JPH08273155A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH08273155A JPH08273155A JP7549595A JP7549595A JPH08273155A JP H08273155 A JPH08273155 A JP H08273155A JP 7549595 A JP7549595 A JP 7549595A JP 7549595 A JP7549595 A JP 7549595A JP H08273155 A JPH08273155 A JP H08273155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- magnetic recording
- cleaning
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 79
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 10
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- -1 aluminoborosilicate Chemical compound 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力化、低浮上走行化及び高CSS耐久
性をより容易に実現できる磁気記録媒体を製造できる磁
気記録媒体の製造方法を得る。 【構成】 基板1上に、順次、下地層2,3、磁性層
4、中間層5、保護層6及び潤滑層7を形成する工程を
有し、保護層6を形成する前に、該保護層6が形成され
る中間層5の表面を酸化させて不動態化する不動態化工
程と、上記不動態化された中間層5の表面を洗浄液によ
って洗浄する洗浄工程とを設けた。
性をより容易に実現できる磁気記録媒体を製造できる磁
気記録媒体の製造方法を得る。 【構成】 基板1上に、順次、下地層2,3、磁性層
4、中間層5、保護層6及び潤滑層7を形成する工程を
有し、保護層6を形成する前に、該保護層6が形成され
る中間層5の表面を酸化させて不動態化する不動態化工
程と、上記不動態化された中間層5の表面を洗浄液によ
って洗浄する洗浄工程とを設けた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に使
用される磁気記録媒体の製造方法に関する。
用される磁気記録媒体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録媒体に対す
る高記録密度化の要請は近年ますます厳しいものになっ
ている。
る高記録密度化の要請は近年ますます厳しいものになっ
ている。
【0003】ここで、一般に、ハードディスク等の磁気
記録媒体は、非磁性基板に下地膜、磁性膜及び保護膜を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行なう。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化
を実現するためには、磁性膜の高保磁力化に加えて、ヘ
ッドスライダーの低浮上走行化及びCSS(contact st
art and stop)に対する耐久性の向上等を実現すること
が重要である。すなわち、ヘッドスライダーを低浮上走
行させることによって、記録・再生の際の磁気ヘッドと
磁性膜との距離を小さくして高密度の記録・再生を可能
にする必要がある。また、この低浮上走行化させると、
ヘッドスライダーの走行開始及び停止時における摺動走
行と浮上走行との切替の繰り返し動作(CSS)の際
に、磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加わる物理的・機械
的負担が急激に増すので、このCSSにおける磁気ヘッ
ド及び磁気記録媒体の耐久性向上(以下、「高CSS耐
久性」と略称する)も必要になる。さらには、高密度記
録化にともなって再生時のノイズ低減化もより厳しく要
求される。
記録媒体は、非磁性基板に下地膜、磁性膜及び保護膜を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行なう。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化
を実現するためには、磁性膜の高保磁力化に加えて、ヘ
ッドスライダーの低浮上走行化及びCSS(contact st
art and stop)に対する耐久性の向上等を実現すること
が重要である。すなわち、ヘッドスライダーを低浮上走
行させることによって、記録・再生の際の磁気ヘッドと
磁性膜との距離を小さくして高密度の記録・再生を可能
にする必要がある。また、この低浮上走行化させると、
ヘッドスライダーの走行開始及び停止時における摺動走
行と浮上走行との切替の繰り返し動作(CSS)の際
に、磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加わる物理的・機械
的負担が急激に増すので、このCSSにおける磁気ヘッ
ド及び磁気記録媒体の耐久性向上(以下、「高CSS耐
久性」と略称する)も必要になる。さらには、高密度記
録化にともなって再生時のノイズ低減化もより厳しく要
求される。
【0004】ところで、現状の多くのハードディスク
は、非磁性基板としてアルミ合金基板を用い、その表面
にNiーPめっきを施して研磨した後、テクスチャー加
工を施して表面に適度の表面粗さを付与しておき、しか
る後に、下地膜、磁性膜及び保護膜等を順次スパッタ法
で形成したものである。すなわち、テクスチャー加工に
よる表面粗さに起因する凹凸が下地膜及び磁性膜を介し
て保護膜表面に表われるようにして、CSSの際にヘッ
ドスライダーが磁気記録媒体に吸着したり、あるいは、
両者の間の摩擦力が所定以上に大きくならないようにし
ている。
は、非磁性基板としてアルミ合金基板を用い、その表面
にNiーPめっきを施して研磨した後、テクスチャー加
工を施して表面に適度の表面粗さを付与しておき、しか
る後に、下地膜、磁性膜及び保護膜等を順次スパッタ法
で形成したものである。すなわち、テクスチャー加工に
よる表面粗さに起因する凹凸が下地膜及び磁性膜を介し
て保護膜表面に表われるようにして、CSSの際にヘッ
ドスライダーが磁気記録媒体に吸着したり、あるいは、
両者の間の摩擦力が所定以上に大きくならないようにし
ている。
【0005】また、保護膜として、ポリ珪酸やガラス質
の塗布膜を形成することによって保護膜表面に所定の表
面粗さが現れるようにした方法も提案されている(例え
ば、特公平1ー18500号公報参照)。
の塗布膜を形成することによって保護膜表面に所定の表
面粗さが現れるようにした方法も提案されている(例え
ば、特公平1ー18500号公報参照)。
【0006】さらに、最近になって、高記録密度化がよ
り容易に実現できる可能性の高いものとして、非磁性基
板にガラス基板を用いた磁気記録媒体が注目されてい
る。これは、ガラスが、最近のハードディスクの小径・
薄板化に対応できる十分な硬度を有する等の物理的・化
学的耐久性に優れ、しかも、その表面を比較的容易に高
い平面精度に形成できる性質を有していることが高記録
密度化実現により適していることがわかってきたためで
ある。
り容易に実現できる可能性の高いものとして、非磁性基
板にガラス基板を用いた磁気記録媒体が注目されてい
る。これは、ガラスが、最近のハードディスクの小径・
薄板化に対応できる十分な硬度を有する等の物理的・化
学的耐久性に優れ、しかも、その表面を比較的容易に高
い平面精度に形成できる性質を有していることが高記録
密度化実現により適していることがわかってきたためで
ある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気記録媒
体の高密度記録化に必要な磁性膜の高保磁力化、ヘッド
スライダーの低浮上走行化及び高CSS耐久性等を実現
するためには、基板上に形成される各膜の磁気特性等の
基本的特性を向上させる必要があることは勿論のこと、
各膜の物理的強度、平滑性、各膜どうしの付着力等の向
上も要求されるが、上述の従来の磁気記録媒体はいずれ
もこの様な特性の向上には一定の限界が生じていた。
体の高密度記録化に必要な磁性膜の高保磁力化、ヘッド
スライダーの低浮上走行化及び高CSS耐久性等を実現
するためには、基板上に形成される各膜の磁気特性等の
基本的特性を向上させる必要があることは勿論のこと、
各膜の物理的強度、平滑性、各膜どうしの付着力等の向
上も要求されるが、上述の従来の磁気記録媒体はいずれ
もこの様な特性の向上には一定の限界が生じていた。
【0008】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、高保磁力化、低浮上走行化及び高CSS耐久
性をより容易に実現できる磁気記録媒体及びその製造方
法を提供することを目的としている。
のであり、高保磁力化、低浮上走行化及び高CSS耐久
性をより容易に実現できる磁気記録媒体及びその製造方
法を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、(構成
1) 基板上に、少なくとも下地層、磁性層、中間層及
