JPH08274491A - 電波吸収体 - Google Patents
電波吸収体Info
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- JPH08274491A JPH08274491A JP9423095A JP9423095A JPH08274491A JP H08274491 A JPH08274491 A JP H08274491A JP 9423095 A JP9423095 A JP 9423095A JP 9423095 A JP9423095 A JP 9423095A JP H08274491 A JPH08274491 A JP H08274491A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波からミリ波まで広い周波数範囲で
高性能な吸収特性を有する電波吸収体を提供する。 【構成】 誘電損失材料からなる四角錐形状の突出部を
複数配列して構成された基盤吸収体（１１、４１）と、
基盤吸収体（１１、４１）の各突出部間に設けられてお
り、電波到来方向の形状がくさび形状又は四角錐形状で
あり誘電損失材料からなる吸収体素子（１２、４２）と
を備えており、吸収体素子（１２、４２）の構成材料の
複素比誘電率の実数部をεr2′、虚数部をεr2″とした
とき、２ＧＨｚにおいて、εr2′≦１．８、εr2″≦
０．４と設定し、１００ＧＨｚにおいて、εr2′≦１．
３、０．０３≦εr2″≦０．２と設定している。
高性能な吸収特性を有する電波吸収体を提供する。 【構成】 誘電損失材料からなる四角錐形状の突出部を
複数配列して構成された基盤吸収体（１１、４１）と、
基盤吸収体（１１、４１）の各突出部間に設けられてお
り、電波到来方向の形状がくさび形状又は四角錐形状で
あり誘電損失材料からなる吸収体素子（１２、４２）と
を備えており、吸収体素子（１２、４２）の構成材料の
複素比誘電率の実数部をεr2′、虚数部をεr2″とした
とき、２ＧＨｚにおいて、εr2′≦１．８、εr2″≦
０．４と設定し、１００ＧＨｚにおいて、εr2′≦１．
３、０．０３≦εr2″≦０．２と設定している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電波吸収体、特に電波
暗室用の電波吸収体に関する。
暗室用の電波吸収体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年無線ＬＡＮ等のデータ通信分野をは
じめとして各種通信分野においてミリ波帯の利用が活発
化してきており、それに伴い、従来から利用されている
マイクロ波帯に加えてミリ波帯においても使用可能な電
波暗室が求められている。
じめとして各種通信分野においてミリ波帯の利用が活発
化してきており、それに伴い、従来から利用されている
マイクロ波帯に加えてミリ波帯においても使用可能な電
波暗室が求められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】各種通信分野において
評価設備として使用される電波暗室は、高精度の計測を
行うことを目的としているため、高性能な無反射特性が
要求されている。従って、この電波暗室に使用される電
波吸収体についても高性能な吸収特性が要求される。こ
の要求される吸収特性とは、電波暗室の使用目的によっ
ても異なるが、一般には、マイクロ波帯では反射減衰量
４０ｄＢ以上、ミリ波帯では反射減衰量５０ｄＢ以上で
ある。
評価設備として使用される電波暗室は、高精度の計測を
行うことを目的としているため、高性能な無反射特性が
要求されている。従って、この電波暗室に使用される電
波吸収体についても高性能な吸収特性が要求される。こ
の要求される吸収特性とは、電波暗室の使用目的によっ
ても異なるが、一般には、マイクロ波帯では反射減衰量
４０ｄＢ以上、ミリ波帯では反射減衰量５０ｄＢ以上で
ある。
【０００４】現状の電波暗室用の電波吸収体は、マイク
ロ波帯以下の周波数を対象としており、ミリ波帯まで含
めた設計は行われていない。従って従来の電波吸収体を
使った場合、材質及び形状に起因する表面反射によって
ミリ波帯では吸収特性の低下が生じてしまい、マイクロ
波帯で５０ｄＢ以上の電波吸収特性を有するものが、ミ
リ波帯では４３ｄＢ程度に低下してしまうことが報告さ
れている。その結果、ミリ波帯で高性能な電波暗室を得
ることは非常に困難であった。
ロ波帯以下の周波数を対象としており、ミリ波帯まで含
めた設計は行われていない。従って従来の電波吸収体を
使った場合、材質及び形状に起因する表面反射によって
ミリ波帯では吸収特性の低下が生じてしまい、マイクロ
