JPH08273124A - スピンバルブ膜 - Google Patents
スピンバルブ膜Info
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- JPH08273124A JPH08273124A JP9772595A JP9772595A JPH08273124A JP H08273124 A JPH08273124 A JP H08273124A JP 9772595 A JP9772595 A JP 9772595A JP 9772595 A JP9772595 A JP 9772595A JP H08273124 A JPH08273124 A JP H08273124A
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- Japan
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- layer
- film
- magnetic layer
- magnetic
- spin valve
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 第１磁性層／非磁性層／第２磁性層／磁化固
定層の４層膜を基本構造とする積層膜からなる磁気抵抗
効果素子用スピンバルブ膜の磁気抵抗変化率の向上と低
磁場での保磁力に起因するヒステリシスの低減。 【構成】 第１磁性層をＣｏとＮｉＦｅ多層膜から構成
することにより、高磁気抵抗変化と低保磁力を図ること
が可能となり、更に同時に第２磁性層もＣｏとＮｉＦｅ
多層膜から構成するか、あるいは第２磁性層をＣｏ層と
することにより、安定的にかかる効果が得られる。
定層の４層膜を基本構造とする積層膜からなる磁気抵抗
効果素子用スピンバルブ膜の磁気抵抗変化率の向上と低
磁場での保磁力に起因するヒステリシスの低減。 【構成】 第１磁性層をＣｏとＮｉＦｅ多層膜から構成
することにより、高磁気抵抗変化と低保磁力を図ること
が可能となり、更に同時に第２磁性層もＣｏとＮｉＦｅ
多層膜から構成するか、あるいは第２磁性層をＣｏ層と
することにより、安定的にかかる効果が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度磁気記録装置
用磁気ディスク装置または磁気エンコーダ装置等に用い
られるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を構成している
スピンバルブ膜の改良に係り、磁性層に特定の積層構造
からなるＣｏ層とＮｉＦｅとの多層膜を用いることによ
り、磁気抵抗変化率の向上と低磁場での保磁力に起因す
るヒステリシスの低減を達成したスピンバルブ膜に関す
る。
用磁気ディスク装置または磁気エンコーダ装置等に用い
られるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を構成している
スピンバルブ膜の改良に係り、磁性層に特定の積層構造
からなるＣｏ層とＮｉＦｅとの多層膜を用いることによ
り、磁気抵抗変化率の向上と低磁場での保磁力に起因す
るヒステリシスの低減を達成したスピンバルブ膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果は、所謂パーマロイ（Ｎｉ
Ｆｅ）等の薄膜において、磁化方向とセンス電流の方向
とがなす角度によって抵抗値が変化することを利用する
もので、磁束そのものを感知するため、従来の誘導型ヘ
ッドに代わるものとして期待されている。しかし、Ｎｉ
Ｆｅを用いた磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化率（ＭＲ
比）は高々２％程度であり、更なる記録密度の向上のた
めにはＭＲ比を向上させ、磁気抵抗効果素子の感度を高
める必要がある。
Ｆｅ）等の薄膜において、磁化方向とセンス電流の方向
とがなす角度によって抵抗値が変化することを利用する
もので、磁束そのものを感知するため、従来の誘導型ヘ
ッドに代わるものとして期待されている。しかし、Ｎｉ
Ｆｅを用いた磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化率（ＭＲ
