JPH08274581A - アナログフィルター - Google Patents
アナログフィルターInfo
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- JPH08274581A JPH08274581A JP7073340A JP7334095A JPH08274581A JP H08274581 A JPH08274581 A JP H08274581A JP 7073340 A JP7073340 A JP 7073340A JP 7334095 A JP7334095 A JP 7334095A JP H08274581 A JPH08274581 A JP H08274581A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上に抵抗及び容量にて構成された
アナログフィルターにおいて、抵抗の製造ばらつきが存
在しても、目標周波数特性を得る。 【構成】 抵抗の製造ばらつきに関係なく定出力電圧を
基準電圧Ｖｂとして発生する基準電圧発生回路２６と、
抵抗１７の製造ばらつきにより出力電圧（比較電圧）Ｖ
ｃが変化する電圧変換回路２５とを設け、前記基準電圧
Ｖｂと比較電圧Ｖｃとを比較回路１９で比較し、抵抗１
７（即ちアナログフィルターを構成する抵抗６、７）の
製造ばらつきを検出する。抵抗１７の抵抗値が基準値よ
りも大きいとき、比較回路１９の出力が“Ｌ”レベルと
なって、各トランジスター１１〜１４がＯＮする。その
結果、抵抗６、７に抵抗１１〜１４が並列接続されるの
で、アナログフィルターを構成する合計抵抗値が減少し
て、アナログフィルターの周波数特性が補正され、目標
周波数特性が得られる。
アナログフィルターにおいて、抵抗の製造ばらつきが存
在しても、目標周波数特性を得る。 【構成】 抵抗の製造ばらつきに関係なく定出力電圧を
基準電圧Ｖｂとして発生する基準電圧発生回路２６と、
抵抗１７の製造ばらつきにより出力電圧（比較電圧）Ｖ
ｃが変化する電圧変換回路２５とを設け、前記基準電圧
Ｖｂと比較電圧Ｖｃとを比較回路１９で比較し、抵抗１
７（即ちアナログフィルターを構成する抵抗６、７）の
製造ばらつきを検出する。抵抗１７の抵抗値が基準値よ
りも大きいとき、比較回路１９の出力が“Ｌ”レベルと
なって、各トランジスター１１〜１４がＯＮする。その
結果、抵抗６、７に抵抗１１〜１４が並列接続されるの
で、アナログフィルターを構成する合計抵抗値が減少し
て、アナログフィルターの周波数特性が補正され、目標
周波数特性が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に形成さ
れるアナログフィルターの改良に関するものである。
れるアナログフィルターの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路技術の進歩によ
り、従来は外付け回路であったアナログフィルターが、
外付け部品の削減，コスト低下等の目的で半導体基板上
に構成されるようになり、その集積技術の重要性が高ま
ってきた。
り、従来は外付け回路であったアナログフィルターが、
外付け部品の削減，コスト低下等の目的で半導体基板上
に構成されるようになり、その集積技術の重要性が高ま
ってきた。
【０００３】以下、半導体基板上に構成された従来のア
ナログフィルターを、アナログローパスフィルターを例
に採って説明する。
ナログフィルターを、アナログローパスフィルターを例
に採って説明する。
【０００４】図３は半導体基板上に形成された従来のア
ナログローパスフィルターの構成図である。同図のアナ
ログローパスフィルターにおいて、１及び２は各々ポリ
シリコンや拡散層にて作られた抵抗、３及び４は各々酸
化膜とポリシリコン等により作られた容量、５はオペア
ンプ、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子である。前記
２個の抵抗１、２は、入力端子ＩＮとオペアンプ５との
間に直列に接続され、容量３はオペアンプ５の入力とＧ
ＮＤ（グランド）間に接続され、他の容量４はオペアン
プ５の出力と前記２個の抵抗１，２間の接続線に接続さ
れる。
ナログローパスフィルターの構成図である。同図のアナ
ログローパスフィルターにおいて、１及び２は各々ポリ