波帯で５０ｄＢ以上の電波吸収特性を有するものが、ミ
リ波帯では４３ｄＢ程度に低下してしまうことが報告さ
れている。その結果、ミリ波帯で高性能な電波暗室を得
ることは非常に困難であった。
【０００５】本発明は、マイクロ波帯で４０ｄＢ以上、
ミリ波帯で５０ｄＢ以上の反射減衰量を有する広帯域高
性能な電波吸収体を提供することを目的とする。
ミリ波帯で５０ｄＢ以上の反射減衰量を有する広帯域高
性能な電波吸収体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、誘電損失材料からなる四角錐形状の突出部を複数配
列して構成された第１の電波導入部と、この第１の電波
導入部の各突出部間に設けられており、電波到来方向の
形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電損失材料か
らなる第２の電波導入部とを備えており、
ば、誘電損失材料からなる四角錐形状の突出部を複数配
列して構成された第１の電波導入部と、この第１の電波
導入部の各突出部間に設けられており、電波到来方向の
形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電損失材料か
らなる第２の電波導入部とを備えており、
【数３】 を
【数４】 としたとき、２ＧＨｚにおいて εr2′≦１．８ εr2″≦０．４ であり、１００ＧＨｚにおいて εr2′≦１．３ ０．０３≦εr2″≦０．２ である電波吸収体が提供される。
【０００７】マイクロ波帯において高性能な吸収特性を
有する四角錐形状の複数の突出部からなる第１の電波導
入部（以下基盤吸収体と称する）の谷間部分にくさび形
状又はピラミッド形状の低誘電率、低損失材料からなる
第２の電波導入部（以下吸収体素子と称する）を挿入し
て吸収体を構成することにより、マイクロ波からミリ波
まで広い周波数範囲で高性能な吸収特性が得られる。
有する四角錐形状の複数の突出部からなる第１の電波導
入部（以下基盤吸収体と称する）の谷間部分にくさび形
状又はピラミッド形状の低誘電率、低損失材料からなる
第２の電波導入部（以下吸収体素子と称する）を挿入し
て吸収体を構成することにより、マイクロ波からミリ波
まで広い周波数範囲で高性能な吸収特性が得られる。
【０００８】ミリ波帯においては、波長がマイクロ波帯
と比較して短くなるためより電波の直進性が高まり、基
盤吸収体のみの場合は、谷間部分で電波が多重反射を繰
り返してその一部が吸収体前面に反射するが、吸収体素
子を基盤吸収体の谷間部分に挿入することにより、基盤
吸収体の谷間部分の多重反射成分が吸収体素子で吸収さ
れ、その結果、吸収体前面への反射が抑制される。ただ
し、このように吸収体素子を基盤吸収体の谷間部分に挿
入する技術は、実開平２−６７６９９号公報等により公
知である。
と比較して短くなるためより電波の直進性が高まり、基
盤吸収体のみの場合は、谷間部分で電波が多重反射を繰
り返してその一部が吸収体前面に反射するが、吸収体素
子を基盤吸収体の谷間部分に挿入することにより、基盤
吸収体の谷間部分の多重反射成分が吸収体素子で吸収さ
れ、その結果、吸収体前面への反射が抑制される。ただ
し、このように吸収体素子を基盤吸収体の谷間部分に挿
入する技術は、実開平２−６７６９９号公報等により公
知である。
【０００９】本発明では、吸収体素子を構成する誘電損
失材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数部εr2′
を１．８以下としており、虚数部εr2″を０．４以下と
しているため、吸収体素子のマイクロ波帯での影響を少
ないものとしている。このように基盤吸収体の谷間部分
に挿入された吸収体素子の誘電率が小さいため、マイク
ロ波帯においては、電波的にはほとんど影響を与えな
い。従ってマイクロ波帯での吸収特性は、基盤吸収体の
特性がそのまま反映されるので高性能な特性が実現され
る。
失材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数部εr2′
を１．８以下としており、虚数部εr2″を０．４以下と
しているため、吸収体素子のマイクロ波帯での影響を少
ないものとしている。このように基盤吸収体の谷間部分
に挿入された吸収体素子の誘電率が小さいため、マイク
ロ波帯においては、電波的にはほとんど影響を与えな
い。従ってマイクロ波帯での吸収特性は、基盤吸収体の
特性がそのまま反映されるので高性能な特性が実現され
る。
【００１０】また、吸収体素子を構成する誘電損失材料
の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数部εr2′を