比）は高々２％程度であり、更なる記録密度の向上のた
めにはＭＲ比を向上させ、磁気抵抗効果素子の感度を高
める必要がある。
【０００３】かかる磁気抵抗効果素子において、特開平
４−３５８３１０号公報により開示されているようなス
ピンバルブ型磁気抵抗効果素子を使用することによっ
て、感度を高めることができる。スピンバルブ型磁気抵
抗効果素子では、第１磁性層／非磁性層／第２磁性層／
磁化固定層の４層構造が基本となっており、第２磁性層
は磁化固定層により磁化の向きを固定されており、第１
磁性層は外部からの信号磁場によって磁化の向きを変化
させ、２つの強磁性金属層の磁化がなす角度に依存して
電気抵抗の変化が生じ、電気抵抗の変化を検出するため
に素子端部に形成された１対の電極によって再生信号が
検出される。
４−３５８３１０号公報により開示されているようなス
ピンバルブ型磁気抵抗効果素子を使用することによっ
て、感度を高めることができる。スピンバルブ型磁気抵
抗効果素子では、第１磁性層／非磁性層／第２磁性層／
磁化固定層の４層構造が基本となっており、第２磁性層
は磁化固定層により磁化の向きを固定されており、第１
磁性層は外部からの信号磁場によって磁化の向きを変化
させ、２つの強磁性金属層の磁化がなす角度に依存して
電気抵抗の変化が生じ、電気抵抗の変化を検出するため
に素子端部に形成された１対の電極によって再生信号が
検出される。
【０００４】また、磁気抵抗効果膜は薄くなると磁気抵
抗効果が減少するため、例えばＤｉｅｎｙ等の「Ｊ．
Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ｖｏｌ． ６９ ｎｏ．
８，ｐ４７７４〜４７７９ （１９９１）」には、Ｆｅ
ＭｎをＮｉＦｅ膜の磁化固定膜として利用し、非磁性Ｃ
ｕをはさんだもう片方のフリーなＮｉＦｅ膜との磁化の
向きにより、磁気抵抗効果が変化することを使って、大
きな磁気抵抗効果を得ようとする試みがある。
抗効果が減少するため、例えばＤｉｅｎｙ等の「Ｊ．
Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ｖｏｌ． ６９ ｎｏ．
８，ｐ４７７４〜４７７９ （１９９１）」には、Ｆｅ
ＭｎをＮｉＦｅ膜の磁化固定膜として利用し、非磁性Ｃ
ｕをはさんだもう片方のフリーなＮｉＦｅ膜との磁化の
向きにより、磁気抵抗効果が変化することを使って、大
きな磁気抵抗効果を得ようとする試みがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＮｉＦ
ｅ膜を磁性層に用いた場合は、低磁場での保磁力に起因
するヒステリシスは小さいが、磁気抵抗変化率は４％程
度であり、更に高い磁気抵抗変化率が望まれている。ま
た、Ｃｏを磁性層に用いた場合は磁気抵抗変化は８％程
度と大きくなるが、低磁場での保磁力に起因するヒステ
リシスが２０Ｏｅ程度と大きくなり、磁気抵抗効果型ヘ
ッドとして利用するには大きな問題となっている。
ｅ膜を磁性層に用いた場合は、低磁場での保磁力に起因
するヒステリシスは小さいが、磁気抵抗変化率は４％程
度であり、更に高い磁気抵抗変化率が望まれている。ま
た、Ｃｏを磁性層に用いた場合は磁気抵抗変化は８％程
度と大きくなるが、低磁場での保磁力に起因するヒステ
リシスが２０Ｏｅ程度と大きくなり、磁気抵抗効果型ヘ
ッドとして利用するには大きな問題となっている。
【０００６】この発明は、上述のごとく、第１磁性層／
非磁性層／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造
とする積層膜からなる磁気抵抗効果素子用スピンバルブ
膜の現状に鑑み、磁気抵抗変化率の向上と低磁場での保
磁力に起因するヒステリシスの低減を達成したスピンバ
ルブ膜の提供を目的としている。
非磁性層／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造
とする積層膜からなる磁気抵抗効果素子用スピンバルブ
膜の現状に鑑み、磁気抵抗変化率の向上と低磁場での保
磁力に起因するヒステリシスの低減を達成したスピンバ
ルブ膜の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者は、磁気抵抗変化
