では、検査対象となる
フォトマスクが限定される、擬似欠陥が多く検査工程の
スループットが低下する、あるいは擬似欠陥を低減する
には検査感度を低くしなければならないという問題があ
った。
フォトマスクが限定される、擬似欠陥が多く検査工程の
スループットが低下する、あるいは擬似欠陥を低減する
には検査感度を低くしなければならないという問題があ
った。
【０００７】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るものであり、その目的とするところは、実際のマスク
パターン同士の比較のため擬似欠陥が大幅に減少しスル
ープットが大幅に向上し、検査できるフォトマスクの範
囲を広げることにより、精度のよい検出機能を保ちつ
つ、微細な欠陥を高速に検出する検査技術を提供するこ
とにある。
るものであり、その目的とするところは、実際のマスク
パターン同士の比較のため擬似欠陥が大幅に減少しスル
ープットが大幅に向上し、検査できるフォトマスクの範
囲を広げることにより、精度のよい検出機能を保ちつ
つ、微細な欠陥を高速に検出する検査技術を提供するこ
とにある。
【０００８】
（１）本発明のパターンの検査方法は、周期的パターン
を１周期以上２値化させ基準パターンとして記憶させた
後、前記周期的パターンの存在する領域をスキャンし前
記基準パターンと比較することを特徴とする。
を１周期以上２値化させ基準パターンとして記憶させた
後、前記周期的パターンの存在する領域をスキャンし前
記基準パターンと比較することを特徴とする。
【０００９】（２）本発明のパターンの検査方法は、周
期的パターンを複数の領域で１周期以上２値化させ複数
の基準パターンとして記憶させた後、前記複数の基準パ
ターンを平均化し標準パターンとし、前記周期的パター
ンの存在する領域内をスキャンし前記標準パターンと比
較することを特徴とする。
期的パターンを複数の領域で１周期以上２値化させ複数
の基準パターンとして記憶させた後、前記複数の基準パ
ターンを平均化し標準パターンとし、前記周期的パター
ンの存在する領域内をスキャンし前記標準パターンと比
較することを特徴とする。
【００１０】（３）本発明のパターンの検査方法は、前
記周期的パターンの存在する領域外において前記基準パ
ターンをＣＡＤデータより得ることを特徴とする問題を
解決するための手段第１項または問題を解決するための
手段第２項記載の検査方法を特徴とする。
記周期的パターンの存在する領域外において前記基準パ
ターンをＣＡＤデータより得ることを特徴とする問題を
解決するための手段第１項または問題を解決するための
手段第２項記載の検査方法を特徴とする。
【００１１】（４）本発明の検査装置は、被検査パター
ン内の周期的パターン領域から周期性を有するパターン
を抽出するパターン抽出手段と、前記パターン抽出手段
により抽出されたパターンを基準として記憶する基準パ
ターンメモリと、前記周期的パターン領域のパターンと
前記基準パターンとを比較する比較手段とを有すること
を特徴とする。
ン内の周期的パターン領域から周期性を有するパターン
を抽出するパターン抽出手段と、前記パターン抽出手段
により抽出されたパターンを基準として記憶する基準パ
ターンメモリと、前記周期的パターン領域のパターンと
前記基準パターンとを比較する比較手段とを有すること
を特徴とする。
【００１２】（５）本発明の検査装置は、問題を解決す
るための手段第４項記載の検査装置が一定周期を有する
パターン領域の左上角を基準点とし、これを画像認識ま
たは座標入力することで検査領域を決定する手段を有す
ることを特徴とする。
るための手段第４項記載の検査装置が一定周期を有する
パターン領域の左上角を基準点とし、これを画像認識ま
たは座標入力することで検査領域を決定する手段を有す
ることを特徴とする。
【００１３】（６）本発明の検査装置は、問題を解決す
るための手段第４項記載の前記基準パターンメモリが前
記周期的パターン領域内の複数箇所から得られた複数の
基準パターンを保持し、前記比較手段が前記複数の基準
パターンの平均値と前記周期的パターン領域のパターン
との比較を行うことを特徴とする。
るための手段第４項記載の前記基準パターンメモリが前
記周期的パターン領域内の複数箇所から得られた複数の
基準パターンを保持し、前記比較手段が前記複数の基準
パターンの平均値と前記周期的パターン領域のパターン
との比較を行うことを特徴とする。
【００１４】（７）本発明の問題を解決するための手段
第４項または問題を解決するための手段第６項記載の検
査装置は、前記比較手段が前記基準パターンとして前記
被検査パターンの前記周期的パターン領域外のＣＡＤデ
ータと前記基準パターンとして前記被検査パターンの前
記周期的パターン領域外のパターンの比較を行うことを
特徴とする。
第４項または問題を解決するための手段第６項記載の検
査装置は、前記比較手段が前記基準パターンとして前記
被検査パターンの前記周期的パターン領域外のＣＡＤデ
ータと前記基準パターンとして前記被検査パターンの前
記周期的パターン領域外のパターンの比較を行うことを
特徴とする。
【００１５】
【実施例】ここでは ＩＣ用フォトマスクの欠陥検査を