び保護層を順次形成する工程を有する磁気記録媒体の製
造方法において、前記保護層を形成する前に、該保護層
が形成される中間層の表面を酸化させて不動態化する不
動態化工程と、前記不動態化された中間層の表面を洗浄
液によって洗浄する洗浄工程とを有することを特徴とす
る構成とし、構成1の態様として、(構成2) 前記保
護層の形成工程は、該保護層を形成する面上に液状原料
を付着して加熱処理するものであるであることを特徴と
する構成とし、構成1又は2の態様として、(構成3)
前記洗浄工程は、該洗浄工程終了時に洗浄対象の層の
表面に洗浄液による濡れ性を持たせるものであることを
特徴とする構成とし、構成2又は3の態様として、(構
成4) 前記洗浄液の主たる成分と前記保護層の液状原
料に含まれる主たる成分が同じものであることを特徴と
する構成とし、構成1ないし4のいずれかの態様とし
て、(構成5) 前記洗浄液の主たる成分がイソプロピ
ルアルコールであることを特徴とする構成とし、構成1
ないし5のいずれかの態様として、(構成6) 前記洗
浄工程は、洗浄液を収納した1又は2以上の主洗浄槽中
での基板の揺動と洗浄剤に超音波振動を与えることによ
る主洗浄工程と、仕上げ洗浄槽中で基板を揺動させるこ
とによる仕上げ洗浄工程とを有するものであることを特
徴とする構成とし、構成2ないし6のいずれかの態様と
して、(構成7) 前記保護層の液状原料は、硬質微粒
子が分散されたものであることを特徴とする構成とし、
構成1ないし7のいずれかの態様として、(構成8)
前記基板がガラス基板であることを特徴とする構成と
し、構成1ないし8のいずれかの態様として(構成9)
前記下地層が、前記基板に接する側に形成されたS
i、Pb、Cu、Al、Ga又はInのいずれか1又は
2以上を主たる成分とする第1下地層と、この第1下地
層の上に形成されたCrからなる第2下地層からなるも
のであることを特徴とする構成とし、構成9の態様とし
て、(構成10) 前記第1下地層の厚さが10〜10
0オングストロームであることを特徴とする構成とし、
構成1ないし10のいずれかの態様として、(構成1
1) 前記磁性層の材料が、CoーX系(ただし、X
は、Ni、Cr、Ta、Pt、Zr、Si又はBのいず
れか1又は2以上とする)であり、前記中間層を構成す
る材料が、CrもしくはCrーY系(ただし、Yは、M
o、Zr、B、W、Ta又はSiのいずれか1又は2以
上とする)であることを特徴とする構成としたものであ
る。
めに本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、(構成
1) 基板上に、少なくとも下地層、磁性層、中間層及
び保護層を順次形成する工程を有する磁気記録媒体の製
造方法において、前記保護層を形成する前に、該保護層
が形成される中間層の表面を酸化させて不動態化する不
動態化工程と、前記不動態化された中間層の表面を洗浄
液によって洗浄する洗浄工程とを有することを特徴とす
る構成とし、構成1の態様として、(構成2) 前記保
護層の形成工程は、該保護層を形成する面上に液状原料
を付着して加熱処理するものであるであることを特徴と
する構成とし、構成1又は2の態様として、(構成3)
前記洗浄工程は、該洗浄工程終了時に洗浄対象の層の
表面に洗浄液による濡れ性を持たせるものであることを
特徴とする構成とし、構成2又は3の態様として、(構
成4) 前記洗浄液の主たる成分と前記保護層の液状原
料に含まれる主たる成分が同じものであることを特徴と
する構成とし、構成1ないし4のいずれかの態様とし
て、(構成5) 前記洗浄液の主たる成分がイソプロピ
ルアルコールであることを特徴とする構成とし、構成1
ないし5のいずれかの態様として、(構成6) 前記洗
浄工程は、洗浄液を収納した1又は2以上の主洗浄槽中
での基板の揺動と洗浄剤に超音波振動を与えることによ
る主洗浄工程と、仕上げ洗浄槽中で基板を揺動させるこ
とによる仕上げ洗浄工程とを有するものであることを特
徴とする構成とし、構成2ないし6のいずれかの態様と
して、(構成7) 前記保護層の液状原料は、硬質微粒
子が分散されたものであることを特徴とする構成とし、
構成1ないし7のいずれかの態様として、(構成8)
前記基板がガラス基板であることを特徴とする構成と
し、構成1ないし8のいずれかの態様として(構成9)
前記下地層が、前記基板に接する側に形成されたS
i、Pb、Cu、Al、Ga又はInのいずれか1又は
2以上を主たる成分とする第1下地層と、この第1下地
層の上に形成されたCrからなる第2下地層からなるも
のであることを特徴とする構成とし、構成9の態様とし
て、(構成10) 前記第1下地層の厚さが10〜10
0オングストロームであることを特徴とする構成とし、
構成1ないし10のいずれかの態様として、(構成1
1) 前記磁性層の材料が、CoーX系(ただし、X
は、Ni、Cr、Ta、Pt、Zr、Si又はBのいず
れか1又は2以上とする)であり、前記中間層を構成す
る材料が、CrもしくはCrーY系(ただし、Yは、M
o、Zr、B、W、Ta又はSiのいずれか1又は2以
上とする)であることを特徴とする構成としたものであ
る。
【0010】
【作用】上述の構成1によれば、保護層を形成する前
に、該保護層が形成される中間層の表面を酸化させて不
動態化する不動態化工程と、上記不動態化された中間層
の表面を洗浄液によって洗浄する洗浄工程とを設けるこ
とによって、不動態化された層との付着に優れる材料で
形成される保護層との付着を良好にし、同時に、洗浄に
よってスパッタ成膜後の膜表面のパーティクル汚れの除
去、膜表面の再活性化等を行って、これらの効果が相乗
的に作用するようにし、各膜の物理的強度、各膜どうし
の付着力等の著しい向上を図ることが可能になり、これ
により、磁性膜の高保磁力化、ヘッドスライダーの低浮
上走行化及び高CSS耐久性等をより高いレベルで実現
可能となって、磁気記録媒体のさらなる高密度記録化が
可能になった。
に、該保護層が形成される中間層の表面を酸化させて不
動態化する不動態化工程と、上記不動態化された中間層
の表面を洗浄液によって洗浄する洗浄工程とを設けるこ
とによって、不動態化された層との付着に優れる材料で
形成される保護層との付着を良好にし、同時に、洗浄に
よってスパッタ成膜後の膜表面のパーティクル汚れの除
去、膜表面の再活性化等を行って、これらの効果が相乗
的に作用するようにし、各膜の物理的強度、各膜どうし
の付着力等の著しい向上を図ることが可能になり、これ
により、磁性膜の高保磁力化、ヘッドスライダーの低浮
上走行化及び高CSS耐久性等をより高いレベルで実現
可能となって、磁気記録媒体のさらなる高密度記録化が
可能になった。
【0011】保護層が形成される中間層の表面を酸化さ
せて不動態化させ、同時に、中間層を洗浄することによ
ってこの様な著しい効果が得られる事実は、本発明者等
の研究によってはじめて解明されたものである。すなわ
ち、従来は、基板に研磨加工やテクスチャー加工を施し
た後にこの基板自体を洗浄するほかは、特に洗浄を行な
わないばかりでなく、むしろ、基板上に形成された層の
洗浄を行なうことは洗浄によって逆に既成の膜表面を汚
染するおそれすらあるものと考えられていた程である。
せて不動態化させ、同時に、中間層を洗浄することによ
ってこの様な著しい効果が得られる事実は、本発明者等
の研究によってはじめて解明されたものである。すなわ
ち、従来は、基板に研磨加工やテクスチャー加工を施し
た後にこの基板自体を洗浄するほかは、特に洗浄を行な
わないばかりでなく、むしろ、基板上に形成された層の
洗浄を行なうことは洗浄によって逆に既成の膜表面を汚
染するおそれすらあるものと考えられていた程である。
【0012】本発明は、構成2のように、保護層の形成
工程が、該保護層を形成する面上に液状原料を付着して
加熱成膜するものである場合にさらに効果的であること
が確認されている。
工程が、該保護層を形成する面上に液状原料を付着して
加熱成膜するものである場合にさらに効果的であること
が確認されている。
【0013】また、構成3のように、洗浄工程によって
洗浄した層に積極的に濡れ性を持たせることにより、こ
の層の上に形成される層の膜付着力や他の膜特性を向上
させることができ、その場合には、構成4のように、洗
浄液の主たる成分と保護層の液状原料に含まれる主たる
成分とを同じものにすることによってより大きな効果が
得られ、その洗浄液としては、構成5のように、イソプ
ロピルアルコールを用いることが好ましい。
洗浄した層に積極的に濡れ性を持たせることにより、こ
の層の上に形成される層の膜付着力や他の膜特性を向上
させることができ、その場合には、構成4のように、洗
浄液の主たる成分と保護層の液状原料に含まれる主たる
成分とを同じものにすることによってより大きな効果が
得られ、その洗浄液としては、構成5のように、イソプ
ロピルアルコールを用いることが好ましい。
【0014】また、前記洗浄工程を、構成6のように、
洗浄液を収納した1又は2以上の主洗浄槽中での基板の
揺動と洗浄剤に超音波振動を与えることによる主洗浄工
程と、仕上げ洗浄槽中で基板を揺動させることによる仕
上げ洗浄工程とを有するもののように、徹底したものと
することによって、著しい効果が得られる。
洗浄液を収納した1又は2以上の主洗浄槽中での基板の
揺動と洗浄剤に超音波振動を与えることによる主洗浄工