率の向上と低磁場での保磁力の低減を目的にスピンバル
ブ膜の積層構造について種々検討したところ、少なくと
も第１磁性層をＣｏ層とＮｉＦｅ層の多層膜にすること
により、磁気抵抗変化はＣｏ層を用いたスピンバルブ膜
程度と高く、低磁場での保磁力はＮｉＦｅ層を用いたス
ピンバルブ膜程度になることを知見し、この発明を完成
した。
率の向上と低磁場での保磁力の低減を目的にスピンバル
ブ膜の積層構造について種々検討したところ、少なくと
も第１磁性層をＣｏ層とＮｉＦｅ層の多層膜にすること
により、磁気抵抗変化はＣｏ層を用いたスピンバルブ膜
程度と高く、低磁場での保磁力はＮｉＦｅ層を用いたス
ピンバルブ膜程度になることを知見し、この発明を完成
した。
【０００８】すなわち、この発明は、第１磁性層／非磁
性層／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とす
る積層膜からなる磁気抵抗効果素子用スピンバルブ膜に
おいて、第１磁性層、第２磁性層のいずれもがＣｏ層と
ＮｉＦｅとの多層膜から構成され、各多層膜中の各Ｃｏ
層の厚みが３Å〜８ÅでかつＣｏ総膜厚が１２Å以上で
あることを特徴とするスピンバルブ膜である。
性層／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とす
る積層膜からなる磁気抵抗効果素子用スピンバルブ膜に
おいて、第１磁性層、第２磁性層のいずれもがＣｏ層と
ＮｉＦｅとの多層膜から構成され、各多層膜中の各Ｃｏ
層の厚みが３Å〜８ÅでかつＣｏ総膜厚が１２Å以上で
あることを特徴とするスピンバルブ膜である。
【０００９】また、この発明は、第１磁性層／非磁性層
／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とする積
層膜からなる磁気抵抗効果素子用スピンバルブ膜におい
て、第１磁性層がＣｏ層とＮｉＦｅとの多層膜から構成
され、この多層膜中の各Ｃｏ層の厚みが３Å〜８Åでか
つＣｏ総膜厚が１２Å以上であり、第２磁性層がＣｏ層
のみで構成されることを特徴とするスピンバルブ膜であ
る。
／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とする積
層膜からなる磁気抵抗効果素子用スピンバルブ膜におい
て、第１磁性層がＣｏ層とＮｉＦｅとの多層膜から構成
され、この多層膜中の各Ｃｏ層の厚みが３Å〜８Åでか
つＣｏ総膜厚が１２Å以上であり、第２磁性層がＣｏ層
のみで構成されることを特徴とするスピンバルブ膜であ
る。
【００１０】
【作用】この発明によるスピンバルブ膜の作用をＣｏと
ＮｉＦｅの多層膜の構成とＣｏ膜厚及びＣｏ層膜厚の限
定理由とともに説明する。この発明の第１磁性層／非磁
性層／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とす
る積層膜において、第１磁性層をＣｏとＮｉＦｅ多層膜
から構成することにより、高磁気抵抗変化と低保磁力を
図ることが可能となり、更に同時に第２磁性層もＣｏと
ＮｉＦｅ多層膜から構成するか、あるいは第２磁性層を
Ｃｏ層とすることにより、安定的にかかる効果が得られ
る。
ＮｉＦｅの多層膜の構成とＣｏ膜厚及びＣｏ層膜厚の限
定理由とともに説明する。この発明の第１磁性層／非磁
性層／第２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とす
る積層膜において、第１磁性層をＣｏとＮｉＦｅ多層膜
から構成することにより、高磁気抵抗変化と低保磁力を
図ることが可能となり、更に同時に第２磁性層もＣｏと
ＮｉＦｅ多層膜から構成するか、あるいは第２磁性層を
Ｃｏ層とすることにより、安定的にかかる効果が得られ
る。
【００１１】第１磁性層と第２磁性層、あるいは第１磁
性層のいずれの磁性層がＣｏ層とＮｉＦｅとの多層膜か
ら構成される場合も、各Ｃｏ層の厚みが３Å未満である
とＣｏ原子層数は２層程度であり、ポーラスな部分も多
く、磁気抵抗変化率を向上させる効果が少なく、逆に８
Åを越えると磁気抵抗変化率の向上効果は高いが、Ｃ軸
配向した結晶磁気異方性が現れるためヒステリシスが大
きくなり好ましくないため、多層膜中の各Ｃｏ層の厚み
は３Å〜８Åに限定する。
性層のいずれの磁性層がＣｏ層とＮｉＦｅとの多層膜か