１．３以下としており、虚数部εr2″を０．０３以上で
かつ０．２以下としているため、ミリ波帯での電波が十
分に減衰されかつ反射が抑えられ、ミリ波帯で５０ｄＢ
以上の反射減衰量という高性能な特性が実現される。
の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数部εr2′を
１．３以下としており、虚数部εr2″を０．０３以上で
かつ０．２以下としているため、ミリ波帯での電波が十
分に減衰されかつ反射が抑えられ、ミリ波帯で５０ｄＢ
以上の反射減衰量という高性能な特性が実現される。
【００１１】また、基盤吸収体が四角錐形状であるた
め、電波の偏波による吸収特性の方向性がない。
め、電波の偏波による吸収特性の方向性がない。
【００１２】さらに、四角錐形状の長さ方向に垂直な断
面積の長さ方向に対する変化率を一般の四角錐の変化率
である２乗よりも高次の変化率、例えば２．５乗又は３
乗とすることが好ましい。これによって、ミリ波帯での
吸収特性を向上させることができる。
面積の長さ方向に対する変化率を一般の四角錐の変化率
である２乗よりも高次の変化率、例えば２．５乗又は３
乗とすることが好ましい。これによって、ミリ波帯での
吸収特性を向上させることができる。
【００１３】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の電波吸収体の一実施例の構成を概略
的に示す斜視図である。
る。図１は本発明の電波吸収体の一実施例の構成を概略
的に示す斜視図である。
【００１４】同図において、１０は平板形状の基台であ
り、この基台１０上に四角錐形状の複数の突出部からな
る基盤吸収体（本発明の第１の電波導入部に相当する）
１１が基台１０と一体となるように固着（本実施例では
接着）されている。基盤吸収体１１の各突出部間には電
波到来方向の形状が四角錐形状（ピラミッド形状）であ
る吸収体素子（本発明の第２の電波導入部に相当する）
１２がそれぞれ一体的に設けられている。
り、この基台１０上に四角錐形状の複数の突出部からな
る基盤吸収体（本発明の第１の電波導入部に相当する）
１１が基台１０と一体となるように固着（本実施例では
接着）されている。基盤吸収体１１の各突出部間には電
波到来方向の形状が四角錐形状（ピラミッド形状）であ
る吸収体素子（本発明の第２の電波導入部に相当する）
１２がそれぞれ一体的に設けられている。
【００１５】基台１０、基盤吸収体１１、及び吸収体素
子１２は、本実施例においては共に同種の誘電損失材料
で形成されている。しかしながら、これらを互いに異な
る誘電率の誘電損失材料で形成してもよい。
子１２は、本実施例においては共に同種の誘電損失材料
で形成されている。しかしながら、これらを互いに異な
る誘電率の誘電損失材料で形成してもよい。
【００１６】本実施例では、誘電損失材料として、カー
ボン粉末を混入した発泡ポリエチレンが用いられてい
る。誘電損失材料としてはその他に、カーボン粉末を混
入した発泡ポリウレタン、カーボン液中に含浸した発泡
ポリウレタン、又は粒子の表面にカーボンをコーティン
グした発泡ポリスチロール等が適用可能である。
ボン粉末を混入した発泡ポリエチレンが用いられてい
る。誘電損失材料としてはその他に、カーボン粉末を混
入した発泡ポリウレタン、カーボン液中に含浸した発泡
ポリウレタン、又は粒子の表面にカーボンをコーティン
グした発泡ポリスチロール等が適用可能である。
【００１７】また、本実施例では、高さが５０ｍｍの基
台１０を用い、基盤吸収体１１の突出部としては高さ２
５０ｍｍの四角錐形状吸収体を用いており、吸収体素子
１２としては高さ１５０ｍｍの四角錐形状のものを用い
ている。
台１０を用い、基盤吸収体１１の突出部としては高さ２
５０ｍｍの四角錐形状吸収体を用いており、吸収体素子
１２としては高さ１５０ｍｍの四角錐形状のものを用い
ている。
【００１８】本実施例では、基盤吸収体１１を構成する
材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率は、実数部εr1′
が２．１６、虚数部εr1″が１．７６である。また、吸
収体素子１２を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比
誘電率は、実数部εr2′が１．３５、虚数部εr2″が
０．０８であり、１００ＧＨｚにおける複素比誘電率は
実数部εr2′が１．１１、虚数部εr2″が０．０５であ
る。
材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率は、実数部εr1′