程と、仕上げ洗浄槽中で基板を揺動させることによる仕
上げ洗浄工程とを有するもののように、徹底したものと
することによって、著しい効果が得られる。
【0015】さらに、構成7のように、前記保護層の液
状原料を、硬質微粒子が分散されたものにすることによ
って適切な表面粗さを備えたものとすることができ、構
成8のように、基板をガラス基板で構成し、構成9のよ
うに、前記下地層を、前記基板に接する側に形成された
Al、Si、Pb、Cu、In又はGaのいずれか1又
は2以上を主たる成分とする第1下地層と、この第1下
地層の上に形成されたCrからなる第2下地層からなる
もので構成し、構成10のように、前記第1下地層の厚
さを10〜100オングストロームとし、さらには、構
成11のように、前記磁性層の材料を、CoーX系(た
だし、Xは、Ni、Cr、Ta、Pt、Zr、Si又は
Bのいずれか1又は2以上とする)とし、前記中間層を
構成する材料が、CrもしくはCrーY系(ただし、Y
は、Mo、Zr、B、W、Ta又はSiのいずれか1又
は2以上とする)とすることによって、本発明の効果を
より著しいものにできる磁気記録媒体を得ることができ
る。
状原料を、硬質微粒子が分散されたものにすることによ
って適切な表面粗さを備えたものとすることができ、構
成8のように、基板をガラス基板で構成し、構成9のよ
うに、前記下地層を、前記基板に接する側に形成された
Al、Si、Pb、Cu、In又はGaのいずれか1又
は2以上を主たる成分とする第1下地層と、この第1下
地層の上に形成されたCrからなる第2下地層からなる
もので構成し、構成10のように、前記第1下地層の厚
さを10〜100オングストロームとし、さらには、構
成11のように、前記磁性層の材料を、CoーX系(た
だし、Xは、Ni、Cr、Ta、Pt、Zr、Si又は
Bのいずれか1又は2以上とする)とし、前記中間層を
構成する材料が、CrもしくはCrーY系(ただし、Y
は、Mo、Zr、B、W、Ta又はSiのいずれか1又
は2以上とする)とすることによって、本発明の効果を
より著しいものにできる磁気記録媒体を得ることができ
る。
【0016】
(実施例1)図1は本発明の実施例1にかかる磁気記録
媒体の製造方法によって製造される磁気記録媒体の構成
を示す模式的断面図である。以下、図1を参照にしなが
らまず実施例1にかかる磁気記録媒体の製造方法で製造
される磁気記録媒体の構成を簡単に説明し、次に、実施
例1にかかる磁気記録媒体の製造方法を説明する。
媒体の製造方法によって製造される磁気記録媒体の構成
を示す模式的断面図である。以下、図1を参照にしなが
らまず実施例1にかかる磁気記録媒体の製造方法で製造
される磁気記録媒体の構成を簡単に説明し、次に、実施
例1にかかる磁気記録媒体の製造方法を説明する。
【0017】図1に示されるように、この実施例の方法
で製造される磁気記録媒体は、要するに、ガラス基板1
の上に、順次、第1下地層2、第2下地層3、磁性層
4、中間層5、保護層6及び潤滑層7が形成されたもの
である。
で製造される磁気記録媒体は、要するに、ガラス基板1
の上に、順次、第1下地層2、第2下地層3、磁性層
4、中間層5、保護層6及び潤滑層7が形成されたもの
である。
【0018】ガラス基板1は、化学強化ガラスを、外径
95mmφ、中心部の穴径25mmφ、厚さ0.8mm
のディスク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRm
axで30オングストロームとなるように精密研磨した
ものである。
95mmφ、中心部の穴径25mmφ、厚さ0.8mm
のディスク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRm
axで30オングストロームとなるように精密研磨した
ものである。
【0019】ここで、ガラス基板1を構成する化学強化
ガラスとしては、主たる成分として重量%で、SiO2
が62〜75%、Al2 O3 が5〜15%、Li2 Oが
4〜10%、Na2 Oが4〜12%、ZrO2 が5.5
〜15%それぞれ含有するとともに、Na2 O/ZrO
2 の重量比が0.5〜2.0、Al2 O3 /ZrO2の
重量比が0.4〜2.5である化学強化用ガラスを、N
aイオン及び/又はKイオンを含有する処理浴でイオン
交換処理して化学強化したもの(詳しくは、特開平5ー
32431号公報参照)を用いた。
ガラスとしては、主たる成分として重量%で、SiO2
が62〜75%、Al2 O3 が5〜15%、Li2 Oが
4〜10%、Na2 Oが4〜12%、ZrO2 が5.5
〜15%それぞれ含有するとともに、Na2 O/ZrO
2 の重量比が0.5〜2.0、Al2 O3 /ZrO2の
重量比が0.4〜2.5である化学強化用ガラスを、N
aイオン及び/又はKイオンを含有する処理浴でイオン
交換処理して化学強化したもの(詳しくは、特開平5ー
32431号公報参照)を用いた。
【0020】第1下地層2は、厚さ約50オングストロ
ームのAlの薄膜である。
ームのAlの薄膜である。
【0021】第2下地膜3は、厚さ約2000オングス
トロームのCr膜である。
トロームのCr膜である。
【0022】磁性層4は、厚さ約500オングストロー
ムのCoNiCrTa膜である。ここで、CoNiCr
Ta膜の組成は、原子組成比で、Co:Ni:Cr:T
a=66:25:8:1の組成を有している。
ムのCoNiCrTa膜である。ここで、CoNiCr
Ta膜の組成は、原子組成比で、Co:Ni:Cr:T
a=66:25:8:1の組成を有している。
【0023】中間層5は、膜厚約300オングストロー
ムのCr膜である。
ムのCr膜である。
【0024】保護層6は、シリコン酸化物(ポリケイ
酸)膜6a中にシリカ(SiO2 )微粒子5bが分散さ
れ、表面にこのシリカ微粒子に起因する凹凸が表れてい
るものである。シリカ微粒子6bの存在しない部分のシ
リコン酸化物膜6aの膜厚は約100オングストローム
である。また、シリカ微粒子6bは、平均粒径が約10
0オングストロームである。なお、ここで、シリカ微粒
子の平均粒径とは、シリカ微粒子の平均的な大きさ、す
なわち、球状及び球でない形状のシリカ微粒子を含めて
一群のシリカ微粒子の径を測定して平均した大きさを意
味する。
酸)膜6a中にシリカ(SiO2 )微粒子5bが分散さ
れ、表面にこのシリカ微粒子に起因する凹凸が表れてい
るものである。シリカ微粒子6bの存在しない部分のシ
リコン酸化物膜6aの膜厚は約100オングストローム
である。また、シリカ微粒子6bは、平均粒径が約10
0オングストロームである。なお、ここで、シリカ微粒
子の平均粒径とは、シリカ微粒子の平均的な大きさ、す
なわち、球状及び球でない形状のシリカ微粒子を含めて
一群のシリカ微粒子の径を測定して平均した大きさを意
味する。
【0025】潤滑層6は、パーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑剤(例えば、モンテジソン社製AM2001
がある)を浸漬法により、保護層6上に塗布して膜厚約
20オングストロームに形成したものである。
らなる潤滑剤(例えば、モンテジソン社製AM2001
がある)を浸漬法により、保護層6上に塗布して膜厚約
20オングストロームに形成したものである。
【0026】次に、実施例の磁気記録媒体の製造方法を
説明する。
説明する。
【0027】まず、化学強化ガラスを、外径65mm
φ、中心部の穴径20mmφ、厚さ0.9mmのディス
ク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRmaxで3
0オングストロームとなるように精密研磨してガラス基
板1を得る。
φ、中心部の穴径20mmφ、厚さ0.9mmのディス
ク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRmaxで3
0オングストロームとなるように精密研磨してガラス基
板1を得る。
【0028】次に、上記ガラス基板1に、該ガラス基板
1の加熱処理、第1下地層2の成膜、第2下地層3の成
膜、加熱処理、磁性層4の成膜、中間層5の成膜の各工
程をインラインスパッタ装置を用いて連続的に行う。
1の加熱処理、第1下地層2の成膜、第2下地層3の成
膜、加熱処理、磁性層4の成膜、中間層5の成膜の各工
程をインラインスパッタ装置を用いて連続的に行う。
【0029】インラインスパッタ装置としては、周知の
インライン型のDCマグネトロンスパッタ装置を用い
た。図示しないが、このインラインスパッタ装置は、搬
送方向に向かって、基板加熱ヒータが設けられた第1の
チャンバー、Alターゲット及びCrターゲトが順次設
置された第2のチャンバー、加熱ヒータが設置された第
3のチャンバー、CoNiCrTaターゲットが順次設
置された第4のチャンバー、並びに、Crターゲットが
設置された第5のチャンバーがそれぞれ設けられたもの
である。
インライン型のDCマグネトロンスパッタ装置を用い
た。図示しないが、このインラインスパッタ装置は、搬
送方向に向かって、基板加熱ヒータが設けられた第1の
チャンバー、Alターゲット及びCrターゲトが順次設
置された第2のチャンバー、加熱ヒータが設置された第
3のチャンバー、CoNiCrTaターゲットが順次設