シリコンや拡散層にて作られた抵抗、３及び４は各々酸
化膜とポリシリコン等により作られた容量、５はオペア
ンプ、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子である。前記
２個の抵抗１、２は、入力端子ＩＮとオペアンプ５との
間に直列に接続され、容量３はオペアンプ５の入力とＧ
ＮＤ（グランド）間に接続され、他の容量４はオペアン
プ５の出力と前記２個の抵抗１，２間の接続線に接続さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の構成では、抵抗１，２の値がその製造ばらつきに
より変動した場合には、その抵抗値と容量値との積ＣＲ
も変動し、その結果、図４の周波数特性において、破線
で示すように、その抵抗値と容量値との積ＣＲが目標値
よりも大きくなった場合には、同図で実線で示す目標周
波数特性よりも左側にずれて、帯域が狭くなる一方、目
標値よりも小さくなった場合には、目標周波数特性より
も右側にずれて、帯域が広くなるという問題点を有して
いた。
従来の構成では、抵抗１，２の値がその製造ばらつきに
より変動した場合には、その抵抗値と容量値との積ＣＲ
も変動し、その結果、図４の周波数特性において、破線
で示すように、その抵抗値と容量値との積ＣＲが目標値
よりも大きくなった場合には、同図で実線で示す目標周
波数特性よりも左側にずれて、帯域が狭くなる一方、目
標値よりも小さくなった場合には、目標周波数特性より
も右側にずれて、帯域が広くなるという問題点を有して
いた。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、その目的は、抵抗及び容量を備えたアナログフィル
ターにおいて、抵抗の抵抗値がその製造ばらつきにより
変動しても、周波数特性がほぼ目標周波数特性に固定し
たアナログフィルターを提供することにある。
り、その目的は、抵抗及び容量を備えたアナログフィル
ターにおいて、抵抗の抵抗値がその製造ばらつきにより
変動しても、周波数特性がほぼ目標周波数特性に固定し
たアナログフィルターを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、抵抗の製造ばらつきにより周波数特性
が変動する場合には、この周波数特性を補正する周波数
特性補正回路を設けることとする。
に、本発明では、抵抗の製造ばらつきにより周波数特性
が変動する場合には、この周波数特性を補正する周波数
特性補正回路を設けることとする。
【０００８】すなわち、請求項１記載のアナログフィル
ターは、半導体基板上に形成され、抵抗及び容量にて構
成されるアナログフィルターであって、前記抵抗の製造
ばらつきを検出するばらつき検出回路と、上記ばらつき
検出回路により検出された製造ばらつきに応じて周波数
特性を補正する周波数特性補正回路とを備えたことを特
徴とする。
ターは、半導体基板上に形成され、抵抗及び容量にて構
成されるアナログフィルターであって、前記抵抗の製造
ばらつきを検出するばらつき検出回路と、上記ばらつき
検出回路により検出された製造ばらつきに応じて周波数
特性を補正する周波数特性補正回路とを備えたことを特
徴とする。
【０００９】また、請求項２記載の発明は、上記請求項
１記載のアナログフィルターにおいて、ばらつき検出回
路は、抵抗の製造ばらつきを電圧に変換する電圧変換回
路と、製造ばらつきのない抵抗に対応する基準電圧を発
生する基準電圧発生回路と、上記電圧変換回路により変
換された電圧を上記基準電圧発生回路により発生された
基準電圧と比較する比較回路とから成ることを特徴とす
る。
１記載のアナログフィルターにおいて、ばらつき検出回
路は、抵抗の製造ばらつきを電圧に変換する電圧変換回
路と、製造ばらつきのない抵抗に対応する基準電圧を発
生する基準電圧発生回路と、上記電圧変換回路により変
換された電圧を上記基準電圧発生回路により発生された
基準電圧と比較する比較回路とから成ることを特徴とす
る。
【００１０】更に、請求項３記載の発明では、上記請求
項２記載のアナログフィルターにおいて、電圧変換手段
は、グランドに接続された定電流源と、上記定電流源と
電源との間に接続された抵抗とから成り、上記抵抗の製
造ばらつきを、上記抵抗と定電流源との間の電圧に変換