例として説明する。本発明を適用したフォトマスクの検
査装置を図１に示す。ステージ１０１上に検査を行うフ
ォトマスク１０２をのせ、レンズ１０３によりフォトマ
スク上を走査しその領域をＣＣＤセンサー１０４で２値
化し画像入力部へ取り込んでいく。ここで、本発明のフ
ォトマスク検査方法のフローチャートを図３に示す。フ
ォトマスク１０２の構成は図２（ａ）のようになってい
る。セル領域２０１は、メモリーＩＣ、ロジックＩＣと
も繰り返しパターンで構成されている。またフォトマス
クには、検査時、確認時に原点とするためのパターン２
０４を有している。フォトマスク１０２をステージ１０
１上にのせ、原点としてパターン２０４を指定する。光
源１０７にはキセノンランプを使用している。次に検査
を行うフォトマスク１０２上の領域を指定する。ここで
は繰り返しパターン領域である領域２０１とする。原点
２０４及び領域２０１内の中の２点、例えば左下と右下
を指定することで検査領域が確定される。例えば領域２
０１のパターンは図２（ｂ）のようになっており、パタ
ーン２０５を１周期とする繰り返しパターンで構成され
ている。検査を行うときのステージ１０１の移動ピッ
チ、および各検査ポイントでのスキャン範囲を指定す
る。基準とする１周期のパターン２０５をレンズ１０３
を介して画像入力し、２値化し記憶させる。次に、検査
を行う開始パターン２０６がレンズ１０３下にくるよう
にステージ１０１が移動し、このパターンを画像入力し
最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較し、そ
の差を観察する。差が生じていない場合は、欠陥または
異物はないと判断し次のパターン領域２０７を検査する
ためステージ１０１を移動させるが、差があると判断し
た場合（以後ＮＧと記載）は、領域２０６内に欠陥また
は異物があるとしてこの座標を記憶したのち次の検査領
域２０７へ移動する。これを順次繰り返していく。
例として説明する。本発明を適用したフォトマスクの検
査装置を図１に示す。ステージ１０１上に検査を行うフ
ォトマスク１０２をのせ、レンズ１０３によりフォトマ
スク上を走査しその領域をＣＣＤセンサー１０４で２値
化し画像入力部へ取り込んでいく。ここで、本発明のフ
ォトマスク検査方法のフローチャートを図３に示す。フ
ォトマスク１０２の構成は図２（ａ）のようになってい
る。セル領域２０１は、メモリーＩＣ、ロジックＩＣと
も繰り返しパターンで構成されている。またフォトマス
クには、検査時、確認時に原点とするためのパターン２
０４を有している。フォトマスク１０２をステージ１０
１上にのせ、原点としてパターン２０４を指定する。光
源１０７にはキセノンランプを使用している。次に検査
を行うフォトマスク１０２上の領域を指定する。ここで
は繰り返しパターン領域である領域２０１とする。原点
２０４及び領域２０１内の中の２点、例えば左下と右下
を指定することで検査領域が確定される。例えば領域２
０１のパターンは図２（ｂ）のようになっており、パタ
ーン２０５を１周期とする繰り返しパターンで構成され
ている。検査を行うときのステージ１０１の移動ピッ
チ、および各検査ポイントでのスキャン範囲を指定す
る。基準とする１周期のパターン２０５をレンズ１０３
を介して画像入力し、２値化し記憶させる。次に、検査
を行う開始パターン２０６がレンズ１０３下にくるよう
にステージ１０１が移動し、このパターンを画像入力し
最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較し、そ
の差を観察する。差が生じていない場合は、欠陥または
異物はないと判断し次のパターン領域２０７を検査する
ためステージ１０１を移動させるが、差があると判断し
た場合（以後ＮＧと記載）は、領域２０６内に欠陥また
は異物があるとしてこの座標を記憶したのち次の検査領
域２０７へ移動する。これを順次繰り返していく。
【００１６】ここで２つの場合が考えられる。まず１つ
は、検査した結果、すべての検査対象領域がＮＧであっ
た場合である。この時は、基準としたパターン２０５に
なんらかの欠陥または異物があると装置に判定させる。
そして基準とする１周期分のパターンを基準パターン２
０５とは別の領域、例えば横のパターン２０６から取り
込みこれを基準として、再度前記検査フローと同様に続
ける。あるいは、装置がＮＧであると５周期続けて判断
した場合に、基準とするパターンをパターン２０５から
別のパターンである横のパターン２０６に変更して再度
最初から検査を行っていくように設定し、欠陥検査を実
行すると、５周期以上ＮＧの判定が続かない限り比較検
査を続けていく。２つめは、部分的に欠陥または異物の
存在する領域を抽出した場合である。この場合は、検査
結果の通り、ＮＧとして抽出された領域に欠陥または異
物が存在すると装置に判定させる。
は、検査した結果、すべての検査対象領域がＮＧであっ
た場合である。この時は、基準としたパターン２０５に
なんらかの欠陥または異物があると装置に判定させる。
そして基準とする１周期分のパターンを基準パターン２
０５とは別の領域、例えば横のパターン２０６から取り