置された第4のチャンバー、並びに、Crターゲットが
設置された第5のチャンバーがそれぞれ設けられたもの
である。
【0030】そして、ガラス基板1をロードロック室を
介して第1のチャンバー内に導入すると、該ガラス基板
1は、所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次
々と所定の一定の速度で搬送され、その間に以下の成膜
や処理がなされる。
介して第1のチャンバー内に導入すると、該ガラス基板
1は、所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次
々と所定の一定の速度で搬送され、その間に以下の成膜
や処理がなされる。
【0031】すなわち、まず、第1のチャンバー内で
は、基板を375℃で加熱する処理がなされる。第2の
チャンバー内では、第1下地層2たる膜厚50オングス
トロームのAl膜及び第2下地層3たる膜厚2000オ
ングストロームのCr膜が順次成膜される。第3のチャ
ンバー内では再度基板が加熱され、第4のチャンバー内
では磁性層4たる膜厚500オングストロームのCoN
iCrTa膜が成膜される。第5のチャンバー内では、
中間層5を構成する膜厚300オングストロームのCr
膜が成膜される。なお、上記各チャンバー内は1×10
-5Torr以下の圧力まで減圧され、上記各チャンバー
に導入されるスパッタガスとしてアルゴンが用いられ
る。スパッタガス圧は、第2のチャンバー内では5mT
orr、第4のチャンバー内では3mTorr、第5の
チャンバー内では5mTorrである。
は、基板を375℃で加熱する処理がなされる。第2の
チャンバー内では、第1下地層2たる膜厚50オングス
トロームのAl膜及び第2下地層3たる膜厚2000オ
ングストロームのCr膜が順次成膜される。第3のチャ
ンバー内では再度基板が加熱され、第4のチャンバー内
では磁性層4たる膜厚500オングストロームのCoN
iCrTa膜が成膜される。第5のチャンバー内では、
中間層5を構成する膜厚300オングストロームのCr
膜が成膜される。なお、上記各チャンバー内は1×10
-5Torr以下の圧力まで減圧され、上記各チャンバー
に導入されるスパッタガスとしてアルゴンが用いられ
る。スパッタガス圧は、第2のチャンバー内では5mT
orr、第4のチャンバー内では3mTorr、第5の
チャンバー内では5mTorrである。
【0032】次に、中間層5の形成までを行った基板を
上記インラインスパッタ装置から取り出し、常温の大気
中に5〜10分程度放置し、中間層5の表面を酸化して
不動態化処理を施す。
上記インラインスパッタ装置から取り出し、常温の大気
中に5〜10分程度放置し、中間層5の表面を酸化して
不動態化処理を施す。
【0033】次に、上記磁性層4の形成からなるべく4
時間以内、より望ましくは30分以内に中間層5を形成
した基板の洗浄を行う。この洗浄工程は、洗浄液を満た
した主洗浄槽中に基板を所定時間浸して引上げる主洗浄
と、この主洗浄後の基板を仕上げ洗浄槽中に所定時間浸
して引上げる仕上げ洗浄とからなる。この場合、洗浄液
としては、純度95%以上のイソプロピルアルコール
(IPA)を用いる。また、主洗浄槽及び仕上げ洗浄槽
においては、基板面を液面に対して垂直に浸し、基板面
に対して平行に上・下運動を与えると同時に超音波洗浄
を行う。さらに、主洗浄槽中の洗浄液の液温は約30℃
にし、基板を主洗浄槽の洗浄液中に浸す時間を約3分と
し、引上げ速度を約10mm/秒にする。主洗浄は、3
槽の主洗浄槽を用いて順次繰り返す。また、仕上げ洗浄
槽の洗浄液の液温は25℃以上、35℃以下にし、基板
を仕上げ洗浄槽の洗浄液中に浸す時間を約2分とし、引
上げ速度を約2mm/秒にする。なお、仕上げ洗浄槽か
ら引上げを開始する際には超音波を停止させておくこと
が好ましい。また、洗浄液の液温は主洗浄の液温よりも
仕上げ洗浄の液温を高くすると同時に仕上げ洗浄の液温
を35℃以下にすることが好ましい。35℃以上にする
と、中間層5の表面に適度の濡れ性を持たせることが困
難になる。さらに、主洗浄槽は3槽以上設けることが好
ましいが、1槽でも一定の効果が得られることが確認さ
れている。また、主洗浄における引上げ速度を仕上げ洗
浄における引上げ速度より早くしているのは、塵埃が付
着する可能性をできるだけ小さくし、一方、仕上げ洗浄
においては、中間層5の表面を半乾き状態にして適度の
濡れ性を持たせるためである。この場合、仕上げ洗浄の
際における引上げ速度は、0.5mm/秒以上で10m
m/秒の範囲であれば、所定の濡れ性を持たせることが
可能である。0.5mm/秒以下であると、中間層5の
表面が完全に乾燥してしまい、次工程で形成される保護
膜が膜剥がれの生じやすい等の欠陥の有するものになる
おそれが高くなる。逆に、10mm/秒以上であると濡
れ過ぎて次工程で形成される保護膜が成膜ムラが多い等
の欠陥の有するものになるおそれが高くなる。
時間以内、より望ましくは30分以内に中間層5を形成
した基板の洗浄を行う。この洗浄工程は、洗浄液を満た
した主洗浄槽中に基板を所定時間浸して引上げる主洗浄
と、この主洗浄後の基板を仕上げ洗浄槽中に所定時間浸
して引上げる仕上げ洗浄とからなる。この場合、洗浄液
としては、純度95%以上のイソプロピルアルコール
(IPA)を用いる。また、主洗浄槽及び仕上げ洗浄槽
においては、基板面を液面に対して垂直に浸し、基板面
に対して平行に上・下運動を与えると同時に超音波洗浄
を行う。さらに、主洗浄槽中の洗浄液の液温は約30℃
にし、基板を主洗浄槽の洗浄液中に浸す時間を約3分と
し、引上げ速度を約10mm/秒にする。主洗浄は、3
槽の主洗浄槽を用いて順次繰り返す。また、仕上げ洗浄
槽の洗浄液の液温は25℃以上、35℃以下にし、基板
を仕上げ洗浄槽の洗浄液中に浸す時間を約2分とし、引
上げ速度を約2mm/秒にする。なお、仕上げ洗浄槽か
ら引上げを開始する際には超音波を停止させておくこと
が好ましい。また、洗浄液の液温は主洗浄の液温よりも
仕上げ洗浄の液温を高くすると同時に仕上げ洗浄の液温
を35℃以下にすることが好ましい。35℃以上にする
と、中間層5の表面に適度の濡れ性を持たせることが困
難になる。さらに、主洗浄槽は3槽以上設けることが好
ましいが、1槽でも一定の効果が得られることが確認さ
れている。また、主洗浄における引上げ速度を仕上げ洗
浄における引上げ速度より早くしているのは、塵埃が付
着する可能性をできるだけ小さくし、一方、仕上げ洗浄
においては、中間層5の表面を半乾き状態にして適度の
濡れ性を持たせるためである。この場合、仕上げ洗浄の
際における引上げ速度は、0.5mm/秒以上で10m
m/秒の範囲であれば、所定の濡れ性を持たせることが
可能である。0.5mm/秒以下であると、中間層5の
表面が完全に乾燥してしまい、次工程で形成される保護
膜が膜剥がれの生じやすい等の欠陥の有するものになる
おそれが高くなる。逆に、10mm/秒以上であると濡
れ過ぎて次工程で形成される保護膜が成膜ムラが多い等
の欠陥の有するものになるおそれが高くなる。
【0034】次に、上記仕上げ洗浄における引上げ後、
90秒以内に、硬質微粒子を分散させた液状物中に中間
層5の表面を接触させて該液状物を塗布し、加熱処理を
施して保護層6を形成する。この場合、この液状物は、
有機シリコン化合物としてのテトラエトキシシラン(S
i(OC2 H5 )4 )と、平均粒径が約100オングス
トローム(コールターカウンター社製粒度分布測定機コ
ールターカウンターN4での測定値)のシリカ微粒子
と、水と、イソプロピルアルコールとを重量比で、1
0:0.3:3:500の割合で混合したシリカ微粒子
を含む有機シリコン化合物溶液である。また、液状物塗
布後の加熱処理は、約280℃の温度で2時間加熱する
処理である。これにより、シリコン酸化物(ポリケイ
酸)膜6a中にシリカ微粒子6bが分散された保護層6
が得られる。
90秒以内に、硬質微粒子を分散させた液状物中に中間
層5の表面を接触させて該液状物を塗布し、加熱処理を
施して保護層6を形成する。この場合、この液状物は、
有機シリコン化合物としてのテトラエトキシシラン(S
i(OC2 H5 )4 )と、平均粒径が約100オングス
トローム(コールターカウンター社製粒度分布測定機コ
ールターカウンターN4での測定値)のシリカ微粒子
と、水と、イソプロピルアルコールとを重量比で、1
0:0.3:3:500の割合で混合したシリカ微粒子
を含む有機シリコン化合物溶液である。また、液状物塗
布後の加熱処理は、約280℃の温度で2時間加熱する
処理である。これにより、シリコン酸化物(ポリケイ
酸)膜6a中にシリカ微粒子6bが分散された保護層6
が得られる。
【0035】次に、保護層6を形成した基板を純水及び
IPAで洗浄する。
IPAで洗浄する。
【0036】次に、パーフルオロポリエーテルからなる
潤滑剤(例えば、モンテジソン社製AM2001)を浸
漬法により、保護層6上に塗布して膜厚約20オングス
トロームの潤滑層7を形成し、しかる後、その表面をバ
ーニッシュヘッドを用いて突起物を除去して磁気記録媒
体を得る。
潤滑剤(例えば、モンテジソン社製AM2001)を浸
漬法により、保護層6上に塗布して膜厚約20オングス
トロームの潤滑層7を形成し、しかる後、その表面をバ
ーニッシュヘッドを用いて突起物を除去して磁気記録媒
体を得る。