ら構成される場合も、各Ｃｏ層の厚みが３Å未満である
とＣｏ原子層数は２層程度であり、ポーラスな部分も多
く、磁気抵抗変化率を向上させる効果が少なく、逆に８
Åを越えると磁気抵抗変化率の向上効果は高いが、Ｃ軸
配向した結晶磁気異方性が現れるためヒステリシスが大
きくなり好ましくないため、多層膜中の各Ｃｏ層の厚み
は３Å〜８Åに限定する。
【００１２】また、第１磁性層と第２磁性層あるいは第
１磁性層のみの各多層膜中のＣｏの総膜厚は、１２Å未
満では得られる磁気抵抗変化率が不安定で、Ｃｏ層の薄
い層をＮｉＦｅ／Ｃｕ間に挿入する場合も、安定した磁
気抵抗変化率を得るためには、Ｃｏの総膜厚を１２Å以
上にする必要がある。
１磁性層のみの各多層膜中のＣｏの総膜厚は、１２Å未
満では得られる磁気抵抗変化率が不安定で、Ｃｏ層の薄
い層をＮｉＦｅ／Ｃｕ間に挿入する場合も、安定した磁
気抵抗変化率を得るためには、Ｃｏの総膜厚を１２Å以
上にする必要がある。
【００１３】この発明において、第１磁性層をＣｏとＮ
ｉＦｅの多層膜、第２磁性層をＣｏ層で構成する場合、
第２磁性層のＣｏ層の厚みは、磁化固定層との交換相互
作用磁場の大きさを考慮して、２０Å〜４０Åが好まし
い。また、非磁性層としては電気抵抗の低いＣｕもしく
はＮｉＦｅ、Ｃｏとの反応性の低いＴａが良好である。
磁化固定層としては、交換相互作用磁界が大きいＦｅＭ
ｎもしくは耐食性に優れたＮｉＯ等の反強磁性体が良好
である。
ｉＦｅの多層膜、第２磁性層をＣｏ層で構成する場合、
第２磁性層のＣｏ層の厚みは、磁化固定層との交換相互
作用磁場の大きさを考慮して、２０Å〜４０Åが好まし
い。また、非磁性層としては電気抵抗の低いＣｕもしく
はＮｉＦｅ、Ｃｏとの反応性の低いＴａが良好である。
磁化固定層としては、交換相互作用磁界が大きいＦｅＭ
ｎもしくは耐食性に優れたＮｉＯ等の反強磁性体が良好
である。
【００１４】
実施例１ ２インチ平方のガラス基板上に、第１磁性層（９０Å）
／Ｃｕ（２５Å）／第２磁性層（３６Å）／ＦｅＭｎ
（１００Å）の積層構成のスピンバルブ膜の作製に際
し、第１磁性層と第２磁性層がＮｉＦｅもしくはＣｏで
あるもの、ＣｏとＮｉＦｅの多層膜の組み合わせである
ものをそれぞれＲＦスパッタ装置を用いて成膜した。ス
パッタは一方向磁場中で５００Ｗ、Ａｒガス圧１ｍＴｏ
ｒｒで行った。
／Ｃｕ（２５Å）／第２磁性層（３６Å）／ＦｅＭｎ
（１００Å）の積層構成のスピンバルブ膜の作製に際
し、第１磁性層と第２磁性層がＮｉＦｅもしくはＣｏで
あるもの、ＣｏとＮｉＦｅの多層膜の組み合わせである
ものをそれぞれＲＦスパッタ装置を用いて成膜した。ス
パッタは一方向磁場中で５００Ｗ、Ａｒガス圧１ｍＴｏ
ｒｒで行った。
【００１５】得られた種々のスピンバルブ膜の磁気抵抗
変化率と第１磁性層の保磁力に起因するヒステリシスを
±５０Ｏｅの範囲で４端子法にて測定した結果を、第１
磁性層と第２磁性層の構成とともに表１に示す。Ｃｏと
ＮｉＦｅの多層膜では、磁気抵抗変化率が高くかつヒス
テリシスは小さく、特性が良好であること、またその組
み合わせとして第１磁性層と第２磁性層を同時に多層膜
にするか、または第１磁性層に多層膜、第２磁性層はＣ
ｏ層にする組み合わせのみが良好であることが分かる。
変化率と第１磁性層の保磁力に起因するヒステリシスを
±５０Ｏｅの範囲で４端子法にて測定した結果を、第１
磁性層と第２磁性層の構成とともに表１に示す。Ｃｏと
ＮｉＦｅの多層膜では、磁気抵抗変化率が高くかつヒス
テリシスは小さく、特性が良好であること、またその組
み合わせとして第１磁性層と第２磁性層を同時に多層膜
にするか、または第１磁性層に多層膜、第２磁性層はＣ
ｏ層にする組み合わせのみが良好であることが分かる。
【００１６】実施例２ ２インチ平方のガラス基板上に実施例１と同様条件のＲ
Ｆスパッタ装置を用いて、第１磁性層／Ｃｕ（２６Å）
／第２磁性層／ＦｅＭｎ（１００Å）の積層構造で、第
１磁性層と第２磁性層が多層膜、第１磁性層が多層膜で
第２磁性層がＣｏ層からなる２種のスピンバルブ膜の作
製に際し、多層膜の各Ｃｏ厚みを種々変化させて成膜し
た。得られた種々のスピンバルブ膜の磁気抵抗変化率と
第１磁性層の保磁力に起因するヒステリシスを±５０Ｏ
ｅの範囲で４端子法にて測定した結果を、第１磁性層と