するものであり、基準電圧発生回路は、電源とグランド
との間に直列接続された２個の抵抗から成り、前記２個
の抵抗により抵抗分割された電圧を基準電圧として発生
するものであり、比較回路は、上記電圧変換手段の抵抗
と定電流源との間の電圧を比較電圧とし、この比較電圧
を上記基準電圧発生回路の基準電圧と比較するコンパレ
ータより成ることを特徴とする。
項２記載のアナログフィルターにおいて、電圧変換手段
は、グランドに接続された定電流源と、上記定電流源と
電源との間に接続された抵抗とから成り、上記抵抗の製
造ばらつきを、上記抵抗と定電流源との間の電圧に変換
するものであり、基準電圧発生回路は、電源とグランド
との間に直列接続された２個の抵抗から成り、前記２個
の抵抗により抵抗分割された電圧を基準電圧として発生
するものであり、比較回路は、上記電圧変換手段の抵抗
と定電流源との間の電圧を比較電圧とし、この比較電圧
を上記基準電圧発生回路の基準電圧と比較するコンパレ
ータより成ることを特徴とする。
【００１１】更に加えて、請求項４記載の発明は、上記
請求項１、請求項２又は請求項３記載のアナログフィル
ターにおいて、周波数特性補正回路は、抵抗の抵抗値を
調整する抵抗値調整回路から成り、上記抵抗値調整回路
は、ばらつき検出回路により検出された製造ばらつきに
応じて上記抵抗の抵抗値を調整して、周波数特性を補正
するものであることを特徴とする。
請求項１、請求項２又は請求項３記載のアナログフィル
ターにおいて、周波数特性補正回路は、抵抗の抵抗値を
調整する抵抗値調整回路から成り、上記抵抗値調整回路
は、ばらつき検出回路により検出された製造ばらつきに
応じて上記抵抗の抵抗値を調整して、周波数特性を補正
するものであることを特徴とする。
【００１２】また、請求項５記載の発明は、上記請求項
４記載のアナログフィルターにおいて、抵抗値調整回路
は、抵抗に並列に配置されたトランジスタより成り、こ
のトランジスタは、ばらつき検出回路により検出された
製造ばらつきに応じてＯＮ／ＯＦＦ動作するものである
ことを特徴とする。
４記載のアナログフィルターにおいて、抵抗値調整回路
は、抵抗に並列に配置されたトランジスタより成り、こ
のトランジスタは、ばらつき検出回路により検出された
製造ばらつきに応じてＯＮ／ＯＦＦ動作するものである
ことを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記した構成によって、請求項１ないし請求項
５記載の発明では、ばらつき検出回路により抵抗の製造
ばらつきが検出され、この抵抗の製造ばらつきに応じ
て、その製造ばらつきが抵抗値の増大方向の場合には、
周波数特性補正回路が、例えば抵抗の抵抗値を減じるよ
うに補正して、ほぼ目標周波数特性が得られると共に、
逆に検出された製造ばらつきが抵抗値の減少方向の場合
には、周波数特性補正回路が、例えば抵抗の抵抗値を増
大させるように補正して、ほぼ目標周波数特性が得られ
る。
５記載の発明では、ばらつき検出回路により抵抗の製造
ばらつきが検出され、この抵抗の製造ばらつきに応じ
て、その製造ばらつきが抵抗値の増大方向の場合には、
周波数特性補正回路が、例えば抵抗の抵抗値を減じるよ
うに補正して、ほぼ目標周波数特性が得られると共に、
逆に検出された製造ばらつきが抵抗値の減少方向の場合
には、周波数特性補正回路が、例えば抵抗の抵抗値を増
大させるように補正して、ほぼ目標周波数特性が得られ
る。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施例であるアナログロ
ーパスフィルターの具体的構成図を示す。
ーパスフィルターの具体的構成図を示す。
【００１６】同図において、６、７、１５、１６及び１
７は各々ポリシリコンや拡散層にて作られた抵抗、８及
び９は各々酸化膜とポリシリコン等により作られた容
量、１０はオペアンプ、１１及び１２はＰチャンネルＭ
ＯＳトランジスター、１３及び１４はＮチャンネルＭＯ
Ｓトランジスター、１８は定電流源、１９はコンパレー
タ、２０はインバータ、２１は所定の電圧を有する電
源、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子である。
７は各々ポリシリコンや拡散層にて作られた抵抗、８及
び９は各々酸化膜とポリシリコン等により作られた容