込みこれを基準として、再度前記検査フローと同様に続
ける。あるいは、装置がＮＧであると５周期続けて判断
した場合に、基準とするパターンをパターン２０５から
別のパターンである横のパターン２０６に変更して再度
最初から検査を行っていくように設定し、欠陥検査を実
行すると、５周期以上ＮＧの判定が続かない限り比較検
査を続けていく。２つめは、部分的に欠陥または異物の
存在する領域を抽出した場合である。この場合は、検査
結果の通り、ＮＧとして抽出された領域に欠陥または異
物が存在すると装置に判定させる。
【００１７】検査領域２０１の検査が終了したならば、
抽出された欠陥、異物が本物か擬似であるかの確認を行
う。検査開始時に指定しておいた原点２０４を座標
（０，０）とし欠陥を抽出した領域の座標をそれぞれ記
憶しているので、順次この座標を呼び出しオペレータの
目視により、擬似であるかどうかの確認を行う。本物の
欠陥あるいは異物であると判断したときはこの位置を確
定し、致命欠陥になる場合は、フォトマスク１０２をつ
くりなおさなければならない。
抽出された欠陥、異物が本物か擬似であるかの確認を行
う。検査開始時に指定しておいた原点２０４を座標
（０，０）とし欠陥を抽出した領域の座標をそれぞれ記
憶しているので、順次この座標を呼び出しオペレータの
目視により、擬似であるかどうかの確認を行う。本物の
欠陥あるいは異物であると判断したときはこの位置を確
定し、致命欠陥になる場合は、フォトマスク１０２をつ
くりなおさなければならない。
【００１８】次に基準とするパターン領域を繰り返し１
周期分ではなく数周期にわたる領域２０８を適用する場
合を述べる（図２（ｃ））。対物レンズ１０３の照射領
域内１１３に一度に取り込む基準パターン領域２０８が
納まる場合は、前記方法と同様に検査を実施していく。
周期分ではなく数周期にわたる領域２０８を適用する場
合を述べる（図２（ｃ））。対物レンズ１０３の照射領
域内１１３に一度に取り込む基準パターン領域２０８が
納まる場合は、前記方法と同様に検査を実施していく。
【００１９】対物レンズ１０３の照射領域より基準パタ
ーン２０８のほうが広い場合は、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを
光源に用い、ステージ１０１を移動させ、基準パターン
領域２０８をスキャンさせその反射光を取り込むこと
で、フォトマスク上のパターンを認識する。その後は前
記方法と同様にして、基準パターン領域２０８を基準と
し、同周期パターン２０９から順次比較検査を行ってい
く。基準パターンに対して違いを認めた場合そのパター
ン領域に欠陥が存在すると装置に判定させる。
ーン２０８のほうが広い場合は、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを
光源に用い、ステージ１０１を移動させ、基準パターン
領域２０８をスキャンさせその反射光を取り込むこと
で、フォトマスク上のパターンを認識する。その後は前
記方法と同様にして、基準パターン領域２０８を基準と
し、同周期パターン２０９から順次比較検査を行ってい
く。基準パターンに対して違いを認めた場合そのパター
ン領域に欠陥が存在すると装置に判定させる。
【００２０】もう一つの方法を示す。検査領域２０１内
において、パターン２０５と同様のパターンを３箇所ラ
ンダムに指定する。これら４箇所の取り込んだ画像を重
ね合わせ、特異点を削除することで画像の平均化処理を
行ない、これを基準パターンとする。あるいはパターン
領域２０８と同周期数のパターンを領域２０１内の３箇
所から画像として取り込みこれらを重ね合わせ、特異点
を削除することで平均画像を作成し、これを基準パター
ンとする。このように特異点を除去して平均化させるこ
とで、異物の存在しない、被検査パターンに対して理想
的なパターンを基準パターンとすることができる。こう
して作成した基準パターンを基準として、検査領域２０
１内のパターンを走査し、基準パターンと同一周期数ご
と比較検査を行ない欠陥もしくは異物を検出する。検査
終了後、上述と同様の方法で欠陥の特定を行なう。
において、パターン２０５と同様のパターンを３箇所ラ
ンダムに指定する。これら４箇所の取り込んだ画像を重
ね合わせ、特異点を削除することで画像の平均化処理を
行ない、これを基準パターンとする。あるいはパターン
領域２０８と同周期数のパターンを領域２０１内の３箇
所から画像として取り込みこれらを重ね合わせ、特異点
を削除することで平均画像を作成し、これを基準パター
ンとする。このように特異点を除去して平均化させるこ
とで、異物の存在しない、被検査パターンに対して理想
的なパターンを基準パターンとすることができる。こう
して作成した基準パターンを基準として、検査領域２０
１内のパターンを走査し、基準パターンと同一周期数ご
と比較検査を行ない欠陥もしくは異物を検出する。検査
終了後、上述と同様の方法で欠陥の特定を行なう。
【００２１】周辺回路においては、周期的な繰り返しパ
ターンが存在しない場合は従前のＣＡＤデ−タと比較す
る方法を採用する。
ターンが存在しない場合は従前のＣＡＤデ−タと比較す
る方法を採用する。