第２磁性層の構成とともに表２に示す。
Ｆスパッタ装置を用いて、第１磁性層／Ｃｕ（２６Å）
／第２磁性層／ＦｅＭｎ（１００Å）の積層構造で、第
１磁性層と第２磁性層が多層膜、第１磁性層が多層膜で
第２磁性層がＣｏ層からなる２種のスピンバルブ膜の作
製に際し、多層膜の各Ｃｏ厚みを種々変化させて成膜し
た。得られた種々のスピンバルブ膜の磁気抵抗変化率と
第１磁性層の保磁力に起因するヒステリシスを±５０Ｏ
ｅの範囲で４端子法にて測定した結果を、第１磁性層と
第２磁性層の構成とともに表２に示す。
【００１７】多層膜中の各Ｃｏ膜厚が３Å未満のスピン
バルブ膜ではヒステリシスは小さいが磁気抵抗変化率の
変化も小さく、多層化メリットが小さく、また、多層膜
のＣｏ膜厚が８Åを越えるスピンバルブ膜では、磁気抵
抗変化率の変化は大きいが、ヒステリシスも大きくな
り、多層化のメリットが小さく、多層膜中の各Ｃｏ膜１
層当たりのＣｏ膜層が３Å〜８Åのスピンバルブ膜は、
磁気抵抗変化率の変化が大きく、ヒステリシスは小さ
く、特性が良好であることを確認した。
バルブ膜ではヒステリシスは小さいが磁気抵抗変化率の
変化も小さく、多層化メリットが小さく、また、多層膜
のＣｏ膜厚が８Åを越えるスピンバルブ膜では、磁気抵
抗変化率の変化は大きいが、ヒステリシスも大きくな
り、多層化のメリットが小さく、多層膜中の各Ｃｏ膜１
層当たりのＣｏ膜層が３Å〜８Åのスピンバルブ膜は、
磁気抵抗変化率の変化が大きく、ヒステリシスは小さ
く、特性が良好であることを確認した。
【００１８】実施例３ ２インチ平方のガラス基板上に、積層数ｎの［ＮｉＦｅ
（１０Å）／Ｃｏ（４Å）］／Ｃｕ（２Å）／Ｃｏ（３
５Å）／ＮｉＯ（２５０Å）の積層構造と、積層数ｎの
［ＮｉＦｅ（２４Å）／Ｃｏ（４Å）］／Ｃｕ（２６
Å）／Ｃｏ（３５Å）／ＮｉＯ（２５０Å）の積層構造
からなる２種のスピンバルブ膜の製造に際して、多層膜
中のＣｏの積層数ｎを１から４として、実施例１と同様
条件のＲＦスパッタ装置を用いて成膜し、多層膜におけ
るＣｏ総膜厚の影響について検討した。
（１０Å）／Ｃｏ（４Å）］／Ｃｕ（２Å）／Ｃｏ（３
５Å）／ＮｉＯ（２５０Å）の積層構造と、積層数ｎの
［ＮｉＦｅ（２４Å）／Ｃｏ（４Å）］／Ｃｕ（２６
Å）／Ｃｏ（３５Å）／ＮｉＯ（２５０Å）の積層構造
からなる２種のスピンバルブ膜の製造に際して、多層膜
中のＣｏの積層数ｎを１から４として、実施例１と同様
条件のＲＦスパッタ装置を用いて成膜し、多層膜におけ
るＣｏ総膜厚の影響について検討した。
【００１９】得られた種々のスピンバルブ膜の磁気抵抗
変化率と第１磁性層の保磁力に起因するヒステリシスを
±５０Ｏｅの範囲で４端子法にて測定した結果を、第１
磁性層と第２磁性層の構成とともに表３に示す。いずれ
の積層構成において、ｎ≦２では磁気抵抗変化率は小さ
く、ｎ＝３以上で磁気抵抗変化率は安定している。この
ことは多層膜のＣｏ総膜厚が１２Å未満のスピンバルブ
膜では磁気抵抗変化率は不安定であることを示してお
り、Ｃｏ層の薄い層をＮｉＦｅ／Ｃｕ間に挿入する場合
も、安定した磁気抵抗変化率を得るためには、Ｃｏ層を
厚くせざるをえず、保磁力が大きくなるため、この発明
の磁性層の多層化により、高磁気抵抗変化率と低保磁力
の目的が達成される。
変化率と第１磁性層の保磁力に起因するヒステリシスを
±５０Ｏｅの範囲で４端子法にて測定した結果を、第１
磁性層と第２磁性層の構成とともに表３に示す。いずれ
の積層構成において、ｎ≦２では磁気抵抗変化率は小さ
く、ｎ＝３以上で磁気抵抗変化率は安定している。この
ことは多層膜のＣｏ総膜厚が１２Å未満のスピンバルブ
膜では磁気抵抗変化率は不安定であることを示してお
り、Ｃｏ層の薄い層をＮｉＦｅ／Ｃｕ間に挿入する場合
も、安定した磁気抵抗変化率を得るためには、Ｃｏ層を
厚くせざるをえず、保磁力が大きくなるため、この発明
の磁性層の多層化により、高磁気抵抗変化率と低保磁力
の目的が達成される。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【発明の効果】この発明は、第１磁性層／非磁性層／第
２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とするスピン
バルブ積層膜において、実施例に明らかなように第１磁