【0037】このようにして得られた磁気記録媒体の表
面粗さを、ランクテーラーホブソン社製のタリステップ
を用いて測定したところ、最大高さ(Rmax)で15
0オングストロームであった。
面粗さを、ランクテーラーホブソン社製のタリステップ
を用いて測定したところ、最大高さ(Rmax)で15
0オングストロームであった。
【0038】また、この磁気記録媒体は300オングス
トロームのグライドテストに合格した。
トロームのグライドテストに合格した。
【0039】次に、Al2 O3 −TiC焼結体をスライ
ダー部とした磁気ヘッドによるコンタクト・スタート・
ストップ・テスト(CSSテスト)では、100000
回後の静止摩擦係数が0.4以下であり、優れた耐摩耗
性を有していた。
ダー部とした磁気ヘッドによるコンタクト・スタート・
ストップ・テスト(CSSテスト)では、100000
回後の静止摩擦係数が0.4以下であり、優れた耐摩耗
性を有していた。
【0040】また、この磁気記録媒体の保磁力を測定し
たところ、1900エールステッドであり、極めて優れ
たものであった。
たところ、1900エールステッドであり、極めて優れ
たものであった。
【0041】さらに、磁気ヘッド浮上量が0.055μ
mの薄膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクとの相対速度
を6m/sとし、線記録密度で70kfci(1インチ
当たり70000ビットの線記録密度)における記録再
生出力を測定したところ、245μVという高い値が得
られた。
mの薄膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクとの相対速度
を6m/sとし、線記録密度で70kfci(1インチ
当たり70000ビットの線記録密度)における記録再
生出力を測定したところ、245μVという高い値が得
られた。
【0042】また、キャリア周波数8.5MHzで、測
定帯域を15MHzとしてスペクトラムアナライザーに
より信号記録再生時のノイズスペクトラムを測定した。
なお、本測定に用いた薄膜ヘッドは、コイルターン数が
50、トラック幅が6μm、磁気ヘッドギャップ長が
0.25μmである。その結果、ノイズは1.9μVrm
s という小さい値であった。
定帯域を15MHzとしてスペクトラムアナライザーに
より信号記録再生時のノイズスペクトラムを測定した。
なお、本測定に用いた薄膜ヘッドは、コイルターン数が
50、トラック幅が6μm、磁気ヘッドギャップ長が
0.25μmである。その結果、ノイズは1.9μVrm
s という小さい値であった。
【0043】さらに、上記条件で測定した磁気特性も良
好で、D50で80KBPI(キロビット/インチ)以上
の高密度の記録が可能であった。
好で、D50で80KBPI(キロビット/インチ)以上
の高密度の記録が可能であった。
【0044】次に、洗浄工程の有無による効果を確認す
るために、本実施例の製造方法で製造した磁気記録媒体
と、本実施例の製造方法から洗浄工程のみを除いた製造
方法で製造した比較例の磁気記録媒体とについて、線記
録密度の値を変えてエラーテストを行った場合のデフェ
クト(欠陥)数と、ヘッド浮上量を変えてグライドテス
トを行った場合のグライドヒット数とを測定した結果を
示す。なお、デフェクト数とは、平均出力に対して一定
レベル(スライスレベル)を下回った出力を示すビット
数であり、本実施例ではこのスライスレベルを85%と
し、線記録密度が10,20,…,110,120KF
CIの各場合の値を測定した。また、グライドヒット数
とは、一定の浮上量を有するヘッドスライダーに取り付
けられたピエゾ素子からの信号が、ディスク上の突起物
等によりヘッドスライダーが振動を受けた場合に一定値
(スライスレベル)以上になる時の突起物等の検出個数
をいい、ここでは、ヘッド浮上量が0,10,20,
…,140,150nmの各場合の値を測定した。図2
はデフェクト数の測定結果を表にして示した図、図3は
図2の測定結果をグラフにして示した図、図4はグライ
ドヘット数の測定結果を表にして示した図、図5は図4
の測定結果をグラフにして示した図である。
るために、本実施例の製造方法で製造した磁気記録媒体
と、本実施例の製造方法から洗浄工程のみを除いた製造
方法で製造した比較例の磁気記録媒体とについて、線記
録密度の値を変えてエラーテストを行った場合のデフェ
クト(欠陥)数と、ヘッド浮上量を変えてグライドテス
トを行った場合のグライドヒット数とを測定した結果を
示す。なお、デフェクト数とは、平均出力に対して一定
レベル(スライスレベル)を下回った出力を示すビット
数であり、本実施例ではこのスライスレベルを85%と
し、線記録密度が10,20,…,110,120KF
CIの各場合の値を測定した。また、グライドヒット数
とは、一定の浮上量を有するヘッドスライダーに取り付
けられたピエゾ素子からの信号が、ディスク上の突起物
等によりヘッドスライダーが振動を受けた場合に一定値
(スライスレベル)以上になる時の突起物等の検出個数
をいい、ここでは、ヘッド浮上量が0,10,20,
…,140,150nmの各場合の値を測定した。図2
はデフェクト数の測定結果を表にして示した図、図3は
図2の測定結果をグラフにして示した図、図4はグライ
ドヘット数の測定結果を表にして示した図、図5は図4
の測定結果をグラフにして示した図である。
【0045】上述の比較結果から明らかなように、洗浄
工程がない場合には、30KFCIから既に欠陥がみら
れ、60KFCIでは欠陥数が100を越えてしまい、
磁気ディスクの高密度化を阻害する。しかも、グライド
ヒット数が浮上量50nm程度で検出が始まることか
ら、これ以上のヘッドの低浮上化は困難である。
工程がない場合には、30KFCIから既に欠陥がみら
れ、60KFCIでは欠陥数が100を越えてしまい、
磁気ディスクの高密度化を阻害する。しかも、グライド
ヒット数が浮上量50nm程度で検出が始まることか
ら、これ以上のヘッドの低浮上化は困難である。
【0046】これに対して本実施例の場合には、60K
FCI付近からようやく欠陥の検出が認められる程度で
あり、グライドヒット数も浮上量30nmまではほとん
ど検出されず、極めて優れていることがわかる。
FCI付近からようやく欠陥の検出が認められる程度で
あり、グライドヒット数も浮上量30nmまではほとん
ど検出されず、極めて優れていることがわかる。
【0047】さらに、比較のために、第1下地層2を形
成しないほかは、上記実施例1と同じ構成及び製造方法
を有する磁気記録媒体を作製してその特性を実施例1の
場合と同一の測定方法で調べたところ、保磁力が140
0エールステッド、記録再生出力が200μV、ノイズ
が4.0μVrms であり、いずれも実施例1に比較して
劣るものであった。
成しないほかは、上記実施例1と同じ構成及び製造方法
を有する磁気記録媒体を作製してその特性を実施例1の
場合と同一の測定方法で調べたところ、保磁力が140
0エールステッド、記録再生出力が200μV、ノイズ
が4.0μVrms であり、いずれも実施例1に比較して
劣るものであった。
【0048】さらに、比較のために、保護層6をカーボ
ン薄膜で構成したほかは、下地膜をはじめとして上記実
施例1と同じ構成及び製造方法を有する比較例の磁気記
録媒体を作製してその特性を実施例1の場合と同一の測
定方法で調べたところ、保磁力が1300エールステッ
ド、記録再生出力が190μV、ノイズが2.1μVrm
s であり、ノイズ特性は同じであるが、保磁力と記録再
生出力とが実施例1のものに比較して劣るものであっ
た。また、この比較例の磁気記録媒体と本実施例の磁気
記録媒体とを、80℃、85%の高温多湿雰囲気中で保
管した場合に生ずる欠陥(ディフェクト)数を、測定機
(日立電子エンジニアリング株式会社製のRC560メ
ディアサーティファイヤー)を用い経時的に調べた結果
によれば、本実施例の磁気記録媒体は高温多湿下に長期
間保管しても欠陥の発生が認められないのに対し、比較
例の磁気記録媒体は同様の条件で保管すると短期間に欠
陥の発生が認められ経時とともに欠陥は著しく増大する
ことがわかった。
ン薄膜で構成したほかは、下地膜をはじめとして上記実
施例1と同じ構成及び製造方法を有する比較例の磁気記
録媒体を作製してその特性を実施例1の場合と同一の測
定方法で調べたところ、保磁力が1300エールステッ
ド、記録再生出力が190μV、ノイズが2.1μVrm
s であり、ノイズ特性は同じであるが、保磁力と記録再
生出力とが実施例1のものに比較して劣るものであっ
た。また、この比較例の磁気記録媒体と本実施例の磁気
記録媒体とを、80℃、85%の高温多湿雰囲気中で保
管した場合に生ずる欠陥(ディフェクト)数を、測定機
(日立電子エンジニアリング株式会社製のRC560メ
ディアサーティファイヤー)を用い経時的に調べた結果
によれば、本実施例の磁気記録媒体は高温多湿下に長期
間保管しても欠陥の発生が認められないのに対し、比較
例の磁気記録媒体は同様の条件で保管すると短期間に欠
陥の発生が認められ経時とともに欠陥は著しく増大する
ことがわかった。
【0049】さらに、比較のために、第1下地層2の膜
厚を150オングストロームと厚くしたほかは、上記実
施例1と同じ構成及び製造方法で作製した磁気記録媒体
の特性は、保磁力が1600エールステッド、記録再生