【００２２】以上、本発明の一実施例を述べたが、これ
以外に １）クロム以外、例えばモリブデン等の金属をマスクパ
ターンとして使用しているフォトマスクに適用する ２）光源に、Ｈｅ−Ｎｅ、キセノン以外の光、たとえば
タングステンダイオード等を使用する ３）ペリクルを装着したフォトマスクに適用する ４）フォトマスク以外に、ウェハー上のパターンに適用
する ５）平均化するパターン数を３箇所以上あるいは以下に
指定する ６）基準パターンとして２周期以上のパターンを一括し
て取り込む 場合についても、本実施例と同様な効果が得られること
は言うまでもない。
以外に １）クロム以外、例えばモリブデン等の金属をマスクパ
ターンとして使用しているフォトマスクに適用する ２）光源に、Ｈｅ−Ｎｅ、キセノン以外の光、たとえば
タングステンダイオード等を使用する ３）ペリクルを装着したフォトマスクに適用する ４）フォトマスク以外に、ウェハー上のパターンに適用
する ５）平均化するパターン数を３箇所以上あるいは以下に
指定する ６）基準パターンとして２周期以上のパターンを一括し
て取り込む 場合についても、本実施例と同様な効果が得られること
は言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば１チ
ップレチクルでも１枚のマスクで検査を行うことができ
る。また、実際のマスクパターン同士の比較が実施でき
る。さらに１回で取り込む領域を広くする事も可能であ
り、擬似欠陥に影響されず精度の良い検出機能を提供で
き、検査工程のスループットを大幅に向上できる。
ップレチクルでも１枚のマスクで検査を行うことができ
る。また、実際のマスクパターン同士の比較が実施でき
る。さらに１回で取り込む領域を広くする事も可能であ
り、擬似欠陥に影響されず精度の良い検出機能を提供で
き、検査工程のスループットを大幅に向上できる。
【図１】本発明のフォトマスク検査装置を示す図であ
る。
る。
【図２】（ａ）はマスクの構成、（ｂ）（ｃ）は繰り返
しパターンの概要を示す図である。
しパターンの概要を示す図である。
【図３】本発明のフォトマスクの検査方法のフローを示
す図である。
す図である。
【図４】従来のフォトマスク検査装置を示す図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は画像として取り込んだパター
ン、（ｃ）は（ａ）と（ｂ）の差画像を示す図である。
ン、（ｃ）は（ａ）と（ｂ）の差画像を示す図である。
１０１検査ステージ １０２フォトマスク １０３レンズ １０４ＣＣＤセンサー １０５ＣＣＤカメラ １０６レンズ １０７光源 １０８画像入力回路 １０９一括入力領域 ２０１セル領域 ２０２周辺回路 ２０３周辺回路 ２０４基準パターン ２０５クロムパターン ２０６クロムパターン ２０７クロムパターン ２０８クロムパターン ２０９クロムパターン ４０１フォトマスク ４０２フォトマスク ４０３検査ステージ ４０４対物レンズ ４０５対物レンズ ４０６光源 ４０７光源 ４０８ＣＣＤセンサー ４０９ＣＣＤセンサー ４１０画像入力回路 ４１１ＣＣＤカメラ ４１２ＣＣＤカメラ ５０１クロムパターン ５０２クロムパターン ５０３クロムパターン
Claims (7)
- 【請求項１】周期的パターンを１周期以上２値化させ基
準パターンとして記憶させた後、前記周期パターンの存
在する領域をスキャンし前記基準パターンと比較するこ
とを特徴とするパターンの検査方法。 - 【請求項２】周期パターンを複数の領域で１周期以上２
値化させ複数の基準パターンとして記憶させた後、前記
複数の基準パターンを平均化し標準パターンとし、前記
周期的パターンの存在する領域内をスキャンし前記標準
パターンと比較することを特徴とするパターンの検査方
法。 - 【請求項３】前記周期的パターンの存在する領域外にお
いて前記基準パターンをＣＡＤデータより得ることを特
徴とする請求項１または請求項２記載のパターンの検査
方法。 - 【請求項４】被検査パターン内の周期的パターン領域か
ら周期性を有するパターンを抽出するパターン抽出手段
と、前記パターン抽出手段により抽出されたパターンを
基準パターンとして記憶する基準パターンメモリと前記
周期的パターン領域のパターンと前記基準パターンとを
比較する比較手段とを有することを特徴とする検査装
置。 - 【請求項５】一定周期を有するパターン領域の左上角を
基準点とし、これを画像認識または座標入力することで
検査領域を決定する請求項４記載の検査装置。 - 【請求項６】前記基準パターンメモリは、前記周期的パ
ターン領域内の複数箇所から得られた複数の基準パター
ンを保持し、前記比較手段は前記複数の基準パターンの
平均値と前記周期的パターン領域のパターンとの比較を
行うことを特徴とする請求項４記載の検査装置。 - 【請求項７】前記比較手段は、前記基準パターンとして
前記被検査パターンの前記周期的パターン領域外のパタ
ーンの比較を行うことを特徴とする請求項４または請求