量、１０はオペアンプ、１１及び１２はＰチャンネルＭ
ＯＳトランジスター、１３及び１４はＮチャンネルＭＯ
Ｓトランジスター、１８は定電流源、１９はコンパレー
タ、２０はインバータ、２１は所定の電圧を有する電
源、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子である。
【００１７】前記２個の抵抗６及び７は、入力端子ＩＮ
とオペアンプ１０との間に直列に接続され、容量８はオ
ペアンプ１０の入力とＧＮＤ間に接続され、他の容量９
はオペアンプ１０の出力と前記２個の抵抗６，７間の接
続線に接続される。
とオペアンプ１０との間に直列に接続され、容量８はオ
ペアンプ１０の入力とＧＮＤ間に接続され、他の容量９
はオペアンプ１０の出力と前記２個の抵抗６，７間の接
続線に接続される。
【００１８】上記抵抗１７は、アナログローパスフィル
ターを構成している抵抗６、７と同一の製造ばらつきを
有し，この抵抗１７と定電流源１８とは直列に接続さ
れ、抵抗１７は電源２１に接続され、定電流源１８はＧ
ＮＤに接続される。抵抗１７と定電流源１８との間から
出力される電圧Ｖｃは、抵抗１７の絶対値，即ち抵抗１
７の製造ばらつきに応じて変化し、この電圧Ｖｃは比較
電圧とされる。これ等の構成により、抵抗１７の製造ば
らつきを電圧Ｖｃに変換する電圧変換回路２５を構成す
る。
ターを構成している抵抗６、７と同一の製造ばらつきを
有し，この抵抗１７と定電流源１８とは直列に接続さ
れ、抵抗１７は電源２１に接続され、定電流源１８はＧ
ＮＤに接続される。抵抗１７と定電流源１８との間から
出力される電圧Ｖｃは、抵抗１７の絶対値，即ち抵抗１
７の製造ばらつきに応じて変化し、この電圧Ｖｃは比較
電圧とされる。これ等の構成により、抵抗１７の製造ば
らつきを電圧Ｖｃに変換する電圧変換回路２５を構成す
る。
【００１９】また、２個の抵抗１５、１６は、直列に接
続された状態で電源２１とＧＮＤとに接続される。この
２個の抵抗１５、１６の分圧電圧Ｖｂは、抵抗１５、１
６の抵抗値の絶対値が製造ばらつきに伴ってばらついて
も抵抗比で決定されるので、この分圧電圧Ｖｂは製造ば
らつきに関係なく常に一定である。この定電圧Ｖｂを基
準電圧とする。この構成により、製造ばらつきのない抵
抗に対応する基準電圧Ｖｂを発生する基準電圧発生回路
２６を構成している。
続された状態で電源２１とＧＮＤとに接続される。この
２個の抵抗１５、１６の分圧電圧Ｖｂは、抵抗１５、１
６の抵抗値の絶対値が製造ばらつきに伴ってばらついて
も抵抗比で決定されるので、この分圧電圧Ｖｂは製造ば
らつきに関係なく常に一定である。この定電圧Ｖｂを基
準電圧とする。この構成により、製造ばらつきのない抵
抗に対応する基準電圧Ｖｂを発生する基準電圧発生回路
２６を構成している。
【００２０】コンパレータ（比較回路）１９は、その
（＋）端子に上記電圧変換回路２５からの比較電圧Ｖｃ
が入力され、その（−）端子に上記基準電圧発生回路２
６の基準電圧Ｖｂが入力される。コンパレータ１９は、
抵抗１７の値が目標抵抗値よりも大きくなる，即ち、比
較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｂよりも小さくなると、“Ｌ”
レベルの出力電圧を出力する。
（＋）端子に上記電圧変換回路２５からの比較電圧Ｖｃ
が入力され、その（−）端子に上記基準電圧発生回路２
６の基準電圧Ｖｂが入力される。コンパレータ１９は、
抵抗１７の値が目標抵抗値よりも大きくなる，即ち、比
較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｂよりも小さくなると、“Ｌ”
レベルの出力電圧を出力する。
【００２１】上記電圧変換回路２５、基準電圧発生回路
２６及びコンパレータ（比較回路）１９により、抵抗１
７の製造ばらつきを検出するばらつき検出回路２７を構
成している。
２６及びコンパレータ（比較回路）１９により、抵抗１
７の製造ばらつきを検出するばらつき検出回路２７を構
成している。
【００２２】そして、上記２個のＰチャンネルＭＯＳト
ランジスター１１、１２は、直列に接続された状態で上
記２個の抵抗６、７と並列に接続されて、トランスファ
ーゲートを構成すると共に、その各ゲートには上記コン
パレータ１９の出力が直接入力される。同様に、上記２