出力が210μV、ノイズが3.7μVrms であり、保
磁力は同じであるが記録再生出力とノイズ特性とが実施
例1のものに比較して劣るものであった。
厚を150オングストロームと厚くしたほかは、上記実
施例1と同じ構成及び製造方法で作製した磁気記録媒体
の特性は、保磁力が1600エールステッド、記録再生
出力が210μV、ノイズが3.7μVrms であり、保
磁力は同じであるが記録再生出力とノイズ特性とが実施
例1のものに比較して劣るものであった。
【0050】(実施例2)図6は本発明の実施例2にか
かる磁気記録媒体の製造方法で製造した磁気記録媒体の
部分構成を示す模式的断面図である。図6に示されるよ
うに、この実施例による磁気記録媒体は、上述の実施例
2で製造した磁気記録媒体における磁性層4の代わり
に、第2下地層3の上に形成される非磁性層41、この
非磁性41の上に形成される第1磁性層42、この第1
磁性層42の上に形成される中間非磁性層43、この中
間非磁性層43の上に形成される第2磁性層44の複数
層からなる磁性層40を形成したものである。
かる磁気記録媒体の製造方法で製造した磁気記録媒体の
部分構成を示す模式的断面図である。図6に示されるよ
うに、この実施例による磁気記録媒体は、上述の実施例
2で製造した磁気記録媒体における磁性層4の代わり
に、第2下地層3の上に形成される非磁性層41、この
非磁性41の上に形成される第1磁性層42、この第1
磁性層42の上に形成される中間非磁性層43、この中
間非磁性層43の上に形成される第2磁性層44の複数
層からなる磁性層40を形成したものである。
【0051】また、この実施例の製造方法は、磁性層4
を形成する工程の代わりに磁性層40を形成する工程を
設けるほかは、この磁性層40の上に形成される中間層
5を洗浄する洗浄工程を有する点を含めて実施例1と同
一の構成を有するものであるので、共通する部分には同
一の符号を付してその説明を省略する。
を形成する工程の代わりに磁性層40を形成する工程を
設けるほかは、この磁性層40の上に形成される中間層
5を洗浄する洗浄工程を有する点を含めて実施例1と同
一の構成を有するものであるので、共通する部分には同
一の符号を付してその説明を省略する。
【0052】この実施例における非磁性層41は膜厚1
00オングストロームのCrMo合金膜である。このC
rMo合金膜の組成は、Crが98原子%、Moが2原
子%である。この非磁性層41はこの上に形成される磁
性層の結晶構造を良好にするために設けられる。
00オングストロームのCrMo合金膜である。このC
rMo合金膜の組成は、Crが98原子%、Moが2原
子%である。この非磁性層41はこの上に形成される磁
性層の結晶構造を良好にするために設けられる。
【0053】第1磁性層42及び第2磁性層44はとも
に同一の材料であるCoPtCr合金からなり、膜厚も
ともに120オングストロームである。CoPtCr合
金の組成は、Coが78原子%、Ptが11原子%、C
rが11原子%である。
に同一の材料であるCoPtCr合金からなり、膜厚も
ともに120オングストロームである。CoPtCr合
金の組成は、Coが78原子%、Ptが11原子%、C
rが11原子%である。
【0054】中間非磁性層43は、膜厚50オングスト
ロームのCrMo合金膜である。このCrMo合金膜の
組成は、Crが95原子%、Moが5原子%である。
ロームのCrMo合金膜である。このCrMo合金膜の
組成は、Crが95原子%、Moが5原子%である。
【0055】上記磁性層40の各膜は、インラインスパ
タッタ装置内で、それぞれを構成する合金をターゲット
とし、Arガスを用いるスパッタリングによって順次形
成する。
タッタ装置内で、それぞれを構成する合金をターゲット
とし、Arガスを用いるスパッタリングによって順次形
成する。
【0056】このように、磁性層を複数の層で構成した
実施例2の方法で製造した磁気記録媒体の特性を実施例
1の場合と同じ測定方法によって測定したところ、保磁
力が1900エールステッド、最高記録密度がD50で1
00Kfci、CSS特性が100000回後の静止摩
擦係数が0.4以下、グライドテストは実施例1と同
じ、ノイズ特性が0.8μVrmsであり、実施例1に
比較して特にノイズ特性に優れているものであった。
実施例2の方法で製造した磁気記録媒体の特性を実施例
1の場合と同じ測定方法によって測定したところ、保磁
力が1900エールステッド、最高記録密度がD50で1
00Kfci、CSS特性が100000回後の静止摩
擦係数が0.4以下、グライドテストは実施例1と同
じ、ノイズ特性が0.8μVrmsであり、実施例1に
比較して特にノイズ特性に優れているものであった。
【0057】以上実施例により本発明を説明してきた
が、本発明は以下の変形例及び応用例を含むものであ
る。
が、本発明は以下の変形例及び応用例を含むものであ
る。
【0058】上述の実施例では、基板として、化学強化
ガラスを用いたが、他のソーダライムガラス、ボロシリ
ケート、アルミノシリケート、アルミノボロシリケー
ト、石英ガラス等の他のガラス、あるいはセラミックス
を使用することができる。これらは、その表面を表面粗
さがRmaxで100オングストローム以下に容易に研
磨して仕上げることができるものである。また、基板の
外径をより小径にしまた厚さを薄くしてもよい。さらに
は、ガラス基板の外にアルミ基板やセラミックス基板で
もよい。
ガラスを用いたが、他のソーダライムガラス、ボロシリ
ケート、アルミノシリケート、アルミノボロシリケー
ト、石英ガラス等の他のガラス、あるいはセラミックス
を使用することができる。これらは、その表面を表面粗
さがRmaxで100オングストローム以下に容易に研
磨して仕上げることができるものである。また、基板の
外径をより小径にしまた厚さを薄くしてもよい。さらに
は、ガラス基板の外にアルミ基板やセラミックス基板で
もよい。
【0059】実施例では、第1下地層がAlである場合
を掲げたが、これは、Si、Pb、Cu、Ga又はIn
のいずれか1又は2以上を主たる成分とするものでもよ
い。また、実施例では、第2下地層がCrである場合を
掲げたが、これは、TiW、Mo、Ti、Ta、W、Z
r、Cu、A、Zn、In、Sn等の非磁性材料を用い
ることができる。
を掲げたが、これは、Si、Pb、Cu、Ga又はIn
のいずれか1又は2以上を主たる成分とするものでもよ
い。また、実施例では、第2下地層がCrである場合を
掲げたが、これは、TiW、Mo、Ti、Ta、W、Z
r、Cu、A、Zn、In、Sn等の非磁性材料を用い
ることができる。
【0060】なお、下地層は1層であってもよく、ま
た、3層以上であってもよい。
た、3層以上であってもよい。
【0061】磁性層としては、実施例で掲げた例のほか
にCoNiPt、CoNiCr、CoNiZr、CoC
rPt、CoPt、CoP、CoCrPtB等の他のC
o系合金やFe2 O3 等の磁性材料により磁性層を構成
してもよい。
にCoNiPt、CoNiCr、CoNiZr、CoC
rPt、CoPt、CoP、CoCrPtB等の他のC
o系合金やFe2 O3 等の磁性材料により磁性層を構成
してもよい。
【0062】また、磁性層と保護層との間に形成される
中間層として実施例ではCrを用いたが、他の材料を用
いてもよく、その例として、Mo、Ti、TiW、Cr
Mo、Ta、W、Si、Ge等の非磁性材料、あるいは
これらの窒化物、炭化物等からなる非磁性薄膜からなる
ものでもよい。さらに、これらの非磁性薄膜を2層以上
の複数層形成したものでもよい。
中間層として実施例ではCrを用いたが、他の材料を用
いてもよく、その例として、Mo、Ti、TiW、Cr
Mo、Ta、W、Si、Ge等の非磁性材料、あるいは
これらの窒化物、炭化物等からなる非磁性薄膜からなる
ものでもよい。さらに、これらの非磁性薄膜を2層以上
の複数層形成したものでもよい。
【0063】なお、下地層、磁性層、中間層の形成は、
インランリンスパッタ装置を用いずに通常のスパッタ装
置でも形成できることは勿論である。
インランリンスパッタ装置を用いずに通常のスパッタ装
置でも形成できることは勿論である。
【0064】また、実施例では、保護層を硬質微粒子が
分散されたもので構成した例を掲げたが、必ずしも硬質
微粒子が分散されたものでなくてもよく、例えば、カー
ボン膜で構成してもよい。
分散されたもので構成した例を掲げたが、必ずしも硬質
微粒子が分散されたものでなくてもよく、例えば、カー
ボン膜で構成してもよい。
【0065】また、保護層を形成するための原料とし
て、実施例では、有機シリコン化合物であるテトラエト
キシシランを用いたが、その部分又は完全加水分解物を
用いてもよく、またいわゆるゾルゲル法によりシリコン
酸化物を形成するものであれば他のシリコンアルコキシ
ドやその部分又は完全加水分解物を用いてもよい。この
様な例としては、テトラメトキシシラン、テトラ−n−
プロポキシシラン、テトラ−1−プロポキシシラン、テ
トラ−n−プトポキシシラン、テトラ−sec−プトキ
シシラン、テトラ−tert−プトキシシラン等のテト
ラアルコキシシランや、これらのテトラアルコキシシラ
ンのアルコキシ基の1〜3個をアルキル基に置換したモ
ノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジアルコ
キシシラン及びトリアルキルモノアルコキシシラン等の
ケイ素素アルコキシド及びこれらの部分又は完全加水分
解物が挙げられる。
て、実施例では、有機シリコン化合物であるテトラエト
キシシランを用いたが、その部分又は完全加水分解物を
用いてもよく、またいわゆるゾルゲル法によりシリコン
酸化物を形成するものであれば他のシリコンアルコキシ
ドやその部分又は完全加水分解物を用いてもよい。この
様な例としては、テトラメトキシシラン、テトラ−n−
プロポキシシラン、テトラ−1−プロポキシシラン、テ
トラ−n−プトポキシシラン、テトラ−sec−プトキ
シシラン、テトラ−tert−プトキシシラン等のテト
ラアルコキシシランや、これらのテトラアルコキシシラ
ンのアルコキシ基の1〜3個をアルキル基に置換したモ
ノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジアルコ
キシシラン及びトリアルキルモノアルコキシシラン等の
ケイ素素アルコキシド及びこれらの部分又は完全加水分
解物が挙げられる。
【0066】また、保護層中に分散される硬質微粒子と
しては、シリカ微粒子を掲げたが、これは、セラミック
ス、合金等の他の硬質微粒子でもよい。
しては、シリカ微粒子を掲げたが、これは、セラミック
ス、合金等の他の硬質微粒子でもよい。
【0067】また、保護層中の硬質微粒子の存在しない
領域の厚さを、実施例では100オングストロームとし
たが、この厚さは20〜200オングストロームの範囲
にするのが好ましい。その理由は20オングストローム
未満であると、無機酸化物膜が薄くなり過ぎて硬質微粒
子を保持する力が小さくなって、CSS耐久性が悪くな
ると共に保護膜としての役割を果たしてきれずに磁性層
の劣化を生じ、また200オングストロームを越えると
スペーシングロスの問題が発生するからである。また、
平均粒径が50〜350オングストロームの硬質微粒子
を用いて磁気記録媒体の表面粗さ(Rmax)を50〜
300オングストロームにするためにも、この範囲にす
るのが好ましい。また、硬質微粒子の平均粒径をこの範
囲内で2種以上の異なる平均粒径のものを混在させても
よい。特に、コンタクトレコーディング用の磁気記録媒
体では、平均粒径が50〜200オングストロームの範
囲にあることが望ましい。
領域の厚さを、実施例では100オングストロームとし
たが、この厚さは20〜200オングストロームの範囲
にするのが好ましい。その理由は20オングストローム
未満であると、無機酸化物膜が薄くなり過ぎて硬質微粒
子を保持する力が小さくなって、CSS耐久性が悪くな
ると共に保護膜としての役割を果たしてきれずに磁性層
の劣化を生じ、また200オングストロームを越えると
スペーシングロスの問題が発生するからである。また、
平均粒径が50〜350オングストロームの硬質微粒子
を用いて磁気記録媒体の表面粗さ(Rmax)を50〜
300オングストロームにするためにも、この範囲にす
るのが好ましい。また、硬質微粒子の平均粒径をこの範
囲内で2種以上の異なる平均粒径のものを混在させても
よい。特に、コンタクトレコーディング用の磁気記録媒
体では、平均粒径が50〜200オングストロームの範
囲にあることが望ましい。
【0068】磁気記録媒体の表面粗さ(Rmax)は、
50〜300オングストロームが好ましい。その理由
は、50オングストローム未満であると磁気ヘッドの吸
着を防止できず、一方、300オングストロームを越え
ると、ヘッド浮上量が400〜500オングストローム
の場合に媒体上での磁気ヘッドの動作性が不安定とな
り、ヘッドクラッシュが起きやすくなること、さらに、
磁気的な記録再生特性も悪化してくる。特に、コンタク
トレコーディングでは、磁性層とヘッドとの距離が時間
的に変化する、すなわち振動すると、磁気特性に深刻な
影響が出てくるので、300オングストロームを越えな
いことが、大切である。
50〜300オングストロームが好ましい。その理由
は、50オングストローム未満であると磁気ヘッドの吸
着を防止できず、一方、300オングストロームを越え
ると、ヘッド浮上量が400〜500オングストローム
の場合に媒体上での磁気ヘッドの動作性が不安定とな
り、ヘッドクラッシュが起きやすくなること、さらに、
磁気的な記録再生特性も悪化してくる。特に、コンタク
トレコーディングでは、磁性層とヘッドとの距離が時間
的に変化する、すなわち振動すると、磁気特性に深刻な
影響が出てくるので、300オングストロームを越えな
いことが、大切である。
【0069】さらに、実施例では潤滑層の材料としてパ
ーフルオロポリエーテルを用いたが、フルオロカーボン
系の液体潤滑剤やスルホン酸のアルカリ金属塩からなる
潤滑剤を用いることもできる。その膜厚は10〜30オ
ングストロームであることが好ましく、その理由は10
オングストローム未満であると耐摩耗性の向上を計るこ
とが充分でなく、また30オングストロームを越えると
耐摩耗性の向上がみられず、しかもスペーシングロスの
問題が生ずるからである。
ーフルオロポリエーテルを用いたが、フルオロカーボン
系の液体潤滑剤やスルホン酸のアルカリ金属塩からなる
潤滑剤を用いることもできる。その膜厚は10〜30オ
ングストロームであることが好ましく、その理由は10
オングストローム未満であると耐摩耗性の向上を計るこ
とが充分でなく、また30オングストロームを越えると
耐摩耗性の向上がみられず、しかもスペーシングロスの
問題が生ずるからである。
【0070】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかる磁
気記録媒体の製造方法によれば、保護層を形成する前
に、該保護層が形成される中間層の表面を酸化させて不
動態化する不動態化工程と、上記不動態化された中間層
の表面を洗浄液によって洗浄する洗浄工程とを設けるこ
とによって、各膜の物理的強度、平滑性、各膜どうしの
付着力等の著しい向上を図ることが可能になり、これに
より、グライド特性の向上及び欠陥の減少を図ることが
でき、磁性膜の高保磁力化、ヘッドスライダーの低浮上
走行化及び高CSS耐久性等をより高いレベルで実現可
能となって、磁気記録媒体のさらなる高密度記録化が可
能になった。
気記録媒体の製造方法によれば、保護層を形成する前
に、該保護層が形成される中間層の表面を酸化させて不
動態化する不動態化工程と、上記不動態化された中間層
の表面を洗浄液によって洗浄する洗浄工程とを設けるこ
とによって、各膜の物理的強度、平滑性、各膜どうしの
付着力等の著しい向上を図ることが可能になり、これに
より、グライド特性の向上及び欠陥の減少を図ることが
でき、磁性膜の高保磁力化、ヘッドスライダーの低浮上
走行化及び高CSS耐久性等をより高いレベルで実現可
能となって、磁気記録媒体のさらなる高密度記録化が可
能になった。
【図1】本発明の実施例1にかかる磁気記録媒体の製造
方法によって製造される磁気記録媒体の構成を示す模式
的断面図である。
方法によって製造される磁気記録媒体の構成を示す模式
的断面図である。
【図2】実施例1の製造方法で製造した磁気記録媒体と
実施例1の製造方法から洗浄工程のみを除いた製造方法
で製造した磁気記録媒体とについて各線記録密度におけ
るデフェクト数を測定した結果を表にして示した図であ
る。
実施例1の製造方法から洗浄工程のみを除いた製造方法
で製造した磁気記録媒体とについて各線記録密度におけ
るデフェクト数を測定した結果を表にして示した図であ
る。
【図3】図2の表をグラフにして示した図である。
【図4】実施例1の製造方法で製造した磁気記録媒体と
実施例1の製造方法から洗浄工程のみを除いた製造方法
で製造した磁気記録媒体とについて各ヘッド浮上量にお
けるグライドヒット数を測定した結果を表にして示した
図である。
実施例1の製造方法から洗浄工程のみを除いた製造方法
で製造した磁気記録媒体とについて各ヘッド浮上量にお
けるグライドヒット数を測定した結果を表にして示した
図である。
【図5】図4の表をグラフにして示した図である。
【図6】本発明の実施例2にかかる磁気記録媒体の製造
方法によって製造される磁気記録媒体の構成を示す模式
的断面図である。
方法によって製造される磁気記録媒体の構成を示す模式
的断面図である。
1…ガラス基板、2…第1下地層、3…第2下地層、
4,40…磁性層、5…中間金属層、6…保護層、7…
潤滑層、41…非磁性層、42…第1磁性層、43…中
間非磁性層、44…第2磁性層。.
4,40…磁性層、5…中間金属層、6…保護層、7…
潤滑層、41…非磁性層、42…第1磁性層、43…中
間非磁性層、44…第2磁性層。.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀川 順一 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内
Claims (11)
- 【請求項1】 基板上に、少なくとも下地層、磁性層、
中間層及び保護層を順次形成する工程を有する磁気記録
媒体の製造方法において、 前記保護層を形成する前に、該保護層が形成される中間
層の表面を酸化させて不動態化する不動態化工程と、 前記不動態化された中間層の表面を洗浄液によって洗浄
する洗浄工程とを有することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項2】 前記保護層の形成工程は、該保護層を形