が２．１６、虚数部εr1″が１．７６である。また、吸
収体素子１２を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比
誘電率は、実数部εr2′が１．３５、虚数部εr2″が
０．０８であり、１００ＧＨｚにおける複素比誘電率は
実数部εr2′が１．１１、虚数部εr2″が０．０５であ
る。
【００１９】本実施例の電波吸収体の２ＧＨｚ及び１０
０ＧＨｚにおける垂直入射での吸収性能として、２ＧＨ
ｚで４４ｄＢ以上、１００ＧＨｚで５４ｄＢ以上の吸収
性能が得られている。
０ＧＨｚにおける垂直入射での吸収性能として、２ＧＨ
ｚで４４ｄＢ以上、１００ＧＨｚで５４ｄＢ以上の吸収
性能が得られている。
【００２０】図２は、基盤吸収体１１の突出部の変更態
様を表す斜視図である。基盤吸収体１１の突出部は、ピ
ラミッド形状であるが、そのテーパー形状（高さに対す
る断面積変化で表す）を従来の場合と同様に２乗のテー
パー変化率としてもよいが、２乗よりも高次の変化率、
例えば２．５乗又は３乗とすることによってより優れた
吸収特性を得ることができる。図２の例では、テーパー
変化率が３乗となっている。
様を表す斜視図である。基盤吸収体１１の突出部は、ピ
ラミッド形状であるが、そのテーパー形状（高さに対す
る断面積変化で表す）を従来の場合と同様に２乗のテー
パー変化率としてもよいが、２乗よりも高次の変化率、
例えば２．５乗又は３乗とすることによってより優れた
吸収特性を得ることができる。図２の例では、テーパー
変化率が３乗となっている。
【００２１】一般に、ピラミッドの１山の単位寸法（以
下セルサイズと称する）の波長に対する割合（セルサイ
ズ／波長）が大きくなるに従って電波吸収体高さ方向に
対する等価比誘電率が変化し反射減衰量が低下する可能
性がある。このため、２乗よりも高次のテーパー変化率
とすることによって、このような高い周波数で生じるピ
ラミッド高さに対する等価比誘電率の変化が改善され
る。図３は、１００ＧＨｚにおける基盤吸収体の突出部
のテーパー形状の変化率に対する反射減衰量を表す特性
図である。同図から、２．５乗の場合に反射減衰量が約
３ｄＢ向上していることがわかる。
下セルサイズと称する）の波長に対する割合（セルサイ
ズ／波長）が大きくなるに従って電波吸収体高さ方向に
対する等価比誘電率が変化し反射減衰量が低下する可能
性がある。このため、２乗よりも高次のテーパー変化率
とすることによって、このような高い周波数で生じるピ
ラミッド高さに対する等価比誘電率の変化が改善され
る。図３は、１００ＧＨｚにおける基盤吸収体の突出部
のテーパー形状の変化率に対する反射減衰量を表す特性
図である。同図から、２．５乗の場合に反射減衰量が約
３ｄＢ向上していることがわかる。
【００２２】図４は本発明の電波吸収体の他の実施例の
構成を概略的に示す斜視図である。
構成を概略的に示す斜視図である。
【００２３】同図において、４０は平板形状の基台であ
り、この基台４０上に四角錐形状の複数の突出部からな
る基盤吸収体（本発明の第１の電波導入部に相当する）
４１が基台４０と一体となるように固着（本実施例では
接着）されている。基盤吸収体４１の各突出部間には電
波到来方向の形状がくさび形状である吸収体素子（本発
明の第２の電波導入部に相当する）４２がそれぞれ一体
的に設けられている。
り、この基台４０上に四角錐形状の複数の突出部からな
る基盤吸収体（本発明の第１の電波導入部に相当する）
４１が基台４０と一体となるように固着（本実施例では
接着）されている。基盤吸収体４１の各突出部間には電
波到来方向の形状がくさび形状である吸収体素子（本発
明の第２の電波導入部に相当する）４２がそれぞれ一体
的に設けられている。
【００２４】基台４０、基盤吸収体４１、及び吸収体素
子４２は、本実施例においては共に同種の誘電損失材料
で形成されている。しかしながら、これらを互いに異な
る誘電率の誘電損失材料で形成してもよい。
子４２は、本実施例においては共に同種の誘電損失材料
で形成されている。しかしながら、これらを互いに異な
る誘電率の誘電損失材料で形成してもよい。
【００２５】本実施例では、誘電損失材料として、カー
ボン粉末を混入した発泡ポリエチレンが用いられてい
る。誘電損失材料としてはその他に、カーボン粉末を混
入した発泡ポリウレタン、カーボン液中に含浸した発泡
ポリウレタン、又は粒子の表面にカーボンをコーティン
グした発泡ポリスチロール等が適用可能である。
ボン粉末を混入した発泡ポリエチレンが用いられてい
る。誘電損失材料としてはその他に、カーボン粉末を混
入した発泡ポリウレタン、カーボン液中に含浸した発泡
ポリウレタン、又は粒子の表面にカーボンをコーティン