個のＮチャンネルＭＯＳトランジスター１３、１４は、
直列に接続された状態で上記２個のＰチャンネルＭＯＳ
トランジスター１１、１２と並列に接続されて、他のト
ランスファーゲートを構成すると共に、その各ゲートに
は上記コンパレータ１９の出力がインバータ２０を介し
て入力される。上記の構成により、２個の抵抗６、７の
抵抗値を調整する抵抗値調整回路３０を構成し、この抵
抗値調整回路３０により、上記ばらつき検出回路２７に
より検出された抵抗１７の製造ばらつきに応じて２個の
抵抗６、７の抵抗値を調整して、アナログローパスフィ
ルターの周波数特性を補正するようにした周波数特性補
正回路３１を構成している。
ランジスター１１、１２は、直列に接続された状態で上
記２個の抵抗６、７と並列に接続されて、トランスファ
ーゲートを構成すると共に、その各ゲートには上記コン
パレータ１９の出力が直接入力される。同様に、上記２
個のＮチャンネルＭＯＳトランジスター１３、１４は、
直列に接続された状態で上記２個のＰチャンネルＭＯＳ
トランジスター１１、１２と並列に接続されて、他のト
ランスファーゲートを構成すると共に、その各ゲートに
は上記コンパレータ１９の出力がインバータ２０を介し
て入力される。上記の構成により、２個の抵抗６、７の
抵抗値を調整する抵抗値調整回路３０を構成し、この抵
抗値調整回路３０により、上記ばらつき検出回路２７に
より検出された抵抗１７の製造ばらつきに応じて２個の
抵抗６、７の抵抗値を調整して、アナログローパスフィ
ルターの周波数特性を補正するようにした周波数特性補
正回路３１を構成している。
【００２３】したがって、本実施例においては、抵抗１
７の値が目標抵抗値よりも大きくて、比較電圧Ｖｃが基
準電圧Ｖｂよりも小さい場合には、コンパレータ１９か
ら“Ｌ”レベルの出力電圧が出力されて、Ｐチャンネル
及びＮチャンネルの各ＭＯＳトランジスター１１〜１４
（トランスファゲート）がオンするので、これ等１１〜
１４が抵抗６、７に並列に接続されて、アナログローパ
スフィルターを構成している抵抗６、７の値が下がるこ
とになる。
７の値が目標抵抗値よりも大きくて、比較電圧Ｖｃが基
準電圧Ｖｂよりも小さい場合には、コンパレータ１９か
ら“Ｌ”レベルの出力電圧が出力されて、Ｐチャンネル
及びＮチャンネルの各ＭＯＳトランジスター１１〜１４
（トランスファゲート）がオンするので、これ等１１〜
１４が抵抗６、７に並列に接続されて、アナログローパ
スフィルターを構成している抵抗６、７の値が下がるこ
とになる。
【００２４】従って、アナログローパスフィルターを構
成する抵抗６、７の値が製造ばらつきによって目標値よ
り大きくなった（大きく製造された）場合には、抵抗値
と容量値との積ＣＲも大きくなって、アナログローパス
フィルターの周波数特性は、図２で実線で示す目標周波
数特性に対して、同図に破線で示すように図中左側にず
れることになるが、上記の通り抵抗６、７に対する抵抗
（トランジスター１１〜１４）の並列接続によって、ア
ナログローパスフィルターの抵抗６、７の抵抗値が小さ
く補正されるので、周波数特性は同図に一点鎖線で示す
ように周波数特性を補正して、目標周波数特性に近づけ
ることができる。
成する抵抗６、７の値が製造ばらつきによって目標値よ
り大きくなった（大きく製造された）場合には、抵抗値
と容量値との積ＣＲも大きくなって、アナログローパス
フィルターの周波数特性は、図２で実線で示す目標周波
数特性に対して、同図に破線で示すように図中左側にず
れることになるが、上記の通り抵抗６、７に対する抵抗
（トランジスター１１〜１４）の並列接続によって、ア
ナログローパスフィルターの抵抗６、７の抵抗値が小さ
く補正されるので、周波数特性は同図に一点鎖線で示す
ように周波数特性を補正して、目標周波数特性に近づけ
ることができる。
【００２５】尚、本実施例では、基準電圧Ｖｂが１種類
であり、従って抵抗６、７の抵抗値が２段階にしか変更
できない場合を説明したが、本発明はこれに限定され
ず、基準電圧Ｖｂ、コンパレータ１９、トランスファゲ
ート群を複数個（ｎ個）持つことにより、抵抗６、７の
抵抗値がｎ＋１段階に変更できるので、抵抗の製造ばら
つきが抵抗値の増大側にあった場合と減少側にあった場
合の双方で、より細かな調整ができる。
であり、従って抵抗６、７の抵抗値が２段階にしか変更