項６記載の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7668595A JPH08272078A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | パターンの検査方法及び検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7668595A JPH08272078A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | パターンの検査方法及び検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08272078A true JPH08272078A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13612311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7668595A Pending JPH08272078A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | パターンの検査方法及び検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08272078A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10340347A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Hitachi Ltd | パターン検査方法及びその装置並びに半導体ウエハの製造方法 |
| JP2006330269A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | マスク作成方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2009294229A (ja) * | 1998-07-15 | 2009-12-17 | August Technology Corp | 自動化ウェハ欠陥検査システムおよびこのような検査を実行する方法 |
| US7676078B2 (en) | 2003-02-13 | 2010-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inspection method, processor and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2010140027A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Asml Holding Nv | レチクル検査システム及び方法 |
| JP2012015529A (ja) * | 2004-12-07 | 2012-01-19 | Kla-Encor Corp | レティクルの設計パターンにおける欠陥を検出し、かつ（あるいは）ソートするためのコンピュータに実装された方法 |
| JP2012019220A (ja) * | 2011-08-01 | 2012-01-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターン検査装置、および回路パターン検査方法 |
| JP2013506149A (ja) * | 2009-09-24 | 2013-02-21 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | 時間差レチクル検査 |
| TWI477768B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-03-21 | Intekplus Co Ltd | 平面基板之自動光學檢測方法及其裝置 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7668595A patent/JPH08272078A/ja active Pending
Cited By (10)
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|---|---|---|---|---|
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| US8036446B2 (en) | 2005-05-25 | 2011-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor mask inspection using die-to-die and die-to-database comparisons |
| JP2010140027A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Asml Holding Nv | レチクル検査システム及び方法 |
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