グした発泡ポリスチロール等が適用可能である。
【００２６】また、本実施例では、高さが５０ｍｍの基
台４０を用い、基盤吸収体４１の突出部としては高さ３
００ｍｍの四角錐形状吸収体を用いており、吸収体素子
４２としては高さ１５０ｍｍのくさび形状のものを用い
ている。基盤吸収体４１の突出部を図２に示すように、
２乗よりも高次のテーパー変化率、例えば２．５乗又は
３乗のテーパー形状としてもよい。
台４０を用い、基盤吸収体４１の突出部としては高さ３
００ｍｍの四角錐形状吸収体を用いており、吸収体素子
４２としては高さ１５０ｍｍのくさび形状のものを用い
ている。基盤吸収体４１の突出部を図２に示すように、
２乗よりも高次のテーパー変化率、例えば２．５乗又は
３乗のテーパー形状としてもよい。
【００２７】本実施例では、基盤吸収体４１を構成する
材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率は、実数部εr1′
が２．１６、虚数部εr1″が１．７６である。吸収体素
子４２を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率
は、実数部εr2′が１．３５、虚数部εr2″が０．０８
であり、１００ＧＨｚにおける複素比誘電率は実数部ε
r2′が１．１１、虚数部εr2″が０．０５である。
材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率は、実数部εr1′
が２．１６、虚数部εr1″が１．７６である。吸収体素
子４２を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率
は、実数部εr2′が１．３５、虚数部εr2″が０．０８
であり、１００ＧＨｚにおける複素比誘電率は実数部ε
r2′が１．１１、虚数部εr2″が０．０５である。
【００２８】本実施例の電波吸収体の２ＧＨｚ及び１０
０ＧＨｚにおける垂直入射での吸収性能として、２ＧＨ
ｚで４３ｄＢ以上、１００ＧＨｚで５４ｄＢ以上の吸収
性能が得られている。
０ＧＨｚにおける垂直入射での吸収性能として、２ＧＨ
ｚで４３ｄＢ以上、１００ＧＨｚで５４ｄＢ以上の吸収
性能が得られている。
【００２９】図５〜図８は、本発明の電波吸収体の反射
減衰量が、吸収体素子を構成する材料の２ＧＨｚにおけ
る複素比誘電率の実数部εr2′、虚数部εr2″、１００
ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数部εr2′、及び虚数
部εr2″の変化に対してどのように変化するかを表わし
ている。
減衰量が、吸収体素子を構成する材料の２ＧＨｚにおけ
る複素比誘電率の実数部εr2′、虚数部εr2″、１００
ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数部εr2′、及び虚数
部εr2″の変化に対してどのように変化するかを表わし
ている。
【００３０】これらの図からも明らかのように、吸収体
素子１２、４２を構成する誘電損失材料の２ＧＨｚにお
ける複素比誘電率の実数部εr2′を１．８以下、虚数部
εr2″を０．４以下とすることにより、マイクロ波帯で
の吸収体素子１２、４２の電波的影響を少なくしてい
る。その結果、マイクロ波帯での吸収特性は、基盤吸収
体１１、４１の特性がそのまま反映されるので２ＧＨｚ
で４０ｄＢ以上という高性能な吸収特性が実現される。
素子１２、４２を構成する誘電損失材料の２ＧＨｚにお
ける複素比誘電率の実数部εr2′を１．８以下、虚数部
εr2″を０．４以下とすることにより、マイクロ波帯で
の吸収体素子１２、４２の電波的影響を少なくしてい
る。その結果、マイクロ波帯での吸収特性は、基盤吸収
体１１、４１の特性がそのまま反映されるので２ＧＨｚ
で４０ｄＢ以上という高性能な吸収特性が実現される。
【００３１】一方、吸収体素子１２、４２を構成する誘
電損失材料の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数
部εr2′を１．３以下、虚数部εr2″を０．０３以上か
つ０．２以下とすることにより、ミリ波帯である１００
ＧＨｚで５０ｄＢ以上の吸収特性が得られる。
電損失材料の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数
部εr2′を１．３以下、虚数部εr2″を０．０３以上か
つ０．２以下とすることにより、ミリ波帯である１００
ＧＨｚで５０ｄＢ以上の吸収特性が得られる。
【００３２】以上述べた実施例は全て本発明を例示的に