できない場合を説明したが、本発明はこれに限定され
ず、基準電圧Ｖｂ、コンパレータ１９、トランスファゲ
ート群を複数個（ｎ個）持つことにより、抵抗６、７の
抵抗値がｎ＋１段階に変更できるので、抵抗の製造ばら
つきが抵抗値の増大側にあった場合と減少側にあった場
合の双方で、より細かな調整ができる。
【００２６】また、本実施例では、アナログローパスフ
ィルターを例に挙げて説明したが、半導体基板上に抵抗
及び容量にて構成されるアナログハイパスフィルター
や、アナログバンドパスフィルターについても、本発明
を同様に適用できるのは勿論である。
ィルターを例に挙げて説明したが、半導体基板上に抵抗
及び容量にて構成されるアナログハイパスフィルター
や、アナログバンドパスフィルターについても、本発明
を同様に適用できるのは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項５記載のアナログフィルターによれば、その構成要
素である抵抗に製造ばらつきが存在しても、その抵抗値
を適宜調整して、周波数特性を目標周波数特性に固定保
持することができる。
求項５記載のアナログフィルターによれば、その構成要
素である抵抗に製造ばらつきが存在しても、その抵抗値
を適宜調整して、周波数特性を目標周波数特性に固定保
持することができる。
【図１】本発明の実施例のアナログローパスフィルター
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】本発明の実施例のアナログローパスフィルター
の周波数特性を示す図である。
の周波数特性を示す図である。
【図３】従来のアナログローパスフィルターを示す回路
図である。
図である。
【図４】従来のアナログローパスフィルターの周波数特
性を示す図である。
性を示す図である。
６，７ 抵抗 ８，９ 容量 １０ オペアンプ １１ ＰチャンネルＭＯＳトランジスター １２ ＰチャンネルＭＯＳトランジスター １３ ＮチャンネルＭＯＳトランジスター １４ ＮチャンネルＭＯＳトランジスター １５，１６ 抵抗 １７ 抵抗 １８ 定電流源 １９ コンパレータ（比較回路） ２１ 電源 ２５ 電圧変換回路 ２６ 基準電圧発生回路 ２７ ばらつき検出回路 ３０ 抵抗値調整回路 ３１ 周波数特性補正回路
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、抵抗及び容量
にて構成されるアナログフィルターであって、 前記抵抗の製造ばらつきを検出するばらつき検出回路
と、上記ばらつき検出回路により検出された製造ばらつ
きに応じて周波数特性を補正する周波数特性補正回路と
を備えたことを特徴とするアナログフィルター。 - 【請求項２】 ばらつき検出回路は、抵抗の製造ばらつ
きを電圧に変換する電圧変換回路と、製造ばらつきのな
い抵抗に対応する基準電圧を発生する基準電圧発生回路
と、上記電圧変換回路により変換された電圧を上記基準
電圧発生回路により発生された基準電圧と比較する比較
回路とから成ることを特徴とする請求項１記載のアナロ
グフィルター。 - 【請求項３】電圧変換手段は、グランドに接続された定
電流源と、上記定電流源と電源との間に接続された抵抗
とから成り、上記抵抗の製造ばらつきを、上記抵抗と定
電流源との間の電圧に変換するものであり、 基準電圧発生回路は、電源とグランドとの間に直列接続
された２個の抵抗から成り、前記２個の抵抗により抵抗
分割された電圧を基準電圧として発生するものであり、 比較回路は、上記電圧変換手段の抵抗と定電流源との間
の電圧を比較電圧とし、この比較電圧を上記基準電圧発
生回路の基準電圧と比較するコンパレータより成ること
を特徴とする請求項２記載のアナログフィルター。 - 【請求項４】 周波数特性補正回路は、抵抗の抵抗値を
調整する抵抗値調整回路から成り、上記抵抗値調整回路
は、ばらつき検出回路により検出された製造ばらつきに
応じて上記抵抗の抵抗値を調整して、周波数特性を補正
するものであることを特徴とする請求項１、請求項２又
は請求項３記載のアナログフィルター。 - 【請求項５】 抵抗値調整回路は、抵抗に並列に配置さ
れたトランジスタより成り、このトランジスタは、ばら
つき検出回路により検出された製造ばらつきに応じてＯ
Ｎ／ＯＦＦ動作するものであることを特徴とする請求項
４記載のアナログフィルター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073340A JPH08274581A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | アナログフィルター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073340A JPH08274581A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | アナログフィルター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274581A true JPH08274581A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13515339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7073340A Withdrawn JPH08274581A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | アナログフィルター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274581A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526928A (ja) * | 2003-06-03 | 2006-11-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ローパスフィルタおよび電子装置 |
| JP2007116176A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 回路素子の工程ばらつきおよび温度ばらつきを自動に補正できる集積回路およびその方法 |
| US7296222B1 (en) | 1999-04-16 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | Method and system for preparing and displaying page structures for web sites |
| JP2008124406A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7073340A patent/JPH08274581A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7296222B1 (en) | 1999-04-16 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | Method and system for preparing and displaying page structures for web sites |
| JP2006526928A (ja) * | 2003-06-03 | 2006-11-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ローパスフィルタおよび電子装置 |
| JP2007116176A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 回路素子の工程ばらつきおよび温度ばらつきを自動に補正できる集積回路およびその方法 |
| US7671661B2 (en) | 2005-10-21 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit and method for automatically tuning process and temperature variations |
| JP2008124406A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
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