性層をＣｏとＮｉＦｅ多層膜から構成することにより、
高磁気抵抗変化と低保磁力を図ることが可能となり、更
に同時に第２磁性層もＣｏとＮｉＦｅ多層膜から構成す
るか、あるいは第２磁性層をＣｏ層とすることにより、
安定的にかかる効果が得られる。
２磁性層／磁化固定層の４層膜を基本構造とするスピン
バルブ積層膜において、実施例に明らかなように第１磁
性層をＣｏとＮｉＦｅ多層膜から構成することにより、
高磁気抵抗変化と低保磁力を図ることが可能となり、更
に同時に第２磁性層もＣｏとＮｉＦｅ多層膜から構成す
るか、あるいは第２磁性層をＣｏ層とすることにより、
安定的にかかる効果が得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１磁性層／非磁性層／第２磁性層／磁
化固定層の４層膜を基本構造とする積層膜からなる磁気
抵抗効果素子用スピンバルブ膜において、第１磁性層、
第２磁性層のいずれもがＣｏ層とＮｉＦｅとの多層膜か
ら構成され、各多層膜中の各Ｃｏ層の厚みが３Å〜８Å
でかつＣｏ総膜厚が１２Å以上であることを特徴とする
スピンバルブ膜。 - 【請求項２】 第１磁性層／非磁性層／第２磁性層／磁
化固定層の４層膜を基本構造とする積層膜からなる磁気
抵抗効果素子用スピンバルブ膜において、第１磁性層が
Ｃｏ層とＮｉＦｅとの多層膜から構成され、この多層膜
中の各Ｃｏ層の厚みが３Å〜８ÅでかつＣｏ総膜厚が１
２Å以上であり、第２磁性層がＣｏ層のみで構成される
ことを特徴とするスピンバルブ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772595A JPH08273124A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | スピンバルブ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772595A JPH08273124A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | スピンバルブ膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273124A true JPH08273124A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=14199871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9772595A Pending JPH08273124A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | スピンバルブ膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08273124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6594884B2 (en) | 1999-06-25 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Method of making a multilayered pinned layer structure for improved coupling field and GMR for spin valve |
-
1995
- 1995-03-29 JP JP9772595A patent/JPH08273124A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6594884B2 (en) | 1999-06-25 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Method of making a multilayered pinned layer structure for improved coupling field and GMR for spin valve |
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