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。
【００３３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、電波吸収体は、誘電損失材料からなる四角錐形状の
突出部を複数配列して構成された第１の電波導入部と、
第１の電波導入部の各突出部間に設けられており、電波
到来方向の形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電
損失材料からなる第２の電波導入部とを備えており、第
２の電波導入部の構成材料の複素比誘電率の実数部をε
r2′、虚数部をεr2″としたとき、２ＧＨｚにおいて、
εr2′≦１．８、εr2″≦０．４と設定し、１００ＧＨ
ｚにおいて、εr2′≦１．３、０．０３≦εr2″≦０．
２と設定しているため、マイクロ波からミリ波まで広い
周波数範囲で高性能な吸収特性を有している。従って、
本発明の電波吸収体を電波暗室に用いることによりマイ
クロ波帯からミリ波帯をカバーする高性能な電波暗室が
実現可能となる。
ば、電波吸収体は、誘電損失材料からなる四角錐形状の
突出部を複数配列して構成された第１の電波導入部と、
第１の電波導入部の各突出部間に設けられており、電波
到来方向の形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電
損失材料からなる第２の電波導入部とを備えており、第
２の電波導入部の構成材料の複素比誘電率の実数部をε
r2′、虚数部をεr2″としたとき、２ＧＨｚにおいて、
εr2′≦１．８、εr2″≦０．４と設定し、１００ＧＨ
ｚにおいて、εr2′≦１．３、０．０３≦εr2″≦０．
２と設定しているため、マイクロ波からミリ波まで広い
周波数範囲で高性能な吸収特性を有している。従って、
本発明の電波吸収体を電波暗室に用いることによりマイ
クロ波帯からミリ波帯をカバーする高性能な電波暗室が
実現可能となる。
【図１】本発明の電波吸収体の一実施例の構成を概略的
に示す斜視図である。
に示す斜視図である。
【図２】基盤吸収体の突出部の変更態様を表す斜視図で
ある。
ある。
【図３】基盤吸収体の突出部のテーパー形状の変化率に
対する反射減衰量を表す特性図である。
対する反射減衰量を表す特性図である。
【図４】本発明の電波吸収体の他の実施例の構成を概略
的に示す斜視図である。
的に示す斜視図である。
【図５】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数
部εr2′に対してどのように変化するかを示す特性図で
ある。
を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率の実数
部εr2′に対してどのように変化するかを示す特性図で
ある。
【図６】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率の虚数
部εr2″に対してどのように変化するかを示す特性図で
ある。
を構成する材料の２ＧＨｚにおける複素比誘電率の虚数
部εr2″に対してどのように変化するかを示す特性図で
ある。
【図７】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の
実数部εr2′に対してどのように変化するかを示す特性
図である。
を構成する材料の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の
実数部εr2′に対してどのように変化するかを示す特性
図である。
【図８】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の
虚数部εr2″に対してどのように変化するかを示す特性
図である。
を構成する材料の１００ＧＨｚにおける複素比誘電率の
虚数部εr2″に対してどのように変化するかを示す特性
図である。
１０、４０ 基台 １１、４１ 基盤吸収体 １２、４２ 吸収体素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 康雄 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 市原 謙一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 田中 隆 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電損失材料からなる四角錐形状の突出
部を複数配列して構成された第１の電波導入部と、該第
１の電波導入部の各突出部間に設けられており、電波到