成する面上に液状原料を付着して加熱処理するものであ
るであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項3】 前記洗浄工程は、該洗浄工程終了時に洗
浄対象の層の表面に洗浄液による濡れ性を持たせるもの
であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項4】 前記洗浄液の主たる成分と前記保護層の
液状原料に含まれる主たる成分が同じものであることを
特徴とする請求項2又は3に記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項5】 前記洗浄液の主たる成分がイソプロピル
アルコールであることを特徴とする請求項1ないし4の
いずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項6】 前記洗浄工程は、洗浄液を収納した1又
は2以上の主洗浄槽中での基板の揺動と洗浄剤に超音波
振動を与えることによる主洗浄工程と、仕上げ洗浄槽中
で基板を揺動させることによる仕上げ洗浄工程とを有す
るものであることを特徴とする請求項1ないし5のいず
れかに記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項7】 前記保護層の液状原料は、硬質微粒子が
分散されたものであることを特徴とする請求項2ないし
6のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項8】 前記基板がガラス基板であることを特徴
とする請求項1ないし7のいずれかに記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項9】 前記下地層が、前記基板に接する側に形
成されたSi、Pb、Cu、Al、Ga又はInのいず
れか1又は2以上を主たる成分とする第1下地層と、こ
の第1下地層の上に形成されたCrからなる第2下地層
からなるものであることを特徴とする請求項1ないし8
のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項10】 前記第1下地層の厚さが10〜100
オングストロームであることを特徴とする請求項9に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項11】 前記磁性層の材料が、CoーX系(た
だし、Xは、Ni、Cr、Ta、Pt、Zr、Si又は
Bのいずれか1又は2以上とする)であり、前記中間層
を構成する材料が、CrもしくはCrーY系(ただし、
Yは、Mo、Zr、B、W、Ta又はSiのいずれか1
又は2以上とする)であることを特徴とする請求項1な
いし10のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7549595A JPH08273155A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7549595A JPH08273155A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273155A true JPH08273155A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13577919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7549595A Pending JPH08273155A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08273155A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7542235B2 (en) | 2005-04-07 | 2009-06-02 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| JP2010027197A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Seagate Technology Llc | 酸化されたコンフォーマルキャップ層 |
| US8883328B2 (en) | 2008-03-04 | 2014-11-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7549595A patent/JPH08273155A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7542235B2 (en) | 2005-04-07 | 2009-06-02 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US8883328B2 (en) | 2008-03-04 | 2014-11-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| JP2010027197A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Seagate Technology Llc | 酸化されたコンフォーマルキャップ層 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2973409B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US6187441B1 (en) | Glass substrate for information recording medium and magnetic recording medium having the substrate | |
| US5389398A (en) | Method of manufacturing magnetic recording medium for contact recording | |
| US5972460A (en) | Information recording medium | |
| US6548139B2 (en) | Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same | |
| JP2816472B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3359304B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体及びそれらの製造方法 | |
| JP2937294B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3554476B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH08273155A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3512703B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3616610B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体及びそれらの製造方法 | |
| JPH10241134A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2998952B2 (ja) | 記録媒体用ガラス基板及び記録媒体の製造方法 | |
| JP3577486B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3657344B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2581562B2 (ja) | 磁気記憶媒体の製造方法 | |
| JPH08203072A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08273154A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2967698B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3600767B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH10194785A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法 | |
| JPH10283626A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH10162336A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08273139A (ja) | 磁気記録媒体 |