来方向の形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電損
失材料からなる第２の電波導入部とを備えており、前記
第２の電波導入部の構成材料の複素比誘電率 【数１】 を 【数２】 としたとき、２ＧＨｚにおいて εr2′≦１．８ εr2″≦０．４ であり、１００ＧＨｚにおいて εr2′≦１．３ ０．０３≦εr2″≦０．２ であることを特徴とする電波吸収体。 - 【請求項２】 前記第１の電波導入部における突出部の
四角錐形状の長さ方向に垂直な断面積の長さ方向に対す
る変化率を、２乗よりも高次の変化率としたことを特徴
とする請求項１に記載の電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094230A JP3064861B2 (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094230A JP3064861B2 (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 電波吸収体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274491A true JPH08274491A (ja) | 1996-10-18 |
| JP3064861B2 JP3064861B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=14104515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7094230A Expired - Lifetime JP3064861B2 (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064861B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187972A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Tokin Corp | 電磁干渉抑制体 |
| WO2009128377A1 (ja) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | 株式会社リケン | 複合型電波吸収体 |
| CN114311654A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-04-12 | 成都飞机工业（集团）有限责任公司 | 基于3d打印工艺的超材料吸波结构及其制备方法与应用 |
-
1995
- 1995-03-29 JP JP7094230A patent/JP3064861B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187972A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Tokin Corp | 電磁干渉抑制体 |
| WO2009128377A1 (ja) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | 株式会社リケン | 複合型電波吸収体 |
| US8466825B2 (en) | 2008-04-15 | 2013-06-18 | Kabushiki Kaisha Riken | Combined electromagnetic wave absorber |
| JP5496879B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2014-05-21 | 株式会社リケン | 複合型電波吸収体 |
| CN114311654A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-04-12 | 成都飞机工业（集团）有限责任公司 | 基于3d打印工艺的超材料吸波结构及其制备方法与应用 |
| CN114311654B (zh) * | 2022-03-16 | 2022-07-15 | 成都飞机工业（集团）有限责任公司 | 基于3d打印工艺的超材料吸波结构及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3064861B2 (ja) | 2000-07-12 |
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